WO2007086359A1

WO2007086359A1 - 導電性回路の形成方法

Info

Publication number: WO2007086359A1
Application number: PCT/JP2007/050954
Authority: WO
Inventors: Tetsuo Yumoto
Original assignee: Sankyo Kasei Co., Ltd.
Priority date: 2006-01-27
Filing date: 2007-01-23
Publication date: 2007-08-02
Also published as: CN101375649A; JP2007201212A; JP4478115B2; US20090000951A1; EP1976352A4; EP1976352A1; EP1976352B1; DE602007009482D1; CN101375649B

Abstract

マスキング材と基体との双方が高周波信号に対して誘電正接が低く、両者の密着性に優れる導電性回路を簡易かつ低コストで形成できる。軟質重合体を混合分散したシクロオレフィン系樹脂を射出成形して一次基体１を形成し、その表面上に相溶性がある、軟質重合体を混合しないシクロオレフィン系樹脂を射出成形してマスキング層２を形成する。シクロオレフィン系樹脂自体は耐エッチング性を有するため、マスキング層２で覆われていない一次基体１の表面、すなわち導電性回路を形成すべき部分１ａだけについて軟質重合体を溶解させて粗化できると共に親水性となる。したがってマスキング層２で覆われていない部分１ａにのみ、選択的に無電解めっきによる導電層４が形成できる。

Description

導電性回路の形成方法

技術分野

[0001] 本発明は、シクロォレフイン系榭脂を射出成形した基体の表面に、無電解めつきによって導電性回路を形成する方法に関し、特にこの無電解めつきの工程において、極性付与 (または湿潤化とも!、う。 )を必要としな、導電性回路の形成方法に関する。背景技術

[0002] 携帯電話機等の電子機器に使用する電気回路を形成するため、無電解めつきによつて、絶縁性榭脂からなる基体の表面に、銅等の導電性物質の層からなる所定の回路パターンを形成する方法が各種提案されている。これらの方法の一つに、高周波信号に対して誘電正接が低ぐかつ耐薬品性に優れるシクロォレフイン系榭脂を射出成形した基板の表面に、無電解めつきによって、導電性物質の層からなる所定の回路パターンを形成する方法がある (例えば特許文献 1参照。；)。

[0003] この導電性物質の層からなる所定の回路パターンを形成する方法は、次のとおりである。すなわち、まずゴム弾性体等の軟質重合体を含有させた非結晶性榭脂であるシクロォレフイン系榭脂を射出成形して基板を形成する。次、でこの基板の表面に、熱可塑性のポリエステル系榭脂を射出成形等して、導電性回路を形成すべき部分を残してマスキングする。そしてこのようにマスキングした基板をエッチング液に浸漬して、ゴム弾性体等の軟質重合体を含有する基板と、マスキング材との表面を粗化し、この粗ィ匕した基板とマスキング材との表面に、無電解めつきの触媒核となる触媒を付与する。なおシクロォレフイン系榭脂自体は、耐ェッチング性を有する力このシクロォレフィン系榭脂に含有させたゴム弾性体等の軟質重合が、エッチング液によって溶解するため、マスキングで覆われて!/ヽな、基板の表面も粗ィ匕される。

[0004] 次に基板の表面を覆うマスキング材を除去すると、この基板の表面には、表面が粗化され、かつ触媒が付与された導電性回路を形成すべき部分が形成されるので、この基板全体を無電解めつき液に浸漬すれば、この導電性回路を形成すべき部分に導電性回路を形成することができる。なおマスキング材を除去した部分は、無電解めつきに必要な表面粗化と触媒付与とがなされていないため、めっき層は形成されず、導電性回路の絶縁性が確保される。

特許文献 1 :特開 2003— 115645号公報（1〜7頁）

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0005] 上述した特許文献 1に記載の手段は、導電性回路を形成する基板として、高周波信号に対して誘電正接が低ぐかつ耐薬品性、耐熱性、及び耐水性等を有するシク口才レフイン系榭脂を使用することによって、高周波領域における誘電損が低ぐ耐久性に優れた回路基板を提供するものである。しかるにこの手段には、多くの改良すべき点があった。すなわち第 1に、上述した手段では、熱可塑性榭脂からなるマスクもエッチングによって粗ィ匕され、触媒を付与されるため、このマスク上にも無電解めつき層が形成される。したがって、基体上の導電性回路を形成すべき部分にのみ、無電解めつき層を選択的に形成するためには、この無電解めつきの前あるいは後に、このマスクを除去する必要がある。したがってマスクを除去するための工程や設備が必要になり、その分コストと製造時間が増加する。

