JPH1153758A - 記録再生方法 - Google Patents
記録再生方法Info
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- JPH1153758A JPH1153758A JP9219226A JP21922697A JPH1153758A JP H1153758 A JPH1153758 A JP H1153758A JP 9219226 A JP9219226 A JP 9219226A JP 21922697 A JP21922697 A JP 21922697A JP H1153758 A JPH1153758 A JP H1153758A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】記録層が有機色素にて形成された安価な光記録
媒体による高密度の記録再生方法を提供する。 【解決手段】基体上に少なくとも記録層と金属反射層と
を任意の順序で積層し且つその上に保護層を積層して成
り、そして、記録層が有機色素にて形成され且つ金属反
射層がＡｇ又はその合金にて形成された光記録媒体を使
用し、その記録層側から金属反射層側に向けて波長５３
０ｎｍ以下のレーザー光を照射することにより情報の記
録再生を行なう。
媒体による高密度の記録再生方法を提供する。 【解決手段】基体上に少なくとも記録層と金属反射層と
を任意の順序で積層し且つその上に保護層を積層して成
り、そして、記録層が有機色素にて形成され且つ金属反
射層がＡｇ又はその合金にて形成された光記録媒体を使
用し、その記録層側から金属反射層側に向けて波長５３
０ｎｍ以下のレーザー光を照射することにより情報の記
録再生を行なう。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、記録再生方法に関
するものであり、詳しくは、光記録媒体を使用した高密
度の記録再生方法に関するものである。
するものであり、詳しくは、光記録媒体を使用した高密
度の記録再生方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】レーザーによる情報の書き込み及び／又
は読み取りが可能な光記録媒体（光ディスク）は、従来
の記録媒体に比し、記録容量が大きく且つランダムアク
セスが可能であることから、オーディオソフト、コンピ
ュータソフト、ゲームソフト、電子出版などの分野にお
ける記録媒体として使用されている。特に、ライトワン
ス型コンパクトディスク（「ＣＤ−ＷＯ」又は「ＣＤ−
Ｒ」と略記される）は、再生専用コンパクトディスクと
同等の反射率を示すため、記録後、再生専用コンパクト
ディスクプレーヤやドライブで再生可能であるという特
徴を有する。
は読み取りが可能な光記録媒体（光ディスク）は、従来
の記録媒体に比し、記録容量が大きく且つランダムアク
セスが可能であることから、オーディオソフト、コンピ
ュータソフト、ゲームソフト、電子出版などの分野にお
ける記録媒体として使用されている。特に、ライトワン
ス型コンパクトディスク（「ＣＤ−ＷＯ」又は「ＣＤ−
Ｒ」と略記される）は、再生専用コンパクトディスクと
同等の反射率を示すため、記録後、再生専用コンパクト
ディスクプレーヤやドライブで再生可能であるという特
徴を有する。
【０００３】上記の様な光記録媒体は、基体上に少なく
とも記録層と金属反射層とを任意の順序で積層し且つそ
の上に保護層を積層して構成される。上記の記録層とし
ては種々の形態のものが提案されている。具体的には、
無機物質による記録層としては、光熱磁気効果により記
録を行うＴｂ・Ｆｅ・ＣｏやＤｙ・Ｆｅ・Ｃｏ等の希土
類遷移金属合金、相変化するＧｅ・Ｔｅ、Ｇｅ・Ｓｂ・
Ｔｅの様なカルコゲン系合金などが提案され、有機物質
による記録層としては、主として、各種の有機色素が提
案されている。また、上記の金属反射層においても、反
