JP5175779B2 - 配線回路基板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、配線回路基板の製造方法、詳しくは、ＣＯＦ基板などの配線回路基板の製造方法に関する。

従来より、ＣＯＦ基板などの配線回路基板の導体パターンの形成において、アディティブ法が用いられている。例えば、ポリイミドからなるベース絶縁層の上に、クロムおよび銅からなる導体薄膜を形成し、導体薄膜の上に、銅からなる導体パターンを形成するアディティブ法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
すなわち、上記した特許文献１では、ベース絶縁層の全面に、導体薄膜を、スパッタリングにより形成する。次いで、導体薄膜を、ネガ型のドライフィルムレジストにより被覆した後、上方からフォトマスクを介して露光し、次いで、現像することにより、めっきレジストを配線回路パターンの反転パターンで形成する。続いて、めっきレジストから露出する導体薄膜の表面に、電解銅めっきによる銅の析出によって、導体パターンを形成することが提案されている。

特開２００６−３３２５４９号公報

しかるに、アディティブ法では、ベース絶縁層の側端面に形成される導体薄膜に、銅が析出されないように、めっきレジストにより被覆する必要がある。
すなわち、ベース絶縁層の側端面に形成される導体薄膜は、ベース絶縁層の上面に形成される導体薄膜に比べて、不均一に形成され易い。そして、ベース絶縁層の側端面に形成される導体薄膜に銅が析出すれば、銅が、その導体薄膜とともに絶縁層の側端面から容易に剥がれて異物になるという不具合がある。そのため、ベース絶縁層の側端面の銅の析出および剥離を防止すべく、ベース絶縁層の側端面に形成される導体薄膜をめっきレジストにより被覆する必要がある。

一方、ドライフィルムレジストは、通常、熱圧着により積層されることから、ベース絶縁層の上面に形成される導体薄膜の端部の端縁には、押圧力が集中的にかかるため、厚みが薄くなり、さらには、ベース絶縁層の側端面に形成される導体薄膜の表面にずり落ちる場合がある。そして、ドライフィルムレジストがずり落ちる場合には、ドライフィルムレジストには、ベース絶縁層の上面に形成される導体薄膜の端部の端縁において、ドライフィルムレジストが欠損した幅狭の欠損部分（ボイド）が形成される。かかるドライフィルムレジストから形成されるめっきレジストを用いて電解銅めっきすると、銅が、フォトレジストの欠損部分の導体薄膜から析出する。そのため、かかる銅は、比較的幅狭に形成されているので、絶縁層との密着力が低く、導体薄膜とともに絶縁層から剥がれて異物になるという不具合がある。そのため、ベース絶縁層の上面に形成される導体薄膜の端部に、意図的に、幅広の銅層を設けることにより、上記した幅狭の銅の析出を防止して、銅層と絶縁層との密着性を向上させることが望まれる。

そのため、上記異物の発生を防止すべく、めっきレジストにより、ベース絶縁層の側端面に形成される導体薄膜を被覆するとともに、ベース絶縁層の上面に形成される導体薄膜の端部を、幅広の銅層が形成されるようにめっきレジストから露出させる必要がある。その場合には、ベース絶縁層の側端面に形成される導体薄膜においては、ネガ型のドライフィルムレジストからめっきレジストを形成するために、その部分に対応するドライフィルムレジストが露光部分となる一方で、ベース絶縁層の上面に形成される導体薄膜の端部には、幅広の銅層を形成するために、その部分に対応するドライフィルムレジストが未露光部分となるマスクパターンを設ける必要がある。しかし、ベース絶縁層の側端面に形成される導体薄膜が露光部分となり、ベース絶縁層の上面に形成される導体薄膜の端部が未露光部分となるように、フォトマスクを正確に配置することは困難である。

本発明の目的は、絶縁層の上面の端部における導体異物の発生を防止することができながら、絶縁層の側端面における導体異物の発生を簡易に防止することのできる配線回路基板の製造方法を提供することにある。

上記目的を達成するために、本発明の配線回路基板の製造方法は、絶縁層を用意する工程、導体薄膜を、前記絶縁層の上面および側端面に形成する工程、フォトレジストにより、前記絶縁層の上面および側端面に形成される前記導体薄膜を被覆する工程、フォトマスクを、前記絶縁層の上面に形成される前記導体薄膜における端部および導体層が形成される部分が遮光されるように配置して、前記絶縁層の上面に形成される前記導体薄膜を被覆する前記フォトレジストを、上方から前記フォトマスクを介して露光する工程、前記絶縁層の側端面に形成される前記導体薄膜を被覆する前記フォトレジストを、下方から露光する工程、前記フォトレジストにおける未露光部分を除去して、露光部分をパターンに形成して、めっきレジストを形成する工程、前記めっきレジストから露出する前記導体薄膜の上に、前記絶縁層の上面に形成される前記導体薄膜における端部に端部導体層と、前記絶縁層の上面に形成される前記導体薄膜に前記導体層とを、同時に形成する工程、前記めっきレジストを除去する工程、および、前記めっきレジストに被覆されていた前記導体薄膜を除去する工程を備えることを特徴としている。

この方法では、導体薄膜を、絶縁層の上面に形成し、フォトレジストにより、絶縁層の上面に形成される導体薄膜を被覆し、そして、フォトマスクを、絶縁層の上面に形成される導体薄膜における端部および導体層が形成される部分が遮光されるように配置して、絶縁層の上面に形成される導体薄膜を被覆するフォトレジストを、上方からフォトマスクを介して露光する。すると、絶縁層の上面に形成される導体薄膜における端部および導体層が形成される部分に、フォトレジストの未露光部分が形成される。そして、そのフォトレジストの未露光部分を除去した後、めっきレジストを形成すれば、端部導体層を、めっきレジストから露出する、絶縁層の上面に形成される導体薄膜の端部に形成することができる。それと同時に、導体層を、めっきレジストから露出する、絶縁層の上面に形成される導体薄膜の端部導体層以外の部分に形成することができる。そのため、導体層を形成できながら、絶縁層の上面に形成される導体薄膜の端部において、端部導体層を形成して、幅狭の導体材料の析出を防止し、端部導体層と絶縁層との密着性を向上させることができる。その結果、絶縁層の上面の端部における導体異物の発生を防止して、接続信頼性の高い配線回路基板を得ることができる。

一方、この方法では、導体薄膜を、絶縁層の側端面に形成し、フォトレジストにより、絶縁層の側端面に形成される導体薄膜を被覆し、そのフォトレジストを、下方から、導体薄膜をマスクとして露光できる。そのため、絶縁層の側端面に形成される導体薄膜を被覆するフォトレジストを簡易に露光することができる。そうすると、その露光部分から、めっきレジストを、絶縁層の側端面に形成される導体薄膜を被覆するように形成することができる。そのため、絶縁層の側端面に形成される導体薄膜において、導体材料の析出を簡易に防止することができ、その結果、絶縁層の側端面における導体異物の発生を簡易に防止することができる。

また、本発明の配線回路基板の製造方法においては、前記導体薄膜を形成する工程では、前記導体薄膜を、スパッタリングにより形成することが好適である。
一般に、導体薄膜をスパッタリングにより形成すると、絶縁層の側端面に形成される導体薄膜は、絶縁層の上面に形成される導体薄膜に比べて、とりわけ不均一に形成され易い。そのため、絶縁層の側端面に形成される導体薄膜に導体層が形成されれば、導体層が、導体薄膜とともに絶縁層の側端面からとりわけ容易に剥がれて、異物になる。

