JP4547164B2

JP4547164B2 - 配線基板の製造方法

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Publication number: JP4547164B2
Application number: JP2004054996A
Authority: JP
Inventors: 達也伊藤
Original assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Current assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Priority date: 2004-02-27
Filing date: 2004-02-27
Publication date: 2010-09-22
Anticipated expiration: 2024-02-27
Also published as: JP2005244104A

Description

本発明は、コア基板を有さない配線基板の製造方法に関する。

近年、電子機器における高機能化並びに軽薄短小化の要求により、ＩＣチップやＬＳＩ等の電子部品では高密度集積化が急速に進んでおり、これに伴い、電子部品を搭載するパッケージ基板には、従来にも増して高密度配線化及び多端子化が求められている。

このようなパッケージ基板としては、現状において、ビルドアップ多層配線基板が採用されている。ビルドアップ多層配線基板とは、補強繊維に樹脂を含浸させた絶縁性のコア基板（ＦＲ−４等のガラスエポキシ基板）のリジッド性を利用し、その両主表面上に、高分子材料からなる誘電体層と導体層とが交互に配されたビルドアップ層を形成したものである。このようなビルドアップ多層配線基板では、ビルドアップ層において高密度配線化が実現されており、一方、コア基板は補強の役割を果たす。そのため、コア基板は、ビルドアップ層と比べて非常に厚く構成され、またその内部にはそれぞれの主表面に配されたビルドアップ層間の導通を図るための配線（例えば、スルーホール導体と呼ばれる）が厚さ方向に貫通形成されている。ところが、使用する信号周波数が１ＧＨｚを超える高周波帯域となってきた現在では、そのような厚いコア基板を貫通する配線は、大きなインダクタンスとして寄与してしまうという問題があった。

そこで、そのような問題を解決するため、特許文献１に示されるような、コア基板を有さず、高密度配線化が可能なビルドアップ層を主体とした配線基板が提案されている。このような配線基板では、コア基板が省略されているため、全体の配線長が短く構成され、高周波用途に供するのに好適である。このような配線基板の製造方法に関しては、特許文献１の段落００１２〜００２９及び図１〜４に記載があり、まず、金属板主表面上にめっきレジストを形成し、これをマスクとして、金属板に対して選択エッチング性を有するレジスト金属層と配線パターンをなす導体層とをこの順で、電解めっきにより積層する。次いで、その配線パターン上に、誘電体層及び導体層を有するビルドアップ層を形成する。積層後には、金属板及びレジスト金属層をエッチングにより除去する。これにより、コア基板を有さない薄膜のビルドアップ層を得ることが可能であるとされている。

特開２００２−２６１７１号公報

しかしながら、上述のような製造方法によって配線基板を製造した場合に、支持基板である金属板とレジスト金属層とが、その製造過程における熱処理により、合金化して新たな合金層が形成される場合があり、形成された合金層を含む層のエッチング処理には、通常よりも時間がかかるという問題が生じた。

本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、コア基板を有さず、高分子材料からなる誘電体層と導体層とが交互に積層された配線基板を効率的に得ることが可能な製造方法を提供することを課題とする。

課題を解決するための手段及び作用・発明の効果

上記課題を解決するため、本発明の配線基板の製造方法では、
支持基板として用いる金属板の第一主表面の全体を覆うように、該金属板に対して選択エッチング性を有する金属薄膜層を被膜する被膜工程と、
前記被膜工程後に、前記金属薄膜層の第一主表面に、該金属薄膜層に対して選択エッチング性を有し、且つ表面粗化処理の可能な薄膜層を形成し、該薄膜層の第一主表面を粗化処理する粗化処理工程と、
粗化処理が施された前記薄膜層の第一主表面に、金属端子パッドをなす導体パターンを形成した上で、高分子材料からなる誘電体層と金属導体層とを交互に積層して配線積層部を形成する積層工程と、
前記積層工程後に、前記金属板を選択エッチングにより除去し、次いで、前記金属薄膜層及び前記薄膜層をそれぞれ選択エッチングにより除去することで、前記薄膜層の第一主表面側に形成された前記導体パターンを露出させるエッチング工程と、
をこの順で行うことを特徴とする。
なお、配線基板の製造方法としては、支持基板として用いる金属板の第一主表面の全体を覆うように、該金属板に対して選択エッチング性を有する金属薄膜層を被膜する被膜工程と、
前記被膜工程後に、前記金属薄膜層の第一主表面に、下部第一誘電体層を形成し、該下部第一誘電体層の所定位置に開口を貫通形成し、該開口の壁部および底部を含む領域を覆うように金属端子パッドとなるべき被覆導体部を形成する金属端子パッド形成工程と、
前記下部第一誘電体層上に形成された上部第一誘電体層に、前記被覆導体部のうち、前記開口の底部を覆う部位と接続するビア導体を形成するビア導体形成工程と、
前記上部第一誘電体層の第一主表面側に、金属導体層と誘電体層とを交互に積層して配線積層部を形成する積層工程と、
前記積層工程後に、前記金属板を選択エッチングにより除去し、次いで、前記金属薄膜層を選択エッチングにより除去することで、前記金属薄膜層の第一主表面側に形成された前記被覆導体部を露出させるエッチング工程と、をこの順で行うようにすることも考えられる。

