JPH10308562A - 樹脂基板およびその製造方法 - Google Patents
樹脂基板およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 安価で小型、表面実装性、高温安定、耐薬品
性、接着性および製造時の安全衛生などに優れた樹脂基
板およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 樹脂成形体と、成形体表面の少なくとも
一部に形成された粗面部と、該粗面部上に形成された金
属膜とからなり、該粗面部が、複数の溝から形成され、
これらの窪みは１本以上の線に沿ってほぼ一定のピッチ
で配列されていることを特徴とする樹脂基板。樹脂成形
体表面の少なくとも一部に、レーザ光を掃引照射して、
レーザ光の掃引方向にほぼ一定のピッチの複数の窪みか
らなる粗面部を形成し、該粗面部に金属膜を形成するこ
とを特徴とする樹脂基板の製造方法。
性、接着性および製造時の安全衛生などに優れた樹脂基
板およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 樹脂成形体と、成形体表面の少なくとも
一部に形成された粗面部と、該粗面部上に形成された金
属膜とからなり、該粗面部が、複数の溝から形成され、
これらの窪みは１本以上の線に沿ってほぼ一定のピッチ
で配列されていることを特徴とする樹脂基板。樹脂成形
体表面の少なくとも一部に、レーザ光を掃引照射して、
レーザ光の掃引方向にほぼ一定のピッチの複数の窪みか
らなる粗面部を形成し、該粗面部に金属膜を形成するこ
とを特徴とする樹脂基板の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の技術分野】本発明は、樹脂成形体表面に金属膜
が密着性よく形成された樹脂基板およびその製造方法に
関する。とくに、ＩＣ、ＣＣＤ（固体撮像素子）、ＬＤ
（半導体レーザ）などの半導体素子、または電気・電子
素子などを収納する樹脂パッケージであって、樹脂パッ
ケージ表面に導体回路を設けた回路付き樹脂パッケージ
およびその製造方法に関するものであり、さらに、導体
回路と樹脂の密着性にすぐれた３次元回路付き樹脂パッ
ケージおよびその製造方法に関する。
が密着性よく形成された樹脂基板およびその製造方法に
関する。とくに、ＩＣ、ＣＣＤ（固体撮像素子）、ＬＤ
（半導体レーザ）などの半導体素子、または電気・電子
素子などを収納する樹脂パッケージであって、樹脂パッ
ケージ表面に導体回路を設けた回路付き樹脂パッケージ
およびその製造方法に関するものであり、さらに、導体
回路と樹脂の密着性にすぐれた３次元回路付き樹脂パッ
ケージおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【発明の技術的背景】従来、回路付き樹脂パッケージ
は、ＭＩＤ（Molded Interconnect Device）の呼び名で
広く普及してきた。このＭＩＤとは樹脂モールドした２
次元または３次元部品の表面に導体回路を形成するもの
であり、樹脂として、一般的にポリスルホン（ＰＳ）、
ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド
（ＰＥＩ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、エンジニアリン
グプラスティックスなどの熱可塑性樹脂が用いられてい
る。
は、ＭＩＤ（Molded Interconnect Device）の呼び名で
広く普及してきた。このＭＩＤとは樹脂モールドした２
次元または３次元部品の表面に導体回路を形成するもの
であり、樹脂として、一般的にポリスルホン（ＰＳ）、
ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド
（ＰＥＩ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、エンジニアリン
グプラスティックスなどの熱可塑性樹脂が用いられてい
る。
【０００３】このような回路付き樹脂パッケージは、主
に以下のような方法で形成されている。 １）ＡＰＥ（Additive Plate-n-Etch）法 部品全体に無電解めっきした後、エッチングで回路を形
成する方法。 ２）ＭｎＡ法 触媒入り樹脂でモールドされた部品にマスクを当てて無
電解めっきし、回路を形成する方法。 ３）ＰＳＰ法（Photo Selective Plating） 部品に感光性触媒を塗布し回路部をＵＶ露光させた後、
無電解めっきして回路を形成する方法。 ４）Mold-n-plate法（２ショット法） 触媒入り樹脂で回路部を第１ショット、通常樹脂で第２
ショットした後、無電解めっきで回路を形成する方法。
に以下のような方法で形成されている。 １）ＡＰＥ（Additive Plate-n-Etch）法 部品全体に無電解めっきした後、エッチングで回路を形
成する方法。 ２）ＭｎＡ法 触媒入り樹脂でモールドされた部品にマスクを当てて無
電解めっきし、回路を形成する方法。 ３）ＰＳＰ法（Photo Selective Plating） 部品に感光性触媒を塗布し回路部をＵＶ露光させた後、
無電解めっきして回路を形成する方法。 ４）Mold-n-plate法（２ショット法） 触媒入り樹脂で回路部を第１ショット、通常樹脂で第２
ショットした後、無電解めっきで回路を形成する方法。
【０００４】これらの方法のうち、ＰＳＰ法と２ショッ
ト法がよく用いられている。このような製造法により回
路付き樹脂パッケージはＩＣ、ＣＣＤ（固体撮像素
子）、ＬＤ（半導体レーザ）などの半導体素子、または
電気・電子素子を収納する樹脂パッケージとして普及し
ている。
ト法がよく用いられている。このような製造法により回
路付き樹脂パッケージはＩＣ、ＣＣＤ（固体撮像素
子）、ＬＤ（半導体レーザ）などの半導体素子、または
電気・電子素子を収納する樹脂パッケージとして普及し
ている。
【０００５】近年、特に、３次元回路付き樹脂パッケー
ジは、パソコン、携帯機器などの情報関連分野から自動
車用車載部品などの過酷環境分野まで様々な用途に使用
されるようになっている。
ジは、パソコン、携帯機器などの情報関連分野から自動
車用車載部品などの過酷環境分野まで様々な用途に使用
されるようになっている。
【０００６】このため、３次元回路付き樹脂パッケージ
には、より小型で安価、表面実装性、高温での安定性、
耐薬品性、接着性などに対する要求が益々厳しくなって
いる。
には、より小型で安価、表面実装性、高温での安定性、
耐薬品性、接着性などに対する要求が益々厳しくなって
いる。
【０００７】しかしながら、従来の３次元回路付き樹脂
パッケージは以下のような課題があった。 (1)耐半田クラック 従来の回路付き樹脂パッケージで用いられている熱可塑
性樹脂は、耐湿性に劣り、かつ、高温で不安定であるた
め、半田クラックを生じ易い。
パッケージは以下のような課題があった。 (1)耐半田クラック 従来の回路付き樹脂パッケージで用いられている熱可塑
性樹脂は、耐湿性に劣り、かつ、高温で不安定であるた
め、半田クラックを生じ易い。
【０００８】(2)微細回路による小型化 上記のような２ショット法では、金型で直接回路パター
ンを形成するため、成形安定性から金型設計上の制約が
多く、線幅が１mm未満の微細回路には適用することがで
きない。
ンを形成するため、成形安定性から金型設計上の制約が
多く、線幅が１mm未満の微細回路には適用することがで
きない。
【０００９】一方、ＰＳＰ法では線幅が１mm未満の微細
回路に適用することはできる。しかしながら、ＰＳＰ法
では、非常に高価な高精度の３次元ＵＶ露光マスクと樹
脂部品とマスクを正確に固定する精密固定治具などが必
