JP2003124373A - 樹脂基板の製造方法 - Google Patents

樹脂基板の製造方法

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JP2003124373A JP2001312678A JP2001312678A JP2003124373A JP 2003124373 A JP2003124373 A JP 2003124373A JP 2001312678 A JP2001312678 A JP 2001312678A JP 2001312678 A JP2001312678 A JP 2001312678A JP 2003124373 A JP2003124373 A JP 2003124373A
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Toshiya Urakawa
川 俊 也 浦
Eiki Togashi
樫 栄 樹 富
Yohei Suzuki
木 庸 平 鈴
Kunihiro Inada
田 邦 博 稲
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Mitsui Chemicals Inc
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 製造工程を簡略化でき、コストも低減でき、
小型であり、表面実装性、高温安定性、耐薬品性、接着
性に優れるとともに、製造時の安全衛生などに優れ、し
かも、生産性の高い、金属膜が樹脂成形体の表面の一部
に強固な密着力で形成された樹脂基板およびその製造方
法を提供する。 【解決手段】 樹脂成形体の表面に、レーザー光を照射
することによって、樹脂成形体表面に、窪みからなる粗
面部を形成し、粗面部上に金属膜を形成することによっ
て樹脂基板を製造する方法であって、レーザー光の照射
を、エキシマレーザーを用いて行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂成形体表面に
金属膜が密着性よく形成された樹脂基板、およびその製
造方法、ならびにこの樹脂基板を備えた半導体装置に関
する。より詳細には、例えば、ＩＣ、ＣＣＤ（固体撮像
素子）、ＬＤ（半導体レーザー）などの半導体素子、ま
たは電気・電子素子などを収納する樹脂パッケージであ
って、樹脂パッケージ表面に導体回路を設けた回路付き
樹脂パッケージ、およびその製造方法に関するものであ
る。
【０００２】さらに、本発明は、導体回路と樹脂の密着
性にすぐれた３次元回路付き樹脂パッケージおよびその
製造方法に関する。
【０００３】
【従来の技術】従来より、回路付き樹脂パッケージは、
ＭＩＤ（Molded Interconnect Device）の呼び名で広く
普及している。このＭＩＤは、樹脂モールドした２次元
または３次元部品の表面に、導体回路を形成するもので
あり、樹脂モールドに用いる樹脂として、一般的に、ポ
リスルホン（ＰＳ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥ
Ｓ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、液晶ポリマー
（ＬＣＰ）、エンジニアリングプラスティックスなどの
熱可塑性樹脂が用いられている。
【０００４】このような回路付き樹脂パッケージは、主
に以下のような方法で作製されている。 （１）ＡＰＥ（Additive Plate-n-Etch）法：部品全体
に無電解めっきした後、エッチングで回路を形成する方
法。 （２）ＭｎＡ法：触媒入り樹脂でモールドされた部品に
マスクを当てて無電解めっきによって、回路を形成する
方法。 （３）ＰＳＰ法（Photo Selective Plating）：部品に
感光性触媒を塗布し回路部をＵＶ露光させた後、無電解
めっきによって回路を形成する方法。 （４）Mold-n-plate法（２ショット法） 触媒入り樹脂で回路部を第１ショット、通常樹脂で第２
ショットした後、無電解めっきによって回路を形成する
方法。
【０００５】これらの方法のうち、ＰＳＰ法と２ショッ
ト法がよく用いられている。このような製造法により製
造した回路付き樹脂パッケージは、ＩＣ、ＣＣＤ（固体
撮像素子）、ＬＤ（半導体レーザー）などの半導体素
子、または電気・電子素子を収納する樹脂パッケージと
して広範に使用されている。近年、特に、３次元回路付
き樹脂パッケージは、例えば、パソコン、携帯機器など
の情報関連分野から、自動車用車載部品などの過酷環境
分野にいたるまで様々な用途に使用されるようになって
いる。
【０００６】このため、３次元回路付き樹脂パッケージ
には、より小型で、安価であり、しかも、表面実装性、
高温での安定性、耐薬品性、ならびに接着性に優れるこ
とがますます厳しく要求されているのが実情である。し
かしながら、従来の３次元回路付き樹脂パッケージで
は、以下のような問題があった。 （１）耐半田クラック：従来の回路付き樹脂パッケージ
で用いられている熱可塑性樹脂は、耐湿性に劣り、か
つ、高温で不安定であるため、半田クラックを生じ易
い。 （２）微細回路による小型化：上記のような２ショット
法では、金型で直接回路パターンを形成するため、成形
安定性から金型設計上の制約が多く、線幅が１mm未満の
微細回路には適用することができない。
【０００７】一方、ＰＳＰ法では、線幅が１mm未満の微
細回路に適用することはできる。しかしながら、ＰＳＰ
法では、非常に高価な高精度の３次元ＵＶ露光マスク
と、樹脂部品とマスクを正確に固定する精密固定治具な
どが必要である。しかも、個々にそれらのマスクと治具
を付けたり外したりする必要があり、煩雑な作業が必要
で、工業的に高価な製造工程となってしまう。 （３）高温での安定性：従来の樹脂パッケージに用いら
れてきた熱可塑性樹脂では、ガラス転移点Ｔｇに近づく
と不安定となるため、ガラス転移温度（Ｔｇ）が約２６
０℃（半田リフロー温度）以上の熱可塑性樹脂が必要と
なる。しかしながら、現状の熱可塑性樹脂では、約２６
０℃以上のＴｇを持つものは高価である。 （４）耐薬品性：回路付き樹脂パッケージに用いられる