射率の高い金属として、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ等が提
案されている。
とも記録層と金属反射層とを任意の順序で積層し且つそ
の上に保護層を積層して構成される。上記の記録層とし
ては種々の形態のものが提案されている。具体的には、
無機物質による記録層としては、光熱磁気効果により記
録を行うＴｂ・Ｆｅ・ＣｏやＤｙ・Ｆｅ・Ｃｏ等の希土
類遷移金属合金、相変化するＧｅ・Ｔｅ、Ｇｅ・Ｓｂ・
Ｔｅの様なカルコゲン系合金などが提案され、有機物質
による記録層としては、主として、各種の有機色素が提
案されている。また、上記の金属反射層においても、反
射率の高い金属として、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ等が提
案されている。
【０００４】ところで、記録層に有機色素を利用した光
記録媒体は、有機色素溶液の塗布による簡単な方法で記
録層を形成し得るため、安価な光記録媒体として益々普
及することが期待され、その結果、一層の高密度記録方
法が要望されている。
記録媒体は、有機色素溶液の塗布による簡単な方法で記
録層を形成し得るため、安価な光記録媒体として益々普
及することが期待され、その結果、一層の高密度記録方
法が要望されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記実情に
鑑みなされたものであり、その目的は、記録層が有機色
素にて形成された安価な光記録媒体による高密度の記録
再生方法を提供することにある。
鑑みなされたものであり、その目的は、記録層が有機色
素にて形成された安価な光記録媒体による高密度の記録
再生方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、種々検討
を重ねた結果、金属反射層の材質としてＡｇ又はその合
金を使用するならば、３５０〜４００ｎｍの波長であっ
ても実用的に十分な反射率を得ることが出来ること、ま
た、通常使用されている波長７８０ｎｍよりも遥かに低
波長のレーザー光によっても有機色素から成る記録層に
問題なく記録ピットを形成し得ることを確認し、本発明
の完成に到った。
を重ねた結果、金属反射層の材質としてＡｇ又はその合
金を使用するならば、３５０〜４００ｎｍの波長であっ
ても実用的に十分な反射率を得ることが出来ること、ま
た、通常使用されている波長７８０ｎｍよりも遥かに低
波長のレーザー光によっても有機色素から成る記録層に
問題なく記録ピットを形成し得ることを確認し、本発明
の完成に到った。
【０００７】すなわち、本発明の要旨は、基体上に少な
くとも記録層と金属反射層とを任意の順序で積層し且つ
その上に保護層を積層して成り、そして、記録層が有機
色素にて形成され且つ金属反射層がＡｇ又はその合金に
て形成された光記録媒体を使用し、その記録層側から金
属反射層側に向けて波長５３０ｎｍ以下のレーザー光を
照射することにより情報の記録再生を行なうことを特徴
とする記録再生方法に存する。
くとも記録層と金属反射層とを任意の順序で積層し且つ
その上に保護層を積層して成り、そして、記録層が有機
色素にて形成され且つ金属反射層がＡｇ又はその合金に
て形成された光記録媒体を使用し、その記録層側から金
属反射層側に向けて波長５３０ｎｍ以下のレーザー光を
照射することにより情報の記録再生を行なうことを特徴
とする記録再生方法に存する。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
光記録媒体は、基体上に少なくとも記録層と金属反射層
とを任意の順序で積層し且つその上に保護層を積層して
構成されるが、本発明の記録再生方法においては、記録
層が有機色素にて形成され且つ金属反射層がＡｇ又はそ
の合金にて形成された光記録媒体を使用する。金属反射
層がＡｕにて形成されている場合は、本発明で使用する
