JP2002043706A

JP2002043706A - 樹脂成形体、樹脂製プリント回路基板および半導体パッケージ、並びに、それらを製造する方法

Info

Publication number: JP2002043706A
Application number: JP2000230258A
Authority: JP
Inventors: Eiki Togashi; 栄樹富樫; Kunihiro Inada; 邦博稲田
Original assignee: Mitsui Chemicals Inc
Current assignee: Mitsui Chemicals Inc
Priority date: 2000-07-31
Filing date: 2000-07-31
Publication date: 2002-02-08

Abstract

(57)【要約】【課題】安価で小型、表面実装性、高温安定、耐薬品
性、接着性および製造時の安全衛生などに優れた樹脂基
板および半導体パッケージ並びにそれらの製造方法を提
供する。【解決手段】樹脂成形体、特に平面状又は容器状に成
形された熱硬化性樹脂成形体の表面の一部を、線状に稠
密に多数連鎖したクレータにより粗面化し、その粗面化
された領域に、プリント回路を形成する金属メッキ膜を
形成することによって達成される。プリント回路を形成
する金属メッキ膜を設けた樹脂成形体は、容器状、平板
状などの他、各種の機械部品などの形状とすることがで
きる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、表面に金属被膜を
有する樹脂成形体、樹脂製プリント回路基板およびプリ
ント回路付の樹脂製半導体パッケージ(本明細書におい
ては単に半導体パッケージと言うものとする。)、並び
に、それらを製造する方法に関し、特に、LSI(大規模集
積回路)、CCD(固体撮像素子)、LD(半導体レーザ)などの
多端子型半導体素子を収納する半導体パッケージ及びそ
の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】樹脂製の半導体パッケージはMID(Molded
Interconnect Device)の呼び名で広く普及している。
このMIDとは、ポリスルホン(PS)、ポリエーテルスルホ
ン(PES)、ポリエーテルイミド(PEI)、液晶ポリマー(LC
P)、エンジニアリングプラスティックスなどの熱可塑性
樹脂をモールドした二次元又は三次元形状の半導体素子
取付部品の表面に直接プリント回路を形成し、製造する
ものである。

【０００３】このような半導体パッケージは、主に以下
のような方法で形成されている。 1) APE(Additive Plate−ｎ−Etch）法成形品全体に無電解メッキを施した後、エッチングで回
路を形成する方法。 2) MnA法触媒入り樹脂でモールドされた成形品にマスクを当てて
無電解メッキし、回路を形成する方法。 3) PSP法(Photo Selective Plating) 部品に感光性触媒を塗布し、回路パターンをUV露光し、
無電解メッキして回路を形成する方法。 4) Mold−n−Plate法(2ショット法) 触媒入り樹脂で回路部を第1ショットし、次いで非回路
部を通常樹脂で第2ショットした後、無電解メッキで回
路を形成する方法。これらの方法のうち、PSP法と2ショット法がよく用いら
れている。

【０００４】近年、特に、容器形などの三次元形状部材
の表面にプリント回路を直接形成して成る半導体パッケ
ージは、パソコン、事務用電子機器、携帯端末などの情
報関連分野から、多くの制御機器、家電、自動車用車載
部品など、過酷な条件下で様々な用途に使用されるよう
になっている。このため、この種の半導体パッケージに
は、小型化及びコスト面での要求に加えて、表面実装
性、高温での安定性、耐薬品性、接着性などに対する要
求も益々厳しくなっている

【０００５】然しながら、従来の三次元形状の半導体パ
ッケージには以下のような問題があった。 (1) 半田クラック問題従来の半導体パッケージで用いられている熱可塑性樹脂
は、耐湿性に劣り、かつ、高温で不安定であるため、半
田クラックを生じ易い。