要であり、かつ１個１個にそれらのマスクと治具を付け
たり外したりする必要があり、工業的に高価な製造工程
となってしまう。
回路に適用することはできる。しかしながら、ＰＳＰ法
では、非常に高価な高精度の３次元ＵＶ露光マスクと樹
脂部品とマスクを正確に固定する精密固定治具などが必
要であり、かつ１個１個にそれらのマスクと治具を付け
たり外したりする必要があり、工業的に高価な製造工程
となってしまう。
【００１０】(3)高温での安定性 従来の樹脂パッケージに用いられてきた熱可塑性樹脂で
は、ガラス転移点Ｔｇに近づくと不安定となるため、ガ
ラス転移温度（Ｔｇ）が約２６０℃（半田リフロー温
度）以上の熱可塑性樹脂が必要となる。しかし現状の熱
可塑性樹脂では、約２６０℃以上のＴｇを持つものは高
価である。
は、ガラス転移点Ｔｇに近づくと不安定となるため、ガ
ラス転移温度（Ｔｇ）が約２６０℃（半田リフロー温
度）以上の熱可塑性樹脂が必要となる。しかし現状の熱
可塑性樹脂では、約２６０℃以上のＴｇを持つものは高
価である。
【００１１】(4)耐薬品性 回路付き樹脂パッケージに用いられる前記ＰＳ、ＰＥ
Ｓ、ＰＥＩ、ＬＣＰなどの熱可塑性樹脂は薬液（強酸・
強アルカリ）処理によって樹脂自体がエッチングされる
ことを前提にしているため、耐薬品性が弱い。
Ｓ、ＰＥＩ、ＬＣＰなどの熱可塑性樹脂は薬液（強酸・
強アルカリ）処理によって樹脂自体がエッチングされる
ことを前提にしているため、耐薬品性が弱い。
【００１２】(5)接着性 半導体容器としての樹脂パッケージの封緘に金属・セラ
ミクス・ガラスなどの蓋を接着し気密封止する必要があ
る。しかし、従来のＭＩＤで用いられるＬＣＰなどの樹
脂は非常に接着性が悪い。
ミクス・ガラスなどの蓋を接着し気密封止する必要があ
る。しかし、従来のＭＩＤで用いられるＬＣＰなどの樹
脂は非常に接着性が悪い。
【００１３】(6)製造時の安全衛生 従来の回路付き樹脂パッケージではエッチング・粗面化
にクロム混酸やフッ酸などの強酸、苛性ソーダなどの強
アルカリが用いられている。これらの薬液は通常高温
（６０〜８０℃）で用いられるので、蒸発などによる作
業環境悪化、交換・補充などの作業時には製造現場の安
全衛生を著しく損ねることが懸念されている。
にクロム混酸やフッ酸などの強酸、苛性ソーダなどの強
アルカリが用いられている。これらの薬液は通常高温
（６０〜８０℃）で用いられるので、蒸発などによる作
業環境悪化、交換・補充などの作業時には製造現場の安
全衛生を著しく損ねることが懸念されている。
【００１４】これらの課題を解決するため様々な試みが
なされているが、コスト低減と諸特性を満足する方法は
未だ提案されていない。一方、ＩＣ、ＣＣＤ、ＬＤをは
じめとする半導体素子パッケージへの価格低減要求は年
々厳しさを増しており、３次元回路付き樹脂パッケージ
の表面実装化、微細回路による小型化、高温安定性、耐
薬品性、接着性と製造時の安全衛生などを実現するため
の新たなプロセス開発が望まれていた。
なされているが、コスト低減と諸特性を満足する方法は
未だ提案されていない。一方、ＩＣ、ＣＣＤ、ＬＤをは
じめとする半導体素子パッケージへの価格低減要求は年
々厳しさを増しており、３次元回路付き樹脂パッケージ
の表面実装化、微細回路による小型化、高温安定性、耐
薬品性、接着性と製造時の安全衛生などを実現するため
の新たなプロセス開発が望まれていた。
【００１５】
【発明の目的】本発明、上記のような問題点に鑑みてな
されたもので、安価で小型、表面実装性、高温安定、耐
薬品性、接着性および製造時の安全衛生などに優れた樹
脂基板およびその製造方法を提供することを目的として
いる。詳しくは、金属膜が表面の一部に強固な密着力で
形成された樹脂基板およびその製造方法を提供すること
を目的としている。
されたもので、安価で小型、表面実装性、高温安定、耐
薬品性、接着性および製造時の安全衛生などに優れた樹
脂基板およびその製造方法を提供することを目的として
いる。詳しくは、金属膜が表面の一部に強固な密着力で
形成された樹脂基板およびその製造方法を提供すること
を目的としている。
【００１６】
【発明の概要】本発明に係る樹脂基板は、樹脂成形体
と、成形体表面の少なくとも一部に形成された粗面部
と、該粗面部上に形成された金属膜とからなり、該粗面
部が複数の窪みから形成され、これらの窪みは１本以上
の線に沿ってほぼ一定のピッチで配列されていることを
特徴としている。
と、成形体表面の少なくとも一部に形成された粗面部
と、該粗面部上に形成された金属膜とからなり、該粗面
部が複数の窪みから形成され、これらの窪みは１本以上
の線に沿ってほぼ一定のピッチで配列されていることを
特徴としている。
【００１７】前記粗面部上に形成された金属膜は、めっ
き膜であり、かつ粗面部にめっき触媒が存在しているこ
とが好ましい。また前記樹脂成形体は、熱硬化性樹脂か
らなることが好ましい。
き膜であり、かつ粗面部にめっき触媒が存在しているこ
とが好ましい。また前記樹脂成形体は、熱硬化性樹脂か
らなることが好ましい。
【００１８】さらに前記粗面部上に形成された金属膜の
形状は、導体回路の配線パターンであることが好まし
い。このような樹脂基板は半導体装置に好適に使用する
ことができる。
形状は、導体回路の配線パターンであることが好まし
い。このような樹脂基板は半導体装置に好適に使用する
ことができる。
【００１９】本発明に係る樹脂基板の製造方法は、樹脂
成形体表面の少なくとも一部に、レーザ光を掃引照射し
て、レーザ光の掃引方向にほぼ一定のピッチの複数の窪
みからなる粗面部を形成し、該粗面部に金属膜を形成す
ることを特徴としている。
成形体表面の少なくとも一部に、レーザ光を掃引照射し
て、レーザ光の掃引方向にほぼ一定のピッチの複数の窪
みからなる粗面部を形成し、該粗面部に金属膜を形成す
ることを特徴としている。
【００２０】また、本発明に係る樹脂基板の製造方法
は、樹脂成形体中に予め薬液消失粒子を混入させ、かつ
レーザ光の掃引照射した後、照射部分に露出した薬液消
失粒子を消失させる薬液処理を施すことにより樹脂成形
体の少なくとも一部を粗面化し、この粗面化した部分に
金属膜を形成することを特徴としている。
は、樹脂成形体中に予め薬液消失粒子を混入させ、かつ
レーザ光の掃引照射した後、照射部分に露出した薬液消
失粒子を消失させる薬液処理を施すことにより樹脂成形
体の少なくとも一部を粗面化し、この粗面化した部分に
金属膜を形成することを特徴としている。
【００２１】前記粗面部上に形成された金属膜の形状
は、導体回路の配線パターンであることが好ましい。ま
た前記樹脂成形体は、熱硬化性樹脂からなることが好ま
しい。
は、導体回路の配線パターンであることが好ましい。ま
た前記樹脂成形体は、熱硬化性樹脂からなることが好ま
しい。
【００２２】このようにして得られた樹脂基板は、半導
体装置に好適である。
体装置に好適である。
【００２３】
【発明の具体的説明】以下、本発明について具体的に説
明する。樹脂基板 まず、本発明に係る樹脂基板について説明する。
明する。樹脂基板 まず、本発明に係る樹脂基板について説明する。
【００２４】本発明に係る樹脂基板は、樹脂成形体と、
成形体表面の少なくとも一部に形成された粗面部と、該
粗面部上に形成された金属膜とからなる。このような樹
脂成形体としては、特に限定されるものではなく、箱型
樹脂パッケージであっても、平板樹脂成形体であっても
よい。
成形体表面の少なくとも一部に形成された粗面部と、該
粗面部上に形成された金属膜とからなる。このような樹
脂成形体としては、特に限定されるものではなく、箱型
樹脂パッケージであっても、平板樹脂成形体であっても
よい。
【００２５】樹脂成形体を構成する樹脂としては、特に
制限されるものではなく、耐熱性樹脂であればよい。具