前述したＰＳ、ＰＥＳ、ＰＥＩ、ＬＣＰなどの熱可塑性
樹脂は、強酸、強アルカリなどの薬液処理によって、樹
脂自体がエッチングされることを前提にしているため、
耐薬品性が弱い。 （５）接着性：半導体容器としての樹脂パッケージの封
緘に、例えば、金属、セラミクス、ガラスなどの蓋を接
着して、気密封止する必要がある。しかしながら、従来
のＭＩＤで用いられるＬＣＰなどの樹脂は、非常に接着
性が悪い。 （６）製造時の安全衛生：従来の回路付き樹脂パッケー
ジでは、エッチング・粗面化に、例えば、クロム混酸や
フッ酸などの強酸、苛性ソーダなどの強アルカリが用い
られている。これらの薬液は、通常、高温（６０〜８０
℃）で用いられるので、これらの強酸、強アルカリの蒸
発などによって作業環境が悪化するおそれがある。ま
た、これらの強酸、強アルカリの交換・補充などの作業
時には、製造現場における作業、環境上好ましくなかっ
た。
【０００８】従来より、これらの問題を解決するために
様々な試みがなされているが、コスト低減と諸特性を満
足する方法は未だ提案されていないのが実情である。一
方、ＩＣ、ＣＣＤ、ＬＤをはじめとする半導体素子パッ
ケージへの価格低減要求は年々厳しさを増しており、３
次元回路付き樹脂パッケージの表面実装化、微細回路に
よる小型化、高温安定性、耐薬品性、接着性に優れると
ともに、製造時の作業、環境などを実現するための新た
なプロセス開発が望まれている。
【０００９】このため、本出願人は、特開平１０−３０
８５６２号公報に示されるように、樹脂成形体表面の少
なくとも一部に、レーザー光を掃引照射して、レーザー
光の掃引方向にほぼ一定のピッチの複数の窪みからなる
粗面部を形成し、該粗面部に金属膜を形成することを特
徴とする方法を既に提案している。この製造方法によれ
ば、導体回路などの金属膜と基板との接着性にすぐれた
樹脂基板を得ることが可能であり、しかも、微細回路を
直接描画できる上に、従来の薬液処理のような製造時の
環境、作業におよぼす影響が全く無く、安全衛生の点で
も極めて良好で安価なドライプロセスを提供することが
できる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
１０−３０８５６２号公報に開示された樹脂基板の製造
方法においては、レーザーとしてＹＡＧレーザーを用い
ている。ＹＡＧレーザーの場合には、レーザー光のスポ
ット面積の大きさから、１５０μｍ以下のラインを掃引
することが難しい。その結果、微細な回路パターンを持
つ樹脂基板を作製することは難しかった。
【００１１】従って、この様なＹＡＧレーザーを用いた
問題点を改良し、微細な回路パターンを作ることも可能
なプロセスの開発が望まれていた。本発明は、このよう
な現状に鑑み、製造工程を簡略化でき、コストも低減で
き、小型であり、表面実装性、高温安定性、耐薬品性、
接着性に優れるとともに、製造時の安全衛生などに優
れ、しかも、生産性の高い、金属膜が樹脂成形体の表面
の一部に強固な密着力で形成された樹脂基板およびその
製造方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、前述したよう
な従来技術における課題及び目的を達成するために発明
なされたものであって、本発明の樹脂基板の製造方法
は、樹脂成形体の表面に、レーザー光を照射することに
よって、前記樹脂成形体表面に、窪みからなる粗面部を
形成し、前記粗面部上に金属膜を形成することによって
樹脂基板を製造する方法であって、前記レーザー光の照
射を、エキシマレーザーを用いて行うことを特徴とす
る。
【００１３】また、本発明の樹脂基板は、樹脂成形体の
表面に、エキシマレーザー光を照射することによって、
前記樹脂成形体表面に形成された窪みからなる粗面部
と、前記粗面部上に形成された金属膜とから構成したこ
とを特徴とする。この場合、レーザー光の波長が、１０
０ｎｍ〜５００ｎｍであり、レーザー光のスポット径
が、０．０１ｍｍ以上であるのが好ましい。
【００１４】このようなエキシマレーザーを用いると、
レーザー光のスポット径は用いる光学系で異なるが、例
えば、０．０１ｍｍ以上であり、従来のＹＡＧレーザー
の場合とほぼ等しいが、エキシマレーザーの場合には、
加工時における被加工物に対する熱的影響がほとんどな
いので、ほぼスポット径通りの大きさで加工することが
できる。
【００１５】従って、このようなエキシマレーザーを用
いると、ＹＡＧレーザーなどに比較して１０μｍ幅程度
までの微細な回路配線パターンを描くことが可能である
ので、回路付き樹脂パッケージを極めて小型化すること
ができる。しかも、樹脂成形体の表面に、エキシマレー
ザー光を照射するだけで、樹脂成形体表面に、窪みから
なる粗面部を形成することができるので、従来の樹脂基
板の製造方法のように、精密固定治具などがいらず、煩
雑な作業が不要であり、コストを極めて低減することが
できる。
【００１６】さらに、エキシマレーザー光を照射するだ
けで良いので、従来の回路付き樹脂パッケージの製造方
法のように、エッチング・粗面化に、強酸・強アルカリ
などの薬液処理を行う必要がない。従って、作業環境が
悪化するおそれがなく、これらの強酸、強アルカリの交
換・補充などの作業が不要で、しかも、製造現場におけ
る作業、環境上も良好である。
【００１７】また、エキシマレーザー光を照射すること
によって、樹脂成形体表面に、ほぼ均一な深さ、幅を有
する窪みからなる粗面部を形成することができるので、
次工程における粗面部上に金属膜を形成する際に、金属
膜がこの均一な窪みからなる粗面部に入り込み、樹脂成
形体の表面に強固な密着力で金属膜を形成することがで
き、高温安定性、耐半田クラック、耐薬品性に優れる。
【００１８】従って、金属膜の剥離などによる回路配線
パターンの断線、短絡などを防止でき、信頼性の極めて
高い半導体装置として回路付き樹脂パッケージを提供で
きる。また、本発明の樹脂基板の製造方法は、前記レー
ザー光を走査方向に移動しながら、特定の周期でパルス
的に照射することによって、前記レーザー光の走査方向
において、一定間隔で離間した複数の窪みからなる粗面
部を形成することを特徴とする。
【００１９】また、本発明の樹脂基板は、前記粗面部