しかし、この方法では、導体薄膜をスパッタリングにより形成しても、絶縁層の側端面に形成される導体薄膜を被覆するフォトレジストを下方から露光して、その露光部分のめっきレジストによって、絶縁層の側端面に形成される導体薄膜を被覆することができる。そのため、導体層が導体薄膜とともに絶縁層の側端面から剥がれることを確実に防止することができる。

また、本発明の配線回路基板の製造方法では、前記絶縁層を用意する工程では、金属支持層の上に前記絶縁層が積層された２層基材を用意し、前記導体薄膜を形成する工程では、前記導体薄膜を、前記絶縁層の上面と、前記絶縁層および前記金属支持層の側端面とに形成し、前記フォトレジストにより前記導体薄膜を被覆する工程では、前記フォトレジストにより、前記絶縁層の上面に形成される前記導体薄膜と、前記絶縁層および前記金属支持層の側端面に形成される前記導体薄膜とを被覆し、前記フォトレジストを下方から露光する工程では、前記絶縁層および前記金属支持層の側端面に形成される前記導体薄膜を被覆する前記フォトレジストを、下方から露光することが好適である。

この方法では、金属支持層の上に絶縁層が積層された２層基材を用意するので、金属支持層により、絶縁層を補強できる。そのため、導体パターンを精度良く形成することができる。
また、導体薄膜を、絶縁層および金属支持層の側端面に形成し、フォトレジストにより、絶縁層および金属支持層の側端面に形成される導体薄膜を被覆し、そのフォトレジストを、下方から、金属支持層と、絶縁層および金属支持層の側端面に形成される導体薄膜とをマスクとして露光できる。そのため、絶縁層および金属支持層の側端面に形成されるフォトレジストのみを簡易かつ確実に露光することができる。

また、本発明の配線回路基板の製造方法では、前記フォトレジストを、ドライフィルムレジストから形成することが好適である。
ドライフィルムレジストを絶縁層の上面に形成される導体薄膜に積層する場合、絶縁層の上面に形成される導体薄膜の端部の端縁において、熱圧着に基づく押圧力が集中的にかかるため、欠損部分を生じ易い。そのため、導体層の形成において、欠損部分に起因する幅狭の導体材料が意図せずに析出するという不具合がある。

しかし、この方法では、ドライフィルムからフォトレジストを形成した後、上記したように、フォトマスクを、絶縁層の上面に形成される導体薄膜における端部が遮光されるように配置して、そのフォトレジストを、上方からフォトマスクを介して露光する。そのため、導体層を形成できながら、絶縁層の上面に形成される導体薄膜の端部において、端部導体層を意図的に形成して、幅狭の導体材料の析出を防止し、端部導体層と絶縁層との密着性を向上させることができる。その結果、絶縁層の上面の端部における導体異物の発生を防止して、接続信頼性の高い配線回路基板を得ることができる。

また、本発明の配線回路基板の製造方法では、前記フォトレジストにより前記導体薄膜を被覆する工程では、樹脂支持層を、前記絶縁層の下に、前記絶縁層の側端面に形成される前記導体薄膜を被覆する前記フォトレジストを含むように、積層することが好適である。
この方法では、樹脂支持層を積層すると同時に、その樹脂支持層の上に、フォトレジストを積層することにより、絶縁層の側端面に形成される導体薄膜を簡単かつ確実に被覆することができる。

また、樹脂支持層により、絶縁層を補強して、それに靱性を付与することができるので、導体パターンを精度よく形成することができる。
また、本発明の配線回路基板の製造方法では、さらに、前記フォトレジストにより前記導体薄膜を被覆する工程の後に、前記絶縁層の側端面に形成される前記導体薄膜を被覆する前記フォトレジストを加熱する工程を備えることが好適である。

一般に、フォトレジストにより導体薄膜を被覆する工程の後には、絶縁層の側端面に形成される導体薄膜を被覆するフォトレジストに、気泡が生じる場合がある。しかし、この方法では、フォトレジストにより導体薄膜を被覆する工程の後に、絶縁層の側端面に形成される導体薄膜を被覆するフォトレジストを加熱するので、かかる気泡の数または体積を減少させたり、さらには、気泡を除去することができる。

本発明の配線回路基板の製造方法によれば、絶縁層の側端面における導体異物および絶縁層の上面の端部における導体異物の発生を防止して、接続信頼性の高い配線回路基板を得ることができる。

本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態により製造される配線回路基板（金属支持層を備える態様）の幅方向に沿う断面図を示す。 本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態の工程図であって、（ａ）は、２層基材を用意する工程、（ｂ）は、導体薄膜を形成する工程、（ｃ）は、フォトレジストを形成すると同時に、樹脂支持層を形成する工程、（ｄ）は、フォトレジストを、上方からフォトマスクを介して露光する工程を示す。 図２に続いて、本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態の工程図であって、（ｅ）は、フォトレジストを、下方から露光する工程、（ｆ）は、フォトレジストにおける未露光部分を除去して、露光部分をパターンに形成して、めっきレジストを形成する工程、（ｇ）は、端部導体層と導体層とを同時に形成する工程を示す。 図３に続いて、本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態の工程図であって、（ｈ）は、めっきレジストおよびめっきレジストに被覆されていた部分の導体薄膜を順次除去する工程、（ｉ）は、カバー絶縁層を、ベース絶縁層の上に形成する工程、（ｊ）は、樹脂支持層を除去する工程を示す。 本発明の配線回路基板の製造方法の他の実施形態により製造される配線回路基板（金属支持層を備えない態様）の幅方向に沿う断面図を示す。 本発明の配線回路基板の製造方法の他の実施形態の工程図であって、（ａ）は、ベース絶縁層を用意する工程、（ｂ）は、導体薄膜を形成する工程、（ｃ）は、フォトレジストを形成すると同時に、樹脂支持層を形成する工程、（ｄ）は、フォトレジストを、上方からフォトマスクを介して露光する工程を示す。 図６に続いて、本発明の配線回路基板の製造方法の他の実施形態の工程図であって、（ｅ）は、フォトレジストを、下方から露光する工程、（ｆ）は、フォトレジストにおける未露光部分を除去して、露光部分をパターンに形成して、めっきレジストを形成する工程、（ｇ）は、端部導体層と導体層とを同時に形成する工程を示す。 図７に続いて、本発明の配線回路基板の製造方法の他の実施形態の工程図であって、（ｈ）は、めっきレジストおよびめっきレジストに被覆されていた部分の導体薄膜を順次除去する工程、（ｉ）は、カバー絶縁層を、ベース絶縁層の上に形成する工程、（ｊ）は、樹脂支持層を除去する工程を示す。 比較例１のＣＯＦ基板の製造方法の工程図であって、（ａ）は、フォトマスクを、幅方向中央の導体層が形成される部分のみが遮光されるように配置して、フォトレジストを、上方からそのフォトマスクを介して露光する工程、（ｂ）は、フォトレジストにおける未露光部分を除去して、露光部分をパターンに形成して、めっきレジストを形成する工程、（ｃ）は、導体層を形成する工程を示す。 比較例２のＣＯＦ基板の製造方法の工程図であって、（ａ）は、フォトマスクを、幅方向中央の導体層および幅方向両端部の端部導体層が形成される部分のみが遮光されるように配置して、フォトレジストを、上方からそのフォトマスクを介して露光する工程、（ｂ）は、フォトレジストにおける未露光部分を除去して、露光部分をパターンに形成して、めっきレジストを形成する工程、（ｃ）は、導体層および端部導体層を形成する工程を示す。

