CN115537722B - 同表面层导电黑和绝缘黑的制备工艺和产品 - Google Patents

Abstract

本申请涉及离子镀膜的技术领域，具体公开了一种同表面层导电黑和绝缘黑的制备工艺和产品，制备工艺包括以下步骤：提供镀膜基材，该镀膜基材上具有第一镀膜区和第二镀膜区；遮挡第一镀膜区，以形成第一遮蔽层，使第二镀膜区裸露；在第二镀膜区沉积第一膜层；去除第一遮蔽层，使第一镀膜区裸露；遮挡第二镀膜区，以形成第二遮蔽层；在第一镀膜区沉积第二膜层；去除第二遮蔽层，使第一膜层裸露。在沉积第一膜层和第二膜层时，可以用交替遮蔽第一镀膜区和第二镀膜区的方式来实现导电层和绝缘层在同表面层的沉积，无需根据不同的镀膜区域拆分成不同的零件，因此无需在分别镀膜之后进行组装，生产工艺更简便，降低生产成本。

Description

同表面层导电黑和绝缘黑的制备工艺和产品

技术领域

本申请涉及离子镀膜的技术领域，尤其是涉及一种同表面层导电黑和绝缘黑的制备工艺和产品。

背景技术

物理气相沉积(Physical Vapor Deposition)简称PVD，指的是利用某种物理的过程，如物质的热蒸发或在受到粒子束轰击时物理表面原子的溅射现象，实现物质从原物质到薄膜的可控的转移过程。PVD离子镀膜(Ion Plating)技术(简称离子镀)，离子镀是在气体放电或真空中，在气体离子或蒸发离子的轰击下，蒸发物质电离，在基体上沉积形成薄膜的技术，离子镀可以提高涂层的性能，拓宽涂层技术的应用范围。

PVD离子镀膜在电子产品上的应用十分广泛，而目前，智能穿戴产品(例如智能手表)日新月异，需要在满足消费者外观装饰需求的同时提高智能体验，这就对PVD膜层提出新的需求。具体的，传统智能手表的表面处理采用PVD离子镀银色、金色、黑色等，形成绝缘装饰层，主要功能是装饰，没有导电要求。而对于智能手表的新功能，例如ECG(心电图)功能，对智能手表的表面膜层就有了传输电信号的要求，为了满足这样的要求，需要在智能手表的表面沉积导电层。

对于智能手表需要同时具备绝缘区和导电区，目前的生产制备过程都是将绝缘区和导电区拆分成不同的零件，先由不同的镀膜生产线分别镀膜之后再进行组装，使智能手表的壳体同时具有绝缘装饰功能还具有导电感应的功能。

智能手表作为电子产品对外观的要求也相对较高，因此需要保证绝缘区和导电区在相同光源之下，其反射的颜色近似或相同。而目前的生产制备工艺中，绝缘区和导电区的分区较明显，无法满足产品需求；并且目前的制备工艺中，零件组装步骤会带来损耗，增加生产成本。

发明内容

为了简化智能产品外壳的制备工艺，降低生产成本，本申请提供一种同表面层导电黑和绝缘黑的制备工艺和产品。

第一方面，本申请提供一种同表面层导电黑和绝缘黑的制备工艺，采用如下的技术方案：

一种同表面层导电黑和绝缘黑的制备工艺，包括以下步骤：

提供镀膜基材，该镀膜基材上具有第一镀膜区和第二镀膜区；

遮挡所述第一镀膜区，以形成第一遮蔽层，使所述第二镀膜区裸露；

在所述第二镀膜区沉积第一膜层；

去除所述第一遮蔽层，使所述第一镀膜区裸露；

遮挡所述第二镀膜区，以形成第二遮蔽层；

在所述第一镀膜区沉积第二膜层；

去除所述第二遮蔽层，使所述第一膜层裸露。

基于上述技术方案，在沉积第一膜层时，可以利用第一遮蔽层遮挡第二镀膜区，在第二镀膜区沉积第一膜层之后去除第一遮蔽层，再遮蔽第二镀膜区的第一膜层，使第一镀膜区保持裸露状态，再向第一镀膜区镀第二膜层，因此可以用交替遮蔽第一镀膜区和第二镀膜区的方式来实现导电层和绝缘层在同表面层的沉积，在沉积导电层和绝缘层的过程中无需根据不同的镀膜区域拆分成不同的零件，因此无需在分别镀膜之后进行组装，生产工艺更简便，降低生产成本。