が、前記レーザー光を走査方向に移動しながら、特定の
周期でパルス的に照射することによって、前記レーザー
光の走査方向において、一定間隔で離間した複数の窪み
からなる粗面部であることを特徴とする。このように構
成することによって、一定間隔で離間した複数の窪みか
らなる粗面部を、レーザー光を走査方向に移動しなが
ら、特定の周期でパルス的に照射するだけで、複雑で微
細な回路配線パターンを簡単に効率良く形成することが
できる。
【００２０】また、本発明の樹脂基板の製造方法は、前
記レーザー光の走査方向の移動による照射を、横方向に
一定間隔離間した複数の走査線位置で行うことによっ
て、連続した複数の窪みから構成される溝からなる粗面
部を形成することを特徴とする。また、本発明の樹脂基
板は、前記粗面部が、前記レーザー光の走査方向の移動
による照射を、横方向に一定間隔離間した複数の走査線
位置で行うことによって、連続した複数の窪みから構成
される溝からなる粗面部であることを特徴とする。
【００２１】また、本発明の樹脂基板の製造方法は、前
記レーザー光の走査方向の複数の窪みの離間距離が、
０．０１ｍｍ以上であることを特徴とする。このような
範囲に、複数の窪みの離間距離を設定することによっ
て、回路配線パターン同士の短絡を防止することができ
る。また、本発明では、前記レーザー光の走査線位置間
隔が、０．０１ｍｍ以上であることを特徴とする。
【００２２】このように構成することによって、レーザ
ー光の走査方向の移動による照射を、横方向に一定間隔
離間した複数の走査線位置で行うだけで、連続した複数
の窪みから構成される溝からなる粗面部を形成すること
ができるので、より複雑で微細な回路配線パターンを簡
単に効率良く形成することができる。また、本発明の樹
脂基板の製造方法は、前記粗面部上に形成された金属膜
の形状が、導体回路の配線パターンであるように形成す
ることを特徴とする。
【００２３】また、本発明の樹脂基板は、前記粗面部上
に形成された金属膜の形状が、導体回路の配線パターン
であることを特徴とする。このように粗面部上に形成さ
れた金属膜の形状が、導体回路の配線パターンであるの
で、複雑で微細な回路配線パターンを簡単に効率良く形
成することができる。
【００２４】また、本発明では前記樹脂成形体が、熱硬
化性樹脂からなることを特徴とする。このように、樹脂
成形体が、熱硬化性樹脂からなるので、耐湿性に優れ、
高温で安定であり、半田クラックを生じ難く、化学的に
も安定で耐薬品性が良好で、例えば、金属、セラミク
ス、ガラスなどの蓋との接着性にも優れている。
【００２５】また、本発明の樹脂基板の製造方法は、前
記粗面部上にめっき触媒を存在させた状態でめっきする
ことによって前記金属膜を形成することを特徴とする。
また、本発明の樹脂基板は、前記金属膜が、前記粗面部
上にめっき触媒を存在させた状態でめっきすることによ
って形成した金属膜であることを特徴とする。このよう
に粗面部上にめっき触媒を存在させた状態でめっきする
ことによって、金属膜の粗面部上へ密着が促進されるこ
とになり、樹脂成形体の表面により強固な密着力で金属
膜を形成することができる。
【００２６】従って、金属膜の剥離などによる回路配線
パターンの断線、短絡などを防止でき、信頼性の極めて
高い半導体装置として回路付き樹脂パッケージを提供で
きる。また、本発明の樹脂基板の製造方法は、前記樹脂
成形体中に予め薬液消失粒子を混入させ、前記レーザー
光を照射して、照射部分に薬液消失粒子を露出させ、前
記露出した薬液消失粒子を消失させる薬液処理を施すこ
とによって、樹脂成形体の表面を粗面化し、この粗面化
した部分に金属膜を形成することを特徴とする。
【００２７】また、本発明の樹脂基板は、前記金属膜
が、前記樹脂成形体中に予め薬液消失粒子を混入させ、
前記レーザー光を照射して、照射部分に薬液消失粒子を
露出させ、前記露出した薬液消失粒子を消失させる薬液
処理を施すことによって、樹脂成形体の表面を粗面化
し、この粗面化した部分に形成した金属膜であることを
特徴とする。
【００２８】このように薬液消失粒子が混入した樹脂基
板の粗面化すべき部分にレーザー光を照射すると、照射
された部分の樹脂基板の表面層が消失し、樹脂基板の表
面に薬液消失粒子が露出することになる。従って、この
ような樹脂基板の表面に露出した薬液消失粒子を、薬液
処理によって消失させるだけで、レーザー走査（掃引）
によって照射した部分に、微細な窪みが形成され、粗面
化することができ、煩雑な工程を経ることなく、極めて
精度の良い回路配線パターンを得ることができる。
【００２９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態（実施
例）を図面に基づいてより詳細に説明する。（１）樹脂成形体の作製： 本発明で使用する樹脂成形体
としては、特に限定されるものではなく、例えば、箱型
形状の樹脂成形体であっても、平板形状の樹脂成形体で
あってもよい。
【００３０】樹脂成形体を構成する樹脂としては、特に
限定されるものではなく、耐熱性樹脂であればよい。具
体的には、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール
樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、シリコーン樹脂などの
熱硬化性樹脂、ポリフェニレンオキシド（ＰＰＯ）、ポ
リフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）などのエンジニア
リングプラスチックに代表される熱可塑性樹脂が使用で
きる。
【００３１】このうち、化学的に安定な点で、熱硬化性
樹脂が好ましく、特に、エポキシ樹脂が好ましい。エポ
キシ樹脂としては、オルソクレゾール型、ビフェニール
型、ナフタレン型などのエポキシ樹脂が使用できる。こ
のような耐熱性樹脂には、必要に応じて、無機フィラー
が含まれていてもよい。無機フィラーとして、具体的に
は、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カ
ルシウム、アルミナ粉末、シリカ粉末、ボロンナイトラ