[0006] 第 2には、絶縁基体に導電性回路を形成する手段としては、上述した手段のように、めっき性の基体の表面であって、マスクで覆われていない部分にのみ選択的に無電解めつき等を行う手段と、その逆に非めつき性の基体上に、めっき性の被めつき層を形成し、この被めつき層上にのみ選択的に無電解めつき等を行う手段とがある。し力るに後者の手段においては、無電解めつき等で形成した導電性回路の下側に、被めっき層がそのまま残存する。したがって、このように被めつき層を基体上に残存させる構成では、この被めつき層も基体と同様に、高周波信号に対して誘電正接が低ぐかつ耐薬品性、耐熱性、及び耐水性等を有することが望ましい。また被めつき層と基体との間の相溶性をより向上させて、両者の密着性を更に強固にすることが望ましい

[0007] 第 4に、通常無電解めつきの核となる触媒を付与するためには、触媒の付与面が触媒イオンを引き付ける極性基 (親水性)を有する必要があり、そのために表面活性剤等による極性付与 (湿潤化)の工程が必要となる。ここで仮に、極性付与 (湿潤化)の工程が省略できれば、その分コストと製造時間とを削減することができる。そして第 5 に、無電解めつきは、いわゆる銅、ニッケル、あるいは金等の単体金属のめっき層の形成であって、合金のめっき層を形成することはできない。したがって、無電解めつきだけでは、スィッチ等の接触圧に対する耐久性が不足し、またこの導電性回路にコネクタ用の接触子を溶接等することが困難となる。

[0008] そこで本発明の目的は、上述した問題点を解決できる導電性回路の形成方法を提供することにある。具体的には、第 1に、基体上に形成したマスクを除去する必要をなくすることにある。第 2に、基体およびマスク双方について、高周波信号に対して誘電正接が低ぐかつ耐薬品性、耐熱性、及び耐水性等を有するようにすることにある。第 3に、マスク材と基体との間の相溶性をより向上させ、両者の密着性をより強固にすること〖こある。第 4に、無電解めつき用の触媒を付与するための極性付与 (湿潤化）ェ程を省略することにある。そして第 5に、耐久性と溶接性を向上させた導電性回路を形成することにある。

課題を解決するための手段

[0009] 本願発明者は、鋭意研究を重ねた結果、基体とこの基体の表面を選択的に覆うマスクとの双方にシクロォレフイン系榭脂を使用し、いずれか一方にのみ軟質重合体を混合することにより、上述した課題を、一挙に解決できることを見出した。

[0010] すなわちシクロォレフイン系榭脂は、シクロォレフイン榭脂単体とシクロォレフイン榭脂に線状ォレフインを共重合させた、シクロォレフイン共重合樹脂があり、双方共に上述したように高周波信号に対して誘電正接が低ぐかつ耐薬品性、耐熱性、及び耐水性等を有するため、これを基体だけでなぐ基体とマスキングとの双方に使用することによって、基体だけにシクロォレフイン系榭脂を使用する場合に比べて、より高周波領域における誘電損が低ぐ耐久性に優れた回路基板を形成できる。また、基体とマスキングとの双方に同一の榭脂材を使用することによって、双方の相溶性がより向上し、両者の密着性をより強固にすることができる。

[0011] 次にシクロォレフイン系榭脂自体は、優れた耐ェッチング性を有するため、化学エツチングによって粗化されず、触媒イオンを引き付ける極性基 (親水性)を有しない。このため触媒が表面に吸着しな、。一方軟質重合体を混合したシクロォレフイン系榭脂は、化学エッチングによってこの軟質重合体が溶解し、容易に表面を粗ィ匕することができる。さらにこの粗化された表面自体が、触媒イオンを引き付ける極性基 (親水性)を有するため、触媒付与前に極性付与 (湿潤化)の工程を設ける必要がない。したがって、軟質重合体を混合したシクロォレフイン系榭脂の部分にのみ、極めて簡易な工程によって、容易に無電解めつきによる導電性回路を形成することができる。

[0012] すなわち本発明による導電性回路の形成方法の第 1の特徴は、軟質重合体を混合したシクロォレフイン系榭脂を射出成形して一次基体を形成する第 1の工程と、この一次基体に対して相溶性を有する軟質重合体を混合しないシクロォレフイン系榭脂を用いて、この一次基体の表面であって所定の回路パターン力なる導電層を形成すべき部分以外を覆うマスキング層を射出成形して、二次基体を形成する第 2のェ程とを備えて、る。また上記マスキング層に覆われて、な、導電層を形成すべき部分を粗化する第 3の工程と、この粗化した導電層を形成すべき部分に無電解めつきによって導電層を形成する第 4の工程とを備えている。そして上記第 4の工程において、極性付与 (湿潤化）工程を省ヽてあることにある。