体的には、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール
樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、シリコーン樹脂などの
熱硬化性樹脂、ポリフェニレンオキシド（ＰＰＯ）、ポ
リフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）などのエンジニア
リングプラスチックに代表される熱可塑性樹脂が挙げら
れる。
制限されるものではなく、耐熱性樹脂であればよい。具
体的には、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール
樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、シリコーン樹脂などの
熱硬化性樹脂、ポリフェニレンオキシド（ＰＰＯ）、ポ
リフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）などのエンジニア
リングプラスチックに代表される熱可塑性樹脂が挙げら
れる。
【００２６】このうち、化学的に安定な点で熱硬化性樹
脂が好ましく、特にエポキシ樹脂が好ましい。エポキシ
樹脂としては、オルソクレゾール型、ビフェニール型、
ナフタレン型などのエポキシ樹脂が挙げられる。
脂が好ましく、特にエポキシ樹脂が好ましい。エポキシ
樹脂としては、オルソクレゾール型、ビフェニール型、
ナフタレン型などのエポキシ樹脂が挙げられる。
【００２７】このような耐熱性樹脂には、必要に応じ
て、無機フィラーが含まれていてもよい。無機フィラー
として、具体的には、水酸化アルミニウム、水酸化マグ
ネシウム、炭酸カルシウム、アルミナ粉末、シリカ粉
末、ボロンナイトライト粉末、酸化チタン粉末、炭化ケ
イ素粉末、ガラス繊維、アルミナ繊維などが挙げられ
る。これらのうち、酸またはアルカリなどにより容易に
溶解するものが好ましく、たとえば、水酸化アルミニウ
ム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウムが好適に使用
される。
て、無機フィラーが含まれていてもよい。無機フィラー
として、具体的には、水酸化アルミニウム、水酸化マグ
ネシウム、炭酸カルシウム、アルミナ粉末、シリカ粉
末、ボロンナイトライト粉末、酸化チタン粉末、炭化ケ
イ素粉末、ガラス繊維、アルミナ繊維などが挙げられ
る。これらのうち、酸またはアルカリなどにより容易に
溶解するものが好ましく、たとえば、水酸化アルミニウ
ム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウムが好適に使用
される。
【００２８】また、耐熱性樹脂には、無機フィラーの他
に、必要に応じて硬化剤、イミダゾール類,尿素誘導体
およびアミン化合物などの硬化促進剤、難燃剤、カップ
リング剤、ワックス類などの添加剤が含まれていてもよ
い。
に、必要に応じて硬化剤、イミダゾール類,尿素誘導体
およびアミン化合物などの硬化促進剤、難燃剤、カップ
リング剤、ワックス類などの添加剤が含まれていてもよ
い。
【００２９】樹脂成形体は、上記のような耐熱性樹脂組
成物を、射出成形、押出成形などの成形法により、箱
型、平板型などの形状に成形することによって得ること
ができる。
成物を、射出成形、押出成形などの成形法により、箱
型、平板型などの形状に成形することによって得ること
ができる。
【００３０】本発明に係る樹脂基板では、このような樹
脂成形体表面の少なくとも一部に、粗面部が形成されて
いる。該粗面部は複数の窪みから形成され、これらの窪
みは１本以上の線に沿ってほぼ一定のピッチで配列して
形成されている。この線は、レーザが掃引した軌跡ので
あり、粗面部を覆う形であればよい。またこの線は、直
線であって平行に並んで粗面部を覆う形でもよく、また
折れ線であっても、曲線であってもよく、形成される粗
面部の形状によって適宜選択される。
脂成形体表面の少なくとも一部に、粗面部が形成されて
いる。該粗面部は複数の窪みから形成され、これらの窪
みは１本以上の線に沿ってほぼ一定のピッチで配列して
形成されている。この線は、レーザが掃引した軌跡ので
あり、粗面部を覆う形であればよい。またこの線は、直
線であって平行に並んで粗面部を覆う形でもよく、また
折れ線であっても、曲線であってもよく、形成される粗
面部の形状によって適宜選択される。
【００３１】ピッチは、レーザ光の樹脂表面での走査速
度をレーザの周波数（Ｑスイッチ周波数）で除したパル
スピッチに等しく、ピッチの上限は樹脂基板の最表面層
が残らない程度のピッチ長であればよい。パルスピッチ
がレーザ光のスポット系に比べて著しく大きいと、窪み
と窪みの間でレーザ光が充分照射されないで樹脂基板の
最表面層が除去されない箇所が存在し、金属膜との密着
性が劣化することがある。ピッチの下限は、特に限定さ
れるものではなく、操作性から０．０１ｍｍ以上である
ことが望ましい。窪みと窪みの間でも樹脂基板の最表面
層が除去されていることが望ましい。
度をレーザの周波数（Ｑスイッチ周波数）で除したパル
スピッチに等しく、ピッチの上限は樹脂基板の最表面層
が残らない程度のピッチ長であればよい。パルスピッチ
がレーザ光のスポット系に比べて著しく大きいと、窪み
と窪みの間でレーザ光が充分照射されないで樹脂基板の
最表面層が除去されない箇所が存在し、金属膜との密着
性が劣化することがある。ピッチの下限は、特に限定さ
れるものではなく、操作性から０．０１ｍｍ以上である
ことが望ましい。窪みと窪みの間でも樹脂基板の最表面
層が除去されていることが望ましい。
【００３２】レーザ光のスポット径は、用いる光学系に
よって異なるものの、実用的な範囲で、０．０１〜１ｍ
ｍであることが望ましい。このような範囲であれば、適
当なレーザ条件を設定することにより、窪み間でも最表
面層の除去が可能である。
よって異なるものの、実用的な範囲で、０．０１〜１ｍ
ｍであることが望ましい。このような範囲であれば、適
当なレーザ条件を設定することにより、窪み間でも最表
面層の除去が可能である。
【００３３】このようにして形成される窪みの幅および
深さは、レーザの出力、スポット径、走査速度などに依
存するが、窪みの最大幅が０．０１〜１ｍｍ、窪みの最
大深さが０．０１〜１ｍｍであることが望ましい。
深さは、レーザの出力、スポット径、走査速度などに依
存するが、窪みの最大幅が０．０１〜１ｍｍ、窪みの最
大深さが０．０１〜１ｍｍであることが望ましい。
【００３４】金属膜としては、銅、銀、金、白金、パラ
ジウム、ニッケルまたはこれらの合金などが挙げられ
る。このような金属膜は、複数の金属の多層膜であって
もよい。
ジウム、ニッケルまたはこれらの合金などが挙げられ
る。このような金属膜は、複数の金属の多層膜であって
もよい。
【００３５】また、金属膜の厚さは、０．１〜１００μ
ｍ、好ましくは１〜１０μｍであることが望ましい。こ
のような金属膜は、めっき膜であることが好ましく、ま
た、樹脂基板の粗面部にはめっき触媒が存在しているこ
とが好ましい。
ｍ、好ましくは１〜１０μｍであることが望ましい。こ
のような金属膜は、めっき膜であることが好ましく、ま
た、樹脂基板の粗面部にはめっき触媒が存在しているこ
とが好ましい。
【００３６】めっき触媒としては、有機パラジウム化合
物、有機白金化合物などが挙げられる。このうち、有機
パラジウム化合物が好ましく使用される。このようなめ
っき触媒は、塩化パラジウム（PdCl2）、ジアンミン第
一パラジウム塩化物（Pd(NH3) 2Cl2）、テトラアンミン
しゅう酸パラジウム（Pd(NH3)4C2O4）、硫酸パラジウム
（PdSO4）などのパラジウム化合物、または白金化合物
