KR101269746B1

KR101269746B1 - 배선 회로 기판의 제조 방법

Info

Publication number: KR101269746B1
Application number: KR1020090033582A
Authority: KR
Inventors: 게이지 다케무라
Original assignee: 닛토덴코 가부시키가이샤
Priority date: 2008-04-18
Filing date: 2009-04-17
Publication date: 2013-05-30
Also published as: CN101562946B; JP5175779B2; US20090263748A1; TWI433623B; TW200945976A; JP2009278070A; US8017309B2; KR20090110797A; EP2111086A1; CN101562946A

Abstract

배선 회로 기판의 제조 방법은, 절연층을 준비하는 공정, 도체 박막을, 절연층의 상면 및 측단면에 형성하는 공정, 포토레지스트에 의해, 절연층의 상면 및 측단면에 형성되는 도체 박막을 피복하는 공정, 포토마스크를, 절연층의 상면에 형성되는 도체 박막에서의 단부 및 도체층이 형성되는 부분이 차광되도록 배치하고, 절연층의 상면에 형성되는 도체 박막을 피복하는 포토레지스트를, 위쪽으로부터 포토마스크를 통해 노광하는 공정, 절연층의 측단면에 형성되는 도체 박막을 피복하는 포토레지스트를, 아래쪽으로부터 노광하는 공정, 포토레지스트에서의 미노광 부분을 제거하여, 노광 부분을 패턴으로 형성해서 도금 레지스트를 형성하는 공정, 도금 레지스트로부터 노출되는 도체 박막의 위에, 절연층의 상면에 형성되는 도체 박막에서의 단부에 단부 도체층과, 절연층의 상면에 형성되는 도체 박막에 도체층을, 동시에 형성하는 공정, 도금 레지스트를 제거하는 공정, 및, 도금 레지스트에 피복되어 있던 도체 박막을 제거하는 공정을 포함한다.

Description

배선 회로 기판의 제조 방법{PRODUCING METHOD OF WIRED CIRCUIT BOARD}

본 발명은 배선 회로 기판의 제조 방법, 자세하게는, COF 기판 등의 배선 회로 기판의 제조 방법에 관한 것이다.

종래부터, COF 기판 등의 배선 회로 기판의 도체 패턴의 형성에 있어서, 애디티브법(additive process)이 사용되고 있다. 예컨대, 폴리이미드로 이루어지는 베이스 절연층의 위에, 크로뮴 및 구리로 이루어지는 도체 박막을 형성하고, 도체 박막 위에, 구리로 이루어지는 도체 패턴을 형성하는 애디티브법이 제안되어 있다(예컨대, 일본 특허 공개 제2006-332549호 공보 참조).

즉, 상기한 일본 특허 공개 제2006-332549호 공보에서는, 베이스 절연층의 전면에 도체 박막을 스퍼터링에 의해 형성한다. 이어서, 도체 박막을, 네거티브형의 드라이 필름 레지스트에 의해 피복한 후, 위쪽으로부터 포토마스크를 통해 노광하고, 이어서, 현상함으로써 도금 레지스트를 배선 회로 패턴의 반전 패턴으로 형성한다. 계속해서, 도금 레지스트로부터 노출되는 도체 박막의 표면에, 전해 구리 도금에 의한 구리의 석출에 의해, 도체 패턴을 형성하는 것이 제안되어 있다.

그런데, 애디티브법에서는, 베이스 절연층의 측단면에 형성되는 도체 박막에, 구리가 석출되지 않도록 도금 레지스트에 의해 피복해야 한다.

즉, 베이스 절연층의 측단면에 형성되는 도체 박막은, 베이스 절연층의 상면에 형성되는 도체 박막에 비하여, 불균일하게 형성되기 쉽다. 그리고, 베이스 절연층의 측단면에 형성되는 도체 박막에 구리가 석출되면, 구리가, 그 도체 박막과 함께 절연층의 측단면으로부터 용이하게 벗겨져 이물질이 된다고 하는 불량이 있다. 그 때문에, 베이스 절연층의 측단면의 구리의 석출 및 박리를 방지하도록, 베이스 절연층의 측단면에 형성되는 도체 박막을 도금 레지스트에 의해 피복해야 한다.

한편, 드라이 필름 레지스트는 보통 열압착에 의해 적층되기 때문에, 베이스 절연층의 상면에 형성되는 도체 박막의 단부의 가장자리에는, 가압력이 집중적으로 걸려, 두께가 얇아지고, 또한, 베이스 절연층의 측단면에 형성되는 도체 박막의 표면에 흘러내리는 경우가 있다. 그리고, 드라이 필름 레지스트가 흘러내리는 경우에는, 드라이 필름 레지스트에는, 베이스 절연층의 상면에 형성되는 도체 박막의 단부의 가장자리에서, 드라이 필름 레지스트가 결손한, 폭이 좁은 결손 부분(void, 보이드)이 형성된다. 이러한 드라이 필름 레지스트로 형성되는 도금 레지스트를 이용하여 전해 구리 도금하면, 구리가 포토레지스트의 결손 부분의 도체 박막으로부터 석출된다. 그 때문에, 이러한 구리는, 비교적 폭이 좁게 형성되어 있기 때문에, 절연층과의 밀착력이 낮아, 도체 박막과 함께 절연층으로부터 벗겨져 이물질이 된 다고 하는 불량이 있다. 그 때문에, 베이스 절연층의 상면에 형성되는 도체 박막의 단부에, 의도적으로, 폭이 넓은 구리층을 마련하는 것에 의해, 상기한 폭이 좁은 구리의 석출을 방지하여, 구리층과 절연층과의 밀착성을 향상시키는 것이 요구된다.

그 때문에, 상기 이물질의 발생을 방지하도록, 도금 레지스트에 의해, 베이스 절연층의 측단면에 형성되는 도체 박막을 피복하고, 또한, 베이스 절연층의 상면에 형성되는 도체 박막의 단부를, 폭이 넓은 구리층이 형성되도록 도금 레지스트로부터 노출시킬 필요가 있다. 그 경우에는, 베이스 절연층의 측단면에 형성되는 도체 박막에 있어서는, 네거티브형의 드라이 필름 레지스트로부터 도금 레지스트를 형성하기 위해서, 그 부분에 대응하는 드라이 필름 레지스트가 노광 부분으로 되는 한편, 베이스 절연층의 상면에 형성되는 도체 박막의 단부에는, 폭이 넓은 구리층을 형성하기 위해서, 그 부분에 대응하는 드라이 필름 레지스트가 미노광 부분으로 되는 마스크 패턴을 마련할 필요가 있다. 그러나, 베이스 절연층의 측단면에 형성되는 도체 박막이 노광 부분으로 되고, 베이스 절연층의 상면에 형성되는 도체 박막의 단부가 미노광 부분이 되도록, 포토마스크를 정확히 배치하는 것은 곤란하다.

본 발명의 목적은, 절연층의 상면의 단부에서의 도체 이물질의 발생을 방지할 수 있으면서, 절연층의 측단면에서의 도체 이물질의 발생을 간이하게 방지할 수 있는 배선 회로 기판의 제조 방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 배선 회로 기판의 제조 방법은, 절연층을 준비하는 공정, 도체 박막을 상기 절연층의 상면 및 측단면에 형성하는 공정, 포토레지스트에 의해, 상기 절연층의 상면 및 측단면에 형성되는 상기 도체 박막을 피복하는 공정, 포토마스크를, 상기 절연층의 상면에 형성되는 상기 도체 박막에서의 단부 및 도체층이 형성되는 부분이 차광되도록 배치하여, 상기 절연층의 상면에 형성되는 상기 도체 박막을 피복하는 상기 포토레지스트를, 위쪽으로부터 상기 포토마스크를 통해 노광하는 공정, 상기 절연층의 측단면에 형성되는 상기 도체 박막을 피복하는 상기 포토레지스트를, 아래쪽으로부터 노광하는 공정, 상기 포토레지스트에서의 미노광 부분을 제거하여, 노광 부분을 패턴으로 형성해서 도금 레지스트를 형성하는 공정, 상기 도금 레지스트로부터 노출되는 상기 도체 박막의 위에, 상기 절연층의 상면에 형성되는 상기 도체 박막에서의 단부에 단부 도체층과, 상기 절연층의 상면에 형성되는 상기 도체 박막에 상기 도체층을, 동시에 형성하는 공정, 상기 도금 레지스트를 제거하는 공정, 및, 상기 도금 레지스트에 피복되어 있던 상기 도체 박막을 제거하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하고 있다.

이 방법에서는, 도체 박막을 절연층의 상면에 형성하고, 포토레지스트에 의해, 절연층의 상면에 형성되는 도체 박막을 피복하고, 포토마스크를, 절연층의 상면에 형성되는 도체 박막에서의 단부 및 도체층이 형성되는 부분이 차광되도록 배치하여, 절연층의 상면에 형성되는 도체 박막을 피복하는 포토레지스트를, 위쪽으로부터 포토마스크를 통해 노광한다. 그러면, 절연층의 상면에 형성되는 도체 박막 에서의 단부 및 도체층이 형성되는 부분에, 포토레지스트의 미노광 부분이 형성된다. 그리고, 그 포토레지스트의 미노광 부분을 제거한 후, 도금 레지스트를 형성하면, 단부 도체층을, 도금 레지스트로부터 노출되는 절연층의 상면에 형성되는 도체 박막의 단부에 형성할 수 있다. 그리고 동시에, 도체층을, 도금 레지스트로부터 노출되는 절연층의 상면에 형성되는 도체 박막의 단부 도체층 이외의 부분에 형성할 수 있다. 그 때문에, 도체층을 형성할 수 있으면서, 절연층의 상면에 형성되는 도체 박막의 단부에 있어서, 단부 도체층을 형성하여, 폭이 좁은 도체 재료의 석출을 방지하여, 단부 도체층과 절연층과의 밀착성을 향상시킬 수 있다. 그 결과, 절연층의 상면의 단부에서의 도체 이물질의 발생을 방지하여, 접속 신뢰성이 높은 배선 회로 기판을 얻을 수 있다.

