CN112063972A - 一种半导体部件的拼接镀膜方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种半导体部件的拼接镀膜方法，所述方法包括：将半导体部件中与镀膜设备中夹具接触的表面采用保护膜进行遮蔽；将处理后的半导体部件进行镀膜，控制镀膜温度和功率，完成非遮蔽表面的镀膜；将镀膜后的表面附着保护膜，再将原遮蔽保护膜去除；重复进行非遮蔽表面的镀膜，完成后去除已镀膜表面的保护膜，直至得到表面全镀膜的半导体部件。本发明所述方法通过拼接镀膜的方式，可实现半导体部件全表面的镀膜，尤其是对非镀膜面先进行遮蔽的方式，能够保证不同顺序镀膜的一致性，满足后续焊接工艺的要求；根据半导体部件材料的选择，相应调整镀膜参数，可避免产生晶粒变化，保证部件的强度性能，对不同种类制品均可适用，应用范围广。

Description

一种半导体部件的拼接镀膜方法
技术领域
本发明属于表面镀膜技术领域，涉及一种半导体部件的拼接镀膜方法。
背景技术
随着社会的不断进步，半导体产品的应用领域越发广泛，基于半导体产品的多样性，其制备工艺也有多种选择，镀膜法是其中重要的一类方法，如物理气相沉积法(PVD)。对于某些半导体部件，由于其应用的要求，需要进行全表面的镀膜，通过保证镀膜的一致性与覆盖率，达到后续工艺的要求。
目前，使用物理气相沉积技术制备金属膜层时，通常采用的方法包括悬挂镀膜法，将产品表面打工艺孔后悬挂装夹，必定留有悬挂材料遮蔽后无法镀膜的痕迹，从而造成部分区域焊接不良，导致焊接不合格，如果后续去除工艺孔，则会导致去除处产生新面，造成该处区域焊接不合格；此外，悬挂法支撑属于柔性支撑，其镀膜均匀性完全无法达到焊接需要。对于某些产品的基体材料，传统的物理气相沉积技术因温度原因容易导致其晶粒发生变化，影响产品的整体强度。
CN 109023273A公开了一种镀膜设备及镀膜方法，其中镀膜设备包括真空室，设置在所述真空室中的靶材基座和基底夹具，所述靶材基座设置于基底夹具的上方；还包括电极切换装置，所述电极切换装置与靶材基座相互连接，且所述靶材基座为偶数个；所述靶材基座上设置有线性位移装置，可驱动靶材基座沿竖直方向往复移动。该镀膜设备主要是通过对靶材电极性的切换改进镀膜过程，而夹具对靶材的遮挡作用使得靶材无法全面镀膜，且未进行改进。
CN 108277470A公开了一种PVD涂装工艺，该工艺包括在工件表面真空镀UV底漆；完成镀UV底漆后利用PVD磁控离子溅射镀所需颜色；在溅射后的镀层上使用油墨遮蔽所需的位置；再次进行PVD磁控离子溅射镀所需颜色；完成后使用清洁剂把使用油墨遮蔽的地方清洗或擦拭干净；完成后在工件表面喷涂高光PU或UV保护面漆；该方法通过油墨的遮蔽作用实现不同区域颜色的不同，但对于工件的全表面镀膜以及根据工件材质选择不同镀膜参数的方案均未涉及。
综上所述，对于半导体部件的全表面均匀镀膜，还需寻求合适的方法，在实现镀膜一致性，满足后续焊接工艺的同时，还能够保证选择不同材质时产品的强度性能。
发明内容
针对现有技术存在的问题，本发明的目的在于提供一种半导体部件的拼接镀膜方法，所述方法通过拼接镀膜的方式，可以实现半导体部件全表面的镀膜，尤其是对非镀膜面先进行遮蔽的方式，能够保证不同顺序镀膜的一致性，以满足后续焊接工艺的需要，保证半导体产品的性能要求。
为达此目的，本发明采用以下技术方案：