イト粉末、酸化チタン粉末、炭化ケイ素粉末、ガラス繊
維、アルミナ繊維などが使用できる。
【００３２】また、耐熱性樹脂には、無機フィラーの他
に、必要に応じて、硬化剤、イミダゾール類、尿素誘導
体およびアミン化合物などの硬化促進剤、難燃剤、カッ
プリング剤、ワックス類などの添加剤が含まれていても
よい。樹脂成形体は、上記のような耐熱性樹脂組成物
を、射出成形、押出成形などの成形法により、箱型、平
板型などの形状に成形することによって得ることができ
る。（２）粗面部の形成： 本発明に係る樹脂基板では、この
ような樹脂成形体表面の少なくとも一部に、粗面部が形
成される。
【００３３】すなわち、金属膜形成の下地処理として、
エキシマレーザーによりレーザー光を走査（掃引）照射
して、樹脂成形体表面上に走査した軌跡に沿って、複数
の窪みを形成する。この走査した範囲が粗面部となる。
このように粗面部を形成するには、例えば、図１に示し
たような方法で形成すればよい。
【００３４】図１は、本発明に係る樹脂基板の製造方法
におけるレーザー光の照射を示す原理図を示す斜視図で
ある。１０は全体で、本発明の樹脂基板１０を示してい
る。樹脂基板１０は、平板形状の樹脂成形体１２を備え
ており、この樹脂成形体１２の表面１２ａの少なくとも
一部には、粗面部１４が形成されている。
【００３５】この粗面部１４は、Ｘ方向、すなわち、エ
キシマレーザーのレーザー光の走査方向に、複数の一定
間隔のピッチＷで離間して形成された複数の窪み１６、
１６から形成されている。そして、これらの窪み１６、
１６はそれぞれ、Ｘ方向と直交するＹ方向、すなわち、
エキシマレーザーのレーザー光の走査線移動方向に、線
１８に沿って、略直線状の溝２０、２０を形成してい
る。
【００３６】このような粗面部１４を形成するには、図
１に示したように、エキシマレーザーのレーザー光を、
一定の周期でパルス的に照射しながら、走査方向、すな
わち、ビームスキャン方向（Ｘ）に移動することによっ
て、Ｘ方向、すなわち、エキシマレーザーのレーザー光
の走査方向に、複数の一定間隔のピッチｐで離間して形
成された複数の窪み１６、１６を形成する。
【００３７】そして、Ｘ方向に所定の距離Ｌを走査した
のち、Ｙ方向に一定間隔の１ピッチｑ、すなわち、Ｙ方
向に連続した窪み１６を形成し得るピッチ幅で、レーザ
ー光の走査線位置を移動して、エキシマレーザーのレー
ザー光を、前述と同様にして、一定の周期でパルス的に
照射しながら、走査方向Ｘに移動することによって、Ｘ
方向に、複数の一定間隔のピッチｐで離間して形成され
た複数の窪み１６、１６を形成する。
【００３８】この操作を繰り返すことによって、エキシ
マレーザーのレーザー光の走査線移動方向に、線１８に
沿って、Ｙ方向に連続した窪み１６からなる略直線状の
溝２０、２０が形成され、所定の回路配線パターンに対
応した粗面部１４を形成することができる。なお、図１
中では、略中央部の粗面部１４のＸ方向の長さが長くな
っているが、この場合には中央部での走査距離Ｌを長く
設定すればよい。
【００３９】この場合、レーザー光の走査方向の複数の
窪みの離間距離、すなわち、ピッチｐが、０．０１ｍｍ
以上であるのが望ましい。このような範囲に、複数の窪
みの離間距離ｐを設定することによって、回路配線パタ
ーン同士の短絡を防止することができる。また、レーザ
ー光の走査線位置間隔、すなわち、ピッチｑは、Ｙ方向
に連続した窪み１６を形成し得るピッチ幅として、０．
０１ｍｍ以上であるのが望ましい。
【００４０】すなわち、レーザー光の走査方向の複数の
窪みの離間距離、すなわち、パルス間の照射ピッチｐ、
および隣接する走査線位置間隔ｑは、窪み１６の間に樹
脂成形体１２の最表面層が残らない程度の照射ピッチ長
ｐおよび走査線の間隔ｑであるように、上記の範囲から
選択すればよい。照射ピッチｐまたは走査線位置間隔ｑ
が、レーザー光のスポット径に比べて著しく大きいと、
窪み１６と窪み１６の間でレーザー光が充分照射されな
い樹脂成形体１２の最表面層が除去されない箇所が存在
し、金属膜との接着性が劣化する。このため、窪み１６
と窪み１６の間の樹脂成形体１２の最表面層が除去され
ていることが望ましいからである。
【００４１】このようにして形成される窪み１６の幅お
よび深さは、レーザーの出力、スポット径、走査速度な
どに依存するが、窪みの最大幅Ｗが、０．０１〜１ｍ
ｍ、窪みの最大深さＤが、０．００１〜１ｍｍであるの
が望ましい。この場合、本発明で使用されるレーザー光
としては、２４０ｎｍのレーザー光を出すエキシマレー
ザからのレーザー光が望ましい。レーザー光の走査照射
は、ハイプレッションミラーとＨＰレンズの構成による
２次元平面でのビーム走査が望ましい。このときの焦点
深度は、２０〜６０μmであることが望ましい。
【００４２】また、パルス的に照射されるレーザー光の
パルスとしては、被加工物に対する熱的影響を考慮すれ
ば、１０ｎＳ〜３０ｎＳであるのが望ましい。また、本
発明では、レーザー光の走査照射の際、ビーム位置決め
方法として、同期スキャンＮＣ制御方式を採用すること
が望ましい。また、レーザー光のスポット径は用いる光
学系で異なるが、実用的な範囲で、０．０１ｍｍ以上で
あることが望ましい。このレーザー光をネガパターン形
状に加工されたガラス製マスクを通過させ、樹脂成形体
１２の表面１２ａに照射・掃引することで所望のパター
ン形状の粗面部１４が得られる。
【００４３】このようなエキシマレーザーを用いると、
レーザー光のスポット径は用いる光学系で異なるが、例
えば、０．０１ｍｍ以上であり、従来のＹＡＧレーザー
の場合には、レーザー光のスポット径が、０．０１ｍｍ
以上であるのに比較して小さい。従って、このようなエ
キシマレーザーを用いると、ＹＡＧレーザーなどに比較
して１０μｍ幅程度までの微細な回路配線パターンを描
くことが可能であるので、回路付き樹脂パッケージを極
めて小型化することができる。なお、加工の安定性を考
慮すると、回路配線パターンの幅としては、３０μｍ以
上であることが望ましい。
【００４４】さらに、走査線移動方向における線１８
は、図１に示したように、直線状で、平行に並んで粗面
部１４を覆う形でもよく、折れ線状であっても、曲線状
であってもよく、形成される粗面部１４の形状によって