金属板を支持基板としてビルドアップ層を積層する従来までの配線基板の製造方法においては、上記特許文献１の段落００１４及び図１（ｂ）に示されているレジスト金属層１０３ような、金属板と異なるエッチング選択比を有するエッチングガードメタルを、予め所定のパターンで形成する。次いで図１（ｃ）に示すように、このエッチングガードメタルと密着して配線パターン１０４のような導体パターンを形成する。これにより、金属板エッチング時に使用されるエッチング液から導体パターンは保護され、その侵食及び腐食等を防ぐことができる。ところが、本発明の配線基板の製造方法によれば、上記の役割を果たすエッチングガードメタルの形成が不要であり、代わりに金属薄膜層を金属板の第一主表面全面を覆う形で形成することができる。

金属板を支持基板としてビルドアップ層を積層する場合、その金属板としてＣｕ板が使用されることが多い。この場合、Ｃｕ板は積層時の支持基板として機能する必要があるため、比較的厚みのあるものを使用する（Ｃｕ板であれば、例えば０．８ｍｍ程度）。このようなＣｕ板をエッチングする場合は、エッチング時間の短縮のために、強い腐食性を有し、且つ通常よりも高濃度の薬液を使用する場合がある。ところが、上記特許文献１に記載のように、金属板と誘電体層とが密着して形成される場合は、金属板のエッチング液は、誘電体層と接し、このときたとえ誘電体層が腐食に対して耐性を有する材料であっても、誘電体層へのダメージを与える可能性がある。本発明によれば、厚いＣｕ板のエッチング処理は金属薄膜層表面でストップし、その高濃度の薬液が誘電体と接することは無い。その後の金属薄膜層のエッチングは、その金属薄膜層が薄い層であるため高濃度の薬液を使用する必用は無く、誘電体層へのダメージを大幅に減じることが可能である。

本発明の配線基板の製造方法において形成される金属薄膜層は、Ｔｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ａｇ，Ｓｎのうち少なくとも１種以上からなる金属材料からなることを特徴とすることができる。上記特許文献１に記載の配線基板の製造方法にならって、例えば、金属板をＣｕ板とし、エッチングガードメタルをＮｉ／Ａｕめっき処理によって形成する場合、積層時の各種熱処理工程において、ＣｕとＡｕが合金化し、その界面近傍に合金化層が新たに形成される可能性がある。このような金属板とエッチングガードメタルとの金属材料からなる合金層は、金属板エッチング時に使用するエッチング液に対して高い選択比を有する場合があり、こうした場合、金属板のエッチング処理時間は増加し、エッチング工程の処理能力が大きく落ちる。また、場合によっては、その合金層をエッチングするための新たなエッチング工程が必用となり、工程数の増加を招く可能性もある。本発明によれば、上述した金属材料からなる金属薄膜層を形成することにより、該金属薄膜層は、上記エッチングガードメタルと同様の効果を有すると共に、配線基板を製造過程における各熱処理によっても合金化されることが無いため、合金化による金属板のエッチング処理時間の増加、あるいはエッチング工程の追加等を必用としない。

そして、本発明の配線基板の製造方法においては、金属薄膜層の第一主表面に、金属薄膜層に対して選択エッチング性を有し、且つ表面粗化処理の可能な薄膜層が被膜されてなるとともに、該薄膜層はその第一主表面に粗化処理が施されていることを特徴とする。これによれば、金属薄膜層とその上に積層形成されるビルドアップ層との密着性が悪い場合には、金属薄膜層の第一主表面に薄膜層を形成し、その表面を粗化することで、金属薄膜層上に積層されるビルドアップ層との密着性を高めることが可能となる。