[0013] また上述した手段とは逆に、軟質重合体を混合しな、シクロォレフィン系榭脂で一次基体を形成し、この基体の表面上に、軟質重合体を混合したシクロォレフイン系榭脂を射出成形して被めつき層を形成すれば、この被めつき層の表面だけに、選択的に無電解めつき層を形成することができ、上述と同等の特性を備えることができる。そこで本発明による導電性回路の形成方法の第 2の特徴は、軟質重合体を混合しな!、シクロォレフィン系榭脂を射出成形して一次基体を形成する第 1の工程と、この一次基体に対して相溶性を有する軟質重合体を混合したシクロォレフイン系榭脂を用いて、この一次基体の表面上であって所定の回路パターン力なる導電層を形成すベき部分に、被めつき層を射出成形して、二次基体を形成する第 2の工程とを備えている。また上記被めつき層の表面を粗ィ匕する第 3の工程と、この粗ィ匕した被めつき層の表面に、無電解めつきによって導電層を形成する第 4の工程とを備えている。そして上記第 4の工程にぉ、て、極性付与 (湿潤化）工程を省!ヽてあることにある。

[0014] なお上記一次基体は貫通孔を有し、上記被めつき層の一部は、この貫通孔を通じて、この一次基体の一方の表面と他方の表面との両表面に射出成形してあることが望ましい。このように構成することによって、例えば一次基体の表と裏との両面を被めつき層で覆う場合には、一次基体の一方の面側力シクロォレフイン系榭脂を金型に充填すれば足りるため、金型形状の簡易化等を図ることができる。

[0015] また上記導電層を形成する第 4の工程の後に、この導電層に電解めつきを積層する第 5の工程と、上記軟質重合体を混合しな!、シクロォレフィン系榭脂の表面に残存する非電導性析出残渣を、化学溶解よつて除去する第 6の工程を備えるように構成することが望ましい。すなわち無電解めつき層の上に電解めつきすることによって、例えば厚、合金めつきを迅速に積層形成できるため、耐久性や溶接性に優れる導電層回路を形成することができる。また軟質重合体を混合しな、シクロォレフィン系榭脂の表面、すなわち導電層を形成すべき部分以外に、触媒やめつきの一部が残存すると、絶縁不良等を生じる恐れがある。したがって化学溶解等によって、これらの残渣を除去することが望ましいが、例えば無電解銅めつき力もなる導電層上に電解銅めっきを積層した場合には、残渣を化学溶解する際に、導電層を形成する電解めつき層も減損する場合もある。しかるに電解金めつきを積層した場合には、その下地めつきの銅並びにニッケルの残渣は硝酸で溶解除去でき、一方この金めつきは硝酸では溶解できないため、不要な残渣を選択的に溶解して取り除くことができる。

[0016] そこで本発明では、化学溶解によって、これらの残渣を除去すると共に、無電解めつき層の上に電解めつきすることによって、この化学溶解による侵食に対する余裕厚さを持たせている。

[0017] さらに上記シクロォレフイン系榭脂は、シクロォレフイン系榭脂と線状ォレフインとからなるシクロォレフィン共重合榭脂であることが望ま、。軟質重合体を混合しな!、シクロォレフィン共重合榭脂は、透明体であるため、容易に光が透過する。したがって例えば一次基体に、軟質重合体を混合しな!、シクロォレフィン共重合榭脂を使用すれば、照光、導光、あるいはレンズ等の光学機能等の多機能を兼ね備えた導電性回路を形成することができる。

[0018] ここで「軟質重合体」とは、エッチング液に溶解する素材を意味し、例えば天然ゴム、ポリブタジエン、ポリイソプレン、ポリイソブチレン、ネオプレン、ポリスルフイドゴム、チォコールゴム、アクリルゴム、ウレタンゴム、シリコーンゴム、ェピクロロヒドリンゴム、スチレンブタジエンブロック共重合体、水素添加スチレンブタジエンブロック共重合体（SEB)、スチレンブタジエンスチレンブロック共重合体（SBS)、水素添加スチレンブタジエンスチレンブロック共重合体（SEBS)、スチレンイソプレンブロック共重合体、水素添加スチレンイソプレンブロック共重合体（SEP)、スチレンイソプレンスチレンブロック共重合体（SIS)、水素添加スチレンイソプレンースチレンブロック共重合体（SEPS)、またはエチレンプロピレンゴム（EPM)、エチレンプロピレンジェンゴム（EPDM)、エチレンーブテン共重合体、エチレン—オタテン共重合体、直鎖状低密度ポリエチレン系エラストマ一等のォレフィン系ゴム、あるいはブタジェン一アクリロニトリル一スチレン一コアシェルゴム（ABS)、メチルメタタリレート一ブタジエンスチレンコアシェルゴム（MBS)、メチルメタクリレートーブチルアタリレ一トースチレンコアシェルゴム（MAS)、ォクチルァクリレートーブタジエンースチレン一コアシェルゴム（MABS)、アルキルアタリレート一ブタジエン一アクリロニトリル一スチレン一コアシェルゴム（AABS)、ブタジエン一スチレン一コアシェルゴム、メチルメタタリレート一ブチルアタリレート一シロキサンのようなシロキサン含有コアシェルゴム等のコアシェルタイプの粒子状弾性体、またはこれらを変性したゴム等が該当する。