適宜選択することができる。このように折れ線状、曲線
状にするには、レーザー光の各走査線位置において、走
査速度、一般的には前述したようなマスクを用いるのが
望ましい。
【００４５】このようにエキシマレーザーを用いると、
必要な微細回路の箇所のみを周期的な粗さを持つ粗面化
が可能となる。本発明では、上記のように平板形状の樹
脂成形体だけでなく、箱型樹脂成形体のような立体的な
成形体であっても、レーザー照射することができる。図
２は、このような箱型樹脂成形体に本発明に係る樹脂基
板の製造方法を適用した実施例を示す部分拡大斜視図で
ある。
【００４６】図１の実施例と同じ構成部材については、
同じ参照番号を付して、その詳細な説明を省略する。図
２に示したように、この樹脂成形体１２は、箱形状であ
って、下方の平面部１２ａと、この平面部１２ａに対し
て傾斜角度θで傾斜した傾斜側面１２ｂと、上方の平面
部１２ｃとを備えている。
【００４７】このような形状の樹脂成形体１２において
も、図１の実施例と同様に、エキシマレーザーのレーザ
ー光を、一定の周期でパルス的に照射しながら、走査方
向、すなわち、ビームスキャン方向（Ｘ）に移動し、レ
ーザー光の走査線位置を移動して、エキシマレーザーの
レーザー光を照射する走査を繰り返すことによって、図
２に示したように、これらの平面部１２ａと、傾斜側面
１２ｂと、上方の平面部１２ｃに粗面部１４が形成され
ている。
【００４８】この粗面部１４も、Ｘ方向、すなわち、エ
キシマレーザーのレーザー光の走査方向に、複数の一定
間隔のピッチｐで離間して形成された複数の窪み１６、
１６から形成されている。そして、これらの窪み１６、
１６はそれぞれ、Ｘ方向と直交するＹ方向、すなわち、
エキシマレーザーのレーザー光の走査線移動方向に、線
１８に沿って、略直線状の溝２０、２０を形成してい
る。
【００４９】この場合、このようにレーザー光走査によ
って、平面部１２ａと、傾斜側面１２ｂと、上方の平面
部１２ｃに粗面部１４を形成するためには、レーザー光
が傾斜側面１２ｂに照射できるためには、傾斜側面１２
ｂの平面部１２ａに対する傾斜角度θとしては、７５°
以下であることが望ましい。このような箱型樹脂成形体
１２でも、立体回路２２の線方向１８に対して垂直方向
Ｘにビーム走査することが可能であり、ビームの焦点深
度のおよそ５倍、好ましくは３倍までの高さＨの側面
（テーパ部）１２ｂの処理が可能である。
【００５０】さらに、スルーホールのように樹脂成形体
の表面と裏面とをつなぐ穴が開いているものであって
も、スルーホールの内壁にレーザー照射することができ
る。図３は、このような樹脂成形体のスルーホールに本
発明に係る樹脂基板の製造方法を適用した実施例を示す
部分拡大断面図である。図１の実施例と同じ構成部材に
ついては、同じ参照番号を付して、その詳細な説明を省
略する。
【００５１】図３に示したように、樹脂成形体１２の表
面１２ａと裏面１２ｄとの間に、貫通するスルーホール
３０が形成されている。このスルーホール３０の穴径
を、ビーム径より少し大きくすることで多重反射による
貫通照射することができる。すなわち、図３に示したよ
うに、レーザービームをＸ方向に走査することによっ
て、図３の矢印で示したように、スルーホール３０の内
壁で多重反射し、これにより、スルーホール３０の内壁
を粗面化することができる。
【００５２】さらに、本発明に係る樹脂基板の製造方法
では、樹脂成形体中に予め薬液消失粒子を混入させ、レ
ーザー光を走査照射した後、照射部分に露出した薬液消
失粒子を消失させる薬液処理を施してもよい。この場
合、薬液消失粒子とは、有機溶媒、水、酸液、アルカリ
液などの薬液に溶解して、消失する粒子をいい、具体的
には、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸
カルシウムなどが使用できる。
【００５３】このような薬液消失粒子の混入割合として
は、樹脂基板の成形性を考慮すれば、１０ｗｔ％以下、
好ましくは、５ｗｔ％以下とするのが望ましい。また、
薬液消失粒子のサイズとしては、粗化の効果を考慮すれ
ば、１μｍ以上、好ましくは、５〜１０μｍとするのが
望ましい。このような薬液消失粒子が混入した樹脂基板
の粗面化するべき部分に、レーザー光を照射させると、
照射部の樹脂成形体の表面層が消失し、薬液消失粒子が
露出する（頭を出す）。
【００５４】このような薬液消失粒子を薬液処理によっ
て消失させると、レーザー走査照射した部分に微細くぼ
みが形成され、粗面化することができる。従って、この
ような樹脂基板の表面に露出した薬液消失粒子を、薬液
処理によって消失させるだけで、レーザー走査（掃引）
によって照射した部分に、微細な窪みが形成され、粗面
化することができ、煩雑な工程を経ることなく、極めて
精度の良い回路配線パターンを得ることができる。（３）金属膜の形成： 次に、本発明では、上記のように
して形成した粗面部に金属膜が形成される。
【００５５】金属膜としては、銅、銀、金、白金、パラ
ジウム、ニッケルまたはこれらの合金などが使用でき
る。このような金属膜は、複数の金属の多層膜であって
もよい。また、金属膜の厚さは、０．１〜１００μｍ、
好ましくは１〜１０μｍであることが望ましい。このよ
うな金属膜は、めっき膜であることが好ましく、また、
樹脂基板の粗面部にはめっき触媒が存在していることが
好ましい。
【００５６】めっき触媒としては、有機パラジウム化合
物、有機白金化合物などが使用できる。このうち、有機
パラジウム化合物が好ましく使用される。このようなめ
っき触媒は、塩化パラジウム（ＰｄＣｌ2）、ジアンミ
ン第一パラジウム塩化物（Ｐｄ（ＮＨ3）2Ｃｌ2）、テ
トラアンミンしゅう酸パラジウム（Ｐｄ（ＮＨ3）4Ｃ2
Ｏ4）、硫酸パラジウム（ＰｄＳＯ4）などのパラジウム
化合物、または白金化合物などを含む触媒浴中で含む触
媒浴中で無電解処理するなどの方法によって行われる。
このとき、めっき触媒は、粗面部にのみ担持される。粗
面部が回路パターンを形成している場合は、回路パター
ン状にめっき触媒が担持される。
【００５７】このようにしてめっき触媒が付与された粗
面部に、金属膜がめっきによって形成される。金属膜の