発明の実施の形態

以下、本発明の実施の形態について述べる。図１は本発明の配線基板の製造方法によって形成された配線基板１００の断面を示すものである。なお、はんだバンプＦＢ上には、別途形成された電子部品ＩＣが搭載されている。以下、図２〜図４を用いて図１に示す配線基板１００の製造方法の一実施形態について説明する。

図２の工程１にて、支持基板としての役割を果たす金属板２の第一主表面ＭＰ１に、例えば片面のスパッタリング処理によって、金属薄膜層３を被膜する（被膜工程）。ここで、金属板２は、エッチング処理によって除去可能な金属材料で形成される必要があり、例えばＣｕ、Ｃｕ合金、ＳＵＳ（ＪＩＳ規格）、Ｎｉ、Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ａｌ、Ａｌ合金、インバー、インバー合金等を用いることができる。また、金属薄膜層３は、金属板２に対する選択エッチング性を有し、且つ配線基板製造時の各種熱処理によって金属板２と合金化されにくい金属材料、例えばＴｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ａｇ，Ｓｎ等のうちの少なくとも１つ以上からなるものを用いることができる。本実施形態においては、金属板として銅板（Ｃｕ）、金属薄膜層としてＴｉを用いるものとする。

次に工程２に示すように、金属薄膜層３の第一主表面ＭＰ２に、紫外線感光性のドライフィルムレジスト４をラミネート（貼り合わせ）した上で、紫外線照射による露光、現像を用いてパターニング処理する。そして、パターニングされたドライフィルムレジスト４をマスクとして用い、金属端子パッドとなるべき導体パターン１１（第一金属導体層Ｍ１）を形成する。このとき形成される導体パターン１１は、後述する金属薄膜層３のエッチング処理におけるエッチング液に対して耐性を有する必要があり、例えば銅、ニッケル、金、錫、銀、パラジウム等を用いることができる。本実施形態においては、電解めっき処理により、Ｃｕを主成分とする導体パターンを形成するものとする。

工程３では、工程２でマスクとして用いたドライフィルムレジスト４をエッチング除去する。このとき、エッチング処理前に導体パターン１１の露出表面に対し、粗化処理を行っておけば、工程４にて該導体パターン１１上に積層される樹脂フィルム３０と該導体パターン１１との密着性の向上を図ることができる。

続いて図３に示す工程４にて、第一金属導体層Ｍ１の上層に熱硬化性を有する樹脂フィルム３０をラミネートし、硬化処理を施すことで第一誘電体層Ｂ１を形成する。そして樹脂フィルム３０の所定位置に、例えばレーザを用いて穿孔し、ビア用の開口部（以下、ビア孔ともいう）を形成しておく。なお、樹脂フィルム３０は、例えばエポキシを主成分とする材料にて構成することができ、周知の真空ラミネーション法により形成することができる。

工程５では、工程４にて形成された第一誘電体層Ｂ１のビア孔に、第一金属導体層Ｍ１に属する第一ビア導体２１を形成すると共に、第一誘電体層Ｂ１の第一主表面には、配線を含む導体パターン１２（第二金属導体層Ｍ２）を形成する。このとき、第一ビア導体２１によって、第一金属導体層Ｍ１と第一誘電体層Ｂ１の第一主表面に形成された第二金属導体層Ｍ２とが層間接続される。

工程６では、上述の工程２〜工程５を繰り返し、誘電体層および金属導体層を順次積層することにより、ビルドアップ層（配線積層部）１０を形成する（積層工程）。なお、該ビルドアップ層１０における最表層は、本実施形態においては、ソルダーレジスト層ＳＲ（第四誘電体層Ｂ４）が形成される。ソルダーレジスト層ＳＲには、開口部が形成されており、その直下に形成される導体パターン１４（第四金属導体層Ｍ４）が露出している。このとき、該導体層パターン１４は、金属端子パッドとなるべき導体パターンである。

なお、本実施形態では、ビルドアップ層１０は、金属導体層Ｍ１〜Ｍ４及び誘電体層Ｂ１〜Ｂ４にて構成されているが、金属導体層及び誘電体層の数はこれに限られることはない。また、金属導体層Ｍ１〜Ｍ４に形成される導体パターン１１〜１４及びビア導体２１〜２３は、例えばＣｕを主成分とするものとする。