한편, 이 방법에서는, 도체 박막을 절연층의 측단면에 형성하고, 포토레지스트에 의해, 절연층의 측단면에 형성되는 도체 박막을 피복하고, 그 포토레지스트를, 아래쪽에서, 도체 박막을 마스크로 하여 노광할 수 있다. 그 때문에, 절연층의 측단면에 형성되는 도체 박막을 피복하는 포토레지스트를 간이하게 노광할 수 있다. 그러면, 그 노광 부분으로부터, 도금 레지스트를, 절연층의 측단면에 형성되는 도체 박막을 피복하도록 형성할 수 있다. 그 때문에, 절연층의 측단면에 형성되는 도체 박막에 있어서, 도체 재료의 석출을 간이하게 방지할 수 있고, 그 결과, 절연층의 측단면에서의 도체 이물질의 발생을 간이하게 방지할 수 있다.

또한, 본 발명의 배선 회로 기판의 제조 방법에 있어서는, 상기 도체 박막을 형성하는 공정에서는, 상기 도체 박막을 스퍼터링에 의해 형성하는 것이 적합하다.

일반적으로, 도체 박막을 스퍼터링에 의해 형성하면, 절연층의 측단면에 형성되는 도체 박막은, 절연층의 상면에 형성되는 도체 박막에 비하여, 특히 불균일하게 형성되기 쉽다. 그 때문에, 절연층의 측단면에 형성되는 도체 박막에 도체층이 형성되면, 도체층이, 도체 박막과 함께 절연층의 측단면으로부터 특히 용이하게 벗겨져 이물질이 된다.

그러나, 이 방법에서는, 도체 박막을 스퍼터링에 의해 형성하더라도, 절연층의 측단면에 형성되는 도체 박막을 피복하는 포토레지스트를 아래쪽으로부터 노광하여, 그 노광 부분의 도금 레지스트에 의해, 절연층의 측단면에 형성되는 도체 박막을 피복할 수 있다. 그 때문에, 도체층이 도체 박막과 함께 절연층의 측단면으로부터 벗겨지는 것을 확실히 방지할 수 있다.

또한, 본 발명의 배선 회로 기판의 제조 방법에서는, 상기 절연층을 준비하는 공정에서는, 금속 지지층의 위에 상기 절연층이 적층된 2층 기재를 준비하고, 상기 도체 박막을 형성하는 공정에서는, 상기 도체 박막을 상기 절연층의 상면과, 상기 절연층 및 상기 금속 지지층의 측단면에 형성하고, 상기 포토레지스트에 의해 상기 도체 박막을 피복하는 공정에서는, 상기 포토레지스트에 의해, 상기 절연층의 상면에 형성되는 상기 도체 박막과, 상기 절연층 및 상기 금속 지지층의 측단면에 형성되는 상기 도체 박막을 피복하고, 상기 포토레지스트를 아래쪽으로부터 노광하는 공정에서는, 상기 절연층 및 상기 금속 지지층의 측단면에 형성되는 상기 도체 박막을 피복하는 상기 포토레지스트를 아래쪽으로부터 노광하는 것이 적합하다.

이 방법에서는, 금속 지지층의 위에 절연층이 적층된 2층 기재를 준비하기 때문에, 금속 지지층에 의해 절연층을 보강할 수 있다. 그 때문에, 도체 패턴을 정밀도 좋게 형성할 수 있다.

또한, 도체 박막을, 절연층 및 금속 지지층의 측단면에 형성하고, 포토레지스트에 의해, 절연층 및 금속 지지층의 측단면에 형성되는 도체 박막을 피복하며, 그 포토레지스트를, 아래쪽으로부터, 금속 지지층과, 절연층 및 금속 지지층의 측단면에 형성되는 도체 박막을 마스크로 하여 노광할 수 있다. 그 때문에, 절연층 및 금속 지지층의 측단면에 형성되는 포토레지스트만을 간이하고 또한 확실히 노광할 수 있다.

또한, 본 발명의 배선 회로 기판의 제조 방법에서는, 상기 포토레지스트를 드라이 필름 레지스트로 형성하는 것이 적합하다.

드라이 필름 레지스트를 절연층의 상면에 형성되는 도체 박막에 적층하는 경우, 절연층의 상면에 형성되는 도체 박막의 단부의 가장자리에서, 열압착에 근거하는 가압력이 집중적으로 걸리기 때문에, 결손 부분을 생기게 하기 쉽다. 그 때문에, 도체층의 형성에 있어서, 결손 부분에 기인하는 폭이 좁은 도체 재료가 의도하지 않게 석출된다고 하는 불량이 있다.

그러나, 이 방법에서는, 드라이 필름으로 포토레지스트를 형성한 후, 상술한 바와 같이, 포토마스크를, 절연층의 상면에 형성되는 도체 박막에서의 단부가 차광되도록 배치하고, 그 포토레지스트를, 위쪽으로부터 포토마스크를 통해 노광한다. 그 때문에, 도체층을 형성할 수 있으면서, 절연층의 상면에 형성되는 도체 박막의 단부에서, 단부 도체층을 의도적으로 형성하여, 폭이 좁은 도체 재료의 석출을 방 지하고, 단부 도체층과 절연층과의 밀착성을 향상시킬 수 있다. 그 결과, 절연층의 상면의 단부에서의 도체 이물질의 발생을 방지하여, 접속 신뢰성이 높은 배선 회로 기판을 얻을 수 있다.

또한, 본 발명의 배선 회로 기판의 제조 방법에서는, 상기 포토레지스트에 의해 상기 도체 박막을 피복하는 공정에서는, 수지 지지층을, 상기 절연층의 아래에, 상기 절연층의 측단면에 형성되는 상기 도체 박막을 피복하는 상기 포토레지스트를 포함하도록 적층하는 것이 적합하다.

이 방법에서는, 수지 지지층을 적층하는 동시에, 그 수지 지지층의 위에, 포토레지스트를 적층함으로써 절연층의 측단면에 형성되는 도체 박막을 간단하고 또한 확실하게 피복할 수 있다.

또한, 수지 지지층에 의해 절연층을 보강하여, 그것에 강성을 부여할 수 있기 때문에, 도체 패턴을 정밀도 좋게 형성할 수 있다.

또한, 본 발명의 배선 회로 기판의 제조 방법에서는, 또한, 상기 포토레지스트에 의해 상기 도체 박막을 피복하는 공정의 후에, 상기 절연층의 측단면에 형성되는 상기 도체 박막을 피복하는 상기 포토레지스트를 가열하는 공정을 포함하는 것이 적합하다.

일반적으로, 포토레지스트에 의해 도체 박막을 피복하는 공정의 후에는, 절연층의 측단면에 형성되는 도체 박막을 피복하는 포토레지스트에, 기포가 생기는 경우가 있다. 그러나, 이 방법에서는, 포토레지스트에 의해 도체 박막을 피복하는 공정의 후에, 절연층의 측단면에 형성되는 도체 박막을 피복하는 포토레지스트를 가열하기 때문에, 이러한 기포의 수 또는 부피를 감소시키거나, 또는, 기포를 제거할 수 있다.

본 발명에 의하면, 절연층의 상면의 단부에서의 도체 이물질의 발생을 방지할 수 있으면서, 절연층의 측단면에서의 도체 이물질의 발생을 간이하게 방지할 수 있는 배선 회로 기판의 제조 방법을 제공할 수 있다.

도 1은, 본 발명의 배선 회로 기판의 제조 방법의 일 실시형태에 따라 제조되는 배선 회로 기판(금속 지지층을 구비하는 형태)의 폭 방향의 단면도, 도 2 내지 도 4는 본 발명의 배선 회로 기판의 제조 방법의 일 실시형태의 공정도를 나타낸다.

도 1에서, 이 배선 회로 기판(1)은, 도시하지 않는 IC 칩을 실장하여, 각종 전자기기에 탑재되는 COF 기판으로서, 긴쪽 방향으로 연장되는 금속 지지층(2)과, 금속 지지층(2)의 위에 형성되는 절연층으로서의 베이스 절연층(3)을 구비하고 있다. 또한, 배선 회로 기판(1)은, 베이스 절연층(3)의 위에 형성되는 도체 박막(8)과, 도체 박막(8)의 위에 형성되는 도체 패턴(4)과, 베이스 절연층(3)의 위에, 도체 박막(8) 및 도체 패턴(4)을 피복하도록 형성되는 커버 절연층(5)을 구비하고 있다.

금속 지지층(2)은 보강층이다. 또한, 금속 지지층(2)을 형성하는 금속 재료로서는, 예컨대, 스테인레스, 42합금 등이 사용되고, 바람직하게는, 스테인레스가 사용된다.

금속 지지층(2)은 평판 형상의 금속박이나 금속 박판으로 이루어진다. 금속 지지층(2)의 두께는, 예컨대, 5~100㎛, 바람직하게는, 10~50㎛이다.

베이스 절연층(3)은 금속 지지층(2)의 표면에 형성되어 있다. 보다 구체적으로는, 베이스 절연층(3)은 폭 방향(긴쪽 방향에 직교하는 방향)에 걸쳐, 금속 지지층(2)의 상면 전면에 형성되어 있다. 즉, 베이스 절연층(3)의 폭 방향 가장자리는, 평면으로 보아, 금속 지지층(2)의 폭 방향 가장자리와 동일 위치에 형성되어 있다. 즉, 베이스 절연층(3)의 폭 방향 양쪽 단면은, 두께 방향에 있어서 금속 지지층(2)의 폭 방향 양쪽 단면과 동일한 평면에 형성되어 있다.

베이스 절연층(3)을 형성하는 절연 재료로서는, 예컨대, 폴리이미드, 폴리에터나이트릴, 폴리에터설폰, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리염화바이닐 등의 합성 수지가 사용된다. 이들 중, 바람직하게는, 폴리이미드가 사용된다.

베이스 절연층(3)의 두께는, 예컨대, 1~50㎛, 바람직하게는, 20~40㎛이다. 이것에 의해, 금속 지지층(2) 및 베이스 절연층(3)의 합계의 두께 T1은, 예컨대, 6~150㎛, 바람직하게는, 30~90㎛로 설정된다.

도체 박막(8)은, 후술하는 세미애디티브법에 의해 형성되는 종막(種膜)으로서, 베이스 절연층(3)의 상면에 형성되어 있다. 즉, 도체 박막(8)은 평면으로 보아 도체 패턴(4)과 동일한 패턴으로 형성되어 있다.

