CN214152930U - 一种黑色显示面板 - Google Patents

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梅海娟
赵振廷
李求果
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Guangzhou Yuandian Technology Co ltd
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Abstract

本实用新型公开了一种黑色显示面板，该显示面板由下到上包括衬底基板、黑色膜层和保护层(可选)，所述黑色膜层为石墨膜层(DLC、Me‑DLC)、氮化物膜层(TiN+AlN、TiAlN)、碳氮化物膜层(TiCN、CrCN、ZrCN、TiAlCN)中的任一种或组合。其中，所述显示面板进一步包括过渡层，过渡层设置在衬底基板与黑色膜层之间；所述显示面板进一步包括保护层，保护层设置在黑色膜层的外表面。本实用新型黑色显示面板，工艺性能优良，生产良品率高，且遮光、吸光效果良好，能显著提高对比度。

Description

一种黑色显示面板
技术领域
本实用新型涉及发光模组镀膜技术领域，尤其涉及一种发光模组的黑色显示面板。
背景技术
通过黑色遮光层将显示面板的非显示区域遮盖，可以提高发光模组的显示对比度，并防止相邻色素串光，有效提升发光模组的显示性能。目前主要通过丝网印刷、光刻等工艺制备发光模组(如LED发光模组)的黑色显示面板。然后，当制作尺寸小、精度高的图形化显示面板时，丝网印刷工艺很难实现；同时，光刻等微加工工艺工序多，良品率有限，成本较高。因此，有必要通过技术革新或其它技术来改进显示面板的制备。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种黑色显示面板，本实用新型的黑色显示面板工艺性能优良，生产良品率高，且遮光、吸光效果良好，能显著提高对比度。
为实现上述的目的，本实用新型采用如下的技术方案：
一种黑色显示面板，该显示面板由下到上包括衬底基板、过渡层、黑色膜层和保护层。所述过渡层设置于衬底基板与黑色膜层之间，所述过渡层为金属膜层或合金膜层；所述保护层设置于黑色膜层的外表面。
所述过渡层为金属膜层(Ti、Al、Cr、Zr等)或合金膜层(TiAl、TiCr、TiSi 等)。
所述黑色膜层为石墨膜层(DLC、Me-DLC)、氮化物膜层(TiN+AlN、TiAlN)、碳氮化物膜层(TiCN、CrCN、ZrCN、TiAlCN)中的任一种或组合。
所述保护层为环氧树脂、聚二甲基硅氧烷(PDMS)、硅胶、聚氯乙烯(PVC)、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚氨酯(PU)、聚碳酸酯(PC)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、三醋酸纤维薄膜(TAC)、二氧化硅 (SiO2)、二氧化钛(TiO2)中的任何一种或组合。
所述过渡层的厚度为10～100nm，所述黑色膜层的厚度为0.5～10μm，所述保护层的厚度为1～100μm。
所述黑色膜层的制备方法包括化学气相沉积CVD，如金属有机化学气相沉积MOCVD、等离子体增强化学气相沉积PECVD等；物理气相沉积技术PVD，如溅射法、蒸发法、离子镀膜等。
本发明还公开了上述的黑色显示面板在LED发光模组等领域中的应用。
与现有技术相比，本实用新型提出的一种黑色显示面板，在衬底基板上设有黑色膜层，不仅工艺简单，良品率高，且遮光、吸光效果良好，有效提高对比度。
附图说明
图1为本实用新型显示面板实施例1的结构示意图；
图2为本实用新型显示面板实施例3的结构示意图；
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，但不构成对本实用新型保护范围的限制。
实施例1：
参考附图1，本实施例提供了一种黑色显示面板，该显示面板由下到上包括衬底基板11、黑色膜层12和保护层。采用直流磁控溅射与射频磁控溅射分别溅射TiAl靶与C靶，通过复合沉积在衬底基板上形成黑色膜层TiAlCN。
具体制备工艺按照以下流程：
(1)将经预处理后的衬底基板固定在镀膜腔室内的工件转架上，调节工件转架自转速度10rpm，使基板正对靶材表面，调节靶基距至100mm，预抽本底真空至5.0×10-3Pa；
(2)同时打开Ar、N2气流量阀，调节Ar、N2流量分别为3、1sccm，分子泵转速45000rpm，调节总气压至0.9Pa；