などを含む触媒浴中で得られる。
物、有機白金化合物などが挙げられる。このうち、有機
パラジウム化合物が好ましく使用される。このようなめ
っき触媒は、塩化パラジウム（PdCl2）、ジアンミン第
一パラジウム塩化物（Pd(NH3) 2Cl2）、テトラアンミン
しゅう酸パラジウム（Pd(NH3)4C2O4）、硫酸パラジウム
（PdSO4）などのパラジウム化合物、または白金化合物
などを含む触媒浴中で得られる。
【００３７】金属膜の形状が導体回路の配線パターンで
ある樹脂基板は、半導体装置の導体回路付きパッケージ
として好適に使用することができる。樹脂基板の製造方法 本発明に係る樹脂基板の製造方法は、(i)樹脂成形体表
面の少なくとも一部に、レーザ光を掃引照射して、特定
のピッチで複数の窪みからなる粗面部を形成し、(ii)該
粗面部に金属膜を形成する。
ある樹脂基板は、半導体装置の導体回路付きパッケージ
として好適に使用することができる。樹脂基板の製造方法 本発明に係る樹脂基板の製造方法は、(i)樹脂成形体表
面の少なくとも一部に、レーザ光を掃引照射して、特定
のピッチで複数の窪みからなる粗面部を形成し、(ii)該
粗面部に金属膜を形成する。
【００３８】つぎに本発明に係る樹脂基板の製造方法に
ついて具体的に説明する。なお、樹脂基板、金属膜とし
ては、前述のものと同様のものが使用される。 [(i)粗面部の形成]まず、本発明では、金属膜形成の下
地処理として、レーザ光を掃引照射して、樹脂成形体表
面上に掃引した軌跡に沿って、複数の窪みを形成する。
この掃引した範囲が粗面部となる。
ついて具体的に説明する。なお、樹脂基板、金属膜とし
ては、前述のものと同様のものが使用される。 [(i)粗面部の形成]まず、本発明では、金属膜形成の下
地処理として、レーザ光を掃引照射して、樹脂成形体表
面上に掃引した軌跡に沿って、複数の窪みを形成する。
この掃引した範囲が粗面部となる。
【００３９】レーザ光の掃引照射は、図１に示すように
行われる。レーザ光は、ビームスキャン方向（Ｘ）に特
定の周期でパルス的に照射し、かつＸ方向に特定のピッ
チで移動する。Ｘ方向に所定の距離を走査したのち、Ｙ
方向に１ピッチずれて、Ｘ方向に同様のレーザ光照射を
行う。このような動作を繰り返して所定のパターンを形
成する。
行われる。レーザ光は、ビームスキャン方向（Ｘ）に特
定の周期でパルス的に照射し、かつＸ方向に特定のピッ
チで移動する。Ｘ方向に所定の距離を走査したのち、Ｙ
方向に１ピッチずれて、Ｘ方向に同様のレーザ光照射を
行う。このような動作を繰り返して所定のパターンを形
成する。
【００４０】パルス間の照射ピッチおよび隣接する走査
線間の間隔は、窪みの間に樹脂基板の最表面層が残らな
い程度の照射ピッチ長および走査線の間隔であればよ
い。すなわち照射ピッチまたは走査線間隔が、レーザ光
のスポット径に比べて著しく大きいと、窪みと窪みの間
でレーザ光が充分照射されない樹脂基板の最表面層が除
去されない箇所が存在し、金属膜との接着性が劣化す
る。このため、窪みと窪みの間の樹脂基板の最表面層が
除去されていることが望ましい。パルス間の照射ピッチ
および隣接する走査線間の間隔の下限は、特に限定され
るものではないが、操作性から０．０１ｍｍ以上である
ことが望ましい。
線間の間隔は、窪みの間に樹脂基板の最表面層が残らな
い程度の照射ピッチ長および走査線の間隔であればよ
い。すなわち照射ピッチまたは走査線間隔が、レーザ光
のスポット径に比べて著しく大きいと、窪みと窪みの間
でレーザ光が充分照射されない樹脂基板の最表面層が除
去されない箇所が存在し、金属膜との接着性が劣化す
る。このため、窪みと窪みの間の樹脂基板の最表面層が
除去されていることが望ましい。パルス間の照射ピッチ
および隣接する走査線間の間隔の下限は、特に限定され
るものではないが、操作性から０．０１ｍｍ以上である
ことが望ましい。
【００４１】レーザ光のスポット径は用いる光学系で異
なるが、実用的な範囲で、０．０１〜１ｍｍであること
が望ましい。このような範囲であれば、適当なレーザ条
件を設定することで、窪み間でも最表面層の除去が可能
である。
なるが、実用的な範囲で、０．０１〜１ｍｍであること
が望ましい。このような範囲であれば、適当なレーザ条
件を設定することで、窪み間でも最表面層の除去が可能
である。
【００４２】レーザの走査ピッチは、０．０１〜１ｍｍ
であることが望ましい。このようにして形成される窪み
の最大幅および最大深さは、レーザの出力、スポット
径、走査速度などに依存するが、実用的には、窪みの最
大幅が０．０１〜１ｍｍ、窪みの最大深さが０．０１〜
１ｍｍであることが望ましい。
であることが望ましい。このようにして形成される窪み
の最大幅および最大深さは、レーザの出力、スポット
径、走査速度などに依存するが、実用的には、窪みの最
大幅が０．０１〜１ｍｍ、窪みの最大深さが０．０１〜
１ｍｍであることが望ましい。
【００４３】このとき、Ｑスイッチ周波数は、１〜１０
０kHz、好ましくは５〜５０kHzであり、走査速度は、５
００〜３０００mm/sec、好ましくは８００〜２０００mm
/secであることが望ましい。
０kHz、好ましくは５〜５０kHzであり、走査速度は、５
００〜３０００mm/sec、好ましくは８００〜２０００mm
/secであることが望ましい。
【００４４】本発明に係る樹脂基板の製造方法では、樹
脂成形体中に予め薬液消失粒子を混入させ、かつレーザ
光の掃引照射した後、照射部分に露出した薬液消失粒子
を消失させる薬液処理を施してもよい。
脂成形体中に予め薬液消失粒子を混入させ、かつレーザ
光の掃引照射した後、照射部分に露出した薬液消失粒子
を消失させる薬液処理を施してもよい。
【００４５】薬液消失粒子とは、有機溶媒、水、酸液、
アルカリ液などの薬液に溶解して、消失する粒子をい
い、具体的には、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシ
ウム、炭酸カルシウムなどが挙げられる。
アルカリ液などの薬液に溶解して、消失する粒子をい
い、具体的には、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシ
ウム、炭酸カルシウムなどが挙げられる。
【００４６】このような薬液消失粒子が混入した樹脂基
板の粗面化するべき部分にレーザ光を照射させると、照
射部の樹脂基板の表面層が消失し、薬液消失粒子が頭を
出す。
板の粗面化するべき部分にレーザ光を照射させると、照
射部の樹脂基板の表面層が消失し、薬液消失粒子が頭を
出す。
【００４７】このような薬液消失粒子を薬液処理によっ
て消失させると、レーザー掃引照射した部分に微細くぼ
みが形成され、粗面化することができる。本発明で使用
されるレーザ光としては、１.０６μｍのレーザ光を出
すＱスイッチ型Ｎｄ：ＹＡＧレーザからのレーザ光が望
ましい。レーザ光の掃引照射は、ガルバノミラーとｆ−
θレンズの構成による２次元平面でのビーム走査が望ま
しい。このときの焦点深度は、２〜６mmであることが望
ましい。
て消失させると、レーザー掃引照射した部分に微細くぼ
みが形成され、粗面化することができる。本発明で使用
されるレーザ光としては、１.０６μｍのレーザ光を出
すＱスイッチ型Ｎｄ：ＹＡＧレーザからのレーザ光が望
ましい。レーザ光の掃引照射は、ガルバノミラーとｆ−
θレンズの構成による２次元平面でのビーム走査が望ま
しい。このときの焦点深度は、２〜６mmであることが望
ましい。
【００４８】本発明では、レーザ光の掃引照射の際、ビ
ーム位置決め方法としてｆ−θレンズ系を用いたガルバ
ノミラー・スキャニング方式を採用することが望まし
い。ガルバノミラー・スキャニング方式とは、Ｘ軸スキ
ャナとＹ軸スキャナとからなる一対のガルバノミラーと
ｆ−θレンズを組み合わせることによって、ｆ−θレン