また、ビルドアップ層１０に形成されるビア導体は、上述のようなレーザ加工とは異なり、例えば、周知のフォトビアプロセスによりビア孔を形成し、該ビア孔を、例えばセミアディティブ法による無電解メッキによって充填することにより得ることもできる。この場合、各誘電体層は少なくとも感光性を有する樹脂フィルムによって形成される必要がある。

次に、図４の工程７に示すように、積層時の支持基板の役割を果たしていた金属板２を、例えばエッチング液を用いるウエットエッチングにて、選択的にエッチング除去する（エッチング工程）。この際、金属薄膜層３は、エッチストップ層として機能する。ここで使用されるエッチング液は、金属板２と金属薄膜層３とのそれぞれ材料間にてエッチング選択比が異なるもの、特には大きいものを適宜用いるとともに、エッチング時間が短縮されるように高濃度の薬液が使用されると良い。

また、工程８では、金属薄膜層３を、例えば工程７と同様にウエットエッチングにて、選択的にエッチング除去する（エッチング工程）。ここで使用されるエッチング液は、金属薄膜層３と第一金属導体層Ｍ１の導体パターン１１とのそれぞれの材料間におけるエッチング選択比の異なるもの、特には大きいものを適宜用いると良い。これにより、第一金属導体層の第二主表面に、導体パターン１１が露出する。本実施形態では、Ｃｕを主成分としてなる導体パターン１１が露出し、その露出面はそのまま金属端子用パッドとして利用することができる。

工程９では、導体パターン１４の露出面に対して、例えばＮｉ−Ａｕメッキ又はＳｎ（ハンダ）メッキ等からなるメッキ表面層７を、電解めっき処理又は無電解めっき処理により形成する。形成されたメッキ表面層７にははんだバンプＦＢが形成され、これにより図１に示された電子部品ＩＣと接続する接続端子が形成される。工程９の処理が終了することにより、支持基板を有さず、両主表面が誘電体層にて構成され、高分子材料からなる誘電体層Ｂ１〜Ｂ４と導体層Ｍ１〜Ｍ４とが交互に積層形成された薄い配線基板を得ることが可能である。

なお、図１に示す配線基板１００は、上述の工程１〜工程９を経て得られる配線基板に対して、電子部品ＩＣがはんだバンプＦＢと接続する形で搭載されている。電子部品ＩＣ下の隙間にはアンダーフィル材ＵＦが充填されており、また、第四誘電体層Ｂ４の第一主表面上に、電子部品ＩＣの搭載部分を囲うように、補強枠（スティフナー）ＳＴが設置されている。なお、補強枠ＳＴの金属材料としては、Ｃｕ、Ｃｕ合金、ＳＵＳ（ＪＩＳ規格）、Ｎｉ、Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ａｌ、Ａｌ合金、インバー、インバー合金等を用いることができる。

本実施形態においては、金属薄膜層３とビルドアップ層１０との密着力が弱い場合がある。このような場合には、金属板２は配線基板製造時の支持基板として機能を果たし得ない可能性がある。この層間の密着力を強化する手段としては、層表面の粗化処理がある。ただし、金属薄膜層３がＴｉ等からなる場合は、その性質上、その表面の粗化処理は困難である。このような場合は、工程１において、金属薄膜層３の被膜形成後、その直上に薄膜層３´を粗化処理の容易な材質、例えばＣｕなどで形成し、その第一主表面を粗化処理しておけばよい。これにより、薄膜層３´とビルドアップ層１０との密着面は、良好な密着強度を得ることができる。なお、この薄膜層３´は、工程７における金属薄膜層３のエッチング除去後に、エッチング除去される必要がある。ただし、薄膜層３´が導体パターン１１の主成分と同じＣｕよりなる場合は、薄膜層３´のエッチング処理により、導体パターン１１の一部もエッチングされる可能性がある。しかし、薄膜層３´は薄く形成されるため、エッチング液の選択次第で、導体パターン１１の過度のエッチングを抑えることは容易である。また、逆に、導体パターン１１の露出面が多少エッチングされていた方が、金属端子パッドを形成する際に、パッド導体形成位置の特定が行い易いという点で、かえって有効である。