优选的，所述第一膜层为绝缘层，所述第二膜层为导电层。

基于上述技术方案，在第二镀膜区先沉积绝缘层，再在第一镀膜区沉积导电层，可以保证导电层的沉积面积和范围，即使对第一镀膜区和第二镀膜区的覆盖精度较低，也能够保证导电层的沉积面积，以保证产品的导电感测功能。

优选的，所述第一遮蔽层与第二遮蔽层粘贴在所述镀膜基材上，以便于去除所述第一遮蔽层和第二遮蔽层。

基于上述技术方案，利用粘贴的方式将第一遮蔽层与第二遮蔽层覆盖在镀膜基材上，不仅在镀膜的过程中能够保证同表面层不同工序的镀膜方式，在更换镀膜区以及镀膜结束之后还可以较为轻松的使第一遮蔽层和第二遮蔽层与镀膜基材相分离，使镀膜作业更加简便。

优选的，所述第一遮蔽层与第二遮蔽层采用硅胶材料，所述硅胶材料的一侧具有粘附层。

基于上述技术方案，在某些金属制品领域中，往往采用涂覆油墨的方式保护其他区域，但是涂覆油墨有几个缺点：第一，油墨的涂覆范围精度不好控制，容易少涂或多涂；第二，去除油墨的时候较为繁琐，需要进行清洗烘干等作业，加工效率低；第三，清洗油墨会产生废水，废水处理不仅会增加生产成本而且会给周围环境造成压力。

而本申请中采用的硅胶材料较为柔软，可以进行一定的形变，不仅可以贴附平面还可以贴附弧面，可以适应不同形状的覆膜基材的需求，适用范围更广，并且硅胶材料的加工较为方便，可以裁切出各种形状，以适应不同的镀膜区的形状，硅胶材料利用粘附层粘贴在镀膜基材上，覆盖操作更便利，在需要分离时，只需要直接将硅胶材料撕下即可，操作便利，并且也更加环保。

优选的，所述第二遮蔽层的覆盖面积小于所述第一镀膜区的面积，以在所述第一镀膜区邻近所述第二镀膜区的位置形成覆盖区，使导电层沉积在该覆盖区上。

基于上述技术方案，当第二遮蔽层覆盖在第一镀膜区上时，并没有完全覆盖，而是保留有覆盖区，裸露的覆盖区可以形成补偿的导电层，该种方法是为了保证绝缘层和导电层充分的覆盖镀膜基材的外表面，避免因为第一遮蔽层和第二遮蔽层的粘贴误差而影响到绝缘层和导电层的沉积范围，又由于导电层为镀膜基材的主要功能层，因此要保证导电层的覆盖面积。如此设置可以补偿可能出现的覆盖误差，保证绝缘层和导电层充分的覆盖镀膜基材的外表面，不会出现空缺区域，并且也保证了导电层的覆盖范围，以满足产品的镀膜需求。

优选的，所述绝缘层在第一镀膜区的沉积厚度为1.0～1.5微米；

所述导电层在第二镀膜区的沉积厚度为1.0～1.5微米；

所述第一遮蔽层与第二遮蔽层的厚度为0.2～0.4毫米。

基于上述技术方案，第一遮蔽层和第二遮蔽层与绝缘层以及导电层的厚度相差几十万倍，在沉积金属绝缘层和导电层之后，第一遮蔽层和第二遮蔽层外表沉积的金属膜层不会与绝缘层或导电层相粘连，在去除第一遮蔽层和第二遮蔽层时，第一遮蔽层和第二遮蔽层的边缘位置不会出现毛刺或者撕拉缺口，保证绝缘层和导电层的沉积质量。并且第一遮蔽层与第二遮蔽层具有一定厚度，在去除第一遮蔽层和第二遮蔽层时操作更加便利。

