JP2002237663A

JP2002237663A - 金属回路付樹脂基板およびその製造方法

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Publication number: JP2002237663A
Application number: JP2001034218A
Authority: JP
Inventors: Eiki Togashi; 樫栄樹富; Kunihiro Inada; 田邦博稲; Koji Tsuzukiyama; 山浩二続
Original assignee: Mitsui Chemicals Inc
Current assignee: Mitsui Chemicals Inc
Priority date: 2001-02-09
Filing date: 2001-02-09
Publication date: 2002-08-23

Abstract

(57)【要約】【課題】小型で安価であり、金属膜との接着性に優れ、
かつ平滑性が良好であるため表面実装性に優れた金属回
路付樹脂基板を提供すること、さらに該樹脂基板を用い
た高い電流密度下でも使用し得る導体回路付平面基板お
よび半導体装置を提供すること、ならびにそれらの製造
方法を提供すること。【解決手段】樹脂基板と、該樹脂基板表面の少なくとも
一部に形成された粗面化された底部および側面を有する
凹部と、該凹部上に形成された金属膜とからなり、この
金属膜の厚みが100μmより厚く、かつ、前記金属膜の樹
脂基板表面からの突出距離が30μm以下であることを特
徴とする金属回路付樹脂基板。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の技術分野】本発明は、表面実装性に優れた金属
回路付樹脂基板、その用途、およびその製造方法に関す
るものである。さらに詳しくは、金属膜が樹脂基板表面
に密着性よく形成され、表面実装性に優れ、高電流密度
下でも使用し得る金属回路付樹脂基板および該基板を用
いた半導体装置、並びにその製造方法に関するものであ
る。

【０００２】

【発明の技術的背景】一般に、導体回路を形成する金属
膜の膜厚が厚いほど、金属膜の切断などを防止でき、装
置の信頼性が向上するため、金属回路付樹脂基板におい
ては、膜厚は厚いものが望まれる。ところで、従来よ
り、金属回路付樹脂基板の形成方法としては以下のもの
が知られている。１）ＡＰＥ（Additive Plate-n-Etch）法部品全体に無電解メッキした後、エッチングで回路を形
成する方法。２）ＭｎＡ法触媒入り樹脂でモールドされた部品にマスクを当てて無
電解メッキし、回路を形成する方法。３）ＰＳＰ法（Photo-Selective-Plating）部品に感光性触媒を塗布し回路部をＵＶ露光させた後、
無電解メッキして回路を形成する方法。４）Mold-n-plate法（２ショット法）触媒入り樹脂で回路部を第１ショット、通常樹脂で第２
ショットした後、無電解メッキで回路を形成する方法。５）銅箔貼付け部品に銅箔を貼付け、回路部をマスクした後、回路以外
の部分の銅をエッチングする方法。

【０００３】しかしながら、１）〜４）の方法では、無
電解メッキを利用するため、金属膜の厚みが通常１０μ
ｍ以下となり、膜厚をさらに厚くするためには、メッキ
時間を長くしなければならず、工業的に利用するにはコ
スト的な問題があった。また、５）の方法では、金属膜
の厚みが銅箔によって決まるため、３６μｍ以上厚くす
ることは困難であった。さらに、これらの方法では、樹
脂基板の表面上に凸形状に金属（導体）回路が形成され
るため、金属膜をあまり厚くすると表面実装時の平面度
が悪化するなどの問題があった。

【０００４】また、本発明者らは、特開平10-308562号
公報において、樹脂成形体（基板）の一部に複数の窪み
からなる粗面部を形成し、該粗面部上に膜厚が0.1〜100
μｍの金属膜を形成した樹脂基板を提案している。しか
しながら、このような樹脂基板によっても、膜厚を厚く
すると金属回路付樹脂基板の平滑性（平坦性）が低下す
るため、この基板の表面実装性が充分であるとはいえな
かった。

【０００５】

【発明の目的】本発明は、上記のような問題点に鑑みて
なされたもので、小型で安価であり、金属膜との接着性
に優れ、かつ平滑性が良好であるため表面実装性に優れ
た金属回路付樹脂基板を提供すること、さらに該樹脂基
板を用いた高い電流密度下でも使用し得る導体回路付平
面基板および半導体装置を提供すること、ならびにそれ
らの製造方法を提供することを目的としている。