【０００６】(2) 微細回路による小型化の限界上記の２ショット法では、金型で直接回路パターンを形
成するため、成形安定性から金型設計上の制約が多く、
線幅1mm未満の微細回路を形成することが困難である。
一方、PSP法では線幅1mm未満の微細回路を構成し得る。
然しながら、PSP法では、非常に高価な高精度の三次元U
V露光マスクと、樹脂部品にマスクを正確に取付けるた
めの精密位置決め治具などが必要であり、かつ製品１個
毎にそれらのマスクと治具を着脱する必要があり、その
ためコストが嵩むことになる。

【０００７】(3) 高温での不安定性熱可塑性樹脂は一般的に温度がガラス転移点Tgに近づく
と不安定となるので、半田リフロー温度以上、即ち約26
0℃以上のガラス転移温度を有する熱可塑性樹脂が必要
となるが、現状では、約260℃以上のTgを持つ熱可塑性
樹脂は高価である。

【０００８】(4) 耐薬品性半導体パッケージに用いられる前記PS、PES、PEI、LCP
などの熱可塑性樹脂は薬液(強酸・強アルカリ)処理によ
って樹脂自体がエッチングされることを前提にしている
ため、耐薬品性が低い。

【０００９】(5) 接着性半導体パッケージの封緘には、金属、セラミクス、ガラ
スなどの蓋を接着し気密に封止する必要があるが、従来
のMIDで用いられるLCPなどの樹脂は接着性が非常に悪
い。

【００１０】(6) 製造時の労働安全衛生及び環境汚染に
関する問題従来の半導体パッケージではエッチングや、粗面化工程
でクロム混酸やフッ酸などの強酸、苛性ソーダなどの強
アルカリが用いられている。これらの薬液は通常高温(6
0ないし80℃)で用いられるので、交換、補充などの作業
時には蒸発などにより製造現場の安全衛生及び工場周辺
の環境を著しく損ねることがある。

【００１１】これらの課題を解決するため様々な試みが
なされているが、コスト低減と要求される諸特性を斉し
く満足する方法は未だ提案されていない。一方、LSI、C
CD、LDをはじめとする半導体素子のパッケージに対する
価格低減要求は年々厳しさを増しており、特に三次元形
状の回路付半導体パッケージについては、表面実装効率
の高度化、微細回路による小型化、高温安定性、耐薬品
性、接着性の向上、製造時の安全衛生の確保と環境汚染
の根絶などを実現するため、新たなプロセス開発が望ま
れていた。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の問題
点を解決するためなされたもので、安価で小型、表面実
装効率が高く、高温でも安定で、耐薬品性および接着性
に優れ、製造時にも危険がなく、環境汚染度も低い、優
れた樹脂製プリント回路基板及び半導体パッケージ並び
にそれらの製造方法を提供することを目的としている。

【００１３】

【課題を解決する手段】上記課題は、樹脂成形体、特に
平面状又は容器状に成形された熱硬化性樹脂成形体の表
面の一部を、線状に稠密に多数連鎖したクレータにより
粗面化し、その粗面化された領域に、プリント回路を形
成する金属メッキ膜を形成することによって達成され
る。而して、本明細書において、クレータとは、レーザ
光パルスのショットにより樹脂部材の表面に生じた穴若
しくは窪みを指すものとする。プリント回路を形成する
金属メッキ膜を設けた樹脂成形体は、容器状、平板状な
どの他、例えばケース、シャーシ、プレートなどの各種
の機械部品，電機部品などの形状とすることができる。
而して、この粗面部の表面10点平均粗さは、金属メッキ
の密着性及びプリント回路の精度の観点から、3μm以
上、10μm以下とすることが望ましい。この粗さを得る
ため、波長0.355mmのLD励起Nd YAGレーザを使用するこ
とが推奨される。本発明によるときは、プリント回路の
線幅を70μm以下とすることができ、微細回路を形成し
得る。