本发明提供了一种半导体部件的拼接镀膜方法，所述拼接镀膜方法包括以下步骤：
(1)将半导体部件中与镀膜设备中夹具接触的表面采用保护膜进行遮蔽；
(2)将步骤(1)处理后的半导体部件进行镀膜，控制镀膜温度和功率，完成非遮蔽表面的镀膜；
(3)将步骤(2)中镀膜的表面附着保护膜，再将步骤(1)中的保护膜去除；
(4)重复步骤(2)进行非遮蔽表面的镀膜，完成后去除步骤(3)中镀膜表面的保护膜，直至得到表面全镀膜的半导体部件。
本发明中，通过采用拼接镀膜方法可以实现半导体部件的全表面镀膜，由于传统镀膜方法会存在部分区域无法镀膜的问题，而本发明中由于后续特种焊接工艺的需要，对镀膜的一致性与覆盖率要求较高，因此采用拼接镀膜方法，采用保护膜遮蔽的方式将与镀膜设备夹具接触的部分覆盖，后续再进行该部分的镀膜，通过镀膜工艺条件的控制，保证前后镀膜表面厚度的一致，有助于后续焊接工艺的进行；所述方法针对现有镀膜方法的缺陷进行改进，操作难度不大，适用范围广。
以下作为本发明优选的技术方案，但不作为本发明提供的技术方案的限制，通过以下技术方案，可以更好地达到和实现本发明的技术目的和有益效果。
作为本发明优选的技术方案，步骤(1)所述半导体部件的材质包括铝、铜、钛、不锈钢或钽中任意一种或至少两种的组合，所述组合典型但非限制性实例有：铝和铜的组合，铝和钛的组合，钛和不锈钢的组合，钛、不锈钢和钽的组合等。
优选地，所述半导体部件的形状包括棱柱形或圆柱形。
本发明中，根据半导体部件结构的不同，其与镀膜设备夹具接触的表面也会不同，对于棱柱形，例如立方体的镀膜，一般是背面与底面与支架接触，将背面与底面先使用保护膜遮蔽即可；棱柱形的选择除了单一的棱柱形，也可选择多个棱柱的组合形式；而对于圆柱形，例如圆盘状物体的镀膜，将背面与侧边下方约1/2处使用保护膜遮蔽。
作为本发明优选的技术方案，步骤(1)所述半导体部件采用保护膜遮蔽前，先进行清洗，主要是为了去除部件表面的杂质及氧化膜等，避免对镀膜及后续产品应用的影响。
优选地，步骤(1)所述保护膜包括金属膜。
优选地，所述金属膜包括铝膜或锡膜。
本发明中，所述保护膜金属材质的选择，优先起到遮蔽作用，该膜层可防止靶材金属离子附着到待镀膜表面或使已镀膜表面形成膜异常，其次起到导电作用，使产品表面形成负电压，达到镀膜效果。
作为本发明优选的技术方案，步骤(1)所述保护膜通过粘结剂附着于半导体部件表面。
优选地，所述粘结剂包括硅胶粘结剂、丙烯酸树脂粘结剂或聚四氟乙烯树脂粘结剂中任意一种或至少两种的组合，所述组合典型但非限制性实例有：硅胶粘结剂和丙烯酸树脂粘结剂的组合，丙烯酸树脂粘结剂和聚四氟乙烯树脂粘结剂的组合，硅胶粘结剂、丙烯酸树脂粘结剂和聚四氟乙烯树脂粘结剂的组合等。
优选地，步骤(1)所述保护膜附着后进行干燥。
本发明中，对于半导体部件表面的遮蔽，利用粘结剂的作用将金属膜固定在表面，例如选择硅胶粘结剂，其能够承受镀膜时的温度条件，保护膜遮蔽后进行烘干，温度可选择40～60℃，排除水分与易挥发物质，便于保护膜牢固结合，也可避免对镀膜过程的影响。
作为本发明优选的技术方案，步骤(2)所述镀膜在镀膜设备内进行。
优选地，所述镀膜设备一般选择PVD设备，优先选择磁控溅射镀膜设备。
本发明中，所述镀膜方法采用物理气相沉积法，具体可选择蒸镀或溅射方法，因磁控溅射得到的膜层厚度均匀可控，优先选择磁控溅射法。
