TWI429361B - 配線電路基板的製造方法 - Google Patents

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Description

配線電路基板的製造方法
本發明係關於一種配線電路基板的製造方法，更詳細言之，係關於COF(chip on flex，晶片-上-軟板)基板等配線電路基板的製造方法。
以往，在COF基板等之配線電路基板的導體圖案的形成中，係使用加成法(additive method)。例如，提案有一種在形成於由不鏽鋼所構成之金屬支持層上之由聚醯亞胺所成之基底絕緣層上，以加成法形成由銅所構成之導體圖案的技術(參照例如日本特開2006-332549號公報)。
亦即，在上述日本特開2006-332549號公報中，在基底絕緣層之上表面形成導體薄膜，接著在以負型之乾薄膜阻劑被覆導體薄膜後，從上方透過光罩對該導體薄膜進行曝光，然後進行顯像，藉此以配線電路圖案之反轉圖案形成鍍覆阻劑。並且，提案有一種藉由以電解銅鍍覆進行之銅析出而將導體圖案形成在從鍍覆阻劑露出之導體薄膜的表面。
然而，在加成法中，為了不使銅被析出，必須藉由鍍覆阻劑被覆金屬支持層之側端面。亦即，由於金屬支持層之不鏽鋼與銅之密接力低，因此若銅析出於金屬支持層之側端面，則會有銅容易從金屬支持層剝離而成為異物的缺失，因此必須以鍍覆阻劑被覆金屬支持層之側端面。
另一方面，乾薄膜阻劑係通常藉由熱壓接而被積層，因此在基底絕緣層之上表面端部的端緣集中地施加有推壓力，因而有厚度會變薄、且滑落至基底絕緣層之側端面的情形。再者，當乾薄膜阻劑滑落時，乾薄膜阻劑係在基底絕緣層之上表面端部的端緣中形成有欠缺乾薄膜阻劑之寬度窄的欠缺部分(間隙)，當使用由該乾薄膜阻劑所形成之鍍覆阻劑進行電解銅鍍覆時，銅會從光阻之欠缺部分析出。因此，由於該銅係形成為寬度比較窄，故會有與基底絕緣層之密接力低而從基底絕緣層剝離而成為異物的缺失。因此，較佳為藉由刻意在基底絕緣層之上表面的端部設置寬度較寬的銅層，以防止上述寬度較窄之銅的析出，使銅層與絕緣層的密接性提升。
因此，為了防止上述異物之發生，必須藉由鍍覆阻劑被覆金屬支持層之側端面，並且使基底絕緣層之上表面端部從鍍覆阻劑露出，俾形成寬度較寬的銅層。此時，在金屬支持層之側端面中，為了從負型之乾薄膜阻劑形成鍍覆阻劑，必須使對應該部分之乾薄膜阻劑成為曝光部分，另一方面，在基底絕緣層之上表面端部中，為了形成寬度較寬的銅層，必須設置使對應該部分之乾薄膜阻劑成為未曝光部分的遮罩圖案。然而，要使金屬支持層之側端面為曝光部分，且使基底絕緣層之上表面端部為未曝光部分，會有難以正確地配置光罩之情形。
本發明之目的在於提供一種可防止絕緣層之上表面端部之導體異物的產生，且可簡易地防止金屬支持層之側端面之導體異物之產生的配線電路基板的製造方法。
本發明之配線電路基板的製造方法係具備：準備於金屬支持層上積層有絕緣層之2層基材的步驟；藉由光阻劑被覆前述絕緣層之上表面、及前述絕緣層與前述金屬支持層之側端面的被覆步驟；將光罩配置成將前述絕緣層之上表面的端部及形成導體層的部分予以遮光，並對被覆前述絕緣層之上表面的前述光阻劑從上方透過前述光罩進行曝光的步驟；對被覆前述絕緣層及前述金屬支持層之側端面的前述光阻劑從下方進行曝光的步驟；去除前述光阻劑之未曝光部分，將曝光部分形成為圖案，以形成鍍覆阻劑的步驟；在從前述鍍覆阻劑露出之前述絕緣層上，同時形成前述絕緣層之上表面之端部的端部導體層、及前述絕緣層之上表面之前述導體層的步驟；以及去除前述鍍覆阻劑之步驟。
在該方法中，藉由光阻劑被覆絕緣層之上表面，並將光罩配置成將絕緣層之上表面的端部及形成導體層的部分進行遮光，並對被覆絕緣層之上表面的光阻劑從上方透過前述光罩而曝光。於是，在絕緣層之上表面之端部及形成導體層的部分，形成有光罩之未曝光部分。再者，在去除該光罩之未曝光部分後，若形成鍍覆阻劑，則可將端部導體層形成在從鍍覆阻劑露出之絕緣層上表面的端部，同時可將導體層形成在從鍍覆阻劑露出之絕緣層上表面的部分。因此，可形成導體層，同時在絕緣層之端部中，形成端部導體層，以防止寬度較窄的導體材料的析出，並且可提升端部導體層與絕緣層之密接性。結果，可防止絕緣層之上表面端部的導體異物之產生，並且可獲致連接可靠性高的配線電路基板。