【００１４】所望の領域内で線状に稠密に多数連鎖する
クレータを多数形成するには、当該領域をレーザ光パル
スにより照射、掃引する。レーザ光パルスにより発生さ
せるクレータは、元の表面が残存しないように隣接する
クレータの一部と重なるように稠密に設けることが望ま
しい。クレータはXY格子状に配列するようにしても良い
が、ランダムであっても良く、又、らせん状などに配列
しても良い。又、本発明の一実施例においては、成形体
を形成する樹脂中に、予め薬液により溶出する微粒子を
混入しておき、レーザ光パルスを掃引照射し上記微粒子
の一部を露出させ、露出した上記微粒子に薬液処理を施
して流亡させ、粗面化することも推奨されるものであ
る。この方法によれば、微粒子の粒度により所期のラフ
ネスが得られる上、微粒子の流出した空洞部に施された
メッキは強力なアンカー効果を示し、そのためメッキの
ピール強度が飛躍的に高められるものである。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、図面により本発明の実施例
について具体的に説明する。図１は、本発明に係る半導
体パッケージの一実施例を示す断面図、図２は、図１に
示した半導体パッケージ内面の回路形成部の粗化状態を
示す説明図、図3は、本発明に係る半導体パッケージの
別異の一実施例示す断面図、図４は、広い平面領域を粗
化する方法を示す説明図、図５は、スルーホール内壁面
の粗化方法を示す説明図、図６は、本発明に係る半導体
パッケージを複数個同時に製造する方法を示す説明図、
図７は、面粗度測定用サンプルを示す斜視図、図８は、
線幅測定用サンプルを示す斜視図である。

【００１６】而して、図１において、10は、容器状に成
形された熱硬化性樹脂から成る成形体11の表面に、プリ
ント回路を形成する金属メッキ膜12を設けて成る半導体
パッケージ、13は半導体チップ、14は半導体チップ13用
の接着剤、15はボンディングワイヤ、16はリッド、17は
リッド16用の接着剤である。尚、実際にはボンディング
ワイヤは多数存在するものであるが、ここでは図を簡略
なものとし、理解を容易にするため、その代表的なもの
のみを示してある。半導体パッケージ10の底面には、接
着剤14によりが半導体チップ13接着されており、金属メ
ッキ膜12によって形成されたプリント回路は、半導体チ
ップ13の周辺部から成形体11の外面に渡って設けられて
おり、半導体チップ13の周辺部にはボンディングパッド
が、成形体11の外面側の端末には入出力端子が設けら
れ、上記ボンディングパッドはボンディングワイヤ15で
半導体チップ13の入出力端子と結合されている。リッド
16は接着剤17により半導体パッケージ11の上部に取付け
られ、パッケージを気密に閉鎖している。接着剤14及び
17はエポキシ樹脂又は変性エポキシ樹脂から成る。而し
て、この樹脂成形体11の表面の金属メッキ膜12で覆われ
ている下地面１１a、11b、11cは図2に詳細を示す如く粗
面とされているものである。これらの粗面には金属メッ
キが施され、プリント回路が形成されるが、そのメッキ
に先立って、レーザ光パルスの照射、掃引により、多数
連鎖したクレータを形成し、被メッキ面を粗面化し、メ
ッキ強度を高めるものである。

【００１７】図３には、半導体パッケージの他の実施例
が示されている。図中20は、容器状に成形された熱硬化
性樹脂から成る成形体21の表面に、プリント回路を形成
する金属メッキ膜22を設けて成る半導体パッケージ、23
は半導体チップ、24は半導体チップ23用のバンプ、25は
応力緩衝用樹脂、26はボンディングワイヤ、27はリッ
ド、28はリッド27用の接着剤である。このタイプの半導
体パッケージは、半導体チップ23が、バンプ24及び応力
緩衝用樹脂25を介してに取付けられている以外は、前述
の実施例と同様のものである。而して、この樹脂成形体
21の表面の金属メッキ膜22で覆われている下地面は、前
記の実施例のそれと同様に粗面とされているものであ
る。接着剤28としては、前記接着剤14及び17と同様のも
のが使用される。応力緩衝用樹脂25としては、Underfil
lあるいはEncapsulant材料として知られる熱硬化型また
は紫外線硬化型エポキシ樹脂などが用いられる。

