JP2008252056A - 発光素子およびその製造方法ならびに光学素子およびその製造方法 - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 57
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 136
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 53
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 27
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 165
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 54
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 30
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 29
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 25
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 21
- 239000010408 film Substances 0.000 description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 14
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 10
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 7
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 6
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 5
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 5
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 5
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 5
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 5
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 5
- QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M (4z)-1-(3-methylbutyl)-4-[[1-(3-methylbutyl)quinolin-1-ium-4-yl]methylidene]quinoline;iodide Chemical compound [I-].C12=CC=CC=C2N(CCC(C)C)C=CC1=CC1=CC=[N+](CCC(C)C)C2=CC=CC=C12 QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- -1 glycol ethers Chemical class 0.000 description 4
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 4
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 4
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 4
- CSUFEOXMCRPQBB-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2-tetrafluoropropan-1-ol Chemical compound CC(F)(F)C(O)(F)F CSUFEOXMCRPQBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000987 azo dye Substances 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 239000001007 phthalocyanine dye Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 150000004646 arylidenes Chemical group 0.000 description 2
- 150000007980 azole derivatives Chemical class 0.000 description 2
- BUNYBPVXEKRSGY-UHFFFAOYSA-N buta-1,3-dien-1-amine Chemical class NC=CC=C BUNYBPVXEKRSGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 2
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 2
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 2
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- DZVCFNFOPIZQKX-LTHRDKTGSA-M merocyanine Chemical compound [Na+].O=C1N(CCCC)C(=O)N(CCCC)C(=O)C1=C\C=C\C=C/1N(CCCS([O-])(=O)=O)C2=CC=CC=C2O\1 DZVCFNFOPIZQKX-LTHRDKTGSA-M 0.000 description 2