优选地，步骤(2)所述镀膜温度为60～80℃，例如60℃、63℃、65℃、68℃、70℃、72℃、75℃、78℃或80℃等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，步骤(2)所述镀膜功率为45～90kW，例如45kW、50kW、55kW、60kW、65kW、70kW、75kW、80kW、85kW或90kW等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
本发明中，对于半导体部件选择不同材质时，镀膜的温度不应过高而造成内部晶粒的变化，影响材料的强度；对于本发明铝材质的选择，传统的镀膜温度100～120℃会导致基体发生晶粒变化，影响晶粒的稳定性，从而对产品强度带来影响，因此本发明选择相对较低的温度60～80℃进行镀膜，此时受温度影响，物理气相沉积参数的膜附着力降低，影响镀膜的稳定性，因此相应提高镀膜功率，将离子对靶材的轰击力增加，达到低温形成薄膜目的，且薄膜附着力达到使用要求，相比传统的镀膜功率，本发明中功率条件下轰击力能提高10％～30％，例如10％、15％、20％、25％或30％等。
另外，随着靶材的使用，其厚度会逐渐减小，对靶材的轰击力也需要减小，因而操作功率也会逐渐减小。
优选地，步骤(2)所述镀膜的材质包括钛或镍。
本发明中，所述镀膜材质的选择是为了增强焊接时内部结构件和外侧焊接件之间的结合作用，前者选择铝制件，后者选择铜制件时，两者元素种类及性质相差较大，因而镀膜材质选择中间金属，如钛等，焊接时可以将两者有效结合。
优选地，步骤(2)形成的镀膜厚度为3～6μm，例如3μm、3.5μm、4μm、4.5μm、5μm、5.5μm或6μm等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
作为本发明优选的技术方案，步骤(3)所述保护膜包括金属膜。
优选地，步骤(3)所述保护膜通过粘结剂附着于镀膜表面。
优选地，所述粘结剂包括硅胶粘结剂、丙烯酸树脂粘结剂或聚四氟乙烯树脂粘结剂中任意一种或至少两种的组合，所述组合典型但非限制性实例有：硅胶粘结剂和丙烯酸树脂粘结剂的组合，丙烯酸树脂粘结剂和聚四氟乙烯树脂粘结剂的组合，硅胶粘结剂、丙烯酸树脂粘结剂和聚四氟乙烯树脂粘结剂的组合等。
优选地，步骤(3)所述保护膜形成后进行修饰，形成均匀保护膜。
优选地，所述修饰的方法包括：使用刀片将金属膜重叠的部分去除，形成平整的保护膜。
本发明中，第一次镀膜完成后，需要再进行遮蔽面的镀膜，此时已完成镀膜的表面同样需要保护膜进行遮蔽，避免再次镀膜时的影响；保护膜覆盖后需要进行修饰，未覆盖的部分添加保护膜，重复的部分裁去，保证保护膜均匀覆盖。
作为本发明优选的技术方案，步骤(3)中去除保护膜的方法包括：先将金属膜撕去，然后使用有机溶剂擦拭去除粘结剂，最后干燥处理。
本发明中，所述保护膜的去除包括金属膜和粘结剂的去除，去除粘结剂采用的有机溶剂包括乙醇和/或异丙醇。
作为本发明优选的技术方案，步骤(4)所述镀膜温度为60～80℃，例如60℃、63℃、65℃、68℃、70℃、72℃、75℃、78℃或80℃等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，步骤(4)所述镀膜功率为45～90kW，例如45kW、50kW、55kW、60kW、65kW、70kW、75kW、80kW、85kW或90kW等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，步骤(4)形成的镀膜厚度与步骤(2)中镀膜的厚度相同。