优选的，所述绝缘层的沉积材料为富碳金属材料，所述导电层的沉积材料为富铝氮化钛，以使所述绝缘层与导电层沉积颜色相近。

基于上述技术方案，利用富碳金属材料沉积出绝缘层，富碳金属层的外观呈现出黑色，富铝氮化钛外观也呈黑色，利用不同的材料沉积出颜色近似的绝缘层和导电层，以满足产品的外观要求，其中颜色相近是指绝缘层与导电层均呈黑色，普通人的肉眼看不出明显差异。并且黑色材质在第一镀膜区和第二镀膜区的交界处相互交叠后，外观也无较大差异，因此利用该两种材料可以顺利的沉积绝缘层和导电层。

优选的，所述绝缘层与所述导电层均采用金属磁控溅射工艺沉积而成，所述富碳金属材料采用TC4材料作为金属靶材。

基于上述技术方案，绝缘层中以钛为主要的金属材料，因此绝缘层与导电层的主要材料相同，在进行镀膜时绝缘层与导电层若出现重叠，则绝缘层与导电层之间的结合力更好，沉积的绝缘层和导电层的结合强度更好。

优选的，在沉积所述导电层时，具体包括：

沉积钛层；沉积氮化钛层；沉积氮化钛掺铝递增过渡层；沉积氮化铝钛面层。

基于上述技术方案，将沉积导电层具体拆分成四个步骤逐步的成型出氮化钛层，可以保证氮化钛层与镀膜基材的结合强度，同时也保证氮化铝钛面层的沉积质量。

第二方面，本申请提供一种具有同表面导电黑和绝缘黑的产品，采用如下的技术方案：

一种具有同表面导电黑和绝缘黑的产品，包括壳体，所述壳体表面具有导电层以及绝缘层，所述导电层与绝缘层根据上述的制备工艺制备成形。

基于上述技术方案，壳体外表面具备同表面的绝缘层和导电层，使同一个壳体既具备装饰功能又具备导电功能，利用前述的制备工艺制备成型使得整个壳体一体设置，生产过程中无需组装，且绝缘层和导电层从外观上看基本一致。

综上所述，本申请包括以下至少一种有益技术效果：

1.在沉积第一膜层和第二膜层时，可以用交替遮蔽第一镀膜区和第二镀膜区的方式来实现导电层和绝缘层在同表面层的沉积，在沉积导电层和绝缘层的过程中无需根据不同的镀膜区域拆分成不同的零件，因此无需在分别镀膜之后进行组装，生产工艺更简便，降低生产成本；

2.利用硅胶材料粘贴在镀膜基体上实现遮蔽层，而硅胶材料较为柔软，不仅加工便利，还可以进行一定的形变，既可以贴附平面也可以贴附弧面，适用范围更广；

3.硅胶材料利用粘附层粘贴在镀膜基材上，不仅粘贴更便利并且去除遮蔽层时，仅需要撕下硅胶材料即可，方便操作，并且也更加环保；

4.第二遮蔽层小于第一镀膜区的范围，形成部分裸露的覆盖区，如此设置可以补偿可能出现的覆盖误差，保证绝缘层和导电层充分的覆盖镀膜基材的外表面，不会出现空缺区域，并且也保证了导电层的覆盖范围，以满足产品的镀膜需求。

5.第一遮蔽层和第二遮蔽层与绝缘层以及导电层的厚度相差较大，在沉积金属绝缘层和导电层之后，第一遮蔽层和第二遮蔽层外表沉积的金属膜层不会与绝缘层或导电层相粘连，在去除第一遮蔽层和第二遮蔽层时，保证绝缘层和导电层的沉积质量；

