JP2002353596A - 樹脂基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 微細回路を形成する場合において、樹脂成形
体上に粗面部と同じような傷（窪み）が生じている場合
であっても、当該傷に起因する回路の断線等を防止し
て、小型化、低価格化を図り、表面実装性、高温安定
性、耐薬品性、接着性および製造時の安全衛生の向上し
た樹脂基板の製造方法を提供する。 【解決手段】 樹脂成形体表面の少なくとも一部に、レ
ーザー光を掃引照射して、レーザー光の掃引方向にほぼ
一定のピッチの複数の窪みからなる粗面部を形成し、該
粗面部に金属膜を形成する樹脂基板の製造方法におい
て、前記レーザー光の掃引の前に前記樹脂成形体表面に
金属膜付着防止用の膜をコーティングし、その後、レー
ザー光の掃引をして前記樹脂成形体表面に粗面部を形成
し、該粗面部にのみ選択的に金属膜を形成する。
体上に粗面部と同じような傷（窪み）が生じている場合
であっても、当該傷に起因する回路の断線等を防止し
て、小型化、低価格化を図り、表面実装性、高温安定
性、耐薬品性、接着性および製造時の安全衛生の向上し
た樹脂基板の製造方法を提供する。 【解決手段】 樹脂成形体表面の少なくとも一部に、レ
ーザー光を掃引照射して、レーザー光の掃引方向にほぼ
一定のピッチの複数の窪みからなる粗面部を形成し、該
粗面部に金属膜を形成する樹脂基板の製造方法におい
て、前記レーザー光の掃引の前に前記樹脂成形体表面に
金属膜付着防止用の膜をコーティングし、その後、レー
ザー光の掃引をして前記樹脂成形体表面に粗面部を形成
し、該粗面部にのみ選択的に金属膜を形成する。
Description
【０００１】
【発明の技術分野】本発明は、樹脂基板およびその製造
方法に関し、詳しくは、微細回路の形成可能な樹脂成形
体表面に金属膜が密着性よく形成され、微細回路の断線
等のエラーが生じにくい樹脂基板およびその製造方法に
関する。特に、ＩＣ（集積回路）、ＣＣＤ（固体撮像素
子）、ＬＤ（半導体レーザー）などの半導体素子、また
は電気・電子素子などを収納する樹脂パッケージであっ
て、樹脂パッケージ表面に導体回路を設けた回路付き樹
脂パッケージの製造方法に関するものであり、さらに、
導体回路と樹脂との密着性にすぐれた３次元回路付き樹
脂パッケージの製造方法に関する。
方法に関し、詳しくは、微細回路の形成可能な樹脂成形
体表面に金属膜が密着性よく形成され、微細回路の断線
等のエラーが生じにくい樹脂基板およびその製造方法に
関する。特に、ＩＣ（集積回路）、ＣＣＤ（固体撮像素
子）、ＬＤ（半導体レーザー）などの半導体素子、また
は電気・電子素子などを収納する樹脂パッケージであっ
て、樹脂パッケージ表面に導体回路を設けた回路付き樹
脂パッケージの製造方法に関するものであり、さらに、
導体回路と樹脂との密着性にすぐれた３次元回路付き樹
脂パッケージの製造方法に関する。
【０００２】
【発明の技術的背景】従来、回路付き樹脂パッケージ
は、ＭＩＤ（Molded Interconnect Device：成形回路部
品）の呼び名で広く普及してきた。このＭＩＤとは樹脂
モールドした２次元または３次元部品の表面に導体回路
を形成するものである。近年、特に、３次元回路付き樹
脂パッケージは、パソコン、携帯機器などの情報関連分
野から自動車用車載部品などの過酷環境分野まで様々な
用途に使用されるようになっている。このため、３次元
回路付き樹脂パッケージには、その大きさ（小型化）、
価格（低価格化）や、表面実装性、高温での安定性、耐
薬品性あるいは接着性などの向上に対する要求がますま
す厳しくなっている。
は、ＭＩＤ（Molded Interconnect Device：成形回路部
品）の呼び名で広く普及してきた。このＭＩＤとは樹脂
モールドした２次元または３次元部品の表面に導体回路
を形成するものである。近年、特に、３次元回路付き樹
脂パッケージは、パソコン、携帯機器などの情報関連分
野から自動車用車載部品などの過酷環境分野まで様々な
用途に使用されるようになっている。このため、３次元
回路付き樹脂パッケージには、その大きさ（小型化）、
価格（低価格化）や、表面実装性、高温での安定性、耐
薬品性あるいは接着性などの向上に対する要求がますま
す厳しくなっている。
【０００３】ところで、ＭＩＤに用いられる樹脂として
は、ポリスルホン（ＰＳ）、ポリエーテルスルホン（Ｐ
ＥＳ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、液晶ポリマー
（ＬＣＰ）、エンジニアリングプラスティックスなどの
熱可塑性樹脂が一般的であった。そして、このような回
路付き樹脂パッケージは、特にＰＳＰ（Photo Select
ive Plating）法：部品に感光性触媒を塗布し回路部を
紫外線露光させた後、無電解めっきして回路を形成する
方法や、Mold-n-plate法（２ショット法）：触媒入り
樹脂で回路部を第１ショット、通常樹脂で第２ショット
した後、無電解めっきで回路を形成する方法で形成され
るのが一般的であった。
は、ポリスルホン（ＰＳ）、ポリエーテルスルホン（Ｐ
ＥＳ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、液晶ポリマー
（ＬＣＰ）、エンジニアリングプラスティックスなどの
熱可塑性樹脂が一般的であった。そして、このような回
路付き樹脂パッケージは、特にＰＳＰ（Photo Select
ive Plating）法：部品に感光性触媒を塗布し回路部を
紫外線露光させた後、無電解めっきして回路を形成する
方法や、Mold-n-plate法（２ショット法）：触媒入り
樹脂で回路部を第１ショット、通常樹脂で第２ショット
した後、無電解めっきで回路を形成する方法で形成され
るのが一般的であった。
【０００４】このため、このような樹脂パッケージには
次のような課題があった。 微細回路による小型化に関し、２ショット法は金型で
直接回路パターンを形成するため、成形安定性の面では
金型設計上の制約が多く、線幅が１mm未満の微細回路に
は適用することができず、小型化が図りにくい。 一方で、ＰＳＰ法によれば、線幅が１mm未満の微細回
路に適用することができるため、小型化の要求には応え
られる。しかしながらＰＳＰ法では、非常に高価な装
置、例えば高精度の３次元紫外線露光マスクや、このマ
スクと樹脂部品とを正確に固定する精密固定治具などが
必要であり、かつパッケージ１個１個にそれらのマスク
と治具を付けたり外したりする必要があり、工業的に高
価な製造工程となってしまい、低価格化が図りにくい。
次のような課題があった。 微細回路による小型化に関し、２ショット法は金型で
直接回路パターンを形成するため、成形安定性の面では
金型設計上の制約が多く、線幅が１mm未満の微細回路に
は適用することができず、小型化が図りにくい。 一方で、ＰＳＰ法によれば、線幅が１mm未満の微細回
路に適用することができるため、小型化の要求には応え
られる。しかしながらＰＳＰ法では、非常に高価な装
置、例えば高精度の３次元紫外線露光マスクや、このマ
スクと樹脂部品とを正確に固定する精密固定治具などが
必要であり、かつパッケージ１個１個にそれらのマスク
と治具を付けたり外したりする必要があり、工業的に高
価な製造工程となってしまい、低価格化が図りにくい。
【０００５】従来用いられている熱可塑性樹脂は、耐
湿性に劣り、かつ高温で不安定であるため、半田クラッ
クを生じ易い。すなわち、熱可塑性樹脂は、ガラス転移
点（Ｔｇ）に近づくと不安定となるため、ガラス転移温
度（Ｔｇ）が約２６０℃（半田リフロー温度）以上のも
のが必要となる。しかし現状の熱可塑性樹脂では、約２
６０℃以上のＴｇを持つものは高価である。よって、価
格面、高温安定性の面からの要求に応えにくくなってき
ている。
湿性に劣り、かつ高温で不安定であるため、半田クラッ
クを生じ易い。すなわち、熱可塑性樹脂は、ガラス転移