また、金属薄膜層３とビルドアップ層１０との密着力の強化に関しては、上述のような薄膜層３´ではなく、金属薄膜層３上にカップリング剤膜を形成することでも可能である。例えばシランカップリング剤膜であれば、絶縁層を構成する有機材料に対して結合可能な官能基（ビニル基、アミノ基、エポキシ基、イミダゾール基など）、および、導体または配線パターンなどを構成する無機材料と結合可能な官能基（水酸基、メトキシ基、エトキシ基など）を有するため、密着力の強化としては好適である。ただし、選択された金属薄膜層３の金属材料等によっては、好適なカップリング剤膜が選択できない可能性がある。

なお、本発明は、上記実施形態における、工程１、工程７及び工程８を必須とすれば、少なくとも本発明の目的は達成される。また、本発明は、図２〜図４を用いて説明した上記製造方法に限定されるものではなく、請求項の記載に基づく技術的範囲を逸脱しない限り、種々の変形ないし改良を付加することができる。そこで、上記実施形態を第一実施形態とした上で、本発明に係わる他の実施形態の代表的なものを以下に説明する。

図５は、本発明の第二実施形態を示すものであり、第一誘電体層は、支持基板側の下部第一誘電体層と、その上に形成された上部第一誘電体層とにてなるものであり、コア基板を有さず、かつ両主表面が誘電体層にて構成されるよう、導体層と誘電体層とが積層されるとともに、少なくとも一方の主表面をなす前記誘電体層の開口内に形成された金属端子パッドを有する配線基板の製造方法であって、製造時における補強のために支持体（金属板）を用いて、該支持体の主表面に下部第一誘電体層を形成し、該下部第一誘電体層の所定位置に開口を貫通形成し、該開口の壁部および底部を含む領域を覆うように前記金属端子パッドとなるべき被覆導体部を形成する金属端子パッド形成工程と、前記下部第一誘電体層上に形成された上部第一誘電体層に、前記被覆導体部のうち、前記開口の底部を覆う部位と接続するビア導体を形成するビア導体形成工程と、前記配線基板を構成すべき残部の導体層および誘電体層を積層させる積層工程と、前記積層工程後に、前記支持体を除去する支持体除去工程とが、この順で行われることを特徴とする配線基板の製造方法に基づいて形成された配線基板である。図５の配線基板は、上記第一実施形態とは導体パターン１１が異なる構造を有しており、両主表面が誘電体層にて構成されるよう、導体層と誘電体層とが積層されるとともに、少なくとも一方の主表面をなす前記誘電体層の開口に形成された金属端子パッドを有する配線基板であって、前記金属端子パッド（被覆導体部）は、前記開口に露出面を有し、かつ該露出面の裏面で前記配線基板内部の前記導体層とビア接続されるパッド本体と、該パッド本体の外縁から前記配線基板の内層方向に、前記開口の壁部に沿って形成される壁面導体部と、にて構成されることを特徴としている。以下、図６〜図８を用いて図５に示す配線基板２００の製造方法について説明する。

図６に示す工程１は、上記第一実施形態の工程１と同様である。工程２にて、支持基板をなす金属板２に被膜された金属薄膜層３の主表面に、樹脂フィルム３０をラミネートするとともに、ビア用開口部を形成して、下部第一誘電体層Ｂ１ａとする。なお、樹脂フィルム３０は、例えばプロビコートフィルム等の感光性を有する樹脂フィルムであっても良く、この場合、ラミネート後に、周知のフォトビアプロセスに基づいてパターニング処理し、下部第一誘電体層Ｂ１ａを形成する。次いで、工程３では、図６の工程３のようなパターンを有する導体パターン１１ａ（第一金属導体層Ｍ１）を形成する。この導体パターン１１ａを形成するためには、まず、工程２でパターニングされた樹脂フィルム３０とその開口部とからなる最表層を覆うように、無電解めっき処理を行う。さらにその無電解めっき層（図示なし）上にめっきレジスト（図示なし）を形成し、これをパターニング処理する。パターニングされためっきレジストをマスクとして電解めっき処理を行った後、上記めっきレジストを除去し、次いで形成された電解めっき層１１ａを改めてめっきレジスト（図示なし）によりマスクして、マスクされていない領域の上記無電解めっき層を除去し、めっきレジスト層（図示なし）を除去する。これにより、導体パターン１１ａを形成することができる。このように形成された導体パターン１１ａは、樹脂フィルム３０の開口（図６の工程２）の壁部の側面側と上面側とを覆うように形成され、この壁部を覆っている壁面導体部は鉤型形状をなしている。図７の工程４では、この導体パターン１１ａを覆うように樹脂フィルム３０をラミネートし、上部第一誘電体層Ｂ１ｂを形成する。該上部第一誘電体層Ｂ１ｂには、ビア用開口部を形成する。このビア用開口部は、図７の工程４に示されるように導体パターン１１ａの底面部の中央と接続するように形成される。