ズの外径円までの大きさの同一面上の任意の点に焦点を
合わせることができるビームスキャニング方式であり、
文字などを直接描画するレーザマーカーなどで一般的に
用いられているものである。
ーム位置決め方法としてｆ−θレンズ系を用いたガルバ
ノミラー・スキャニング方式を採用することが望まし
い。ガルバノミラー・スキャニング方式とは、Ｘ軸スキ
ャナとＹ軸スキャナとからなる一対のガルバノミラーと
ｆ−θレンズを組み合わせることによって、ｆ−θレン
ズの外径円までの大きさの同一面上の任意の点に焦点を
合わせることができるビームスキャニング方式であり、
文字などを直接描画するレーザマーカーなどで一般的に
用いられているものである。
【００４９】このようなガルバノミラー・スキャニング
方式を用いると、必要な微細回路の箇所のみを周期的な
粗さを持つ粗面化が可能となる。本発明では、箱型樹脂
成形体のような立体的な成形体であっても、レーザ照射
することができる。このような箱型樹脂成形体は、図２
に示すように、平面２と側面３とのなす角θが、７５°
以下であることが望ましい。このような箱型樹脂成形体
では、立体回路４の線方向に対して垂直方向にビーム走
査することが可能であり、ビームの焦点深度のおよそ５
倍、好ましくは３倍までの高さの側面（テーパ部）３の
処理が可能である。
方式を用いると、必要な微細回路の箇所のみを周期的な
粗さを持つ粗面化が可能となる。本発明では、箱型樹脂
成形体のような立体的な成形体であっても、レーザ照射
することができる。このような箱型樹脂成形体は、図２
に示すように、平面２と側面３とのなす角θが、７５°
以下であることが望ましい。このような箱型樹脂成形体
では、立体回路４の線方向に対して垂直方向にビーム走
査することが可能であり、ビームの焦点深度のおよそ５
倍、好ましくは３倍までの高さの側面（テーパ部）３の
処理が可能である。
【００５０】またスルーホールのように成形体の表面と
裏面とをつなぐ穴が開いているものであっても、スルー
ホールの内壁にレーザ照射することができる。この場
合、図３に示すように、スルーホールの穴径をビーム径
より少し大きくすることで多重反射による貫通照射する
ことができる。これにより、スルーホール内壁を粗面化
することができる。
裏面とをつなぐ穴が開いているものであっても、スルー
ホールの内壁にレーザ照射することができる。この場
合、図３に示すように、スルーホールの穴径をビーム径
より少し大きくすることで多重反射による貫通照射する
ことができる。これにより、スルーホール内壁を粗面化
することができる。
【００５１】[(ii)金属膜の形成]次に、本発明では、上
記のようにして形成した粗面部に金属膜が形成される。
金属膜を形成するためには、まず粗面部にめっき触媒を
付与する。
記のようにして形成した粗面部に金属膜が形成される。
金属膜を形成するためには、まず粗面部にめっき触媒を
付与する。
【００５２】めっき触媒の付与は、塩化パラジウム（Pd
Cl2）、ジアンミン第一パラジウム塩化物（Pd(NH3)2C
l2）、テトラアンミンしゅう酸パラジウム（Pd(NH3)4C2
O4）、硫酸パラジウム（PdSO4）などのパラジウム化合
物、または白金化合物などを含む触媒浴中で無電解処理
するなどの方法によって行われる。このとき、めっき触
媒は、粗面部にのみ担持される。粗面部が回路パターン
を形成している場合は、回路パターン状にめっき触媒が
担持される。
Cl2）、ジアンミン第一パラジウム塩化物（Pd(NH3)2C
l2）、テトラアンミンしゅう酸パラジウム（Pd(NH3)4C2
O4）、硫酸パラジウム（PdSO4）などのパラジウム化合
物、または白金化合物などを含む触媒浴中で無電解処理
するなどの方法によって行われる。このとき、めっき触
媒は、粗面部にのみ担持される。粗面部が回路パターン
を形成している場合は、回路パターン状にめっき触媒が
担持される。
【００５３】このようにしてめっき触媒が付与された粗
面部に、金属膜がめっきによって形成される。金属膜の
めっきは、無電解めっき単独、あるいは電解めっき単独
でもよいが、好ましくは、無電解めっきと、電解めっき
との２工程で行うことが望ましい。
面部に、金属膜がめっきによって形成される。金属膜の
めっきは、無電解めっき単独、あるいは電解めっき単独
でもよいが、好ましくは、無電解めっきと、電解めっき
との２工程で行うことが望ましい。
【００５４】無電解めっき 無電解めっきは、溶液中の金属イオンを、還元剤によっ
て還元析出させる方法である。
て還元析出させる方法である。
【００５５】還元剤としては、次亜リン酸塩、水素化ホ
ウ素化合物、水和ヒドラジン、ホルムアルデヒド、次亜
リン酸塩、N,N-ジエチルグリシン、硫酸ヒドラジン、ア
スコルビン酸などが使用される。
ウ素化合物、水和ヒドラジン、ホルムアルデヒド、次亜
リン酸塩、N,N-ジエチルグリシン、硫酸ヒドラジン、ア
スコルビン酸などが使用される。
【００５６】このような無電解めっきでは、まず析出さ
せる金属の塩を水などの溶媒に溶解し、前記還元剤を添
加して、めっき浴を調製する。金属塩の濃度は、一般的
に使用される濃度であればよく、たとえば０．００１〜
０．５モル／リットルであればよい。
せる金属の塩を水などの溶媒に溶解し、前記還元剤を添
加して、めっき浴を調製する。金属塩の濃度は、一般的
に使用される濃度であればよく、たとえば０．００１〜
０．５モル／リットルであればよい。
【００５７】このとき、必要に応じて、ｐＨ調整剤、緩
衝剤、錯化剤、促進剤、安定剤、改良剤などを添加して
もよい。ｐＨ調整剤としては、水酸化ナトリウム、アン
モニアなどの塩基性化合物、硫酸、塩酸などの無機酸、
酢酸、コハク酸などの有機酸などが挙げられる。
衝剤、錯化剤、促進剤、安定剤、改良剤などを添加して
もよい。ｐＨ調整剤としては、水酸化ナトリウム、アン
モニアなどの塩基性化合物、硫酸、塩酸などの無機酸、
酢酸、コハク酸などの有機酸などが挙げられる。
【００５８】緩衝剤としては、リン酸塩、クエン酸塩、
酒石酸塩などが挙げられる。錯化剤としては、酢酸、グ
リコール酸、クエン酸、酒石酸などの有機酸のアルカリ
金属塩、チオグリコール酸、アンモニア、ヒドラジン、
トリエタノールアミン、エチレンジアミン、グリシン、
o-アミノフェノール、ＥＤＴＡなどが挙げられる。
酒石酸塩などが挙げられる。錯化剤としては、酢酸、グ
リコール酸、クエン酸、酒石酸などの有機酸のアルカリ
金属塩、チオグリコール酸、アンモニア、ヒドラジン、
トリエタノールアミン、エチレンジアミン、グリシン、
o-アミノフェノール、ＥＤＴＡなどが挙げられる。
【００５９】促進剤としては、コハク酸などが挙げられ
る。安定剤としては、チオ尿素、金属シアン化物、アセ
チルアセトン、エチルオキサント酸などが挙げられる。
る。安定剤としては、チオ尿素、金属シアン化物、アセ
チルアセトン、エチルオキサント酸などが挙げられる。
【００６０】改良剤としては、ＮａＣＮ、ＫＣＮなどが
挙げられる。このように調製しためっき浴に、めっき触
媒が付与された粗面部を有する樹脂成形体を浸漬する。
浸漬時間および浸漬温度は、めっきする金属の種類、め
っき浴中の金属イオン濃度より適宜選択される。
挙げられる。このように調製しためっき浴に、めっき触
媒が付与された粗面部を有する樹脂成形体を浸漬する。
浸漬時間および浸漬温度は、めっきする金属の種類、め
っき浴中の金属イオン濃度より適宜選択される。
【００６１】無電解めっきされた樹脂成形体は、水洗・
乾燥したのち、必要に応じて電解めっきされる。電解めっき 電解めっきは、一般に行われている方法の中から適宜目
的に応じた条件で行われる。電解めっきされる部分は、
粗面化された領域であるから、電流密度はその面積で計
算すればよい。