【０００６】

【発明の概要】本発明に係る金属回路付樹脂基板は、樹
脂基板と、該樹脂基板表面の少なくとも一部に形成され
た粗面化された底部および側面を有する凹部と、該凹部
上に形成された金属膜とからなり、この金属膜の厚みが
100μmより厚く、かつ、前記金属膜の樹脂基板表面から
の突出距離が30μm以下であることを特徴としている。

【０００７】前記樹脂基板は、熱硬化性樹脂からなるこ
とが好ましく、さらに、無機フィラーとして、シリカ、
フェライトまたはフェライト以外の鉄系磁性粉末のいず
れかを含有していることも好ましい。前記凹部上に形成
された金属膜の形状は、導体回路の配線パターンであっ
てもよい。

【０００８】本発明の金属回路付樹脂基板の製造方法
は、樹脂基板の少なくとも一部に、レーザ光パルスを照
射して深さ100μm以上の粗面化された底部および側面を
有する凹部を形成し、該凹部上に金属膜を形成すること
を特徴としている。凹部は、導体回路の配線パターン状
に形成してもよい。上記金属膜は、無電解メッキをした
後、さらに電解メッキをして形成することが望ましい。

【０００９】本発明の金属回路付樹脂基板は、たとえば
平面コイルなどの導体回路付平面基板として、あるいは
半導体装置に好適に用いられる。

【００１０】

【発明の具体的説明】以下、本発明の樹脂基板およびそ
の製造方法について具体的に説明する。金属回路付樹脂基板まず、本発明に係る金属回路付樹脂基板について説明す
る。本発明の金属回路付樹脂基板は、樹脂基板と、該樹
脂基板表面の少なくとも一部に形成された粗面化された
底部および側面（以下、粗面部ともいう）を有する凹部
と、該凹部上に形成された所定の厚さの金属膜とからな
る。

【００１１】樹脂基板の形状は、特に限定されるもので
はなく、箱型樹脂パッケージであっても、平面基板であ
ってもよい。図１に、本発明に係る樹脂基板の要部断面
図の一例を示す。図中、添字１は樹脂基板、２は粗面
部、３は金属膜を示す。Ｌ₁は金属膜の厚み、Ｌ₂は凹部
の深さ、Ｌ₃は金属膜の突出距離（凸量ともいう）を示
す。

【００１２】樹脂基板１を構成する樹脂は、特に制限さ
れるものではなく、耐熱性樹脂であればよい。具体的に
は、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、
不飽和ポリエステル樹脂、シリコーン樹脂などの熱硬化
性樹脂；ポリフェニレンオキシド（ＰＰＯ）、ポリフェ
ニレンサルファイド（ＰＰＳ）、液晶ポリマー（ＬＣ
Ｐ）などのエンジニアリングプラスチックに代表される
熱可塑性樹脂；が挙げられる。

【００１３】このなかでも、熱硬化性樹脂が化学的に安
定な点で好ましく、特にエポキシ樹脂が好ましい。この
ようなエポキシ樹脂としては、オルソクレゾール型、ビ
フェニル型、ナフタレン型などのエポキシ樹脂が挙げら
れる。樹脂基板を構成する樹脂以外の成分として、必要
に応じて、無機フィラーが含まれていてもよい。無機フ
ィラーとしては、たとえば、シリカ、フェライト、フェ
ライト以外の鉄系磁性粉末（例：ＦｅＣｒＡｌ、ＦｅＣ
ｒＳｉなど）、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウ
ム、炭酸カルシウム、アルミナ粉末、ボロンナイトライ
ト粉末、酸化チタン粉末、炭化ケイ素粉末、ガラス繊
維、アルミナ繊維などが挙げられる。これらのなかで
も、シリカ、フェライトおよびフェライト以外の鉄系磁
性粉末が好ましい。

【００１４】また、上記樹脂基板には、樹脂、無機フィ
ラーの他に、必要に応じて硬化剤、イミダゾール類、尿
素誘導体およびアミン化合物などの硬化促進剤、難燃
剤、カップリング剤、ワックス類などの添加剤を含み構
成されていてもよい。樹脂基板は、上記のような耐熱性
樹脂を、射出成形、押出成形などの成形法により、平板
状、容器状に成形することによって得ることができる。