５３０ｎｍ以下の波長のレーザー光では実用上必要な反
射率が得られない。また、金属反射層がＡｌにて形成さ
れている場合は、腐食性および反射率の点で十分とは言
えない。
光記録媒体は、基体上に少なくとも記録層と金属反射層
とを任意の順序で積層し且つその上に保護層を積層して
構成されるが、本発明の記録再生方法においては、記録
層が有機色素にて形成され且つ金属反射層がＡｇ又はそ
の合金にて形成された光記録媒体を使用する。金属反射
層がＡｕにて形成されている場合は、本発明で使用する
５３０ｎｍ以下の波長のレーザー光では実用上必要な反
射率が得られない。また、金属反射層がＡｌにて形成さ
れている場合は、腐食性および反射率の点で十分とは言
えない。
【０００９】上記の基体としては、例えば、ポリカーボ
ネート樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、塩化ビ
ニル樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、アモルフ
ァスポリオレフィン等の高分子材料の他、ガラス等の無
機材料が使用される。透明基体が必要とされる後述の光
記録媒体の場合は、光の透過性が高く且つ光学的異方性
が小さいポリカーボネート系樹脂が好ましい。
ネート樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、塩化ビ
ニル樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、アモルフ
ァスポリオレフィン等の高分子材料の他、ガラス等の無
機材料が使用される。透明基体が必要とされる後述の光
記録媒体の場合は、光の透過性が高く且つ光学的異方性
が小さいポリカーボネート系樹脂が好ましい。
【００１０】基体の記録層側の表面には、通常、記録位
置を表す案内溝やピット等（グルーブ情報など）が形成
される。グルーブ情報などは、通常、射出成形や注型に
よって基板を作る際に付与されるが、レーザーカッティ
ング法や２Ｐ法（Ｐｈｏｔｏ−Ｐｏｌｙｍｅｒ法）によ
り作製してもよい。
置を表す案内溝やピット等（グルーブ情報など）が形成
される。グルーブ情報などは、通常、射出成形や注型に
よって基板を作る際に付与されるが、レーザーカッティ
ング法や２Ｐ法（Ｐｈｏｔｏ−Ｐｏｌｙｍｅｒ法）によ
り作製してもよい。
【００１１】記録層形成用の有機色素としては、特に制
限されず、大環状アザアヌレン系色素（フタロシアニン
色素、ポルフィリン色素など）、ポリメチン系色素（シ
アニン色素、メロシアニン色素、スクワリリウム色素な
ど）、アントラキノン系色素、アズレニウム系色素、含
金属アゾ系色素などを使用することが出来る。含金属ア
ゾ系色素は、耐久性および耐光性に優れている特徴を有
する。
限されず、大環状アザアヌレン系色素（フタロシアニン
色素、ポルフィリン色素など）、ポリメチン系色素（シ
アニン色素、メロシアニン色素、スクワリリウム色素な
ど）、アントラキノン系色素、アズレニウム系色素、含
金属アゾ系色素などを使用することが出来る。含金属ア
ゾ系色素は、耐久性および耐光性に優れている特徴を有
する。
【００１２】次に示す（ａ）〜（ｇ）の有機色素は、概
ね４００〜４７０ｎｍのλmaxを有し、後述する５１５
ｎｍのレーザー光の場合に特に好適に使用される。
ね４００〜４７０ｎｍのλmaxを有し、後述する５１５
ｎｍのレーザー光の場合に特に好適に使用される。
【００１３】
【化１】
【００１４】
【化２】
【００１５】上記の記録層は、通常、スピンコート、ス
プレーコート、ディップコート、ロールコート等の塗布
方法などで成膜される。この際、塗布溶媒としては、例
えば、メタノール、エタノール、イソプロパノール等の
アルコール溶媒、ジアセトンアルコール、３−ヒドロキ
シ−３−メチル−２−ブタノン等のケトンアルコール溶
媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ等のセロソル
ブ溶媒、テトロフルオロプロパノール、オクタフルオロ
ペンタノール等のパーフルオロアルキルアルコール溶
媒、乳酸メチル、イソ酪酸メチル等のヒドロキシエステ
ル溶媒が好適に使用される。
プレーコート、ディップコート、ロールコート等の塗布
方法などで成膜される。この際、塗布溶媒としては、例
えば、メタノール、エタノール、イソプロパノール等の
アルコール溶媒、ジアセトンアルコール、３−ヒドロキ
シ−３−メチル−２−ブタノン等のケトンアルコール溶
媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ等のセロソル
ブ溶媒、テトロフルオロプロパノール、オクタフルオロ
ペンタノール等のパーフルオロアルキルアルコール溶
媒、乳酸メチル、イソ酪酸メチル等のヒドロキシエステ
ル溶媒が好適に使用される。
【００１６】上記のＡｇ又はその合金の反射層は、蒸着
法、スパッタリング法、イオンプレーティング法によっ
て成膜される。Ａｇ合金に使用される添加元素として
は、Ｔｉ、Ｒｈ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｖ、Ｃｏ、
Ｃｒ、Ｓｉ、Ｃ、Ｂ、Ｓｎ、Ｐ、Ｚｎ、Ｓｂ、Ｍｏ等が
挙げられ、これらは、通常、３原子％以下の割合でＡｇ
に添加される。なお、金属反射層と記録層の間に層間の
密着力を向上させるため、または、反射率を高める等の
目的で中間層を設けてもよい。
法、スパッタリング法、イオンプレーティング法によっ
て成膜される。Ａｇ合金に使用される添加元素として
は、Ｔｉ、Ｒｈ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｖ、Ｃｏ、
Ｃｒ、Ｓｉ、Ｃ、Ｂ、Ｓｎ、Ｐ、Ｚｎ、Ｓｂ、Ｍｏ等が
挙げられ、これらは、通常、３原子％以下の割合でＡｇ
に添加される。なお、金属反射層と記録層の間に層間の
密着力を向上させるため、または、反射率を高める等の
目的で中間層を設けてもよい。
【００１７】上記の保護層としては、例えばＵＶ硬化樹
脂組成物などが使用される。
脂組成物などが使用される。
【００１８】前記の記録層の厚さは、通常１０〜１００
０ｎｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍ、金属反射層の厚
さは、通常１０〜２００ｎｍ、好ましくは２０〜１２０
ｎｍ、保護層の厚さは、通常０．５〜５０μｍ、好まし
くは２〜２０μｍの範囲とされる。
０ｎｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍ、金属反射層の厚
さは、通常１０〜２００ｎｍ、好ましくは２０〜１２０
ｎｍ、保護層の厚さは、通常０．５〜５０μｍ、好まし
くは２〜２０μｍの範囲とされる。
【００１９】本発明で使用する光記録媒体は、その記録
層側から金属反射層側に向けてレーザー光を照射するこ
とにより情報の記録再生を行なうことが出来る限り、如
何なる層構成をも採り得る。具体的には例えば次の表に
示す様な層構成を採り得る。
層側から金属反射層側に向けてレーザー光を照射するこ
とにより情報の記録再生を行なうことが出来る限り、如
何なる層構成をも採り得る。具体的には例えば次の表に
示す様な層構成を採り得る。
【００２０】
【表１】（１）基体（約１．２ｍｍ）／金属反射層（８
００Å）／記録層（１０００Å）／保護層（０．１ｍ
ｍ） （２）基体（約０．６ｍｍ）／接着層（４０μｍ）／基
体（約０．６ｍｍ）／金属反射層（８００Å）／記録層
（１０００Å）／保護層（０．１ｍｍ） （３）保護層（０．１ｍｍ）／記録層（１０００Å）／
金属反射層（８００Å）／基体（約０．６ｍｍ）／接着
層（４０μｍ）／基体（約０．６ｍｍ）／金属反射層
（８００Å）／記録層（１０００Å）／保護層（０．１
ｍｍ）