- 239000000434 metal complex dye Substances 0.000 description 2
- 125000001434 methanylylidene group Chemical group [H]C#[*] 0.000 description 2
- UAEPNZWRGJTJPN-UHFFFAOYSA-N methylcyclohexane Chemical compound CC1CCCCC1 UAEPNZWRGJTJPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LKKPNUDVOYAOBB-UHFFFAOYSA-N naphthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC4=CC=CC=C4C=C3C(N=C3C4=CC5=CC=CC=C5C=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=C2C(C=CC=C2)=C2)C2=C1N=C1C2=CC3=CC=CC=C3C=C2C4=N1 LKKPNUDVOYAOBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 2
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- IZMJMCDDWKSTTK-UHFFFAOYSA-N quinoline yellow Chemical compound C1=CC=CC2=NC(C3C(C4=CC=CC=C4C3=O)=O)=CC=C21 IZMJMCDDWKSTTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003918 triazines Chemical class 0.000 description 2
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 2
- WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dichloroethane Chemical compound ClCCCl WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBUKAOOFKZFCGD-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3-tetrafluoropropan-1-ol Chemical compound OCC(F)(F)C(F)F NBUKAOOFKZFCGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004709 Chlorinated polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229920002307 Dextran Polymers 0.000 description 1
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010010803 Gelatin Proteins 0.000 description 1
- 239000013032 Hydrocarbon resin Substances 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002319 Poly(methyl acrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229920002367 Polyisobutene Polymers 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229920001756 Polyvinyl chloride acetate Polymers 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 150000001565 benzotriazoles Chemical class 0.000 description 1
- KUNKJUBYDGJIJD-UHFFFAOYSA-N butan-1-ol;propan-2-one Chemical compound CC(C)=O.CC(C)=O.CCCCO KUNKJUBYDGJIJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 1
- 150000008280 chlorinated hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 150000001851 cinnamic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000007859 condensation product Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N diacetone alcohol Natural products CC(=O)CC(C)(C)O SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 1
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 238000007765 extrusion coating Methods 0.000 description 1
- 238000005562 fading Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 description 1
- 239000008273 gelatin Substances 0.000 description 1
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 description 1