作为本发明优选的技术方案，步骤(4)中去除镀膜表面的保护膜的方法包括：先将金属膜撕去，然后使用有机溶剂擦拭去除粘结剂，最后干燥处理。
优选地，步骤(4)所述重复的次数至少为一次，重复次数的选择与半导体部件结构的复杂程度有关。
优选地，所述半导体部件完成表面全镀膜后外侧焊接金属件，形成全包结构。
本发明中，采用所述方法进行镀膜的原因即在于后续焊接工艺对镀膜的要求较高，需要通过镀膜结构及材质的选择，改善半导体部件与外侧金属件的焊接强度，以达到工艺及应用的要求。
作为本发明优选的技术方案，所述方法包括以下步骤：
(1)将半导体部件先进行清洗，所述半导体部件的材质包括铝、铜、钛、不锈钢或钽中任意一种或至少两种的组合，然后将半导体部件中与镀膜设备中夹具接触的表面采用金属保护膜进行遮蔽，所述保护膜通过粘结剂附着于半导体部件表面，所述保护膜附着后进行干燥；
(2)将步骤(1)处理后的半导体部件在镀膜设备内进行镀膜，控制镀膜温度为60～80℃，镀膜功率为45～90kW，完成非遮蔽表面的镀膜，形成的镀膜厚度为3～6μm；
(3)将步骤(2)中镀膜的表面附着金属保护膜，所述保护膜通过粘结剂附着于镀膜表面，所述保护膜形成后进行修饰，形成均匀保护膜，再将步骤(1)中的保护膜去除，去除方法为先将金属保护膜撕去，然后使用有机溶剂擦拭去除粘结剂，最后干燥处理；
(4)重复步骤(2)进行非遮蔽表面的镀膜，镀膜温度为60～80℃，镀膜功率为45～90kW，形成的镀膜厚度与步骤(2)中镀膜的厚度相同，然后去除步骤(3)中镀膜表面的保护膜，所述重复次数至少为一次，直至得到表面全镀膜的半导体部件。
与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：
(1)本发明所述方法通过拼接镀膜的方式，可以实现半导体部件全表面的镀膜，尤其是对非镀膜面先进行遮蔽的方式，能够保证不同顺序镀膜的一致性，以满足后续焊接工艺的要求；
(2)本发明所述方法根据半导体部件材料的选择，可以相应调整镀膜参数，避免产生晶粒变化，保证部件的强度性能。
附图说明
图1是本发明实施例4提供的半导体部件的结构及镀膜顺序示意图。
具体实施方式
为更好地说明本发明，便于理解本发明的技术方案，下面对本发明进一步详细说明。但下述的实施例仅是本发明的简易例子，并不代表或限制本发明的权利保护范围，本发明保护范围以权利要求书为准。
本发明具体实施方式部分提供了一种半导体部件的拼接镀膜方法，所述方法包括以下步骤：
(1)将半导体部件中与镀膜设备中夹具接触的表面采用保护膜进行遮蔽；
(2)将步骤(1)处理后的半导体部件进行镀膜，控制镀膜温度和功率，完成非遮蔽表面的镀膜；
(3)将步骤(2)中镀膜的表面附着保护膜，再将步骤(1)中的保护膜去除；
(4)重复步骤(2)进行非遮蔽表面的镀膜，完成后去除步骤(3)中镀膜表面的保护膜，直至得到表面全镀膜的半导体部件。
以下为本发明典型但非限制性实施例：
实施例1：
本实施例提供了一种半导体部件的拼接镀膜方法，所述方法包括以下步骤：