(3)同时开启直流磁控溅射靶TiAl和射频磁控溅射靶C，直流电源功率调节至400W，射频电源功率调节至270W，占空比80％，频率10kHz，复合沉积 600min，得到厚度约9.3μm的黑色膜层TiAlCN；
(4)沉积结束后，关闭直流与射频电源，关闭Ar和N2气流量阀，再关闭分子泵和机械泵后即可开炉门取出样品，完成黑色膜层的镀膜制备。
(5)黑色膜层完成后，通过印刷工艺在黑色膜层表面制备一层环氧树脂保护层，厚度约10μm。
图1为本实施例中显示面板的结构示意图。
实施例2：
参考附图1，本实施例提供了一种黑色显示面板，该显示面板由下到上包括衬底基板11、黑色膜层12和保护层。采用直流磁控溅射与射频磁控溅射先后溅射TiAl靶与C靶，在衬底基板上沉积形成黑色膜层TiAlN/C。
具体制备工艺按照以下流程：
(1)将经预处理后的衬底基板固定在镀膜腔室内的工件转架上，调节工件转架自转速度10rpm，使基板正对靶材表面，调节靶基距至100mm，预抽本底真空至5.0×10-3Pa；
(2)同时打开Ar、N2气流量阀，调节Ar、N2流量分别为3、1sccm，分子泵转速45000rpm，调节总气压至0.9Pa；
(3)开启直流磁控溅射靶TiAl，调节靶功率至400W，沉积380min，得到厚度约4.4μm的黑色膜层TiAlN；
(4)关闭直流溅射靶，关闭N2气流量阀，调节Ar流量至10sccm，调节气压至0.7Pa；
(5)开启射频磁控溅射靶C，调节靶功率至260W，占空比80％，频率10kHz，沉积690min，得到厚度约1.0μm的黑色膜层C；
(6)沉积结束后，关闭直流与射频电源，关闭Ar和N2气流量阀，再关闭分子泵和机械泵后即可开炉门取出样品，完成镀膜。
(7)黑色膜层完成后，通过印刷工艺在黑色膜层表面制备一层环氧树脂保护层，厚度约10μm。
实施例3：
参考附图2，本实施例提供了一种显示面板，该显示面板由下到上包括衬底基板11、过渡层13、黑色膜层12和保护层。采用直流磁控溅射与射频磁控溅射先后溅射TiAl靶与C靶，在衬底基板上沉积形成黑色膜层TiAl/C。
具体制备工艺按照以下流程：
(1)将经预处理后的衬底基板固定在镀膜腔室内的工件转架上，调节工件转架自转速度10rpm，使基板正对靶材表面，调节靶基距至100mm，打开加热器升温至200℃，预抽本底真空至5.0×10-3Pa；
(2)打开Ar气流量阀，调节流量至5sccm，分子泵转速36000rpm，调节气压至0.6Pa；
(3)开启直流磁控溅射靶TiAl，调节靶功率至200W，沉积10min，得到厚度约87nm的过渡层TiAl，提高膜基结合力，且降低透光率；
(4)关闭直流溅射靶，调节Ar流量至6sccm，调节气压至0.6Pa；
(5)开启射频磁控溅射靶C，调节靶功率至250W，占空比80％，频率10kHz，沉积360min，得到厚度约650nm的黑色膜层C；
(6)沉积结束后，关闭直流与射频电源，关闭Ar和N2气流量阀，再关闭分子泵和机械泵后即可开炉门取出样品，完成镀膜。
(7)黑色膜层完成后，通过印刷工艺在黑色膜层表面制备一层环氧树脂保护层，厚度约10μm。
以上所述是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本实用新型的保护范围。

Claims (5)

1.一种黑色显示面板，其特征在于：该显示面板由下到上包括衬底基板、过渡层、黑色膜层和保护层；所述过渡层设置于衬底基板与黑色膜层之间，所述过渡层为金属膜层或合金膜层；所述保护层设置于黑色膜层的外表面。
2.根据权利要求1所述的黑色显示面板，其特征在于：所述黑色膜层为石墨膜层、氮化物膜层、碳氮化物膜层中的任一种或组合。
3.根据权利要求1所述的黑色显示面板，其特征在于：所述保护层为环氧树脂、聚二甲基硅氧烷(PDMS)、硅胶、聚氯乙烯(PVC)、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚氨酯(PU)、聚碳酸酯(PC)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、三醋酸纤维薄膜(TAC)、二氧化硅(SiO2)、二氧化钛(TiO2)中的任何一种或组合。
4.根据权利要求1-3任一项所述的黑色显示面板，其特征在于：所述过渡层的厚度为10～100nm，所述黑色膜层的厚度为0.5～10μm，所述保护层的厚度为1～100μm。
5.如权利要求4所述的黑色显示面板，该黑色显示面板可应用在LED发光模组领域。
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