[0019] 「シクロォレフィン系榭脂」とは、例えばシクロォレフイン系単量体とエチレンとの付加重合体、シクロォレフイン系単量体の付加重合体、シクロォレフイン系単量体の開環重合体及びその水素化物、芳香族ビニル単量体の重合体の芳香環部分を水素化したもの、芳香族ビニル単量体と共役ジェン単量体とのランダムまたはブロック共重合体の芳香環部分を水素化したもの、及び脂環式ビニル単量体の重合体等の非晶性榭脂が挙げられる。なおここで、シクロォレフイン系単量体とは、シクロペンタジェンとォレフインとの付加反応等によって得られるシクロォレフイン、ジシクロペンタジェン、及びテトラシクロドデセン等の多環不飽和炭化水素、並びにそれらのアルキル置換体、カルボキシル基、酸無水物基、エポキシ基、アミド基、及びエステル基等の極性基置換体である多環不飽和炭化水素誘導体を意味する。

[0020] 「一次基体」とは、その表面に後述する「マスキング層」あるいは「被めつき層」を射出成形することができる部品また部品の部分を意味し、その形状は問わない。また平面的なものに限らず、立体的な回路を形成するものも含む。「所定の回路パターン」とは、後述する無電解めつきによって導電性回路を形成すべき部分を意味し、 2次元的なものに限らず、 3次元的なものも含む。また一次基体の表面に開口する内部空間の表面に設ける場合も含む。「導電層」とは、後述する無電解めつきによって形成する金属層を意味する。

[0021] 「マスキング層」とは、一次基体の表面上であって、所定の部分を除、た部分を覆う被覆層を意味し、最終的には一次基体の表面上に形成した各々の導電性回路を、相互に電気的に絶縁するものを意味する。また「二次基体」とは、一次基体と、この一次基体の表面上に射出成形した「マスキング層」、あるいは後述する「被めつき層」との両方を含む全体を意味する。「粗化」とは、上述した「軟質重合体」を混合して射出成形した一次基体または被めつき層を、エッチング液に浸漬等した場合に、この一次基体または被めつき層の表層に混合分散する「軟質重合体」が選択的に溶解し、溶解除去された欠落部分によって、表面の粗さを増すことを意味する。

[0022] 「無電解めつき」とは、公知の技術であって、めっき液中の還元剤の酸ィ匕分解によつて電子が放出され、この遊離電子による還元作用によって、めっき液中の溶解金属を被めつき面に析出するものを意味し、無電解めつきによって導電層を形成する金属としては、銅、ニッケル、コバルト及び錫等が該当する。「極性付与」（湿潤化)」とは、上述したように、触媒の付与面に、表面活性剤等によって、触媒イオンを引き付ける極性基 (親水性)を備えさせることを意味する。

[0023] 「電解めつき」とは、公知の技術であって、金属イオンを含んだ電解質溶液に電流を通じて、目的の金属を被めつき面上に析出させるものを意味し、本発明においては、無電解めつき層を陰極にして、この無電解めつき層の上に、目的の金属を析出させる。なお電解めつき用の金属としては、例えば銅、ニッケル、クロム、錫、金、銀、白金、インジウム、あるいはこれらを含む合金が該当する。「非電導性析出物」とは、触媒または無電解めつきで析出させた金属を意味し、例えば初期銅めつき (非連続膜)が該当する。

[0024] 「シクロォレフィン系榭脂」とは、シクロォレフイン類をモノマーとして合成された脂環構造を主鎖に持つポリマーを意味し、その化学構造式の例を図 3及び図 4に示す。具体的には、図 3に示す化学構造式を有するものとして、日本ゼオン株式会社製の「 ZEONEX (登録商標）」、同社製の「ZEONOR (登録商標）」、及び JSR株式会社製の「ARTON」等が該当する。またシクロォレフイン系単量体と線状ォレフインの共重合体は、図 4に示す化学構造式を有するものとして、 Ticona社製「Topas」、及び三井ィ匕学株式会社製の「アベル」等が該当する。

発明の効果

[0025] 第 1に、基体上に形成したマスクを除去する工程を省くことによって、その分コストと回路形成時間とを削減することができる。第 2に、基体およびマスク双方について、シクロォレフィン系榭脂を用いることによって、さらに高周波信号に対して誘電正接が低ぐかつ耐薬品性、耐熱性、及び耐水性等を有するようにすることができる。第 3に、マスク材と基体との間の相溶性をより向上させ、両者の密着性をより強固にすることができる。第 4に、無電解めつき用の触媒を付与するための極性付与 (湿潤化）工程を省くことによって、その分コストと製造時間とを削減することができる。

[0026] 第 5に、無電解めつきに電解めつきを積層することによって、耐久性と溶接性を向上させた導電性回路を形成することができる。さらにこの電解めつきの積層によって、導電層に対する過剰な侵食を防止しつつ、化学溶解を用いて、導電層を形成すべき部分以外に残存する触媒等の残渣を除去することができる。また一次基体に貫通孔を設けることによって、金型形状の簡易化等を図ることができる。さらに、例えば一次基体に、軟質重合体を混合しないシクロォレフイン共重合榭脂を使用することによって、光学機能を兼ね備えた多機能品を形成することができる。