(1)将半导体部件先进行清洗，所述半导体部件为铝制件，其形状为立方体，然后将半导体部件中与镀膜设备中夹具接触的表面采用金属锡保护膜进行遮蔽，所述保护膜通过硅胶粘结剂附着于半导体部件表面，然后在50℃条件下进行干燥；
(2)将步骤(1)处理后的半导体部件在磁控溅射镀膜设备内进行镀膜，控制镀膜温度为70℃，镀膜功率为60kW，完成非遮蔽表面的镀膜，形成的镀膜厚度为5μm，镀膜材质为钛；
(3)将步骤(2)中镀膜的表面附着金属锡保护膜，所述保护膜通过硅胶粘结剂附着于镀膜表面，所述保护膜形成后进行修饰，形成均匀保护膜，再将步骤(1)中的保护膜去除，去除方法为先将金属膜撕去，然后使用乙醇擦拭去除硅胶粘结剂，最后干燥处理；
(4)重复步骤(2)进行非遮蔽表面的镀膜，镀膜温度为70℃，镀膜功率为60kW，形成的镀膜厚度与步骤(2)中镀膜的厚度相同，然后去除步骤(3)中镀膜表面的保护膜，去除方法与步骤(3)中相同，得到表面全镀膜的半导体部件。
实施例2：
本实施例提供了一种半导体部件的拼接镀膜方法，所述方法包括以下步骤：
(1)将半导体部件先进行清洗，所述半导体部件为不锈钢制件，其形状为立方体，然后将半导体部件中与镀膜设备中夹具接触的表面采用金属铝保护膜进行遮蔽，所述保护膜通过丙烯酸树脂粘结剂附着于半导体部件表面，然后在60℃条件下进行干燥；
(2)将步骤(1)处理后的半导体部件在磁控溅射镀膜设备内进行镀膜，控制镀膜温度为80℃，镀膜功率为45kW，完成非遮蔽表面的镀膜，形成的镀膜厚度为6μm，镀膜材质为镍；
(3)将步骤(2)中镀膜的表面附着金属铝保护膜，所述保护膜通过丙烯酸树脂粘结剂附着于镀膜表面，所述保护膜形成后进行修饰，形成均匀保护膜，再将步骤(1)中的保护膜去除，去除方法为先将金属膜撕去，然后使用异丙醇擦拭去除丙烯酸树脂粘结剂，最后干燥处理；
(4)重复步骤(2)进行非遮蔽表面的镀膜，镀膜温度为80℃，镀膜功率为45kW，形成的镀膜厚度与步骤(2)中镀膜的厚度相同，然后去除步骤(3)中镀膜表面的保护膜，去除方法与步骤(3)中相同，得到表面全镀膜的半导体部件。
实施例3：
本实施例提供了一种半导体部件的拼接镀膜方法，所述方法包括以下步骤：
(1)将半导体部件先进行清洗，所述半导体部件为钛制件，其形状为圆盘形，然后将半导体部件中与镀膜设备中夹具接触的表面采用金属锡保护膜进行遮蔽，所述保护膜通过聚四氟乙烯树脂粘结剂附着于半导体部件表面，然后在40℃条件下进行干燥；
(2)将步骤(1)处理后的半导体部件在磁控溅射镀膜设备内进行镀膜，控制镀膜温度为60℃，镀膜功率为90kW，完成非遮蔽表面的镀膜，形成的镀膜厚度为3μm，镀膜材质为镍；
(3)将步骤(2)中镀膜的表面附着金属锡保护膜，所述保护膜通过聚四氟乙烯树脂粘结剂附着于镀膜表面，所述保护膜形成后进行修饰，形成均匀保护膜，再将步骤(1)中的保护膜去除，去除方法为先将金属膜撕去，然后使用乙醇擦拭去除聚四氟乙烯树脂粘结剂，最后干燥处理；
(4)重复步骤(2)进行非遮蔽表面的镀膜，镀膜温度为60℃，镀膜功率为90kW，形成的镀膜厚度与步骤(2)中镀膜的厚度相同，然后去除步骤(3)中镀膜表面的保护膜，去除方法与步骤(3)中相同，得到表面全镀膜的半导体部件。
实施例4：
本实施例提供了一种半导体部件的拼接镀膜方法，所述方法包括以下步骤：