点（Ｔｇ）に近づくと不安定となるため、ガラス転移温
度（Ｔｇ）が約２６０℃（半田リフロー温度）以上のも
のが必要となる。しかし現状の熱可塑性樹脂では、約２
６０℃以上のＴｇを持つものは高価である。よって、価
格面、高温安定性の面からの要求に応えにくくなってき
ている。
【０００６】従来用いられている熱可塑性樹脂は強酸
または強アルカリの薬液処理によって樹脂自体がエッチ
ングされることを前提にしているため、もともと耐薬品
性に劣る。 接着性半導体容器としての樹脂パッケージは、導体回
路形成後に、樹脂基板上に金属、セラミクスあるいはガ
ラスなどの蓋を接着して気密封止するために封緘する必
要があるが、従来用いられている熱可塑性樹脂は非常に
接着性が悪い。
または強アルカリの薬液処理によって樹脂自体がエッチ
ングされることを前提にしているため、もともと耐薬品
性に劣る。 接着性半導体容器としての樹脂パッケージは、導体回
路形成後に、樹脂基板上に金属、セラミクスあるいはガ
ラスなどの蓋を接着して気密封止するために封緘する必
要があるが、従来用いられている熱可塑性樹脂は非常に
接着性が悪い。
【０００７】従来の樹脂パッケージではエッチング・
粗面化にクロム混酸やフッ酸などの強酸、苛性ソーダな
どの強アルカリが用いられている。しかし、これらの薬
液は通常高温（６０〜８０℃）で用いられるので、蒸発
などにより作業環境が悪化し、また、これらの薬液の交
換・補充などの作業時には製造現場の安全衛生を著しく
損ねることが懸念されている。
粗面化にクロム混酸やフッ酸などの強酸、苛性ソーダな
どの強アルカリが用いられている。しかし、これらの薬
液は通常高温（６０〜８０℃）で用いられるので、蒸発
などにより作業環境が悪化し、また、これらの薬液の交
換・補充などの作業時には製造現場の安全衛生を著しく
損ねることが懸念されている。
【０００８】このような諸問題に対し、本願出願人は、
特開平１０−３０８５６２号公報で開示されたように、
樹脂成形体表面の少なくとも一部に、レーザー光を掃引
照射して、レーザー光の掃引方向にほぼ一定のピッチの
複数の窪みからなる粗面部を形成し、該粗面部に金属膜
を形成する樹脂基板の製造方法を提案している。この方
法によれば、導体回路などの金属膜と基板との接着性に
すぐれた樹脂基板を得ることが可能であり、かつ微細回
路を樹脂基板上に直接描画できる上に、従来の薬液処理
のような製造時において環境が悪化したり、危険な作業
を伴ったりすることがないといった、安全衛生の点でも
極めて良好で安価なドライプロセスを提供することがで
きる。
特開平１０−３０８５６２号公報で開示されたように、
樹脂成形体表面の少なくとも一部に、レーザー光を掃引
照射して、レーザー光の掃引方向にほぼ一定のピッチの
複数の窪みからなる粗面部を形成し、該粗面部に金属膜
を形成する樹脂基板の製造方法を提案している。この方
法によれば、導体回路などの金属膜と基板との接着性に
すぐれた樹脂基板を得ることが可能であり、かつ微細回
路を樹脂基板上に直接描画できる上に、従来の薬液処理
のような製造時において環境が悪化したり、危険な作業
を伴ったりすることがないといった、安全衛生の点でも
極めて良好で安価なドライプロセスを提供することがで
きる。
【０００９】しかしながらこのような方法を用いた場合
においても、樹脂成形体表面に傷（窪み）等が存在した
場合には、めっき等により樹脂成形体表面に金属膜を形
成すると、レーザー光掃引部（粗面部）のみならず、樹
脂成形体表面の傷（窪み）部分にも金属膜が形成されて
しまい、場合によっては回路の断線等のエラーが生じて
しまうおそれがあることがわかった。
においても、樹脂成形体表面に傷（窪み）等が存在した
場合には、めっき等により樹脂成形体表面に金属膜を形
成すると、レーザー光掃引部（粗面部）のみならず、樹
脂成形体表面の傷（窪み）部分にも金属膜が形成されて
しまい、場合によっては回路の断線等のエラーが生じて
しまうおそれがあることがわかった。
【００１０】すなわち、特開平１０−３０８５６２号公
報に記載の方法では、粗面部にめっきにより金属膜を形
成するに際し、めっき触媒浴中に樹脂成形体を通して、
樹脂成形体表面の粗面部にめっき触媒を担持させ、これ
を基に金属膜を形成しているため、この方法では、粗面
部だけでなく、粗面部以外の樹脂成形体表面に生じた傷
（窪み）にもめっき触媒が付与されることとなり、その
結果、めっき工程において、粗面部以外の傷（窪み）に
も金属膜が形成されてしまう。そして、この金属膜が、
回路の断線等のエラーを生じさせてしまうと考えられ
る。
報に記載の方法では、粗面部にめっきにより金属膜を形
成するに際し、めっき触媒浴中に樹脂成形体を通して、
樹脂成形体表面の粗面部にめっき触媒を担持させ、これ
を基に金属膜を形成しているため、この方法では、粗面
部だけでなく、粗面部以外の樹脂成形体表面に生じた傷
（窪み）にもめっき触媒が付与されることとなり、その
結果、めっき工程において、粗面部以外の傷（窪み）に
も金属膜が形成されてしまう。そして、この金属膜が、
回路の断線等のエラーを生じさせてしまうと考えられ
る。
【００１１】特に、微細回路による小型化を図ったた
め、各配線回路間のピッチが非常に狭くなり、その結
果、多少の傷（窪み）が存在していても、その表面に金
属膜が形成されることによって、粗面部（回路）上の金
属膜と傷（窪み）上の金属膜との間でショートを起こ
し、従来よりも回路の断線等が生じやすいということが
考えられる。
め、各配線回路間のピッチが非常に狭くなり、その結
果、多少の傷（窪み）が存在していても、その表面に金
属膜が形成されることによって、粗面部（回路）上の金
属膜と傷（窪み）上の金属膜との間でショートを起こ
し、従来よりも回路の断線等が生じやすいということが
考えられる。
【００１２】
【発明の目的】本発明は、微細回路を形成する場合にお
いて、樹脂成形体上に粗面部と同じような傷（窪み）が
生じている場合であっても、当該傷に起因する回路の断
線等を防止して、小型化、低価格化を図り、表面実装
性、高温安定性、耐薬品性、接着性および製造時の安全
衛生の向上した樹脂基板およびその製造方法を提供する
ことを目的とする。
いて、樹脂成形体上に粗面部と同じような傷（窪み）が
生じている場合であっても、当該傷に起因する回路の断
線等を防止して、小型化、低価格化を図り、表面実装
性、高温安定性、耐薬品性、接着性および製造時の安全
衛生の向上した樹脂基板およびその製造方法を提供する
ことを目的とする。
【００１３】
【発明の概要】本発明に係る樹脂基板の製造方法は、樹
脂成形体表面の少なくとも一部に、レーザー光を掃引照
射して、レーザー光の掃引方向にほぼ一定のピッチの複
数の窪みからなる粗面部を形成し、該粗面部に金属膜を
形成する樹脂基板の製造方法において、前記レーザー光
の掃引の前に前記樹脂成形体表面に金属膜付着防止用の
膜をコーティングし、その後、レーザー光の掃引をして
前記樹脂成形体表面に粗面部を形成し、該粗面部にのみ
選択的に金属膜を形成することを特徴とする。
脂成形体表面の少なくとも一部に、レーザー光を掃引照
射して、レーザー光の掃引方向にほぼ一定のピッチの複
数の窪みからなる粗面部を形成し、該粗面部に金属膜を
形成する樹脂基板の製造方法において、前記レーザー光
の掃引の前に前記樹脂成形体表面に金属膜付着防止用の
膜をコーティングし、その後、レーザー光の掃引をして
前記樹脂成形体表面に粗面部を形成し、該粗面部にのみ
選択的に金属膜を形成することを特徴とする。
【００１４】この場合、前記金属膜を形成した後に、前
記金属膜付着防止用の膜を除去して、前記粗面部にのみ
選択的に金属膜を形成することが好ましい。また、前記
金属膜付着防止用の膜が天然ゴム系レジストまたは水系
アクリルエマルジョンであることが好ましく、前記粗面
部上に形成された金属膜の形状が導体回路の配線パター
ンであることが好ましく、前記樹脂成形体が熱硬化性樹
脂からなることが好ましい。