図１は、本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態により製造される配線回路基板（金属支持層を備える態様）の幅方向に沿う断面図、図２〜図４は、本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態の工程図を示す。
図１において、この配線回路基板１は、図示しないＩＣチップを実装して、各種電子機器に搭載されるＣＯＦ基板であって、長手方向に延びる金属支持層２と、金属支持層２の上に形成される絶縁層としてのベース絶縁層３とを備えている。また、配線回路基板１は、ベース絶縁層３の上に形成される導体薄膜８と、導体薄膜８の上に形成される導体パターン４と、ベース絶縁層３の上に、導体薄膜８および導体パターン４を被覆するように形成されるカバー絶縁層５とを備えている。

金属支持層２は、補強層である。また、金属支持層２を形成する金属材料としては、例えば、ステンレス、４２アロイなどが用いられ、好ましくは、ステンレスが用いられる。
金属支持層２は、平板状の金属箔や金属薄板からなる。金属支持層２の厚みは、例えば、５〜１００μｍ、好ましくは、１０〜５０μｍである。
ベース絶縁層３は、金属支持層２の表面に形成されている。より具体的には、ベース絶縁層３は、幅方向（長手方向に直交する方向）にわたり、金属支持層２の上面全面に形成されている。すなわち、ベース絶縁層３の幅方向端縁は、平面視において、金属支持層２の幅方向端縁と同一位置に形成されている。つまり、ベース絶縁層３の幅方向両側端面は、厚み方向において金属支持層２の幅方向両側端面と面一に形成されている。

ベース絶縁層３を形成する絶縁材料としては、例えば、ポリイミド、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニルなどの合成樹脂が用いられる。これらのうち、好ましくは、ポリイミドが用いられる。
ベース絶縁層３の厚みは、例えば、１〜５０μｍ、好ましくは、２０〜４０μｍである。これにより、金属支持層２およびベース絶縁層３の合計の厚みＴ１は、例えば、６〜１５０μｍ、好ましくは、３０〜９０μｍに設定される。

導体薄膜８は、後述するセミアディティブ法により形成される種膜であって、ベース絶縁層３の上面に形成されている。つまり、導体薄膜８は、平面視において、導体パターン４と同一のパターンで形成されている。
導体薄膜８を形成する導体材料としては、例えば、銅、クロムなどの導体材料が用いられる。導体薄膜８の厚みは、例えば、２０〜５００ｎｍ、好ましくは、５０〜３００ｎｍである。

導体パターン４は、導体薄膜８の上面に形成されており、導体パターン４の側端縁は、平面視において、導体薄膜８の側端縁と同一位置に形成されている。つまり、導体パターン４の側端面は、厚み方向において導体薄膜８の側端面と面一に形成されている。
また、導体パターン４は、導体層６と、端部導体層７とを備えている。
導体層６は、ベース絶縁層３の上において、幅方向途中に設けられている。すなわち、導体層６は、端部導体層７が形成される領域（幅方向両端部）が確保されるように、幅方向両端部の端縁から間隔を隔てて配置されており、より具体的には、幅方向略中央に形成されている。また、導体層６は、長手方向に沿って延び、幅方向において互いに間隔を隔てて並列配置される複数の配線１５と、各配線１５の長手方向両端部に連続する図示しない端子部とを一体的に備える配線回路パターンとして形成されている。

端部導体層７は、ベース絶縁層３の上において、幅方向両端部に設けられており、導体層６の幅方向両外側において幅方向最両外側の配線１５と間隔を隔てて対向配置されている。各端部導体層７は、ベース絶縁層３の幅方向両端縁に並行するパターンで形成されており、断面略矩形扁平状に形成されている。また、各端部導体層７は、平面視において、その幅方向外側端縁、すなわち、幅方向一方側に配置される第１端部導体層７Ａの幅方向一側端縁、および、幅方向他方側に配置される第２端部導体層７Ｂの幅方向他側端縁が、ベース絶縁層３の幅方向両側端縁と同一位置に形成されている。つまり、第１端部導体層７Ａの幅方向一側端面および第２端部導体層７Ｂの幅方向他側端面が、厚み方向において、ベース絶縁層３の幅方向両側端面と面一にそれぞれ形成されている。

導体パターン４を形成する導体材料としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などが用いられる。好ましくは、銅が用いられる。
各配線１５の幅は、例えば、５〜１００μｍ、好ましくは、５〜５０μｍであり、各配線１５間の間隔は、例えば、５〜１００μｍ、好ましくは、５〜５０μｍである。
また、各端部導体層７の幅Ｗ１は、例えば、５０μｍ以上、好ましくは、２００μｍ以上、さらに好ましくは、１０００μｍ以上であり、通常、１０ｍｍ以下である。各端部導体層７の幅Ｗ１が、上記した範囲に満たない場合には、端部導体層７とベース絶縁層３との密着力が低下して、導体異物となる場合がある。

カバー絶縁層５は、ベース絶縁層３の表面、導体薄膜８の側端面（幅方向両側端面）および導体パターン４の表面に、導体薄膜８および導体パターン４に対応して、形成されている。
カバー絶縁層５を形成する絶縁材料としては、上記したベース絶縁層３の絶縁材料と同様の絶縁材料が用いられる。

カバー絶縁層５の厚みは、例えば、１〜４０μｍ、好ましくは、３〜１０μｍである。
次に、本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態を、図２〜図４を参照して、説明する。
まず、この方法では、図２（ａ）に示すように、金属支持層２の上にベース絶縁層３が積層された２層基材を用意する。

２層基材を用意するには、市販の２層基材をそのまま用いる。また、金属支持層２の表面にベース絶縁層３を積層することにより、２層基材を用意することができる。
次いで、この方法では、図２（ｂ）〜図４（ｈ）に示すように、ベース絶縁層３の上に、導体薄膜８および導体パターン４を順次形成する。導体薄膜８および導体パターン４は、例えば、アディティブ法、より具体的には、セミアディティブ法により形成する。

導体薄膜８および導体パターン４をセミアディティブ法により形成するには、まず、図２（ｂ）に示すように、ベース絶縁層３の上面と、ベース絶縁層３および金属支持層２の幅方向両側端面とに、導体薄膜８を形成する。
導体薄膜８は、例えば、スパッタリング、真空蒸着、イオンプレーティングなどの物理蒸着、例えば、電解めっきまたは無電解めっきなどのめっきにより、形成する。好ましくは、物理蒸着、さらに好ましくは、スパッタリングにより形成する。

これにより、導体薄膜８を、ベース絶縁層３の上面と、ベース絶縁層３および金属支持層２の幅方向両側端面とにわたって連続して形成する。
次いで、この方法では、図２（ｃ）に示すように、フォトレジスト１３により、ベース絶縁層３の上面に形成される導体薄膜８と、ベース絶縁層３および金属支持層２の幅方向両側端面に形成される導体薄膜８とを被覆する（被覆工程）。また、これと同時に、樹脂支持層９を、金属支持層２の下面に、金属支持層２と、ベース絶縁層３および金属支持層２の幅方向両側端面を被覆するフォトレジスト１３とを含むように、積層する。

フォトレジスト１３により、ベース絶縁層３の上面に形成される導体薄膜８と、ベース絶縁層３および金属支持層２の幅方向両側端面に形成される導体薄膜８とを被覆するには、図示しないが、まず、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）などからなる支持層、支持層に積層され、ネガ型のドライフィルムレジストからなるフォトレジスト１３、および、フォトレジストに積層され、離型処理が施されたＰＥＴなどからなる離型層を備えるフォトレジスト積層体を用意する。

フォトレジスト積層体は、フォトレジスト１３がベース絶縁層３および金属支持層２の幅方向側側端面に形成される導体薄膜８を被覆するために、その大きさが、ベース絶縁層３（具体的には、ベース絶縁層３の幅および導体薄膜８の厚みとの合計）より大きく設定され、例えば、その幅が、ベース絶縁層３の幅より、１ｍｍ以上大きく、好ましくは、３ｍｍ以上（通常、５ｍｍ以下）大きく設定されている。また、フォトレジスト１３の厚みＴ２は、例えば、１５〜５０μｍ、好ましくは、１５〜２５μｍである。

次いで、離型層をフォトレジスト１３から剥離し、フォトレジスト１３がベース絶縁層３の上面に形成される導体薄膜８に接触するように、支持層からフォトレジスト１３に向けて、フォトレジスト積層体を熱圧着する。具体的には、フォトレジスト積層体を、例えば、温度５０〜１５０℃、好ましくは、８０〜１００℃で、例えば、圧力０．２０〜０．５０ＭＰａで熱圧着する。

その後、支持層を、フォトレジスト１３から剥離する。
上記したフォトレジスト１３による被覆と同時に、樹脂支持層９を、金属支持層２の下面に積層するには、まず、図示しないが、樹脂支持層９、樹脂支持層９に積層される接着剤層、および、接着剤層に積層され、離型処理が施されたＰＥＴなどからなる離型層を備える樹脂支持層積層体を用意する。

なお、樹脂支持層９は、後述する下方からの露光において、露光を阻害しない（光を透過できる）樹脂材料から形成されればよく、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレートなどの透明の合成樹脂などから形成されている。
また、樹脂支持層積層体の大きさは、金属支持層２と、ベース絶縁層３および金属支持層２の幅方向両側端面に形成される導体薄膜８を被覆するフォトレジスト１３を含む大きさであればよく、その幅が、例えば、金属支持層２の幅よりも、１ｍｍ以上大きく、好ましくは、４ｍｍ以上（通常、１０ｍｍ以下）大きく設定されている。また、樹脂支持層９の厚みは、例えば、２５〜１５０μｍ、好ましくは、５０〜１００μｍである。

次いで、離型層を接着剤層から剥離し、接着剤層が金属支持層２の下面に接触するように、樹脂支持層積層体を積層する。
そして、導体薄膜８（ベース絶縁層３の上面に形成される導体薄膜８）、ベース絶縁層３および金属支持層２は、厚み方向において、フォトレジスト積層体（フォトレジスト１３）および樹脂支持層積層体（樹脂支持層９）により挟まれながら、フォトレジスト１３および樹脂支持層９が同時に形成される。

積層後のフォトレジスト１３は、ベース絶縁層３の上面に形成される導体薄膜８の幅方向両端部の端縁において、フォトレジスト１３が熱圧着されたことにより、ベース絶縁層３および金属支持層２の幅方向両側端面に形成される導体薄膜８の表面にずり落ちる（流動する）。これにより、ベース絶縁層３の上面に形成される導体薄膜８の幅方向両側端部の端縁には、フォトレジスト１３が欠損した欠損部分（ボイド）２０が形成される。欠損部分２０の幅は、通常、３〜５０μｍである。

なお、フォトレジスト１３における欠損部分２０より幅方向内側部分は、その厚みが薄くなっており、具体的には、幅方向両外側に向かうに従って厚みが次第に薄くなるように、形成されている。
また、ベース絶縁層３の幅方向両側端面に形成される導体薄膜８を被覆するフォトレジスト１３は、上記した欠損部分２０での流動によって、厚み方向上側に向かうに従って幅が次第に広くなる、断面略台形状に形成されている。

次いで、この方法では、ベース絶縁層３および金属支持層２の幅方向両側端面に形成される導体薄膜８を被覆するフォトレジスト１３を加熱する。
フォトレジスト１３は、フォトレジスト１３で被覆された製造途中の配線回路基板１を、被覆工程の直後に、例えば、６０〜１５０℃、好ましくは、８０〜１２０℃で加熱する。また、フォトレジスト１３は、例えば、１５〜６０秒間、好ましくは、１５〜３０秒間、例えば、空気中あるいは窒素などの不活性雰囲気中で、加熱する。

次いで、この方法では、図２（ｄ）に示すように、フォトマスク１０を、ベース絶縁層３の上面に形成される導体薄膜８における幅方向両端部および幅方向略中央（すなわち、幅方向両端部以外）の導体層６が形成される部分と、ベース絶縁層３および金属支持層２の幅方向両側端面に形成される導体薄膜８を被覆するフォトレジスト１３とが遮光されるように配置して、ベース絶縁層３の上面を被覆するフォトレジスト１３を、上方からフォトマスク１０を介して露光する。

フォトマスク１０は、遮光部分１１および光透過部分１２からなるマスクパターンを備えている。そして、フォトマスク１０をフォトレジスト１３の上側に間隔を隔てて配置して、導体層６および端部導体層７を形成する部分に対応するフォトレジスト１３と、ベース絶縁層３および金属支持層２の幅方向両側端面に形成される導体薄膜８を被覆するフォトレジスト１３とには遮光部分１１を対向配置させ、ベース絶縁層３の上面のめっきレジスト１４を形成する部分（導体層６および端部導体層７の反転パターンの部分）のフォトレジスト１３には光透過部分１２を対向配置させる。

なお、このフォトマスク１０の配置においては、端部導体層７を形成する部分のフォトレジスト１３と、ベース絶縁層３および金属支持層２の幅方向両側端面に形成される導体薄膜８を被覆するフォトレジスト１３とは、連続する１つの遮光部分１１により遮光される。
そして、フォトマスク１０の配置後、フォトレジスト１３を、上方からフォトマスク１０を介して露光する。

露光は、例えば、紫外線などの光が用いられ、その照射量は、例えば、５０〜５００ｍＪ／ｃｍ^２である。
フォトレジスト１３の上方からの露光では、めっきレジスト１４が形成される部分が露光部分となり、それ以外の部分（導体層６、端部導体層７、および、ベース絶縁層３および金属支持層２の幅方向両側端面に形成される導体薄膜８を被覆する部分）が未露光部分となる。

次いで、この方法では、図３（ｅ）に示すように、ベース絶縁層３および金属支持層２の幅方向両側端面に形成される導体薄膜８を被覆するフォトレジスト１３を、下方から露光する。
フォトレジスト１３を、樹脂支持層９を介して、フォトマスク１０を別途設けることなく、下方から露光する。なお、この露光では、金属支持層２と、ベース絶縁層３および金属支持層２の幅方向両側端面に形成される導体薄膜８とが、フォトマスクを兼ねている。

露光では、例えば、紫外線などの光が用いられ、その照射量は、例えば、５０〜５００ｍＪ／ｃｍ^２である。
フォトレジスト１３の下方からの露光では、ベース絶縁層３および金属支持層２の幅方向両側端面に形成される導体薄膜８を被覆するフォトレジスト１３、つまり、フォトレジスト１３の上方からの露光における未露光部分が、露光部分となる。

次いで、この方法では、図３（ｆ）に示すように、フォトレジスト１３における未露光部分を除去して、露光部分をパターンに形成して、めっきレジスト１４を形成する。
フォトレジスト１３における未露光部分を除去して、露光部分をパターンに形成して、めっきレジスト１４を形成するには、まず、未露光部分を、公知の現像液を用いる現像により除去した後、乾燥する。

次いで、この方法では、図３（ｇ）に示すように、めっきレジスト１４から露出する導体薄膜８の上に、ベース絶縁層３の上面に形成される導体薄膜８の幅方向両端部に端部導体層７と、ベース絶縁層３の上面に形成される導体薄膜８の幅方向略中央に導体層６とを、同時に形成する。
端部導体層７および導体層６を形成するには、例えば、電解めっきなどが用いられる。

電解めっきでは、導体薄膜８から給電することにより、めっきレジスト１４から露出する導体薄膜８の上面に、端部導体層７および導体層６が同時に析出されて、これらを同時に形成することができる。なお、導体薄膜８は、金属支持層２を介して、図示しない給電装置からの電気の供給により、給電する。
次いで、この方法では、図４（ｈ）に示すように、めっきレジスト１４およびめっきレジスト１４に被覆されていた部分の導体薄膜８を順次除去する。めっきレジスト１４および導体薄膜８を除去するには、例えば、エッチングや剥離などが用いられる。

これにより、ベース絶縁層３の上に、導体薄膜８および導体パターン４を形成することができる。
次いで、図４（ｉ）に示すように、カバー絶縁層５を、ベース絶縁層３の上に、上記したパターンで形成する。
カバー絶縁層５を形成するには、ベース絶縁層３および導体パターン４の上面全面に、上記した合成樹脂の溶液（ワニス）を均一に塗布した後、乾燥し、次いで、必要に応じて、加熱によって硬化させる。また、カバー絶縁層５の形成は、ベース絶縁層３および導体パターン４の上面全面に、例えば、感光性のワニスを塗布し、乾燥後、上記したパターンで露光および現像し、必要により、加熱によって硬化させる。さらに、カバー絶縁層５の形成は、例えば、合成樹脂を上記したパターンのフィルムに予め形成して、そのフィルムを、ベース絶縁層３および導体パターン４の上面全面に、公知の接着剤層を介して貼着することもできる。

その後、図４（ｊ）に示すように、樹脂支持層９を、例えば、剥離またはエッチング、好ましくは、剥離により、除去する。
これにより、配線回路基板１を形成することができる。
そして、この方法では、導体薄膜８を、ベース絶縁層３および金属支持層２の幅方向両側端面に形成し、フォトレジスト１３により、ベース絶縁層３の上面に形成される導体薄膜８を被覆し、次いで、フォトマスク１０を、ベース絶縁層３の上面に形成される導体薄膜８における幅方向両端部および幅方向略中央の導体層６が形成される部分が遮光されるように配置して、ベース絶縁層３の上面に形成される導体薄膜８を被覆するフォトレジスト１３を、上方からフォトマスク１０を介して露光する。

すると、ベース絶縁層３の上面に形成される導体薄膜８における幅方向両端部および幅方向略中央の導体層６が形成される部分に、フォトレジスト１３の未露光部分が形成される。
そして、そのフォトレジスト１３の未露光部分を除去した後、めっきレジスト１４を形成すれば、端部導体層７を、めっきレジスト１４から露出する、ベース絶縁層３の上面に形成される導体薄膜８の幅方向両端部に形成することができると同時に、導体層６を、めっきレジスト１４から露出する、ベース絶縁層３の上面に形成される導体薄膜８の幅方向略中央に形成することができる。そのため、導体層６を形成できながら、ベース絶縁層３の上面に形成される導体薄膜８の幅方向両端部において端部導体層７を形成して、電解めっき時のフォトレジスト１３の欠損部分２０に起因する幅狭の導体材料（具体的には、銅など）の析出を防止し、端部導体層７とベース絶縁層３との密着性を向上させることができる。

その結果、ベース絶縁層３の上面の幅方向両端部における導体異物（具体的には、銅の異物）の発生を防止して、接続信頼性の高い配線回路基板１を得ることができる。
一方、この方法では、導体薄膜８を、ベース絶縁層３および金属支持層２の幅方向両側端面に形成し、フォトレジスト１３により、ベース絶縁層３および金属支持層２の幅方向両側端面に形成される導体薄膜８を被覆し、そのフォトレジスト１３を、下方から、金属支持層２と、ベース絶縁層３および金属支持層２の幅方向両側端面に形成される導体薄膜８とを、マスクとして露光できる。そのため、ベース絶縁層３および金属支持層２の幅方向両側端面に形成される導体薄膜８を被覆するフォトレジスト１３を簡易に露光することができる。

そうすると、その露光部分から、めっきレジスト１４を、ベース絶縁層３および金属支持層２の幅方向両側端面に形成される導体薄膜８を被覆するように形成することができる。
そのため、ベース絶縁層３および金属支持層２の幅方向両側端面において、導体材料（具体的には、銅など）の析出を簡易に防止することができ、その結果、ベース絶縁層３および金属支持層２の幅方向両側端面における導体異物（具体的には、銅の異物）の発生を簡易に防止することができる。

また、この方法では、導体薄膜８をスパッタリングにより形成しても、ベース絶縁層３の幅方向両側端面に形成される導体薄膜８を被覆するフォトレジスト１３を下方から露光して、その露光部分から形成されるめっきレジスト１４によって、ベース絶縁層３の幅方向両側端面に形成される導体薄膜８を被覆することができる。そのため、導体材料が導体薄膜８とともにベース絶縁層３の幅方向両側端面から剥がれることを確実に防止することができる。

なお、上記した説明では、フォトレジスト１３をドライフィルムレジストから形成したが、例えば、感光性のワニスから形成することもできる。
しかるに、ドライフィルムレジストから、フォトレジスト１３をベース絶縁層３の上面に形成される導体薄膜８に形成した場合には、ベース絶縁層３の上面に形成される導体薄膜８の幅方向両端部の端縁において、熱圧着に基づく押圧力が集中的にかかるため、欠損部分２０をとりわけ生じ易い。そのため、導体層６の電解めっきによる形成において、欠損部分２０に起因する幅狭の導体材料が意図せずに析出する。

しかし、上記したように、フォトマスク１０を、ベース絶縁層３の上面に形成される導体薄膜８における幅方向両端部が遮光されるように配置して、そのフォトレジスト１３を、上方からフォトマスク１０を介して露光すれば、導体層６を形成できながら、ベース絶縁層３の幅方向両端部に形成される導体薄膜８において、端部導体層７を意図的に形成して、ドライフィルムレジストに起因する欠損部分２０を生じても、幅狭の導体材料の析出を防止し、端部導体層７とベース絶縁層３との密着性を向上させることができる。そのため、ベース絶縁層３の上面の幅方向両端部における導体異物の発生を防止して、その結果、接続信頼性の高い配線回路基板１を得ることができる。

また、上記した説明では、図２（ｃ）に示すように、樹脂支持層９を、金属支持層２の下面に形成すると同時に、フォトレジスト１３を形成したが、例えば、図示しないが、樹脂支持層９を形成することなく、フォトレジスト１３を形成することもできる。
好ましくは、樹脂支持層９を形成すると同時に、フォトレジスト１３を積層する。これにより、ベース絶縁層３および金属支持層２の幅方向両側端面に形成される導体薄膜８を被覆するフォトレジスト１３を下側から樹脂支持層９により支持できるので、ベース絶縁層３および金属支持層２の幅方向両側端面に形成される導体薄膜８を、簡単かつ確実に被覆することができる。

また、樹脂支持層９により、金属支持層２およびベース絶縁層３を補強して、それらの積層体に靱性を付与することができるので、導体パターン４を精度よく形成することができる。
また、上記した説明では、図２（ｄ）に示すように、導体層６および端部導体層７を形成する部分に対応するフォトレジスト１３と、ベース絶縁層３および金属支持層２の幅方向両側端面に形成される導体薄膜８を被覆するフォトレジスト１３とに遮光部分１１を対向配置させて、フォトマスク１０を配置した。しかし、これに限定されず、フォトマスク１０の配置において、フォトレジスト１３における導体層６と端部導体層７とが形成される部分が遮光されていればよく、例えば、図１０（ａ）が参照されるように、フォトレジスト１３における導体層６と端部導体層７とが形成される部分に遮光部分１１を対向配置できるマスクパターンを備えるフォトマスク１０を配置して、上方から露光することによって、ベース絶縁層３および金属支持層２の幅方向両側端面に形成される導体薄膜８を被覆する部分を、露光部分とすることもできる。

なお、この場合には、図１０（ａ）の仮想線が参照されるように、フォトマスク１０の位置ずれが生じて、ベース絶縁層３および金属支持層２の幅方向両側端面に形成される導体薄膜８を被覆する部分に未露光部分が生じても、図３（ｅ）に示すように、フォトレジスト１３を下方から露光するので、ベース絶縁層３の幅方向両側の未露光部分を露光部分とすることができる。そのため、ベース絶縁層３および金属支持層２の幅方向両側端面に形成される導体薄膜８における導体材料の析出を確実に防止することができる。

また、上記した説明では、図２（ｄ）および図３（ｅ）に示すように、フォトレジスト１３を、まず、上方から露光し、次いで、下方から露光したが、露光の順序は、これに限定されず、上記した順序と逆の順序で露光することもできる。
また、上記した説明では、被覆工程後に、フォトレジスト１３を加熱したが、被覆工程後に、フォトレジスト１３を加熱することなく、フォトレジスト１３を露光することもできる。

好ましくは、被覆工程後に、フォトレジスト１３を加熱する。
一般に、被覆工程後には、ベース絶縁層３および金属支持層２の幅方向両側端面に形成される導体薄膜８を被覆するフォトレジスト１３に、気泡が生じる場合がある。とりわけ、金属支持層２およびベース絶縁層３の合計の厚みＴ１、つまり、２層基材の厚みＴ１が、フォトレジスト１３の厚みＴ２より厚い場合、さらには、２層基材の厚みＴ１が、フォトレジスト１３の厚みＴ２の３倍の厚みより厚い場合には、上記した気泡を生じ易い。

しかし、上記した方法のように、被覆工程後に、ベース絶縁層３および金属支持層２の幅方向両側端面に形成される導体薄膜８を被覆するフォトレジスト１３を加熱することにより、かかる気泡の体積を顕著に減少させることができる。
図５は、本発明の配線回路基板の製造方法の他の実施形態により製造される配線回路基板（金属支持層を備えない態様）の幅方向に沿う断面図、図６〜図８は、本発明の配線回路基板の製造方法の他の実施形態の工程図を示す。

なお、以降の各図において、上記と同様の部材には同一の符号を付し、その説明を省略する。
上記した説明では、本発明の配線回路基板の製造方法により得られる配線回路基板を、金属支持層２を補強層として備えるＣＯＦ基板として例示したが、本発明の配線回路基板の製造方法により得られる配線回路基板は、これに限定されない。例えば、図５に示すように、本発明の配線回路基板の製造方法により得られる配線回路基板を、金属支持層２を備えないＣＯＦ基板などの他の配線回路基板にも広く適用することができる。

図５において、この配線回路基板１は、ベース絶縁層３と、ベース絶縁層３の上に形成される導体薄膜８と、導体薄膜８の上に形成される導体パターン４と、ベース絶縁層３の上に、導体薄膜８および導体パターン４を被覆するように形成されるカバー絶縁層５とを備えている。
次に、本発明の配線回路基板の製造方法の他の実施形態を、図６〜図８を参照して、説明する。

まず、この方法では、図６（ａ）に示すように、ベース絶縁層３を用意する。ベース絶縁層３を用意するには、市販のシート（フィルム）をそのまま用いることができる。
次いで、この方法では、図６（ｂ）〜図８（ｈ）に示すように、ベース絶縁層３の上に、導体薄膜８および導体パターン４を、セミアディティブ法により、順次形成する。
セミアディティブ法では、まず、図６（ｂ）に示すように、ベース絶縁層３の上面と、ベース絶縁層３の幅方向両側端面とに、導体薄膜８を形成する。導体薄膜８は、上記と同様の方法により形成する。

次いで、この方法では、図６（ｃ）に示すように、フォトレジスト１３により、ベース絶縁層３の上面に形成される導体薄膜８と、ベース絶縁層３の幅方向両側端面に形成される導体薄膜８とを被覆する（被覆工程）。また、これと同時に、樹脂支持層９を、ベース絶縁層３の下面に、ベース絶縁層３と、ベース絶縁層３の幅方向両側端面を被覆するフォトレジスト１３とを含むように、積層する。

フォトレジスト１３により、ベース絶縁層３の上面に形成される導体薄膜８と、ベース絶縁層３の幅方向両側端面に形成される導体薄膜８とを被覆するには、上記したフォトレジスト積層体を用いて、上記と同様の方法により形成する。また、樹脂支持層９を、ベース絶縁層３の下面に積層するには、上記した樹脂支持層積層体を用いて、上記と同様の用法により、形成する。

次いで、この方法では、図６（ｄ）に示すように、フォトマスク１０を、ベース絶縁層３の上面に形成される導体薄膜８における幅方向両端部および導体層６が形成される部分と、ベース絶縁層３の幅方向両側端面に形成される導体薄膜８を被覆するフォトレジスト１３とが遮光されるように配置して、ベース絶縁層３の上面を被覆するフォトレジスト１３を、上方からフォトマスク１０を介して露光する。

次いで、この方法では、図７（ｅ）に示すように、ベース絶縁層３の幅方向両側端面に形成される導体薄膜８を被覆するフォトレジスト１３を、下方から露光する。なお、この露光では、ベース絶縁層３の上面に形成される導体薄膜８と、ベース絶縁層３の幅方向両側端面に形成される導体薄膜８とが、フォトマスクを兼ねている。
次いで、この方法では、図７（ｆ）に示すように、フォトレジスト１３における未露光部分を除去して、露光部分をパターンに形成して、めっきレジスト１４を形成する。その後、図７（ｇ）に示すように、めっきレジスト１４から露出する導体薄膜８の上に、ベース絶縁層３の上面に形成される導体薄膜８の幅方向両端部に端部導体層７と、ベース絶縁層３の上面に形成される導体薄膜８の幅方向略中央に導体層６とを、同時に形成する。

次いで、この方法では、図８（ｈ）に示すように、めっきレジスト１４およびめっきレジスト１４に被覆されていた部分の導体薄膜８を順次除去する。その後、図８（ｉ）に示すように、カバー絶縁層５を、ベース絶縁層３の上に、上記したパターンで形成する。その後、図８（ｊ）に示すように、樹脂支持層を除去する。
これにより、金属支持層２を備えない配線回路基板１を形成することができる。

なお、本発明の配線回路基板の製造方法としては、好ましくは、上記した図２〜図４に示す、金属支持層２を備える配線回路基板１の製造方法が用いられる。
すなわち、図２〜図４に示す配線回路基板１の製造方法では、図２（ａ）に示すように、金属支持層２の上にベース絶縁層３が積層された２層基材を用意するので、金属支持層２により、ベース絶縁層３を補強できる。そのため、導体パターン４を精度良く形成することができる。

また、図２（ｂ）に示すように、導体薄膜８を、ベース絶縁層３および金属支持層２の幅方向両側端面に形成し、図２（ｃ）に示すように、フォトレジスト１３により、ベース絶縁層３および金属支持層２の幅方向両側端面に形成される導体薄膜８を被覆し、図３（ｅ）に示すように、そのフォトレジスト１３を、下方から、金属支持層２と、ベース絶縁層３および金属支持層２の幅方向両側端面に形成される導体薄膜８とをマスクとして露光できる。