【００１５】本発明に係る金属回路付樹脂基板では、こ
のような樹脂基板表面の少なくとも一部に、粗面化され
た底部および側面を有する凹部が形成されており、この
ような凹部は、線状に稠密に多数連鎖したクレーターに
より形成されている。本明細書において、クレーターと
は、レーザ光パルスのショットにより樹脂基板の表面に
生じた穴もしくは窪みをいう。

【００１６】これらのクレーター（窪み）は、１本以上
の線に沿ってほぼ一定のピッチで配列して形成されてい
る。この線は、レーザ光パルスにより照射、掃引した軌
跡であり、凹部を形成しようとする所望の領域を覆う形
であればよい。この線は、直線であっても並行に並んで
いてもよく、また折れ線であっても、曲線であってもよ
く、形成しようとする凹部の形状によって適宜選択され
る。

【００１７】すなわち、レーザ光パルスの照射により形
成されるクレーターは、ＸＹ格子状に配列されていても
よく、ランダムに配列されていてもよく、また、らせん
状などに配列されていてもよい。このようなクレーター
は、隣接するクレーターの一部と重なるように稠密に設
けることが望ましい。

【００１８】ピッチは、レーザ光パルスの樹脂基板表面
での走査速度をレーザの周波数（Ｑスイッチ周波数）で
除したパルスピッチに等しい。ピッチの下限は、特に限
定されるものではないが、操作性から０．０１ｍｍ以上
であることが望ましい。レーザ光パルスのスポット径
は、用いる光学系によって異なるものの、実用的な範囲
で、０．０１〜１ｍｍであることが望ましい。

【００１９】形成する凹部は、深さ（Ｌ₂）が１００μ
ｍ以上、好ましくは１００〜５００μｍ、さらに好まし
くは３００〜５００μｍであることが望ましい。このよ
うな深さの凹部を形成することで、厚みがあり、しかも
樹脂基板表面からの金属膜の突出距離が小さいため平滑
性に優れ、表面実装性のよい金属膜が得られる。形成す
る凹部の最大幅は、実用的観点から、０．０８〜０．３
ｍｍであることが望ましい。

【００２０】金属膜としては、銅、銀、金、白金、パラ
ジウム、ニッケルまたはこれらの合金などが挙げられ
る。このような金属膜は、同一の金属により形成された
ものであってもよく、また複数の金属の多層膜であって
もよい。金属膜の厚み（Ｌ₁）は、１００μｍより厚
く、好ましくは１２０〜５２０μｍ、さらに好ましくは
３２０〜５２０μｍであることが望ましい（ただし、Ｌ
₁≧Ｌ₂）。金属膜の厚みがこのような範囲であれば、高
い電流密度下でも使用し得る信頼性の高い導体回路が得
られる。なお、金属膜が、複数の金属の多層膜であると
きは、金属膜の厚み（Ｌ₁）とは、多層膜の総厚みを指
す。

【００２１】また、樹脂基板表面からの金属膜の突出距
離（Ｌ₃）が30μｍ以下、好ましくは0〜20μｍであるこ
とが望ましい。金属膜の突出距離がこのような範囲であ
れば、平坦性に優れているため表面実装性に優れる。金
属膜突出距離（凸量）は、メッキ後に、メッキ表面をア
ルミナ入りテープなどで、研磨して所定の突出距離に調
整してもよい。

【００２２】金属膜はメッキにより形成されており、特
に、無電解メッキをした後、さらに電解メッキをするこ
とで形成されていることが望ましい。凹部および金属膜
の形状が導体回路の配線パターンである金属回路付樹脂
基板は、平面コイルなどの導体回路付平面基板、半導体
装置の導体回路付きパッケージ、あるいはプリント回路
基板として好適に使用することができる。

【００２３】また、本発明では、ライン／スペース（μ
ｍ）が、３００／３００〜７０／７０の稠密な回路を形
成することができる。金属回路付樹脂基板の製造方法つぎに本発明に係る金属回路付樹脂基板の製造方法につ
いて具体的に説明する。