乾燥したのち、必要に応じて電解めっきされる。電解めっき 電解めっきは、一般に行われている方法の中から適宜目
的に応じた条件で行われる。電解めっきされる部分は、
粗面化された領域であるから、電流密度はその面積で計
算すればよい。
【００６２】以上のような本発明に係る製造方法によれ
ば、任意のパターンが描画された樹脂基板が製造するこ
とができる。また上記金属膜の形状を導体回路の配線パ
ターンにすると、得られた樹脂基板は、半導体装置の導
体回路付きパッケージとして好適に使用することができ
る。
ば、任意のパターンが描画された樹脂基板が製造するこ
とができる。また上記金属膜の形状を導体回路の配線パ
ターンにすると、得られた樹脂基板は、半導体装置の導
体回路付きパッケージとして好適に使用することができ
る。
【００６３】さらに、本発明に係る製造方法は、回路基
板に限られず、樹脂製構造物の表面に、密着性のよい金
属膜を形成する場合にも有効である。半導体装置 次に、本発明に係る樹脂基板を用いた半導体装置につい
て説明する。
板に限られず、樹脂製構造物の表面に、密着性のよい金
属膜を形成する場合にも有効である。半導体装置 次に、本発明に係る樹脂基板を用いた半導体装置につい
て説明する。
【００６４】図４は本発明に係る樹脂基板を用いた表面
実装型半導体装置の断面図である。半導体装置１０は、
箱型樹脂パッケージ１１、半導体素子１２、導体回路１
３、およびリッド１４とから構成されている。箱型パッ
ケージ１１の中央には、半導体素子１２を収納するため
の凹部１５が設けられており、この凹部１５に半導体素
子１２が接着剤１６によって固定され、さらに、半導体
素子１２と導体回路１３とは、ボンディングワイヤー１
７によって電気的に接続されている。
実装型半導体装置の断面図である。半導体装置１０は、
箱型樹脂パッケージ１１、半導体素子１２、導体回路１
３、およびリッド１４とから構成されている。箱型パッ
ケージ１１の中央には、半導体素子１２を収納するため
の凹部１５が設けられており、この凹部１５に半導体素
子１２が接着剤１６によって固定され、さらに、半導体
素子１２と導体回路１３とは、ボンディングワイヤー１
７によって電気的に接続されている。
【００６５】また、箱型パッケージ１１の上端面１１ａ
には、リッド１４が接着剤１８によって接着固定されて
おり、これにより、箱型パッケージ１１の上部開口部１
１ｂが閉止されている。図４の導体回路では、平面回路
１３ａと立体回路１３ｂによって、樹脂パッケージの表
面・裏面の回路を電気的に接続している。
には、リッド１４が接着剤１８によって接着固定されて
おり、これにより、箱型パッケージ１１の上部開口部１
１ｂが閉止されている。図４の導体回路では、平面回路
１３ａと立体回路１３ｂによって、樹脂パッケージの表
面・裏面の回路を電気的に接続している。
【００６６】接着剤１６および接着剤１８としては、通
常、エポキシ樹脂または変性エポキシ樹脂が使用され
る。図５は本発明に係る樹脂基板を用いた他の表面実装
型半導体装置の断面図である。半導体装置２９は、箱型
樹脂パッケージ２１、半導体素子２２、導体回路２３、
及びリッド２４とから構成されている。箱型パッケージ
２１の中央には、半導体素子２２を収納するための凹部
２５が設けられており、この凹部２５に半導体素子２２
がベアチップ実装技術を用いて、半導体素子２２または
導体回路２３に設けられたバンプ２７などによって電気
的・機械的に接続されている。また、箱型パッケージ２
１の上端面２１ａには、リッド２４が接着剤２８によっ
て接着固定されており、これにより、箱型パッケージ２
１の上部開口部２１ｂが閉止されている。さらに、必要
に応じて、半導体素子２２、導体回路２３と箱型パッケ
ージ２１の間に応力緩衝用樹脂２６を浸透・硬化させる
こともできる。
常、エポキシ樹脂または変性エポキシ樹脂が使用され
る。図５は本発明に係る樹脂基板を用いた他の表面実装
型半導体装置の断面図である。半導体装置２９は、箱型
樹脂パッケージ２１、半導体素子２２、導体回路２３、
及びリッド２４とから構成されている。箱型パッケージ
２１の中央には、半導体素子２２を収納するための凹部
２５が設けられており、この凹部２５に半導体素子２２
がベアチップ実装技術を用いて、半導体素子２２または
導体回路２３に設けられたバンプ２７などによって電気
的・機械的に接続されている。また、箱型パッケージ２
１の上端面２１ａには、リッド２４が接着剤２８によっ
て接着固定されており、これにより、箱型パッケージ２
１の上部開口部２１ｂが閉止されている。さらに、必要
に応じて、半導体素子２２、導体回路２３と箱型パッケ
ージ２１の間に応力緩衝用樹脂２６を浸透・硬化させる
こともできる。
【００６７】接着剤２８としては、前記接着剤１６およ
び接着剤１８と同様のものが挙げられる。応力緩衝用樹
脂２６としては、UnderfillあるいはEncapsulant材料と
して知られる熱硬化型または紫外線硬化型エポキシ樹脂
などが挙げられる。
び接着剤１８と同様のものが挙げられる。応力緩衝用樹
脂２６としては、UnderfillあるいはEncapsulant材料と
して知られる熱硬化型または紫外線硬化型エポキシ樹脂
などが挙げられる。
【００６８】図４および図５のような半導体装置を多量
作製する場合、図６のように箱型樹脂パッケージ３０が
同時成形された箱型パッケージ搭載板３１を射出成形ま
たは押出成形などによって成形する。成形体表面・裏面
をつなぐ立体回路として、スルーホール３２を設けても
よい。スルーホール３２の穴径をビーム径より少し大き
くすることで多重反射による貫通照射することができ
る。各々の箱型パッケージの表面、裏面、およびスルー
ホールに導体回路を形成したのち、各々の箱型パッケー
ジをスルーホール３２が断線しないように切断部３３で
切断し個片に切り分ける。切断にはダイヤモンドカッタ
や薄型砥石などの高速切断機が用いられる。切断の後、
外形を整える場合は研削等を行ってもよい。
作製する場合、図６のように箱型樹脂パッケージ３０が
同時成形された箱型パッケージ搭載板３１を射出成形ま
たは押出成形などによって成形する。成形体表面・裏面
をつなぐ立体回路として、スルーホール３２を設けても
よい。スルーホール３２の穴径をビーム径より少し大き
くすることで多重反射による貫通照射することができ
る。各々の箱型パッケージの表面、裏面、およびスルー
ホールに導体回路を形成したのち、各々の箱型パッケー
ジをスルーホール３２が断線しないように切断部３３で
切断し個片に切り分ける。切断にはダイヤモンドカッタ
や薄型砥石などの高速切断機が用いられる。切断の後、
外形を整える場合は研削等を行ってもよい。
【００６９】
【発明の効果】本発明に係る樹脂基板は、高温安定性、
耐半田クラック、耐薬品性に優れる。また、本発明に係
る製造方法によれば、導体回路などの金属膜と基板との
接着性にすぐれた樹脂基板を得ることが可能であり、か
つ微細回路を直接描画できる上に、従来の薬液処理のよ
うな製造時の環境悪化、危険作業が全く無く、安全衛生
の点でも極めて良好で安価なドライプロセスを提供する
ことができる。
耐半田クラック、耐薬品性に優れる。また、本発明に係
る製造方法によれば、導体回路などの金属膜と基板との
接着性にすぐれた樹脂基板を得ることが可能であり、か
つ微細回路を直接描画できる上に、従来の薬液処理のよ
うな製造時の環境悪化、危険作業が全く無く、安全衛生
の点でも極めて良好で安価なドライプロセスを提供する
ことができる。
【００７０】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて説明する
が、本発明はこれら実施例に何ら限定されるものではな
い。
が、本発明はこれら実施例に何ら限定されるものではな
い。
【００７１】
【実施例１】エポキシ樹脂（三井石油化学工業（株）