記金属膜付着防止用の膜を除去して、前記粗面部にのみ
選択的に金属膜を形成することが好ましい。また、前記
金属膜付着防止用の膜が天然ゴム系レジストまたは水系
アクリルエマルジョンであることが好ましく、前記粗面
部上に形成された金属膜の形状が導体回路の配線パター
ンであることが好ましく、前記樹脂成形体が熱硬化性樹
脂からなることが好ましい。
【００１５】本発明に係る樹脂基板は、樹脂成形体と、
該樹脂成形体表面にコーティングされた金属膜付着防止
用の膜と、該樹脂成形体表面の少なくとも一部に形成さ
れた粗面部と、該粗面部上に形成された金属膜とからな
り、該粗面部が、複数の窪みから形成され、これらの窪
みは１本以上の線に沿ってほぼ一定のピッチで配列され
ていることを特徴とする。
該樹脂成形体表面にコーティングされた金属膜付着防止
用の膜と、該樹脂成形体表面の少なくとも一部に形成さ
れた粗面部と、該粗面部上に形成された金属膜とからな
り、該粗面部が、複数の窪みから形成され、これらの窪
みは１本以上の線に沿ってほぼ一定のピッチで配列され
ていることを特徴とする。
【００１６】このような樹脂基板においては、前記粗面
部上に形成された金属膜は、めっき膜であり、かつ粗面
部にめっき触媒が存在していることが好ましく、また前
記樹脂成形体は、熱硬化性樹脂からなることが好まし
い。さらに前記粗面部上に形成された金属膜の形状は、
導体回路の配線パターンであることが好ましい。このよ
うな樹脂基板は、半導体装置に好適に使用することがで
きる。
部上に形成された金属膜は、めっき膜であり、かつ粗面
部にめっき触媒が存在していることが好ましく、また前
記樹脂成形体は、熱硬化性樹脂からなることが好まし
い。さらに前記粗面部上に形成された金属膜の形状は、
導体回路の配線パターンであることが好ましい。このよ
うな樹脂基板は、半導体装置に好適に使用することがで
きる。
【００１７】このようにレーザー光の掃引の前に金属膜
付着防止用の膜をコーティングすることで、一方ではレ
ーザー光の掃引によって金属付着防止用の膜が除去さ
れ、また樹脂成形体に窪みを形成してこの部分が粗面部
となり、他方ではレーザー光の掃引されない部分はその
まま金属膜付着防止用の膜がコーティングされているこ
とになる。
付着防止用の膜をコーティングすることで、一方ではレ
ーザー光の掃引によって金属付着防止用の膜が除去さ
れ、また樹脂成形体に窪みを形成してこの部分が粗面部
となり、他方ではレーザー光の掃引されない部分はその
まま金属膜付着防止用の膜がコーティングされているこ
とになる。
【００１８】よって、後工程において金属膜をめっきす
る場合に、たとえレーザー光掃引部（粗面部）と同様の
傷（窪み）その他の傷がレーザー光の掃引した部分以外
に生じていても、この金属膜付着防止用の膜が有効に作
用して、当該傷（窪み）部分に金属膜が形成されること
がなく、一方で、所望の粗面部にのみ、選択的に金属膜
を形成することができる。
る場合に、たとえレーザー光掃引部（粗面部）と同様の
傷（窪み）その他の傷がレーザー光の掃引した部分以外
に生じていても、この金属膜付着防止用の膜が有効に作
用して、当該傷（窪み）部分に金属膜が形成されること
がなく、一方で、所望の粗面部にのみ、選択的に金属膜
を形成することができる。
【００１９】したがって、この金属膜を導体回路とする
ことで、導体回路となる部分以外には金属膜は形成され
ていないので、微細回路を形成した場合でも、回路の断
線等を生じることがないため、エラーの少ない半導体装
置を形成することが可能となる。
ことで、導体回路となる部分以外には金属膜は形成され
ていないので、微細回路を形成した場合でも、回路の断
線等を生じることがないため、エラーの少ない半導体装
置を形成することが可能となる。
【００２０】
【発明の具体的説明】以下、本発明について具体的に説
明する。樹脂基板の製造方法 本発明に係る樹脂基板の製造方法においては、樹脂成
形体表面に金属膜付着防止用の膜をコーティングし、
該樹脂成形体表面の金属膜付着防止用の膜を形成した面
の少なくとも一部にレーザー光を掃引照射して、特定の
ピッチで複数の窪みからなる粗面部を形成し、該粗面
部に金属膜を形成する。その後、好ましくは、金属膜
付着防止用の膜を溶解（除去）する。
明する。樹脂基板の製造方法 本発明に係る樹脂基板の製造方法においては、樹脂成
形体表面に金属膜付着防止用の膜をコーティングし、
該樹脂成形体表面の金属膜付着防止用の膜を形成した面
の少なくとも一部にレーザー光を掃引照射して、特定の
ピッチで複数の窪みからなる粗面部を形成し、該粗面
部に金属膜を形成する。その後、好ましくは、金属膜
付着防止用の膜を溶解（除去）する。
【００２１】本発明において得られる樹脂基板は、樹脂
成形体表面の少なくとも一部に粗面部が形成され、該粗
面部にのみ選択的に金属膜が形成され、必要に応じて該
粗面部以外の樹脂成形体表面に金属膜付着防止用の膜が
形成されてなるものである。樹脂成形体 このような樹脂成形体としては、特に限定されるもので
はなく、箱型樹脂パッケージ（箱型樹脂成形体）であっ
ても、平板樹脂パッケージ（平板樹脂成形体）であって
もよい。
成形体表面の少なくとも一部に粗面部が形成され、該粗
面部にのみ選択的に金属膜が形成され、必要に応じて該
粗面部以外の樹脂成形体表面に金属膜付着防止用の膜が
形成されてなるものである。樹脂成形体 このような樹脂成形体としては、特に限定されるもので
はなく、箱型樹脂パッケージ（箱型樹脂成形体）であっ
ても、平板樹脂パッケージ（平板樹脂成形体）であって
もよい。
【００２２】本発明において、樹脂成形体を構成する樹
脂としては、耐熱性樹脂であればよい。具体的には、例
えばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、
不飽和ポリエステル樹脂、シリコーン樹脂などの熱硬化
性樹脂が挙げられ、従来の、例えばポリフェニレンオキ
シド（ＰＰＯ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰ
Ｓ）などのエンジニアリングプラスチックに代表される
熱可塑性樹脂を用いることも可能である。
脂としては、耐熱性樹脂であればよい。具体的には、例
えばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、
不飽和ポリエステル樹脂、シリコーン樹脂などの熱硬化
性樹脂が挙げられ、従来の、例えばポリフェニレンオキ
シド（ＰＰＯ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰ
Ｓ）などのエンジニアリングプラスチックに代表される
熱可塑性樹脂を用いることも可能である。
【００２３】ただし、このうち、化学的に安定な点で熱
硬化性樹脂が好ましく、中でも特にエポキシ樹脂が好ま
しい。エポキシ樹脂としては、例えば、オルソクレゾー
ル型、ビフェニール型、ナフタレン型などのエポキシ樹
脂が挙げられる。このような耐熱性樹脂には、必要に応
じて、無機フィラーが含まれていてもよい。無機フィラ
ーとして、具体的には、例えば水酸化アルミニウム、水
酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、アルミナ粉末、シ
リカ粉末、ボロンナイトライト粉末、酸化チタン粉末、
炭化ケイ素粉末、ガラス繊維、アルミナ繊維などが挙げ
られる。
硬化性樹脂が好ましく、中でも特にエポキシ樹脂が好ま
しい。エポキシ樹脂としては、例えば、オルソクレゾー
ル型、ビフェニール型、ナフタレン型などのエポキシ樹
脂が挙げられる。このような耐熱性樹脂には、必要に応
じて、無機フィラーが含まれていてもよい。無機フィラ
ーとして、具体的には、例えば水酸化アルミニウム、水
酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、アルミナ粉末、シ
リカ粉末、ボロンナイトライト粉末、酸化チタン粉末、