【００２４】本発明に係る金属回路付樹脂基板の製造方
法では、(i)樹脂基板の少なくとも一部に、レーザ光パ
ルスを照射して深さ100μm以上の粗面化された底部およ
び側面を有する凹部を形成し、(ii)該凹部上に所定の厚
さの金属膜を形成する。なお、樹脂基板、金属膜として
は、前述のものと同様のものが使用される。

【００２５】[(i)凹部の形成]まず、本発明では、金属
膜形成の下地処理として、レーザ光パルスを掃引照射し
て、樹脂基板表面上に掃引した軌跡に沿って、複数のク
レーター（窪み）を形成する。この掃引した範囲が凹部
となる。レーザ光パルスは、ビームスキャン方向（Ｘ）
に特定の周期でパルス的に照射し、かつＸ方向に特定の
ピッチで移動する。Ｘ方向に所定の距離を走査したの
ち、Ｙ方向に１ピッチずれて、Ｘ方向に同様のレーザ光
パルス照射を行う。このような動作を繰り返して所定の
パターンを形成する。

【００２６】パルス間の照射ピッチおよび隣接する走査
線間の間隔の下限は、特に限定されるものではないが、
操作性から０．０１ｍｍ以上であることが望ましい。レ
ーザ光パルスのスポット径は用いる光学系で異なるが、
実用的な範囲で、０．０１〜１ｍｍであることが望まし
い。このような範囲であれば、クレーターが稠密に並ん
だ凹部を成形することが可能である。

【００２７】レーザの走査ピッチは、０．０１〜１ｍｍ
であることが望ましい。形成される凹部の深さ（Ｌ₂）
は、１００μｍ以上、好ましくは１００〜５００μｍ、
より好ましくは３００〜５００μｍであることが望まし
い。このような深さのクレーターを形成することで、厚
みがあり、しかも樹脂基板表面からの凸量が少なく、表
面実装性のよい金属膜が得られる。

【００２８】また、形成する凹部の最大幅は、実用的観
点から、０．０８〜０．３ｍｍであることが望ましい。
このとき、Ｑスイッチ周波数は、１〜１００kHz、好ま
しくは５〜５０kHzであり、走査速度は、１００〜１０
００mm/sec、好ましくは２００〜５００mm/secであるこ
とが望ましい。

【００２９】本発明に係る金属回路付樹脂基板の製造方
法では、樹脂基板中に予め薬液消失粒子を混入させ、か
つレーザ光パルスの掃引照射した後、照射部分に露出し
た薬液消失粒子を消失させる薬液処理を施してもよい。
薬液消失粒子とは、有機溶媒、水、酸液、アルカリ液な
どの薬液に溶解して、消失する粒子をいい、具体的に
は、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カ
ルシウムなどが挙げられる。

【００３０】このような薬液消失粒子が混入した樹脂基
板の粗面化するべき部分にレーザ光パルスを照射させる
と、照射部の樹脂基板の表面層が消失し、薬液消失粒子
が頭を出す。このような薬液消失粒子を薬液処理によっ
て消失させると、レーザ掃引照射した部分に微細くぼみ
が形成され、粗面化することができる。

【００３１】本発明で使用されるレーザ光パルスとして
は、１.０６μｍのレーザ光パルスを出すＱスイッチ型
Ｎｄ：ＹＡＧレーザからのレーザ光パルスが望ましい。
レーザ光パルスの掃引照射は、ガルバノミラーとｆ−θ
レンズの構成による２次元平面でのビーム走査が望まし
い。このときの焦点深度は、２〜６mmであることが望ま
しい。

【００３２】本発明では、レーザ光パルスの掃引照射の
際、ビーム位置決め方法としてｆ−θレンズ系を用いた
ガルバノミラー・スキャニング方式を採用することが望
ましい。ガルバノミラー・スキャニング方式とは、Ｘ軸
スキャナとＹ軸スキャナとからなる一対のガルバノミラ
ーとｆ−θレンズを組み合わせることによって、ｆ−θ
レンズの外径円までの大きさの同一面上の任意の点に焦
点を合わせることができるビームスキャニング方式であ
り、文字などを直接描画するレーザマーカーなどで一般
的に用いられているものである。