6.利用富碳金属材料沉积出绝缘层，富碳金属层的外观呈现出黑色，富铝氮化钛外观也呈黑色，利用不同的材料沉积出颜色近似的绝缘层和导电层，以满足产品的外观要求。

附图说明

图1绘示了本实施例中同表面层导电黑和绝缘黑的制备工艺的流程示意图；

图2绘示了同表面层导电黑和绝缘黑的制备工艺中实施例1中步骤S2的示意图；

图3绘示了同表面层导电黑和绝缘黑的制备工艺中实施例1中步骤S3的示意图；

图4绘示了同表面层导电黑和绝缘黑的制备工艺中实施例1中步骤S4的示意图；

图5绘示了同表面层导电黑和绝缘黑的制备工艺中实施例1中步骤S5的示意图；

图6绘示了同表面层导电黑和绝缘黑的制备工艺中实施例1中步骤S6的示意图；

图7绘示了同表面层导电黑和绝缘黑的制备工艺中实施例1中步骤S7的示意图；

图8绘示了同表面层导电黑和绝缘黑的制备工艺中实施例2中步骤S5的示意图；

图9绘示了同表面层导电黑和绝缘黑的制备工艺中实施例2中步骤S6的示意图；

图10绘示了同表面层导电黑和绝缘黑的制备工艺中实施例2中步骤S7的示意图。

附图标记说明：100、镀膜基材；10、第一镀膜区；20、第二镀膜区；30、第一遮蔽层；40、第一膜层；50、第二遮蔽层；60、第二膜层；70、覆盖区。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

本申请的说明书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其他步骤或单元。

以下结合附图1-10对本申请作进一步详细说明。

第一方面，本申请实施例公开一种同表面层导电黑和绝缘黑的制备工艺。

实施例1：

参照图1，同表面层导电黑和绝缘黑的制备工艺包括以下步骤：

S1，提供镀膜基材，参照图2，该镀膜基材上具有第一镀膜区10和第二镀膜区20，基于不同的需求，需要对第一镀膜区10和第二镀膜区20分别镀上不同的材料，以实现不同的产品功能。第一镀膜区10为导电区，导电区一般为电子产品的按键等需要与用户皮肤接触的区域，第二镀膜区20为绝缘区，主要起装饰功能。

S2，遮挡第一镀膜区10，也即遮挡导电区，参照图2，以形成第一遮蔽层30，使第二镀膜区20裸露，也即绝缘区裸露在外。第一遮蔽层30采用硅胶材料制成，将硅胶材料裁切成第一镀膜区10的形状，硅胶材料的其中一侧设置有粘附层，硅胶材料利用该粘附层粘贴至第一镀膜区10上。

S3，参照图3，在第二镀膜区20沉积第一膜层40，利用磁控溅射工艺沉积第一膜层40，在沉积第一膜层40时，利用TC4(钛6铝4钒)材料作为金属靶材，沉积时通入乙炔碳元素沉积出富碳的金属膜，沉积出的绝缘层电阻值大于200M欧姆，形成黑色的绝缘层。绝缘层的沉积厚度为1.0～1.5微米。

S4，参照图4，去除第一遮蔽层30，使第一镀膜区10裸露，即使导电区裸露在外。去除第一遮蔽层30时，直接将第一遮蔽层30撕下即可。

S5，参照图5，遮挡第二镀膜区20，以形成第二遮蔽层50，即使第二遮蔽层50覆盖在绝缘层外侧。第二遮蔽层50也采用硅胶材料裁切而成，第二遮蔽层50的厚度为0.2～0.4毫米。

第一遮蔽层30与第二遮蔽层50的厚度远远大于绝缘层和导电层，在沉积完绝缘层和导电层之后，第一遮蔽层30与第二镀膜区20上的绝缘层不会相互连接，第二遮蔽层50与第一镀膜区10上的导电层不会相互连接，因此在撕除第一遮蔽层30和第二遮蔽层50的时候不会将镀膜基材上沉积的金属层同步去除。

作为本实施例的最优方案，第一遮蔽层30与第二遮蔽层50之间的形状互补，且第一遮蔽层30与第二遮蔽层50相加的面积与镀膜基材的面积相等，在定制第一遮蔽层30与第二遮蔽层50时，要精准保证第一遮蔽层30和第二遮蔽层50的尺寸。

S6，参照图6，在第一镀膜区10沉积第二膜层60，利用磁控溅射工艺沉积第二膜层60，在沉积第二膜层60时，利用TC4靶覆合铝靶加上氮气的氮元素沉积富铝的氮化膜，即在导电区沉积黑色导电层。导电层的厚度为1.0～1.5微米。

具体的，沉积导电层时，为了保证导电层与镀膜基材之间的结合力强度，具体包括以下步骤：

S61，前处理，将粘贴有第二遮蔽层50的镀膜基材装入磁控溅射镀膜设备中，并对粘贴有第二遮蔽层50的镀膜基材进行离子清洗。

S62，镀钛层，温度160摄氏度左右，钛电流30-35A，氩气量120-150sccm，真空度0.35-0.45Pa，偏压80-110V，占空比50-60％，时间10-15分钟。