炭化ケイ素粉末、ガラス繊維、アルミナ繊維などが挙げ
られる。
【００２４】また、耐熱性樹脂には、無機フィラーの他
に、必要に応じて硬化剤、イミダゾール類、尿素誘導体
およびアミン化合物などの硬化促進剤、難燃剤、カップ
リング剤、ワックス類などの添加剤が含まれていてもよ
い。このような樹脂成形体は、前記耐熱性樹脂組成物
を、特に限定されるものではないが、例えば射出成形、
押出成形などの成形法により、箱型、平板型などの形状
に成形することによって得ることができる。
に、必要に応じて硬化剤、イミダゾール類、尿素誘導体
およびアミン化合物などの硬化促進剤、難燃剤、カップ
リング剤、ワックス類などの添加剤が含まれていてもよ
い。このような樹脂成形体は、前記耐熱性樹脂組成物
を、特に限定されるものではないが、例えば射出成形、
押出成形などの成形法により、箱型、平板型などの形状
に成形することによって得ることができる。
【００２５】このようにして得られた樹脂成形体の表面
に、好ましくは後述するレーザー光を掃引照射する面
に、レーザー光を掃引照射する前に、金属膜付着防止用
の膜をコーティングする。金属膜付着防止用の膜のコーティング 金属膜付着防止用の膜には、後工程のめっき処理時に樹
脂成形体をアルカリ性の液に浸積することから耐アルカ
リ性が要求される。また、耐アルカリ性以外の性質とし
て、塗布し易くするための低粘度性が求められる。これ
らを満たすものとして具体的には、例えば水系アクリル
エマルジョン、天然ゴム系レジスト、水系エポキシエマ
ルジョン、液状シリコンゴム等が挙げられ、このうち、
好ましくは、水系アクリルエマルジョン、天然ゴム系レ
ジストが挙げられる。
に、好ましくは後述するレーザー光を掃引照射する面
に、レーザー光を掃引照射する前に、金属膜付着防止用
の膜をコーティングする。金属膜付着防止用の膜のコーティング 金属膜付着防止用の膜には、後工程のめっき処理時に樹
脂成形体をアルカリ性の液に浸積することから耐アルカ
リ性が要求される。また、耐アルカリ性以外の性質とし
て、塗布し易くするための低粘度性が求められる。これ
らを満たすものとして具体的には、例えば水系アクリル
エマルジョン、天然ゴム系レジスト、水系エポキシエマ
ルジョン、液状シリコンゴム等が挙げられ、このうち、
好ましくは、水系アクリルエマルジョン、天然ゴム系レ
ジストが挙げられる。
【００２６】このような金属膜付着防止用の膜の形成方
法としては、種々の方法により可能であり特に限定され
るものではなく、例えばスクリーン印刷、ディッピング
等が挙げられるが、経済性の観点からディッピングが好
ましい。このような金属膜付着防止用の膜の厚さとして
は、前記樹脂成形体の表面上に形成した膜の厚さで０．
１〜１０００μｍ、好ましくは１０〜１００μｍである
ことが望ましい。このような範囲とすることで、レーザ
ーのパルスとの関係上、レーザー光の掃引によって、金
属膜付着防止用の膜を除去するとともに粗面部の形成を
均一に行うことが可能となる。
法としては、種々の方法により可能であり特に限定され
るものではなく、例えばスクリーン印刷、ディッピング
等が挙げられるが、経済性の観点からディッピングが好
ましい。このような金属膜付着防止用の膜の厚さとして
は、前記樹脂成形体の表面上に形成した膜の厚さで０．
１〜１０００μｍ、好ましくは１０〜１００μｍである
ことが望ましい。このような範囲とすることで、レーザ
ーのパルスとの関係上、レーザー光の掃引によって、金
属膜付着防止用の膜を除去するとともに粗面部の形成を
均一に行うことが可能となる。
【００２７】粗面部 金属膜形成の下地処理として、前記樹脂成形体表面の少
なくとも一部に、レーザー光を掃引照射して、この掃引
照射した軌跡に沿って粗面部を形成する。このようにし
て形成された粗面部は、例えば、図１に示したように、
複数の窪みから形成され、これらの窪みは１本以上の線
に沿ってほぼ一定のピッチＷで配列して形成されてい
る。この線は、レーザーが掃引した軌跡であり、粗面部
を覆う形であればよい。またこの線は、直線であって平
行に並んで粗面部を覆う形でもよく、折れ線であって
も、曲線であってもよく、形成される粗面部の形状によ
って適宜選択することができる。なお、図１では曲線が
示されている。
なくとも一部に、レーザー光を掃引照射して、この掃引
照射した軌跡に沿って粗面部を形成する。このようにし
て形成された粗面部は、例えば、図１に示したように、
複数の窪みから形成され、これらの窪みは１本以上の線
に沿ってほぼ一定のピッチＷで配列して形成されてい
る。この線は、レーザーが掃引した軌跡であり、粗面部
を覆う形であればよい。またこの線は、直線であって平
行に並んで粗面部を覆う形でもよく、折れ線であって
も、曲線であってもよく、形成される粗面部の形状によ
って適宜選択することができる。なお、図１では曲線が
示されている。
【００２８】このような窪みが配列するピッチＷは、レ
ーザー光の樹脂表面での走査速度をレーザーの周波数
（Ｑスイッチ周波数）で除したパルスピッチに等しく、
この場合、ピッチＷの上限は樹脂基板の最表面層が残ら
ない程度のピッチ長であればよい。パルスピッチがレー
ザー光のスポット径に比べて著しく大きいと、窪みと窪
みの間でレーザー光が充分照射されないで樹脂基板の最
表面層が除去されない箇所が存在し、金属膜との密着性
が劣化することがある。
ーザー光の樹脂表面での走査速度をレーザーの周波数
（Ｑスイッチ周波数）で除したパルスピッチに等しく、
この場合、ピッチＷの上限は樹脂基板の最表面層が残ら
ない程度のピッチ長であればよい。パルスピッチがレー
ザー光のスポット径に比べて著しく大きいと、窪みと窪
みの間でレーザー光が充分照射されないで樹脂基板の最
表面層が除去されない箇所が存在し、金属膜との密着性
が劣化することがある。
【００２９】一方、ピッチＷの下限は、特に限定される
ものではなく、操作性から０．０１ｍｍ以上であること
が望ましい。このような範囲とすることで、窪みと窪み
の間でも樹脂基板の最表面層が除去されることとなり望
ましい。また、前記レーザー光のスポット径は、用いる
光学系によって異なるものの、実用的な範囲で、０．０
１〜１ｍｍであることが望ましい。このような範囲であ
れば、適当なレーザー条件を設定することにより、窪み
間でも最表面層の除去が可能である。
ものではなく、操作性から０．０１ｍｍ以上であること
が望ましい。このような範囲とすることで、窪みと窪み
の間でも樹脂基板の最表面層が除去されることとなり望
ましい。また、前記レーザー光のスポット径は、用いる
光学系によって異なるものの、実用的な範囲で、０．０
１〜１ｍｍであることが望ましい。このような範囲であ
れば、適当なレーザー条件を設定することにより、窪み
間でも最表面層の除去が可能である。
【００３０】このようにして形成される窪みの幅Ｗおよ
び深さＤは、レーザーの出力、スポット径、走査速度な
どに依存するが、窪みの幅Ｗが最大幅で０．０１〜１ｍ
ｍ、窪みの深さＤが最大深さで０．００１〜１ｍｍであ
ることが望ましい。このようなレーザー光の掃引照射
は、図１に示すように行われる。すなわち、レーザー光
は、ビームスキャン方向（Ｘ）に特定の周期でパルス的
に照射し、かつＸ方向に特定のピッチで移動する。Ｘ方
向に所定の距離を走査したのち、Ｙ方向に１ピッチ（Ｙ
方向に連続した窪みを形成し得る幅で）ずれて、Ｘ方向
に同様のレーザー光照射を行う。このような動作を繰り
返して所定のパターンを形成する。
び深さＤは、レーザーの出力、スポット径、走査速度な
どに依存するが、窪みの幅Ｗが最大幅で０．０１〜１ｍ
ｍ、窪みの深さＤが最大深さで０．００１〜１ｍｍであ
ることが望ましい。このようなレーザー光の掃引照射
は、図１に示すように行われる。すなわち、レーザー光
は、ビームスキャン方向（Ｘ）に特定の周期でパルス的
に照射し、かつＸ方向に特定のピッチで移動する。Ｘ方
向に所定の距離を走査したのち、Ｙ方向に１ピッチ（Ｙ
方向に連続した窪みを形成し得る幅で）ずれて、Ｘ方向
に同様のレーザー光照射を行う。このような動作を繰り
返して所定のパターンを形成する。
【００３１】このとき、Ｑスイッチ周波数は、１〜１０
０kHz、好ましくは５〜５０kHzであり、走査速度は、５
００〜３０００ｍｍ／sec、好ましくは８００〜２００
０ｍｍ／secであることが望ましい。本発明で使用され
るレーザー光としては、１．０６μｍのレーザー光を出
すＱスイッチ型Ｎｄ：ＹＡＧレーザーからのレーザー光
が望ましい。レーザー光の掃引照射は、ガルバノミラー
とｆ−θレンズの構成による２次元平面でのビーム走査
が望ましい。このときの焦点深度は、２〜６ｍｍである
ことが望ましい。
０kHz、好ましくは５〜５０kHzであり、走査速度は、５
００〜３０００ｍｍ／sec、好ましくは８００〜２００
０ｍｍ／secであることが望ましい。本発明で使用され
るレーザー光としては、１．０６μｍのレーザー光を出
すＱスイッチ型Ｎｄ：ＹＡＧレーザーからのレーザー光
が望ましい。レーザー光の掃引照射は、ガルバノミラー
とｆ−θレンズの構成による２次元平面でのビーム走査
が望ましい。このときの焦点深度は、２〜６ｍｍである
ことが望ましい。
【００３２】本発明では、レーザー光の掃引照射の際、
ビーム位置決め方法としてｆ−θレンズ系を用いたガル
バノミラー・スキャニング方式を採用することが望まし
い。ガルバノミラー・スキャニング方式とは、Ｘ軸スキ
ャナとＹ軸スキャナとからなる一対のガルバノミラーと
ｆ−θレンズを組み合わせることによって、ｆ−θレン
ズの外径円までの大きさの同一面上の任意の点に焦点を
合わせることができるビームスキャニング方式であり、
文字などを直接描画するレーザーマーカーなどで一般的
に用いられているものである。
ビーム位置決め方法としてｆ−θレンズ系を用いたガル
バノミラー・スキャニング方式を採用することが望まし
い。ガルバノミラー・スキャニング方式とは、Ｘ軸スキ
ャナとＹ軸スキャナとからなる一対のガルバノミラーと
ｆ−θレンズを組み合わせることによって、ｆ−θレン
ズの外径円までの大きさの同一面上の任意の点に焦点を
合わせることができるビームスキャニング方式であり、
文字などを直接描画するレーザーマーカーなどで一般的
に用いられているものである。
【００３３】このようなガルバノミラー・スキャニング
方式を用いると、必要な微細回路の箇所のみを周期的な
粗さを持つ粗面化が可能となる。本発明では、箱型樹脂
成形体のような立体的な成形体であっても、レーザー照
射することができる。このような箱型樹脂成形体は、図
２に示すように、平面２と側面３とのなす角θが、７５
°以下であることが望ましい。このような箱型樹脂成形
体１では、立体回路４の線方向に対して垂直方向にビー
ム走査することが可能であり、ビームの焦点深度のおよ
そ５倍、好ましくは３倍までの高さの側面（テーパ部）
３の処理が可能である。
方式を用いると、必要な微細回路の箇所のみを周期的な
粗さを持つ粗面化が可能となる。本発明では、箱型樹脂
成形体のような立体的な成形体であっても、レーザー照
射することができる。このような箱型樹脂成形体は、図
２に示すように、平面２と側面３とのなす角θが、７５
°以下であることが望ましい。このような箱型樹脂成形
体１では、立体回路４の線方向に対して垂直方向にビー
ム走査することが可能であり、ビームの焦点深度のおよ
そ５倍、好ましくは３倍までの高さの側面（テーパ部）
３の処理が可能である。
【００３４】またスルーホールのように成形体の表面と
裏面とをつなぐ穴が開いているものであっても、スルー
ホールの内壁にレーザー照射することができる。この場
合、図３に示すように、スルーホール３２の穴径をビー
ム径より少し大きくすることで多重反射による貫通照射
することができる。これにより、スルーホール３２の内
壁を粗面化することができる。
裏面とをつなぐ穴が開いているものであっても、スルー
ホールの内壁にレーザー照射することができる。この場
合、図３に示すように、スルーホール３２の穴径をビー
ム径より少し大きくすることで多重反射による貫通照射
することができる。これにより、スルーホール３２の内
壁を粗面化することができる。
【００３５】金属膜 次に、本発明では、上記のようにして形成した粗面部に
金属膜が形成される。金属膜を形成するためには、まず
粗面部にめっき触媒を付与する。めっき触媒の付与は、
塩化パラジウム（PdCl2）、ジアンミン第一パラジウム
塩化物（Pd(NH3)2Cl2）、テトラアンミンしゅう酸パラ
ジウム（Pd(NH3)4C2O4）、硫酸パラジウム（PdSO4）な
どのパラジウム化合物、または白金化合物などを含む触
媒浴中で無電解処理するなどの方法によって行われる。
このとき、樹脂成形体表面の粗面部以外の部分は金属膜
付着防止用の膜が形成されているため、めっき触媒を粗
面部にのみ担持させることができる。粗面部が回路パタ
ーンを形成している場合は、回路パターン状にめっき触
媒が担持される。
金属膜が形成される。金属膜を形成するためには、まず
粗面部にめっき触媒を付与する。めっき触媒の付与は、
塩化パラジウム（PdCl2）、ジアンミン第一パラジウム
塩化物（Pd(NH3)2Cl2）、テトラアンミンしゅう酸パラ
ジウム（Pd(NH3)4C2O4）、硫酸パラジウム（PdSO4）な
どのパラジウム化合物、または白金化合物などを含む触
媒浴中で無電解処理するなどの方法によって行われる。
このとき、樹脂成形体表面の粗面部以外の部分は金属膜
付着防止用の膜が形成されているため、めっき触媒を粗
面部にのみ担持させることができる。粗面部が回路パタ
ーンを形成している場合は、回路パターン状にめっき触
媒が担持される。
【００３６】このようにしてめっき触媒が付与された粗
面部に、金属膜がめっきによって形成される。金属膜の
めっきは、無電解めっき単独、あるいは電解めっき単独
でもよいが、好ましくは、無電解めっきと、電解めっき
との２工程で行うことが望ましい。このような金属膜と
しては、銅、銀、金、白金、パラジウム、ニッケルまた
はこれらの合金などが挙げられる。このような金属膜
は、複数の金属の多層膜であってもよい。
面部に、金属膜がめっきによって形成される。金属膜の
めっきは、無電解めっき単独、あるいは電解めっき単独
でもよいが、好ましくは、無電解めっきと、電解めっき
との２工程で行うことが望ましい。このような金属膜と
しては、銅、銀、金、白金、パラジウム、ニッケルまた
はこれらの合金などが挙げられる。このような金属膜
は、複数の金属の多層膜であってもよい。
【００３７】また、このような金属膜の厚さとしては、
単独の金属または合金の膜であっても、複数の金属また
は合金の多層膜であっても、金属膜全体として０．１〜
１００μｍ、好ましくは１〜２０μｍであることが望ま
しい。無電解めっき 無電解めっきは、溶液中の金属イオンを、還元剤によっ
て還元析出させる方法である。
単独の金属または合金の膜であっても、複数の金属また
は合金の多層膜であっても、金属膜全体として０．１〜
１００μｍ、好ましくは１〜２０μｍであることが望ま
しい。無電解めっき 無電解めっきは、溶液中の金属イオンを、還元剤によっ
て還元析出させる方法である。
【００３８】還元剤としては、次亜リン酸塩、水素化ホ
ウ素化合物、水和ヒドラジン、ホルムアルデヒド、次亜
リン酸塩、N,N-ジエチルグリシン、硫酸ヒドラジン、ア
スコルビン酸などが使用される。このような無電解めっ
きでは、まず析出させる金属の塩を水などの溶媒に溶解
し、前記還元剤を添加して、めっき浴を調製する。金属
塩の濃度は、一般的に使用される濃度であればよく、例
えば０．００１〜０．５モル／リットルの範囲とするこ
とができる。
ウ素化合物、水和ヒドラジン、ホルムアルデヒド、次亜
リン酸塩、N,N-ジエチルグリシン、硫酸ヒドラジン、ア
スコルビン酸などが使用される。このような無電解めっ
きでは、まず析出させる金属の塩を水などの溶媒に溶解
し、前記還元剤を添加して、めっき浴を調製する。金属
塩の濃度は、一般的に使用される濃度であればよく、例
えば０．００１〜０．５モル／リットルの範囲とするこ
とができる。
【００３９】このとき、必要に応じて、ｐＨ調整剤、緩
衝剤、錯化剤、促進剤、安定剤、改良剤などを添加して
もよい。ｐＨ調整剤としては、水酸化ナトリウム、アン
モニアなどの塩基性化合物、硫酸、塩酸などの無機酸、
酢酸、コハク酸などの有機酸などが挙げられる。緩衝剤
としては、リン酸塩、クエン酸塩、酒石酸塩などが挙げ
られる。錯化剤としては、酢酸、グリコール酸、クエン
酸、酒石酸などの有機酸のアルカリ金属塩、チオグリコ
ール酸、アンモニア、ヒドラジン、トリエタノールアミ
ン、エチレンジアミン、グリシン、o-アミノフェノー
ル、ＥＤＴＡなどが挙げられる。
衝剤、錯化剤、促進剤、安定剤、改良剤などを添加して
もよい。ｐＨ調整剤としては、水酸化ナトリウム、アン
モニアなどの塩基性化合物、硫酸、塩酸などの無機酸、
酢酸、コハク酸などの有機酸などが挙げられる。緩衝剤
としては、リン酸塩、クエン酸塩、酒石酸塩などが挙げ
られる。錯化剤としては、酢酸、グリコール酸、クエン
酸、酒石酸などの有機酸のアルカリ金属塩、チオグリコ
ール酸、アンモニア、ヒドラジン、トリエタノールアミ
ン、エチレンジアミン、グリシン、o-アミノフェノー
ル、ＥＤＴＡなどが挙げられる。
【００４０】促進剤としては、コハク酸などが挙げられ
る。安定剤としては、チオ尿素、金属シアン化物、アセ
チルアセトン、エチルオキサント酸などが挙げられる。
改良剤としては、ＮａＣＮ、ＫＣＮなどが挙げられる。
このように調製しためっき浴に、めっき触媒が付与され
た粗面部を有する樹脂成形体を浸漬する。浸漬時間およ
び浸漬温度は、めっきする金属の種類、めっき浴中の金
属イオン濃度より適宜選択される。例えば、めっきする
金属が銅の場合で、めっき浴中の金属イオン濃度が２ｇ
／リットルの場合、浸漬時間は約２時間であり、浸漬温
度は約７０℃である。
る。安定剤としては、チオ尿素、金属シアン化物、アセ
チルアセトン、エチルオキサント酸などが挙げられる。
改良剤としては、ＮａＣＮ、ＫＣＮなどが挙げられる。
このように調製しためっき浴に、めっき触媒が付与され
た粗面部を有する樹脂成形体を浸漬する。浸漬時間およ
び浸漬温度は、めっきする金属の種類、めっき浴中の金
属イオン濃度より適宜選択される。例えば、めっきする
金属が銅の場合で、めっき浴中の金属イオン濃度が２ｇ
／リットルの場合、浸漬時間は約２時間であり、浸漬温
度は約７０℃である。
【００４１】このように無電解めっきされた樹脂成形体
は、水洗・乾燥したのち、必要に応じて電解めっきされ
る。電解めっき 電解めっきは、一般に行われている方法の中から適宜目
的に応じた条件で行うことができる。電解めっきされる
部分は、粗面化された領域であるから、電流密度はその
面積で計算すればよい。
は、水洗・乾燥したのち、必要に応じて電解めっきされ
る。電解めっき 電解めっきは、一般に行われている方法の中から適宜目
的に応じた条件で行うことができる。電解めっきされる
部分は、粗面化された領域であるから、電流密度はその
面積で計算すればよい。
【００４２】金属膜付着防止用の膜の除去（溶解） 本発明に係る樹脂基板の製造方法では、金属膜を形成し
た後に、金属膜付着防止用の膜を除去することが好まし
い。金属膜付着防止用の膜の除去（溶解）は樹脂成形体
を溶解液にディッピングすることによって行うことがで
きる。このように、金属膜付着防止用の膜を除去するこ
とによって、製品のべたつきを防止することができる。
た後に、金属膜付着防止用の膜を除去することが好まし
い。金属膜付着防止用の膜の除去（溶解）は樹脂成形体
を溶解液にディッピングすることによって行うことがで
きる。このように、金属膜付着防止用の膜を除去するこ
とによって、製品のべたつきを防止することができる。
【００４３】このような溶解液としては種々の有機溶剤
を用いることができるが、確実に溶解を行うためジメチ
ルホルムアミド、トルエン等が望ましい。この場合、浸
漬時間は１０分〜２時間好ましくは、３０分〜１時間で
ある。さらに確実に溶解するために、超音波を付加する
等の動作を加えることが望ましい。以上のような本発明
に係る製造方法によれば、任意のパターンが描画された
樹脂基板を製造することができる。また上記金属膜の形
状を導体回路の配線パターンにすると、得られた樹脂基
板は回路部分にのみ選択的に金属膜が形成されているた
め、回路の断線等によるエラーが少ない半導体装置の導
体回路付きパッケージを得ることができる。
を用いることができるが、確実に溶解を行うためジメチ
ルホルムアミド、トルエン等が望ましい。この場合、浸
漬時間は１０分〜２時間好ましくは、３０分〜１時間で
ある。さらに確実に溶解するために、超音波を付加する
等の動作を加えることが望ましい。以上のような本発明
に係る製造方法によれば、任意のパターンが描画された
樹脂基板を製造することができる。また上記金属膜の形
状を導体回路の配線パターンにすると、得られた樹脂基
板は回路部分にのみ選択的に金属膜が形成されているた
め、回路の断線等によるエラーが少ない半導体装置の導
体回路付きパッケージを得ることができる。
【００４４】なお、本発明に係る製造方法は、回路基板
に限られず、樹脂製構造物の表面に、密着性のよい金属
膜を形成する場合にも有効である。半導体装置 次に、本発明により得られる樹脂基板を用いた半導体装
置について説明する。図４は本発明により得られた樹脂
基板を用いた表面実装型半導体装置の断面図である。半
導体装置１０は、箱型樹脂パッケージ１１、半導体素子
１２、導体回路１３、およびリッド１４とから構成され
ている。箱型パッケージ１１の中央には、半導体素子１
２を収納するための凹部１５が設けられており、この凹
部１５に半導体素子１２が接着剤１６によって固定さ
れ、さらに、半導体素子１２と導体回路１３とは、ボン
ディングワイヤー１７によって電気的に接続されてい
る。
に限られず、樹脂製構造物の表面に、密着性のよい金属
膜を形成する場合にも有効である。半導体装置 次に、本発明により得られる樹脂基板を用いた半導体装
置について説明する。図４は本発明により得られた樹脂
基板を用いた表面実装型半導体装置の断面図である。半
導体装置１０は、箱型樹脂パッケージ１１、半導体素子
１２、導体回路１３、およびリッド１４とから構成され
ている。箱型パッケージ１１の中央には、半導体素子１
２を収納するための凹部１５が設けられており、この凹
部１５に半導体素子１２が接着剤１６によって固定さ
れ、さらに、半導体素子１２と導体回路１３とは、ボン
ディングワイヤー１７によって電気的に接続されてい
る。
【００４５】また、箱型パッケージ１１の上端面１１ａ
には、リッド１４が接着剤１８によって接着固定されて
おり、これにより、箱型パッケージ１１の上部開口部１
１ｂが閉止されている。図４の導体回路では、平面回路
１３ａと立体回路１３ｂによって、樹脂パッケージの表
面・裏面の回路を電気的に接続している。接着剤１６お
よび接着剤１８としては、通常、エポキシ樹脂または変
性エポキシ樹脂が使用される。
には、リッド１４が接着剤１８によって接着固定されて
おり、これにより、箱型パッケージ１１の上部開口部１
１ｂが閉止されている。図４の導体回路では、平面回路
１３ａと立体回路１３ｂによって、樹脂パッケージの表
面・裏面の回路を電気的に接続している。接着剤１６お
よび接着剤１８としては、通常、エポキシ樹脂または変
性エポキシ樹脂が使用される。
【００４６】図５は本発明により得られた樹脂基板を用
いた他の表面実装型半導体装置の断面図である。半導体
装置２０は、箱型樹脂パッケージ２１、半導体素子２
２、導体回路２３、およびリッド２４とから構成されて
いる。箱型パッケージ２１の中央には、半導体素子２２
を収納するための凹部２５が設けられており、この凹部
２５に半導体素子２２がベアチップ実装技術を用いて、
半導体素子２２または導体回路２３に設けられたバンプ
２７などによって電気的・機械的に接続されている。
いた他の表面実装型半導体装置の断面図である。半導体
装置２０は、箱型樹脂パッケージ２１、半導体素子２
２、導体回路２３、およびリッド２４とから構成されて
いる。箱型パッケージ２１の中央には、半導体素子２２
を収納するための凹部２５が設けられており、この凹部
２５に半導体素子２２がベアチップ実装技術を用いて、
半導体素子２２または導体回路２３に設けられたバンプ
２７などによって電気的・機械的に接続されている。
【００４７】また、箱型パッケージ２１の上端面２１ａ
には、リッド２４が接着剤２８によって接着固定されて
おり、これにより、箱型パッケージ２１の上部開口部２
１ｂが閉止されている。さらに、必要に応じて、半導体
素子２２、導体回路２３と箱型パッケージ２１の間に応
力緩衝用樹脂２６を浸透・硬化させることもできる。接
着剤２８としては、前記接着剤１６および接着剤１８と
同様のものが挙げられる。応力緩衝用樹脂２６として
は、UnderfillあるいはEncapsulant材料として知られる
熱硬化型または紫外線硬化型エポキシ樹脂などが挙げら
れる。
には、リッド２４が接着剤２８によって接着固定されて
おり、これにより、箱型パッケージ２１の上部開口部２
１ｂが閉止されている。さらに、必要に応じて、半導体
素子２２、導体回路２３と箱型パッケージ２１の間に応
力緩衝用樹脂２６を浸透・硬化させることもできる。接
着剤２８としては、前記接着剤１６および接着剤１８と
同様のものが挙げられる。応力緩衝用樹脂２６として
は、UnderfillあるいはEncapsulant材料として知られる
熱硬化型または紫外線硬化型エポキシ樹脂などが挙げら
れる。
【００４８】図４および図５のような半導体装置を多量
作製する場合、図６のように箱型樹脂パッケージ３０が
同時成形された箱型パッケージ搭載板３１を射出成形ま
たは押出成形などによって成形する。成形体表面・裏面
をつなぐ立体回路として、スルーホール３２を設けても
よい。スルーホール３２の穴径をビーム径より少し大き
くすることで多重反射による貫通照射することができ
る。各々の箱型パッケージの表面、裏面、およびスルー
ホールに導体回路を形成したのち、各々の箱型パッケー
ジをスルーホール３２が断線しないように切断部３３で
切断し個片に切り分ける。切断にはダイヤモンドカッタ
や薄型砥石などの高速切断機が用いられる。切断の後、
外形を整える場合は研削等を行ってもよい。
作製する場合、図６のように箱型樹脂パッケージ３０が
同時成形された箱型パッケージ搭載板３１を射出成形ま
たは押出成形などによって成形する。成形体表面・裏面
をつなぐ立体回路として、スルーホール３２を設けても
よい。スルーホール３２の穴径をビーム径より少し大き
くすることで多重反射による貫通照射することができ
る。各々の箱型パッケージの表面、裏面、およびスルー
ホールに導体回路を形成したのち、各々の箱型パッケー
ジをスルーホール３２が断線しないように切断部３３で
切断し個片に切り分ける。切断にはダイヤモンドカッタ
や薄型砥石などの高速切断機が用いられる。切断の後、
外形を整える場合は研削等を行ってもよい。
【００４９】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて説明する
が、本発明はこれら実施例に何ら限定されるものではな
い。
が、本発明はこれら実施例に何ら限定されるものではな
い。
【００５０】
【実施例１】エポキシ樹脂（三井化学（株）製：エポキ
シ樹脂EPOX（Ｒ））からなる５０×５０×５ｍｍの平板
成形体を天然ゴム系レジスト（富士フィルムオーリン
（株）製：ウェイコートＳＣ４５０）に浸積・乾燥し、
この天然ゴム系レジストを平均厚み１０μｍの金属膜付
着防止用の膜としてコーティングした。
シ樹脂EPOX（Ｒ））からなる５０×５０×５ｍｍの平板
成形体を天然ゴム系レジスト（富士フィルムオーリン
（株）製：ウェイコートＳＣ４５０）に浸積・乾燥し、
この天然ゴム系レジストを平均厚み１０μｍの金属膜付
着防止用の膜としてコーティングした。
【００５１】次に、５０×５０ｍｍの水平面の上に、ラ
イン／スペース＝１ｍｍ／１ｍｍの幅で長さ３０ｍｍの
疑似パターンの粗面部を１５本、定格５０Ｗ出力のＱス
イッチ型ＹＡＧレーザー照射機（スポット径約９０μ
ｍ）によって、以下の条件でレーザー光を照射して作成
した。 パルスピッチ ：０．０７５ｍｍＱ スイッチ周波数 ：２０ｋＨｚ ビーム走査速度 ：１５００mm／sec アパーチャ開度 ：全開 ビーム焦点位置 ：ジャストフォーカス レーザー出力 ：２．６Ｗ（加工点から１００ｍｍ下方での測定値） 次に、粗面部を作成した試験基板をジアミン第１パラジ
ウム塩化物Pd(NH3)2Cl 2からなるめっき浴に、５０℃、
２時間浸漬し、粗面部表面に有機パラジウム化合物を形
成することによりめっき触媒を付与した。
イン／スペース＝１ｍｍ／１ｍｍの幅で長さ３０ｍｍの
疑似パターンの粗面部を１５本、定格５０Ｗ出力のＱス
イッチ型ＹＡＧレーザー照射機（スポット径約９０μ
ｍ）によって、以下の条件でレーザー光を照射して作成
した。 パルスピッチ ：０．０７５ｍｍＱ スイッチ周波数 ：２０ｋＨｚ ビーム走査速度 ：１５００mm／sec アパーチャ開度 ：全開 ビーム焦点位置 ：ジャストフォーカス レーザー出力 ：２．６Ｗ（加工点から１００ｍｍ下方での測定値） 次に、粗面部を作成した試験基板をジアミン第１パラジ
ウム塩化物Pd(NH3)2Cl 2からなるめっき浴に、５０℃、
２時間浸漬し、粗面部表面に有機パラジウム化合物を形
成することによりめっき触媒を付与した。
【００５２】その後、試験基板を硫酸銅からなるめっき
浴に７１℃、２時間浸漬し、めっき厚が約０．５μｍに
なるまで、無電解銅めっきを行った。その後、試験基板
を水洗・乾燥し、硫酸銅からなるめっき浴に、３０℃、
８．６A／ｄｍ2で、３０分浸漬して、電解銅めっき（め
っき厚約１５μｍ）を行った。次に、得られた試験基板
をジメチルホルムアミドに６０分間、超音波付加を伴っ
て浸積し、レジストを溶解させた。その結果、粗化部の
みにめっきのついた試験基板（樹脂基板）ができあがっ
た。
浴に７１℃、２時間浸漬し、めっき厚が約０．５μｍに
なるまで、無電解銅めっきを行った。その後、試験基板
を水洗・乾燥し、硫酸銅からなるめっき浴に、３０℃、
８．６A／ｄｍ2で、３０分浸漬して、電解銅めっき（め
っき厚約１５μｍ）を行った。次に、得られた試験基板
をジメチルホルムアミドに６０分間、超音波付加を伴っ
て浸積し、レジストを溶解させた。その結果、粗化部の
みにめっきのついた試験基板（樹脂基板）ができあがっ
た。
【００５３】このようにして得られた樹脂基板を１０個
用意し、光学顕微鏡を用いて回路部のエラーを検査した
が、エラーは全く観察されなかった。
用意し、光学顕微鏡を用いて回路部のエラーを検査した
が、エラーは全く観察されなかった。
【００５４】
【実施例２】実施例１において、天然ゴム系レジストの
代わりに水系アクリルエマルジョン（三井化学（株）
製：アルマテックス（Ｒ）ＥＳ−１１２０）を用いた以
外は同じ操作を行った。その結果、粗化部のみにめっき
のついた試験基板ができあがった。
代わりに水系アクリルエマルジョン（三井化学（株）
製：アルマテックス（Ｒ）ＥＳ−１１２０）を用いた以
外は同じ操作を行った。その結果、粗化部のみにめっき
のついた試験基板ができあがった。
【００５５】その後、実施例１と同様にして、樹脂基板
１０個について検査を行ったが、エラーは全く観察され
なかった。
１０個について検査を行ったが、エラーは全く観察され
なかった。
【００５６】
【比較例１】実施例１において、天然ゴム系レジストに
よる金属膜付着防止用の膜のコーティング工程を行わず
にそれ以外の操作を行った。その結果、粗面部以外にめ
っきの付着が多数見られた。また、実施例１と同様にし
て検査を行ったところ、樹脂基板１０個中５個に回路部
のエラーが認められた。
よる金属膜付着防止用の膜のコーティング工程を行わず
にそれ以外の操作を行った。その結果、粗面部以外にめ
っきの付着が多数見られた。また、実施例１と同様にし
て検査を行ったところ、樹脂基板１０個中５個に回路部
のエラーが認められた。
【００５７】
【発明の効果】本発明によれば、微細回路を形成する場
合において、樹脂成形体上に粗面部と同じような傷（窪
み）が生じている場合であっても、当該傷に起因する回
路の断線等を防止して、小型化、低価格化を図り、表面
実装性、高温安定性、耐薬品性、接着性および製造時の
安全衛生の向上した樹脂基板およびその製造方法を提供
することができる。
合において、樹脂成形体上に粗面部と同じような傷（窪
み）が生じている場合であっても、当該傷に起因する回
路の断線等を防止して、小型化、低価格化を図り、表面
実装性、高温安定性、耐薬品性、接着性および製造時の
安全衛生の向上した樹脂基板およびその製造方法を提供
することができる。
【図１】 図１は、本発明に係る樹脂基板の製造方法に
おけるレーザー光の照射を示す原理図を示す。
おけるレーザー光の照射を示す原理図を示す。
【図２】 図２は、立体回路と平面回路のビーム走査方
向の違いを示す箱型樹脂パッケージ壁面の概略図を示
す。
向の違いを示す箱型樹脂パッケージ壁面の概略図を示
す。
【図３】 図３は、スルーホール内壁面全面へのレーザ
ーの照射を示す原理図を示す。
ーの照射を示す原理図を示す。
【図４】 図４は、本発明により得られた樹脂基板が使
用された半導体装置を示す断面図を示す。
用された半導体装置を示す断面図を示す。
【図５】 図５は、本発明により得られた樹脂基板が使
用された別の半導体装置を示す断面図を示す。
用された別の半導体装置を示す断面図を示す。
【図６】 図６は、本発明により得られる樹脂基板を一
度に作成するときの半導体装置の概略断面図を示す。
度に作成するときの半導体装置の概略断面図を示す。
１ 箱型樹脂パッケージ ２ 平面 ３ 側面 ４ 立体回路 １０ 半導体装置 １１ 箱型樹脂パッケージ（パッケージ本体） １１ａ 箱型樹脂パッケージの上端面 １１ｂ 箱型樹脂パッケージの上部開口部 １２ 半導体素子 １３ 導体回路 １３ａ 平面回路（導体回路の内） １３ｂ 立体回路（導体回路の内） １４ リッド １５ 箱型樹脂パッケージの凹部 １６ 接着剤（半導体接着用） １７ ボンディングワイヤ １８ 接着剤（リッド接着用） ２０ 半導体装置 ２１ 箱型樹脂パッケージ（パッケージ本体） ２１ａ 箱型樹脂パッケージの上端面 ２１ｂ 箱型樹脂パッケージの上部開口部 ２２ 半導体素子 ２３ 導体回路 ２４ リッド ２５ 箱型樹脂パッケージの凹部 ２６ 応力緩衝用樹脂 ２７ バンプ ２８ 接着剤（リッド接着用） ３０ 箱型樹脂パッケージ ３１ 複数の箱型樹脂パッケージ搭載板 ３２ スルーホール ３３ 切断部
フロントページの続き Ｆターム(参考） 5E343 AA02 AA17 BB24 BB71 CC61 DD33 DD43 EE33 ER11 ER12 ER55 ER57 GG01 GG06 GG08
Claims (7)
- 【請求項１】 樹脂成形体表面の少なくとも一部に、レ
ーザー光を掃引照射して、レーザー光の掃引方向にほぼ
一定のピッチの複数の窪みからなる粗面部を形成し、該
粗面部に金属膜を形成する樹脂基板の製造方法におい
て、 前記レーザー光の掃引の前に前記樹脂成形体表面に金属
膜付着防止用の膜をコーティングし、その後、レーザー
光の掃引をして前記樹脂成形体表面に粗面部を形成し、
該粗面部にのみ選択的に金属膜を形成することを特徴と
する樹脂基板の製造方法。 - 【請求項２】 前記金属膜を形成した後に、前記金属膜
付着防止用の膜を除去して、前記粗面部にのみ選択的に
金属膜を形成することを特徴とする請求項１に記載の樹
脂基板の製造方法。 - 【請求項３】 前記金属膜付着防止用の膜が天然ゴム系
レジストまたは水系アクリルエマルジョンであることを
特徴とする請求項１から２のいずれかに記載の樹脂基板
の製造方法。 - 【請求項４】 前記粗面部上に形成された金属膜の形状
が導体回路の配線パターンであることを特徴とする請求
項１から３のいずれかに記載の樹脂基板の製造方法。 - 【請求項５】 前記樹脂成形体が熱硬化性樹脂からなる
ことを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の樹
脂基板の製造方法。 - 【請求項６】 樹脂成形体と、該樹脂成形体表面にコー
ティングされた金属膜付着防止用の膜と、該樹脂成形体
表面の少なくとも一部に形成された粗面部と、該粗面部
上に形成された金属膜とからなり、該粗面部が、複数の
窪みから形成され、これらの窪みは１本以上の線に沿っ
てほぼ一定のピッチで配列されていることを特徴とする
樹脂基板。 - 【請求項７】 請求項１から５のいずれかに記載の製造
方法で得られた樹脂基板または請求項６に記載の樹脂基
板を用いた半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001162406A JP2002353596A (ja) | 2001-05-30 | 2001-05-30 | 樹脂基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001162406A JP2002353596A (ja) | 2001-05-30 | 2001-05-30 | 樹脂基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002353596A true JP2002353596A (ja) | 2002-12-06 |
Family
ID=19005534
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001162406A Pending JP2002353596A (ja) | 2001-05-30 | 2001-05-30 | 樹脂基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002353596A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005032779A (ja) * | 2003-07-07 | 2005-02-03 | Mitsui Chemicals Inc | パッケージの製造方法 |
| US20230015239A1 (en) * | 2017-05-04 | 2023-01-19 | Si Group, Inc. | Stabilising Composition |
-
2001
- 2001-05-30 JP JP2001162406A patent/JP2002353596A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005032779A (ja) * | 2003-07-07 | 2005-02-03 | Mitsui Chemicals Inc | パッケージの製造方法 |
| US20230015239A1 (en) * | 2017-05-04 | 2023-01-19 | Si Group, Inc. | Stabilising Composition |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070315 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090806 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090818 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100105 |