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M hexanoate Chemical compound CCCCCC([O-])=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 229920006270 hydrocarbon resin Polymers 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- GYNNXHKOJHMOHS-UHFFFAOYSA-N methyl-cycloheptane Natural products CC1CCCCCC1 GYNNXHKOJHMOHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- 229920005613 synthetic organic polymer Polymers 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 239000006097 ultraviolet radiation absorber Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
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- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Led Devices (AREA)
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Abstract
【解決手段】発光体として例えばLED素子10を用意し、このLED素子10の発光面18にヒートモードの形状変化が可能な記録材料層12を形成する。そして、記録材料層12に、集光した光を照射することで、LED素子10が発する光の中心波長の0.01〜100倍のピッチで複数の凹部15を形成する。
【選択図】図1
Description
このような透明な外装部材の屈折率は、一般に空気の屈折率よりもかなり大きく、外装部材から外部に光が出ようとするときに、界面で反射が起こる。この反射した光は、角度によっては、外装部材内から外へ出ることができず最終的には熱となってしまう。
他方、特許文献2には、ブレード加工で電流拡散層に断面三角形状のラインアンドスペースパターンを形成し、さらに高温の塩酸処理をして表面にサブミクロンの凹凸を形成する方法、またはフォトレジストを使ってラインアンドスペースパターンを形成し、さらにリアクティブ・イオン・エッチング(RIE)して同様の微小凹凸を形成する方法が開示されているが、これらの方法も煩雑なプロセスであるという問題があった。
また、集光した光の照射の際には、従来周知のフォーカシング技術を用いることで、半導体素子の反りなどにも容易に対応することができ、量産性を向上することができる。
次に、本発明の発光素子およびその製造方法について、図面を参照しながら説明する。参照する図において、図1(a)は、LEDパッケージの図であり、(b)は、(a)の拡大図である。
LED素子10は、従来周知の素子であり、詳細は図示しないが、n型クラッド層、p型クラッド層および活性層などを有する。図1(a)においては、上側の面が、光が外部へ放出される発光面18である。
記録材料層12は、強い光の照射により光が熱に変換されてこの熱により材料が形状変化して凹部を形成することが可能な層であり、いわゆるヒートモード型の記録材料の層である。このような記録材料は、従来、光記録ディスクなどの記録層に多用されており、たとえば、シアニン系、フタロシアニン系、キノン系、スクワリリウム系、アズレニウム系、チオール錯塩系、メロシアニン系などの記録材料を用いることができる。
従って、記録材料層12に含有される記録物質としては、色素等の有機化合物が挙げられる。なお、記録材料層12の材料としては、有機材料に限られず、無機材料または無機材料と有機材料の複合材料を使用できる。ただし、有機材料であると、成膜をスピンコートにより容易にでき、転移温度が低い材料を得易いため、有機材料を採用するのが好ましい。また、有機材料の中でも、光吸収量が分子設計で制御可能な色素を採用するのが好ましい。
例えば、レーザ光源の発振波長が780nm付近であった場合、ペンタメチンシアニン色素、ヘプタメチンオキソノール色素、ペンタメチンオキソノール色素、フタロシアニン色素、ナフタロシアニン色素などから選択することが有利である。
また、レーザ光源の発振波長が660nm付近であった場合は、トリメチンシアニン色素、ペンタメチンオキソノール色素、アゾ色素、アゾ金属錯体色素、ピロメテン錯体色素などから選択することが有利である。
さらに、レーザ光源の発振波長が405nm付近であった場合は、モノメチンシアニン色素、モノメチンオキソノール色素、ゼロメチンメロシアニン色素、フタロシアニン色素、アゾ色素、アゾ金属錯体色素、ポルフィリン色素、アリリデン色素、錯体色素、クマリン色素、アゾール誘導体、トリアジン誘導体、ベンゾトリアゾール誘導体、1−アミノブタジエン誘導体、キノフタロン系色素などから選択することが有利である。
なお、上記の上限値及び下限値は、それぞれが任意で組み合わせることができる。
ここで、記録材料層12は、単層でも重層でもよく、重層構造の場合、塗布工程を複数回行うことによって形成される。
塗布液中の色素の濃度は、一般に0.01〜15質量%の範囲であり、好ましくは0.1〜10質量%の範囲、より好ましくは0.5〜5質量%の範囲、最も好ましくは0.5〜3質量%の範囲である。
上記溶剤は使用する色素の溶解性を考慮して単独で、或いは二種以上を組み合わせて使用することができる。塗布液中には、更に、酸化防止剤、UV吸収剤、可塑剤、潤滑剤等各種の添加剤を目的に応じて添加してもよい。
記録材料層12(記録層化合物)は、スピンコート法による形成に有利であるという点から、有機溶媒に対して0.3wt%以上30wt%以下で溶解することが好ましく、1wt%以上20wt%以下で溶解することがより好ましい。特にテトラフルオロプロパノールに1wt%以上20wt%以下で溶解することが好ましい。また、記録層化合物は、熱分解温度が150℃以上500℃以下であることが好ましく、200℃以上400℃以下であることがより好ましい。