S63，镀氮化钛层，温度维持160摄氏度左右，氩气量120-150sccm，氮气量250-300sccm，真空度0.4-0.5Pa，偏压80-110V，占空比50-60％，钛电流30-35A，时间5-10分钟。

S64，镀氮化钛掺铝递增过渡层，温度维持160摄氏度左右，时间15-30分钟，氩气量120-150sccm，氮气量250-300sccm，真空度0.4-0.5Pa，偏压80-110V，占空比50-60％递减到30-40％，钛电流30-35A，铝电流15-20A递增到30-35A，时间15-30分钟。

S65，镀氮化铝钛面层，温度维持160摄氏度左右，时间60-90分钟，氩气量120-150sccm，氮气量250-300sccm，真空度0.4-0.5Pa，偏压80-110V，占空比30-40％，钛电流30-35A，铝电流30-35A，时间60-90分钟。

S66，高真空冷却，时间40-60分钟，温度降低到100摄氏度左右，关掉设备阀门和真空泵。最后取出产品。

通过由钛层到氮化铝钛层的过渡可以保证最后沉积成型的氮化铝钛面层与镀膜基材的结合强度。

S7，参照图7，去除第二遮蔽层50，使第一膜层40裸露，即绝缘层裸露，绝缘层与导电层的外观均呈现黑色，因此镀膜基材的整体均为黑色。

下表为沉积完绝缘层与导电层之后，对镀膜基材的测试结果：

实施例2：

参照图，同表面层导电黑和绝缘黑的制备工艺包括以下步骤：

S1，提供镀膜基材，该镀膜基材上具有第一镀膜区10和第二镀膜区20。第一镀膜区10为导电区，导电区一般为电子产品的按键等需要与用户皮肤接触的区域，第二镀膜区20为绝缘区，主要起装饰功能。

S2，遮挡导电区，以形成第一遮蔽层30，使绝缘区裸露。第一遮蔽层30采用硅胶材料制成，将硅胶材料裁切成导电区的形状，硅胶材料的其中一侧设置有粘附层，硅胶材料利用该粘附层粘贴至导电区上。

S3，在绝缘区沉积绝缘层，利用磁控溅射工艺沉积绝缘层，主要利用TC4(钛6铝4钒)材料作为金属靶材，沉积时通入乙炔碳元素沉积出富碳的金属膜，沉积出的绝缘层电阻值大于200M欧姆，形成黑色的绝缘层。绝缘层的沉积厚度为1.0～1.5微米。

S4，去除第一遮蔽层30，使导电区裸露。去除第一遮蔽层30时，直接将第一遮蔽层30撕下即可。

S5，遮挡绝缘区，以形成第二遮蔽层50，即使第二遮蔽层50覆盖在绝缘层外侧。第二遮蔽层50也采用硅胶材料裁切而成，第二遮蔽层50的厚度为0.2～0.4毫米。

参照图8，与实施例1的不同之处在于，第二遮蔽层50的遮挡面积小于绝缘区的面积，第二遮蔽层50靠近导电区的边缘向绝缘区区域内偏移，使绝缘区靠近导电区的边缘位置处形成宽度为0.1-0.3毫米的覆盖区70。因此导电层可以同步沉积到覆盖区70上。

由于硅胶材料在裁切过程以及粘贴过程中可能无法完全保证精准度，因此设置覆盖区70能够有效补偿可能存在的误差现象。当第一遮蔽层30覆盖范围较大时，第一遮蔽层30的覆盖范围超过导电区的范围，会存在有部分区域无法沉积绝缘区的情况，因此覆盖区70的设置可以使导电层沉积在空缺位置处，保证整个镀膜基材的外表面均沉积金属层。

若第一遮蔽层30的覆盖范围与导电区的面积相同，绝缘层的覆盖面积也较为精准的情况下，即使第二遮蔽层50没有完全覆盖全部绝缘区区域，导电层沉积在绝缘层上，由于导电层与绝缘层均为黑色，因此导电层沉积在绝缘层上对整个镀膜基材的功能以及外观均无影响。