製：エポキシ樹脂EPOXTM）からなる平板成形体水平面の
上に、図７に示すような10×50mmの矩形状に、定格５０
Ｗ出力のＱスイッチ型ＹＡＧレーザ照射機（スポット径
約90μｍ）によって、以下の条件でレーザ光を照射して
粗面部を作成した。
製：エポキシ樹脂EPOXTM）からなる平板成形体水平面の
上に、図７に示すような10×50mmの矩形状に、定格５０
Ｗ出力のＱスイッチ型ＹＡＧレーザ照射機（スポット径
約90μｍ）によって、以下の条件でレーザ光を照射して
粗面部を作成した。
【００７２】パルスピッチ ：０.０７５mm Ｑスイッチ周波数：２０ｋＨｚ ビーム走査速度 ：１５００mm／sec アパーチャ開度 ：全開 ビーム焦点位置 ：ジャストフォーカス レーザ出力 ：２.６Ｗ（加工点から１００mm下
方での測定値） 次に、粗面部を作成した試験基板をジアミン第１パラジ
ウム塩化物Pd(NH3)2Cl 2からなるめっき浴に、５０℃、
２時間浸漬し、粗面部表面に有機パラジウム化合物を形
成することによりめっき触媒を付与した。
方での測定値） 次に、粗面部を作成した試験基板をジアミン第１パラジ
ウム塩化物Pd(NH3)2Cl 2からなるめっき浴に、５０℃、
２時間浸漬し、粗面部表面に有機パラジウム化合物を形
成することによりめっき触媒を付与した。
【００７３】その後、試験基板を硫酸銅からなるめっき
浴に７１℃、２時間浸漬し、めっき厚が約０.５μｍに
なるまで、無電解銅めっきを行った。その後、試験基板
を水洗・乾燥し、硫酸銅からなるめっき浴に、３０℃、
８．６A/dm2で、３０分浸漬して、電解銅めっき（めっ
き厚約15μｍ）を行った。
浴に７１℃、２時間浸漬し、めっき厚が約０.５μｍに
なるまで、無電解銅めっきを行った。その後、試験基板
を水洗・乾燥し、硫酸銅からなるめっき浴に、３０℃、
８．６A/dm2で、３０分浸漬して、電解銅めっき（めっ
き厚約15μｍ）を行った。
【００７４】得られた試験基板上のめっき部一端側を長
さ約１０mmに亙って全幅（１０mm）引き剥がしてピール
強度測定サンプルとした。次に、引張試験機（テンシロ
ンUCT-5T）に最大１０ｋｇｆのロードセルをつけて、導
体のピール強度試験を行った。
さ約１０mmに亙って全幅（１０mm）引き剥がしてピール
強度測定サンプルとした。次に、引張試験機（テンシロ
ンUCT-5T）に最大１０ｋｇｆのロードセルをつけて、導
体のピール強度試験を行った。
【００７５】結果を表１に示す。
【００７６】
【比較例１】実施例１において、粗面部を、サンドブラ
スト装置によって、平均粒径１４μｍのアルミナ粉体を
直径0mmのノズルから空気圧５Ｋｇ／ｃｍ2 Ｇ、送り速
度１８mm／secの条件でエアブラストすることによって
作成した以外は実施例１と同様にして試験基板を作成
し、ピール強度試験を行った。
スト装置によって、平均粒径１４μｍのアルミナ粉体を
直径0mmのノズルから空気圧５Ｋｇ／ｃｍ2 Ｇ、送り速
度１８mm／secの条件でエアブラストすることによって
作成した以外は実施例１と同様にして試験基板を作成
し、ピール強度試験を行った。
【００７７】結果を表１に示す。
【００７８】
【比較例２】実施例１において、粗面部を、１８５ｎｍ
にピーク波長を持つ透過管型低圧水銀ランプ（Ｕ字管
型，ランプ出力４０Ｗ）のＵＶ光を雰囲気温度６５℃、
ランプ−サンプル間隔２.３０mm、照射時間２４０秒で
照射して形成した以外は実施例１と同様にして試験基板
を作成し、ピール強度試験を行った。
にピーク波長を持つ透過管型低圧水銀ランプ（Ｕ字管
型，ランプ出力４０Ｗ）のＵＶ光を雰囲気温度６５℃、
ランプ−サンプル間隔２.３０mm、照射時間２４０秒で
照射して形成した以外は実施例１と同様にして試験基板
を作成し、ピール強度試験を行った。
【００７９】結果を表１に示す。
【００８０】
【表１】
【００８１】
【実施例２】実施例１においてレーザ光の照射条件を以
下のようにした以外は実施例１と同様にして試験基板を
作成し、ピール強度試験評価および樹脂表面の残りを観
察した。
下のようにした以外は実施例１と同様にして試験基板を
作成し、ピール強度試験評価および樹脂表面の残りを観
察した。
【００８２】パルスピッチ ：０.１０mm Ｑスイッチ周波数：１５ｋＨｚ ビーム走査速度 ：１５００mm／sec アパーチャ開度 ：全開 ビーム焦点位置 ：ジャストフォーカス レーザ出力 ：２.６Ｗ（加工点から１００mm下
方での測定値） 結果を表２に示す。
方での測定値） 結果を表２に示す。
【００８３】
【実施例３】実施例１においてレーザ光の照射条件を以
下のようにした以外は実施例１と同様にして試験基板を
作成し、ピール強度試験評価および樹脂表面の残りを観
察した。
下のようにした以外は実施例１と同様にして試験基板を
作成し、ピール強度試験評価および樹脂表面の残りを観
察した。
【００８４】パルスピッチ ：０.１５mm Ｑスイッチ周波数：１０ｋＨｚ ビーム走査速度 ：１５００mm／sec アパーチャ開度 ：全開 ビーム焦点位置 ：ジャストフォーカス レーザ出力 ：２.６Ｗ（加工点から１００mm下
方での測定値） 結果を表２に示す。
方での測定値） 結果を表２に示す。
【００８５】
【実施例４】実施例１においてレーザ光の照射条件を以
下のようにした以外は実施例１と同様にして試験基板を
作成し、ピール強度試験評価および樹脂表面の残りを観
察した。
下のようにした以外は実施例１と同様にして試験基板を
作成し、ピール強度試験評価および樹脂表面の残りを観
察した。
【００８６】パルスピッチ ：０.２０mm Ｑスイッチ周波数：７.５ｋＨｚ ビーム走査速度 ：１５００mm／sec アパーチャ開度 ：全開 ビーム焦点位置 ：ジャストフォーカス レーザ出力 ：２.６Ｗ（加工点から１００mm下
方での測定値） 結果を表２に示す。
方での測定値） 結果を表２に示す。
【００８７】
【比較例３】実施例１においてレーザ光の照射条件を以
下のようにした以外は実施例１と同様にして試験基板を
作成し、ピール強度試験評価および樹脂表面の残りを観
察した。
下のようにした以外は実施例１と同様にして試験基板を
作成し、ピール強度試験評価および樹脂表面の残りを観
察した。
【００８８】パルスピッチ ：０.２５mm Ｑスイッチ周波数：６ｋＨｚ ビーム走査速度 ：１５００mm／sec アパーチャ開度 ：全開 ビーム焦点位置 ：ジャストフォーカス レーザ出力 ：２.６Ｗ（加工点から１００mm下
方での測定値） 結果を表２に示す。
方での測定値） 結果を表２に示す。
【００８９】
【表２】
【００９０】
【比較例４】実施例１においてレーザ光の照射時に、試
験基板上に、基板平面に対して９０°の側面を有す段差
を設けた試料を、実施例１の条件で処理し、９０°側面
部のピール強度試験評価および樹脂表面の残りを観察し
た。
験基板上に、基板平面に対して９０°の側面を有す段差
を設けた試料を、実施例１の条件で処理し、９０°側面
部のピール強度試験評価および樹脂表面の残りを観察し
た。
【００９１】結果を表３に示す。
【００９２】
【比較例５】実施例１においてレーザ光の照射時に、試
験基板を８０°傾斜させた以外は、実施例１と同様にし
て試験基板を作成し、ピール強度試験評価および樹脂表
面の残りを観察した。
験基板を８０°傾斜させた以外は、実施例１と同様にし
て試験基板を作成し、ピール強度試験評価および樹脂表
面の残りを観察した。
【００９３】結果を表３に示す。
【００９４】
【実施例５】実施例１においてレーザ光の照射時に、試
験基板を７５°傾斜させた以外は、実施例１と同様にし
て試験基板を作成し、ピール強度試験評価および樹脂表
面の残りを観察した。
験基板を７５°傾斜させた以外は、実施例１と同様にし
て試験基板を作成し、ピール強度試験評価および樹脂表
面の残りを観察した。