００Å）／記録層（１０００Å）／保護層（０．１ｍ
ｍ） （２）基体（約０．６ｍｍ）／接着層（４０μｍ）／基
体（約０．６ｍｍ）／金属反射層（８００Å）／記録層
（１０００Å）／保護層（０．１ｍｍ） （３）保護層（０．１ｍｍ）／記録層（１０００Å）／
金属反射層（８００Å）／基体（約０．６ｍｍ）／接着
層（４０μｍ）／基体（約０．６ｍｍ）／金属反射層
（８００Å）／記録層（１０００Å）／保護層（０．１
ｍｍ）
【００２１】上記の（１）〜（３）に示す層構成の光記
録媒体の場合、レーザー光は保護層側から入射される。
そして、（１）及び（２）に示す層構成は片面記録型光
記録媒体の場合、（３）に示す層構成は両面記録型光記
録媒体の場合である。なお、これらの場合、基体は必ず
しも透明である必要はない。
録媒体の場合、レーザー光は保護層側から入射される。
そして、（１）及び（２）に示す層構成は片面記録型光
記録媒体の場合、（３）に示す層構成は両面記録型光記
録媒体の場合である。なお、これらの場合、基体は必ず
しも透明である必要はない。
【００２２】また、本発明で使用する光記録媒体におい
ては、上記の他、片面記録型光記録媒体の層構成とし
て、透明基体／記録層／金属反射層／保護層の層構成、
両面記録型光記録媒体の層構成として、透明基体／記録
層／金属反射層／接着層／金属反射層／記録層／透明基
体の層構成を採用してもよい。斯かる光記録媒体の場
合、レーザー光は透明基体側から入射される。
ては、上記の他、片面記録型光記録媒体の層構成とし
て、透明基体／記録層／金属反射層／保護層の層構成、
両面記録型光記録媒体の層構成として、透明基体／記録
層／金属反射層／接着層／金属反射層／記録層／透明基
体の層構成を採用してもよい。斯かる光記録媒体の場
合、レーザー光は透明基体側から入射される。
【００２３】本発明の記録再生方法は、上記の様な光記
録媒体を使用し、高密度記録のために波長が５３０ｎｍ
以下のレーザー光により情報の記録再生を行なうことを
特徴とする。レーザー光の波長は短いほど好ましいが、
Ａｇ又はその合金反射層における反射率の観点から、そ
の下限は、通常３２０ｎｍ、好ましくは３５０ｎｍであ
る。本発明においては、特に波長３７０〜５２０ｎｍの
レーザー光が推奨される。斯かる範囲のレーザー光の代
表例としては、中心波長４１７ｎｍ又は５１５ｎｍのレ
ーザー光が挙げられる。
録媒体を使用し、高密度記録のために波長が５３０ｎｍ
以下のレーザー光により情報の記録再生を行なうことを
特徴とする。レーザー光の波長は短いほど好ましいが、
Ａｇ又はその合金反射層における反射率の観点から、そ
の下限は、通常３２０ｎｍ、好ましくは３５０ｎｍであ
る。本発明においては、特に波長３７０〜５２０ｎｍの
レーザー光が推奨される。斯かる範囲のレーザー光の代
表例としては、中心波長４１７ｎｍ又は５１５ｎｍのレ
ーザー光が挙げられる。
【００２４】波長３５０〜５２０ｎｍの範囲のレーザー
光の一例は、４１０ｎｍの青色または５１５ｎｍの青緑
色の高出力半導体レーザーを使用することによって得る
ことが出来る。その他、上記のレーザー光は、例えば、
（ａ）基本発振波長が７４０〜９６０ｎｍの連続発振可
能な半導体レーザー又は（ｂ）半導体レーザーによって
励起され且つ基本発振波長が７４０〜９６０ｎｍの連続
発振可能な固体レーザーの何れかを第二高調波発生素子
（ＳＨＧ）により波長変換することによっても得ること
が出来る。
光の一例は、４１０ｎｍの青色または５１５ｎｍの青緑
色の高出力半導体レーザーを使用することによって得る
ことが出来る。その他、上記のレーザー光は、例えば、
（ａ）基本発振波長が７４０〜９６０ｎｍの連続発振可
能な半導体レーザー又は（ｂ）半導体レーザーによって
励起され且つ基本発振波長が７４０〜９６０ｎｍの連続
発振可能な固体レーザーの何れかを第二高調波発生素子
（ＳＨＧ）により波長変換することによっても得ること
が出来る。