工程５以降は、図７に示すように、工程５及び工程６でビルドアップ層１０ａを積層形成し、図８に示す工程７及び工程８では金属板２及び金属薄膜層３をエッチング除去し、工程９では接続用端子等を形成する。これらは上記第一実施形態の工程５〜工程９と同様であるため、説明は省略する。工程９まで終了し、さらに電子部品ＩＣの搭載や補強枠（スティフナー）ＳＴの設置等が完了することで、図５の配線基板２００が得られる。

本発明に限らず、このような薄いビルドアップ層の製造においては、ビルドアップ層の積層工程、支持基板（金属板）除去工程、及び支持基板除去後の製造工程において発生する内部応力が、支持基板（例えば金属板等）と密着する導体パターンと、その直上に形成される誘電体層との界面に集中しやすくなる。そのため、そうした界面から、クラック等の欠陥が誘起されやすい。従って、薄いビルドアップ層を有する配線基板の製造方法においては、このようなクラック発生の問題に対して、何らかの対策が必要とされる場合がある。本発明では、支持基板の第一主表面に金属薄膜層が形成されてなる支持体と、該支持体と密着する誘電体層との界面から、クラック等の欠陥が生じる可能性があり、本発明においてもこうした問題に対する対策が必要となる場合がある。第二実施形態はそうした問題を解決する一つの実施形態を示すものであり、これによれば、第一金属導体層Ｍ１の導体パターンと第一誘電体層Ｂ１の樹脂フィルム３０との接着面積が、図１に示す第一実施形態よりも大きく確保され、内部応力の集中を緩和することができる。

図９は、本発明の第三実施形態を表す配線基板３００を示すものであり、上記第一実施形態の配線基板１００（図１）とはビルドアップ層が積層方向を逆にして形成されていることを特徴とする。本発明は、図２〜４、図６〜８のように、必ずしもマザーボードや他の配線基板との接続面側から積層形成する必要は無く、電子部品ＩＣ搭載側から積層形成されても良い。ビルドアップ層積層後の接続端子の形成や補強枠（スティフナー）ＳＴの設置位置などのみ考慮されてなされれば、どちら側から形成されていても何等問題は無い。図９においては、導体パターン１４に第一実施形態及び第二実施形態とは異なりハンダボールＳＢが形成されている。また、導体パターン１１の露出面には、ハンダバンプＦＢが形成されると共に、電子部品ＩＣが搭載されている。補強枠（スティフナー）ＳＴの設置位置も第一誘電体層側に形成される。その他の構造に関しては、上記第一実施形態と同様であるため、ハンダバンプＦＢ、ハンダボールＳＢの形成、及び補強枠（スティフナー）ＳＴの設置を行う工程を除けば、上記第一実施形態と同様の製造工程を経て形成することが可能である。従って、第三実施形態の製造方法についての説明は省略する。

図１０は、本発明の第四実施形態をなす配線基板４００を示すものである。第四実施形態は、上記第三実施形態と同様に、上記第一実施形態とビルドアップ層が積層方向を逆にして形成されるが、その積層過程において、上記第一実施形態との違いを有する。以下、図１１，図１２を用いて図１０に示す配線基板４００の製造方法について説明する。

この場合、図１１の工程１は上記第一及び第二実施形態の図１の工程１と共通である。工程２にて、金属板２に被膜された金属薄膜層３の直上に樹脂フィルム３０をラミネートし、硬化処理を施すことで図１０の第一誘電体層Ｂ１を形成する。そして樹脂フィルム３０の所定位置には、例えばレーザを用いて穿孔し、電子部品とフリップチップ接続するため導体領域が形成されるための開口部（以下、ＦＣ開口部ともいう）を形成しておく。工程３では、例えば周知のフィルドビア法により金属材料をＦＣ開口部に埋め込む。ここでは、Ｃｕを主成分する金属材料を埋め込むものとする。埋め込み後は、第一誘電体層の第一主表面を含む露出面全面に、紫外線感光性のドライフィルムレジスト４をラミネート（貼り合わせ）した上で、紫外線照射による露光、現像を用いてパターニング処理する。そして、パターニングされたドライフィルムレジスト４をマスクとして用い、導体パターン１２（第一金属導体層Ｍ２）を形成する。なお、工程４以降に関しては、図１２に示されているが、第一実施形態の工程５〜工程９と同様の処理が成されるため、説明は省略する。これにより、ビルドアップ層１０ｂを形成することができる。このビルドアップ層１０ｂに形成された導体パターン１４の露出面上に、メッキ表面層７を介してハンダボールＳＢを形成し、補強枠（スティフナー）ＳＴを設置することで、図１０に示された配線基板４００を形成することができる。