S6，参照图9，在第一镀膜区10沉积第二膜层60，利用磁控溅射工艺沉积第二膜层60，在沉积第二膜层60时，利用TC4靶覆合铝靶加上氮气的氮元素沉积富铝的氮化膜，即在导电区沉积黑色导电层。导电层的厚度为1.0～1.5微米。

S7，参照图10，去除第二遮蔽层50，使第一膜层40裸露，即绝缘层裸露，绝缘层与导电层的外观均呈现黑色，因此镀膜基材的整体均为黑色。

在其他实施例中，也可以采用其他方式遮蔽绝缘层和导电层，若镀膜基材的绝缘层和导电层位于相背的一面，可以利用工装夹具夹持住镀膜基体，使工装夹具覆盖住镀膜基体的其中一侧，在另一侧镀绝缘层，再翻转镀膜基体，使工装夹具覆盖住镀膜基体的另外一侧，完成镀膜。

第二方面，本申请实施例还公开一种带有同表面层导电黑和绝缘黑的产品。本实施例中的产品具体为智能手表，该智能手表上设置有导电层和绝缘层，导电层与用户皮肤相接触，用于传输电信号。导电层与绝缘层采用前述的制备方法制备而成。

在本申请中提及“实施例”“实施方式”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现所述短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本申请所描述的实施例可以与其它实施例相结合。此外，还应该理解的是，本申请各实施例所描述的特征、结构或特性，在相互之间不存在矛盾的情况下，可以任意组合，形成又一未脱离本申请技术方案的精神和范围的实施例。

最后应说明的是，以上实施方式仅用以说明本申请的技术方案而非限制，尽管参照以上较佳实施方式对本申请进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本申请的技术方案进行修改或等同替换都不应脱离本申请技术方案的精神和范围。

Claims (4)

1.一种同表面层导电黑和绝缘黑的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：

提供镀膜基材，该镀膜基材上具有第一镀膜区(10)和第二镀膜区(20)；

遮挡所述第一镀膜区(10)，以形成第一遮蔽层(30)，使所述第二镀膜区(20)裸露；

在所述第二镀膜区(20)和第一遮蔽层(30)上沉积第一膜层(40)；所述第一膜层(40)为绝缘层；所述绝缘层的沉积材料为富碳金属材料，且所述绝缘层的沉积厚度为1.0～1.5微米；

去除所述第一遮蔽层(30)，使所述第一镀膜区(10)裸露；

遮挡所述第二镀膜区(20)，以形成第二遮蔽层(50)；其中，所述第二遮蔽层(50)的覆盖面积小于所述第二镀膜区(20)的面积，以在所述第二镀膜区(20)邻近所述第一镀膜区(10)的位置形成覆盖区(70)；

在所述第一镀膜区(10)、第二遮蔽层(50)和覆盖区(70)上沉积第二膜层(60)；所述第二膜层(60)为导电层；所述导电层的沉积材料为富铝氮化钛，且所述导电层的沉积厚度为1.0～1.5微米；

去除所述第二遮蔽层(50)，使所述第一膜层(40)裸露；其中，所述第一遮蔽层(30)与第二遮蔽层(50)的厚度为0.2～0.4毫米；所述第一遮蔽层(30)与第二遮蔽层(50)粘贴在所述镀膜基材上，以便于去除所述第一遮蔽层(30)和第二遮蔽层(50)；所述第一遮蔽层(30)与第二遮蔽层(50)采用硅胶材料，所述硅胶材料的一侧具有粘附层。

2.根据权利要求1所述的同表面层导电黑和绝缘黑的制备工艺，其特征在于，所述绝缘层与所述导电层均采用金属磁控溅射工艺沉积而成，所述富碳金属材料采用TC4材料作为金属靶材。

3.根据权利要求1所述的同表面层导电黑和绝缘黑的制备工艺，其特征在于，在沉积所述导电层时，具体包括：

沉积钛层；沉积氮化钛层；沉积氮化钛掺铝递增过渡层；沉积氮化铝钛面层。

4.一种具有同表面导电黑和绝缘黑的产品，包括壳体，其特征在于，所述壳体表面具有导电层以及绝缘层，所述导电层与绝缘层根据权利要求1-3中任意一项所述的制备工艺制备成形。