塗布の際、塗布液の温度は、23〜50℃の範囲であることが好ましく、24〜40℃の範囲であることがより好ましく、中でも、25〜30℃の範囲であることが特に好ましい。
褪色防止剤としては、一般的に一重項酸素クエンチャーが用いられる。一重項酸素クエンチャーとしては、既に公知の特許明細書等の刊行物に記載のものを利用することができる。
その具体例としては、特開昭58−175693号公報、同59−81194号公報、同60−18387号公報、同60−19586号公報、同60−19587号公報、同60−35054号公報、同60−36190号公報、同60−36191号公報、同60−44554号公報、同60−44555号公報、同60−44389号公報、同60−44390号公報、同60−54892号公報、同60−47069号公報、同63−209995号公報、特開平4−25492号公報、特公平1−38680号公報、及び同6−26028号公報等の各公報、ドイツ特許350399号明細書、そして日本化学会誌1992年10月号第1141頁等に記載のものを挙げることができる。前記一重項酸素クエンチャー等の褪色防止剤の使用量は、色素の量に対して、通常0.1〜50質量%の範囲であり、好ましくは、0.5〜45質量%の範囲、更に好ましくは、3〜40質量%の範囲、特に好ましくは5〜25質量%の範囲である。
この色素の吸収ピークの波長は、必ずしも可視光の波長域内であるものに限定されず、紫外域や、赤外域にあるものであっても構わない。
色素には、吸収波長のピーク波長の長波側に屈折率の高い波長域が存在するが、この波長域と発光素子の発光波長とを合わせることが好ましい。そのためには、色素吸収波長λaが発光素子の中心波長λcより短い(λa<λc)ことが好ましい。λaとλcの差は、好ましくは10nm以上、より好ましくは25nm以上、さらに好ましくは50nm以上離れるのがよい。λaとλcが近すぎると、色素の吸収波長域が発光素子の中心波長λcにかかり、光が吸収されるからである。また、λaとλcの差の上限は、500nm以下であるのが好ましく、より好ましくは300nm以下、さらに好ましくは200nm以下である。λaとλcが離れすぎると、発光素子の光にとって屈折率が小さくなってしまうからである。
以上のような観点から、λa<λw<λcの関係にあることが最も好ましいといえる。
この厚みは、例えば、1〜10000nmの範囲で適宜設定することができ、厚さの下限は、好ましくは10nm以上であり、より好ましくは30nm以上である。その理由は、厚さが薄すぎると、凹部15が浅く形成されるため、光学的な効果が得られなくなるからである。また、後述するように記録材料層12をエッチングマスクとして利用する場合には、エッチング効果が得難くなるからである。また、厚さの上限は、好ましくは1000nm以下であり、より好ましくは500nm以下である。その理由は、厚さが厚すぎると、大きなレーザパワーが必要になるとともに、深い穴を形成することが困難になるからであり、さらには、加工速度が低下するからである。
なお、「透明」とは、LED素子10が発する光に対して、当該光を透過する(透過率:90%以上)ほどに透明であることを意味する。
記録材料層12(記録層化合物)に、材料の光吸収がある波長(材料で吸収される波長)のレーザ光を照射すると、記録材料層12によってレーザ光が吸収され、この吸収された光が熱に変換され、光の照射部分の温度が上昇する。これにより、記録材料層12が、軟化、液化、気化、昇華、分解などの化学または/および物理変化を起こす。そして、このような変化を起こした材料が移動または/および消失することで、凹部15が形成される。なお、バリア層13は非常に薄い層であるため、記録材料層12の移動または/および消失に伴って、一緒に移動または/および消失する。
なお、ここでいう直径または溝の幅は、凹部15の半分の深さにおける大きさ、いわゆる半値幅である。
図4(a)〜(c)は、LEDパッケージの製造工程を示す図である。
図4(a)に示すように、まず、従来公知の方法で製造されたLED素子10の本体である発光部11を用意する。
そして、図4(b)に示すように、記録材料層12とバリア層13をこの順に形成する。
また、光ディスクドライブと同様のフォーカシング技術、例えば、非点収差法などを用いることにより、発光部11にうねりや反りがあったとしても、発光面18の表面に容易に集光することが可能である。
光学系30の開口数NAは、下限が0.4以上が好ましく、より好ましくは0.5以上、さらに好ましくは0.6以上である。また、開口数NAの上限は、2以下であるのが好ましく、より好ましくは1以下、さらに好ましくは0.9以下である。開口数NAが小さすぎると、細かい加工ができず、大きすぎると、記録時の角度に対するマージンが減るからである。
そして、上述したように、記録材料層12の形成は塗布などにより大量に一斉に行うことができ、凹部15の形成は、従来公知の光ディスクドライブなどと同様の構成で、早く、安価に行うことができる。また、公知のフォーカシング技術を利用することで、素材にうねりがあっても凹部15を簡単に製造することができる。このような工程は、従来のように、材料を塗布してベーキング、露光、ベーキング、エッチングといった複雑な工程を利用するのと比較すると極めて簡単である。したがって、簡易に発光素子の発光面に微細な凹凸形状を形成して発光効率を向上することが可能である。
次に本発明の第2実施形態に係る光学素子およびその製造方法について説明する。参照する図において、図5は、第2実施形態に係る光学素子の図である。
光学素子10Aは、光の透過性が高い部材で、発光素子の発光面に密着または接着されて用いられる。例えば、第1実施形態に例示したLEDパッケージ1の発光面18の表面や、蛍光管の表面などに貼り付けて用いられる。
支持体11Aは、発光素子が発する光に対して十分な透過性(例えば透過率80%程度以上)を有していればよく、例えばポリカーボネートなどの樹脂や、ガラス材料が用いられる。
次に、本発明の第3実施形態に係る発光素子の製造方法について説明する。参照する図において、図6(a)〜(c)は、第3実施形態に係るLED素子の製造工程を示す図である。