図面の簡単な説明

[0027] [図 1]導電性回路の形成手順を示す工程図である。

[図 2]導電性回路の他の形成手順を示す工程図である。

[図 3]シクロォレフイン系榭脂の具体例を示すィ匕学構造式である。

[図 4]シクロォレフィン単量体と線状ォレフイン共重合体の具体例を示す化学構造式である。

符号の説明

[0028] 1, 11 一次基体

la 導電層を形成すべき部分 lb 導電層を形成すべき部分以外 (マスキング層で覆われた部分）

12 被めつき層

2 マスキング層

3, 13 二次基体

4, 14 無電解めつき (導電層）

5, 15 電解銅めつき

発明を実施するための最良の形態

[0029] 図 1を参照しつつ、本発明による導電性回路の形成方法の実施の形態を説明する。まず図 1 (A)に示すように、シクロォレフイン系榭脂の 1である、シクロォレフイン環状系榭脂と線状ォレフインとからなるシクロォレフイン共重合榭脂に、軟質重合体の 1であるスチレン一エチレン一プロピレン一スチレンブロック共重合体エラストマ一（以下「 SESP」という。）を 20重量％、混合拡散した材料を射出成形して、ブロック状の一次基体 1を形成する。次に一次基体 1を洗浄脱脂して、汚れや油成分を除去して乾燥した上で、図 1 (B)に示すように、この一次基体 1に対して相溶性を有する、軟質重合体を混合しないシクロォレフイン系榭脂と線状ォレフインとからなるシクロォレフイン共重合榭脂を用いて、この一次基体の表面であって所定の回路パターン力なる導電層を形成すべき部分 la以外 lbを覆うマスキング層 2を射出成形して二次基体 3を形成する。

[0030] 次に二次基体 3を洗浄し脱脂して (C)、乾燥した上でエッチング液に浸漬し、図 1 ( D)に示すように、一次基体 1のマスキング層 2で覆われていない導電層を形成すベき部分 laについて、混合分散させた SEPSを溶解し、この部分の表面を粗ィ匕する。なお

マスキング層 2自体は耐エッチング性を有するため、エッチング液に浸漬しても粗ィ匕されず、疎水性が維持される。ここでエッチング液には、例えば無水クロム酸 400gZ リットルと、硫酸 200ミリリットル Zリットルとの混酸溶液を使用し、温度 75°Cで 60分間浸漬する。

[0031] 次に二次基体 3をアルカリ水溶液で中和し (E)、洗浄乾燥させた上で、触媒付与液に浸漬させて、塩化パラジウムを一次基体 1のマスキング層 2で覆われていない導電層を形成すべき部分 laに吸着させる (F)。なお一次基体 1のマスキング層 2で覆われていない導電層を形成すべき部分 laは、上述した工程 (D)において、エッチング液によって粗ィ匕されると共に、極性付与 (湿潤化）されているため、塩化パラジウムが容易かつ強固に吸着する。一方マスキング層 2自体は、上述したように、エッチング液によって粗ィ匕されず、かつ疎水性であるため、塩化パラジウムは吸着しない。よつて導電層を形成すべき部分 laにのみ、塩化パラジウムが選択的に吸着する。次に活性化処理剤を用いて、吸着した塩化パラジウムを還元して、金属パラジウム力もなる触媒核を形成する (G)。

[0032] 次に二次基体 3を水洗して、無電解銅めつき液に浸漬し、一次基体 1の表面に、無電解銅めつきからなる導電層 4を選択的に形成する (H)。なお無電解銅めつき液としては、プラスチック材へ適用できる一般的なものを使用すればよぐ例えば金属塩として硫酸銅を 5〜15g/リットル、還元剤としてホルマリンの 37容量⁰ /₀の溶液を 8〜12 mリットル Zリットル、錯ィ匕剤としてロッシエル塩を 20〜25gZリットル、そしてアルカリ剤として水酸ィ匕ナトリウムを 5〜12gZリットル混合した、温度 20°Cの溶液を使用することができる。この無電解銅めつき力もなる導電層 4は、マスキング層 2で覆われていない一次基体 1の表面であって、粗化され、触媒核を付与された導電層を形成すベき部分 laにのみ形成され、粗ィ匕および触媒核を付与されていない、このマスキング層には形成されない。したがって、一次基体 1の表面上であって所定の回路パターンからなる導電層を形成すべき部分 laにのみ、選択的に導電層 4が形成される。

[0033] 次に無電解銅めつき液を水洗して除去し、導電層 4を陰極にして、この表面に電解銅めつき 5を積層する (1)。なお電解銅めつきは、一般的なものを使用すればよぐさらに必要に応じて、この電解銅めつき 5の上に、電解ニッケルめっき、および電解金めっき層等を形成してもよヽ。