【００１８】何れの実施例においても、樹脂成形体を構
成する樹脂には特に制約はなく、一定の耐熱性を有する
耐熱性樹脂であれば何でも使用できる。具体的には、エ
ポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、不飽和
ポリエステル樹脂、シリコーン樹脂などの熱硬化性樹
脂、ポリフェニレンオキシド（ＰＰＯ）、ポリフェニレ
ンサルファイド（ＰＰＳ）などのエンジニアリングプラ
スチックに代表される熱可塑性樹脂が挙げられる。然し
ながら、化学的に安定な点で熱硬化性樹脂が好ましく、
特にオルソクレゾール型、ビフェニール型、ナフタレン
型などのエポキシ樹脂が推奨される。

【００１９】このような耐熱性樹脂には、必要に応じ
て、水酸化アルミニウム、炭酸カルシウム、アルミナ粉
末、シリカ粉末、ボロンナイトライト粉末、酸化チタン
粉末、炭化ケイ素粉末、ガラス繊維、アルミナ繊維など
の無機フィラーが配合され、更に、この無機フィラーの
他に、硬化剤、イミダゾール類、尿素誘導体およびアミ
ン化合物などの硬化促進剤、難燃剤、カップリング剤、
ワックス類などの添加剤が加えられる。樹脂成形体は、
上記のような耐熱性樹脂組成物を、射出成形、トランス
ファー成形、圧縮成形などの成形法により、箱型、舟
形、容器形、平板型などの他、様々な機械部品形状に成
形することによって得られる。

【００２０】本発明の要旨とするところは、メッキが施
される樹脂表面にパルス状のレーザ光を照射し、多数の
クレータを発生させ、当該部分を粗面化することにあ
る。レーザの照射には、波長1.355μｍのレーザを出す
Ｑスイッチ型Ｎｄ：ＹＡＧレーザ発信機を用いることが
推奨される。レーザの掃引照射の際のビーム位置決め方
法としては、焦点深度2〜6mmのｆ−θレンズ系を用いた
ガルバノミラー・スキャニング方式を採用することが望
ましい。ガルバノミラー・スキャニング方式とは、Ｘ軸
スキャナとＹ軸スキャナとから成る一対のガルバノミラ
ーとｆ−θレンズを組み合わせることによって、ｆ−θ
レンズの外径円までの大きさの同一面上の任意の点に焦
点を合わせることができるビームスキャニング方式であ
り、文字などを直接描画するレーザマーカーなどで一般
的に用いられているものである。このようなガルバノミ
ラー・スキャニング方式を用いると、必要な微細回路の
箇所のみを周期的な凹凸を持つ粗面とすることが可能と
なる。

【００２１】本発明では、図１及び３に示した容器型又
は箱型の樹脂成形体のような立体的な成形体の内面など
でも、レーザ照射により粗面化することができる。この
ような樹脂成形体は、図２に示すように、水平面11A、1
1Cと傾斜した側面とのなす角θが、75°以下であること
が望ましい。このような樹脂成形体では、径斜面11Bの
法線方向にビームを照射することが可能であり、通常は
ビームの焦点深度のおよそ3倍程度、最大で5倍程度まで
の深さの側壁面処理が可能である。

【００２２】この実施例においては、粗面化は細い線状
領域で行なわれているが、二次元的広がりを有する領域
を粗面化する方法は図４に示されている。図中、30は樹
脂成形体、31はレーザ光パルスビーム、32はスキャンラ
インである。樹脂成形体30とレーザビーム31とは相対的
に加工送りされ、レーザビーム31は多数のスキャンライ
ン32に沿って一定の送り速度で順次移動せしめられ、樹
脂成形体30の表面にクレータを生成しつつ、粗面化すべ
き領域内をスキャニングする。この実施例では、X軸方
向のクレータ発生位置を揃え、全体として平面波状の粗
面を形成しているが、クレータ発生位置をランダムに変
えても差し支えない。