たとえば、前記実施形態においては、発光素子の例としてLED素子を示したが、発光素子は、LED素子に限られず、プラズマディスプレイ素子、レーザ、SED素子、蛍光間、EL素子など、発光する器具であれば何でもよい。
前記実施形態においては、発光素子の発光面に直接記録材料層12を設けたが、発光面との間に他の材料を介して記録材料層12を設けてもよい。また、半導体からなるLED素子の表面に、保護層やレンズが設けられている場合には、それらの保護層やレンズの表面(空気との界面)が発光面になるので、それらの表面に記録材料層12および凹部15を設ければよい。
前記実施形態においては、凹部15を形成するのにレーザ光を用いたが、必要な大きさに集光できれば、レーザ光のような単色光でなくても構わない。
前記した第3実施形態では、穴部16を形成する発光面18上に直接記録材料層12等をエッチングマスクとして形成したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、発光面18を含む層をエッチングするためのエッチングガスによって、記録材料層12等が容易に削られてしまう場合には、図7(a)に示すように、記録材料層12等に影響をほとんど与えないエッチングガスによってエッチング可能なマスク層17を、発光面18と記録材料層12との間に設けてもよい。
実施例としては、上述した第2実施形態と同様の光学素子を作成した。光学素子は、ディスク状の表面が平らなポリカーボネートの基板(支持体)上に100nm厚の色素層(記録材料層)を形成し、これにレーザ光により0.5μmピッチの凹部を1mm四方に形成した。
各層の詳細は以下の通りである。
材質 ポリカーボネート
厚さ 0.6mm
外径 120mm
内径 15mm
・色素層(記録材料層)
下記化学式の色素材料2gをTFP(テトラフルオロプロパノール)溶剤100mlに溶解し、スピンコートした。スピンコートの際には、塗布開始回転数500rpm、塗布終了回転数1000rpmとして塗布液を基板の内周部にディスペンスし、徐々に2200rpmまで回転を上げた。なお、色素材料の屈折率nは1.986であり、消衰係数kは0.0418である。
DCマグネトロンスパッタにより、ZnO−Ga203(ZnO 95重量%、Ga203 5重量%)の薄膜を形成した。
厚さ 約5nm
出力 1kW
膜形成時間 2秒
雰囲気 Ar(流量50sccm)
凹部の形成条件は下記の通りである。
レーザ出力 2mW
線速 5m/s
記録信号 5MHzの矩形波
実施例1に対し、バリア層を設けない光学素子とした点のみが異なり、他の点は共通にした。
実施例1の基板の材質をシリコンに変更するととともに、凹部のピッチを0.5μmに変更した。なお、その他の条件は、実施例1と同様とした。そして、実施例1と同様にして、記録材料層およびバリア層に凹部を形成した後、ドライエッチングによりシリコンの基板に凹凸を形成した。なお、ドライエッチングの条件は、以下の通りである。
エッチングガス SF6+CHF3(1:1)
凹部の深さ 50nm
記録材料層等を剥離する剥離液 エタノール
10 LED素子
10A 光学素子
11 発光部
11A 支持体
12 記録材料層
13 バリア層
15 凹部
16 穴部
17 マスク層
17a 貫通孔
18 発光面
Claims (6)
- 発光体を有する発光素子であって、
発光面にヒートモードの形状変化が可能な記録材料層を有し、
前記記録材料層に、前記発光体が発する光の中心波長の0.01〜100倍のピッチで複数の凹部が形成されていることを特徴とする発光素子。 - 発光体を有する発光素子の製造方法であって、
発光面にヒートモードの形状変化が可能な記録材料層を形成し、
前記記録材料層に、集光した光を照射することで、前記発光体が発する光の中心波長の0.01〜100倍のピッチで複数の凹部を形成することを特徴とする発光素子の製造方法。 - 前記記録材料層をマスクとして、エッチングを行うことで、前記発光面に前記凹部に対応した穴部を形成することを特徴とする請求項2に記載の発光素子の製造方法。
- 発光素子の発光面に取り付けられることで、前記発光素子の発光効率を向上する光学素子であって、
前記発光素子が発する光が透過可能な支持体と、
前記支持体の表面にヒートモードの形状変化が可能な記録材料層とを有し、
前記記録材料層に、前記発光素子が発する光の中心波長の0.01〜100倍のピッチで複数の凹部が形成されていることを特徴とする光学素子。 - 発光素子の発光面に取り付けられることで、前記発光素子の発光効率を向上させる光学素子の製造方法であって、
前記発光素子が発する光が透過可能な支持体の表面に、ヒートモードの形状変化が可能な記録材料層を形成し、
前記記録材料層に、集光した光を照射することで、前記発光素子が発する光の中心波長の0.01〜100倍のピッチで複数の凹部を形成することを特徴とする光学素子の製造方法。 - 前記記録材料層をマスクとして、エッチングを行うことで、前記支持体の表面に前記凹部に対応した穴部を形成することを特徴とする請求項5に記載の光学素子の製造方法。
Priority Applications (12)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007196756A JP5078488B2 (ja) | 2007-03-05 | 2007-07-27 | 発光素子およびその製造方法ならびに光学素子およびその製造方法 |
TW097106630A TWI426623B (zh) | 2007-03-05 | 2008-02-26 | 發光元件及其製造方法以及光學元件及其製造方法 |
US12/529,984 US8710524B2 (en) | 2007-03-05 | 2008-03-05 | Light emitting element, method for manufacturing the light emitting element, optical element and method for manufacturing the optical element |
KR1020097017645A KR101339751B1 (ko) | 2007-03-05 | 2008-03-05 | 발광 소자와 그 제조 방법 및 광학 소자와 그 제조 방법 |