[0034] ところでマスキング層 2の表面に触媒やめつきの一部が残存すると、絶縁不良等を生じる恐れがある。そこで電解銅めつき 5 (1)を行った後の二次基体 3を、硝酸液等で化学溶解し、これらの残存する触媒やめつきの一部を除去する ω。なおここで、無電解銅めつき 4に積層する電解銅めつき 5の厚さをある程度厚くしておけば、最終仕上がりが銅であっても、この化学溶解による侵食に対する余裕厚さがあるため、導電性回路の機能が損なわれることはない。また電解銅めつき 5の上に金めつき行なうことによって、この化学溶解による侵食を防止することもできる。最後にアルカリ水溶液等によって、この硝酸液等を中和する (K)。

[0035] さて次に、図 2を参照しつつ他の実施の形態を説明する。なおこの実施の形態は、上述した一次基体 1と、マスキング層 2とに使用する材料を逆にしたものである。また図 1に示す部品や部分に相当するものについては、便宜上、図 1に示す部品番号に一律 10を加えた番号にしてある。さて図 2の (Α)に示すように、軟質重合体を混合しないシクロォレフイン系榭脂の 1である、シクロォレフイン系榭脂と線状ォレフインとからなるシクロォレフィン共重合榭脂を射出成形して、ブロック状の一次基体 11を形成する。

[0036] 次に一次基体 11を洗浄脱脂して、汚れや油成分を除去して乾燥した上で、図 2 (Β )に示すように、この一次基体 11に対して相溶性を有する、軟質重合体を混合したシクロォレフィン系榭脂と線状ォレフインカもなるシクロォレフイン共重合榭脂を用いて、この一次基体の表面であって、所定の回路パターンからなる導電層を形成すべき部分に、被めつき層 12を射出成形して、二次基体 13を形成する。なおここで軟質重合体は、上述したものと同様に、 SESPを 20重量％混合拡散する。

[0037] 次に二次基体 13を洗浄し脱脂して (C)、乾燥した上でエッチング液に浸漬し、図 2

(D)に示すように、被めつき層 12の表面 12aについて、混合分散させた SEPSを溶解し、この部分の表面を粗ィ匕する。なお一次基体 11の表面であって、被めつき層 12 で覆われていない部分 l ibは、耐ェッチング性を有するため、エッチング液に浸漬しても粗ィ匕されず、疎水性が維持される。ここでエッチング液には、上述と同様なものを使用する。

[0038] 次に二次基体 13をアルカリ水溶液で中和し (E)、洗浄乾燥させた上で、触媒付与液に浸漬させて、被めつき層 12に、塩化パラジウムを吸着させる (F)。なお被めつき層 12の表面 12aは、上述した工程 (D)において、エッチング液によって粗ィ匕されると共に、極性付与 (湿潤化)されているため、塩化パラジウムが容易かつ強固に吸着する。一方一次基体 11自体は、上述したように、エッチング液によって粗ィ匕されず、力つ疎水性であるため、塩化パラジウムは吸着しない。よって導電層を形成すべき部分である被めつき層 12にのみ、塩化パラジウムが選択的に吸着する。次に活性化処理剤を用いて、吸着した塩化パラジウムを還元して、金属パラジウムからなる触媒核を形成する（G)。

[0039] 次に二次基体 13を水洗して、無電解銅めつき液に浸漬して、被めつき層 12の表面 12aに、無電解銅めつきからなる導電層 14を形成する（H)。なお無電解銅めつき液は、上述と同様なものを使用する。この無電解銅めつき力もなる導電層 14は、粗ィ匕され、触媒核を付与された被めつき層 12の表面 12aにのみ形成され、一方粗化および触媒核を付与されていない、一次基体 11の表面 l ibには形成されない。したがって、一次基体 11の表面上であって所定の回路パターン力なる被めつき層 12の表面 1 2aにのみ、選択的に導電層 14が形成される。

[0040] 次に無電解銅めつき液を水洗して除去し、導電層 14を陰極にして、この表面に電解銅めつき 15を積層する (1)。なお電解銅めつきは、一般的なものを使用すればよく、さらに必要に応じて、電解銅めつき 15の上に、電解ニッケルめっき、および電解金めっき層等を形成してもよヽ。

[0041] 次に電解銅めつき 15を行った (I)後の二次基体 13を、硝酸液等で化学溶解し、これらの残存する触媒やめつきの一部を、除去する Ci)。なおここで、無電解銅めつき 1 4に積層する電解銅めつき 15の厚さをある程度厚くしておけば、最終仕上がりが銅であってもこのエッチングによる侵食に対する余裕厚さがあるため、導電性回路の機能が損なわれることはない。また電解銅めつき 15の上に金めつき行なうことによって、この化学溶解による侵食を防止することもできる。最後にアルカリ水溶液等によって、この硝酸液等を中和する (Κ)。

