JPH11334204A - 光学記録媒体 - Google Patents
光学記録媒体Info
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- JPH11334204A JPH11334204A JP10145552A JP14555298A JPH11334204A JP H11334204 A JPH11334204 A JP H11334204A JP 10145552 A JP10145552 A JP 10145552A JP 14555298 A JP14555298 A JP 14555298A JP H11334204 A JPH11334204 A JP H11334204A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 青色レーザー光での記録に適した光学記録媒
体を提供する。 【解決手段】 基板上にレーザーによる情報の書き込み
および、又は読み取りが可能な記録層が設けられた光学
記録媒体において、該記録層が下記一般式（Ｉ）で示さ
れるピリドンアゾ骨格を有する色素を含有することを特
徴とする光学記録媒体。 【化１】 （式中、ベンゼン環、ピリジン環は更に置換基を有して
いても良い。）
体を提供する。 【解決手段】 基板上にレーザーによる情報の書き込み
および、又は読み取りが可能な記録層が設けられた光学
記録媒体において、該記録層が下記一般式（Ｉ）で示さ
れるピリドンアゾ骨格を有する色素を含有することを特
徴とする光学記録媒体。 【化１】 （式中、ベンゼン環、ピリジン環は更に置換基を有して
いても良い。）
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、青色レーザー光に
対応し得る光学記録媒体に関する。詳しくは、ピリドン
アゾ化合物を記録層として用いた光学記録媒体に関する
ものである。
対応し得る光学記録媒体に関する。詳しくは、ピリドン
アゾ化合物を記録層として用いた光学記録媒体に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】レーザーを用いる光学記録は、高密度の
情報記録保存及びその再生を可能とするため、近年、特
に開発が取り進められている。光学記録媒体の一例とし
ては光ディスクを挙げることができる。一般に、光ディ
スクは、円形の基体に設けられた薄い記録層に、１μｍ
程度に収束したレーザー光を照射し、高密度の情報記録
を行うものである。その光ディスクの中でも最近注目を
集めているものに書き込み型コンパクトディスク（ＣＤ
−Ｒ）がある。ＣＤ−Ｒは通常、案内溝を有するプラス
チック基板上に色素を主成分とする記録層、金属反射
膜、保護膜を順次積層することにより構成される。情報
の記録は、照射されたレーザー光エネルギーの吸収によ
って、その箇所の記録層、反射層または基板に、分解、
蒸発、溶解等の熱的変形が生成することにより行われ
る、また、記録された情報の再生は、レーザー光により
変形が起きている部分と起きていない部分の反射率の差
を読み取ることにより行われる。したがって、光学記録
媒体としてはレーザー光のエネルギーを効率よく吸収す
る必要があり、レーザー吸収色素が用いられる。
情報記録保存及びその再生を可能とするため、近年、特
に開発が取り進められている。光学記録媒体の一例とし
ては光ディスクを挙げることができる。一般に、光ディ
スクは、円形の基体に設けられた薄い記録層に、１μｍ
程度に収束したレーザー光を照射し、高密度の情報記録
を行うものである。その光ディスクの中でも最近注目を
集めているものに書き込み型コンパクトディスク（ＣＤ
−Ｒ）がある。ＣＤ−Ｒは通常、案内溝を有するプラス
チック基板上に色素を主成分とする記録層、金属反射
膜、保護膜を順次積層することにより構成される。情報
の記録は、照射されたレーザー光エネルギーの吸収によ
って、その箇所の記録層、反射層または基板に、分解、
蒸発、溶解等の熱的変形が生成することにより行われ
る、また、記録された情報の再生は、レーザー光により
変形が起きている部分と起きていない部分の反射率の差
を読み取ることにより行われる。したがって、光学記録
媒体としてはレーザー光のエネルギーを効率よく吸収す
る必要があり、レーザー吸収色素が用いられる。
【０００３】このような有機色素を利用した光記録媒体
は、有機色素溶液の塗布による簡単な方法で記録層を形
成し得るため安価な光記録媒体としてますます普及する
ことが期待され、その結果一層の高密度化が要望されて
いる。このため、記録に用いるレーザー光を従来の７８
０ｎｍを中心とした半導体レーザーから青色光領域にま
で短波長化することが検討されている。
は、有機色素溶液の塗布による簡単な方法で記録層を形
成し得るため安価な光記録媒体としてますます普及する
ことが期待され、その結果一層の高密度化が要望されて
いる。このため、記録に用いるレーザー光を従来の７８
０ｎｍを中心とした半導体レーザーから青色光領域にま
で短波長化することが検討されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、青色レーザ
ー光に対応し得る光学記録媒体を提供することを目的と
するものである。
ー光に対応し得る光学記録媒体を提供することを目的と
するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】光学記録媒体の記録層に
適した色素としては、使用されるレーザー光に対応する
波長領域に吸収を有すること以外に、レーザー光に対し
感度が良いこと、吸収曲線がシャープであること、或い
はレーザー光照射による分解挙動が良好であることなど
の特性が必要である。本発明者らは上記目的を達成する
べく鋭意検討した結果、記録層にピリドンアゾ系化合物
を使用した光学記録媒体が青色レーザー光で良好に記録
できることを見出した。すなわち本発明は基板と記録層
からなり、該記録層が下記一般式（Ｉ）で示されるピリ
ドンアゾ骨格を有する色素を含有することを特徴とする
光学記録媒体をその要旨とする。
適した色素としては、使用されるレーザー光に対応する
波長領域に吸収を有すること以外に、レーザー光に対し
感度が良いこと、吸収曲線がシャープであること、或い
はレーザー光照射による分解挙動が良好であることなど
の特性が必要である。本発明者らは上記目的を達成する
べく鋭意検討した結果、記録層にピリドンアゾ系化合物
を使用した光学記録媒体が青色レーザー光で良好に記録
できることを見出した。すなわち本発明は基板と記録層
からなり、該記録層が下記一般式（Ｉ）で示されるピリ
ドンアゾ骨格を有する色素を含有することを特徴とする
光学記録媒体をその要旨とする。
【０００６】
【化３】
【０００７】（式中、ベンゼン環、ピリジン環は更に置
換基を有していても良い。） なお、一般式（Ｉ）で示される骨格を有する色素とは一
般式（Ｉ）で示される構造あるいは更にベンゼン環、ピ
リジン環に任意の置換基を有する構造の色素を意味す
る。
換基を有していても良い。） なお、一般式（Ｉ）で示される骨格を有する色素とは一
般式（Ｉ）で示される構造あるいは更にベンゼン環、ピ
リジン環に任意の置換基を有する構造の色素を意味す
る。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下本発明につき詳細に説明す
る。本発明で使用されるピリドンアゾ骨格を有する色素
は３５０〜５３０ｎｍの青色光領域に吸収を有する化合
物が好ましい。かかる色素としては、下記一般式（II）
で示される色素があげられる。
る。本発明で使用されるピリドンアゾ骨格を有する色素
は３５０〜５３０ｎｍの青色光領域に吸収を有する化合
物が好ましい。かかる色素としては、下記一般式（II）
で示される色素があげられる。
【０００９】
【化４】
【００１０】（式中、Ｘは水素原子、アルキル基、フル
オロアルキル基を表し、Ｒは水素原子、置換もしくは非
置換のアルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基ま
たは置換もしくは非置換のアリール基を表し、環Ａはア
ゾ基以外に置換基を有していても良いベンゼン環を表
す。） 一般式（II）において、Ｘは、水素原子、アルキル基、
フルオロアルキル基を示すが、好ましくはアルキル基或
いはフルオロアルキル基であり、特にメチル基、トリフ
ルオロメチル基が好ましい。
オロアルキル基を表し、Ｒは水素原子、置換もしくは非
置換のアルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基ま
たは置換もしくは非置換のアリール基を表し、環Ａはア
ゾ基以外に置換基を有していても良いベンゼン環を表
す。） 一般式（II）において、Ｘは、水素原子、アルキル基、
フルオロアルキル基を示すが、好ましくはアルキル基或
いはフルオロアルキル基であり、特にメチル基、トリフ
ルオロメチル基が好ましい。
【００１１】Ｒとしては水素原子；メチル基、エチル
基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、
ｔｅｒｔ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、２−エチルヘ
キシル基、ドデシル基等の炭素数１〜１２の直鎖または
分岐のアルキル基；アルコキシ基、アミノ基、アルキル
アミノ基、アルコキシアルコキシ基、アリールオキシ
基、アルケニルオキシ基、アラルキルオキシ基、アリー
ル基、シアノ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、フリル
基、テトラヒドロフリル基、アルコキシカルボニル基、
アルケニルオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アル
コキシカルボニルオキシ基等で置換された炭素数１〜１
２の直鎖または分岐のアルキル基；アルケニル基；シク
ロアルキル基；置換もしくは非置換のフェニル基等のア
リール基が挙げられる。
基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、
ｔｅｒｔ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、２−エチルヘ
キシル基、ドデシル基等の炭素数１〜１２の直鎖または
分岐のアルキル基；アルコキシ基、アミノ基、アルキル
アミノ基、アルコキシアルコキシ基、アリールオキシ
基、アルケニルオキシ基、アラルキルオキシ基、アリー
ル基、シアノ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、フリル
基、テトラヒドロフリル基、アルコキシカルボニル基、
アルケニルオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アル
コキシカルボニルオキシ基等で置換された炭素数１〜１
２の直鎖または分岐のアルキル基；アルケニル基；シク
ロアルキル基；置換もしくは非置換のフェニル基等のア
リール基が挙げられる。
【００１２】置換アルキル基の具体的なものとしては、
例えば２−メトキシエチル基、２−エトキシエチル基、
２−ｎ−プロポキシエチル基、２−ｉｓｏ−プロポキシ
エチル基、２−ｎ−ブトキシエチル基、２−ｉｓｏ−ブ
トキシエチル基、２−ｓｅｃ−ブトキシエチル基、２−
ｎ−ペンチルオキシエチル基、２−ｎ−ヘキシルオキシ
エチル基、２−ｎ−オクチルオキシエチル基、２−（２
−エチルヘキシルオキシ）エチル基、１−メチル−２−
メトキシエチル基、１−メチル−２−エトキシエチル
基、１−メチル−２−ｎ−プロポキシエチル基、１−メ
チル−２−ｉｓｏ−プロポキシエチル基、１−メチル−
２−ｎ−ブトキシエチル基、１−メチル−２−ｉｓｏ−
ブトキシエチル基、１−メチル−２−ｎ−ヘキシルオキ
シエチル基、１−メチル−２−（２−エチルヘキシルオ
キシ）エチル基、２−メトキシプロピル基、３−メトキ
シプロピル基、３−メトキシブチル基、４−メトキシブ
チル基、３−エトキシブチル基、１−エチル−２−メト
キシエチル基、１−エチル−２−エトキシエチル基等の
アルコキシ置換アルキル基；
例えば２−メトキシエチル基、２−エトキシエチル基、
２−ｎ−プロポキシエチル基、２−ｉｓｏ−プロポキシ
エチル基、２−ｎ−ブトキシエチル基、２−ｉｓｏ−ブ
トキシエチル基、２−ｓｅｃ−ブトキシエチル基、２−
ｎ−ペンチルオキシエチル基、２−ｎ−ヘキシルオキシ
エチル基、２−ｎ−オクチルオキシエチル基、２−（２
−エチルヘキシルオキシ）エチル基、１−メチル−２−
メトキシエチル基、１−メチル−２−エトキシエチル
基、１−メチル−２−ｎ−プロポキシエチル基、１−メ
チル−２−ｉｓｏ−プロポキシエチル基、１−メチル−
２−ｎ−ブトキシエチル基、１−メチル−２−ｉｓｏ−
ブトキシエチル基、１−メチル−２−ｎ−ヘキシルオキ
シエチル基、１−メチル−２−（２−エチルヘキシルオ
キシ）エチル基、２−メトキシプロピル基、３−メトキ
シプロピル基、３−メトキシブチル基、４−メトキシブ
チル基、３−エトキシブチル基、１−エチル−２−メト
キシエチル基、１−エチル−２−エトキシエチル基等の
アルコキシ置換アルキル基；
【００１３】２−アミノエチル基等のアミノ置換アルキ
ル基；２−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）エチル基、２−
（Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−ブチルアミノ）エチル基、３−
（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）プロピル基、３−（Ｎ，Ｎ
−ジメチルアミノ）プロピル基等のアルキルアミノ置換
アルキル基；２−（２−メトキシエトキシ）エチル基、
２−（２−エトキシエトキシ）エチル基、２−（２−ｎ
−プロポキシエトキシ）エチル基、２−（２−ｉｓｏ−
プロポキシエトキシ）エチル基、２−（２−ｎ−ブトキ
シエトキシ）エチル基、２−（２−ｉｓｏ−ブトキシエ
トキシ）エチル基、２−（２−ｎ−ヘキシルオキシエト
キシ）エチル基、２−（２−ｎ−オクチルオキシエトキ
シ）エチル基、１−メチル−２−（２−メトキシエトキ
シ）エチル基、１−メチル−２−（２−ｎ−ブトキシエ
トキシ）エチル基、３−（２−メトキシエトキシ）ブチ
ル基、２−｛（２−（２−エチルヘキシルオキシ）エト
キシ｝エチル基等のアルコキシアルコキシ置換アルキル
基；２−フェノキシエチル基、１−メチル−２−フェノ
キシエチル基、１−エチル−２−フェノキシエチル基等
のアリールオキシ置換アルキル基；２−アリルオキシエ
チル基、１−メチル−２−アリルオキシエチル基、１−
エチル−２−アリルオキシエチル基等のアルケニルオキ
シ置換アルキル基；２−ベンジルオキシエチル基、１−
メチルベンジルオキシエチル基、１−エチル−２−ベン
ジルオキシエチル基、２−（β−フェニルエチル）オキ
シエチル基等のアラルキルオキシ置換アルキル基；ベン
ジル基、ｐ−クロロベンジル基、２−フェニルエチル基
等のアリール置換アルキル基；シアノメチル基、２−シ
アノエチル基等のシアノ置換アルキル基；２−ヒドロキ
シエチル基、３−ヒドロキシ−ｎ−プロピル基、４−ヒ
ドロキシ−ｎ−ブチル基、１−メチル−２−ヒドロキシ
エチル基、１−エチル−２−ヒドロキシエチル基等のヒ
ドロキシ置換アルキル基；２−クロロエチル基、２−ブ
ロモエチル基、３−クロロプロピル基、２−クロロプロ
ピル基、２，２，２−トリフルオロエチル基等のハロゲ
ン原子置換アルキル基；
ル基；２−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）エチル基、２−
（Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−ブチルアミノ）エチル基、３−
（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）プロピル基、３−（Ｎ，Ｎ
−ジメチルアミノ）プロピル基等のアルキルアミノ置換
アルキル基；２−（２−メトキシエトキシ）エチル基、
２−（２−エトキシエトキシ）エチル基、２−（２−ｎ
−プロポキシエトキシ）エチル基、２−（２−ｉｓｏ−
プロポキシエトキシ）エチル基、２−（２−ｎ−ブトキ
シエトキシ）エチル基、２−（２−ｉｓｏ−ブトキシエ
トキシ）エチル基、２−（２−ｎ−ヘキシルオキシエト
キシ）エチル基、２−（２−ｎ−オクチルオキシエトキ
シ）エチル基、１−メチル−２−（２−メトキシエトキ
シ）エチル基、１−メチル−２−（２−ｎ−ブトキシエ
トキシ）エチル基、３−（２−メトキシエトキシ）ブチ
ル基、２−｛（２−（２−エチルヘキシルオキシ）エト
キシ｝エチル基等のアルコキシアルコキシ置換アルキル
基；２−フェノキシエチル基、１−メチル−２−フェノ
キシエチル基、１−エチル−２−フェノキシエチル基等
のアリールオキシ置換アルキル基；２−アリルオキシエ
チル基、１−メチル−２−アリルオキシエチル基、１−
エチル−２−アリルオキシエチル基等のアルケニルオキ
シ置換アルキル基；２−ベンジルオキシエチル基、１−
メチルベンジルオキシエチル基、１−エチル−２−ベン
ジルオキシエチル基、２−（β−フェニルエチル）オキ
シエチル基等のアラルキルオキシ置換アルキル基；ベン
ジル基、ｐ−クロロベンジル基、２−フェニルエチル基
等のアリール置換アルキル基；シアノメチル基、２−シ
アノエチル基等のシアノ置換アルキル基；２−ヒドロキ
シエチル基、３−ヒドロキシ−ｎ−プロピル基、４−ヒ
ドロキシ−ｎ−ブチル基、１−メチル−２−ヒドロキシ
エチル基、１−エチル−２−ヒドロキシエチル基等のヒ
ドロキシ置換アルキル基；２−クロロエチル基、２−ブ
ロモエチル基、３−クロロプロピル基、２−クロロプロ
ピル基、２，２，２−トリフルオロエチル基等のハロゲ
ン原子置換アルキル基；
【００１４】フルフリル基等のフリル基置換アルキル
基；テトラヒドロフルフリル基等のテトラヒドロフリル
置換アルキル基；メトキシカルボニルメチル基、エトキ
シカルボニルメチル基、ｎ−プロポキシカルボニルメチ
ル基、ｉｓｏ−プロポキシカルボニルメチル基、ｎ−ブ
トキシカルボニルメチル基、ｉｓｏ−ブトキシカルボニ
ルメチル基、２−エチルヘキシルオキシカルボニルメチ
ル基、ベンジルオキシカルボニルメチル基、フルフリル
オキシカルボニルメチル基、テトラヒドロフルフリルオ
キシカルボニルメチル基、２−メトキシカルボニルエチ
ル基、２−エトキシカルボニルエチル基、２−ｎ−プロ
ポキシカルボニルエチル基、２−ｉｓｏ−プロポキシカ
ルボニルエチル基、２−ｎ−ブトキシカルボニルエチル
基、２−ｉｓｏ−ブトキシカルボニルエチル基、２−ｎ
−ヘキシルオキシカルボニルエチル基、１−メチル−２
−メトキシカルボニルエチル基、１−メチル−２−ｎ−
ブトキシカルボニルエチル基、２−（２−エチルヘキシ
ルオキシカルボニル）エチル基、２−ベンジルオキシカ
ルボニルエチル基、２−フルフリルオキシカルボニルエ
チル基等の置換もしくは非置換のアルコキシカルボニル
置換アルキル基；２−アリルオキシカルボニルエチル
基、１−メチル−２−アリルオキシカルボニルエチル基
等のアルケニルオキシカルボニル置換アルキル基；２−
アセチルオキシエチル基、２−プロピオニルオキシエチ
ル基、２−ｎ−ブチリルオキシエチル基、２−ｉｓｏ−
ブチリルオキシエチル基、２−トリフルオロアセチルオ
キシエチル基、３−アセチルオキシ−ｎ−プロピル基、
４−アセチルオキシ−ｎ−ブチル基、１−メチル−２−
アセチルオキシエチル基、２−ベンゾイルオキシエチル
基等のアシルオキシ置換アルキル基；２−エトキシカル
ボニルオキシエチル基等のアルコキシカルボニルオキシ
置換アルキル基等が挙げられる。
基；テトラヒドロフルフリル基等のテトラヒドロフリル
置換アルキル基；メトキシカルボニルメチル基、エトキ
シカルボニルメチル基、ｎ−プロポキシカルボニルメチ
ル基、ｉｓｏ−プロポキシカルボニルメチル基、ｎ−ブ
トキシカルボニルメチル基、ｉｓｏ−ブトキシカルボニ
ルメチル基、２−エチルヘキシルオキシカルボニルメチ
ル基、ベンジルオキシカルボニルメチル基、フルフリル
オキシカルボニルメチル基、テトラヒドロフルフリルオ
キシカルボニルメチル基、２−メトキシカルボニルエチ
ル基、２−エトキシカルボニルエチル基、２−ｎ−プロ
ポキシカルボニルエチル基、２−ｉｓｏ−プロポキシカ
ルボニルエチル基、２−ｎ−ブトキシカルボニルエチル
基、２−ｉｓｏ−ブトキシカルボニルエチル基、２−ｎ
−ヘキシルオキシカルボニルエチル基、１−メチル−２
−メトキシカルボニルエチル基、１−メチル−２−ｎ−
ブトキシカルボニルエチル基、２−（２−エチルヘキシ
ルオキシカルボニル）エチル基、２−ベンジルオキシカ
ルボニルエチル基、２−フルフリルオキシカルボニルエ
チル基等の置換もしくは非置換のアルコキシカルボニル
置換アルキル基；２−アリルオキシカルボニルエチル
基、１−メチル−２−アリルオキシカルボニルエチル基
等のアルケニルオキシカルボニル置換アルキル基；２−
アセチルオキシエチル基、２−プロピオニルオキシエチ
ル基、２−ｎ−ブチリルオキシエチル基、２−ｉｓｏ−
ブチリルオキシエチル基、２−トリフルオロアセチルオ
キシエチル基、３−アセチルオキシ−ｎ−プロピル基、
４−アセチルオキシ−ｎ−ブチル基、１−メチル−２−
アセチルオキシエチル基、２−ベンゾイルオキシエチル
基等のアシルオキシ置換アルキル基；２−エトキシカル
ボニルオキシエチル基等のアルコキシカルボニルオキシ
置換アルキル基等が挙げられる。
【００１５】Ｒがアルケニル基を示す場合は、例えばア
リル基、ビニル基等が挙げられる。Ｒがシクロアルキル
基を示す場合は、例えばシクロペンチル基、シクロヘキ
シル基等炭素数５−７のシクロアルキル基が挙げられ
る。Ｒがアリール基を示す場合としては、フェニル基等
が挙げられ、その置換基としては炭素数１〜４の直鎖ま
たは分岐のアルキル基；炭素数１〜４の直鎖または分岐
のアルコキシ基；炭素数１〜４の直鎖または分岐のアル
キルチオ基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロ
ゲン原子；炭素数１〜４の直鎖または分岐のアルコキシ
カルボニル基；炭素数１〜４の直鎖または分岐のフルオ
ロアルキル基；炭素数１〜４の直鎖または分岐のフルオ
ロアルコキシ基；炭素数１〜４の直鎖または分岐のフル
オロアルキルチオ基等が挙げられる。
リル基、ビニル基等が挙げられる。Ｒがシクロアルキル
基を示す場合は、例えばシクロペンチル基、シクロヘキ
シル基等炭素数５−７のシクロアルキル基が挙げられ
る。Ｒがアリール基を示す場合としては、フェニル基等
が挙げられ、その置換基としては炭素数１〜４の直鎖ま
たは分岐のアルキル基；炭素数１〜４の直鎖または分岐
のアルコキシ基；炭素数１〜４の直鎖または分岐のアル
キルチオ基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロ
ゲン原子；炭素数１〜４の直鎖または分岐のアルコキシ
カルボニル基；炭素数１〜４の直鎖または分岐のフルオ
ロアルキル基；炭素数１〜４の直鎖または分岐のフルオ
ロアルコキシ基；炭素数１〜４の直鎖または分岐のフル
オロアルキルチオ基等が挙げられる。
【００１６】これらの中、Ｒとして好ましくは、炭素数
１〜１２の直鎖又は分岐のアルキル基、或いはかかるア
ルキル基が置換基として、アルコキシ基、アミノ基、ア
ルコキシアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ
基、シアノ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、フリル
基、テトラヒドロフリル基、アルコキシカルボニル基、
アシルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基等を有
する置換アルキル基；アルケニル基；シクロアルキル
基；フェニル基或いは置換基として、アルキル基、アル
コキシ基、ハロゲン原子、フルオロアルキル基、フルオ
ロアルコキシ基、フルオロアルキルチオ基等を有してい
る置換フェニル基が挙げられる。Ｒとして特に好ましく
は、アルキル基、アルコキシ置換アルキル基である。
１〜１２の直鎖又は分岐のアルキル基、或いはかかるア
ルキル基が置換基として、アルコキシ基、アミノ基、ア
ルコキシアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ
基、シアノ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、フリル
基、テトラヒドロフリル基、アルコキシカルボニル基、
アシルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基等を有
する置換アルキル基；アルケニル基；シクロアルキル
基；フェニル基或いは置換基として、アルキル基、アル
コキシ基、ハロゲン原子、フルオロアルキル基、フルオ
ロアルコキシ基、フルオロアルキルチオ基等を有してい
る置換フェニル基が挙げられる。Ｒとして特に好ましく
は、アルキル基、アルコキシ置換アルキル基である。
【００１７】環Ａで表されるベンゼン環が有する置換基
としては特に制限されないが、水素原子；メチル基、エ
チル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル
基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基等の炭素数
１〜１２の直鎖または分岐のアルキル基；メトキシ基、
エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ
−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキ
シ基等の炭素数１〜１２の直鎖または分岐のアルコキシ
基；メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ
基、イソプロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、ｔｅｒｔ
−ブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｎ−ペンチル
チオ基、ｎ−ヘキシルチオ基等の炭素数１〜１２の直鎖
または分岐のアルキルチオ基；トリフルオロメチル基、
ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロ−ｎ−プロピ
ル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、パーフルオロ−
ｎ−ブチル基、パーフルオロ−ｔｅｒｔ−ブチル基、パ
ーフルオロ−ｓｅｃ−ブチル基、パーフルオロ−ｎ−ペ
ンチル基、パーフルオロ−ｎ−ヘキシル基等の炭素数１
〜１２の直鎖または分岐のフルオロアルキル基；トリフ
ルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、ヘプタ
フルオロ−ｎ−プロポキシ基、ヘプタフルオロイソプロ
ポキシ基、パーフルオロ−ｎ−ブトキシ基、パーフルオ
ロ−ｔｅｒｔ−ブトキシ基、パーフルオロ−ｓｅｃ−ブ
トキシ基、パーフルオロ−ｎ−ペンチルオキシ基、パー
フルオロ−ｎ−ヘキシルオキシ基等の炭素数１〜１２の
直鎖または分岐のフルオロアルコキシ基；トリフルオロ
メチルチオ基、ペンタフルオロエチルチオ基、ヘプタフ
ルオロ−ｎ−プロピルチオ基、ヘプタフルオロイソプロ
ピルチオ基、パーフルオロ−ｎ−ブチルチオ基、パーフ
ルオロ−ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、パーフルオロ−ｓｅ
ｃ−ブチルチオ基、パーフルオロ−ｎ−ペンチルチオ
基、パーフルオロ−ｎ−ヘキシルチオ基等の炭素数１〜
１２の直鎖または分岐のフルオロアルキルチオ基；フッ
素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子；ニトロ
基；シアノ基；−ＮＲ1 Ｒ2 で表されるアミノ基；−Ｎ
ＨＣＯＲ3 で表されるアシルアミノ基；−ＮＨＣＯＯＲ
4 で表されるカーバメート基；−ＮＨＳＯ2 Ｒ5 で表さ
れるスルホンアミド基；−ＣＯＯＲ6 で表されるカルボ
ン酸エステル基；−ＣＯＮＲ7 Ｒ8 で表されるカルバモ
イル基；−ＳＯ2 ＮＲ9 Ｒ10で表されるスルファモイル
基；−ＳＯ3 Ｒ11で表されるスルホン酸エステル基等が
挙げられる。それらの置換位置は特に限定されず、置換
基の数も１〜５個の範囲で可能である。複数の置換基を
有する場合、同種でも異なっていても良い。
としては特に制限されないが、水素原子；メチル基、エ
チル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル
基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基等の炭素数
１〜１２の直鎖または分岐のアルキル基；メトキシ基、
エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ
−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキ
シ基等の炭素数１〜１２の直鎖または分岐のアルコキシ
基；メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ
基、イソプロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、ｔｅｒｔ
−ブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｎ−ペンチル
チオ基、ｎ−ヘキシルチオ基等の炭素数１〜１２の直鎖
または分岐のアルキルチオ基；トリフルオロメチル基、
ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロ−ｎ−プロピ
ル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、パーフルオロ−
ｎ−ブチル基、パーフルオロ−ｔｅｒｔ−ブチル基、パ
ーフルオロ−ｓｅｃ−ブチル基、パーフルオロ−ｎ−ペ
ンチル基、パーフルオロ−ｎ−ヘキシル基等の炭素数１
〜１２の直鎖または分岐のフルオロアルキル基；トリフ
ルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、ヘプタ
フルオロ−ｎ−プロポキシ基、ヘプタフルオロイソプロ
ポキシ基、パーフルオロ−ｎ−ブトキシ基、パーフルオ
ロ−ｔｅｒｔ−ブトキシ基、パーフルオロ−ｓｅｃ−ブ
トキシ基、パーフルオロ−ｎ−ペンチルオキシ基、パー
フルオロ−ｎ−ヘキシルオキシ基等の炭素数１〜１２の
直鎖または分岐のフルオロアルコキシ基；トリフルオロ
メチルチオ基、ペンタフルオロエチルチオ基、ヘプタフ
ルオロ−ｎ−プロピルチオ基、ヘプタフルオロイソプロ
ピルチオ基、パーフルオロ−ｎ−ブチルチオ基、パーフ
ルオロ−ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、パーフルオロ−ｓｅ
ｃ−ブチルチオ基、パーフルオロ−ｎ−ペンチルチオ
基、パーフルオロ−ｎ−ヘキシルチオ基等の炭素数１〜
１２の直鎖または分岐のフルオロアルキルチオ基；フッ
素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子；ニトロ
基；シアノ基；−ＮＲ1 Ｒ2 で表されるアミノ基；−Ｎ
ＨＣＯＲ3 で表されるアシルアミノ基；−ＮＨＣＯＯＲ
4 で表されるカーバメート基；−ＮＨＳＯ2 Ｒ5 で表さ
れるスルホンアミド基；−ＣＯＯＲ6 で表されるカルボ
ン酸エステル基；−ＣＯＮＲ7 Ｒ8 で表されるカルバモ
イル基；−ＳＯ2 ＮＲ9 Ｒ10で表されるスルファモイル
基；−ＳＯ3 Ｒ11で表されるスルホン酸エステル基等が
挙げられる。それらの置換位置は特に限定されず、置換
基の数も１〜５個の範囲で可能である。複数の置換基を
有する場合、同種でも異なっていても良い。
【００１８】ここでＲ1 〜Ｒ11はそれぞれ水素原子、置
換もしくは非置換の直鎖または分岐のアルキル基、シク
ロアルキル基、置換もしくは非置換のアリール基、アル
ケニル基、フッ化アルキル基を表す。環Ａの置換基とし
て好ましくは、アルキル基、アルコキシ基、フルオロア
ルキル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ
基、アシルアミノ基、カーバメート基、スルホンアミド
基、カルボン酸エステル基、カルバモイル基、スルファ
モイル基、スルホン酸エステル基等であり、さらに好ま
しくはアルキル基、フルオロアルキル基、ハロゲン原
子、ニトロ基であり、置換基の数は１〜２である。
換もしくは非置換の直鎖または分岐のアルキル基、シク
ロアルキル基、置換もしくは非置換のアリール基、アル
ケニル基、フッ化アルキル基を表す。環Ａの置換基とし
て好ましくは、アルキル基、アルコキシ基、フルオロア
ルキル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ
基、アシルアミノ基、カーバメート基、スルホンアミド
基、カルボン酸エステル基、カルバモイル基、スルファ
モイル基、スルホン酸エステル基等であり、さらに好ま
しくはアルキル基、フルオロアルキル基、ハロゲン原
子、ニトロ基であり、置換基の数は１〜２である。
【００１９】本発明のピリドンアゾ骨格を有する色素の
さらに代表的なものとしては例えば表−１に示されるも
のが挙げられるが、本発明はこれら色素に限定されるも
のではない。
さらに代表的なものとしては例えば表−１に示されるも
のが挙げられるが、本発明はこれら色素に限定されるも
のではない。
【００２０】
【表１】
【００２１】
【表２】
【００２２】
【表３】
【００２３】
【表４】
【００２４】
【表５】
【００２５】
【表６】
【００２６】
【表７】
【００２７】一般式（II）のピリドンアゾ化合物の製法
は特に限定されるものではなく、従来公知の方法に従っ
て製造することができる。例えば、下記一般式（III)の
アニリンをジアゾ化し、
は特に限定されるものではなく、従来公知の方法に従っ
て製造することができる。例えば、下記一般式（III)の
アニリンをジアゾ化し、
【００２８】
【化５】
【００２９】下記一般式（IV）
【００３０】
【化６】
【００３１】（式中Ａ，Ｘ，Ｒは前記と同一の意義を有
する。）のピリドン化合物とカップリングさせることに
より製造される。これらのピリドンアゾ化合物は１種類
用いてもよいし、数種類混合して使用しても構わない。
する。）のピリドン化合物とカップリングさせることに
より製造される。これらのピリドンアゾ化合物は１種類
用いてもよいし、数種類混合して使用しても構わない。
【００３２】本発明の光学記録媒体は、基本的には基板
と前記ピリドンアゾ化合物を含む記録層とから構成され
るものであるが、さらに必要に応じて基板上に下引き層
を設けることができる。基板としては、使用するレーザ
ー光に対して透明なものが好ましく、ガラスや種々のプ
ラスチックが用いられる。プラスチックとしては、アク
リル樹脂、メタクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、塩
化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、ニトロセルロース、ポ
リエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹
脂、ポリイミド樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂
等が挙げられるが、高生産性、コスト、耐吸湿性の点か
らポリカーボネート樹脂、特に射出成型ポリカーボネー
ト樹脂基板が好ましい。
と前記ピリドンアゾ化合物を含む記録層とから構成され
るものであるが、さらに必要に応じて基板上に下引き層
を設けることができる。基板としては、使用するレーザ
ー光に対して透明なものが好ましく、ガラスや種々のプ
ラスチックが用いられる。プラスチックとしては、アク
リル樹脂、メタクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、塩
化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、ニトロセルロース、ポ
リエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹
脂、ポリイミド樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂
等が挙げられるが、高生産性、コスト、耐吸湿性の点か
らポリカーボネート樹脂、特に射出成型ポリカーボネー
ト樹脂基板が好ましい。
【００３３】本発明の光学記録媒体におけるピリドンア
ゾ化合物を含有する記録層の膜厚は１００Å〜５μｍ、
好ましくは７００Å〜３μｍである。記録層はピリドン
アゾ骨格を有する色素を、必要に応じバインダーと共
に、適当な溶媒に溶解し、或いは溶解することなく、真
空蒸着法、スパッタリング法、ドクターブレード法、キ
ャスト法、スピナー法、浸漬法等一般に行われている薄
膜形成法で成膜することにより形成されるが、量産性、
コスト面からスピナー法による成膜が好ましい。
ゾ化合物を含有する記録層の膜厚は１００Å〜５μｍ、
好ましくは７００Å〜３μｍである。記録層はピリドン
アゾ骨格を有する色素を、必要に応じバインダーと共
に、適当な溶媒に溶解し、或いは溶解することなく、真
空蒸着法、スパッタリング法、ドクターブレード法、キ
ャスト法、スピナー法、浸漬法等一般に行われている薄
膜形成法で成膜することにより形成されるが、量産性、
コスト面からスピナー法による成膜が好ましい。
【００３４】また、バインダーを使用する場合、バイン
ダーとしてはポリビニルアルコール、ポリビニルピロリ
ドン、ケトン樹脂、ニトロセルロース、酢酸セルロー
ス、ポリビニルブチラール、ポリカーボネート等既知の
ものが用いられる。この場合本発明のピリドンアゾ系化
合物は、樹脂中に１０重量％以上含有されていることが
好ましい。スピナー法による成膜の場合、回転数は５０
０〜５０００ｒｐｍが好ましく、スピンコートの後、場
合によっては、加熱あるいは溶媒蒸気に接触させる等の
処理を行ってもよい。
ダーとしてはポリビニルアルコール、ポリビニルピロリ
ドン、ケトン樹脂、ニトロセルロース、酢酸セルロー
ス、ポリビニルブチラール、ポリカーボネート等既知の
ものが用いられる。この場合本発明のピリドンアゾ系化
合物は、樹脂中に１０重量％以上含有されていることが
好ましい。スピナー法による成膜の場合、回転数は５０
０〜５０００ｒｐｍが好ましく、スピンコートの後、場
合によっては、加熱あるいは溶媒蒸気に接触させる等の
処理を行ってもよい。
【００３５】また、記録層の安定や耐光性向上のため
に、一重項酸素クエンチャーとして遷移金属キレート化
合物（たとえば、アセチルアセトナートキレート、ビス
フェニルジチオール、サリチルアルデヒドオキシム、ビ
スジチオ−α−ジケトン等）等や、記録感度向上のため
に金属系化合物等の記録感度向上剤を含有していてもよ
い。ここで金属系化合物とは、遷移金属等の金属が原
子、イオン、クラスター等の形で化合物に含まれるもの
を言い、例えばエチレンジアミン系錯体、アゾメチン系
錯体、フェニルヒドロキシアミン系錯体、フェナントロ
リン系錯体、ジヒドロキシアゾベンゼン系錯体、ジオキ
シム系錯体、ニトロソアミノフェノール系錯体、ピリジ
ルトリアジン系錯体、アセチルアセトナート系錯体、メ
タロセン系錯体、ポルフィリン系錯体のような有機金属
化合物が挙げられる。金属原子としては特に限定されな
いが、遷移金属であることが好ましい。
に、一重項酸素クエンチャーとして遷移金属キレート化
合物（たとえば、アセチルアセトナートキレート、ビス
フェニルジチオール、サリチルアルデヒドオキシム、ビ
スジチオ−α−ジケトン等）等や、記録感度向上のため
に金属系化合物等の記録感度向上剤を含有していてもよ
い。ここで金属系化合物とは、遷移金属等の金属が原
子、イオン、クラスター等の形で化合物に含まれるもの
を言い、例えばエチレンジアミン系錯体、アゾメチン系
錯体、フェニルヒドロキシアミン系錯体、フェナントロ
リン系錯体、ジヒドロキシアゾベンゼン系錯体、ジオキ
シム系錯体、ニトロソアミノフェノール系錯体、ピリジ
ルトリアジン系錯体、アセチルアセトナート系錯体、メ
タロセン系錯体、ポルフィリン系錯体のような有機金属
化合物が挙げられる。金属原子としては特に限定されな
いが、遷移金属であることが好ましい。
【００３６】さらに、必要に応じて他系統の色素を併用
することもできる。他系統の色素としては、主として記
録用のレーザー波長域に吸収を有し、照射されたレーザ
ー光エネルギーの吸収によって、その箇所の記録層、反
射層または基板に、分解、蒸発、溶解等の熱的変形を伴
いピットが形成されるならば特に制限されない。また、
ＣＤ−Ｒのような７７０〜８３０ｎｍから選ばれた波長
の近赤外レーザーやＤＶＤ−Ｒのような６２０〜６９０
ｎｍから選ばれた赤色レーザーでの記録に適する色素を
併用して、複数の波長域のレーザーでの記録に対応する
光記録媒体とすることもできる。他系統の色素としては
含金属アゾ系色素、フタロシアニン系色素、ナフタロシ
アニン系色素、シアニン系色素、アゾ系色素、スクアリ
リウム系色素、含金属インドアニリン系色素、トリアリ
ールメタン系色素、メロシアニン系色素、アズレニウム
系色素、ナフトキノン系色素、アントラキノン系色素、
インドフェノール系色素、キサンテン系色素、オキサジ
ン系色素、ピリリウム系色素等が挙げられる。
することもできる。他系統の色素としては、主として記
録用のレーザー波長域に吸収を有し、照射されたレーザ
ー光エネルギーの吸収によって、その箇所の記録層、反
射層または基板に、分解、蒸発、溶解等の熱的変形を伴
いピットが形成されるならば特に制限されない。また、
ＣＤ−Ｒのような７７０〜８３０ｎｍから選ばれた波長
の近赤外レーザーやＤＶＤ−Ｒのような６２０〜６９０
ｎｍから選ばれた赤色レーザーでの記録に適する色素を
併用して、複数の波長域のレーザーでの記録に対応する
光記録媒体とすることもできる。他系統の色素としては
含金属アゾ系色素、フタロシアニン系色素、ナフタロシ
アニン系色素、シアニン系色素、アゾ系色素、スクアリ
リウム系色素、含金属インドアニリン系色素、トリアリ
ールメタン系色素、メロシアニン系色素、アズレニウム
系色素、ナフトキノン系色素、アントラキノン系色素、
インドフェノール系色素、キサンテン系色素、オキサジ
ン系色素、ピリリウム系色素等が挙げられる。
【００３７】ドクターブレード法、キャスト法、スピナ
ー法、浸漬法、特にスピナー法等の塗布方法により記録
層を形成する場合の塗布溶媒としては、基板を侵さない
溶媒なら特に限定されない。例えば、ジアセトンアルコ
ール、３−ヒドロキシ−３−メチル−２−ブタノン等の
ケトンアルコール系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセ
ロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ｎ−ヘキサン、ｎ−オ
クタン等の炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシ
クロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジメチルシクロ
ヘキサン、ｎ−ブチルシクロヘキサン、ｔ−ブチルシク
ロヘキサン、シクロオクタン等の炭化水素系溶媒、ジイ
ソプロピルエーテル、ジブチルエーテル等のエーテル系
溶媒、テトラフルオロプロパノール、オクタフルオロペ
ンタノール、ヘキサフルオロブタノール等のパーフルオ
ロアルキルアルコール系溶媒、乳酸メチル、乳酸エチ
ル、イソ酪酸メチル等のヒドロキシエステル系溶媒等が
挙げられる。
ー法、浸漬法、特にスピナー法等の塗布方法により記録
層を形成する場合の塗布溶媒としては、基板を侵さない
溶媒なら特に限定されない。例えば、ジアセトンアルコ
ール、３−ヒドロキシ−３−メチル−２−ブタノン等の
ケトンアルコール系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセ
ロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ｎ−ヘキサン、ｎ−オ
クタン等の炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシ
クロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジメチルシクロ
ヘキサン、ｎ−ブチルシクロヘキサン、ｔ−ブチルシク
ロヘキサン、シクロオクタン等の炭化水素系溶媒、ジイ
ソプロピルエーテル、ジブチルエーテル等のエーテル系
溶媒、テトラフルオロプロパノール、オクタフルオロペ
ンタノール、ヘキサフルオロブタノール等のパーフルオ
ロアルキルアルコール系溶媒、乳酸メチル、乳酸エチ
ル、イソ酪酸メチル等のヒドロキシエステル系溶媒等が
挙げられる。
【００３８】また、記録層上に金、銀、アルミニウムま
たはそれらの合金の様な金属反射層および保護層を設け
て高反射率の媒体としてもよい。その時の反射層として
は金、銀、アルミニウム等が挙げられるが、金やアルミ
ニウムでは、本発明で使用する５３０ｎｍ以下の波長の
レーザー光では反射率が十分ではなく、銀であることが
好ましい。金属反射層は、蒸着法、スパッタリング法、
イオンプレーティング法によって成膜される。なお、金
属反射層と記録層の間に層間の密着力を向上させるた
め、または、反射率を高める等の目的で中間層を設けて
もよい。保護層としては、例えば、ＵＶ硬化樹脂組成物
などが挙げられる。また、接着層を介して貼りあわせ両
面記録型光記録媒体としてもよいし、記録層を基板の両
面に設けてもよいし、片面に設けてもよい。
たはそれらの合金の様な金属反射層および保護層を設け
て高反射率の媒体としてもよい。その時の反射層として
は金、銀、アルミニウム等が挙げられるが、金やアルミ
ニウムでは、本発明で使用する５３０ｎｍ以下の波長の
レーザー光では反射率が十分ではなく、銀であることが
好ましい。金属反射層は、蒸着法、スパッタリング法、
イオンプレーティング法によって成膜される。なお、金
属反射層と記録層の間に層間の密着力を向上させるた
め、または、反射率を高める等の目的で中間層を設けて
もよい。保護層としては、例えば、ＵＶ硬化樹脂組成物
などが挙げられる。また、接着層を介して貼りあわせ両
面記録型光記録媒体としてもよいし、記録層を基板の両
面に設けてもよいし、片面に設けてもよい。
【００３９】本発明の光学記録媒体について使用される
レーザー光は高密度記録のため波長は短いほど好ましい
が、特に３５０ｎｍ〜５３０ｎｍのレーザー光が好まし
い。かかるレーザーの代表例としては、中心波長４１０
ｎｍ、５１５ｎｍのレーザーが挙げられる。波長３５０
ｎｍ〜５３０ｎｍの範囲のレーザー光の一例は４１０ｎ
ｍの青色または５１５ｎｍの青緑色の高出力半導体レー
ザーを使用することにより得ることが出来るが、その
他、例えば、（ａ）基本発振波長が７４０〜９６０ｎｍ
の連続発振可能な半導体レーザー又は（ｂ）半導体レー
ザーによって励起されかつ基本発振波長が７４０〜９６
０ｎｍの連続発振可能な固体レーザーのいずれかを第二
高調波発生素子（ＳＨＧ）により波長変換することによ
っても得ることが出来る。
レーザー光は高密度記録のため波長は短いほど好ましい
が、特に３５０ｎｍ〜５３０ｎｍのレーザー光が好まし
い。かかるレーザーの代表例としては、中心波長４１０
ｎｍ、５１５ｎｍのレーザーが挙げられる。波長３５０
ｎｍ〜５３０ｎｍの範囲のレーザー光の一例は４１０ｎ
ｍの青色または５１５ｎｍの青緑色の高出力半導体レー
ザーを使用することにより得ることが出来るが、その
他、例えば、（ａ）基本発振波長が７４０〜９６０ｎｍ
の連続発振可能な半導体レーザー又は（ｂ）半導体レー
ザーによって励起されかつ基本発振波長が７４０〜９６
０ｎｍの連続発振可能な固体レーザーのいずれかを第二
高調波発生素子（ＳＨＧ）により波長変換することによ
っても得ることが出来る。
【００４０】上記のＳＨＧとしては、反転対称性を欠く
ピエゾ素子であればいかなるものでもよいが、ＫＤＰ、
ＡＤＰ、ＢＮＮ、ＫＮ、ＬＢＯ、化合物半導体などが好
ましい。第二高調波の具体例としては、基本発振波長が
８６０ｎｍの半導体レーザーの場合は、その倍波の４３
０ｎｍ、また半導体レーザー励起の固体レーザーの場合
は、ＣｒドープしたＬｉＳｒＡｌＦ6 結晶（基本発振波
長８６０ｎｍ）からの倍波の４３０ｎｍなどが挙げられ
る。
ピエゾ素子であればいかなるものでもよいが、ＫＤＰ、
ＡＤＰ、ＢＮＮ、ＫＮ、ＬＢＯ、化合物半導体などが好
ましい。第二高調波の具体例としては、基本発振波長が
８６０ｎｍの半導体レーザーの場合は、その倍波の４３
０ｎｍ、また半導体レーザー励起の固体レーザーの場合
は、ＣｒドープしたＬｉＳｒＡｌＦ6 結晶（基本発振波
長８６０ｎｍ）からの倍波の４３０ｎｍなどが挙げられ
る。
【００４１】上記のようにして得られた光学記録媒体へ
の記録は、基板の両面または片面に設けた記録層に０．
４〜０．６μｍ程度に集束したレーザー光を照射するこ
とにより行う。レーザー光の照射された部分には、レー
ザー光エネルギーの吸収による、分解、発熱、溶融等の
記録層の熱的変形が起こる。記録された情報の再生は、
レーザー光により、熱的変形が起きている部分と起きて
いない部分の反射率の差を読み取ることにより行う。
の記録は、基板の両面または片面に設けた記録層に０．
４〜０．６μｍ程度に集束したレーザー光を照射するこ
とにより行う。レーザー光の照射された部分には、レー
ザー光エネルギーの吸収による、分解、発熱、溶融等の
記録層の熱的変形が起こる。記録された情報の再生は、
レーザー光により、熱的変形が起きている部分と起きて
いない部分の反射率の差を読み取ることにより行う。
【００４２】
【実施例】以下、実施例によりこの発明を具体的に説明
するが、かかる実施例はその要旨を越えない限り、本発
明を限定するものではない。
するが、かかる実施例はその要旨を越えない限り、本発
明を限定するものではない。
【００４３】実施例１ （ａ）記録媒体の製造 下記構造式（Ｖ）で示されるピリドンアゾ化合物（クロ
ロホルム中でのλmax＝４２４ｎｍ、モル吸光係数は
３．９９×１０4 ）のオクタフルオロペンタノール１重
量％溶液を調製し、ろ過して、溶液を得た。この溶液を
直径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの射出成型ポリカーボ
ネート樹脂基板上に滴下し、スピナー法により塗布し
た。塗布後、１００℃で３０分間乾燥した。次に、この
塗布膜の上にスパッタリング法により、膜厚１０００Å
の銀膜を成膜し、反射層を形成した。さらにこの反射層
の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、これに紫外
線を照射して硬化させ、厚み５μｍの保護層を形成し
た。塗布膜の最大吸収波長は４３９ｎｍであった。塗布
膜の可視部吸収スペクトルを図１に示した。得られた光
記録媒体の４８８ｎｍにおける反射率は６８％であっ
た。
ロホルム中でのλmax＝４２４ｎｍ、モル吸光係数は
３．９９×１０4 ）のオクタフルオロペンタノール１重
量％溶液を調製し、ろ過して、溶液を得た。この溶液を
直径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの射出成型ポリカーボ
ネート樹脂基板上に滴下し、スピナー法により塗布し
た。塗布後、１００℃で３０分間乾燥した。次に、この
塗布膜の上にスパッタリング法により、膜厚１０００Å
の銀膜を成膜し、反射層を形成した。さらにこの反射層
の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、これに紫外
線を照射して硬化させ、厚み５μｍの保護層を形成し
た。塗布膜の最大吸収波長は４３９ｎｍであった。塗布
膜の可視部吸収スペクトルを図１に示した。得られた光
記録媒体の４８８ｎｍにおける反射率は６８％であっ
た。
【００４４】
【化７】
【００４５】（ｂ）光記録法 上記光記録媒体に、中心波長４８８ｎｍのＡｒレーザー
光を照射したところ、良好な記録ピットを形成すること
が出来た。
光を照射したところ、良好な記録ピットを形成すること
が出来た。
【００４６】実施例２−５ 実施例１において用いた化合物の代わりに、表−２に示
す化合物を使用し、実施例１と同様に基板上に塗布して
光学記録媒体を製造した。使用した化合物のクロロホル
ム中の最大吸収波長、分子吸光係数（ε）および塗布膜
の最大吸収波長を表−２に示した。得られた光学記録媒
体は、中心波長４８８ｎｍのＡｒレーザー光を照射した
ところ、良好な記録ピットを形成することが出来た。
す化合物を使用し、実施例１と同様に基板上に塗布して
光学記録媒体を製造した。使用した化合物のクロロホル
ム中の最大吸収波長、分子吸光係数（ε）および塗布膜
の最大吸収波長を表−２に示した。得られた光学記録媒
体は、中心波長４８８ｎｍのＡｒレーザー光を照射した
ところ、良好な記録ピットを形成することが出来た。
【００４７】
【表８】
【００４８】
【発明の効果】本発明のピリドンアゾ化合物を用いた光
学記録媒体により、青色レーザー光を使用することが出
来る安価な高密度の記録媒体が提供され、工業的に極め
て有用なものである。
学記録媒体により、青色レーザー光を使用することが出
来る安価な高密度の記録媒体が提供され、工業的に極め
て有用なものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１で得られたピリドンアゾ系色素のポリ
カーボネート基板上の塗布膜の吸収スペクトルを表す
図。
カーボネート基板上の塗布膜の吸収スペクトルを表す
図。
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上にレーザーによる情報の書き込み
および／または読み取りが可能な記録層が設けられた光
学記録媒体において、該記録層が下記一般式（Ｉ）で示
されるピリドンアゾ骨格を有する色素を含有することを
特徴とする光学記録媒体。 【化１】 （式中、ベンゼン環、ピリジン環は更に置換基を有して
いても良い。） - 【請求項２】 ピリドンアゾ骨格を有する色素が下記一
般式（II）で示される色素であることを特徴とする請求
項１記載の光学記録媒体。 【化２】 （式中、Ｘは水素原子、アルキル基、フルオロアルキル
基を表し、Ｒは水素原子、置換もしくは非置換のアルキ
ル基、アルケニル基、シクロアルキル基または置換もし
くは非置換のアリール基を表す。環Ａはアゾ基以外に置
換基を有していても良いベンゼン環を表す。） - 【請求項３】 書き込み及び読み取りのレーザー波長が
ともに３５０ｎｍ〜５３０ｎｍであることを特徴とする
請求項１記載の光学記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10145552A JPH11334204A (ja) | 1998-05-27 | 1998-05-27 | 光学記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10145552A JPH11334204A (ja) | 1998-05-27 | 1998-05-27 | 光学記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11334204A true JPH11334204A (ja) | 1999-12-07 |
Family
ID=15387819
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10145552A Pending JPH11334204A (ja) | 1998-05-27 | 1998-05-27 | 光学記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11334204A (ja) |
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-
1998
- 1998-05-27 JP JP10145552A patent/JPH11334204A/ja active Pending
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