另一方面，在該方法中，藉由光阻劑被覆絕緣層及金屬支持層之側端面，並對該光阻劑從下方曝光，因此可簡易地將被覆絕緣層及金屬支持層之側端面的光阻劑進行曝光。因此，能以被覆絕緣層及金屬支持層之側端面的方式，從該曝光部分形成鍍覆阻劑。因此，在金屬支持層之側端面中，可簡單地防止導體材料之析出，結果，可簡易地防止金屬支持層之側端面中的導體異物之產生。
再者，在本發明之配線電路基板之製造方法中，較佳為由乾薄膜阻劑形成前述光阻劑。
當將乾薄膜阻劑積層在絕緣膜之上表面時，在絕緣層之上表面端部的端緣中，集中地施加有由熱壓接所產生的推壓力，因此容易產生欠缺部分。因此在導體層之形成中，會有因欠缺部分所產生之寬度較窄的導體材料不經意地析出之缺失。
然而，在該方法中，由乾薄膜形成光阻劑後，如上所述將光罩配置成對絕緣層之上表面的端部進行遮光，並使該光阻劑從上方透過前述光罩而曝光。因此，可形成導體層，同時在絕緣層之端部中，意圖地形成端部導體層，以防止寬度較窄的導體材料的析出，並且可提升端部導體層與絕緣層之密接性。結果，可防止絕緣層之上表面端部的導體異物之產生，並且可獲致連接可靠性高的配線電路基板。
再者，本發明之配線電路基板之製造方法中，於藉由前述光阻劑被覆前述絕緣層之上表面、及前述絕緣層與前述金屬支持層之側端面的步驟中，較佳為以包含前述金屬支持層及被覆前述金屬支持層之側端面的前述光阻劑之方式，將樹脂支持層積層在前述金屬支持層之下表面。
在該方法中，在積層樹脂支持層之同時，藉由將光阻劑積層在該樹脂支持層之上表面，即可簡單且確實地被覆金屬支持層之側端面。
再者，藉由樹脂支持層來補強金屬支持層及絕緣層，而可對該等積層體賦予靭性，因此可精密度佳地形成導體圖案。
此外，在本發明之配線電路基板之製造方法中，較佳為復具備：在前述被覆步驟後，加熱被覆前述絕緣層與前述金屬支持層之側端面的前述光阻劑之步驟。
一般而言，在被覆步驟後，會有在被覆絕緣層及金屬支持層之側端面的光阻劑產生氣泡之情形。然而，在該方法中，由於係在被覆步驟後加熱用以被覆絕緣層及金屬支持層之側端面的光阻劑，因此可使該氣泡之數量或體積減少，並且可去除氣泡。
第1圖係藉由本發明之配線電路基板之製造方法的一實施形態所製造之配線電路基板之沿著寬度方向的剖視圖，第2圖至第4圖係本發明之配線電路基板的製造方法之一實施形態的步驟圖。
在第1圖中，該配線電路基板1係安裝未圖示之IC晶片且搭載在各種電子機器之COF基板，其具備朝長度方向延伸之金屬支持層2、及形成在金屬支持層2上之作為絕緣層的基底絕緣層3。再者，配線電路基板1係具備：形成在基底絕緣層3上之導體圖案4；及以被覆導體圖案4之方式形成在基底絕緣層3上的覆蓋絕緣層5。
金屬支持層2係補強層。再者，就形成金屬支持層2之金屬材料而言，係採用例如不鏽鋼、42合金等，較佳為採用不鏽鋼。
金屬支持層2係由平板狀之金屬箔或金屬薄板所構成。金屬支持層2之厚度係例如5至100μm，較佳為10至50μm。
基底絕緣層3係形成在金屬支持層2之表面。更具體而言，基底絕緣層3係遍及寬度方向(與長度方向正交之方向)，形成在金屬支持層2之上表面整面。亦即，基底絕緣層3之寬度方向端緣以俯視觀察時係形成在與金屬支持層2之寬度方向端緣相同之位置。亦即，基底絕緣層3之寬度方向兩側端面係在厚度方向上形成與金屬支持層2之寬度方向兩側端面為齊平。
就形成基底絕緣層3之絕緣材料而言，係採用例如聚醯亞胺、聚醚腈、聚醚碸、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸二乙酯、聚氯乙烯等合成樹脂。其中，以使用聚醯亞胺為佳。
基底絕緣層3之厚度係例如1至50μm，較佳為20至40μm。藉此，金屬支持層2及基底絕緣層3之合計厚度T1係例如6至150μm，較佳為30至90μm。
導體圖案4係具備導體層6及端部導體層7。
導體層6係在基底絕緣層3上設置在寬度方向途中。亦即，導體層6係與寬度方向兩端部之端緣隔著間隔而配置，更具體而言，係形成在寬度方向大致中央，俾確保要形成端部導體層7之區域(寬度方向兩端部)。此外，導體層6係形成為一體具備複數條配線15、及未圖示之端子部的配線電路圖案，該複數條配線15係沿著長度方向而延伸，且在寬度方向相互隔著間隔而並排配置，端子部係連接於各配線15之長度方向兩端部。
端部導體層7係在基底絕緣層3上，設置在寬度方向兩端部，且在導體層6之寬度方向兩外側與寬度方向最兩外側之配線15隔著間隔相對向配置。各端部導體層7係以並行於基底絕緣層3之寬度方向兩端緣的圖案所形成，且形成為剖面大致矩形扁平狀。再者，各端部導體層7係以俯視觀察之，其寬度方向外側端緣、亦即配置於寬度方向一方側的第1端部導體層7A之寬度方向一側端緣，及配置於寬度方向另一方側的第2端部導體層7B之寬度方向另一側端緣係形成在與基底絕緣層3之寬度方向兩側端緣相同之位置。亦即，第1端部導體層7A之寬度方向一側端面及第2端部導體層7B之寬度方向另一側端面係在厚度方向上分別形成與基底絕緣層3之寬度方向兩側端面為齊平。
就形成導體圖案4之導體材料而言，係採用例如銅、鎳、金、銲料或該等合金等。較佳為採用銅。
各配線15之寬度W係例如5至100μm，較佳為5至50μm，各配線15間之間隔係例如5至100μm，較佳為5至50μm。
再者，各端部導體層7之寬度W1係例如50μm以上，較佳為200μm以上，更佳為1000μm以上，通常為10mm以下。各端部導體層7之寬度W1未達上述範圍時，會有端部導體層7與基底絕緣層3之密接力降低而成為導體異物之情形。
覆蓋絕緣層5係對應導體圖案4而形成在基底絕緣層3及導體圖案4之表面。
就形成覆蓋絕緣層5之絕緣材料而言，係採用與上述基底絕緣層3之絕緣材料相同之絕緣材料。
覆蓋絕緣層5之厚度係例如1至40μm，較佳為3至10μm。
再者，在該配線電路基板1中，於導體圖案4之下表面形成有導體薄膜(種膜)8。
導體薄膜8係以與導體圖案4相同之圖案所形成，且介置在基底絕緣層3與導體圖案4之間。
就形成導體薄膜8之導體材料而言，係採用例如銅、鉻等導體材料。導體薄膜8之厚度係例如20至500nm，較佳為50至300nm。
接著，參照第2圖至第4圖，說明本發明之配線電路基板之製造方法的一實施形態。
首先，在該方法中，如第2圖(a)所示，準備於金屬支持層2上積層有基底絕緣層3之2層基材。
為了準備2層基材，亦可直接使用市售之2層基材。而且，亦可藉由在金屬支持層2之表面積層基底絕緣層3，而準備2層基材。
接著，在該方法中，如第2圖(b)至第3圖(g)所示，在基底絕緣層3上形成導體圖案4。導體圖案4係藉由例如加成法、更具體而言係藉半加成法所形成。
為了以半加成法形成導體圖案4，首先，如第2圖(b)所示，在基底絕緣層3之上表面整面形成導體薄膜8。
導體薄膜8係藉由例如濺鍍、電解鍍覆或無電解鍍覆等形成。較佳為以濺鍍方式來形成。
接著，在該方法中，如第2圖(c)所示，藉由光阻劑13被覆絕緣膜3之上表面、及基底絕緣層3與金屬支持層2之側端面(被覆步驟)。此外，與此同時，以包含金屬支持層2及被覆金屬支持層2之側端面的光阻劑13之方式，將樹脂支持層9積層在金屬支持層2之下表面。
為了藉由光阻劑13，被覆基底絕緣層3之上表面、及基底絕緣層3與金屬支持層2之側端面，係首先準備具備以下構件之光阻劑積層體(未圖示)：由聚對苯二甲酸乙二酯(PET)等所形成之支持層；積層在支持層且由負型之乾薄膜阻劑所成之光阻劑；及積層在光阻劑且施以離模處理之由PET所成之離模層。
光阻劑積層體係為了將光阻劑13被覆在基底絕緣層3與金屬支持層2之側端面，而將其大小設為比基底絕緣層3大，例如，其寬度係設為比基底絕緣層3之寬度大1mm以上，較佳為大3mm以上(通常為5mm以下)。再者，光阻劑13之厚度T2係例如15至50μm，較佳為15至25μm。
接著，以將離模層從光阻劑13剝離，使光阻劑13接觸基底絕緣層3之上表面之方式，從支持層朝向光阻劑13，對光阻劑積層體進行熱壓接。具體而言，例如在溫度50至150℃(較佳為80℃至110℃)、壓力0.20至0.50MPa下，對光阻劑積層體進行熱壓接。
然後，將支持層從光阻劑13剝離。
在以上述光阻劑13進行被覆之同時，為了將樹脂支持層9積層在金屬支持層2之下表面，首先準備樹脂支持層積層體(未圖示)，該樹脂支持層積層體係具備樹脂支持層9、積層在樹脂支持層9之接著劑層、及積層在接著劑層且經施以離模處理之由PET等所構成之離模層。
再者，樹脂支持層9係可由在後述之從下方進行曝光中不會阻礙曝光(可使光穿透)之樹脂材料所形成，例如可由聚乙烯、聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸二乙酯等透明之合成樹脂等所形成。
再者，樹脂支持層積層體之大小係只要包含金屬支持層2、及用以被覆金屬支持層2之光阻劑13的大小即可，例如，其寬度係設為比金屬支持層2之寬度大1mm以上，較佳為大4mm以上(通常為10mm以下)。再者，樹脂支持層9之厚度係例如25至150μm，較佳為50至100μm。
接著，以將離模層從接著劑層剝離且使接著劑層接觸金屬支持層2之下面的方式積層樹脂支持層積層體。
於是，基底絕緣層3及金屬支持層2係在厚度方向，由光阻劑積層體(光阻劑13)及樹脂支持層積層體(樹脂支持層9)夾著，同時形成光阻劑13及樹脂支持層9。
積層後之光阻劑13在基底絕緣層3之上面的寬度方向兩端部之端緣中，因光阻劑13被施以熱壓接，而滑落(流動)至基底絕緣層3之寬度方向兩側端面。藉此，在光阻劑13形成有欠缺光阻劑13之欠缺部分(間隙)20。欠缺部分20之寬度通常為3至50μm。
光阻劑13之欠缺部分20的寬度方向內側部分之厚度會變薄，具體而言，係形成為厚度隨著朝寬度方向兩外側逐漸變薄。
再者，形成於基底絕緣層3之寬度方向兩側端面的光阻劑13係藉由上述欠缺部分20之流動，形成為寬度隨著朝厚度方向上側逐漸變寬的剖面大致梯形狀。
接著，在該方法中，加熱被覆基底絕緣層3與金屬支持層2之側端面的光阻劑13。
關於光阻劑13，係在緊接於被覆步驟後，在例如60至150℃、較佳為80至120℃下，對以光阻劑13被覆之製造途中的配線電路基板1進行加熱。再者，光阻劑13係以例如15至60秒間、較佳為15至30秒間，且在例如空氣中或氮等惰性環境氣體中進行加熱。
接著，在該方法中，如第2圖(d)所示，將光罩10配置成將基底絕緣層3之上表面的寬度方向兩端部及寬度方向大致中央(亦即寬度方向兩端部以外)之要形成導體層6的部分、及被覆基底絕緣層3與金屬支持層2之寬度方向兩側端面的光阻劑13予以遮光，並對被覆基底絕緣層3之上表面的光阻劑13從上方透過光罩10進行曝光。
光罩10係具備由遮光部分11及透光部分12所構成之遮罩圖案。並且，隔著間隔將光罩10配置在光阻劑13之上側，使遮光部分11配置成對向於：對應於形成導體層6與端部導體層7之部分的光阻劑13、及被覆基底絕緣層3與金屬支持層2之寬度方向兩側端面的光阻劑13，並使透光部分12配置成對向於形成基底絕緣層3之上表面的鍍覆阻劑14之部分(導體層6與端部導體層7之反轉圖案部分)的光阻劑13。
在該光罩10之配置中，形成端部導體層7之部分的光阻劑13、及被覆基底絕緣層3與金屬支持層2之寬度方向兩側端面的光阻劑13係由連續之1個遮光部分11所遮光。
接著，在光罩10之配置後，對光阻劑13從上方透過光罩10進行曝光。
曝光係採用例如紫外線等之光，其照射量係例如50至500mJ/cm2 。
在從光阻劑13之上方進行之曝光中，要形成鍍覆阻劑14之部分為曝光部分，除此以外之部分(被覆導體層6、端部導體層7及基底絕緣層3與金屬支持層2之寬度方向兩側端面的部分)為未曝光部分。
接著，在該方法中，如第3圖(e)所示，對被覆基底絕緣層3與金屬支持層2之寬度方向兩側端面的光阻劑13從下方進行曝光。
並未另外設置光罩10，而對光阻劑13從下方透過樹脂支持層9進行曝光。在該曝光中，金屬支持層2係兼作為光罩。
曝光係採用例如紫外線等之光，其照射量係例如50至500mJ/cm2 。
在從光阻劑13之下方進行之曝光中，被覆基底絕緣層3與金屬支持層2之寬度方向兩側端面的光阻劑13、亦即從光阻劑13之上方進行曝光時未曝光部分係成為曝光部分。
接著，在該方法中，如第3圖(f)所示，去除光阻劑13之未曝光部分，將曝光部分形成為圖案，以形成鍍覆阻劑14。
為了去除光阻劑13之未曝光部分，以將曝光部分形成為圖案，以形成鍍覆阻劑14，首先藉由使用習知顯影液之顯影去除未曝光部分後進行乾燥。
接著，在該方法中，如第3圖(g)所示，在從鍍覆阻劑14露出之基底絕緣層3上，同時在基底絕緣層3之上表面的寬度方向兩端部形成端部導體層7、及在基底絕緣層3之上表面的寬度方向大致中央處形成導體層6。
為了形成端部導體層7與導體層6，係採用例如電解鍍覆等。
在電解鍍覆中，藉由從導體薄膜8進行供電，在從鍍覆阻劑14露出之導體薄膜8之上表面，同時析出有端部導體層7與導體層6，而可同時形成端部導體層7與導體層6。此外，導體薄膜8係藉由從未圖示之供電裝置經由金屬支持層2進行供電。
接著，在該方法中，如第4圖(h)所示，依序去除鍍覆阻劑14及形成有鍍覆阻劑14之部分的導體薄膜8。為了去除鍍覆阻劑14及導體薄膜8，係採用例如蝕刻或剝離等方式。
藉此，可在基底絕緣層3之上形成導體圖案4。
接著，如第4圖(j)所示，以上述圖案將覆蓋絕緣層5形成在基底絕緣層3之上。
為了形成覆蓋絕緣層5，在基底絕緣層3與導體圖案4之上表面整面均勻地塗布上述合成樹脂之溶液(清漆)後進行乾燥，接著依需要藉由加熱而使之硬化。再者，覆蓋絕緣層5之形成係在基底絕緣層3與導體圖案4之上表面整面塗布例如感光性之清漆，在進行乾燥後，以上述圖案進行曝光及顯影，再依需要藉由加熱而使之硬化。此外，覆蓋絕緣層5之形成係例如可將合成樹脂預先形成在上述圖案之薄膜，並隔介周知之接著劑層將該薄膜貼著在基底絕緣層3與導體圖案4之上表面整面。
然後，如第4圖(j)所示，藉由例如剝離或蝕刻(較佳為剝離)去除樹脂支持層9。
藉此，可形成配線電路基板1。
在該方法中，以光阻劑13被覆基底絕緣層3之上表面，接著，將光罩10配置成將要形成基底絕緣層3之上表面的寬度方向兩端部及寬度方向大致中央之導體層6的部分予以遮光，並使被覆基底絕緣層3之上表面的光阻劑13從上方透過光罩10進行曝光。於是，在要形成基底絕緣層3之上表面的寬度方向兩端部及寬度方向大致中央之導體層6的部分，形成光阻劑13之未曝光部分。接著，若在去除該光阻劑13之未曝光部分後而形成鍍覆阻劑14，則可在將端部導體層7形成在從鍍覆阻劑14露出之基底絕緣層3之上表面的寬度方向兩端部，同時將導體層6形成在從鍍覆阻劑14露出之基底絕緣層3之上表面的寬度方向大致中央。因此，可一邊形成導體層6，一邊在基底絕緣層3之寬度方向兩端部形成端部導體層7，以防止因電解鍍覆時之光阻劑13的欠缺部分20所造成之寬度較窄之導體材料(具體而言為銅等)的析出，並且可提升端部導體層7與基底絕緣層3之密接性。結果，可防止基底絕緣層3之上表面的寬度方向兩端部中之導體異物(具體而言為銅之異物)的產生，而獲得連接可靠性高的配線電路基板1。
另一方面，在該方法中，以光阻劑13被覆基底絕緣層3與金屬支持層2之寬度方向兩側端面，並對該光阻劑13從下方進行曝光，因此可簡單地對被覆基底絕緣層3與金屬支持層2之寬度方向兩側端面的光阻劑13進行曝光。因此，從該曝光部分可將鍍覆阻劑14形成為被覆基底絕緣層3與金屬支持層2之寬度方向兩側端面。因此，在金屬支持層2之寬度方向兩側端面中，可簡單地防止導體材料(具體而言為銅等)之析出。結果，可簡單地防止金屬支持層2之寬度方向兩側端面中之導體異物(具體而言為銅之異物)的產生。
再者，在上述之說明中，雖由乾薄膜阻劑形成光阻劑13，但亦可由例如感光性之清漆所形成。
而且，由乾薄膜阻劑將光阻劑13形成在基底絕緣層3之上表面時，在基底絕緣層3之上表面的寬度方向兩端部的端緣中，由於集中地施加有因熱壓接所產生的推壓力，因此特別容易產生欠缺部分20。因此，在以電解鍍覆形成導體層6時，因欠缺部分20所產生之寬度較窄之導體材料會非刻意地析出。
然而，如上所述，若將光罩10配置成將基底絕緣層3之上表面的寬度方向兩端部予以遮光，並使該光阻劑13從上方透過光罩10進行曝光，則可一邊形成導體層6，一邊在基底絕緣層3之寬度方向兩端部中，刻意地形成端部導體層7，即使產生因乾薄膜阻劑所造成之欠缺部分20，亦可防止寬度較窄之導體材料的析出，並提升端部導體層7與基底絕緣層3之密接性。因此，可防止基底絕緣層3之上表面的寬度方向兩端部中之導體異物的產生，結果可獲得連接可靠性高的配線電路基板1。
再者，在上述說明中，如第2圖(c)所示，雖在將樹脂支持層9形成在金屬支持層2之下表面的同時，形成光阻劑13，但亦可不形成樹脂支持層9，或形成光阻劑(下面側光阻劑，未圖示)來取代樹脂支持層9。
較佳為，在形成樹脂支持層9之同時，積層光阻劑13。藉此，可藉由樹脂支持層9從下側支持形成於金屬支持層2之寬度方向兩側端面的光阻劑13，因此可簡單且確實地被覆金屬支持層2之寬度方向兩側端面。
再者，可藉由樹脂支持層9補強金屬支持層2及基底絕緣層3，並對該等積層體賦予靭性，因而可精密度佳地形成導體圖案4。
此外，在上述說明中，如第2圖(d)所示，使遮光部分11配置成對向於對應形成導體層6與端部導體層7之部分的光阻劑13、及被覆基底絕緣層3與金屬支持層2之寬度方向兩側端面的光阻劑13，以配置光罩10。然而，並未限定於此，在光罩10之配置中，只要將光阻劑13中之要形成導體層6與端部導體層7之部分予以遮光即可，參照例如第7圖(a)，亦可係配置具備可使遮光部分11對向配置於光阻劑13中之要形成導體層6與端部導體層7之部分之遮罩圖案的光罩10，並藉由從上方進行曝光，將被覆基底絕緣層3與金屬支持層2之寬度方向兩側端面的部分作為曝光部分。
此時，如參照第7圖(a)之虛線，即使產生光罩10之位置偏移，且在被覆基底絕緣層3與金屬支持層2之寬度方向兩側端面的部分產生未曝光部分，亦如第3圖(e)所示對光阻劑13從下方進行曝光，因此可將該未曝光部分作成曝光部分。因而，可確實地防止金屬支持層2之寬度方向兩側端面中之導體材料的析出。
再者，在上述說明中，如第2圖(d)及第3圖(e)所示，首先對光阻劑13從上方進行曝光，接著從下方進行曝光，而曝光之順序並未限定於此，亦能以與上述順序相反之順序來進行曝光。
再者，在上述說明中，如第2圖(b)至第4圖(h)所示，雖利用加成法來形成導體圖案4，但只要是加成法，則並無限定，例如亦可利用全加成法來形成(未圖示)。在全加成法中，並未形成第2圖(b)所示之導體薄膜8，或形成觸媒層來取代導體薄膜8，並且在第3圖(g)所示之導體層6與端部導體層7之形成中，利用無電解鍍覆，來取代電解鍍覆。
再者，在上述說明中，雖在被覆步驟後加熱光阻劑13，但亦可在被覆步驟後不加熱光阻劑13，而對光阻劑13進行曝光。
較佳為，在被覆步驟後加熱光阻劑13。
一般而言，在被覆步驟後，會有在被覆基底絕緣層3與金屬支持層2之側端面的光阻劑13產生氣泡之情形。特別是在金屬支持層2與基底絕緣層3之合計厚度T1、亦即2層基材之厚度T1比光阻劑13之厚度T2厚時，且在2層基材之厚度T1比光阻劑13之厚度T2之3倍厚度厚時，容
易產生上述氣泡。
然而，如上述之方法，藉由在被覆步驟後加熱被覆基底絕緣層3與金屬支持層2之側端面的光阻劑13，即可使該氣泡之體積顯著地減少。
再者，在上述說明中，雖將本發明之配線電路基板例示為具備作為補強層之金屬支持層2的COF基板，但本發明之配線電路基板並未限定於此。如第5圖所示，例如可將本發明之配線電路基板廣泛地適用於未具備金屬支持層2之COF基板等其他配線基板。
在第5圖中，該配線電路基板1係具備：基底絕緣層3；形成在基底絕緣層3上之導體圖案4；及以被覆導體圖案4之方式形成在基底絕緣層3上之覆蓋絕緣層5。
為了製造該配線電路基板1，利用上述第2圖(a)至第4圖(j)所示之方法獲得支持在金屬支持層2之配線電路基板1後，利用蝕刻去除金屬支持層2。
(實施例)
以下例示實施例及比較例，並更具體地說明本發明，但本發明並未限定於任一實施例及比較例。
(實施例1)
首先，準備在厚度25μm之由不鏽鋼所構成的金屬支持層積層有厚度35μm之由聚醯亞胺所構成之基底絕緣層的2層基材(厚度T1為60μm、寬度為300mm)(參照第2圖(a))。
接著，利用鉻濺鍍與銅濺鍍依序在基底絕緣層之上表面整面形成作為導體薄膜之厚度0.02μm之鉻薄膜及厚度0.13μm之銅薄膜(參照第2圖(b))。
接著，準備依序積層有支持層、負型之光阻劑(厚度T2為15μm)及離模層之光阻劑積層體(寬度303mm)後，剝離光阻劑積層體之離模層，並以使光阻劑接觸於基底絕緣層之上表面的方式，在溫度90℃、壓力0.3MPa下，對光阻劑積層體進行熱壓接。
再者，另外準備依序積層有樹脂支持層(厚度50μm)、接著劑層及離模層之樹脂支持層積層體(寬度304mm)後，剝離樹脂支持層積層體之離模層，並以使接著劑層接觸於金屬支持層之下表面的方式，在進行上述光阻劑積層體之熱壓接的同時，將樹脂支持層積層體予以積層。
藉此，以光阻劑被覆基底絕緣層3之上表面、及基底絕緣層與金屬支持層之寬度方向兩側端面的同時，以包含金屬支持層、及被覆基底絕緣層與金屬支持層之寬度方向兩側端面的光阻劑之方式，將樹脂支持層積層在金屬支持層之下表面(參照第2圖(c))。
接著，在以光阻劑進行被覆後，立即在90℃下在空氣中對光阻劑進行20秒間之加熱。
然後，將光罩配置成將要形成基底絕緣層之上表面的寬度方向兩端部之端部導體層及寬度方向大致中央之導體層的部分、及要形成被覆基底絕緣層與金屬支持層之寬度方向兩側端面的光阻劑之部分予以遮光。並且，對被覆基底絕緣層之上表面的光阻劑、及被覆基底絕緣層與金屬支持層之寬度方向兩側端面的光阻劑從上方透過光罩10進行曝光。
光罩係具備由遮光部分及透光部分所構成之遮罩圖案，並使遮光部分配置成對向於：對應於用以形成導體層及端部導體層之部分的光阻劑、及被覆基底絕緣層與金屬支持層之寬度方向兩側端面的光阻劑，且使透光部分配置成對向於形成基底絕緣層之上表面之鍍覆阻劑之部分，然後利用紫外線，以130mJ/cm2 從上方透過光罩進行曝光(參照第2圖(d))。
接著，利用紫外線，以260mJ/cm2 對被覆基底絕緣層與金屬支持層之寬度方向側端面的光阻劑從下方進行曝光(參照第3圖(e))。
接著，利用顯影去除光阻劑中之未曝光部分，將曝光部分形成為圖案後進行乾燥，藉此形成鍍覆阻劑(參照第3圖(f))。
接著，在從鍍覆阻劑露出之基底絕緣層上，利用電解銅鍍覆同時在基底絕緣層之上表面的寬度方向兩端部形成端部導體層，以及在基底絕緣層之上表面的寬度方向中央形成導體層(參照第3圖(g))。導體圖案(端部導體層及導體層)之厚度為約9μm，端部導體層之寬度(W1)為5000μm。
接著，利用蝕刻依序去除鍍覆阻劑及形成有鍍覆阻劑之部分的導體薄膜(參照第4圖(h))。
接著，在基底絕緣層及導體圖案之上表面整面，均勻地塗布感光性聚醯胺酸樹脂之清漆，在使之乾燥後進行曝光及顯影，再予以加熱硬化，藉此以上述圖案形成厚度5μm之由聚醯亞胺所構成之覆蓋絕緣層(參照第4圖(j))。
然後，藉由剝離去除樹脂支持層(參照第1圖及第4圖(j))。
藉此，獲得COF基板。
(比較例1)
如第6圖(a)所示，在從光阻劑(13)之上方進行之曝光中，將光罩(10)配置成僅將要形成寬度方向中央之導體層(6)的部分予以遮光，並對被覆基底絕緣層(3)之上表面的光阻劑(13)、及被覆基底絕緣層(3)與金屬支持層(2)之寬度方向兩側端面的光阻劑(13)從上方透過光罩(10)進行曝光，除此之外與實施例1同樣地進行處理(參照第6圖(b)及(c))，以獲得COF基板(1)。
如第6圖(a)所示，上述光罩(10)係使遮光部分(11)配置成對向於用以形成導體層(6)的光阻劑(13)，且使透光部分(12)配置成對向於被覆基底絕緣層(3)與金屬支持層(2)之寬度方向兩側端面的光阻劑(13)、及形成基底絕緣層(3)之上表面之鍍覆阻劑(14)的部分的光阻劑(13)。
(比較例2)
如第7圖(a)所示，在從光阻劑(13)之上方進行之曝光中，將光罩(10)配置成僅將要形成寬度方向中央之導體層(6)及寬度方向兩端部之端部導體層(7)的部分予以遮光，並對被覆基底絕緣層(3)之上表面的光阻劑(13)、及被覆基底絕緣層(3)與金屬支持層(2)之寬度方向兩側端面的光阻劑(13)從上方透過光罩(10)進行曝光，而不實施從下方的曝光(參照第3圖(e))除此之外與實施例1同樣地進行處理(參照第7圖(b)及(c))，以獲得COF基板(1)。
如第7圖(a)所示，上述光罩(10)係使遮光部分(11)配置成對向於用以形成導體層(6)與端部導體層(7)的光阻劑(13)，且使透光部分(12)配置成對向於被覆基底絕緣層(3)與金屬支持層(2)之寬度方向兩側端面的光阻劑(13)、及形成基底絕緣層(3)之上表面之鍍覆阻劑(14)的部分的光阻劑(13)。
然而，如第7圖(a)的虛線所示，由於光罩(10)朝寬度方向一方側略為偏位，因此在被覆基底絕緣層(3)與金屬支持層(2)之寬度方向一端面的光阻劑(13)中，將遮光部分(11)會配置成對向於與基底絕緣層(3)及金屬支持層(2)接觸的部分，如第7圖(b)所示，因顯影而使該部分被去除。
因此，在電解銅鍍覆中，在金屬支持層(2)之寬度方向一端面析出有寬度10至50μm的銅(22)。
(評估) (1)基底絕緣層之上表面端部中之銅的異物
在由實施例1、比較例1及2所得之COF基板中，以金屬顯微鏡及SEM觀察基底絕緣層之上表面的寬度方向兩端部。
結果，在實施例1及比較例2中，確認出端部導體層係形成在基底絕緣層上之寬度方向兩端部。
另一方面，在比較例1中，確認在基底絕緣層(3)之上表面的寬度方向兩端部的端緣中，銅(21)因鍍覆阻劑(14)之欠缺部分(20)而非刻意地析出，該銅(21)係剝離而成為銅之異物。
(2)金屬支持層之側端面中的銅析出
在由實施例1、比較例1及2所得之COF基板中，以金屬顯微鏡及SEM觀察金屬支持層之寬度方向兩側端面。
結果，在實施例1及比較例2中，確認出未析出銅。
另一方面，在比較例2中，確認在金屬支持層(2)之寬度方向一側端面(第7圖中為左側端面)中，析出有銅(21)，該銅(21)係剝離而成為銅之異物。
此外，上述說明係提供作為本發明之例示的實施形態，但該實施形態只不過為例示，不可以此限定解釋本發明。由該技術領域之相關業者所明瞭之本發明的變形例係包含在後述之申請專利範圍。
1．．．配線電路基板
2．．．金屬支持層
3．．．基底絕緣層
4．．．導體圖案
5．．．覆蓋絕緣層
6．．．導體層
7．．．端部導體層
7A．．．第1端部導體層
7B．．．第2端部導體層
8．．．導體薄膜
9．．．樹脂支持層
11．．．遮光部分
12．．．透光部分
13．．．光阻劑
14．．．鍍覆阻劑
15．．．配線
20．．．欠缺部分
21、22．．．銅
第1圖係顯示藉由本發明之配線電路基板之製造方法的一實施形態(具備金屬支持層之態樣)所製造之配線電路基板之沿著寬度方向的剖視圖。
第2圖係本發明之配線電路基板的製造方法之一實施形態的步驟圖，
(a)為準備2層基材之步驟，
(b)為將導體薄膜形成在基底絕緣層之上表面整面，
(c)為在形成光阻劑之同時，形成樹脂支持層之步驟，
(d)為對光阻劑從上方透過光罩進行曝光之步驟。
第3圖係接著第2圖，本發明之配線電路基板的製造方法之一實施形態的步驟圖，
(e)為對被覆基底絕緣層及金屬支持層之寬度方向兩側端面的光阻劑從下方進行曝光的步驟，
(f)為去除光阻劑之未曝光部分，將曝光部分形成為圖案，以形成鍍覆阻劑的步驟，
(g)在從鍍覆阻劑露出之基底絕緣層上，同時形成端部導體層與導體層的步驟，
第4圖係接著第3圖，本發明之配線電路基板的製造方法之一實施形態的步驟圖，
(h)為依序去除鍍覆阻劑及形成有鍍覆阻劑的部分之導體薄膜之步驟，
(i)為將覆蓋絕緣層形成在基底絕緣層上的步驟，
(j)為去除樹脂支持層之步驟，
第5圖係顯示藉由本發明之配線電路基板之製造方法的其他實施形態(未具備金屬支持層之態樣)所製造之配線電路基板之沿著寬度方向的剖視圖。
第6圖係比較例1之COF基板的製造方法的步驟圖，
(a)為將光罩配置成僅將寬度方向中央之要形成導體層的部分予以遮光，並對光阻劑從上方透過光罩進行曝光的步驟，
(b)去除光阻劑之未曝光部分，將曝光部分形成為圖案，以形成鍍覆阻劑的步驟，
(c)為在從鍍覆阻劑露出之基底絕緣層上，形成導體層的步驟。
第7圖係比較例2之COF基板的製造方法的步驟圖，
(a)為將光罩配置成僅將要形成寬度方向中央之導體層與寬度方向兩端部之端部導體層的部分予以遮光，並對光阻劑從上方透過該光罩進行曝光的步驟，
(b)去除光阻劑之未曝光部分，將曝光部分形成為圖案，以形成鍍覆阻劑的步驟，
(c)為在從鍍覆阻劑露出之基底絕緣層上，形成導體層與端部導體層的步驟，
2．．．金屬支持層
3．．．基底絕緣層
4．．．導體圖案
6．．．導體層
7．．．端部導體層
7A．．．第1端部導體層
7B．．．第2端部導體層
8．．．導體薄膜
9．．．樹脂支持層
13．．．光阻劑
14．．．鍍覆阻劑
15．．．配線
20．．．欠缺部分

Claims (4)

  1. 一種配線電路基板的製造方法，係具備：準備於金屬支持層上積層有絕緣層之2層基材的步驟；在前述絕緣層的上表面形成導體薄膜之步驟；藉由光阻劑被覆前述導體薄膜之上表面、及前述導體薄膜、前述絕緣層與前述金屬支持層之側端面的被覆步驟；將光罩配置成將前述導體薄膜之上表面的端部及形成導體層的部分予以遮光，並對被覆前述導體薄膜之上表面的前述光阻劑從上方透過前述光罩進行曝光的步驟；對被覆前述導體薄膜、前述絕緣層及前述金屬支持層之側端面的前述光阻劑從下方進行曝光的步驟；去除前述光阻劑之未曝光部分，將曝光部分形成為圖案，以形成鍍覆阻劑的步驟；在從前述鍍覆阻劑露出之前述導體薄膜上，同時形成前述導體薄膜之上表面之端部的端部導體層、及前述導體薄膜之上表面的前述導體層的步驟；以及去除前述鍍覆阻劑以及形成有前述鍍覆阻劑之部分之前述導體薄膜之步驟。
  2. 如申請專利範圍第1項之配線電路基板之製造方法，其中，由乾薄膜阻劑形成前述光阻劑。
  3. 如申請專利範圍第1項之配線電路基板之製造方法，其 中，在藉由前述光阻劑被覆前述導體薄膜之上表面、前述導體薄膜、及前述絕緣層與前述金屬支持層之側端面的步驟中，以包含前述金屬支持層及被覆前述金屬支持層之側端面的前述光阻劑的方式，將樹脂支持層積層在前述金屬支持層之下表面。
  4. 如申請專利範圍第1項之配線電路基板之製造方法，其中，復具備：在前述被覆步驟後，加熱被覆前述導體薄膜、前述絕緣層與前述金屬支持層之側端面的前述光阻劑之步驟。
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