【００２５】上記のＳＨＧとしては、反転対称性を欠く
ピエゾ素子であれば如何なるものでもよいが、ＫＤＰ、
ＡＤＰ、ＢＮＮ、ＫＮ、ＬＢＯ、化合物半導体などが好
ましい。第二高調波の具体例としては、基本発振波長が
８６０ｎｍの半導体レーザーの場合は、その倍波の４３
０ｎｍ、また、半導体レーザー励起の固体レーザーの場
合は、ＣｒドープしたＬｉＳｒＡｌＦ6結晶（基本発振
波長８６０ｎｍ）からの倍波の４３０ｎｍなどが挙げら
れる。
ピエゾ素子であれば如何なるものでもよいが、ＫＤＰ、
ＡＤＰ、ＢＮＮ、ＫＮ、ＬＢＯ、化合物半導体などが好
ましい。第二高調波の具体例としては、基本発振波長が
８６０ｎｍの半導体レーザーの場合は、その倍波の４３
０ｎｍ、また、半導体レーザー励起の固体レーザーの場
合は、ＣｒドープしたＬｉＳｒＡｌＦ6結晶（基本発振
波長８６０ｎｍ）からの倍波の４３０ｎｍなどが挙げら
れる。
【００２６】本発明において、情報の記録は、専用レコ
ーダにより、１．２〜１．４ｍ／ｓｅｃ範囲、または、
その範囲内の任意の速度の２倍速、４倍速、６倍速など
の一定速度でデイスクを回転させつつ、次の様にして行
われる。すなわち、グルーブにサーボをかけ、０．４〜
０．６μｍ程度に絞り込まれた上記のレーザー光を使用
し、ヒートモードによる光吸収層およびそれに隣接する
層の変形・変質などによって記録ピットを形成させる。
そして、再生は、レーザー光により、レーザー光照射部
分と非照射部分との反射率の差を読み取ることにより行
われる。
ーダにより、１．２〜１．４ｍ／ｓｅｃ範囲、または、
その範囲内の任意の速度の２倍速、４倍速、６倍速など
の一定速度でデイスクを回転させつつ、次の様にして行
われる。すなわち、グルーブにサーボをかけ、０．４〜
０．６μｍ程度に絞り込まれた上記のレーザー光を使用
し、ヒートモードによる光吸収層およびそれに隣接する
層の変形・変質などによって記録ピットを形成させる。
そして、再生は、レーザー光により、レーザー光照射部
分と非照射部分との反射率の差を読み取ることにより行
われる。
【００２７】
【実施例】以下、本発明を実施例により更に詳細に説明
するが、本発明は、その要旨を超えない限り、以下の実
施例に限定されるものではない。
するが、本発明は、その要旨を超えない限り、以下の実
施例に限定されるものではない。
【００２８】実施例１ 厚さ１．２ｍｍの射出成型ポリカーボネート樹脂基体上
にスパッタリング法により厚さ８００Å（８０ｎｍ）の
Ａｇ膜を成膜して反射層を形成した。次いで、上記の反
射層の上に含金属アゾ系色素（前述の例示化合物
（ａ））のオクタフルオロペンタノール溶液を滴下し、
スピンコート法により５００ｒｐｍの回転数で塗布した
後、１００℃で３０分間乾燥し、厚さ１０００Å（１０
０ｎｍ）の記録層を形成した。
にスパッタリング法により厚さ８００Å（８０ｎｍ）の
Ａｇ膜を成膜して反射層を形成した。次いで、上記の反
射層の上に含金属アゾ系色素（前述の例示化合物
（ａ））のオクタフルオロペンタノール溶液を滴下し、
スピンコート法により５００ｒｐｍの回転数で塗布した
後、１００℃で３０分間乾燥し、厚さ１０００Å（１０
０ｎｍ）の記録層を形成した。
【００２９】そして、この記録層の上の全面に紫外線硬
化樹脂（大日本インキ化学工業社製「ＳＤ−３０１」）
をスピンコート法により塗布した後、紫外線を照射して
硬化させ、厚さ０．１ｍｍの保護層を形成した。得られ
た光記録媒体の５１５ｎｍにおける反射率は４８％であ
った。
化樹脂（大日本インキ化学工業社製「ＳＤ−３０１」）
をスピンコート法により塗布した後、紫外線を照射して
硬化させ、厚さ０．１ｍｍの保護層を形成した。得られ
た光記録媒体の５１５ｎｍにおける反射率は４８％であ
った。
【００３０】上記の光記録媒体に中心波長５１５ｎｍ、
出力２０ｍＷ、ビームスポット径０．４８μｍの青緑色
の半導体レーザー光を保護層側から照射した結果、良好
な記録ピットを形成することが出来た。