【００９５】結果を表３に示す。
【００９６】
【実施例６】実施例１においてレーザ光の照射時に、試
験基板を７０°傾斜させた以外は、実施例１と同様にし
て試験基板を作成し、ピール強度試験評価および樹脂表
面の残りを観察した。
験基板を７０°傾斜させた以外は、実施例１と同様にし
て試験基板を作成し、ピール強度試験評価および樹脂表
面の残りを観察した。
【００９７】結果を表３に示す。
【００９８】
【実施例７】実施例１においてレーザ光の照射時に、試
験基板を６０°傾斜させた以外は、実施例１と同様にし
て試験基板を作成し、ピール強度試験評価および樹脂表
面の残りを観察した。
験基板を６０°傾斜させた以外は、実施例１と同様にし
て試験基板を作成し、ピール強度試験評価および樹脂表
面の残りを観察した。
【００９９】結果を表３に示す。
【０１００】
【表３】
【０１０１】
【実施例８】実施例１で用いた樹脂成形体に、直径約１
２０μｍで貫通したスルーホールを設け、以下の条件
で、スルーホール内壁にレーザ照射を行った。
２０μｍで貫通したスルーホールを設け、以下の条件
で、スルーホール内壁にレーザ照射を行った。
【０１０２】レーザ照射機 ：Ｑスイッチ型ＹＡＧ
レーザ（スポット径約９０μｍ） Ｑスイッチ周波数：２０ｋＨｚ ビーム照射時間 ：０.１秒 アパーチャ開度 ：全開 ビーム焦点位置 ：ジャストフォーカス レーザ出力 ：２.６Ｗ（加工点から１００mm下
方での測定値） レーザ照射後、実施例１と同様にして導体めっきした
後、Ｎi棒（０.０８mm）を共晶半田で半田付けして、付
着強度測定試料を作成した。Ｎi棒の引抜試験を行っ
た。
レーザ（スポット径約９０μｍ） Ｑスイッチ周波数：２０ｋＨｚ ビーム照射時間 ：０.１秒 アパーチャ開度 ：全開 ビーム焦点位置 ：ジャストフォーカス レーザ出力 ：２.６Ｗ（加工点から１００mm下
方での測定値） レーザ照射後、実施例１と同様にして導体めっきした
後、Ｎi棒（０.０８mm）を共晶半田で半田付けして、付
着強度測定試料を作成した。Ｎi棒の引抜試験を行っ
た。
【０１０３】結果を表４に示す。
【０１０４】
【比較例６】実施例８において、スルーホール内壁にレ
ーザ照射しない以外は、実施例８と同様にして、試料を
作成し、評価した。
ーザ照射しない以外は、実施例８と同様にして、試料を
作成し、評価した。
【０１０５】
【表４】
【図１】 本発明に係る樹脂基板の製造方法におけるレ
ーザ光の照射を示す原理図を示す。
ーザ光の照射を示す原理図を示す。
【図２】 立体回路と平面回路のビーム走査方向の違い
を示す箱型樹脂パッケージ壁面の概略図を示す。
を示す箱型樹脂パッケージ壁面の概略図を示す。
【図３】 スルーホール内壁面全面へのレーザの照射を
示す原理図を示す。
示す原理図を示す。
【図４】 本発明に係る樹脂基板が使用された半導体装
置を示す断面図を示す。
置を示す断面図を示す。
【図５】 本発明に係る樹脂基板が使用された別の半導
体装置を示す断面図を示す。
体装置を示す断面図を示す。
【図６】 本発明に係る樹脂基板を一度に作成するとき
の半導体装置の概略断面図を示す。
の半導体装置の概略断面図を示す。
【図７】 ピール強度試験の概略図を示す。
１ 箱型樹脂パッケージ ２ 平面 ３ 側面 ４ 立体回路 １０ 半導体装置 １１ 箱型樹脂パッケージ（パッケージ本体） １１ａ 箱型樹脂パッケージの上端面 １１ｂ 箱型樹脂パッケージの上部開口部 １２ 半導体素子 １３ 導体回路 １３ａ 平面回路（導体回路の内） １３ｂ 立体回路（導体回路の内） １４ リッド １５ 箱型樹脂パッケージの凹部 １６ 接着剤（半導体接着用） １７ ボンディングワイヤ １８ 接着剤（リッド接着用） ２０ 半導体装置 ２１ 箱型樹脂パッケージ（パッケージ本体） ２１ａ 箱型樹脂パッケージの上端面 ２１ｂ 箱型樹脂パッケージの上部開口部 ２２ 半導体素子 ２３ 導体回路 ２４ リッド ２５ 箱型樹脂パッケージの凹部 ２６ 応力緩衝用樹脂 ２７ バンプ ２８ 接着剤（リッド接着用） ３０ 箱型樹脂パッケージ ３１ 複数の箱型樹脂パッケージ搭載板 ３２ スルーホール ３３ 切断部
Claims (10)
- 【請求項１】樹脂成形体と、成形体表面の少なくとも一
部に形成された粗面部と、該粗面部上に形成された金属
膜とからなり、 該粗面部が、複数の窪みから形成され、これらの窪みは
１本以上の線に沿ってほぼ一定のピッチで配列されてい
ることを特徴とする樹脂基板。 - 【請求項２】前記粗面部上に形成された金属膜がめっき
膜であり、かつ粗面部にめっき触媒が存在していること
を特徴とする請求項１に記載の樹脂基板。 - 【請求項３】前記樹脂成形体が熱硬化性樹脂からなるこ
とを特徴とする請求項１または２に記載の樹脂基板。 - 【請求項４】前記粗面部上に形成された金属膜の形状が
導体回路の配線パターンであることを特徴とする請求項
１〜３のいずれかに記載の樹脂基板。 - 【請求項５】請求項１〜４のいずれかに記載の樹脂基板
を用いた半導体装置。 - 【請求項６】樹脂成形体表面の少なくとも一部に、レー
ザ光を掃引照射して、レーザ光の掃引方向にほぼ一定の
ピッチの複数の窪みからなる粗面部を形成し、 該粗面部に金属膜を形成することを特徴とする樹脂基板
の製造方法。 - 【請求項７】樹脂成形体中に予め薬液消失粒子を混入さ
せ、かつレーザ光の掃引照射した後、照射部分に露出し
た薬液消失粒子を消失させる薬液処理を施すことにより
樹脂成形体の少なくとも一部を粗面化し、この粗面化し
た部分に金属膜を形成することを特徴とする樹脂基板の
製造方法。 - 【請求項８】前記粗面部上に形成された金属膜の形状が
導体回路の配線パターンであることを特徴とする請求項
６または７に記載の樹脂基板の製造方法。 - 【請求項９】前記樹脂成形体が熱硬化性樹脂からなるこ
とを特徴とする請求項６〜８のいずれかに記載の樹脂基
板の製造方法。 - 【請求項１０】請求項６〜９のいずれかに記載の製造方
法で得られた樹脂基板を用いた半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11810897A JP3498937B2 (ja) | 1997-05-08 | 1997-05-08 | 樹脂基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11810897A JP3498937B2 (ja) | 1997-05-08 | 1997-05-08 | 樹脂基板およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10308562A true JPH10308562A (ja) | 1998-11-17 |
| JP3498937B2 JP3498937B2 (ja) | 2004-02-23 |
Family
ID=14728225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11810897A Expired - Lifetime JP3498937B2 (ja) | 1997-05-08 | 1997-05-08 | 樹脂基板およびその製造方法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP3498937B2 (ja) |
Cited By (10)
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-
1997
- 1997-05-08 JP JP11810897A patent/JP3498937B2/ja not_active Expired - Lifetime
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