【００３３】このようなガルバノミラー・スキャニング
方式を用いると、必要な微細回路の箇所のみを周期的な
粗さを持つ粗面化が可能となる。本発明では、箱型樹脂
成形体のような立体的な成形体であっても、レーザ照射
することができる。またスルーホールのように基板の表
面と裏面とをつなぐ穴が開いているものであっても、ス
ルーホールの内壁にレーザ照射することができる。

【００３４】[(ii)金属膜の形成]次に、本発明では、上
記のようにして形成した凹部に金属膜が形成される。金
属膜を形成するためには、あらかじめ、凹部にメッキ触
媒を付与しておくことが好ましく、メッキ触媒が付与さ
れた凹部表面に、無電解メッキ、次いで電解メッキによ
り金属膜を形成する。

【００３５】メッキ触媒金属膜を形成するためには、まず粗面部にメッキ触媒を
付与する。メッキ触媒としては、有機パラジウム化合
物、有機白金化合物などが挙げられる。このうち、有機
パラジウム化合物が好ましく使用される。メッキ触媒の
付与は、塩化パラジウム（PdCl₂）、ジアンミン第一パ
ラジウム塩化物（Pd(NH₃)₂Cl₂）、テトラアンミンしゅ
う酸パラジウム（Pd(NH₃)₄C₂O₄）、硫酸パラジウム（Pd
SO₄）などのパラジウム化合物、または白金化合物など
の触媒を含む浴中に浸漬するなどの方法によって行われ
る。このとき、メッキ触媒は、粗面部（凹部の粗面化さ
れた底部および側面）にのみ担持される。粗面部が回路
パターンを形成している場合は、回路パターン状にメッ
キ触媒が担持される。

【００３６】このようにしてメッキ触媒が付与された粗
面部に、金属膜がメッキによって形成される。金属膜の
メッキは、無電解メッキと電解メッキとの二工程により
行われる。無電解メッキ無電解メッキは、溶液中の金属イオンを、還元剤によっ
て還元析出させる方法である。

【００３７】還元剤としては、次亜リン酸塩、水素化ホ
ウ素化合物、水和ヒドラジン、ホルムアルデヒド、次亜
リン酸塩、N,N-ジエチルグリシン、硫酸ヒドラジン、ア
スコルビン酸などが使用される。このような無電解メッ
キでは、まず析出させる金属の塩を水などの溶媒に溶解
し、前記還元剤を添加して、メッキ浴を調製する。

【００３８】金属塩の濃度は、一般的に使用される濃度
であればよく、たとえば０．００１〜０．５モル／リッ
トルであればよい。このとき、必要に応じて、ｐＨ調整
剤、緩衝剤、錯化剤、促進剤、安定剤、改良剤などを添
加してもよい。ｐＨ調整剤としては、水酸化ナトリウ
ム、アンモニアなどの塩基性化合物、硫酸、塩酸などの
無機酸、酢酸、コハク酸などの有機酸などが挙げられ
る。

【００３９】緩衝剤としては、リン酸塩、クエン酸塩、
酒石酸塩などが挙げられる。錯化剤としては、酢酸、グ
リコール酸、クエン酸、酒石酸などの有機酸のアルカリ
金属塩、チオグリコール酸、アンモニア、ヒドラジン、
トリエタノールアミン、エチレンジアミン、グリシン、
ｏ-アミノフェノール、ＥＤＴＡなどが挙げられる。

【００４０】促進剤としては、コハク酸などが挙げられ
る。安定剤としては、チオ尿素、金属シアン化物、アセ
チルアセトン、エチルオキサント酸などが挙げられる。
改良剤としては、ＮａＣＮ、ＫＣＮなどが挙げられる。
このように調製したメッキ浴に、メッキ触媒が付与され
た凹部を有する樹脂基板を浸漬する。浸漬時間および浸
漬温度は、メッキする金属の種類、メッキ浴中の金属イ
オン濃度より適宜選択される。

【００４１】無電解メッキされた樹脂基板は、水洗・乾
燥したのち、電解メッキされる。電解メッキ電解メッキは、一般に行われている方法の中から適宜目
的に応じた条件で行われる。電解メッキは、無電解メッ
キされた凹部に行われ、このときの電流密度は、樹脂基
板が変質しない程度であれば特に制限されない。