도체 박막(8)을 형성하는 도체 재료로서는, 예컨대, 구리, 크로뮴 등의 도체 재료가 사용된다. 도체 박막(8)의 두께는, 예컨대, 20~500nm, 바람직하게는, 50~300nm이다.

도체 패턴(4)은 도체 박막(8)의 상면에 형성되어 있고, 도체 패턴(4)의 가장자리는, 평면으로 보아, 도체 박막(8)의 가장자리와 동일 위치에 형성되어 있다. 즉, 도체 패턴(4)의 측단면은 두께 방향에서 도체 박막(8)의 측단면과 동일한 평면에 형성되어 있다.

또한, 도체 패턴(4)은 도체층(6)과, 단부 도체층(7)을 구비하고 있다.

도체층(6)은 베이스 절연층(3)의 위에서 폭 방향 도중에 마련되어 있다. 즉, 도체층(6)은, 단부 도체층(7)이 형성되는 영역(폭 방향 양 단부)이 확보되도록, 폭 방향 양 단부의 가장자리로부터 간격을 띄어 배치되어 있고, 보다 구체적으로는, 폭 방향 대략 중앙에 형성되어 있다. 또한, 도체층(6)은, 긴쪽 방향을 따라 연장되고, 폭 방향에서 서로 간격을 띄어 병렬 배치되는 복수의 배선(15)과, 각 배선(15)의 긴쪽 방향 양 단부에 연속하는 도시하지 않는 단자부를 일체적으로 구비하는 배선 회로 패턴으로서 형성되어 있다.

단부 도체층(7)은 베이스 절연층(3)의 위에서 폭 방향 양 단부에 마련되어 있고, 도체층(6)의 폭 방향의 양 바깥쪽에서 폭 방향 양쪽의 가장 바깥쪽의 배선(15)과 간격을 띄어 대향 배치되어 있다. 각 단부 도체층(7)은, 베이스 절연층(3)의 폭 방향 양 가장자리에 병행되는 패턴으로 형성되어 있고, 단면이 대략 직 사각형 편평형상으로 형성되어 있다. 또한, 각 단부 도체층(7)은, 평면으로 보아, 그 폭 방향 바깥쪽 가장자리, 즉, 폭 방향 한쪽에 배치되는 제 1 단부 도체층(7A)의 폭 방향 한쪽 가장자리, 및, 폭 방향 다른 쪽에 배치되는 제 2 단부 도체층(7B)의 폭 방향 다른 쪽 가장자리가, 베이스 절연층(3)의 폭 방향 양쪽 가장자리와 동일 위치에 형성되어 있다. 즉, 제 l 단부 도체층(7A)의 폭 방향 한쪽 단면 및 제 2 단부 도체층(7B)의 폭 방향 다른 쪽 단면이 두께 방향에서, 베이스 절연층(3)의 폭 방향 양쪽 단면과 동일한 평면에 각각 형성되어 있다.

도체 패턴(4)을 형성하는 도체 재료로서는, 예컨대, 구리, 니켈, 금, 땜납, 또는 이들의 합금 등이 사용된다. 바람직하게는, 구리가 사용된다.

각 배선(15)의 폭은, 예컨대, 5~100㎛, 바람직하게는, 5~50㎛이며, 각 배선(15) 사이의 간격은, 예컨대, 5~100㎛, 바람직하게는, 5~50㎛이다.

또한, 각 단부 도체층(7)의 폭 W1은, 예컨대, 50㎛ 이상, 바람직하게는, 200㎛ 이상, 더 바람직하게는, 1000㎛ 이상이며, 보통, 10mm 이하이다. 각 단부 도체층(7)의 폭 W1이, 상기한 범위를 만족시키지 않는 경우에는, 단부 도체층(7)과 베이스 절연층(3)과의 밀착력이 저하되어, 도체 이물질로 되는 경우가 있다.

커버 절연층(5)은, 베이스 절연층(3)의 표면, 도체 박막(8)의 측단면(폭 방향 양쪽 단면) 및 도체 패턴(4)의 표면에, 도체 박막(8) 및 도체 패턴(4)에 대응하여 형성되어 있다.

커버 절연층(5)을 형성하는 절연 재료로서는, 상기한 베이스 절연층(3)의 절연 재료와 같은 절연 재료가 사용된다.

커버 절연층(5)의 두께는, 예컨대, 1~40㎛, 바람직하게는, 3~10㎛이다.

다음으로, 본 발명의 배선 회로 기판의 제조 방법의 일 실시형태를, 도 2 내지 도 4를 참조하여 설명한다.

우선, 이 방법에서는, 도 2(a)에 나타낸 바와 같이, 금속 지지층(2)의 위에 베이스 절연층(3)이 적층된 2층 기재를 준비한다.

2층 기재를 준비하기 위해서는, 시판되는 2층 기재를 그대로 이용한다. 또한, 금속 지지층(2)의 표면에 베이스 절연층(3)을 적층함으로써 2층 기재를 준비할 수 있다.

이어서, 이 방법에서는, 도 2(b) 내지 도 4(h)에 나타낸 바와 같이, 베이스 절연층(3)의 위에, 도체 박막(8) 및 도체 패턴(4)을 순차적으로 형성한다. 도체 박막(8) 및 도체 패턴(4)은, 예컨대, 애디티브법, 보다 구체적으로는, 세미애디티브법에 의해 형성한다.

도체 박막(8) 및 도체 패턴(4)을 세미애디티브법에 의해 형성하기 위해서는, 우선, 도 2(b)에 나타낸 바와 같이, 베이스 절연층(3)의 상면과, 베이스 절연층(3) 및 금속 지지층(2)의 폭 방향 양쪽 단면에 도체 박막(8)을 형성한다.

도체 박막(8)은, 예컨대, 스퍼터링, 진공 증착, 이온 플레이팅 등의 물리 증착, 예컨대, 전해 도금 또는 무전해 도금 등의 도금에 의해 형성한다. 바람직하게는, 물리 증착, 더 바람직하게는, 스퍼터링에 의해 형성한다.

이것에 의해, 도체 박막(8)을 베이스 절연층(3)의 상면과, 베이스 절연층(3) 및 금속 지지층(2)의 폭 방향 양쪽 단면에 걸쳐 연속하여 형성한다.

이어서, 이 방법에서는, 도 2(c)에 나타낸 바와 같이, 포토레지스트(13)에 의해, 베이스 절연층(3)의 상면에 형성되는 도체 박막(8)과, 베이스 절연층(3) 및 금속 지지층(2)의 폭 방향 양쪽 단면에 형성되는 도체 박막(8)을 피복한다(피복 공정). 또한, 이것과 동시에, 수지 지지층(9)을, 금속 지지층(2)의 하면에, 금속 지지층(2)과, 베이스 절연층(3) 및 금속 지지층(2)의 폭 방향 양쪽 단면을 피복하는 포토레지스트(13)를 포함하도록 적층한다.

포토레지스트(13)에 의해, 베이스 절연층(3)의 상면에 형성되는 도체 박막(8)과, 베이스 절연층(3) 및 금속 지지층(2)의 폭 방향 양쪽 단면에 형성되는 도체 박막(8)을 피복하기 위해서는, 도시하지 않지만, 우선, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 등으로 이루어지는 지지층, 지지층에 적층되어, 네거티브형의 드라이 필름 레지스트로 이루어지는 포토레지스트(13), 및, 포토레지스트에 적층되어, 이형 처리가 실시된 PET 등으로 이루어지는 이형층을 구비하는 포토레지스트 적층체를 준비한다.

포토레지스트 적층체는, 포토레지스트(13)가 베이스 절연층(3) 및 금속 지지층(2)의 폭 방향 측단면에 형성되는 도체 박막(8)을 피복하기 위해서, 그 크기가, 베이스 절연층(3)(구체적으로는, 베이스 절연층(3)의 폭 및 도체 박막(8)의 두께의 합계)보다 크게 설정되고, 예컨대, 그 폭이, 베이스 절연층(3)의 폭보다, 1mm 이상 크고, 바람직하게는, 3mm 이상(보통, 5mm 이하) 크게 설정되어 있다. 또한, 포토레지스트(13)의 두께 T2는, 예컨대, 15~50㎛, 바람직하게는, 15~25㎛이다.

이어서, 이형층을 포토레지스트(13)로부터 박리하여, 포토레지스트(13)가 베 이스 절연층(3)의 상면에 형성되는 도체 박막(8)에 접촉하도록, 지지층으로부터 포토레지스트(13)를 향해, 포토레지스트 적층체를 열압착한다. 구체적으로는, 포토레지스트 적층체를, 예컨대, 온도 50~150℃, 바람직하게는, 80~100℃에서, 예컨대, 압력 0.20~0.50MPa로 열압착한다.

그 후, 지지층을 포토레지스트(13)로부터 박리한다.

상기한 포토레지스트(13)에 의한 피복과 동시에, 수지 지지층(9)을, 금속 지지층(2)의 하면에 적층하기 위해서는, 우선, 도시하지 않지만, 수지 지지층(9), 수지 지지층(9)에 적층되는 적층체층, 및, 접착제층에 적층되고, 이형 처리가 실시된 PET 등으로 이루어지는 이형층을 구비하는 수지 지지층 적층체를 준비한다.

또, 수지 지지층(9)은, 후술하는 아래쪽으로부터의 노광에 있어서, 노광을 저해하지 않는(광을 투과할 수 있는) 수지 재료로 형성되면 좋고, 예컨대, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 투명의 합성 수지 등으로 형성되어 있다.

또한, 수지 지지층 적층체의 크기는, 금속 지지층(2)과, 베이스 절연층(3) 및 금속 지지층(2)의 폭 방향 양쪽 단면에 형성되는 도체 박막(8)을 피복하는 포토레지스트(13)를 포함하는 크기이면 좋고, 그 폭이, 예컨대, 금속 지지층(2)의 폭보다, 1mm 이상 크고, 바람직하게는, 4mm 이상(보통, 10mm 이하) 크게 설정되어 있다. 또한, 수지 지지층(9)의 두께는, 예컨대, 25~150㎛, 바람직하게는, 50~100㎛이다.

이어서, 이형층을 접착제층으로부터 박리하고, 접착제층이 금속 지지층(2)의 하면에 접촉하도록, 수지 지지층 적층체를 적층한다.