[0042] なお上述した一次基体 1, 11、並びにマスキング層 2及び被めつき層 12に使用するシクロォレフィン系榭脂には、一次基体 1, 11、並びにマスキング層 2及び被めつき層 12には、ガラス繊維、チタン酸バリユウムゥイスカー等の充填材を混合することによつて、誘電率の変更 ·強度や耐久性等を向上させることができる。さらにこれらにアンチブロッキング剤、酸化防止剤、核剤、帯電防止剤、プロセスオイル、可塑剤、離型剤、相溶化剤，難燃剤、難燃助剤、あるいは顔料等の添加剤を混合することによって、それぞれの添加剤の機能効果を発揮させることもできる。実施例 1

[0043] 軟質重合体を混合したシクロォレフイン系榭脂として、「日本ゼオン (株)製の ZEO NEX #RS820、 Tg :約 140°C、水素添加率： 99. 7%以上、金属元素量： lppm以下」 100部〖こ対して、スチレン一エチレン一プロピレン一スチレンブロック共重合体ェラストマー「クラレ (株)製のセプトン数平均分子量： 60000、 Tg：少なくとも 40°C以下に 1点あり、金属元素量： 15ppm」30部、およびフノール系酸化防止剤 0. 5部を添加して、熱可塑性組成物のペレットを得た。このペレットを榭脂温度 280°Cで射出成形して、ブロック状の一次基体を形成した。

[0044] 次に一次基体を洗浄脱脂して、汚れや油成分を除去して乾燥した上で、軟質重合体を混合しな、上記シクロォレフイン系榭脂「日本ゼオン (株)製の ZEONEX # 48 0」を用いて、この一次基体の表面であって、所定の回路パターン力なる導電層を形成すべき部分以外を覆おうマスキング層を射出成形して、二次基体を形成した。そして二次基体を洗浄脱脂して乾燥した上、エッチング液に浸漬して、上記マスキング層で覆われていない一次基体の表面を粗ィ匕した。このエッチング液としては、無水クロム酸 400g/リットルと硫酸 200ミリリットル/リットルとの混合溶液を用い、温度： 7 5°Cで 60分浸漬した。その結果、マスキング層で覆われていない一次基体の表面のみ粗化、及び湿潤化され、マスキング層は、粗化及び湿潤化されなかった。

[0045] 次に二次基体を中和して洗浄乾燥させた。なおこの中和剤として「シプレイ'ファーイースト (株)製のニュートライザ一 PM50」を用い、温度 50°Cで 3〜5分間浸漬した。次に二次基体を触媒付与液に浸漬させて、マスキング層で覆われていない一次基体の表面に塩化パラジウムを吸着させた。この触媒付与は、「シプレイ'ファーイースト (株)製のキヤタポジヱット 44」を用い、温度 50°Cで 8〜10分間浸漬させた。この結果、マスキング層で覆われていない粗ィ匕された一次基体の表面には、別途湿潤化を行なわなくても塩化パラジウムが吸着することが確認された。またマスキング層には吸着されないことも確認した。そしてこの吸着した塩化パラジウムを活性ィ匕して、パラジウム金属からなる触媒核を形成した。なおこの活性ィ匕は、「シプレイ'ファーイースト (株）製のァクセラーター 19」を用い、室温にて 10〜12分間浸漬した。

[0046] 次に二次基体を水洗して、無電解銅めつき液に浸漬して、触媒核を形成した一次基体の表面に、無電解銅めつきからなる厚さ 0.05〜0.3 /z mの導電層を選択的に形成した。なお無電解銅めつき液としては、「シプレイ'ファーイースト (株)製のカッパ一ミックス # 328L : 12. 5%、同 # 238A: 12. 5%、および同 # 328C : 2. 5%」を水 72 . 5%に混合した液を用い、室温にて 15分間浸漬させた。以上により、マスキング層で覆われていない粗化'触媒付与された一次基体の表面のみ、無電解銅めつきによる導電性回路が選択的に形成できることを確認した。

実施例 2

[0047] 軟質重合体を混合した、シクロォレフイン系榭脂および線状ォレフインカ成るシクロォレフイン共重合榭脂として、「ポリプラスチックス (株)製の TOPAS #RSC10001 」を、上述と同様にして射出成形して一次基体を形成した。次に一次基体の表面の汚れやごみ等を脱脂'除去して、この一次基体に対し相溶性のある、軟質重合体を混合しなヽシクロォレフィン系榭脂として「日本ゼオン (株)製の ZEONOR # 1020 R」を用いて、この一次基体の表面であって所定の回路パターン力もなる導電層を形成すべき部分以外を覆うマスキング層を射出成形して二次基体を形成した。

[0048] 次に二次基体を洗浄脱脂して乾燥した上、クロム酸—硫酸の混酸液力なるエッチング液に浸漬して、上記マスキング層で覆われて、な、一次基体の表面を粗ィ匕した。次に塩酸溶液にて、二次基体に付着するクロム酸を中和 '除去して、上述と同様にして、粗ィ匕した一次基体の表面に塩化パラジウムを付着した後に、この塩化パラジゥムを還元して、ノラジウム金属力もなる触媒核を形成した。次にこの二次基体に対して、 ABS榭脂への標準無電解銅めつきを行った。その結果、上記マスキング層で覆われていない一次基体の表面であって、粗化され触媒を付与された部分にのみ、無電解銅めつきからなる導電層が形成され、このマスキング層には、無電解銅めつきが形成されなヽことを確認した。