【００４２】以上のような本発明に係る製造方法によれ
ば、金属膜の形状を任意のパターンに形成した金属回路
付樹脂基板を製造することができる。また、金属膜の形
状を導体回路の配線パターンとすることにより、たとえ
ば平面コイルといった導体回路付平面基板を製造するこ
とができる。金属膜の形状を導体回路の配線パターンに
する場合には、ライン／スペース（μｍ）は、３００／
３００〜７０／７０であることが好ましい。

【００４３】また、このようにして得られた金属回路付
樹脂基板は、半導体装置の導体回路付きパッケージとし
ても好適に使用することができる。

【００４４】

【発明の効果】本発明に係る金属回路付樹脂基板は、小
型で安価であり、金属膜との接着性に優れ、また、金属
膜の膜厚が厚いため、高い電流密度下においても使用で
き、しかも樹脂基板からの金属膜の凸量が少ないため表
面実装性に優れる。また、本発明の樹脂基板を用いた平
面コイルなどの導体回路付平面基板あるいは半導体装置
は、導体を形成する金属膜の厚みが厚いため、回路の切
断などを防止でき、信頼性の高い装置を提供し得る。

【００４５】さらに、本発明の製造方法によれば、従来
の薬液処理のような製造時の環境悪化、危険作業が全く
無く、安全衛生の点でも極めて良好で安価なドライプロ
セスを提供することができる。

【００４６】

【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて説明する
が、本発明はこれら実施例に何ら限定されるものではな
い。

【００４７】

【実施例１】凹部形成樹脂（三井化学（株）製：シリカ充填エポキシ樹脂EPOX
^TM）からなる平面基板（試験基板）の水平面上に、図２
に示すような平面コイル状に、定格５０Ｗ出力のＱスイ
ッチ型ＬＤ励起ＹＡＧレーザ照射機（スポット径約９０
μｍ）を用いて、以下の条件でレーザ光パルスを照射し
て、深さ約２００μｍ、幅が約２００μｍの凹部を形成
した。

【００４８】レーザ種類：Ｑスイッチ型ＬＤ励起ＹＡＧレー
ザ（スポット径約９０μｍ）定格出力：５０Ｗパルスピッチ：０．０１２５ｍｍＱスイッチ周波数：４０ｋＨｚビーム走査速度：５００mm／sec レーザ波長：１．０６４μｍメッキ触媒付与次に、このように凹部を形成した試験基板を、パラジウ
ム触媒にて、４０℃、３分間浸漬し、凹部に有機パラジ
ウム化合物を形成することによりメッキ触媒を付与し
た。

【００４９】無電解銅メッキその後、試験基板を硫酸銅からなるメッキ浴にて浸漬
し、メッキ厚が約０.５μｍになるまで、無電解銅メッ
キを行った。電解銅メッキその後、試験基板を水洗・乾燥し、硫酸銅からなるメッ
キ浴にて浸漬して、メッキ厚が約２００μｍになるまで
電解銅メッキを行った。

【００５０】このようにして得られた試験基板上の金属
膜の厚みＬ₁、凹部の深さＬ₂、金属膜の突出距離Ｌ
₃を、平面コイルの断面を実体顕微鏡により観察するこ
とにより測定した。また、ライン／スペースは、平面コ
イルの水平面を実体顕微鏡により観察することにより測
定した。

【００５１】結果を表１に示す。

【００５２】

【実施例２】実施例１の凹部形成工程において、レーザ
光パルスの照射条件を下記のようにし、形成するクレー
ターの深さを約１００μｍとし、電解銅メッキ工程にお
いて、メッキ厚を約１００μｍとした以外は、実施例１
と同様にして試験基板を作成し、金属膜の厚みＬ₁、凹
部の深さＬ₂、金属膜の突出距離Ｌ₃およびライン／スペ
ースを測定した。

【００５３】レーザ種類：Ｑスイッチ型ＬＤ励起ＹＡＧレー
ザ（スポット径約１５μｍ）定格出力：５６０ｍＷパルスピッチ：０．０２ｍｍＱスイッチ周波数：１０ｋＨｚビーム走査速度：２００mm／sec レーザ波長：０．３５５μｍ結果を表１に示す。