그리고, 도체 박막(8)(베이스 절연층(3)의 상면에 형성되는 도체 박막(8)),베이스 절연층(3) 및 금속 지지층(2)은, 두께 방향에 있어서, 포토레지스트 적층체(포토레지스트(13)) 및 수지 지지층 적층체(수지 지지층(9)) 사이에 유지되면서, 포토레지스트(13) 및 수지 지지층(9)이 동시에 형성된다.

적층 후의 포토레지스트(13)는, 베이스 절연층(3)의 상면에 형성되는 도체 박막(8)의 폭 방향 양 단부의 가장자리에 있어서, 포토레지스트(13)가 열압착된 것에 의해, 베이스 절연층(3) 및 금속 지지층(2)의 폭 방향 양쪽 단면에 형성되는 도체 박막(8)의 표면에 흘러내린다(유동한다). 이것에 의해, 베이스 절연층(3)의 상면에 형성되는 도체 박막(8)의 폭 방향 양쪽 단부의 가장자리에는, 포토레지스트(13)가 결손한 결손 부분(보이드)(20)이 형성된다. 결손 부분(20)의 폭은 보통 3~50㎛이다.

또, 포토레지스트(13)에서의 결손 부분(20)보다 폭 방향 안쪽 부분은, 그 두께가 얇아져 있고, 구체적으로는, 폭 방향 양 바깥쪽을 향함에 따라 두께가 점차로 얇아지도록 형성되어 있다.

또한, 베이스 절연층(3)의 폭 방향 양쪽 단면에 형성되는 도체 박막(8)을 피복하는 포토레지스트(13)는, 상기한 결손 부분(20)에서의 유동에 의해, 두께 방향위쪽을 향함에 따라 폭이 점차로 넓어지는, 단면 대략 사다리꼴 형상으로 형성되어 있다.

이어서, 이 방법에서는, 베이스 절연층(3) 및 금속 지지층(2)의 폭 방향 양 쪽 단면에 형성되는 도체 박막(8)을 피복하는 포토레지스트(13)를 가열한다.

포토레지스트(13)는, 포토레지스트(13)로 피복된 제조 도중의 배선 회로 기판(1)을, 피복 공정의 직후에, 예컨대, 60~150℃, 바람직하게는, 80~120℃에서 가열한다. 또한, 포토레지스트(13)는, 예컨대, 15~60초간, 바람직하게는, 15~30초간, 예컨대, 공기중 또는 질소 등의 불활성 분위기 중에서 가열한다.

이어서, 이 방법에서는, 도 2(d)에 나타낸 바와 같이, 포토마스크(10)를, 베이스 절연층(3)의 상면에 형성되는 도체 박막(8)에서의 폭 방향 양 단부 및 폭 방향 대략 중앙(즉, 폭 방향 양 단부 이외)의 도체층(6)이 형성되는 부분과, 베이스 절연층(3) 및 금속 지지층(2)의 폭 방향 양쪽 단면에 형성되는 도체 박막(8)을 피복하는 포토레지스트(13)가 차광되도록 배치하여, 베이스 절연층(3)의 상면을 피복하는 포토레지스트(13)를, 위쪽으로부터 포토마스크(10)를 통해 노광한다.

포토마스크(10)는 차광 부분(11) 및 광 투과 부분(12)으로 이루어지는 마스크 패턴을 구비하고 있다. 그리고, 포토마스크(10)를 포토레지스트(13)의 상측에 간격을 띄어 배치하여, 도체층(6) 및 단부 도체층(7)을 형성하는 부분에 대응하는 포토레지스트(13)와, 베이스 절연층(3) 및 금속 지지층(2)의 폭 방향 양쪽 단면에 형성되는 도체 박막(8)을 피복하는 포토레지스트(13)에는 차광 부분(11)을 대향 배치시키고, 베이스 절연층(3)의 상면의 도금 레지스트(14)를 형성하는 부분(도체층(6) 및 단부 도체층(7)의 반전 패턴의 부분)의 포토레지스트(13)에는 광 투과 부분(12)을 대향 배치시킨다.

또, 이 포토마스크(10)의 배치에 있어서는, 단부 도체층(7)을 형성하는 부분 의 포토레지스트(13)와, 베이스 절연층(3) 및 금속 지지층(2)의 폭 방향 양쪽 단면에 형성되는 도체 박막(8)을 피복하는 포토레지스트(13)는 연속하는 하나의 차광 부분(11)에 의해 차광된다.

그리고, 포토마스크(10)의 배치 후, 포토레지스트(13)를 위쪽으로부터 포토마스크(10)를 통해 노광한다.

노광은, 예컨대, 자외선 등의 광이 사용되고, 그 조사량은, 예컨대, 50~500mJ/㎠이다.

포토레지스트(13)의 위쪽으로부터의 노광에서는, 도금 레지스트(14)가 형성되는 부분이 노광 부분으로 되고, 그 이외의 부분(도체층(6), 단부 도체층(7), 및, 베이스 절연층(3) 및 금속 지지층(2)의 폭 방향 양쪽 단면에 형성되는 도체 박막(8)을 피복하는 부분)이 미노광 부분으로 된다.

이어서, 이 방법에서는, 도 3(e)에 나타낸 바와 같이, 베이스 절연층(3) 및 금속 지지층(2)의 폭 방향 양쪽 단면에 형성되는 도체 박막(8)을 피복하는 포토레지스트(13)를 아래쪽으로부터 노광한다.

포토레지스트(13)를, 수지 지지층(9)을 통해, 포토마스크(10)를 별도 마련하지 않고 아래쪽으로부터 노광한다. 또, 이 노광에서는, 금속 지지층(2)과, 베이스 절연층(3) 및 금속 지지층(2)의 폭 방향 양쪽 단면에 형성되는 도체 박막(8)이 포토마스크를 겸하고 있다.

노광에서는, 예컨대, 자외선 등의 광이 사용되고, 그 조사량은, 예컨대, 50~500mJ/㎠이다.

포토레지스트(13)의 아래쪽으로부터의 노광에서는, 베이스 절연층(3) 및 금속 지지층(2)의 폭 방향 양쪽 단면에 형성되는 도체 박막(8)을 피복하는 포토레지스트(13), 즉, 포토레지스트(13)의 위쪽으로부터의 노광에서의 미노광 부분이 노광 부분으로 된다.

이어서, 이 방법에서는, 도 3(f)에 나타낸 바와 같이, 포토레지스트(13)에서의 미노광 부분을 제거하여, 노광 부분을 패턴으로 형성해서 도금 레지스트(14)를 형성한다.

포토레지스트(13)에서의 미노광 부분을 제거하여, 노광 부분을 패턴으로 형성해서 도금 레지스트(14)를 형성하기 위해서는, 우선, 미노광 부분을, 공지된 현상액을 이용하는 현상에 의해 제거한 후 건조한다.

이어서, 이 방법에서는, 도 3(g)에 나타낸 바와 같이, 도금 레지스트(14)로부터 노출되는 도체 박막(8)의 위에, 베이스 절연층(3)의 상면에 형성되는 도체 박막(8)의 폭 방향 양 단부에 단부 도체층(7)과, 베이스 절연층(3)의 상면에 형성되는 도체 박막(8)의 폭 방향 대략 중앙에 도체층(6)을 동시에 형성한다.

단부 도체층(7) 및 도체층(6)을 형성하기 위해서는, 예컨대, 전해 도금 등이 사용된다.

전해 도금으로서는, 도체 박막(8)으로부터 급전함으로써 도금 레지스트(14)로부터 노출되는 도체 박막(8)의 상면에, 단부 도체층(7) 및 도체층(6)이 동시에 석출되어, 이들을 동시에 형성할 수 있다. 또, 도체 박막(8)은 금속 지지층(2)을 통해 도시하지 않는 급전 장치로부터의 전기의 공급에 의해 급전한다.

이어서, 이 방법에서는, 도 4(h)에 나타낸 바와 같이, 도금 레지스트(14) 및 도금 레지스트(14)에 피복되어 있던 부분의 도체 박막(8)을 순차적으로 제거한다. 도금 레지스트(14) 및 도체 박막(8)을 제거하기 위해서는, 예컨대, 에칭이나 박리 등이 사용된다.

이것에 의해, 베이스 절연층(3)의 위에 도체 박막(8) 및 도체 패턴(4)을 형성할 수 있다.

이어서, 도 4(i)에 나타낸 바와 같이, 커버 절연층(5)을 베이스 절연층(3) 위에 상기한 패턴으로 형성한다.

커버 절연층(5)을 형성하기 위해서는, 베이스 절연층(3) 및 도체 패턴(4)의 상면 전면에, 상기한 합성 수지의 용액(바니쉬)을 균일하게 도포한 후, 건조하고, 이어서, 필요에 따라 가열에 의해 경화시킨다. 또한, 커버 절연층(5)의 형성은, 베이스 절연층(3) 및 도체 패턴(4)의 상면 전면에, 예컨대, 감광성의 바니쉬를 도포하여, 건조 후, 상기한 패턴으로 노광 및 현상하고, 필요에 따라 가열에 의해 경화시킨다. 또한, 커버 절연층(5)의 형성은, 예컨대, 합성 수지를 상기한 패턴의 필름에 미리 형성하여, 그 필름을, 베이스 절연층(3) 및 도체 패턴(4)의 상면 전면에, 공지된 접착제층을 통해 접착할 수도 있다.

그 후, 도 4(j)에 나타낸 바와 같이, 수지 지지층(9)을, 예컨대, 박리 또는에칭, 바람직하게는, 박리에 의해 제거한다.

이것에 의해, 배선 회로 기판(1)을 형성할 수 있다.

그리고, 이 방법에서는, 도체 박막(8)을, 베이스 절연층(3) 및 금속 지지 층(2)의 폭 방향 양쪽 단면에 형성하고, 포토레지스트(13)에 의해, 베이스 절연층(3)의 상면에 형성되는 도체 박막(8)을 피복하고, 이어서, 포토마스크(10)를, 베이스 절연층(3)의 상면에 형성되는 도체 박막(8)에서의 폭 방향 양 단부 및 폭 방향 대략 중앙의 도체층(6)이 형성되는 부분이 차광되도록 배치하여, 베이스 절연층(3)의 상면에 형성되는 도체 박막(8)을 피복하는 포토레지스트(13)를, 위쪽으로부터 포토마스크(10)를 통해 노광한다.