【００２３】クレータのピッチは、レーザ光の樹脂表面
での走査速度をレーザのパルス繰り返し周波数(Ｑスイ
ッチ周波数)で除した値に等しい。ピッチの上限は樹脂
成形体の元の表面が残らない程度であればよい。クレー
タのピッチがレーザのスポット径に比べて大きいと、ク
レータの間で樹脂成形体の表面がそのまま残り、金属膜
との密着性が不充分となる恐れがある。ピッチの下限
は、特に限定されるものではないが、経済性の観点から
0.01ｍｍ以上とすることが望ましい。

【００２４】レーザのスポット径は、0.01ｍｍ以上、0.
1ｍｍ以下とすることが望ましい。このような範囲であ
れば、適当なレーザ条件を設定することにより、クレー
タを連鎖させることがが可能である。このようにして形
成されるクレータの径および深さは、レーザの出力、ス
ポット径、走査速度などに依存するが、クレータの最大
径が0.01mm以上、0.07ｍｍ以下、最大深さが0.01mm以
上、0.05ｍｍ以下であることが望ましい。このとき、Ｑ
スイッチ周波数は、1〜100kHz、好ましくは5〜50kHzの
範囲とし、走査速度は、50〜2,000mm/sec、好ましくは1
00〜500mm/secの範囲とする。

【００２５】又、スルーホールのように成形体を貫通す
る小径の孔であっても、その内壁にレーザ光を照射し、
粗面化することができる。即ち、図5に示すように、ビ
ーム径を孔径より細くし、内壁に斜めに照射することに
より、スルーホールなどの内壁を粗面化することができ
る。

【００２６】本発明方法では、樹脂成形体中に予め薬液
により溶出する微粒子を混入しておき、レーザ光を照
射、掃引した後、照射により露出した微粒子を薬液処理
により除去し、粗面化するように構成することもある。
このような微粒子としては、例えば、水酸化アルミニウ
ム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウムなどが、又、
これを溶解する薬液としては有機溶媒、水、酸液、アル
カリ液などが挙げられる。

【００２７】このような微粒子が混入した樹脂成形体の
粗面化するべき部分にレーザを照射すると、照射部の表
面の樹脂層が消失し、微粒子の一部が露出するので、こ
のような微粒子を薬液処理によって消失させると、レー
ザを照射した部分に微細な穴が形成されるので、表面を
粗面化することができる。

【００２８】粗面上に被覆する金属としては、銅、銀、
金、白金、パラジウム、ニッケルまたはこれらの合金な
どがある。このような金属の被膜は、種々の金属層から
成る複合多層膜であってもよい。又、これらの金属膜の
厚さは、0.1μm以上、100μｍ以下、好ましくは1μm以
上、30μｍ以下とする。

【００２９】このような金属膜は、種々の手段で形成し
得るが、メッキによることが推奨される。又、樹脂の粗
面部にはメッキ触媒が介在していることが望ましい。メ
ッキ触媒としては、有機パラジウム化合物、有機白金化
合物などが挙げられるが、このうち、有機パラジウム化
合物が特に推奨される。このようなメッキ触媒は、塩化
パラジウム(PdCl₂)、ジアンミン第一パラジウム塩化物
(Pd(NH₃)₂Cl₂)、テトラアンミンしゅう酸パラジウム(Pd
(NH₃)₄C₂O₄)、硫酸パラジウム(PdSO₄)などのパラジウム
化合物、または白金化合物などを含む触媒浴中で得られ
る。

【００３０】上記のようにして形成した粗面部に、常法
により金属膜が形成される。金属膜を形成する方法は特
に限定はされない。従前の半導体パッケージで用いられ
ていた方法はそのまま本発明の実施に採用できるもので
ある。金属膜のメッキは、無電解メッキ単独、あるいは
電解メッキ単独でもよいが、好ましくは、無電解メッキ
と、電解メッキとの２工程で行うことが望ましい。

【００３１】メッキ工程に先立って、まずメッキすべき
粗面部にメッキ触媒を付与する。この処理は、例えば塩
化パラジウム(PdCl₂)、ジアンミン第一パラジウム塩化
物(Pd(NH₃)₂Cl₂)、テトラアンミンしゅう酸パラジウム
(Pd(NH₃)₄C₂O₄)、硫酸パラジウム(PdSO₄)などのパラジ
ウム化合物、又は白金化合物などを含む触媒浴中で無電
解処理するなどの方法によって行われる。このとき、メ
ッキ触媒は、粗面部にのみ担持されるようにする。粗面
部に回路パターンを形成する場合は、所望の回路パター
ン状にメッキ触媒が担持されるようにする。このように
してメッキ触媒が付与された粗面部に、メッキによって
金属膜を形成する。

【００３２】無電解メッキ法は、溶液中の金属イオン
を、次亜リン酸塩、水素化ホウ素化合物、水和ヒドラジ
ン、ホルムアルデヒド、次亜リン酸塩、N，N−ジエチル
グリシン、硫酸ヒドラジン、アスコルビン酸などの還元
剤によって還元析出させるものである。このような無電
解メッキを施すときは、まず析出させる金属の塩を水な
どの溶媒に溶解し、前記還元剤を添加して、メッキ浴を
調製する。金属塩の濃度は、一般的に使用される濃度で
あればよく、例えば0.001〜0.5モル／リットルであれば
よい。

【００３３】このとき、必要に応じて、ｐＨ調整剤、緩
衝剤、錯化剤、促進剤、安定剤、改良剤などを添加す
る。ｐＨ調整剤としては、水酸化ナトリウム、アンモニ
アなどの塩基性化合物、硫酸、塩酸などの無機酸、酢
酸、コハク酸などの有機酸などが用いられ、緩衝剤とし
ては、リン酸塩、クエン酸塩、酒石酸塩などが、又、錯
化剤としては、酢酸、グリコール酸、クエン酸、酒石酸
などの有機酸のアルカリ金属塩、チオグリコール酸、ア
ンモニア、ヒドラジン、トリエタノールアミン、エチレ
ンジアミン、グリシン、o-アミノフェノール、ＥＤＴＡ
などが利用される。促進剤としては、コハク酸などが、
又、安定剤としては、チオ尿素、金属シアン化物、アセ
チルアセトン、エチルオキサント酸などが挙げられ、改
良剤としては、ＮａＣＮ、ＫＣＮなどが挙げられる。

【００３４】このように調製したメッキ浴に、メッキ触
媒が付与された粗面部を有する樹脂成形体を浸漬する。
浸漬時間および浸漬温度は、メッキする金属の種類、メ
ッキ浴中の金属イオン濃度より適宜選択される。無電解
メッキされた樹脂成形体は、水洗、乾燥したのち、必要
に応じて更に電解メッキされる。電解メッキは、一般に
行われている方法の中から適宜目的に応じた条件で行わ
れる。電解メッキされる部分は、粗面化された領域であ
るから、電流密度はその面積で計算する。

【００３５】以上のような本発明に係る製造方法によれ
ば、任意のパターンが描画された樹脂基板が製造するこ
とができる。金属膜の形状が導体回路の配線パターンで
ある樹脂基板は、半導体装置の導体回路付きパッケージ
を製造するため利用できる。また上記金属膜の形状を導
体回路の配線パターンにすると、得られた樹脂基板は、
半導体装置の導体回路付きパッケージとして好適に使用
できるようになる。

【００３６】さらに、本発明に係る製造方法は、回路基
板に限られず、任意形状の樹脂製構造体の表面に、密着
性のよい金属膜を形成する場合にも有効である。

【００３７】図４および図５のような半導体装置を大量
生産する場合には、図６のように複数の樹脂パッケージ
部材40を射出成形または押出成形などによって同時に多
数成形する。成形体の内外面の回路を結合するため、ド
リルなどでスルーホール41を設けてもよい。スルーホー
ル41の穴径をビーム径より少し大きくすることで、斜め
照射や多重反射により、スルーホール内面を粗面化する
ことができる。各樹脂パッケージ部材の内面、外面およ
びスルーホールにプリント回路を形成したのち、各々の
パッケージ部材をスルーホール41を損傷しないよう切断
し、個々の部材に切り分ける。切断にはダイヤモンドカ
ッタや薄型砥石などの高速切断機が用いられる。切断の
後、外形を整える場合は研削等により仕上げ加工を行
う。

【００３８】[比較試験]以下に、エポキシ樹脂表面を粗
面化するのに、波長0.355μｍのレーザ光を用いた場合
と、他の波長のレーザ光を用いた場合の比較試験結果を
示す。 (1) 共通事項使用樹脂：三井化学(株)製：シリカ充填エポキシ樹脂EP
OX(商品名) 成形体：図７及び８に示す平板成形体50，60 レーザ照射機：Ｑスイッチ型ＹＡＧレーザ照射機スポット径約15μｍ定格出力45Ｗ粗面部：図７及び図８に示すスペース51及びライン配
線部61 メッキ触媒の付与：パラジウム触媒に４０℃、３ｍｉｎ
浸漬、粗面部表面に有機パラジウム化合物を形成。無電解銅メッキ：硫酸銅からなるメッキ浴で、厚さが約
0.5μｍになるまで無電解銅メッキを行い、その後、水
洗・乾燥。電解銅メッキ：硫酸銅からなるメッキ浴で、メッキ厚約
35μｍの電解銅メッキを施す。

【００３９】(2) 個別条件 [試験番号１] レーザ波長： 0.355μｍＱスイッチ周波数：10ｋＨｚビーム走査速度：50mm／sec レーザ出力：20ｍＷ [試験番号2] レーザ波長： 0.355μｍＱスイッチ周波数：10ｋＨｚビーム走査速度：60mm／sec レーザ出力：130ｍＷ [試験番号3] レーザ波長： 0.355μｍＱスイッチ周波数：10ｋＨｚビーム走査速度：100mm／sec レーザ出力：130ｍＷ [試験番号4] レーザ波長： 0.355μｍＱスイッチ周波数：10ｋＨｚビーム走査速度：100mm／sec レーザ出力：560ｍＷ [試験番号5] レーザ波長： 0.355μｍＱスイッチ周波数：10ｋＨｚビーム走査速度：200mm／sec レーザ出力：560ｍＷ [試験番号6] レーザ波長： 1.064μｍＱスイッチ周波数：2ｋＨｚビーム走査速度：100mm／sec レーザ出力：300ｍＷ [試験番号7] レーザ波長： 1.067μｍＱスイッチ周波数：2ｋＨｚビーム走査速度：100mm／sec レーザ出力：500ｍＷ [試験番号8] レーザ波長： 1.067μｍＱスイッチ周波数：2ｋＨｚビーム走査速度：100mm／sec レーザ出力：1000ｍＷ結果を表１に示す。

【００４０】

【表１】Ｒｔｍ：10点平均粗さ。測定機：東京精密社製サーフコ
ム570Ａ

【００４１】この試験結果から、本発明によるときは線
幅17μm迄の微細加工が可能であり、かつ被メッキ下地
面が充分に粗い粗面とされることが判明した。尚、メッ
キ面の粗さは、特に限定されないが、望ましくは3μｍ
以上、10μｍ以下とされることから、波長0.355μｍの
レーザが特に賞揚されるものであることも判明した。

【００４２】

【発明の効果】本発明に係る樹脂成形体、樹脂製プリン
ト回路基板および半導体パッケージは、何れも、耐薬品
性、高温安定性に優れ、半田クラックを生じることがな
い。また、本発明に係る製造方法によれば、プリント回
路などの金属膜と基板との接着性に優れた樹脂製プリン
ト回路基板を得ることが可能であり、かつ微細回路を直
接描画できる利点がある。更に、本発明によるときは、
従来の危険な薬液による処理を必要とせず製造時の環境
悪化、危険作業が全く無く、安全衛生の点でも極めて良
好で安価なドライプロセスを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る半導体パッケージの一実施例を
示す断面図である。

【図２】図1に示した半導体パッケージ内面の回路形
成部の粗化状態を示す説明図である。

【図３】本発明に係る半導体パッケージの別異の一実
施例示す断面図である。

【図４】広い平面領域を粗化する方法を示す説明図で
ある。

【図５】スルーホール内壁面の粗化方法を示す説明図
である。

【図６】本発明に係る半導体パッケージを複数個一度
に製造する方法を示す説明図である。

【図７】面粗度測定用サンプルを示す斜視図である。

【図８】線幅測定用サンプルを示す斜視図である。

【符号の説明】

10、20 半導体パッケージ 11、21 容器状に成形された熱硬化性樹脂から成る成形
体 12、22 金属メッキ膜 13、23 半導体チップ 14 半導体チップ用の接着剤 15、26 ボンディングワイヤ 16、27 リッド 17、28 リッド用の接着剤 24 バンプ 25 応力緩衝用樹脂

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０５Ｋ 3/18 Ｈ０５Ｋ 3/18 Ｇ 3/38 3/38 Ａ // Ｈ０１Ｌ 23/02 Ｈ０１Ｌ 23/02 Ｆ 23/12 ５０１ 23/12 ５０１ＴＦターム(参考） 5E338 AA05 AA16 BB19 BB25 BB28 BB63 CC01 CD05 EE28 EE60 5E343 AA01 AA02 AA12 AA17 AA18 BB23 BB24 BB25 BB44 BB48 BB49 BB71 CC71 DD33 DD43 EE33 EE37 EE39 ER02 FF16 FF27 FF30 GG04 GG08 GG16

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】表面の一部に、線状に稠密に多数連鎖した
クレータにより粗面化された領域と、その領域上に形成
された金属膜とを具備する樹脂成形体。
【請求項２】平面状に成形され、その表面の一部に、線
状に稠密に多数連鎖したクレータにより粗面化された領
域と、その領域上にプリント回路を形成する金属メッキ
膜とを具備する樹脂製プリント回路基板。
【請求項３】請求項２に記載の樹脂製プリント回路基板
からなる半導体パッケージ。
【請求項４】容器状に成形され、その表面の一部に、内
外面に渡って延び、線状に稠密に多数連鎖したクレータ
により粗面化された領域と、その領域上にプリント回路
を形成する金属メッキ膜とを具備する樹脂製半導体パッ
ケージ。
【請求項５】容器状成形体が熱硬化性樹脂から成る請求
項３又は４に記載の半導体パッケージ。
【請求項６】粗面部の表面10点平均粗さが3μm以上、10
μm以下である、請求項３ないし５の何れか１に記載の
半導体パッケージ。
【請求項７】プリント回路の線幅が70μm以下である請
求項３ないし６の何れか１に記載の半導体パッケージ。
【請求項８】耐熱性樹脂により容器状成形体を得るステ
ップと、その容器状成形体の表面の所望領域にレーザ光
パルスを照射、掃引し、その領域内に線状に稠密に多数
連鎖するクレータを多数形成して、その領域を粗面化す
るステップと、その粗面化された領域にプリント回路を
形成する金属メッキ膜を施すステップとを含む、半導体
パッケージを製造する方法。
【請求項９】耐熱性樹脂中に、予め薬液により溶出する
微粒子を混入するステップと、その微粒子を混入した耐
熱性樹脂により容器状成形体を得るステップと、レーザ
光パルスを掃引照射し上記微粒子を露出させるステップ
と、露出した上記微粒子を薬液により溶解処理するステ
ップとを含む、請求項８に記載の半導体パッケージを製
造する方法。
【請求項１０】波長0.355mmのLD励起Nd YAGレーザを使
用する、請求項８又は９に記載の半導体パッケージを製
造する方法。