出力２０ｍＷ、ビームスポット径０．４８μｍの青緑色
の半導体レーザー光を保護層側から照射した結果、良好
な記録ピットを形成することが出来た。
【００３１】実施例２ 厚さ０．６ｍｍの射出成型ポリカーボネート樹脂基体上
にスパッタリング法により厚さ６００Å（６０ｎｍ）の
Ａｇ膜を成膜して反射層を形成した。次いで、上記の反
射層の上にキノフタロン系色素（前述の例示化合物
（ｂ））のペンタフルオロプロパノール溶液を滴下し、
スピンコート法により６００ｒｐｍの回転数で塗布した
後、９５℃で３０分間乾燥し、厚さ１０００Å（１００
ｎｍ）の記録層を形成した。
にスパッタリング法により厚さ６００Å（６０ｎｍ）の
Ａｇ膜を成膜して反射層を形成した。次いで、上記の反
射層の上にキノフタロン系色素（前述の例示化合物
（ｂ））のペンタフルオロプロパノール溶液を滴下し、
スピンコート法により６００ｒｐｍの回転数で塗布した
後、９５℃で３０分間乾燥し、厚さ１０００Å（１００
ｎｍ）の記録層を形成した。
【００３２】そして、この記録層の上の全面に紫外線硬
化樹脂（大日本インキ化学工業社製「ＳＤ−３０１」）
をスピンコート法により塗布した後、紫外線を照射して
硬化させ、厚さ０．１ｍｍの保護層を形成した。更に、
厚さ０．６ｍｍの射出成型ポリカーボネート樹脂基体の
全面に接着剤として紫外線硬化樹脂（大日本インキ化学
工業社製「ＳＤ−６４０」）を塗布し、上記のポリカー
ボネート樹脂基体の表面に重ね合わせた後、紫外線を照
射して硬化させた。得られた光記録媒体の４３０ｎｍに
おける反射率は５２％であった。
化樹脂（大日本インキ化学工業社製「ＳＤ−３０１」）
をスピンコート法により塗布した後、紫外線を照射して
硬化させ、厚さ０．１ｍｍの保護層を形成した。更に、
厚さ０．６ｍｍの射出成型ポリカーボネート樹脂基体の
全面に接着剤として紫外線硬化樹脂（大日本インキ化学
工業社製「ＳＤ−６４０」）を塗布し、上記のポリカー
ボネート樹脂基体の表面に重ね合わせた後、紫外線を照
射して硬化させた。得られた光記録媒体の４３０ｎｍに
おける反射率は５２％であった。
【００３３】上記の光記録媒体に中心波長４３０ｎｍの
半導体レーザー光を保護層側から照射した結果、良好な
記録ピットを形成することが出来た。なお、使用したレ
ーザー本体は、ＨＭＧフォトニクス社製の半導体レーザ
ー励起の固体レーザー：ＣｒドープしたＬｉＳｒＡｌＦ
6結晶（基本発振波長８６０ｎｍ）で構成され、その波
長は固体レーザーの倍波の４３０（ｎｍ）である。
半導体レーザー光を保護層側から照射した結果、良好な
記録ピットを形成することが出来た。なお、使用したレ
ーザー本体は、ＨＭＧフォトニクス社製の半導体レーザ
ー励起の固体レーザー：ＣｒドープしたＬｉＳｒＡｌＦ
6結晶（基本発振波長８６０ｎｍ）で構成され、その波
長は固体レーザーの倍波の４３０（ｎｍ）である。
【００３４】実施例３ 厚さ０．６ｍｍの射出成型ポリカーボネート樹脂基体上
にスパッタリング法により厚さ６００Å（６０ｎｍ）の
Ａｇ膜を成膜して反射層を形成した。次いで、上記の反
射層の上にシアニン系色素（前述の例示化合物（ｃ））
の乳酸エチル溶液を滴下し、スピンコート法により６０
０ｒｐｍの回転数で塗布した後、１００℃で３０分間乾
燥し、厚さ１１００Å（１１０ｎｍ）の記録層を形成し
た。
にスパッタリング法により厚さ６００Å（６０ｎｍ）の
Ａｇ膜を成膜して反射層を形成した。次いで、上記の反
射層の上にシアニン系色素（前述の例示化合物（ｃ））
の乳酸エチル溶液を滴下し、スピンコート法により６０
０ｒｐｍの回転数で塗布した後、１００℃で３０分間乾
燥し、厚さ１１００Å（１１０ｎｍ）の記録層を形成し
た。
【００３５】そして、この記録層の上の全面に紫外線硬
化樹脂（大日本インキ化学工業社製「ＳＤ−３０１」）
をスピンコート法により塗布した後、紫外線を照射して
硬化させ、厚さ０．１ｍｍの保護層を形成した。更に、
上記と全く同様にして、ポリカーボネート樹脂基体の上