めっきは、無電解めっき単独、あるいは電解めっき単独
でもよいが、好ましくは、無電解めっきと、電解めっき
との２工程で行うことが望ましい。無電解めっきは、溶
液中の金属イオンを、還元剤によって還元析出させる方
法である。
【００５８】無電解めっきに用いる還元剤としては、次
亜リン酸塩、水素化ホウ素化合物、水和ヒドラジン、ホ
ルムアルデヒド、次亜リン酸塩、N,N-ジエチルグリシ
ン、硫酸ヒドラジン、アスコルビン酸などが使用され
る。このような無電解めっきでは、まず析出させる金属
の塩を水などの溶媒に溶解し、還元剤を添加して、めっ
き浴を調製する。金属塩の濃度は、一般的に使用される
濃度であればよく、たとえば０．００１〜０．５モル／
リットルであればよい。
【００５９】このとき、必要に応じて、ｐＨ調整剤、緩
衝剤、錯化剤、促進剤、安定剤、改良剤などを添加して
もよい。ｐＨ調整剤としては、水酸化ナトリウム、アン
モニアなどの塩基性化合物、硫酸、塩酸などの無機酸、
酢酸、コハク酸などの有機酸などが使用できる。緩衝剤
としては、リン酸塩、クエン酸塩、酒石酸塩などが使用
できる。錯化剤としては、酢酸、グリコール酸、クエン
酸、酒石酸などの有機酸のアルカリ金属塩、チオグリコ
ール酸、アンモニア、ヒドラジン、トリエタノールアミ
ン、エチレンジアミン、グリシン、o-アミノフェノー
ル、ＥＤＴＡなどが使用できる。
【００６０】また、促進剤としては、コハク酸などが使
用できる。安定剤としては、チオ尿素、金属シアン化
物、アセチルアセトン、エチルオキサント酸などが使用
できる。改良剤としては、ＮａＣＮ、ＫＣＮなどが使用
できる。このように調製しためっき浴に、めっき触媒が
付与された粗面部１４を有する樹脂成形体１２を浸漬す
る。浸漬時間および浸漬温度は、めっきする金属の種
類、めっき浴中の金属イオン濃度より適宜選択される。
例えば、めっきする金属が銅の場合で、めっき浴中の金
属イオン濃度が２ｇ／リットルの場合、浸漬時間は約２
時間であり、浸漬温度は約７０℃である。
【００６１】そして、無電解めっきされた樹脂成形体
は、水洗・乾燥したのち、必要に応じて電解めっきされ
る。電解めっきは、一般に行われている方法の中から適
宜目的に応じた条件で行われる。電解めっきされる部分
は、粗面化された領域であるから、電流密度はその面積
で計算すればよい。
【００６２】また、不要部にめっきが付着した場合は、
ヤスリ等による研磨、あるいは化学エッチングによる溶
解により除去する。以上のような本発明に係る樹脂基板
の製造方法によれば、任意のパターンが描画された樹脂
基板が製造することができる。また上記金属膜の形状を
導体回路の配線パターンにすると、得られた樹脂基板
は、半導体装置の導体回路付きパッケージとして好適に
使用することができる。
【００６３】さらに、本発明に係る樹脂基板の製造方法
は、回路基板に限られず、樹脂製構造物の表面に、密着
性のよい金属膜を形成する場合にも有効である。（４）本発明の樹脂基板を半導体装置に適用した実施
例： 次に、本発明に係る樹脂基板を用いた半導体装置の
実施例について説明する。図４は本発明に係る樹脂基板
を用いた表面実装型の半導体装置の実施例の断面図であ
る。
【００６４】この半導体装置４０は、図４に示したよう
に、箱型樹脂パッケージ４１と、半導体素子４２と、導
体回路４３と、リッド４４とから構成されている。箱型
樹脂パッケージ４１の中央には、半導体素子４２を収納
するための凹部４５が設けられており、この凹部４５内
に、接着剤４６を介して半導体素子４２が固定されてい
る。
【００６５】さらに、半導体素子４２と導体回路４３と
は、金線などからなるボンディングワイヤー４７によっ
て電気的に接続されている。また、箱型樹脂パッケージ
４１の上端面４１ａには、リッド４４が接着剤４８によ
って接着固定されており、これにより、箱型樹脂パッケ
ージ４１の上部開口部４１ｂが閉止されている。
【００６６】なお、接着剤４６および接着剤４８として
は、通常、エポキシ樹脂または変性エポキシ樹脂が使用
される。図４に示した導体回路４３は、上記したような
本発明の樹脂基板の製造方法によって、平面回路４３ａ
と立体回路４３ｂが形成されており、これによって、樹
脂パッケージの表面および裏面の回路が電気的に接続さ
れている。
【００６７】図５は、本発明に係る樹脂基板を用いた他
の表面実装型の半導体装置の断面図である。図５に示し
たように、この半導体装置５０は、箱型樹脂パッケージ
５１と、半導体素子５２と、導体回路５３と、リッド５
４とから構成されている。箱型樹脂パッケージ５１の中
央には、半導体素子５２を収納するための凹部５５が設
けられており、この凹部５５内に、ベアチップ実装技術
を用いて、半導体素子５２または導体回路５３に設けら
れたバンプ５７などを介して、半導体素子５２が電気的
・機械的に接続されている。
【００６８】また、箱型樹脂パッケージ５１の上端面５
１ａには、リッド５４が接着剤５８によって接着固定さ
れており、これにより、箱型樹脂パッケージ５１の上部
開口部５１ｂが閉止されている。さらに、必要に応じ
て、半導体素子５２と、導体回路５３と、箱型樹脂パッ
ケージ５１の間に、応力緩衝用樹脂５６を浸透・硬化さ
せることもできる。
【００６９】この場合、接着剤５８としては、図４に示
した実施例の接着剤４６および接着剤４８と同様のもの
が使用できる。また、応力緩衝用樹脂５６としては、Un
derfillあるいはEncapsulant材料として知られる熱硬化
型または紫外線硬化型エポキシ樹脂などが使用できる。
さらに、図４および図５に示したような半導体装置を多
量作製する場合には、図６に示したような多数個取りに
製造方法を適用することができる。
【００７０】すなわち、図６に示したように、複数個の
箱型樹脂パッケージ６０が同時成形された箱型パッケー
ジ搭載板６１を、射出成形または押出成形などによって
成形する。なお、成形体６０の表面６０ａと裏面６０ｂ
をつなぐ立体回路として、スルーホール６２を設けても
よい。スルーホール６２の穴径をビーム径より少し大き
くすることで多重反射による貫通照射することができ
る。
【００７１】それぞれの箱型パッケージ６０の表面６０
ａと、裏面６０ｂと、スルーホール６２に、上記した本