PCT/JP2008/053954 WO2008108406A1 (ja) | 2007-03-05 | 2008-03-05 | フォトレジスト用化合物、フォトレジスト液、およびこれを用いるエッチング方法 |
EP08721374A EP2135901A4 (en) | 2007-03-05 | 2008-03-05 | CONNECTION FOR PHOTORESIST, PHOTORESIST SOLUTION AND USE OF THIS PROCESS |
PCT/JP2008/000450 WO2008123010A1 (ja) | 2007-03-05 | 2008-03-05 | 発光素子およびその製造方法ならびに光学素子およびその製造方法 |
CN200880007061A CN101675117A (zh) | 2007-03-05 | 2008-03-05 | 光致抗蚀用化合物、光致抗蚀液及使用其的蚀刻方法 |
CN2008800071438A CN101622725B (zh) | 2007-03-05 | 2008-03-05 | 发光元件及其制造方法以及光学元件及其制造方法 |
EP08720336.0A EP2120272A4 (en) | 2007-03-05 | 2008-03-05 | LIGHT-EMITTING ELEMENT, PROCESS FOR PREPARING THE LIGHT-EMITTING ELEMENT, OPTICAL ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING THE OPTICAL ELEMENT |
KR1020097016473A KR20090128379A (ko) | 2007-03-05 | 2008-03-05 | 포토레지스트용 화합물, 포토레지스트액 및 이것을 사용하는 에칭 방법 |
US12/530,100 US20100104985A1 (en) | 2007-03-05 | 2008-03-05 | Compound for photoresist, photoresist liquid, and etching method using the same |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007054289 | 2007-03-05 | ||
JP2007054289 | 2007-03-05 | ||
JP2007196756A JP5078488B2 (ja) | 2007-03-05 | 2007-07-27 | 発光素子およびその製造方法ならびに光学素子およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008252056A true JP2008252056A (ja) | 2008-10-16 |
JP5078488B2 JP5078488B2 (ja) | 2012-11-21 |
Family
ID=39830515
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007196756A Expired - Fee Related JP5078488B2 (ja) | 2007-03-05 | 2007-07-27 | 発光素子およびその製造方法ならびに光学素子およびその製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8710524B2 (ja) |
EP (1) | EP2120272A4 (ja) |
JP (1) | JP5078488B2 (ja) |
KR (1) | KR101339751B1 (ja) |
CN (1) | CN101622725B (ja) |
TW (1) | TWI426623B (ja) |
WO (1) | WO2008123010A1 (ja) |
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- 2008-03-05 EP EP08720336.0A patent/EP2120272A4/en not_active Withdrawn
- 2008-03-05 WO PCT/JP2008/000450 patent/WO2008123010A1/ja active Application Filing
- 2008-03-05 KR KR1020097017645A patent/KR101339751B1/ko not_active IP Right Cessation
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US8710524B2 (en) | 2014-04-29 |
JP5078488B2 (ja) | 2012-11-21 |
CN101622725A (zh) | 2010-01-06 |
EP2120272A1 (en) | 2009-11-18 |
KR20090117882A (ko) | 2009-11-13 |
TW200847488A (en) | 2008-12-01 |
WO2008123010A1 (ja) | 2008-10-16 |
TWI426623B (zh) | 2014-02-11 |
US20100090236A1 (en) | 2010-04-15 |
KR101339751B1 (ko) | 2013-12-11 |
CN101622725B (zh) | 2012-08-08 |
EP2120272A4 (en) | 2014-03-19 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120821 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120828 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150907 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |