TWI433623B - 配線電路基板之製造方法 - Google Patents

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Description

配線電路基板之製造方法
本發明係有關配線電路基板之製造方法，詳言之係有關COF(Chip On Film；薄膜覆晶)基板等配線電路基板之製造方法。
以往，在COF基板等配線電路基板的導體圖案(pattern)的形成中係使用加成(additive)法。例如，已提案有一種加成法，係在由聚醯亞胺(polyimide)所構成的基底絕緣層之上形成由鉻及銅所構成的導體薄膜，在導體薄膜之上形成由銅所構成導體圖案(參照例如日本特開2006-332549號公報)。
亦即，在上述的日本特開2006-332549號公報中所提案者，係以濺鍍法於基底絕緣層之整面形成導體薄膜。接著，以負型的乾膜光阻劑(dry film resist)覆蓋導體薄膜後，隔著光罩從上方進行曝光，接著進行顯影，藉此而以配線電路圖案的反轉圖案形成電鍍阻層。接著，藉由以電解鍍銅進行之銅的析出，而在露出於電鍍阻層的導體薄膜的表面形成導體圖案。
然而，在加成法中係必須在形成於基底絕緣層的側端面的導體薄膜覆蓋電鍍阻層以防止銅析出。
亦即，形成於基底絕緣層的側端面的導體薄膜與形成於基底絕緣層的上表面的導體薄膜相比較，容易形成為不均勻。而且，形成於基底絕緣層的側端面的導體薄膜若銅析出的話，則會有銅及該導體薄膜容易一同自絕緣層的側端面剝離而形成異物的不良情形。因此，為了防止基底絕緣層的側端面的銅的析出及剝離，而有必要以電鍍阻層覆蓋形成於基底絕緣層的側端面的導體薄膜。
另一方面，乾膜光阻劑通常係藉由熱壓接而層疊，因此在形成於基底絕緣層的上表面的導體薄膜的端部的端緣會因推壓力集中性地施加而使厚度變薄，還會有滑落至形成於基底絕緣層的側端面的導體薄膜的表面的情形。而當乾膜光阻劑滑落時，於乾膜光阻劑，在形成於基底絕緣層的上表面的導體薄膜的端部的端緣會形成乾膜光阻劑缺損之窄幅的缺損部分(空隙，void)。若使用藉由上述乾膜光阻劑而形成的電鍍阻層來進行電解鍍銅，銅便會從光阻劑的缺損部分的導體薄膜析出。因此，由於上述銅係形成為較窄幅，故與絕緣層的密接力低，而會有與導體薄膜一起自絕緣層剝離而形成異物的不良情形。因此，較宜為在形成於基底絕緣層的上表面的導體薄膜的端部刻意設置寬幅的銅層，藉此防止上述窄幅的銅析出，使銅層與絕緣層之密接性提升。
因此，為了防止上述異物的產生，故除了以電鍍阻層覆蓋形成於基底絕緣層的側端面的導體薄膜之外，並且必須使形成於基底絕緣層的上表面的導體薄膜的端部以形成寬幅的銅層之方式露出於電鍍阻層。此時，必須設置如下的遮罩圖案，亦即，在形成於基底絕緣層的側端面的導體薄膜中，為了以負型的乾膜光阻劑來形成電鍍阻層，必須使對應於該部分的乾膜光阻劑成為曝光部分，另一方面，為了在形成於基底絕緣層的上表面的導體薄膜的端部形成寬幅的銅層，必須使對應於該部分的乾膜光阻劑成為未曝光的部分。然而，要將光罩正確地配置為形成於基底絕緣層的側端面之導體薄膜成為曝光部分、形成於基底絕緣層的上表面的導體薄膜的端部成為未曝光的部分係具有難度。
本發明的目的在於提供一種能夠防止絕緣層上表面的端部的導體異物的產生，同時能夠以簡易的方式防止絕緣層的側端面的導體異物的產生之配線電路基板之製造方法。
本發明的配線電路基板之製造方法係具備以下步驟：準備絕緣層之步驟；於前述絕緣層的上表面及側端面形成導體薄膜之步驟；以光阻劑覆蓋形成於前述絕緣層的上表面及側端面的前述導體薄膜之步驟；將光罩配置成將形成於前述絕緣層的上表面的前述導體薄膜的端部及形成導體層的部分遮光，隔著前述光罩而從上方對覆蓋在形成於前述絕緣層的上表面的前述導體薄膜的前述光阻劑進行曝光之步驟；從下方對覆蓋在形成於前述絕緣層的側端面的前述導體薄膜的前述光阻劑進行曝光之步驟；去除前述光阻劑的未曝光部分，而使曝光部分形成圖案而形成電鍍阻層之步驟；在露出於前述電鍍阻層的前述導體薄膜之上，同時在形成於前述絕緣層的上表面的前述導體薄膜的端部形成端部導體層及在形成於前述絕緣層的上表面的前述導體薄膜形成前述導體層之步驟；將前述電鍍阻層去除之步驟；以及去除原先被前述電鍍阻層覆蓋的前述導體薄膜之步驟。
本方法係於絕緣層的上表面形成導體薄膜，以光阻劑覆蓋形成於絕緣層上表面的導體薄膜，接著，將光罩配置成將形成於絕緣層的上表面的導體薄膜的端部及形成導體層的部分遮光，隔著光罩而從上方對覆蓋在形成於絕緣層的上表面的導體薄膜的光阻劑進行曝光。如此一來，在形成於絕緣層的上表面的導體薄膜的端部及形成導體層的部分形成光阻劑的未曝光部分。接著，在去除該光阻劑的未曝光部分後，只要形成電鍍阻層，便能夠於露出於電鍍阻層的形成於絕緣層的上表面的導體薄膜的端部形成端部導體層。同時能夠於露出於電鍍阻層的形成於絕緣層的上表面的導體薄膜的端部導體層以外的部分形成導體層。因此，既能夠形成導體層，同時在形成於絕緣層的上表面的導體薄膜的端部能形成端部導體層，防止窄幅的導體材料之析出，並使端部導體層與絕緣層之密接性提升。結果，能防止絕緣層的上表面的端部的導體異物之產生，並能夠獲得連接可靠度高的配線電路基板。
另一方面，本方法係於絕緣層的側端面形成導體薄膜，以光阻劑覆蓋形成於絕緣層的側端面的導體薄膜，能夠將導體薄膜作為遮罩而從下方對該光阻劑進行曝光。因此，能夠以簡易的方式對覆蓋形成於絕緣層的側端面的導體薄膜的光阻劑進行曝光。如此一來，能夠以覆蓋形成於絕緣層的側端面的導體薄膜之方式，從該曝光部分形成電鍍阻層。因此，在形成於絕緣層的側端面的導體薄膜，能夠以簡易的方式防止導體材料之析出，結果，能夠以簡易的方式防止絕緣層的側端面的導體異物之產生。
此外，本發明的配線電路基板之製造方法中，較佳為，在形成前述導體薄膜之步驟中，以濺鍍法形成前述導體薄膜。
一般而言，當以濺鍍法形成導體薄膜時，形成於絕緣層的側端面的導體薄膜與形成於絕緣層的上表面的導體薄膜相比較，格外容易形成為不均勻。因此，若在形成於絕緣層的側端面的導體薄膜形成導體層，則導體層與導體薄膜會特別容易從絕緣層的側端面剝離而成為異物。
然而在本方法中，即使以濺鍍法形成導體薄膜，仍能夠從下方對覆蓋形成於絕緣層的側端面的導體薄膜的光阻劑進行曝光，藉由從該曝光部分形成的電鍍阻層來覆蓋形成於絕緣層的側端面的導體薄膜。因此，能夠確實地防止導體層及導體薄膜從絕緣層的側端面剝離。
此外，本發明的配線電路基板之製造方法中，較佳為，在準備前述絕緣層之步驟中，係準備於金屬支撐層之上層疊有前述絕緣層的2層基材；在形成前述導體薄膜之步驟中，係於前述絕緣層的上表面、前述絕緣層及前述金屬支撐層的側端面形成前述導體薄膜；在以前述光阻劑覆蓋前述導體薄膜之步驟中，係以前述光阻劑覆蓋形成於前述絕緣層的上表面的前述導體薄膜、以及形成於前述絕緣層及前述金屬支撐層的側端面的前述導體薄膜；在從下方對前述光阻劑進行曝光之步驟中，係從下方對覆蓋在形成於前述絕緣層及前述金屬支撐層的側端面的前述導體薄膜的前述光阻劑進行曝光。
由於本方法係準備於金屬支撐層之上層疊有絕緣層的2層基材，因此能夠藉由金屬支撐層補強絕緣層。因此，能夠精密度佳地形成導體圖案。
此外，於絕緣層及金屬支撐層的側端面形成導體薄膜，且以光阻劑覆蓋形成於絕緣層及金屬支撐層的側端面的導體薄膜，且能夠將金屬支撐層與形成於絕緣層及金屬支撐層的側端面的導體薄膜作為遮罩而從下方對該光阻劑進行曝光。因此，能夠以簡易的方式且確實地僅對形成於絕緣層及金屬支撐層的側端面的光阻劑進行曝光。
此外，本發明的配線電路基板之製造方法中，較佳為，以乾膜光阻劑形成前述光阻劑。
當將乾膜光阻劑層疊於形成於絕緣層的上表面的導體薄膜時，由於在形成於絕緣層的上表面的導體薄膜的端部的端緣會集中施加有熱壓接的推壓力，因而容易產生缺損部分。故在導體層的形成時，會有起因於缺損部分的窄幅的導體材料非預期地析出之不良情形。
而在本方法係在從乾膜形成光阻劑後，如上所述，將光罩配置成將形成於絕緣層的上表面的導體薄膜的端部遮光，隔著光罩而從上方對該光阻劑進行曝光。因此，既能夠形成導體層，同時刻意地在形成於絕緣層的上表面的導體薄膜之端部形成端部導體層，而防止窄幅的導體材料之析出，能夠使端部導體層與絕緣層之密接性提升。結果，防止絕緣層的上表面的端部的導體異物之產生，能夠獲得連接可靠度高的配線電路基板。
此外，本發明的配線電路基板之製造方法中，較佳為，在以前述光阻劑覆蓋前述導體薄膜之步驟中，係於前記絕緣層之下面層疊樹脂支撐層，以包含覆蓋在形成於前述絕緣層的側端面的前述導體薄膜的前述光阻劑。
本方法係在層疊樹脂支撐層的同時，於該樹脂支撐層之上層疊光阻劑，藉此，能夠以簡易的方式且確實地覆蓋形成於絕緣層的側端面的導體薄膜。
此外，藉由樹脂支撐層，補強絕緣層，能夠賦予靭性，因此能夠精密度性地形成導體圖案。
此外，本發明的配線電路基板之製造方法中，較佳為，復具備：在以前述光阻劑覆蓋前述導體薄膜之步驟後，對覆蓋在形成於前述絕緣層的側端面的前述導體薄膜的前述光阻劑進行加熱之步驟。
一般而言，在以光阻劑覆蓋導體薄膜之步驟後，會有在覆蓋形成於絕緣層的側端面的導體薄膜的光阻劑產生氣泡的情形。然而本方法係在以光阻劑覆蓋導體薄膜之步驟後對覆蓋形成於絕緣層的側端面的導體薄膜的光阻劑進行加熱，藉此，能夠使上述氣泡的數目與體積顯著地減小，甚至能夠去除氣泡。
第1圖係顯示本發明的配線電路基板之製造方法的一實施形態所製造的配線電路基板(具有金屬支撐層之態樣)的沿著寬度方向的剖面圖，第2圖至第4圖係顯示本發明的配線電路基板之製造方法的一實施形態的步驟圖。
在第1圖中，該配線電路基板1係為安裝未圖示的IC晶片且搭載於各種電子機器的COF基板，其中，具備有：金屬支撐層2，沿著長邊方向延伸；及作為絕緣層的基底絕緣層3，形成於金屬支撐層2之上。配線電路基板1還具備有：導體薄膜8，形成於基底絕緣層3之上；導體圖案4，形成於導體薄膜8之上；及覆蓋絕緣層5，以覆蓋導體薄膜8及導體圖案4之方式形成於基底絕緣層3之上。
金屬支撐層2為補強層。此外，就形成金屬支撐層2的金屬材料而言，可使用例如不鏽鋼、合金(alloy)42等，較佳為使用不鏽鋼。
金屬支撐層2係由平板狀金屬箔或金屬薄板所構成。金屬支撐層2的厚度係例如5μm至100μm，較佳為10μm至50μm。
基底絕緣層3係形成於金屬支撐層2的表面。更具體言之，基底絕緣層3係橫跨寬度方向(與長邊方向正交之方向)形成於金屬支撐層2的上表面整面。亦即，以俯視觀之，基底絕緣層3的寬度方向端緣係形成於與金屬支撐層2的寬度方向端緣相同的位置。亦即，基底絕緣層3的寬度方向兩側端面在厚度方向上與金屬支撐層2的寬度方向兩側端面形成為齊平。
就形成基底絕緣層3的絕緣材料而言，可使用例如聚醯亞胺(polyimide)、聚醚腈(polyethernitrile)、聚醚碸(polyethersulfone)、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate)、聚萘二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate)、聚氯乙烯等合成樹脂。其中，較佳為使用聚醯亞胺。
基底絕緣層3的厚度係例如1μm至50μm，較佳為20μm至40μm。藉此，金屬支撐層2及基底絕緣層3的合計厚度T1便設定為例如6μm至150μm，較佳為設定為30μm至90μm。
導體薄膜8係為以後述的半加成(semi-additive)法而形成的種膜，係形成於基底絕緣層3的上表面。亦即，以俯視觀之，導體薄膜8係以與導體圖案4相同的圖案來形成。
就形成導體薄膜8的導體材料而言，可使用例如銅、鉻等導體材料。導體薄膜8的厚度係例如20nm至500nm，較佳為50nm至300nm。
導體圖案4係形成於導體薄膜8的上表面，若以俯視觀之，導體圖案4的側端緣係形成於與導體薄膜8的側端緣相同的位置。亦即，導體圖案4的側端面在厚度方向上與導體薄膜8的側端面形成為齊平。
此外，導體圖案4具備有導體層6及端部導體層7。
導體層6係位在基底絕緣層3之上且設置於寬度方向中途。亦即，導體層6係以與寬度方向兩端部的端緣隔著間隔的方式配置而確保形成端部導體層7的區域(寬度方向兩端部)，更具體言之，係形成於寬度方向略中央處。此外，導體層6係作為配線電路圖案而形成，且一體性地具備有：複數條配線15，沿著長邊方向延伸，且在寬度方向上彼此隔著間隔而並排配置；及未圖示的端子部，與各配線15的長邊方向兩端部接續。
端部導體層7係位在基底絕緣層3之上且設置於寬度方向兩端部，且在導體層6的寬度方向兩外側以與寬度方向兩最外側的配線15隔著間隔的方式相對向配置。各端部導體層7係以並行於基底絕緣層3的寬度方向兩端緣之圖案而形成，形成為剖面為略矩形扁平狀。此外，以俯視觀之，各端部導體層7的寬度方向外側端緣(亦即，配置於寬度方向一方側的第1端部導體層7A的寬度方向一側端緣及配置於寬度方向另一方側的第2端部導體層7B的寬度方向另一側端緣)係形成於與基底絕緣層3的寬度方向兩側端緣相同的位置。亦即第1端部導體層7A的寬度方向一側端面及第2端部導體層7B的寬度方向另一側端面在厚度方向上分別與基底絕緣層3的寬度方向兩側端面形成為齊平。
就形成導體圖案4的導體材料而言，可使用例如銅、鎳、金、銲劑、或者該些之合金等。較佳為使用銅。
各配線15的寬度係例如5μm至100μm，較佳為5μm至50μm，各配線15間的間隔係例如5μm至100μm，較佳為5μm至50μm。
此外，各端部導體層7的寬度W1係例如50μm以上，較佳為200μm以上，更佳為1，000μm以上，一般在10mm以下。各端部導體層7的寬度W1未達上述範圍時，端部導體層7與基底絕緣層3之密接力會降低，有成為導體異物的情形。
覆蓋絕緣層5係對應於導體薄膜8及導體圖案4而形成於基底絕緣層3的表面、導體薄膜8的側端面(寬度方向兩側端面)及導體圖案4的表面。
就形成覆蓋絕緣層5的絕緣材料而言，可使用與上述基底絕緣層3的絕緣材料相同的絕緣材料。
覆蓋絕緣層5的厚度係例如1μm至40μm，較佳為3μm至10μm。
接著，參照第2圖至第4圖，說明本發明的配線電路基板之製造方法的一實施形態。
首先，如第2圖(a)所示，本方法係準備於金屬支撐層2之上層疊有基底絕緣層3的2層基材。
關於準備2層基材，係將市售的2層基材直接拿來使用。此外，藉由於金屬支撐層2的表面層疊絕緣層3，即能夠準備2層基材。
接著，如第2圖(b)至第4圖(h)所示，本方法係依序於基底絕緣層3之上形成導體薄膜8及導體圖案4。導體薄膜8及導體圖案4係例如以加成法形成，更具體言之係以半加成法形成。
關於以半加成法形成導體薄膜8及導體圖案4，首先，如第2圖(b)所示，於基底絕緣層3的上表面與基底絕緣層3及金屬支撐層2的寬度方向兩側端面形成導體薄膜8。
導體薄膜8係以例如濺鍍、真空蒸鍍、離子植入等物理蒸鍍、例如電解鍍覆或無電解鍍覆等鍍覆形成。較佳為以物理蒸鍍形成，更佳為以濺鍍形成。
藉此，橫跨基底絕緣層3的上表面與基底絕緣層3及金屬支撐層2的寬度方向兩側端面連續形成導體薄膜8。
接著，如第2圖(c)所示，本方法係以光阻劑13覆蓋形成於基底絕緣層3上表面的導體薄膜8與形成於基底絕緣層3及金屬支撐層2的寬度方向兩側端面的導體薄膜8(覆蓋步驟)。此外，與此同時，將樹脂支撐層9層疊於金屬支撐層2的下表面，以包含金屬支撐層2與覆蓋基底絕緣層3及金屬支撐層2的寬度方向兩側端面的光阻劑13。
關於以光阻劑13覆蓋形成於基底絕緣層3上表面的導體薄膜8與形成於基底絕緣層3及金屬支撐層2的寬度方向兩側端面的導體薄膜8，雖然未圖示，但首先係準備光阻劑積層體，該光阻劑積層體係具備：支撐層，由聚對苯二甲酸乙二酯(PET)等所構成；光阻劑13，層疊於支撐層，由負型的乾膜光阻劑所構成；及剝離層，層疊於光阻劑，由施作有剝離處理的PET等所構成。
為了使光阻劑13覆蓋形成於基底絕緣層3及金屬支撐層2的寬度方向側側端面的導體薄膜8，光阻劑積層體的大小係設定為比基底絕緣層3(具體而言，基底絕緣層3的寬度及導體薄膜8的厚度的合計大小)大，例如，將其寬度設定為比基底絕緣層3的寬度大1mm以上，較佳為大3mm以上(一般而言，5mm以下)。此外，光阻劑13的厚度T2係例如15μm至50μm，較佳為15μm至25μm。
接著，將剝離層從光阻劑13剝離，以使光阻劑13接觸於形成於基底絕緣層3上表面的導體薄膜8之方式，自支撐層朝向光阻劑13對光阻劑積層體進行熱壓接。具體而言，以例如溫度50℃至150℃，較佳為80℃至100℃、例如壓力0.20MPa至0.50MPa對光阻劑積層體進行熱壓接。
之後，將支撐層從光阻劑13剝離。
關於在以上光阻劑13進行覆蓋的同時將樹脂支撐層9層疊於金屬支撐層2的下表面，雖然未圖示，但首先係準備樹脂支撐層積層體，該樹脂支撐層積層體係具備：樹脂支撐層9；接著劑層，層疊於樹脂支撐層9；及剝離層，層疊於接著劑層，由施作有剝離處理的PET等所構成。
其中，樹脂支撐層9係由在後述之從下方進行的曝光時不會阻礙曝光(可使光穿透)的樹脂材料所形成即可，例如，由聚乙烯、聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯等透明的合成樹脂所形成。
此外，樹脂支撐層積層體的大小係含有金屬支撐層2與覆蓋形成於基底絕緣層3及金屬支撐層2的寬度方向兩側端面的導體薄膜8的光阻劑13之大小即可，其寬度係例如設定為比金屬支撐層2的寬度大1mm以上，較佳為大4mm以上(一般而言，10mm以下)。此外，樹脂支撐層9的厚度係例如25μm至150μm，較佳為50μm至100μm。
接著，將剝離層從接著劑層剝離，以使接著劑層接觸於金屬支撐層2下表面的方式層疊樹脂支撐層積層體。
於是，在厚度方向上以光阻劑積層體(光阻劑13)及樹脂支撐層積層體(樹脂支撐層9)夾著導體薄膜8(形成於基底絕緣層3上表面的導體薄膜8)、基底絕緣層3及金屬支撐層2，並同時形成光阻劑13及樹脂支撐層9。
由於光阻劑13曾受熱壓接，因此在形成於基底絕緣層3上表面的導體薄膜8的寬度方向兩端部的端緣，層疊後的光阻劑13會滑落(流動)到形成於基底絕緣層3及金屬支撐層2的寬度方向兩側端面的導體薄膜8的表面。因此，在形成於基底絕緣層3上表面的導體薄膜8的寬度方向兩側端部的端緣會形成光阻劑13缺損的缺損部分(空隙)20。缺損部分20的寬度通常為3μm至50μm。
其中，在寬度方向上，光阻劑13的比缺損部分20更內側部分的厚度係變薄，具體而言係形成為往寬度方向兩外側前進，厚度逐漸變薄。
此外，覆蓋形成於基底絕緣層3的寬度方向兩側端面的導體薄膜8的光阻劑13係由於上述缺損部分20的流動而形成為剖面為略梯形形狀，即愈往厚度方向上側前進，寬度逐漸變寬。
接著，在本方法中係對覆蓋形成於基底絕緣層3及金屬支撐層2的寬度方向兩側端面的導體薄膜8的光阻劑13進行加熱。
在覆蓋步驟後立即將業以光阻劑13覆蓋之製造途中的配線電路基板1以例如60℃至150℃，較佳為80℃至120℃之溫度進行加熱。此外，光阻劑13係以例如15秒至60秒，較佳為15秒至30秒、在例如空氣中或氮氣等惰性氣體環境中進行加熱。
接著，如第2圖(d)所示，本方法係將光罩10配置成將形成於基底絕緣層3的上表面的導體薄膜8的寬度方向兩端部及寬度方向略中央(亦即，寬度方向兩端部以外)的形成導體層6的部分、與覆蓋形成於基底絕緣膜3及金屬支撐層2的寬度方向兩側端面的導體薄膜8的光阻劑13進行遮光，隔著光罩10而從上方對覆蓋基底絕緣層3的上表面的光阻劑13進行曝光。
光罩10係具備由遮光部分11及光穿透部分12所構成的遮罩圖案。並且，隔著間隔將光罩10配置在光阻劑13的上側，且使遮光部分11配置為相對向於，對應於形成導體層6及端部導體層7的部分的光阻劑13、與覆蓋形成於基底絕緣層3及金屬支撐層2的寬度方向兩側端面的導體薄膜8的光阻劑13；使光穿透部分12配置為相對向於，基底絕緣層3上表面的形成電鍍阻層14的部分(導體層6及端部導體層7的反轉圖案的部分)的光阻劑13。
其中，在該光罩10的配置中，形成端部導體層7的部分的光阻劑13、與覆蓋形成於基底絕緣層3及金屬支撐層2的寬度方向兩側端面的導體薄膜8的光阻劑13係藉由連續的1個遮光部分11而遮光。
接著，在光罩10的配置後，隔著光罩10從上方光阻劑13進行曝光。
曝光係可使用例如紫外線等光，其照射量係例如50mJ/cm2 至500mJ/cm2 。
在光阻劑13的從上方進行的曝光中，形成電鍍阻層14的部分係成為曝光部分，其他部分(導體層6、端部導體層7及覆蓋形成於基底絕緣層3及金屬支撐層2的寬度方向兩側端面的導體薄膜8的部分)則成為未曝光部分。
接著，如第3圖(e)所示，本方法係從下方對覆蓋形成於基底絕緣層3及金屬支撐層2的寬度方向兩側端面的導體薄膜8的光阻劑13進行曝光。
隔著樹脂支撐層9，不需另外設置光罩10，從下方對光阻劑13進行曝光。其中，在該曝光中，金屬支撐層2與形成於基底絕緣層3及金屬支撐層2的寬度方向兩側端面的導體薄膜8係兼作光罩。
曝光係可使用例如紫外線等光，其照射量係例如50mJ/cm2 至500mJ/cm2 。
在光阻劑13的從下方進行的曝光中，覆蓋形成於基底絕緣層3及金屬支撐層2的寬度方向兩側端面的導體薄膜8的光阻劑13亦即光阻劑13的從上方進行的曝光中的未曝光部分係成為曝光部分。
接著，如第3圖(f)所示，本方法係去除光阻劑13的未曝光部分，而使曝光部分形成圖案而形成電鍍阻層14。
關於去除光阻劑13的未曝光部分，而使曝光部分形成圖案而形成電鍍阻層14，係首先藉由使用公知之顯影液的顯影處理來將未曝光部分去除後，進行乾燥。
接著，如第3圖(g)所示，本方法係在露出於電鍍阻層14的導體薄膜8之上，同時在形成於基底絕緣層3的上表面的導體薄膜8的寬度方向兩端部形成端部導體層7及在形成於基底絕緣層3的上表面的導體薄膜8的寬度方向略中央形成導體層6。
關於形成端部導體層7及導體層6，可使用例如電解鍍覆等。
在電解鍍覆中，藉由利用導體薄膜8進行給電，便能夠於露出於電鍍阻層14的導體薄膜8的上表面同時析出端部導體層7及導體層6，而能將該等同時形成。其中，導體薄膜8係透過金屬支撐層2，藉由來自未圖示的供電裝置的電力的供給而進行給電。
接著，如第4圖(h)所示，本方法係依序去除電鍍阻層14及原先被電鍍阻層14覆蓋的部分的導體薄膜8。關於去除電鍍阻層14及導體薄膜8，可使用例如蝕刻或剝離等。
藉此，便能夠於基底絕緣層3之上形成導體薄膜8及導體圖案4。
接著，如第4圖(i)所示，以上述圖案將覆蓋絕緣層5形成於基底絕緣層3之上。
關於形成覆蓋絕緣層5，係將上述合成樹脂的溶液(varnish；清漆)均勻地塗佈於基底絕緣層3及導體圖案4的上表面整面後，進行乾燥，接著，依需要藉由加熱使之硬化。又，覆蓋絕緣層5的形成係將例如感光性的清漆塗佈於基底絕緣層3及導體圖案4的上表面整面後並進行乾燥後，以上述圖案進行曝光及顯影，且依需要藉由加熱使之硬化。又，覆蓋絕緣層5的形成亦能夠將例如合成樹脂預先形成為上述的圖案的膜，再藉由公知的接著劑層將該膜貼著於基底絕緣層3及導體圖案4的上表面整面。
之後，如第4圖(j)所示，藉由例如剝離或蝕刻來去除樹脂支撐層9，較佳為藉由剝離來去除。
藉此，便能夠形成配線電路基板1。
並且，本方法係於基底絕緣層3及金屬支撐層2的寬度方向兩側端面形成導體薄膜8，藉由光阻劑13覆蓋形成於基底絕緣層3上表面的導體薄膜8，接著，將光罩10配置成將形成於基底絕緣層3的上表面的導體薄膜8的寬度方向兩側端部及寬度方向略中央的形成導體層6的部分進行遮光，隔著光罩10而從上方對覆蓋形成於基底絕緣層3的上表面的導體薄膜8的光阻劑13進行曝光。
如此一來，在形成於基底絕緣層3的上表面的導體薄膜8的寬度方向端部及寬度方向略中央的形成導體層6的部分，形成光阻劑13的未曝光部分。
接著，在去除該光阻劑13的未曝光部分後，只要形成電鍍阻層14，便能夠於露出於電鍍阻層14的形成於基底絕緣層3的上表面的導體薄膜8的寬度方向兩側端面形成端部導體層7，同時能夠於露出於電鍍阻層14的形成於基底絕緣層3的上表面的導體薄膜8的寬度方向略中央形成導體層6。因此，既能夠形成導體層6，同時在形成於基底絕緣層3的上表面的導體薄膜8的寬度方向兩端部形成端部導體層7，防止電解鍍覆時的因光阻劑13的缺損部分20所造成的窄幅的導電材料(具體而言為銅等)之析出，能夠使端部導體層7與基底絕緣層3之密接性提升。
結果，防止基底絕緣層3的上表面的寬度方向兩端部的導電異物(具體而言為銅異物)之產生，能夠獲得連接可靠度高的配線電路基板1。
另一方面，本方法係於基底絕緣層3及金屬支撐層2的寬度方向兩側端面形成導體薄膜8，藉由光阻劑13覆蓋形成於基底絕緣層3及金屬支撐層2的寬度方向兩側端面的導體薄膜8，能夠將金屬支撐層2與形成於基底絕緣層3及金屬支撐層2的寬度方向兩側端面的導體薄膜8作為遮罩而從下方對該光阻劑13進行曝光。因此，能夠以簡易的方式對覆蓋形成於基底絕緣層3及金屬支撐層2的寬度方向兩側端面的導體薄膜8的光阻劑13進行曝光。
如此一來，便能夠從該曝光部分形成電鍍阻層14來覆蓋形成於基底絕緣層3及金屬支撐層2的寬度方向兩側端面的導體薄膜8。
因此，在基底絕緣層3及金屬支撐層2的寬度方向兩側端面，能夠以簡易的方式防止導體材料(具體而言為銅等)之析出，結果，能夠以簡易的方式防止基底絕緣層3及金屬支撐層2的寬度方向兩側端面的導電異物(具體而言為銅異物)之產生。
此外，在本方法中，即使以濺鍍形成導體薄膜8，仍能夠從下方對覆蓋形成於基底絕緣層3的寬度方向兩側端面的導體薄膜8的光阻劑13進行曝光，藉由從該曝光部分形成的電鍍阻層14來覆蓋形成於基底絕緣層3的寬度方向兩側端面的導體薄膜8。因此，能夠確實地防止導體材料及導體薄膜8從基底絕緣層3的寬度方向兩側端面剝離。
另外，雖然在上述的說明中係從乾膜光阻劑形成光阻劑13，但亦能夠從例如感光性的清漆形成。
然而，在利用乾膜光阻劑，於形成於基底絕緣層3上表面的導體薄膜8形成光阻劑13的情形中，由於在形成於基底絕緣層3上表面的導體薄膜8的寬度方向兩端部的端緣會集中施加有熱壓接的推壓力，因而格外容易產生缺損部分20。故在以電解鍍覆形成導體層6時，起因於缺損部分20的窄幅的導體材料因而非計畫性地析出。
然而如上所述，只要將光罩10配置成將形成於基底絕緣層3的上表面的導體薄膜8的寬度方向兩側端面遮光，隔著光罩10而從上方對該光阻劑13進行曝光，便既能夠形成導體層6，同時刻意在形成於基底絕緣層3的寬度方向兩端部的導體薄膜8形成端部導體層7，因此即使產生起因於乾膜光阻劑的缺損部分20，仍防止窄幅的導電材料之析出，能夠使端部導體層7與基底絕緣層3之密接性提升。因此，防止基底絕緣層3的上表面的寬度方向兩端部的導體異物之產生，結果，能夠獲得連接可靠度高的配線電路基板1。
此外，雖然在上述的說明中係如第2圖(c)所示，於金屬支撐層2的下表面形成樹脂支撐層9的同時形成光阻劑13，但雖然未圖示，亦能夠例如不形成樹脂支撐層9而形成光阻劑13。
較佳為，形成樹脂支撐層9的同時，層疊光阻劑13。藉此，能夠藉由樹脂支撐層9而從下側支撐覆蓋形成於基底絕緣層3及金屬支撐層2的寬度方向兩側端面的導體薄膜8的光阻劑13，因此能夠簡單且確實地覆蓋形成於基底絕緣層3及金屬支撐層2的寬度方向兩側端面的導體薄膜8。
此外，藉由樹脂支撐層9，補強金屬支撐層2及基底絕緣層3，能夠賦予該些積層體靭性，因此能夠精密度性地形成導體圖案4。
此外，雖然在上述的說明中係如第2圖(d)所示，將光罩10配置為使遮光部分11配置為相對向於，對應於形成導體層6及端部導體層7的部分的光阻劑13、與覆蓋形成於基底絕緣層3及金屬支撐層2的寬度方向兩側端面的導體薄膜8的光阻劑13。但並非限定於此，在光罩10的配置中，只有對光阻劑13的形成導體層6與端部導體層7的部分遮光即可，例如，亦能夠如第10圖(a)所示，所配置的光罩10係具備能夠使遮光部分11配置為相對向於光阻劑13的形成導體層6與端部導體層7的部分之遮罩圖案並從上方進行曝光，藉此而使覆蓋形成於基底絕緣層3及金屬支撐層2的寬度方向兩側端面的導體薄膜8之部分成為曝光部分。
另外，此時，如第10圖(a)的假想線所示，即使光罩10的位置有偏移而在覆蓋形成於基底絕緣層3及金屬支撐層2的寬度方向兩側端面的導體薄膜8的部分產生未曝光部分，如第3圖(e)所示，由於是從下方對光阻劑13進行曝光，因此仍能夠使基底絕緣層3的寬度方向兩側的未曝光部分作成為曝光部分。因此，能夠確實地防止形成於基底絕緣層3及金屬支撐層2的寬度方向兩側端面的導體薄膜8的導體材料之析出。
此外，雖然在上述說明中係如第2圖(d)及第3圖(e)所示，首先從上方對光阻劑13進行曝光，接著從下方對光阻劑13進行曝光，但曝光的順序並非限定於此，亦能夠以與上述順序相反的順序進行曝光。
此外，雖然在上述說明中係在覆蓋步驟後對光阻劑13進行加熱，但亦能夠在覆蓋步驟後不對光阻劑13加熱而對光阻劑13進行曝光。
較佳為，在覆蓋步驟後對光阻劑13進行加熱。
一般而言，在覆蓋步驟後，會有在覆蓋形成於基底絕緣層3及金屬支撐層2的寬度方向兩側端面的導體薄膜8的光阻劑13產生氣泡的情形。特別是在金屬支撐層2及基底絕緣層3的合計厚度T1亦即2層基材的厚度T1比阻劑13的厚度T2厚時，且在2層基材的厚度T1比光阻劑13的厚度T2的3倍厚度厚時，更容易產生上述氣泡。
但如上所述，本方法係在覆蓋步驟後對覆蓋形成於基底絕緣層3及金屬支撐層2的寬度方向兩側端面的導體薄膜8的光阻劑13進行加熱，藉此，能夠使上述氣泡的體積顯著地減小。
第5圖係顯示本發明的配線電路基板之製造方法的另一實施形態所製造的配線電路基板(不具有金屬支撐層之態樣)的沿著寬度方向的剖面圖。第6圖至第8圖係本發明的配線電路基板之製造方法的另一實施形態的步驟圖。
其中，在以下的各圖中，與上述相同的構件係標註相同的符號並省略其說明。
雖然在上述的說明中係例示具備以金屬支撐層2作為補強層的COF基板作為本發明的配線電路基板之製造方法所製得的配線電路基板，但本發明的配線電路基板之製造方法所製得的配線電路基板並不限定於此。例如，如第5圖所示，本發明的配線電路基板之製造方法所製得的配線電路基板亦能夠廣泛應用於不具有金屬支撐層2的COF基板等其他配線電路基板。
在第5圖中，該配線電路基板1係具備有：基底絕緣層3；導體薄膜8，形成於基底絕緣層3之上；導體圖案4，形成於導體薄膜8之上；及覆蓋絕緣層5，以覆蓋導體薄膜8及導體圖案4之方式形成於基底絕緣層3之上。
接著，參照第6圖至第8圖，說明本發明的配線電路基板之製造方法的另一實施形態。
首先，如第6圖(a)所示，本方法係準備基底絕緣層3。關於準備基底絕緣層3，係能夠將市售片(膜)直接拿來使用。
接著，如第6圖(b)至第8圖(h)所示，本方法係以半加成法依序於基底絕緣層3之上形成導體薄膜8及導體圖案4。
在半加成法中，首先，如第6圖(b)所示，於基底絕緣層3的上表面與基底絕緣層3的寬度方向兩側端面形成導體薄膜8。導體薄膜8係以與上述相同的方法形成。
接著，如第6圖(c)所示，本方法係以光阻劑13覆蓋形成於基底絕緣層3上表面的導體薄膜8與形成於基底絕緣層3的寬度方向兩側端面的導體薄膜8(覆蓋步驟)。此外，與此同時，將樹脂支撐層9層疊於基底絕緣層3的下表面，以包含基底絕緣層3與覆蓋基底絕緣層3的寬度方向兩側端面的光阻劑13。
關於以光阻劑13覆蓋形成於基底絕緣層3上表面的導體薄膜8與形成於基底絕緣層3的寬度方向兩側端面的導體薄膜8，係使用上述的光阻劑積層體，以與上述相同的方法形成。此外，關於將樹脂支撐層9層疊於基底絕緣層3的下表面，係使用上述的樹脂支撐層積層體，以與上述相同的方法形成。
接著，如第6圖(d)所示，本方法係將光罩10配置成將形成於基底絕緣層3的上表面的導體薄膜8的寬度方向兩端部及形成導體層6的部分、與覆蓋形成於基底絕緣膜3的寬度方向兩側端面的導體薄膜8的光阻劑13進行遮光，隔著光罩10而從上方對覆蓋基底絕緣層3的上表面的光阻劑13進行曝光。
接著，如第7圖(e)所示，本方法係從下方對覆蓋形成於基底絕緣層3的寬度方向兩側端面的導體薄膜8的光阻劑13進行曝光。其中，在該曝光中，形成於基底絕緣層3上表面的導體薄膜8與形成於基底絕緣層3的寬度方向兩側端面的導體薄膜8係兼作光罩。
接著，如第7圖(f)所示，本方法係去除光阻劑13的未曝光部分，而使曝光部分形成圖案而形成電鍍阻層14。之後，如第7圖(g)所示，在露出於電鍍阻層14的導體薄膜8之上，同時在形成於基底絕緣層3的上表面的導體薄膜8的寬度方向兩端部形成端部導體層7及在形成於基底絕緣層3的上表面的導體薄膜8的寬度方向略中央形成導體層6。
接著，如第8圖(h)所示，本方法係依序去除電鍍阻層14及原先被電鍍阻層14覆蓋的部分的導體薄膜8。之後，如第8圖(i)所示，以上述圖案將覆蓋絕緣層5形成於基底絕緣層3之上。之後，如第8圖(j)所示，去除樹脂支撐層。
藉此，便能夠形成不具有金屬支撐層2的配線電路基板1。
另外，就本發明的配線電路基板之製造方法而言，較佳為使用上述第2圖至第4圖所示之具有金屬支撐層2的配線電路基板1之製造方法。
亦即，在第2圖至第4圖所示的配線電路基板1之製造方法中，如第2圖(a)所示，由於準備於金屬支撐層2之上層疊有基底絕緣層3的2層基材，因此能夠藉由金屬支撐層2補強基底絕緣層3。因此，能夠精密度佳地形成導體圖案4。
此外，如第2圖(b)所示，於基底絕緣層3及金屬支撐層2的端部兩側端面形成導體薄膜8，且如第2圖(c)所示，以光阻劑13覆蓋形成於基底絕緣層3及金屬支撐層2的寬度方向兩側端面的導體薄膜8，且如第3圖(e)所示，能夠將金屬支撐層2與形成於基底絕緣層3及金屬支撐層2的寬度方向兩側端面的導體薄膜8作為遮罩而從下方對該光阻劑13進行曝光。
因此，能夠以簡易的方式且確實地僅對形成於基底絕緣層3及金屬支撐層2的寬度方向兩側端面的光阻劑13進行曝光。
另外，雖然係將第5圖所示之不具有金屬支撐層2的配線電路基板1以第6圖(a)至第8圖(j)所示的方法來製造，但亦能夠例如使用第2圖(a)至第4圖(j)所示的方法，亦即，在製得由金屬支撐層2支撐且具備基底絕緣層3、導體薄膜8、導體圖案4及覆蓋絕緣層5的配線電路基板1後，藉由蝕刻去除金屬支撐層2。
實施例
以下顯示實施例及比較例，更具體地說明本發明，但本發明並未限定於任何實施例及比較例。
(具有金屬支撐層的COF基板之製造)
實施例1
首先，準備於厚度25μm的由不鏽鋼所構成的金屬支撐層層疊有厚度35μm的由聚醯亞胺所構成的基底絕緣層之2層基材(厚度T1為60μm、寬度300mm)(參照第2圖(a))。
接著，以鉻濺鍍與銅濺鍍依序將厚度0.02μm的鉻薄膜與厚度0.13μm的銅薄膜連續地形成於基底絕緣層的上表面與基底絕緣層及金屬支撐層的寬度方向兩側端面以作為導體薄膜(參照第2圖(b))。
接著，準備依序層疊有支撐層、負型的光阻劑(厚度T2為15μm)及剝離層的光阻劑積層體(寬度303mm)後，剝離光阻劑積層體的剝離層，再以光阻劑接觸於形成於基底絕緣層上表面的導體薄膜之方式，以溫度90℃、壓力0.3MPa對光阻劑積層體進行熱壓接。
此外，另外準備依序層疊有樹脂支撐層(厚度50μm)、接著劑層及剝離層的樹脂支撐層積層體(寬度304mm)後，剝離樹脂支撐層積層體的剝離層，在進行上述光阻劑積層體的熱壓接的同時，以接著劑層接觸於金屬支撐層的下表面之方式層疊樹脂支撐層積層體。
藉此，在以光阻劑覆蓋形成於基底絕緣層上表面的導體薄膜與形成於基底絕緣層及金屬支撐層的寬度方向兩側端面的導體薄膜的同時，於金屬支撐層的下表面層疊樹脂支撐層，以包含金屬支撐層與形成於基底絕緣層及金屬支撐層的寬度方向兩側端面的導體薄膜(參照第2圖(c))。
接著，在以光阻劑進行覆蓋後立即以90℃，在空氣中加熱光阻劑20秒。
接著，將光罩配置為將形成於基底絕緣層上表面的導體薄膜的形成寬度方向兩端部的端部導體層及寬度方向略中央的導體層的部分、與形成覆蓋形成於基底絕緣層及金屬支撐層的寬度方向兩側端面的導體薄膜的光阻劑的部分遮光。接著，隔著光罩而從上方對覆蓋形成於基底絕緣層上表面的導體薄膜的光阻劑及覆蓋形成於基底絕緣層及金屬支撐層的寬度方向兩側端面的導體薄膜的光阻劑進行曝光。
光罩係具備由遮光部分及光穿透部分所構成的遮罩圖案，且使遮光部分配置為相對向於，對應於形成導體層及端部導體層的部分的光阻劑、與覆蓋形成於基底絕緣層及金屬支撐層的寬度方向兩側端面的導體薄膜的光阻劑，使光穿透部分配置為相對向於，形成覆蓋形成於基底絕緣層上表面的導體薄膜的電鍍阻層的部分，接著，使用紫外線，以130mJ/cm2 ，隔著光罩從上方進行曝光(參照第2圖(d))。
接著，使用紫外線，以260mJ/cm2 ，從下方對覆蓋形成於基底絕緣層及金屬支撐層的寬度方向兩側端面的導體薄膜的光阻劑進行曝光(參照第3圖(e))。
接著，以顯影處理去除光阻劑的未曝光部分，使曝光部分形成圖案後，進行乾燥，藉此而形成電鍍阻層(參照第3圖(f))。
接著，藉由電解鍍銅，於露出於電鍍阻層的導體薄膜之上，同時在形成於基底絕緣層上表面的導體薄膜的寬度方向兩端部形成端部導體層及在形成於基底絕緣層上表面的導體薄膜的寬度方向中央形成導體層(參照第3圖(g))。導體圖案(端部導體層及導體層)的厚度約9μm，端部導體層的寬度(W1)係5，000μm。
接著，藉由蝕刻依序去除電鍍阻層及原先被電鍍阻層覆蓋的部分的導體薄膜(參照第4圖(h))。
接著，均勻地在基底絕緣層及導體圖案的上表面整面塗佈感光性聚醯胺酸(polyamic acid)樹脂的清漆，在乾燥後進行曝光及顯影，並進行加熱硬化，藉此而以上述的圖案形成厚度5μm的由聚醯亞胺所構成的覆蓋絕緣層(參照第4圖(i))。
之後，藉由剝離處理去除樹脂支撐層(參照第1圖及第4圖(j))。
藉此，獲得具有金屬支撐層的COF基板。
比較例1
如第9圖(a)所示，除了在進行光阻劑(13)的從上方之曝光時，將光罩(10)配置為僅將寬度方向中央的形成導體層(6)的部分遮光，隔著光罩(10)從上方對覆蓋形成於基底絕緣層(3)上表面的導體薄膜(8)的光阻劑(13)與覆蓋形成於基底絕緣層(3)及金屬支撐層(2)的寬度方向兩側端面的導體薄膜的光阻劑(13)進行曝光之外，進行與實施例1同樣的處理(參照第9圖(b)及(c))而獲得COF基板(1)。
其中，如第9圖(a)所示，上述光罩(10)係配置為使遮光部分(11)相對向於形成導體層(6)的光阻劑(13)；使光穿透部分(12)相對向於，覆蓋形成於基底絕緣層(3)及金屬支撐層(2)的寬度方向兩側端面的導體薄膜(8)的光阻劑(13)與覆蓋形成於基底絕緣層(3)上表面的導體薄膜(8)的電鍍阻層(14)。
比較例2
如第10圖(a)所示，除了在進行光阻劑(13)的從上方之曝光時，將光罩(10)配置為僅將形成寬度方向中央的導體層(6)及寬度方向兩端部的端部導體層(7)的部分遮光，隔著光罩(10)從上方對覆蓋形成於基底絕緣層(3)上表面的導體薄膜(8)的光阻劑(13)與覆蓋形成於基底絕緣層(3)及金屬支撐層(2)的寬度方向兩側端面的導體薄膜的光阻劑(13)進行曝光，而不實施從下方的曝光(參照第3圖(e))之外，進行與實施例1同樣的處理(參照第10圖(b)及(c))而獲得COF基板(1)。
其中，如第10圖(a)所示，上述光罩(10)係配置為使遮光部分(11)相對向於形成導體層(6)及端部導體層(7)的光阻劑(13)；使光穿透部分(12)相對向於，覆蓋形成於基底絕緣層(3)及金屬支撐層(3)的寬度方向兩側端面的導體薄膜(8)的光阻劑(13)與覆蓋形成於基底絕緣層(2)上表面的導體薄膜(8)的電鍍阻層(14)。
但如第10圖(a)中的假想線所示，由於光罩(10)朝寬度方向一方側稍微偏位，因此配置為在覆蓋形成於基底絕緣層(3)及金屬支撐層(2)寬度方向一端面的導體薄膜(8)的光阻劑(13)中，亦將遮光(11)相對向於接觸於形成於基底絕緣層(3)及金屬支撐層(2)的一端面的導體薄膜(8)的部分，如第10圖(b)所示，該部分係因顯影處理而被去除。
因此，在電解鍍銅時，會有寬度10μm至50μm的銅(22)於形成於金屬支撐層(2)的寬度方向一端面的導體薄膜(8)析出。
(不具有金屬支撐層的COF基板之製造)
實施例2
準備厚度35μm的由聚醯亞胺所構成的基底絕緣層片(寬度300mm)(參照第6圖(a))。
接著，以鉻濺鍍與銅濺鍍依序將厚度0.02μm的鉻薄膜與厚度0.13μm的銅薄膜連續地形成於基底絕緣層的上表面與基底絕緣層的寬度方向兩側端面(參照第6圖(b))。
接著，使用與實施例1相同的光阻劑積層體，以光阻劑接觸於形成於基底絕緣層上表面的導體薄膜之方式，對光阻劑積層體進行熱壓接。
此外，另外使用與實施例1相同的樹脂支撐層積層體，在進行上述光阻劑積層體的熱壓接的同時，以接著劑層接觸於基底絕緣層的下表面之方式層疊樹脂支撐層積層體。
藉此，在以光阻劑覆蓋形成於基底絕緣層上表面與基底絕緣層的寬度方向兩側端面的導體薄膜的同時，於基底絕緣層的下表面層疊樹脂支撐層，以包含覆蓋形成於基底絕緣層與基底絕緣層的寬度方向兩側端面的導體薄膜(參照第6圖(c))。
接著，在以光阻劑進行覆蓋後立即以90℃，在空氣中加熱光阻劑20秒。
接著，與實施例1同樣地配置光罩，隔著光罩而從上方對覆蓋形成於基底絕緣層上表面的導體薄膜的光阻劑及覆蓋形成於基底絕緣層的寬度方向兩側端面的導體薄膜的光阻劑進行曝光(參照第6圖(d))。
接著，以與實施例1相同的條件，從下方對覆蓋形成於基底絕緣層的寬度方向兩側端面的導體薄膜的光阻劑進行曝光(參照第7圖(e))，接著，進行與實施例1相同的處理，而形成電鍍阻層(參照第7圖(f))。
接著，以與實施例1相同的條件進行電解鍍銅，藉此同時形成端部導體層及導體層(參照第7圖(g))，之後，藉由蝕刻依序去除電鍍阻層及原先被電鍍阻層覆蓋的部分的導體薄膜(參照第8圖(h))。
接著，進行與實施例1相同的處理，而以上述的圖案形成覆蓋絕緣層(參照第8圖(i))。之後，藉由剝離處理去除樹脂支撐層(參照第5圖及第8圖(j))。
藉此，獲得不具有金屬支撐層的COF基板。
(評價)
(1)基底絕緣層上表面的端部的銅異物
以金屬顯微鏡及SEM(Scanning Electron Microscope；掃瞄電子顯微鏡)觀察實施例1、2、比較例1及2所製得的COF基板中，形成於基底絕緣層上表面的導體薄膜的寬度方向兩端部。
結果，確認了在實施例1、2及比較例2中，於基底絕緣層上表面的寬度方向兩端部形成有端部導體層。
另一方面，確認了在比較例1中，在基底絕緣層(3)上表面的寬度方向兩端部的端緣，由於電鍍阻層(14)的缺損部分(20)，銅(21)係非預期地析出，該銅(21)係剝離而成為銅異物。
(2)基底絕緣層側端面的銅析出
以金屬顯微鏡及SEM觀察實施例1、2、比較例1及2所製得的COF基板中，金屬支撐層的寬度方向兩側端面。
結果，確認了在實施例1、2及比較例1中，並未析出銅。
另一方面，確認了在比較例2中，在金屬支撐層(2)的寬度方向一側端面(第10圖的左側端面)，銅(22)係析出，該銅(22)係與導體薄膜(8)一同從基底絕緣層(3)的寬度方向一側端面剝離而成為銅異物。
另外，上述說明係提供作為本發明的例示實施形態，僅僅單純為例示，不應用以限定解釋本發明。本發明技術領域的技術人員所作之顯然為本發明的變形例係包含於後述的申請專利範圍。
1．．．配線電路基板
2．．．金屬支撐層
3．．．基底絕緣層
4．．．導體圖案
5．．．覆蓋絕緣層
6．．．導體層
7．．．端部導體層
7A．．．第1端部
7B．．．第2端部
8．．．導體薄膜
9．．．樹脂支撐層
10．．．光罩
11．．．遮光部分
12．．．光穿透部分
13．．．光阻劑
14．．．電鍍阻層
15．．．配線
20．．．缺損部分(空隙)
21、22．．．銅
T1．．．金屬支撐層及基底絕緣層的合計厚度
T2．．．光阻劑的厚度
W1．．．端部導體層的寬度
第1圖係顯示本發明的配線電路基板之製造方法的一實施形態所製造的配線電路基板(具有金屬支撐層之態樣)的沿著寬度方向的剖面圖。
第2圖係本發明的配線電路基板之製造方法的一實施形態的步驟圖；(a)顯示準備2層基材之步驟；(b)顯示形成導體薄膜之步驟；(c)顯示在形成光阻劑的同時形成樹脂支撐層之步驟；(d)顯示隔著光罩從上方對光阻劑進行曝光之步驟。
第3圖係本發明的配線電路基板之製造方法的一實施形態的步驟圖，接續於第2圖；(e)顯示從下方對光阻劑進行曝光之步驟；(f)顯示去除光阻劑的未曝光部分，而使曝光部分形成圖案而形成電鍍阻層之步驟；(g)顯示同時形成端部導體層及導體層之步驟。
第4圖係本發明的配線電路基板之製造方法的一實施形態的步驟圖，接續於第3圖；(h)顯示依序去除電鍍阻層及被電鍍阻層覆蓋的部分的導體薄膜之步驟；(i)顯示在基底絕緣層之上形成覆蓋絕緣層之步驟；(j)顯示去除樹脂支撐層之步驟。
第5圖係顯示本發明的配線電路基板之製造方法的另一實施形態所製造的配線電路基板(不具有金屬支撐層之態樣)的沿著寬度方向的剖面圖。
第6圖係本發明的配線電路基板之製造方法的另一實施形態的步驟圖；(a)顯示準備基底絕緣層之步驟；(b)顯示形成導體薄膜之步驟；(c)顯示在形成光阻劑的同時形成樹脂支撐層之步驟；(d)顯示隔著光罩從上方對光阻劑進行曝光之步驟。
第7圖係本發明的配線電路基板之製造方法的另一實施形態的步驟圖，接續於第6圖；(e)顯示從下方對光阻劑進行曝光之步驟；(f)顯示去除光阻劑的未曝光部分，而使曝光部分形成圖案而形成電鍍阻層之步驟；(g)顯示同時形成端部導體層及導體層之步驟。
第8圖係本發明的配線電路基板之製造方法的另一實施形態的步驟圖，接續於第7圖；(h)顯示依序去除電鍍阻層及被電鍍阻層覆蓋的部分的導體薄膜之步驟；(i)顯示在基底絕緣層之上形成覆蓋絕緣層之步驟；(j)顯示去除樹脂支撐層之步驟。
第9圖係比較例1的COF基板之製造方法的步驟圖；(a)顯示以僅對形成在寬度方向中央的導體層的部分進行遮光之方式配置光罩，隔著該光罩從上方對光阻劑進行曝光之步驟；(b)顯示去除光阻劑的未曝光部分，而使曝光部分形成圖案而形成電鍍阻層之步驟；(c)顯示形成導體層之步驟。
第10圖係比較例2的COF基板之製造方法的步驟圖；(a)顯示以僅對寬度方向中央的導體層及寬度方向兩端部的端部導體層進行遮光之方式配置光罩，隔著該光罩從上方對光阻劑進行曝光之步驟；(b)顯示去除光阻劑的未曝光部分，而使曝光部分形成圖案而形成電鍍阻層之步驟；(c)顯示形成導體層及端部導體層之步驟。
1．．．配線電路基板
2．．．金屬支撐層
3．．．基底絕緣層
4．．．導體圖案
5．．．覆蓋絕緣層
6．．．導體層
7．．．端部導體層
7A．．．第1端部
7B．．．第2端部
8．．．導體薄膜
15．．．配線
T1．．．金屬支撐層及基底絕緣層的合計厚度
W1．．．端部導體層的寬度

Claims (6)

  1. 一種配線電路基板之製造方法，具備以下步驟：準備絕緣層之步驟；於前述絕緣層的上表面及側端面形成導體薄膜之步驟；以光阻劑覆蓋形成於前述絕緣層的上表面及側端面的前述導體薄膜之步驟；將光罩配置成將形成於前述絕緣層的上表面的前述導體薄膜的端部及形成導體層的部分遮光，隔著前述光罩而從上方對覆蓋在形成於前述絕緣層的上表面的前述導體薄膜的前述光阻劑進行曝光之步驟；從下方對覆蓋在形成於前述絕緣層的側端面的前述導體薄膜的前述光阻劑進行曝光之步驟；去除前述光阻劑的未曝光部分，而使曝光部分形成圖案而形成電鍍阻層之步驟；在露出於前述電鍍阻層的前述導體薄膜之上，同時在形成於前述絕緣層的上表面的前述導體薄膜的端部形成端部導體層及在形成於前述絕緣層的上表面的前述導體薄膜形成前述導體層之步驟；將前述電鍍阻層去除之步驟；以及去除原先被前述電鍍阻層覆蓋的前述導體薄膜之步驟。
  2. 如申請專利範圍第1項之配線電路基板之製造方法，其中，在形成前述導體薄膜之步驟中，係以濺鍍形成前述導體薄膜。
  3. 如申請專利範圍第1項之配線電路基板之製造方法，其中，在準備前述絕緣層之步驟中，係準備於金屬支撐層之上層疊有前述絕緣層的2層基材；在形成前述導體薄膜之步驟中，係於前述絕緣層的上表面、前述絕緣層及前述金屬支撐層的側端面形成前述導體薄膜；在以前述光阻劑覆蓋前述導體薄膜之步驟中，係以前述光阻劑覆蓋形成於前述絕緣層的上表面的前述導體薄膜、以及形成於前述絕緣層及前述金屬支撐層的側端面的前述導體薄膜；在從下方對前述光阻劑進行曝光之步驟中，係從下方對覆蓋在形成於前述絕緣層及前述金屬支撐層的側端面的前述導體薄膜的前述光阻劑進行曝光。
  4. 如申請專利範圍第1項之配線電路基板之製造方法，其中，以乾膜光阻劑形成前述光阻劑。
  5. 如申請專利範圍第1項之配線電路基板之製造方法，其中，在以前述光阻劑覆蓋前述導體薄膜之步驟中，係於前記絕緣層之下面層疊樹脂支撐層，以包含覆蓋在形成於前述絕緣層的側端面的前述導體薄膜的前述光阻劑。
  6. 如申請專利範圍第1項之配線電路基板之製造方法，復具備：在以前述光阻劑覆蓋前述導體薄膜之步驟後，對覆蓋在形成於前述絕緣層的側端面的前述導體薄膜的前述光阻劑進行加熱之步驟。
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