(1)将半导体部件先进行清洗，所述半导体部件为铝制件，其形状为带定位边界的中间块，其结构及镀膜顺序示意图如图1所示，然后将半导体部件中与镀膜设备中夹具接触的表面采用金属锡保护膜进行遮蔽，所述保护膜通过硅胶粘结剂附着于半导体部件表面，然后在55℃条件下进行干燥；
(2)将步骤(1)处理后的半导体部件在磁控溅射镀膜设备内进行镀膜，控制镀膜温度为75℃，镀膜功率为75kW，完成非遮蔽表面的镀膜，形成的镀膜厚度为4μm，镀膜材质为钛；
(3)将步骤(2)中镀膜的表面附着金属锡保护膜，所述保护膜通过硅胶粘结剂附着于镀膜表面，所述保护膜形成后进行修饰，形成均匀保护膜，再将步骤(1)中的保护膜去除，去除方法为先将金属膜撕去，然后使用异丙醇擦拭去除硅胶粘结剂，最后干燥处理；
(4)重复步骤(2)进行非遮蔽表面的镀膜，镀膜温度为75℃，镀膜功率为75kW，形成的镀膜厚度与步骤(2)中镀膜的厚度相同，然后去除步骤(3)中镀膜表面的保护膜，再重复一次，直至得到表面全镀膜的半导体部件。
实施例5：
本实施例提供了一种半导体部件的拼接镀膜方法，所述方法参照实施例1中的方法，区别仅在于：步骤(2)和(4)中的镀膜温度为110℃。
本实施例中，由于镀膜温度超出本申请的优选范围值，对于铝制件的镀膜，在该温度条件下镀膜时极易造成晶粒变化，使材料发生变形，难以进行后续焊接，同时也会影响材料的强度，相比实施例1半导体部件镀膜后的强度降低。
对比例1：
本对比例提供了一种半导体部件的拼接镀膜方法，所述方法参照实施例1中的方法，但不采用保护膜进行遮蔽，夹具遮挡的表面再进行后续镀膜。
本对比例中，由于半导体部件镀膜时未进行遮蔽，后续镀膜区域与已镀膜区域边界难以划分，容易造成影响，使得所得镀膜层厚度不均匀，一致性较差，难以满足后续特种焊接的要求。
综合上述实施例和对比例可以看出，本发明所述方法通过拼接镀膜的方式，可以实现半导体部件全表面的镀膜，尤其是对非镀膜面先进行遮蔽的方式，能够保证不同顺序镀膜的一致性，以满足后续焊接工艺的要求；所述方法根据半导体部件材料的选择，可以相应调整镀膜参数，避免产生晶粒变化，保证部件的强度性能；该方法对于不同种类制品的全镀膜均可适用，应用范围广。
申请人声明，本发明通过上述实施例来说明本发明的详细方法，但本发明并不局限于上述详细方法，即不意味着本发明必须依赖上述详细方法才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了，对本发明的任何改进，对本发明方法的等效替换及辅助操作的添加、具体方式的选择等，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。

Claims (10)

1.一种半导体部件的拼接镀膜方法，其特征在于，所述拼接镀膜方法包括以下步骤：
(1)将半导体部件中与镀膜设备中夹具接触的表面采用保护膜进行遮蔽；
(2)将步骤(1)处理后的半导体部件进行镀膜，控制镀膜温度和功率，完成非遮蔽表面的镀膜；
(3)将步骤(2)中镀膜的表面附着保护膜，再将步骤(1)中的保护膜去除；
(4)重复步骤(2)进行非遮蔽表面的镀膜，完成后去除步骤(3)中镀膜表面的保护膜，直至得到表面全镀膜的半导体部件。
2.根据权利要求1所述的拼接镀膜方法，其特征在于，步骤(1)所述半导体部件的材质包括铝、铜、钛、不锈钢或钽中任意一种或至少两种的组合；
优选地，所述半导体部件的形状包括棱柱形或圆柱形。