그러면, 베이스 절연층(3)의 상면에 형성되는 도체 박막(8)에서의 폭 방향 양 단부 및 폭 방향 대략 중앙의 도체층(6)이 형성되는 부분에, 포토레지스트(13)의 미노광 부분이 형성된다.

그리고, 그 포토레지스트(13)의 미노광 부분을 제거한 후, 도금 레지스트(14)를 형성하면, 단부 도체층(7)을, 도금 레지스트(14)로부터 노출되는, 베이스 절연층(3)의 상면에 형성되는 도체 박막(8)의 폭 방향 양 단부에 형성할 수 있는 동시에, 도체층(6)을, 도금 레지스트(14)로부터 노출되는 베이스 절연층(3)의 상면에 형성되는 도체 박막(8)의 폭 방향 대략 중앙에 형성할 수 있다. 그 때문에, 도체층(6)을 형성할 수 있으면서, 베이스 절연층(3)의 상면에 형성되는 도체 박막(8)의 폭 방향 양 단부에 있어서 단부 도체층(7)을 형성하여, 전해 도금 시의 포토레지스트(13)의 결손 부분(20)에 기인하는 폭이 좁은 도체 재료(구체적으로는, 구리등)의 석출을 방지하여, 단부 도체층(7)과 베이스 절연층(3)과의 밀착성을 향상시킬 수 있다.

그 결과, 베이스 절연층(3)의 상면의 폭 방향 양 단부에서의 도체 이물질(구 체적으로는, 구리의 이물질)의 발생을 방지하여, 접속 신뢰성이 높은 배선 회로 기판(1)을 얻을 수 있다.

한편, 이 방법에서는, 도체 박막(8)을, 베이스 절연층(3) 및 금속 지지층(2)의 폭 방향 양쪽 단면에 형성하고, 포토레지스트(13)에 의해, 베이스 절연층(3) 및 금속 지지층(2)의 폭 방향 양쪽 단면에 형성되는 도체 박막(8)을 피복하고, 그 포토레지스트(13)를, 아래쪽으로부터, 금속 지지층(2)과, 베이스 절연층(3) 및 금속 지지층(2)의 폭 방향 양쪽 단면에 형성되는 도체 박막(8)을, 마스크로 하여 노광할 수 있다. 그 때문에, 베이스 절연층(3) 및 금속 지지층(2)의 폭 방향 양쪽 단면에 형성되는 도체 박막(8)을 피복하는 포토레지스트(13)를 간이하게 노광할 수 있다.

그러면, 그 노광 부분으로부터, 도금 레지스트(14)를, 베이스 절연층(3) 및 금속 지지층(2)의 폭 방향 양쪽 단면에 형성되는 도체 박막(8)을 피복하도록 형성할 수 있다.

그 때문에, 베이스 절연층(3) 및 금속 지지층(2)의 폭 방향 양쪽 단면에 있어서, 도체 재료(구체적으로는, 구리 등)의 석출을 간이하게 방지할 수 있고, 그 결과, 베이스 절연층(3) 및 금속 지지층(2)의 폭 방향 양쪽 단면에서의 도체 이물질(구체적으로는, 구리의 이물질)의 발생을 간이하게 방지할 수 있다.

또한, 이 방법에서는, 도체 박막(8)을 스퍼터링에 의해 형성하더라도, 베이스 절연층(3)의 폭 방향 양쪽 단면에 형성되는 도체 박막(8)을 피복하는 포토레지스트(13)를 아래쪽으로부터 노광하여, 그 노광 부분에서 형성되는 도금 레지스트(14)에 의해, 베이스 절연층(3)의 폭 방향 양쪽 단면에 형성되는 도체 박막(8)을 피복할 수 있다. 그 때문에, 도체 재료가 도체 박막(8)과 함께 베이스 절연층(3)의 폭 방향 양쪽 단면으로부터 벗겨지는 것을 확실히 방지할 수 있다.

또, 상기한 설명에서는, 포토레지스트(13)를 드라이 필름 레지스트로 형성했지만, 예컨대, 감광성의 바니쉬로 형성할 수도 있다.

그런데, 드라이 필름 레지스트로 포토레지스트(13)를 베이스 절연층(3)의 상면에 형성되는 도체 박막(8)에 형성한 경우에는, 베이스 절연층(3)의 상면에 형성되는 도체 박막(8)의 폭 방향 양 단부의 가장자리에서, 열압착에 근거하는 가압력이 집중적으로 걸리기 때문에, 결손 부분(20)을 특히 생기게 하기 쉽다. 그 때문에, 도체층(6)의 전해 도금에 의한 형성에 있어서, 결손 부분(20)에 기인하는 폭이 좁은 도체 재료가 의도하지 않게 석출된다.

그러나, 상술한 바와 같이, 포토마스크(10)를, 베이스 절연층(3)의 상면에 형성되는 도체 박막(8)에서의 폭 방향 양 단부가 차광되도록 배치하여, 그 포토레지스트(13)를, 위쪽으로부터 포토마스크(10)를 통해 노광하면, 도체층(6)을 형성할 수 있으면서, 베이스 절연층(3)의 폭 방향 양 단부에 형성되는 도체 박막(8)에 있어서, 단부 도체층(7)을 의도적으로 형성하여, 드라이 필름 레지스트에 기인하는 결손 부분(20)을 발생시켜도, 폭이 좁은 도체 재료의 석출을 방지하여, 단부 도체층(7)과 베이스 절연층(3)과의 밀착성을 향상시킬 수 있다. 그 때문에, 베이스 절연층(3)의 상면의 폭 방향 양 단부에서의 도체 이물질의 발생을 방지하고, 그 결과, 접속 신뢰성이 높은 배선 회로 기판(1)을 얻을 수 있다.

또한, 상기한 설명에서는, 도 2(c)에 나타낸 바와 같이, 수지 지지층(9)을, 금속 지지층(2)의 하면에 형성하는 동시에, 포토레지스트(13)를 형성했지만, 예컨대, 도시하지 않지만, 수지 지지층(9)을 형성하지 않고 포토레지스트(13)를 형성할 수도 있다.

바람직하게는, 수지 지지층(9)을 형성하는 동시에 포토레지스트(13)를 적층한다. 이것에 의해, 베이스 절연층(3) 및 금속 지지층(2)의 폭 방향 양쪽 단면에 형성되는 도체 박막(8)을 피복하는 포토레지스트(13)를 아래쪽으로부터 수지 지지층(9)에 의해 지지할 수 있기 때문에, 베이스 절연층(3) 및 금속 지지층(2)의 폭 방향 양쪽 단면에 형성되는 도체 박막(8)을, 간단하고 또한 확실히 피복할 수 있다.

또한, 수지 지지층(9)에 의해, 금속 지지층(2) 및 베이스 절연층(3)을 보강하여, 그들의 적층체에 강성을 부여할 수 있기 때문에, 도체 패턴(4)을 정밀도 좋게 형성할 수 있다.

또한, 상기한 설명에서는, 도 2(d)에 나타낸 바와 같이, 도체층(6) 및 단부 도체층(7)을 형성하는 부분에 대응하는 포토레지스트(13)와, 베이스 절연층(3) 및 금속 지지층(2)의 폭 방향 양쪽 단면에 형성되는 도체 박막(8)을 피복하는 포토레지스트(13)에 차광 부분(11)을 대향 배치시켜, 포토마스크(10)를 배치했다. 그러나, 이것에 한정되지 않고, 포토마스크(10)의 배치에 있어서, 포토레지스트(13)에서의 도체층(6)과 단부 도체층(7)이 형성되는 부분이 차광되어 있으면 좋고, 예컨대, 도 10(a)가 참조되는 바와 같이, 포토레지스트(13)에서의 도체층(6)과 단부 도체층(7)이 형성되는 부분에 차광 부분(11)을 대향 배치할 수 있는 마스크 패턴을 구비하는 포토마스크(10)를 배치하여, 위쪽으로부터 노광함으로써, 베이스 절연층(3) 및 금속 지지층(2)의 폭 방향 양쪽 단면에 형성되는 도체 박막(8)을 피복하는 부분을, 노광 부분으로 할 수도 있다.

또, 이 경우에는, 도 10(a)의 가상선이 참조되는 바와 같이, 포토마스크(10)의 위치어긋남이 생겨, 베이스 절연층(3) 및 금속 지지층(2)의 폭 방향 양쪽 단면에 형성되는 도체 박막(8)을 피복하는 부분에 미노광 부분이 생기더라도, 도 3(e)에 나타낸 바와 같이, 포토레지스트(13)를 아래쪽으로부터 노광하기 때문에, 베이스 절연층(3)의 폭 방향 양쪽의 미노광 부분을 노광 부분으로 할 수 있다. 그 때문에, 베이스 절연층(3) 및 금속 지지층(2)의 폭 방향 양쪽 단면에 형성되는 도체 박막(8)에서의 도체 재료의 석출을 확실히 방지할 수 있다.

또한, 상기한 설명에서는, 도 2(d) 및 도 3(e)에 나타낸 바와 같이, 포토레지스트(13)를, 우선, 위쪽으로부터 노광하고, 이어서, 아래쪽으로부터 노광했지만, 노광의 순서는 이것에 한정되지 않고, 상기한 순서와 역의 순서로 노광할 수도 있다.

또한, 상기한 설명에서는, 피복 공정 후에, 포토레지스트(13)를 가열했지만, 피복 공정 후에, 포토레지스트(13)를 가열하지 않고, 포토레지스트(13)를 노광할 수도 있다.

바람직하게는, 피복 공정 후에 포토레지스트(13)를 가열한다.

일반적으로, 피복 공정 후에는, 베이스 절연층(3) 및 금속 지지층(2)의 폭 방향 양쪽 단면에 형성되는 도체 박막(8)을 피복하는 포토레지스트(13)에, 기포가 생기는 경우가 있다. 특히, 금속 지지층(2) 및 베이스 절연층(3)의 합계의 두께 T1, 즉, 2층 기재의 두께 T1이, 포토레지스트(13)의 두께 T2보다 두꺼운 경우, 또는, 2층 기재의 두께 T1이, 포토레지스트(13)의 두께 T2의 3배의 두께보다 두꺼운 경우에는, 상기한 기포를 생기게 하기 쉽다.

그러나, 상기한 방법과 같이, 피복 공정 후에, 베이스 절연층(3) 및 금속 지지층(2)의 폭 방향 양쪽 단면에 형성되는 도체 박막(8)을 피복하는 포토레지스트(13)를 가열함으로써 이러한 기포의 부피를 현저하게 감소시킬 수 있다.

도 5는, 본 발명의 배선 회로 기판의 제조 방법의 다른 실시형태에 따라 제조되는 배선 회로 기판(금속 지지층을 구비하지 않는 형태)의 폭 방향을 따르는 단면도, 도 6 내지 도 8은 본 발명의 배선 회로 기판의 제조 방법의 다른 실시형태의 공정도를 나타낸다.

또, 이후의 각 도면에서, 상기와 같은 부재에는 동일한 부호를 붙이고, 그 설명을 생략한다.

상기한 설명에서는, 본 발명의 배선 회로 기판의 제조 방법에 의해 얻어지는 배선 회로 기판을, 금속 지지층(2)을 보강층으로서 구비하는 COF 기판으로서 예시했지만, 본 발명의 배선 회로 기판의 제조 방법에 의해 얻어지는 배선 회로 기판은, 이것에 한정되지 않는다. 예컨대, 도 5에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 배선 회로 기판의 제조 방법에 의해 얻어지는 배선 회로 기판을, 금속 지지층(2)을 구비하지 않는 COF 기판 등의 다른 배선 회로 기판에도 널리 적용할 수 있다.

도 5에서, 이 배선 회로 기판(1)은, 베이스 절연층(3)과, 베이스 절연층(3) 의 위에 형성되는 도체 박막(8)과, 도체 박막(8)의 위에 형성되는 도체 패턴(4)과, 베이스 절연층(3)의 위에, 도체 박막(8) 및 도체 패턴(4)을 피복하도록 형성되는 커버 절연층(5)을 구비하고 있다.

다음으로, 본 발명의 배선 회로 기판의 제조 방법의 다른 실시형태를, 도 6 내지 도 8을 참조하여 설명한다.

우선, 이 방법에서는, 도 6(a)에 나타낸 바와 같이, 베이스 절연층(3)을 준비한다. 베이스 절연층(3)을 준비하는 것으로는, 시판의 시트(필름)를 그대로 이용할 수 있다.

이어서, 이 방법에서는, 도 6(b) 내지 도 8(h)에 나타낸 바와 같이, 베이스 절연층(3)의 위에, 도체 박막(8) 및 도체 패턴(4)을 세미애디티브법에 의해 순차적으로 형성한다.

세미애디티브법에서는, 우선, 도 6(b)에 나타낸 바와 같이, 베이스 절연층(3)의 상면과, 베이스 절연층(3)의 폭 방향 양쪽 단면에, 도체 박막(8)을 형성한다. 도체 박막(8)은 상기와 같은 방법에 의해 형성한다.

이어서, 이 방법에서는, 도 6(c)에 나타낸 바와 같이, 포토레지스트(13)에 의해, 베이스 절연층(3)의 상면에 형성되는 도체 박막(8)과, 베이스 절연층(3)의 폭 방향 양쪽 단면에 형성되는 도체 박막(8)을 피복한다(피복 공정). 또한, 이것과 동시에, 수지 지지층(9)을, 베이스 절연층(3)의 하면에, 베이스 절연층(3)과, 베이스 절연층(3)의 폭 방향 양쪽 단면을 피복하는 포토레지스트(13)를 포함하도록 적층한다.

포토레지스트(13)에 의해, 베이스 절연층(3)의 상면에 형성되는 도체 박막(8)과, 베이스 절연층(3)의 폭 방향 양쪽 단면에 형성되는 도체 박막(8)을 피복하기 위해서는, 상기한 포토레지스트 적층체를 이용하여 상기와 같은 방법에 의해 형성한다. 또한, 수지 지지층(9)을 베이스 절연층(3)의 하면에 적층하기 위해서는, 상기한 수지 지지층 적층체를 이용하여 상기와 같은 용법에 의해 형성한다.

이어서, 이 방법에서는, 도 6(d)에 나타낸 바와 같이, 포토마스크(10)를, 베이스 절연층(3)의 상면에 형성되는 도체 박막(8)에서의 폭 방향 양 단부 및 도체층(6)이 형성되는 부분과, 베이스 절연층(3)의 폭 방향 양쪽 단면에 형성되는 도체 박막(8)을 피복하는 포토레지스트(13)가 차광되도록 배치하여, 베이스 절연층(3)의 상면을 피복하는 포토레지스트(13)를, 위쪽으로부터 포토마스크(10)를 통해 노광한다.

이어서, 이 방법에서는, 도 7(e)에 나타낸 바와 같이, 베이스 절연층(3)의 폭 방향 양쪽 단면에 형성되는 도체 박막(8)을 피복하는 포토레지스트(13)를, 아래쪽으로부터 노광한다. 또, 이 노광에서는, 베이스 절연층(3)의 상면에 형성되는 도체 박막(8)과, 베이스 절연층(3)의 폭 방향 양쪽 단면에 형성되는 도체 박막(8)이 포토마스크를 겸하고 있다.

이어서, 이 방법에서는, 도 7(f)에 나타낸 바와 같이, 포토레지스트(13)에서의 미노광 부분을 제거하여, 노광 부분을 패턴으로 형성하여, 도금 레지스트(14)를 형성한다. 그 후, 도 7(g)에 나타낸 바와 같이, 도금 레지스트(14)로부터 노출되는 도체 박막(8)의 위에, 베이스 절연층(3)의 상면에 형성되는 도체 박막(8)의 폭 방 향 양 단부에 단부 도체층(7)과, 베이스 절연층(3)의 상면에 형성되는 도체 박막(8)의 폭 방향 대략 중앙에 도체층(6)을 동시에 형성한다.

이어서, 이 방법에서는, 도 8(h)에 나타낸 바와 같이, 도금 레지스트(14) 및 도금 레지스트(14)에 피복되어 있던 부분의 도체 박막(8)을 순차적으로 제거한다. 그 후, 도 8(i)에 나타낸 바와 같이, 커버 절연층(5)을 베이스 절연층(3) 위에 상기한 패턴으로 형성한다. 그 후, 도 8(j)에 나타낸 바와 같이, 수지 지지층을 제거한다.

이것에 의해, 금속 지지층(2)을 구비하지 않는 배선 회로 기판(1)을 형성할 수 있다.

또, 본 발명의 배선 회로 기판의 제조 방법으로서는, 바람직하게는, 상기한 도 2 내지 도 4에 나타내는, 금속 지지층(2)을 구비하는 배선 회로 기판(1)의 제조 방법이 사용된다.

즉, 도 2 내지 도 4에 나타내는 배선 회로 기판(1)의 제조 방법에서는, 도 2(a)에 나타낸 바와 같이, 금속 지지층(2)의 위에 베이스 절연층(3)이 적층된 2층 기재를 준비하기 때문에, 금속 지지층(2)에 의해 베이스 절연층(3)을 보강할 수 있다. 그 때문에, 도체 패턴(4)을 정밀도 좋게 형성할 수 있다.

또한, 도 2(b)에 나타낸 바와 같이, 도체 박막(8)을, 베이스 절연층(3) 및 금속 지지층(2)의 폭 방향 양쪽 단면에 형성하고, 도 2(c)에 나타낸 바와 같이, 포토레지스트(13)에 의해, 베이스 절연층(3) 및 금속 지지층(2)의 폭 방향 양쪽 단면에 형성되는 도체 박막(8)을 피복하고, 도 3(e)에 나타낸 바와 같이, 그 포토레지 스트(13)를, 아래쪽에서, 금속 지지층(2)과, 베이스 절연층(3) 및 금속 지지층(2)의 폭 방향 양쪽 단면에 형성되는 도체 박막(8)을 마스크로 하여 노광할 수 있다.

그 때문에, 베이스 절연층(3) 및 금속 지지층(2)의 폭 방향 양쪽 단면에 형성되는 포토레지스트(13)만을 간이하고 또한 확실히 노광할 수 있다.

또, 도 5에 나타내는 금속 지지층(2)을 구비하지 않는 배선 회로 기판(1)을, 도 6(a) 내지 도 8(j)에 나타내는 방법으로 제조했지만, 예컨대, 도 2(a) 내지 도 4(j)에 나타내는 방법, 즉, 금속 지지층(2)에 지지되고, 베이스 절연층(3), 도체 박막(8), 도체 패턴(4) 및 커버 절연층(5)을 구비하는 배선 회로 기판(1)을 얻은 후, 금속 지지층(2)을 에칭에 의해 제거할 수도 있다.

(실시예)

이하에 실시예 및 비교예를 나타내고, 본 발명을 더 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 실시예 및 비교예에 전혀 한정되는 것이 아니다.

(금속 지지 기판을 구비하는 COF 기판의 제조)

(실시예 1)

우선, 두께 25㎛의 스테인레스로 이루어지는 금속 지지층에, 두께 35㎛의 폴리이미드로 이루어지는 베이스 절연층이 적층된 2층 기재(두께 T1 60㎛, 폭 300mm)를 준비했다(도 2(a) 참조).

이어서, 베이스 절연층의 상면과, 베이스 절연층 및 금속 지지층의 폭 방향 양쪽 단면과, 이들에 연속하도록, 도체 박막으로서, 두께 0.02㎛의 크로뮴 박막과 두께 0.13㎛의 구리 박막을 크로뮴 스퍼터링과 구리 스퍼터링에 의해 순차적으로 형성했다(도 2(b) 참조).

이어서, 지지층, 네거티브형의 포토레지스트(두께 T2 15㎛) 및 이형층이 순차적으로 적층된 포토레지스트 적층체(폭 303mm)를 준비한 후, 포토레지스트 적층체의 이형층을 박리하고, 포토레지스트가 베이스 절연층의 상면에 형성되는 도체 박막에 접촉하도록, 포토레지스트 적층체를, 온도 90℃, 압력 0.3MPa에서 열압착했다.

또한, 별도로, 수지 지지층(두께 50㎛), 접착제층 및 이형층이 순차적으로 적층된 수지 지지층 적층체(폭 304mm)를 준비한 후, 수지 지지층 적층체의 이형층을 박리하여, 접착제층이 금속 지지층의 하면에 접촉하도록, 수지 지지층 적층체를, 상기한 포토레지스트 적층체의 열압착과 동시에 적층했다.

이것에 의해, 포토레지스트에 의해, 베이스 절연층의 상면에 형성되는 도체 박막과, 베이스 절연층 및 금속 지지층의 폭 방향 양쪽 단면에 형성되는 도체 박막을 피복하는 동시에, 수지 지지층을, 금속 지지층의 하면에, 금속 지지층과, 베이스 절연층 및 금속 지지층의 폭 방향 양쪽 단면에 형성되는 도체 박막을 피복하는 포토레지스트를 포함하도록 적층했다(도 2(c) 참조).

그리고, 포토레지스트에 의한 피복 직후에, 포토레지스트를 90℃에서, 20초간 공기중에서 가열했다.

이어서, 포토마스크를, 베이스 절연층의 상면에 형성되는 도체 박막에서의 폭 방향 양 단부의 단부 도체층 및 폭 방향 대략 중앙의 도체층이 형성되는 부분과, 베이스 절연층 및 금속 지지층의 폭 방향 양쪽 단면에 형성되는 도체 박막을 피복하는 포토레지스트가 형성되는 부분이 차광되도록 배치했다. 그리고, 베이스 절연층의 상면에 형성되는 도체 박막을 피복하는 포토레지스트, 및, 베이스 절연층 및 금속 지지층의 폭 방향 양쪽 단면에 형성되는 도체 박막을 피복하는 포토레지스트를, 위쪽으로부터 포토마스크를 통해 노광했다.

포토마스크는 차광 부분 및 광 투과 부분으로 이루어지는 마스크 패턴을 구비하고 있고, 도체층 및 단부 도체층을 형성하는 부분에 대응하는 포토레지스트와, 베이스 절연층 및 금속 지지층의 폭 방향 양쪽 단면에 형성되는 도체 박막을 피복하는 포토레지스트에는 차광 부분을 대향 배치시키고, 베이스 절연층의 상면에 형성되는 도체 박막을 피복하는 도금 레지스트를 형성하는 부분에는 광 투과 부분을 대향 배치시키고, 자외선을 이용하여, 130mJ/㎠로, 위쪽으로부터 포토마스크를 통해 노광했다(도 2(d) 참조).

이어서, 베이스 절연층 및 금속 지지층의 폭 방향 양쪽 단면에 형성되는 도체 박막을 피복하는 포토레지스트를, 자외선에 의해, 260mJ/㎠로, 아래쪽으로부터 노광했다(도 3(e) 참조).

이어서, 포토레지스트에서의 미노광 부분을 현상에 의해 제거하여, 노광 부분을 패턴으로 형성한 후, 건조함으로써 도금 레지스트를 형성했다(도 3(f) 참조).

이어서, 도금 레지스트로부터 노출되는 도체 박막의 위에, 베이스 절연층의 상면에 형성되는 도체 박막에서의 폭 방향 양 단부에 단부 도체층과, 베이스 절연층의 상면에 형성되는 도체 박막에서의 폭 방향 중앙에 도체층을, 전해 구리 도금에 의해 동시에 형성했다(도 3(g) 참조). 도체 패턴(단부 도체층 및 도체층)의 두 께는 약 9㎛이며, 단부 도체층의 폭(W1)은 5000㎛였다.

이어서, 도금 레지스트 및 도금 레지스트에 피복되어 있던 부분의 도체 박막을, 에칭에 의해 순차적으로 제거했다(도 4(h) 참조).

이어서, 베이스 절연층 및 도체 패턴의 상면 전면에, 감광성 폴리아믹산 수지의 바니쉬를 균일하게 도포하고, 건조 후, 노광 및 현상하고, 더 가열 경화함으로써 두께 5㎛의 폴리이미드로 이루어지는 커버 절연층을, 상기한 패턴으로 형성했다(도 4(j) 참조).

그 후, 수지 지지층을 박리에 의해 제거했다(도 1 및 도 4(j) 참조). 이것에 의해, 금속 지지층을 구비하는 COF 기판을 얻었다.

(비교예 1)

도 9(a)에 나타낸 바와 같이, 포토레지스트(13)의 위쪽으로부터의 노광에 있어서, 포토마스크(10)를, 폭 방향 중앙의 도체층(6)이 형성되는 부분만이 차광되도록 배치하여, 베이스 절연층(3)의 상면에 형성되는 도체 박막(8)을 피복하는 포토레지스트(13)와, 베이스 절연층(3) 및 금속 지지층(2)의 폭 방향 양쪽 단면에 형성되는 도체 박막을 피복하는 포토레지스트(13)를, 위쪽으로부터 포토마스크(10)를 통해 노광한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 처리하여(도 9(b) 및 (c) 참조), COF 기판(1)을 얻었다.

또, 도 9(a)에 나타낸 바와 같이, 상기한 포토마스크(10)는, 도체층(6)을 형성하는 포토레지스트(13)에는 차광 부분(11)을 대향 배치시키고, 베이스 절연층(3) 및 금속 지지층(2)의 폭 방향 양쪽 단면에 형성되는 도체 박막(8)을 피복하는 포토 레지스트(13)와, 베이스 절연층(3)의 상면에 형성되는 도체 박막(8)을 피복하는 도금 레지스트(14)를 형성하는 부분의 포토레지스트(13)에는 광 투과 부분(12)을 대향 배치시켰다.

(비교예 2)

도 10(a)에 나타낸 바와 같이, 포토레지스트(13)의 위쪽으로부터의 노광에 있어서, 포토마스크(10)를, 폭 방향 중앙의 도체층(6) 및 폭 방향 양 단부의 단부 도체층(7)만이 형성되는 부분이 차광되도록 배치하여, 베이스 절연층(3)의 상면에 형성되는 도체 박막(8)을 피복하는 포토레지스트(13) 및 베이스 절연층(3) 및 금속 지지층(2)의 폭 방향 양쪽 단면에 형성되는 도체 박막(8)을 피복하는 포토레지스트(13)를, 위쪽으로부터 포토마스크(10)를 통해 노광하고, 아래쪽으로부터의 노광을 실시(도 3(e) 참조)하지 않은 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 처리하여(도 10(b) 및 (c) 참조), COF 기판(1)을 얻었다.

또, 도 10(a)에 나타낸 바와 같이, 상기한 포토마스크(10)는, 도체층(6) 및 단부 도체층(7)을 형성하는 포토레지스트(13)에는 차광 부분(11)을 대향 배치시키고, 베이스 절연층(3) 및 금속 지지층(2)의 폭 방향 양쪽 단면에 형성되는 도체 박막(8)을 피복하는 포토레지스트(13)와 베이스 절연층(3)의 상면에 형성되는 도체 박막(8)을 피복하는 도금 레지스트(14)를 형성하는 부분의 포토레지스트(13)에는 광 투과 부분(12)을 대향 배치시켰다.

그러나, 도 10(a)의 가상선으로 나타낸 바와 같이, 포토마스크(10)가 폭 방향 한쪽으로 약간 위치가 어긋난 것에 의해, 베이스 절연층(3) 및 금속 지지층(2) 의 폭 방향 일단면에 형성되는 도체 박막(8)을 피복하는 포토레지스트(13)에서, 베이스 절연층(3) 및 금속 지지층(2)의 일단면에 형성되는 도체 박막(8)에 접촉하는 부분에도 차광 부분(11)을 대향 배치하고, 도 10(b)에 나타낸 바와 같이, 그 부분이 현상에 의해 제거되었다.

그 때문에, 전해 구리 도금에 있어서, 금속 지지층(2)의 폭 방향 일단면에 형성되는 도체 박막(8)에, 폭 10~50㎛의 구리(22)가 석출됐다.

(금속 지지 기판을 구비하지 않는 COF 기판의 제조)

(실시예 2)

두께 35㎛의 폴리이미드로 이루어지는 베이스 절연층의 시트(폭 300mm)를 준비했다(도 6(a) 참조).

이어서, 베이스 절연층의 상면과, 베이스 절연층의 폭 방향 양쪽 단면과, 이들에 연속하도록, 도체 박막으로서, 두께 0.02㎛의 크로뮴 박막과 두께 0.13㎛의 구리 박막을, 크로뮴 스퍼터링과 구리 스퍼터링에 의해 순차적으로 형성했다(도 6(b) 참조).

이어서, 실시예 1과 같은 포토레지스트 적층체를 이용하여, 포토레지스트가 베이스 절연층의 상면에 형성되는 도체 박막에 접촉하도록, 포토레지스트 적층체를 열압착했다.

또한, 별도로, 실시예 1과 마찬가지의 수지 지지층 적층체를 이용하여, 접착제층이 베이스 절연층의 하면에 접촉하도록, 수지 지지층 적층체를, 상기한 포토레지스트 적층체의 열압착과 동시에 적층했다.

이것에 의해, 포토레지스트에 의해, 베이스 절연층의 상면과, 베이스 절연층의 폭 방향 양쪽 단면에 형성되는 도체 박막을 피복하는 동시에, 수지 지지층을, 베이스 절연층의 하면에, 베이스 절연층과, 베이스 절연층의 폭 방향 양쪽 단면에 형성되는 도체 박막을 피복하는 포토레지스트를 포함하도록 적층했다(도 6(c) 참조).

그리고, 포토레지스트에 의한 피복 직후에, 포토레지스트를 90℃에서, 20초간, 공기중에서 가열했다.

이어서, 포토마스크를 실시예 1과 마찬가지로 배치하여, 베이스 절연층의 상면에 형성되는 도체 박막을 피복하는 포토레지스트, 및, 베이스 절연층의 폭 방향 양쪽 단면에 형성되는 도체 박막을 피복하는 포토레지스트를, 위쪽으로부터 포토마스크를 통해 노광했다(도 6(d) 참조).

이어서, 베이스 절연층의 폭 방향 양쪽 단면에 형성되는 도체 박막을 피복하는 포토레지스트를, 실시예 1과 마찬가지의 조건으로 아래쪽으로부터 노광하고(도 7(e) 참조), 계속해서, 실시예 1과 마찬가지로 처리하여, 도금 레지스트를 형성했다(도 7(f) 참조).

이어서, 실시예 1과 마찬가지의 조건으로 전해 구리 도금에 의해, 단부 도체층과 도체층을 동시에 형성하고(도 7(g) 참조), 그 후, 도금 레지스트 및 도금 레지스트에 피복되어 있던 부분의 도체 박막을, 에칭에 의해 순차적으로 제거했다(도 8(h) 참조).

이어서, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 커버 절연층을 상기한 패턴으로 형성 했다(도 8(i) 참조). 그 후, 수지 지지층을 박리에 의해 제거했다(도 5 및 도 8(j) 참조).

이것에 의해, 금속 지지층을 구비하지 않는 COF 기판을 얻었다.

(평가)

1) 베이스 절연층의 상면의 단부에서의 구리의 이물질

실시예 1, 2, 비교예 1 및 2에 의해 얻어진 COF 기판에 있어서, 베이스 절연층의 상면에 형성되는 도체 박막의 폭 방향 양 단부를, 금속 현미경 및 SEM에 의해 관찰했다.

그 결과, 실시예 1, 2 및 비교예 2에서는, 단부 도체층이 베이스 절연층의 위의 폭 방향 양 단부에 형성되어 있는 것을 확인했다.

한편, 비교예 1에서는, 베이스 절연층(3)의 상면의 폭 방향 양 단부의 가장자리에서, 도금 레지스트(14)의 결손 부분(20)에 근거하여, 구리(21)가 의도하지 않게 석출되어, 이 구리(21)가 벗겨져, 구리의 이물질로 되어 있는 것을 확인했다.

2) 베이스 절연층의 측단면에서의 구리의 석출

실시예 1, 2, 비교예 1 및 2에 의해 얻어진 COF 기판에 있어서, 금속 지지층의 폭 방향 양쪽 단면을 금속 현미경 및 SEM에 의해 관찰했다.

그 결과, 실시예 1, 2, 및 비교예 1에서는, 구리가 석출되지 않고 있는 것을 확인했다.

한편, 비교예 2에서는, 금속 지지층(2)의 폭 방향 한쪽 단면(도 10에서 좌측 단면)에서, 구리(22)가 석출되어, 이 구리(22)가 도체 박막(8)과 함께 베이스 절연 층(3)의 폭 방향 한쪽 단면으로부터 벗겨져, 구리의 이물질로 되어 있는 것을 확인했다.

또, 상기 설명은 본 발명의 예시의 실시형태로서 제공했지만, 이것은 단순한 예시에 지나지 않고, 한정적으로 해석해서는 안된다. 상기 기술분야의 당업자에 의해 분명한 본 발명의 변형예는 후기의 특허청구의 범위에 포함되는 것이다.

도 1은, 본 발명의 배선 회로 기판의 제조 방법의 일 실시형태에 따라 제조되는 배선 회로 기판(금속 지지층을 구비하는 형태)의 폭 방향의 단면도를 나타내는 도면,

도 2는, 본 발명의 배선 회로 기판의 제조 방법의 일 실시형태의 공정도로서,

(a)는 2층 기재를 준비하는 공정,

(b)는 도체 박막을 형성하는 공정,

(c)는 포토레지스트를 형성하는 동시에, 수지 지지층을 형성하는 공정,

(d)는, 포토레지스트를, 위쪽으로부터 포토마스크를 통해 노광하는 공정을 나타내는 도면,

도 3은, 도 2에 계속해서, 본 발명의 배선 회로 기판의 제조 방법의 일 실시형태의 공정도로서,

(e)는 포토레지스트를 아래쪽으로부터 노광하는 공정,

(f)는, 포토레지스트에서의 미노광 부분을 제거하여, 노광 부분을 패턴으로 형성해서 도금 레지스트를 형성하는 공정,

(g)는 단부 도체층과 도체층을 동시에 형성하는 공정을 나타내는 도면,

도 4는, 도 3에 계속해서, 본 발명의 배선 회로 기판의 제조 방법의 일 실시형태의 공정도로서,

(h)는 도금 레지스트 및 도금 레지스트에 피복되어 있던 부분의 도체 박막을 순차적으로 제거하는 공정,

(i)는 커버 절연층을 베이스 절연층 위에 형성하는 공정,

(j)는 수지 지지층을 제거하는 공정을 나타내는 도면,

도 5는, 본 발명의 배선 회로 기판의 제조 방법의 다른 실시형태에 따라 제조되는 배선 회로 기판(금속 지지층을 구비하지 않는 형태)의 폭 방향의 단면도를 나타내는 도면,

도 6은 본 발명의 배선 회로 기판의 제조 방법의 다른 실시형태의 공정도로서,

(a)는 베이스 절연층을 준비하는 공정,

(b)는 도체 박막을 형성하는 공정,

(c)는, 포토레지스트를 형성하는 동시에, 수지 지지층을 형성하는 공정,

(d)는 포토레지스트를 위쪽으로부터 포토마스크를 통해 노광하는 공정을 나타내는 도면,

도 7은, 도 6에 계속해서, 본 발명의 배선 회로 기판의 제조 방법의 다른 실시형태의 공정도로서,

(e)는 포토레지스트를 아래쪽으로부터 노광하는 공정,

도 8은, 도 7에 계속해서, 본 발명의 배선 회로 기판의 제조 방법의 다른 실 시형태의 공정도로서,

(i)는 커버 절연층을 베이스 절연층의 위에 형성하는 공정,

(j)는 수지 지지층을 제거하는 공정을 나타낸다.

도 9는 비교예 1의 COF 기판의 제조 방법의 공정도로서,

(a)는, 포토마스크를 폭 방향 중앙의 도체층이 형성되는 부분만이 차광되도록 배치하여, 포토레지스트를 위쪽으로부터 그 포토마스크를 통해 노광하는 공정,

(b)는, 포토레지스트에서의 미노광 부분을 제거하여, 노광 부분을 패턴으로 형성해서 도금 레지스트를 형성하는 공정,

(c)는 도체층을 형성하는 공정을 나타내는 도면,

도 10은 비교예 2의 COF 기판의 제조 방법의 공정도로서,

(a)는, 포토마스크를, 폭 방향 중앙의 도체층 및 폭 방향 양 단부의 단부 도체층이 형성되는 부분만이 차광되도록 배치하여, 포토레지스트를, 위쪽으로부터 그 포토마스크를 통해 노광하는 공정,

(c)는 도체층 및 단부 도체층을 형성하는 공정을 나타내는 도면이다.

Claims

절연층을 준비하는 공정,

도체 박막을 상기 절연층의 상면 및 측단면에 형성하는 공정,

포토레지스트에 의해 상기 절연층의 상면 및 측단면에 형성되는 상기 도체 박막을 피복하는 공정,

포토마스크를, 상기 절연층의 상면에 형성되는 상기 도체 박막에서의 단부 및 도체층이 형성되는 부분이 차광되도록 배치하여, 상기 절연층의 상면에 형성되는 상기 도체 박막을 피복하는 상기 포토레지스트를, 위쪽으로부터 상기 포토마스크를 통해 노광하는 공정,

상기 절연층의 측단면에 형성되는 상기 도체 박막을 피복하는 상기 포토레지스트를, 아래쪽으로부터 노광하는 공정,

상기 포토레지스트에서의 미노광 부분을 제거하여, 노광 부분을 패턴으로 형성해서 도금 레지스트를 형성하는 공정,

상기 도금 레지스트로부터 노출되는 상기 도체 박막의 위에, 상기 절연층의 상면에 형성되는 상기 도체 박막에서의 단부에 단부 도체층과, 상기 절연층의 상면에 형성되는 상기 도체 박막에 상기 도체층을 동시에 형성하는 공정,

상기 도금 레지스트를 제거하는 공정,

상기 도금 레지스트에 피복되어 있던 상기 도체 박막을 제거하는 공정

을 포함하는 것을 특징으로 하는 배선 회로 기판의 제조 방법.
제 1 항에 있어서,

상기 도체 박막을 형성하는 공정에서는, 상기 도체 박막을 스퍼터링에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 배선 회로 기판의 제조 방법.
제 1 항에 있어서,

상기 절연층을 준비하는 공정에서는, 금속 지지층의 위에 상기 절연층이 적층된 2층 기재를 준비하고,

상기 도체 박막을 형성하는 공정에서는, 상기 도체 박막을, 상기 절연층의 상면과, 상기 절연층 및 상기 금속 지지층의 측단면에 형성하고,

상기 포토레지스트에 의해 상기 도체 박막을 피복하는 공정에서는, 상기 포토레지스트에 의해, 상기 절연층의 상면에 형성되는 상기 도체 박막과, 상기 절연층 및 상기 금속 지지층의 측단면에 형성되는 상기 도체 박막을 피복하고,

상기 포토레지스트를 아래쪽으로부터 노광하는 공정에서는, 상기 절연층 및 상기 금속 지지층의 측단면에 형성되는 상기 도체 박막을 피복하는 상기 포토레지스트를 아래쪽으로부터 노광하는

것을 특징으로 하는 배선 회로 기판의 제조 방법.
제 1 항에 있어서,

상기 포토레지스트를 드라이 필름 레지스트로 형성하는 것을 특징으로 하는 배선 회로 기판의 제조 방법.
제 1 항에 있어서,

상기 포토레지스트에 의해 상기 도체 박막을 피복하는 공정에서는, 수지 지지층을, 상기 절연층의 아래에, 상기 절연층의 측단면에 형성되는 상기 도체 박막을 피복하는 상기 포토레지스트를 포함하도록, 적층하는 것을 특징으로 하는 배선 회로 기판의 제조 방법.
제 1 항에 있어서,

상기 포토레지스트에 의해 상기 도체 박막을 피복하는 공정의 후에, 상기 절연층의 측단면에 형성되는 상기 도체 박막을 피복하는 상기 포토레지스트를 가열하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 배선 회로 기판의 제조 방법.
제 1 항에 있어서,

상기 포토레지스트를 아래쪽으로부터 노광하는 공정에서는, 상기 절연층의 측단면에 형성되는 상기 도체 박막을 포토마스크로 해서, 상기 절연층의 측단면에 형성되는 상기 도체 박막을 피복하는 상기 포토레지스트를 노광하는 것을 특징으로 하는 배선 회로 기판의 제조 방법.
제 5 항에 있어서,

상기 수지 지지층은 광을 투과할 수 있는 수지 재료로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 배선 회로 기판의 제조 방법.