そのため、ベース絶縁層３および金属支持層２の幅方向両側端面に形成されるフォトレジスト１３のみを簡易かつ確実に露光することができる。
なお、図５に示す金属支持層２を備えない配線回路基板１を、図６（ａ）〜図８（ｊ）に示す方法で製造したが、例えば、図２（ａ）〜図４（ｊ）に示す方法、つまり、金属支持層２に支持され、ベース絶縁層３、導体薄膜８、導体パターン４およびカバー絶縁層５を備える配線回路基板１を得た後、金属支持層２を、エッチングにより除去することもできる。

以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されることはない。
（金属支持基板を備えるＣＯＦ基板の製造）
実施例１
まず、厚み２５μｍのステンレスからなる金属支持層に、厚み３５μｍのポリイミドからなるベース絶縁層が積層された２層基材（厚みＴ１ ６０μｍ、幅３００ｍｍ）を用意した（図２（ａ）参照）。

次いで、ベース絶縁層の上面と、ベース絶縁層および金属支持層の幅方向両側端面とに、これらに連続するように、導体薄膜として、厚み０．０２μｍのクロム薄膜と厚み０．１３μｍの銅薄膜とを、クロムスパッタリングと銅スパッタリングとによって順次形成した（図２（ｂ）参照）。
次いで、支持層、ネガ型のフォトレジスト（厚みＴ２ １５μｍ）および離型層が順次積層されたフォトレジスト積層体（幅３０３ｍｍ）を用意した後、フォトレジスト積層体の離型層を剥離し、フォトレジストがベース絶縁層の上面に形成される導体薄膜に接触するように、フォトレジスト積層体を、温度９０℃、圧力０．３ＭＰａで熱圧着した。

また、別途、樹脂支持層（厚み５０μｍ）、接着剤層および離型層が順次積層された樹脂支持層積層体（幅３０４ｍｍ）を用意した後、樹脂支持層積層体の離型層を剥離し、接着剤層が金属支持層の下面に接触するように、樹脂支持層積層体を、上記したフォトレジスト積層体の熱圧着と同時に、積層した。
これにより、フォトレジストにより、ベース絶縁層の上面に形成される導体薄膜と、ベース絶縁層および金属支持層の幅方向両側端面に形成される導体薄膜とを被覆すると同時に、樹脂支持層を、金属支持層の下面に、金属支持層と、ベース絶縁層および金属支持層の幅方向両側端面に形成される導体薄膜を被覆するフォトレジストとを含むように、積層した（図２（ｃ）参照）。

そして、フォトレジストによる被覆の直後に、フォトレジストを、９０℃で、２０秒間、空気中で加熱した。
次いで、フォトマスクを、ベース絶縁層の上面に形成される導体薄膜における幅方向両端部の端部導体層および幅方向略中央の導体層が形成される部分と、ベース絶縁層および金属支持層の幅方向両側端面に形成される導体薄膜を被覆するフォトレジストが形成される部分とが遮光されるように配置した。そして、ベース絶縁層の上面に形成される導体薄膜を被覆するフォトレジスト、および、ベース絶縁層および金属支持層の幅方向両側端面に形成される導体薄膜を被覆するフォトレジストを、上方からフォトマスクを介して露光した。

フォトマスクは、遮光部分および光透過部分からなるマスクパターンを備えており、導体層および端部導体層を形成する部分に対応するフォトレジストと、ベース絶縁層および金属支持層の幅方向両側端面に形成される導体薄膜を被覆するフォトレジストとには遮光部分を対向配置させ、ベース絶縁層の上面に形成される導体薄膜を被覆するめっきレジストを形成する部分には光透過部分を対向配置させて、そして、紫外線を用いて、１３０ｍＪ／ｃｍ^２で、上方からフォトマスクを介して露光した（図２（ｄ）参照）。

次いで、ベース絶縁層および金属支持層の幅方向両側端面に形成される導体薄膜を被覆するフォトレジストを、紫外線により、２６０ｍＪ／ｃｍ^２で、下方から露光した（図３（ｅ）参照）。
次いで、フォトレジストにおける未露光部分を現像により除去し、露光部分をパターンに形成した後、乾燥することによって、めっきレジストを形成した（図３（ｆ）参照）。

次いで、めっきレジストから露出する導体薄膜の上に、ベース絶縁層の上面に形成される導体薄膜における幅方向両端部に端部導体層と、ベース絶縁層の上面に形成される導体薄膜における幅方向中央に導体層とを、電解銅めっきにより同時に形成した（図３（ｇ）参照）。導体パターン（端部導体層および導体層）の厚みは約９μｍであり、端部導体層の幅（Ｗ１）は５０００μｍであった。

次いで、めっきレジストおよびめっきレジストに被覆されていた部分の導体薄膜を、エッチングにより順次除去した（図４（ｈ）参照）。
次いで、ベース絶縁層および導体パターンの上面全面に、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを均一に塗布し、乾燥後、露光および現像し、さらに加熱硬化することにより、厚み５μｍのポリイミドからなるカバー絶縁層を、上記したパターンで形成した（図４（ｊ）参照）。

その後、樹脂支持層を、剥離により除去した（図１および図４（ｊ）参照）。
これにより、金属支持層を備えるＣＯＦ基板を得た。
比較例１
図９（ａ）に示すように、フォトレジスト（１３）の上方からの露光において、フォトマスク（１０）を、幅方向中央の導体層（６）が形成される部分のみが遮光されるように配置して、ベース絶縁層（３）の上面に形成される導体薄膜（８）を被覆するフォトレジスト（１３）と、ベース絶縁層（３）および金属支持層（２）の幅方向両側端面に形成される導体薄膜を被覆するフォトレジスト（１３）とを、上方からフォトマスク（１０）を介して露光した以外は、実施例１と同様に処理して（図９（ｂ）および（ｃ）参照）、ＣＯＦ基板（１）を得た。

なお、図９（ａ）に示すように、上記したフォトマスク（１０）は、導体層（６）を形成するフォトレジスト（１３）には遮光部分（１１）を対向配置させ、ベース絶縁層（３）および金属支持層（２）の幅方向両側端面に形成される導体薄膜（８）を被覆するフォトレジスト（１３）と、ベース絶縁層（３）の上面に形成される導体薄膜（８）を被覆するめっきレジスト（１４）を形成する部分のフォトレジスト（１３）とには光透過部分（１２）を対向配置させた。

比較例２
図１０（ａ）に示すように、フォトレジスト（１３）の上方からの露光において、フォトマスク（１０）を、幅方向中央の導体層（６）および幅方向両端部の端部導体層（７）のみが形成される部分が遮光されるように配置して、ベース絶縁層（３）の上面に形成される導体薄膜（８）を被覆するフォトレジスト（１３）およびベース絶縁層（３）および金属支持層（２）の幅方向両側端面に形成される導体薄膜（８）を被覆するフォトレジスト（１３）を、上方からフォトマスク（１０）を介して露光し、下方からの露光を実施（図３（ｅ））しなかった以外は、実施例１と同様に処理して（図１０（ｂ）および（ｃ）参照）、ＣＯＦ基板（１）を得た。

なお、図１０（ａ）に示すように、上記したフォトマスク（１０）は、導体層（６）および端部導体層（７）を形成するフォトレジスト（１３）には遮光部分（１１）を対向配置させ、ベース絶縁層（３）および金属支持層（２）の幅方向両側端面に形成される導体薄膜（８）を被覆するフォトレジスト（１３）とベース絶縁層（３）の上面に形成される導体薄膜（８）を被覆するめっきレジスト（１４）を形成する部分のフォトレジスト（１３）とには光透過部分（１２）を対向配置させた。