に記録層と保護層とを順次に形成した。そして、各ポリ
カーボネート樹脂基体の全面に接着剤としてカチオン系
紫外線硬化樹脂（ソニーケミカル社製「ＳＫ−７００
０」）をスクリーン印刷した。次いで、両者を印刷面で
重ね合わせた後、紫外線を照射して硬化させた。得られ
た光記録媒体の５１５ｎｍにおける反射率は４５％であ
った。
化樹脂（大日本インキ化学工業社製「ＳＤ−３０１」）
をスピンコート法により塗布した後、紫外線を照射して
硬化させ、厚さ０．１ｍｍの保護層を形成した。更に、
上記と全く同様にして、ポリカーボネート樹脂基体の上
に記録層と保護層とを順次に形成した。そして、各ポリ
カーボネート樹脂基体の全面に接着剤としてカチオン系
紫外線硬化樹脂（ソニーケミカル社製「ＳＫ−７００
０」）をスクリーン印刷した。次いで、両者を印刷面で
重ね合わせた後、紫外線を照射して硬化させた。得られ
た光記録媒体の５１５ｎｍにおける反射率は４５％であ
った。
【００３６】上記の光記録媒体に中心波長５１５ｎｍ、
出力２０ｍＷ、ビームスポット径０．４８μｍの青緑色
の半導体レーザー光を保護層側から照射した結果、良好
な記録ピットを形成することが出来た。
出力２０ｍＷ、ビームスポット径０．４８μｍの青緑色
の半導体レーザー光を保護層側から照射した結果、良好
な記録ピットを形成することが出来た。
【００３７】
【発明の効果】本発明によれば、記録層が有機色素にて
形成された安価な光記録媒体による高密度の記録再生方
法が提供され、本発明の実用的価値は顕著である。
形成された安価な光記録媒体による高密度の記録再生方
法が提供され、本発明の実用的価値は顕著である。
Claims (1)
- 【請求項１】 基体上に少なくとも記録層と金属反射層
とを任意の順序で積層し且つその上に保護層を積層して
成り、そして、記録層が有機色素にて形成され且つ金属
反射層がＡｇ又はその合金にて形成された光記録媒体を
使用し、その記録層側から金属反射層側に向けて波長５
３０ｎｍ以下のレーザー光を照射することにより情報の
記録再生を行なうことを特徴とする記録再生方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9219226A JPH1153758A (ja) | 1997-07-30 | 1997-07-30 | 記録再生方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9219226A JPH1153758A (ja) | 1997-07-30 | 1997-07-30 | 記録再生方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1153758A true JPH1153758A (ja) | 1999-02-26 |
Family
ID=16732186
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9219226A Pending JPH1153758A (ja) | 1997-07-30 | 1997-07-30 | 記録再生方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1153758A (ja) |
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-
1997
- 1997-07-30 JP JP9219226A patent/JPH1153758A/ja active Pending
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| Date | Code | Title | Description |
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