発明の樹脂基板の製造方法によって、導体回路を形成す
る。そして、それぞれの箱型パッケージ６０をスルーホ
ール６２が断線しないように切断部６３で切断して、個
片の箱型パッケージ６０に分断すればよい。この場合、
切断には、ダイヤモンドカッタや薄型砥石などの高速切
断機が用いられる。切断の後、外形を整える場合は研削
等を行ってもよい。
【００７２】
【発明の効果】本発明によれば、レーザー光の照射を、
エキシマレーザーを用いて行うので、エキシマレーザー
を用いると、ＹＡＧレーザーなどに比較して１０μｍ幅
程度までの微細な回路配線パターンを描くことが可能で
あるので、回路付き樹脂パッケージを極めて小型化する
ことができる。
【００７３】しかも、樹脂成形体の表面に、エキシマレ
ーザー光を照射するだけで、樹脂成形体表面に、窪みか
らなる粗面部を形成することができるので、従来の樹脂
基板の製造方法のように、精密固定治具などがいらず、
煩雑な作業が不要であり、コストを極めて低減すること
ができる。さらに、エキシマレーザー光を照射するだけ
で良いので、従来の回路付き樹脂パッケージの製造方法
のように、エッチング・粗面化に、強酸・強アルカリな
どの薬液処理を行う必要がない。従って、作業環境が悪
化するおそれがなく、これらの強酸、強アルカリの交換
・補充などの作業が不要で、しかも、製造現場における
作業、環境上も良好である。
【００７４】また、エキシマレーザー光を照射すること
によって、樹脂成形体表面に、ほぼ均一な深さ、幅を有
する窪みからなる粗面部を形成することができるので、
次工程における粗面部上に金属膜を形成する際に、金属
膜がこの均一な窪みからなる粗面部に入り込み、樹脂成
形体の表面に強固な密着力で金属膜を形成することがで
き、高温安定性、耐半田クラック、耐薬品性に優れた樹
脂基板、ならびに樹脂基板を備えた半導体装置を提供で
きるなど幾多の顕著な作用効果を奏する極めて優れた発
明である。
【００７５】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて説明する
が、本発明はこれら実施例に何ら限定されるものではな
い。
【００７６】
【実施例１】エポキシ樹脂（「エポキシ樹脂EPOXTM」、
三井化学（株）製）からなる５０×５０×５ｍｍの平板
成形体の水平面の上に、ライン／スペース＝100μｍ／
１００μｍの幅で長さ３０ｍｍの疑似パターンの粗面部
を１５本、定格８０Ｗ出力の同期スキャンＮＣ型エキシ
マレーザ照射機（スポット径約０．５×２．５ｍｍ、Ｈ
ＰＬレンズ及び縮尺倍数４のガラス製マスクからなる光
学系を使用）によって、以下の条件でレーザー光を照射
して作成した。
【００７７】周波数：１００ｋＨｚ、 ビーム走査速度：２００ｍｍ／分 焦点深度：４０μｍ エネルギー出力：１．２Ｊ／ｃｍ2 次に、粗面部を作成した試験基板を、ジアミン第１パラ
ジウム塩化物Ｐｄ（ＮＨ3）2Ｃｌ2からなるめっき浴
に、５０℃、２時間浸漬し、粗面部表面に有機パラジウ
ム化合物を形成することによりめっき触媒を付与した。
【００７８】その後、試験基板を硫酸銅からなるめっき
浴に７１℃、２時間浸漬し、めっき厚が約０．５μｍに
なるまで、無電解銅めっきを行った。その後、試験基板
を水洗・乾燥し、硫酸銅からなるめっき浴に、３０℃、
８．６Ａ／ｄｍ2で、３０分浸漬して、電解銅めっき
（めっき厚約１５μｍ）を行った。次に、基板の表面
を、＃１００のサンドペーパーで磨き、パターン部位外
のめっきを除去した。
【００７９】その結果、ライン／スペース＝１００μｍ
／１００μｍのパターンが完成した。
【００８０】
【比較例１】エポキシ樹脂（「エポキシ樹脂ＥＰＯＸＴ
Ｍ」、三井化学（株）製）からなる５０×５０×５ｍｍ
の平板成形体の水平面の上に、ライン／スペース＝１０
０μｍ／１００μｍの幅で、長さ３０ｍｍの疑似パター
ンの粗面部を１５本、定格５０Ｗ出力のＱスイッチ型Ｙ
ＡＧレーザー照射機（スポット径約９０μｍ）によっ
て、以下の条件でレーザー光を照射して作成した。
【００８１】パルスピッチ：０．０７５ｍｍ Ｑスイッチ周波数：２０ｋＨｚビーム 走査速度：１５００ｍｍ／ｓｅｃ アパーチャ開度：全開 ビーム焦点位置：ジャストフォーカス レーザ出力：２．６Ｗ（加工点から１００ｍｍ下方での
測定値） 次に、実施例１と同様の方法でめっきを付着させ、また
不要部のめっきを除去したが、パターン部は全てのライ
ンが横につながった状態となった。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明に係る樹脂基板の製造方法にお
けるレーザー光の照射を示す原理図を示す斜視図であ
る。
【図２】図２は、このような箱型樹脂成形体に本発明に
係る樹脂基板の製造方法を適用した実施例を示す部分拡
大斜視図である。
【図３】図３は、このような樹脂成形体のスルーホール
に本発明に係る樹脂基板の製造方法を適用した実施例を
示す部分拡大断面図である。
【図４】図４は、本発明に係る樹脂基板を用いた表面実
装型の半導体装置の実施例の断面図である。
【図５】図５は、本発明に係る樹脂基板を用いた他の表
面実装型の半導体装置の断面図である。
【図６】図６は、本発明に係る樹脂基板を一度に多数個
作製する状態を説明する半導体装置の概略断面図であ
る。
【符号の説明】
１０ 樹脂基板 １２ 箱型樹脂成形体 １２ａ 平面部 １２ｂ 傾斜側面 １２ｃ 平面部 １２ｄ 裏面 １４ 粗面部 １８ 線 ２０ 溝 ２２ 立体回路 ３０ スルーホール ４０ 半導体装置 ４１ａ 上端面 ４１ｂ 上部開口部 ４１ 箱型樹脂パッケージ ４２ 半導体素子 ４３ 導体回路 ４３ａ 平面回路 ４３ｂ 立体回路 ４４ リッド ４５ 凹部 ４６、４８ 接着剤 ４７ ボンディングワイヤー ５０ 半導体装置 ５１ａ 上端面 ５１ｂ 上部開口部 ５１ 箱型樹脂パッケージ ５２ 半導体素子 ５３ 導体回路 ５４ リッド ５５ 凹部 ５６ 応力緩衝用樹脂 ５７ バンプ ５８ 接着剤 ６０ 箱型樹脂パッケージ ６０ａ 表面 ６０ｂ 裏面 ６１ 箱型パッケージ搭載板 ６２ スルーホール ６３ 切断部 Ｌ 走査距離 ｐ 照射ピッチ ｑ 走査線位置間隔 Ｗ ピッチ Ｘ 走査方向θ 傾斜角度