実施例 3

[0049] 実施例 2とは逆に、軟質重合体を混合しな!、シクロォレフィン系榭脂として「日本ゼオン (株)製の ZEONOR # 1020R」を用いて一次基体を射出成形し、次、でこの一次基体に対して相溶性のある、軟質重合体を混合したシクロォレフイン系榭脂および線状ォレフインカゝら成るシクロォレフイン共重合榭脂として「ポリプラスチックス (株）製の TOPAS #RSC10001」用いて、この一次基体の表面上であって導電層を形成すべき部分に、被めつき層を射出成形して二次基体を形成した。

[0050] 次、で、上述と同様な手順にて、二次基体をエッチング液、触媒付与液、および無電解めつき液に浸漬した。その結果、被めつき層のみが粗化されると共に触媒が付与され、この被めつき層で覆われていない一次基体の表面は、粗化及び触媒付与がされず、この被めつき層のみに、無電解めつき層が選択的に形成できることを確認した。

実施例 4

[0051] 上述した実施例 3と同様にして、一次基体の表面に射出成形した被めつき層に、無電解めつき層を選択的に形成した。そして無電解めつき液を水洗し除去した上で、この無電解めつき層を陰極として、その表面に厚さ 5〜10 μ mの電解銅めつきを積層した。その結果、一般的に使用されている電解銅めつき方法によって、無電解めつき層にのみ、電解銅めつきが迅速に積層できることを確認した。

[0052] 次に電解銅めつきの積層後に、二次基体全体を硫酸液で化学溶解した。その結果、電解銅めつきは、この化学溶解による侵食に対して十分な余裕厚さを有し、導電層の機能が損なわれることはないことを確認した。したがって、被めつき層で覆われていない一次基体の表面に、触媒やめつきの一部が残存する恐れがある場合には、電解銅めつきに対するオーバーエッチングを生じさせることなぐこれらを十分除去することがでさる。

産業上の利用可能性

[0053] 本発明による導電性回路の形成方法は、基体上に形成したマスクを除去する必要がなぐ基体およびマスク双方が高周波信号に対して誘電正接が低ぐかつマスク材と基体との間の相溶性が高ぐさらに無電解めつき用の触媒を付与するための極性付与 (湿潤化)が不要であるため、電子機器等に関する産業に広く利用可能である。

Claims

請求の範囲

軟質重合体を混合したシクロォレフイン系榭脂を射出成形して一次基体を形成する第 1の工程と、

上記一次基体に対して相溶性を有する、軟質重合体を混合しなヽシクロォレフイン系榭脂を用いて、この一次基体の表面であって所定の回路パターン力なる導電層を形成すべき部分以外を覆うマスキング層を射出成形して二次基体を形成する第 2の工程と、

上記マスキング層に覆われて、な、導電層を形成すべき部分を粗化する第 3の工程と、

上記粗化した導電層を形成すべき部分に無電解めつきによって導電層を形成する第 4の工程とを備え、

上記第 4の工程にぉ、て、極性付与 (湿潤化）工程を省!、てある

ことを特徴とする導電性回路の形成方法。

軟質重合体を混合しないシクロォレフイン系榭脂を射出成形して一次基体を形成する第 1の工程と、

上記一次基体に対して相溶性を有する、軟質重合体を混合したシクロォレフィン系榭脂を用いて、この一次基体の表面上であって所定の回路パターン力なる導電層を形成すべき部分に被めつき層を射出成形して二次基体を形成する第 2の工程と、

上記被めつき層の表面を粗ィ匕する第 3の工程と、

上記粗ィ匕した被めつき層の表面に無電解めつきによって導電層を形成する第 4 の工程とを備え、

ことを特徴とする導電性回路の形成方法。

請求項 2において、上記一次基体は貫通孔を有し、

上記被めつき層の一部は、上記貫通孔を通じて上記一次基体の一方の表面と他方の表面との両表面に射出成形してある

ことを特徴とする導電性回路の形成方法。請求項 1〜3のいずれかの 1において、上記導電層を形成する第 4の工程の後に、この導電層に電解めつきを積層する第 5の工程と、

上記軟質重合体を混合しないシクロォレフイン系榭脂の表面に残存する非電導性析出残渣を、化学溶解によって除去する第 6の工程を備える

ことを特徴とする導電性回路の形成方法。

請求項 1〜4のいずれかの 1において、上記シクロォレフイン系榭脂は、シクロォレフイン系榭脂と線状ォレフインとからなるシクロォレフイン共重合榭脂である

ことを特徴とする導電性回路の形成方法。