【００５４】

【比較例１】粗面化樹脂（三井化学（株）製：シリカおよび炭酸カルシウム
充填エポキシ樹脂EPOX ^TM）からなる平面基板（試験基
板）全面を、クロム酸および硫酸からなる混酸にて、７
０℃で１０分間処理し、基板表面を粗面化した。

【００５５】メッキ触媒付与次に、このようにして粗面部を形成した試験基板を、パ
ラジウム触媒にて、４０℃、３分間浸漬し、粗面部表面
に有機パラジウム化合物を形成することによりメッキ触
媒を付与した。無電解銅メッキその後、試験基板を硫酸銅からなるメッキ浴にて、メッ
キ厚が約３５μｍになるまで、試験基板全面に無電解銅
メッキを行った。

【００５６】パターニングその後、試験基板を水洗・乾燥し、レジスト電着し、露
光した後、銅エッチングにより、金属膜の幅が２００μ
ｍの、図２に示すような平面コイル状のパターン部を形
成した。このようにして得られた金属膜の厚みＬ₁、粗
面部の深さＬ₂、金属膜の突出距離Ｌ₃、ライン／スペー
スを実施例１と同様に測定した。

【００５７】結果を表１に示す。

【００５８】

【表１】

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る樹脂基板の要部断面図を示す。

【図２】本発明に係る平面コイルの模式図を示す。

【符号の説明】

１樹脂基板２粗面部３金属膜４スルーホールＬ₁ 金属膜の厚みＬ₂ 凹部の深さＬ₃ 金属膜の突出距離

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０５Ｋ 3/00 Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｂ 3/18 23/14 Ｒ (72)発明者続山浩二千葉県袖ヶ浦市長浦580−32 三井化学株式会社内Ｆターム(参考） 4E351 AA03 BB10 BB15 BB33 CC06 DD04 GG20 5E338 AA01 AA16 BB02 BB19 BB28 CC01 CC10 CD12 EE60 5E343 AA02 AA12 AA17 BB02 BB14 BB24 BB62 DD33 DD43 ER02 FF30 GG02 GG04 GG20

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】樹脂基板と、該樹脂基板表面の少なくとも
一部に形成された粗面化された底部および側面を有する
凹部と、該凹部上に形成された金属膜とからなり、この金属膜の厚みが100μmより厚く、かつ、前記金属膜
の樹脂基板表面からの突出距離が30μm以下であること
を特徴とする金属回路付樹脂基板。
【請求項２】前記樹脂基板が熱硬化性樹脂からなること
を特徴とする請求項１に記載の金属回路付樹脂基板。
【請求項３】前記樹脂基板が、無機フィラーとして、シ
リカ、フェライトまたはフェライト以外の鉄系磁性粉末
のいずれかを含有してなることを特徴とする請求項1ま
たは２に記載の金属回路付樹脂基板。
【請求項４】前記凹部上に形成された金属膜の形状が導
体回路の配線パターンであることを特徴とする請求項１
〜３のいずれかに記載の金属回路付樹脂基板。
【請求項５】樹脂基板の少なくとも一部にレーザ光パル
スを照射して、深さ100μm以上の粗面化された底部およ
び側面を有する凹部を形成し、該凹部上に金属膜を形成
することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の
金属回路付樹脂基板の製造方法。
【請求項６】導体回路の配線パターン状に凹部を形成す
ることを特徴とする請求項５に記載の金属回路付樹脂基
板の製造方法。
【請求項７】上記金属膜が、無電解メッキをした後、さ
らに電解メッキをして形成されることを特徴とする請求
項５または６に記載の金属回路付樹脂基板の製造方法。
【請求項８】金属回路付樹脂基板が導体回路付平面基板
である請求項１〜４のいずれかに記載の金属回路付樹脂
基板。
【請求項９】金属回路付樹脂基板が平面コイルである請
求項１〜４のいずれかに記載の金属回路付樹脂基板。
【請求項１０】請求項１〜４のいずれかに記載の金属回
路付樹脂基板を用いた半導体装置。