また、第四実施形態において、導体パターン１４の露出表面にのみメッキ表面層７を形成したい場合には、図１２に示す工程５の金属板２のエッチング処理直前に、電解Ｎｉ−Ａｕメッキ処理を行うことも可能である。ただし、この場合、図１３のように、Ｃｕ板２及び金属薄膜層３の露出表面全面をめっきレジスト６によって覆った上で電解めっき処理を行う必要がある。これにより、例えば、ここで形成したメッキ表面層７を介してはんだボールを形成することができ、導体パターン１１の露出面には、メッキ表面層７は形成されない。これは、第三実施形態においても同様であり、金属板２のエッチング処理直前に上記した方法で電解Ｎｉ−Ａｕメッキ処理を行い、導体パターン１４の露出表面にのみメッキ表面層７を形成することができる。なお、この電解めっき処理で行う場合は、例えば図１３に示すように、金属板２を介して互いに電気的に連結された導体パターン１４のうち、その複数の露出面のうちのいずれかもしくは金属板２から電流を供給することで行うことができる（図１３では、メッキバー７０から導体パターン１４のうちの一つの露出面へ電流を供給している）。なお、めっきレジスト６は、電解Ｎｉ−Ａｕメッキ処理後にエッチング除去される。

本発明の第一実施形態である配線基板の製造方法によって製造された配線基板の断面構造の概略を示す図。本発明の第一実施形態である配線基板の製造方法の工程を表す図。図２に続く図。図３に続く図。本発明の第二実施形態である配線基板の製造方法によって製造された配線基板の断面構造の概略を示す図。本発明の第二実施形態である配線基板の製造方法の工程を表す図。図６に続く図。図７に続く図。本発明の第三実施形態である配線基板の製造方法によって製造された配線基板の断面構造の概略を示す図。本発明の第四実施形態である配線基板の製造方法によって製造された配線基板の断面構造の概略を示す図。本発明の第四実施形態である配線基板の製造方法の工程を表す図図１１に続く図。電解メッキ処理による金属端子パッド上のメッキ表面層の形成を表す図。

符号の説明

１００，２００，３００，４００配線基板
２金属板（Ｃｕ板）
３金属薄膜層
１０，１０ａ，１０ｂ配線積層部（ビルドアップ層）
１１，１１ａ，１２，１３，１４導体パターン
２１，２２，２３ビア導体
３０樹脂フィルム
ＳＲソルダーレジスト
ＦＢハンダバンプ
ＳＢハンダボール
ＳＴ補強枠（スティフナー）

Claims

支持基板として用いる金属板の第一主表面の全体を覆うように、該金属板に対して選択エッチング性を有する金属薄膜層を被膜する被膜工程と、
前記被膜工程後に、前記金属薄膜層の第一主表面に、該金属薄膜層に対して選択エッチング性を有し、且つ表面粗化処理の可能な薄膜層を形成し、該薄膜層の第一主表面を粗化処理する粗化処理工程と、
粗化処理が施された前記薄膜層の第一主表面に、金属端子パッドをなす導体パターンを形成した上で、高分子材料からなる誘電体層と金属導体層とを交互に積層して配線積層部を形成する積層工程と、
前記積層工程後に、前記金属板を選択エッチングにより除去し、次いで、前記金属薄膜層及び前記薄膜層をそれぞれ選択エッチングにより除去することで、前記薄膜層の第一主表面側に形成された前記導体パターンを露出させるエッチング工程と、
をこの順で行うことを特徴とする配線基板の製造方法。
前記薄膜層の第一主表面に前記導体パターンを形成した後、該導体パターンの露出表面を粗化処理する請求項１に記載の配線基板の製造方法。
前記エッチング工程により露出した前記導体パターンの露出面に、電子部品が搭載されるハンダバンプを形成する請求項１又は２に記載の配線基板の製造方法。