しかし、図１０（ａ）の仮想線で示すように、フォトマスク（１０）が幅方向一方側にわずかに位置ずれしたことにより、ベース絶縁層（３）および金属支持層（２）の幅方向一端面に形成される導体薄膜（８）を被覆するフォトレジスト（１３）において、ベース絶縁層（３）および金属支持層（２）の一端面に形成される導体薄膜（８）に接触する部分にも遮光部分（１１）を対向配置してしまい、図１０（ｂ）に示すように、その部分が現像により、除去された。

そのため、電解銅めっきにおいて、金属支持層（２）の幅方向一端面に形成される導体薄膜（８）に、幅１０〜５０μｍの銅（２２）が析出した。
（金属支持基板を備えないＣＯＦ基板の製造）
実施例２
厚み３５μｍのポリイミドからなるベース絶縁層のシート（幅３００ｍｍ）を用意した（図６（ａ）参照）。

次いで、ベース絶縁層の上面と、ベース絶縁層の幅方向両側端面とに、これらに連続するように、導体薄膜として、厚み０．０２μｍのクロム薄膜と厚み０．１３μｍの銅薄膜とを、クロムスパッタリングと銅スパッタリングとによって順次形成した（図６（ｂ）参照）。
次いで、実施例１と同様のフォトレジスト積層体を用いて、フォトレジストがベース絶縁層の上面に形成される導体薄膜に接触するように、フォトレジスト積層体を熱圧着した。

また、別途、実施例１と同様の樹脂支持層積層体を用いて、接着剤層がベース絶縁層の下面に接触するように、樹脂支持層積層体を、上記したフォトレジスト積層体の熱圧着と同時に、積層した。
これにより、フォトレジストにより、ベース絶縁層の上面と、ベース絶縁層の幅方向両側端面に形成される導体薄膜とを被覆すると同時に、樹脂支持層を、ベース絶縁層の下面に、ベース絶縁層と、ベース絶縁層の幅方向両側端面に形成される導体薄膜を被覆するフォトレジストとを含むように、積層した（図６（ｃ）参照）。

そして、フォトレジストによる被覆の直後に、フォトレジストを、９０℃で、２０秒間、空気中で加熱した。
次いで、フォトマスクを、実施例１と同様に配置して、ベース絶縁層の上面に形成される導体薄膜を被覆するフォトレジスト、および、ベース絶縁層の幅方向両側端面に形成される導体薄膜を被覆するフォトレジストを、上方からフォトマスクを介して、露光した（図６（ｄ）参照）。

次いで、ベース絶縁層の幅方向両側端面に形成される導体薄膜を被覆するフォトレジストを、実施例１と同様の条件で、下方から露光し（図７（ｅ）参照）、続いて、実施例１と同様に処理して、めっきレジストを形成した（図７（ｆ）参照）。
次いで、実施例１と同様の条件で電解銅めっきにより、端部導体層と導体層とを、同時に形成し（図７（ｇ）参照）、その後、めっきレジストおよびめっきレジストに被覆されていた部分の導体薄膜を、エッチングにより順次除去した（図８（ｈ）参照）。

次いで、実施例１と同様にして、カバー絶縁層を、上記したパターンで形成した（図８（ｉ）参照）。その後、樹脂支持層を、剥離により除去した（図５および図８（ｊ）参照）。
これにより、金属支持層を備えないＣＯＦ基板を得た。
（評価）
１） ベース絶縁層の上面の端部における銅の異物
実施例１、２、比較例１および２により得られたＣＯＦ基板において、ベース絶縁層の上面に形成される導体薄膜の幅方向両端部を、金属顕微鏡およびＳＥＭにて観察した。

その結果、実施例１、２および比較例２では、端部導体層がベース絶縁層の上の幅方向両端部に形成されていることを確認した。
一方、比較例１では、ベース絶縁層（３）の上面の幅方向両端部の端縁において、めっきレジスト（１４）の欠損部分（２０）に基づき、銅（２１）が意図せず析出して、この銅（２１）が剥がれて、銅の異物となっていることを確認した。
２） ベース絶縁層の側端面における銅の析出
実施例１、２、比較例１および２により得られたＣＯＦ基板において、金属支持層の幅方向両側端面を金属顕微鏡およびＳＥＭにて観察した。

その結果、実施例１、２、および比較例１では、銅が析出していないことを確認した。
一方、比較例２では、金属支持層（２）の幅方向一側端面（図１０において左側端面）において、銅（２２）が析出して、この銅（２２）が導体薄膜（８）とともにベース絶縁層（３）の幅方向一側端面から剥がれて、銅の異物となっていることを確認した。

１ 配線回路基板
２ 金属支持層
３ ベース絶縁層
６ 導体層
７ 端部導体層
８ 導体薄膜
９ 樹脂支持層
１０ フォトマスク
１３ フォトレジスト
１４ めっきレジスト

Claims (6)

1. 絶縁層を用意する工程、
   導体薄膜を、前記絶縁層の上面および側端面に形成する工程、
   フォトレジストにより、前記絶縁層の上面および側端面に形成される前記導体薄膜を被覆する工程、
   フォトマスクを、前記絶縁層の上面に形成される前記導体薄膜における端部および導体層が形成される部分が遮光されるように配置して、前記絶縁層の上面に形成される前記導体薄膜を被覆する前記フォトレジストを、上方から前記フォトマスクを介して露光する工程、
   前記絶縁層の側端面に形成される前記導体薄膜を被覆する前記フォトレジストを、下方から露光する工程、
   前記フォトレジストにおける未露光部分を除去して、露光部分をパターンに形成して、めっきレジストを形成する工程、
   前記めっきレジストから露出する前記導体薄膜の上に、前記絶縁層の上面に形成される前記導体薄膜における端部に端部導体層と、前記絶縁層の上面に形成される前記導体薄膜に前記導体層とを、同時に形成する工程、
   前記めっきレジストを除去する工程、および、
   前記めっきレジストに被覆されていた前記導体薄膜を除去する工程
   を備えることを特徴とする、配線回路基板の製造方法。
2. 前記導体薄膜を形成する工程では、前記導体薄膜を、スパッタリングにより形成することを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板の製造方法。
3. 前記絶縁層を用意する工程では、金属支持層の上に前記絶縁層が積層された２層基材を用意し、
   前記導体薄膜を形成する工程では、前記導体薄膜を、前記絶縁層の上面と、前記絶縁層および前記金属支持層の側端面とに形成し、
   前記フォトレジストにより前記導体薄膜を被覆する工程では、前記フォトレジストにより、前記絶縁層の上面に形成される前記導体薄膜と、前記絶縁層および前記金属支持層の側端面に形成される前記導体薄膜とを被覆し、
   前記フォトレジストを下方から露光する工程では、前記絶縁層および前記金属支持層の側端面に形成される前記導体薄膜を被覆する前記フォトレジストを、下方から露光することを特徴とする、請求項１または２に記載の配線回路基板の製造方法。
4. 前記フォトレジストを、ドライフィルムレジストから形成することを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法。
5. 前記フォトレジストにより前記導体薄膜を被覆する工程では、樹脂支持層を、前記絶縁層の下に、前記絶縁層の側端面に形成される前記導体薄膜を被覆する前記フォトレジストを含むように、積層することを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法。
6. さらに、前記フォトレジストにより前記導体薄膜を被覆する工程の後に、前記絶縁層の側端面に形成される前記導体薄膜を被覆する前記フォトレジストを加熱する工程を備えることを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法。

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