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 3/18 Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｌ Ｆ (72)発明者 鈴 木 庸 平 千葉県袖ヶ浦市長浦580−32 三井化学株 式会社内 (72)発明者 稲 田 邦 博 千葉県袖ヶ浦市長浦580−32 三井化学株 式会社内 Ｆターム(参考） 4E068 DA09 DB10 5E343 AA02 AA36 BB23 BB24 BB25 BB71 CC21 CC71 DD32 DD33 DD43 EE32 EE60 GG04 GG08 GG11 5F072 AA06 MM20 SS06 YY08

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 樹脂成形体の表面に、レーザー光を照射
    することによって、前記樹脂成形体表面に、窪みからな
    る粗面部を形成し、 前記粗面部上に金属膜を形成することによって樹脂基板
    を製造する方法であって、 前記レーザー光の照射を、エキシマレーザーを用いて行
    うことを特徴とする樹脂基板の製造方法。
  2. 【請求項２】 前記レーザー光の波長が、１００ｎｍ〜
    ５００ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の樹
    脂基板の製造方法。
  3. 【請求項３】 前記レーザー光のスポット径が、０．０
    １ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１から２のい
    ずれかに記載の樹脂基板の製造方法。
  4. 【請求項４】 前記レーザー光を走査方向に移動しなが
    ら、特定の周期でパルス的に照射することによって、前
    記レーザー光の走査方向において、一定間隔で離間した
    複数の窪みからなる粗面部を形成することを特徴とする
    請求項１から３のいずれかに記載の樹脂基板の製造方
    法。
  5. 【請求項５】 前記レーザー光の走査方向の移動による
    照射を、横方向に一定間隔離間した複数の走査線位置で
    行うことによって、連続した複数の窪みから構成される
    溝からなる粗面部を形成することを特徴とする請求項４
    に記載の樹脂基板の製造方法。
  6. 【請求項６】 前記レーザー光の走査方向の複数の窪み
    の離間距離が、０．０１ｍｍ以上であることを特徴とす
    る請求項４に記載の樹脂基板の製造方法。
  7. 【請求項７】 前記レーザー光の走査線位置間隔が、
    ０．０１ｍｍ以上であることを特徴とする請求項５に記
    載の樹脂基板の製造方法。
  8. 【請求項８】 前記粗面部上に形成された金属膜の形状
    が、導体回路の配線パターンであるように形成すること
    を特徴とする請求項１から７のいずれかに記載の樹脂基
    板の製造方法。
  9. 【請求項９】 前記樹脂成形体が、熱硬化性樹脂からな
    ることを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載の
    樹脂基板の製造方法。
  10. 【請求項１０】 前記粗面部上にめっき触媒を存在させ
    た状態でめっきすることによって前記金属膜を形成する
    ことを特徴とする請求項１から９のいずれかに記載の樹
    脂基板の製造方法。
  11. 【請求項１１】 前記樹脂成形体中に予め薬液消失粒子
    を混入させ、 前記レーザー光を照射して、照射部分に薬液消失粒子を
    露出させ、 前記露出した薬液消失粒子を消失させる薬液処理を施す
    ことによって、樹脂成形体の表面を粗面化し、この粗面
    化した部分に金属膜を形成することを特徴とする請求項
    １から１０のいずれかに記載の樹脂基板の製造方法。
  12. 【請求項１２】 樹脂成形体の表面に、エキシマレーザ
    ー光を照射することによって、前記樹脂成形体表面に形
    成された窪みからなる粗面部と、 前記粗面部上に形成された金属膜とから構成したことを
    特徴とする樹脂基板。
  13. 【請求項１３】 前記粗面部が、前記レーザー光を走査
    方向に移動しながら、特定の周期でパルス的に照射する
    ことによって、前記レーザー光の走査方向において、一
    定間隔で離間した複数の窪みからなる粗面部であること
    を特徴とする請求項１２に記載の樹脂基板。
  14. 【請求項１４】 前記粗面部が、前記レーザー光の走査
    方向の移動による照射を、横方向に一定間隔離間した複
    数の走査線位置で行うことによって、連続した複数の窪
    みから構成される溝からなる粗面部であることを特徴と
    する請求項１３に記載の樹脂基板。
  15. 【請求項１５】 前記粗面部上に形成された金属膜の形
    状が、導体回路の配線パターンであることを特徴とする
    請求項１２から１４のいずれかに記載の樹脂基板。
  16. 【請求項１６】 前記樹脂成形体が、熱硬化性樹脂から
    なることを特徴とする請求項１２から１５のいずれかに
    記載の樹脂基板。
  17. 【請求項１７】 前記金属膜が、前記粗面部上にめっき
    触媒を存在させた状態でめっきすることによって形成し
    た金属膜であることを特徴とする請求項１２から１６の
    いずれかに記載の樹脂基板。
  18. 【請求項１８】 前記金属膜が、前記樹脂成形体中に予
    め薬液消失粒子を混入させ、 前記レーザー光を照射して、照射部分に薬液消失粒子を
    露出させ、 前記露出した薬液消失粒子を消失させる薬液処理を施す
    ことによって、樹脂成形体の表面を粗面化し、この粗面
    化した部分に形成した金属膜であることを特徴とする請
    求項１２から１７のいずれかに記載の樹脂基板。
  19. 【請求項１９】 請求項１２から１８のいずれかに記載
    の樹脂基板を備えたことを特徴とする半導体装置。
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