3.根据权利要求1或2所述的拼接镀膜方法，其特征在于，步骤(1)所述半导体部件采用保护膜遮蔽前，先进行清洗；
优选地，步骤(1)所述保护膜包括金属膜；
优选地，所述金属膜包括铝膜或锡膜。
4.根据权利要求1-3任一项所述的拼接镀膜方法，其特征在于，步骤(1)所述保护膜通过粘结剂附着于半导体部件表面；
优选地，所述粘结剂包括硅胶粘结剂、丙烯酸树脂粘结剂或聚四氟乙烯树脂粘结剂中任意一种或至少两种的组合；
优选地，步骤(1)所述保护膜附着后进行干燥。
5.根据权利要求1-4任一项所述的拼接镀膜方法，其特征在于，步骤(2)所述镀膜在镀膜设备内进行；
优选地，所述镀膜设备包括磁控溅射镀膜设备；
优选地，步骤(2)所述镀膜温度为60～80℃；
优选地，步骤(2)所述镀膜功率为45～90kW；
优选地，步骤(2)所述镀膜的材质包括钛或镍；
优选地，步骤(2)形成的镀膜厚度为3～6μm。
6.根据权利要求1-5任一项所述的拼接镀膜方法，其特征在于，步骤(3)所述保护膜包括金属膜；
优选地，步骤(3)所述保护膜通过粘结剂附着于镀膜表面；
优选地，所述粘结剂包括硅胶粘结剂、丙烯酸树脂粘结剂或聚四氟乙烯树脂粘结剂中任意一种或至少两种的组合；
优选地，步骤(3)所述保护膜形成后进行修饰，形成均匀保护膜；
优选地，所述修饰的方法包括：使用刀片将金属膜重叠的部分去除，形成平整的保护膜。
7.根据权利要求1-6任一项所述的拼接镀膜方法，其特征在于，步骤(3)中去除保护膜的方法包括：先将金属膜撕去，然后使用有机溶剂擦拭去除粘结剂，最后干燥处理。
8.根据权利要求1-7任一项所述的拼接镀膜方法，其特征在于，步骤(4)所述镀膜温度为60～80℃；
优选地，步骤(4)所述镀膜功率为45～90kW；
优选地，步骤(4)形成的镀膜厚度与步骤(2)中镀膜的厚度相同。
9.根据权利要求1-8任一项所述的拼接镀膜方法，其特征在于，步骤(4)中去除镀膜表面的保护膜的方法包括：先将金属膜撕去，然后使用有机溶剂擦拭去除粘结剂，最后干燥处理；
优选地，步骤(4)所述重复的次数至少为一次；
优选地，所述半导体部件完成表面全镀膜后外侧焊接金属件，形成全包结构。
10.根据权利要求1-9任一项所述的拼接镀膜方法，其特征在于，所述拼接镀膜方法包括以下步骤：
(1)将半导体部件先进行清洗，所述半导体部件的材质包括铝、铜、钛、不锈钢或钽中任意一种或至少两种的组合，然后将半导体部件中与镀膜设备中夹具接触的表面采用金属保护膜进行遮蔽，所述保护膜通过粘结剂附着于半导体部件表面，所述保护膜附着后进行干燥；
(2)将步骤(1)处理后的半导体部件在镀膜设备内进行镀膜，控制镀膜温度为60～80℃，镀膜功率为45～90kW，完成非遮蔽表面的镀膜，形成的镀膜厚度为3～6μm；
(3)将步骤(2)中镀膜的表面附着金属保护膜，所述保护膜通过粘结剂附着于镀膜表面，所述保护膜形成后进行修饰，形成均匀保护膜，再将步骤(1)中的保护膜去除，去除方法为先将金属保护膜撕去，然后使用有机溶剂擦拭去除粘结剂，最后干燥处理；
(4)重复步骤(2)进行非遮蔽表面的镀膜，镀膜温度为60～80℃，镀膜功率为45～90kW，形成的镀膜厚度与步骤(2)中镀膜的厚度相同，然后去除步骤(3)中镀膜表面的保护膜，所述重复次数至少为一次，直至得到表面全镀膜的半导体部件。
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