JP2000022318A - プリント配線板およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＩＣチップとプリント配線板との接続を確実
にし、かつ、実装時のアンダーフィルとの密着力を高め
ることができ、接続性、信頼性に優れたプリント配線板
とその製造方法を提案する。 【解決手段】 ソルダーレジスト層７０上に半田バンプ
７６を形成した基板３０に、酸素プラズマによって、半
田バンプ７６表面の汚損、および、ソルダーレジスト層
７０の表面の酸化膜層を除去する。このため、半田バン
プ７６にてＩＣチップ９０を確実に接続でき、また、ソ
ルダーレジスト層７０の濡れ性が高まるため、アンダー
フィル８８との密着力を高めることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半田バンプを介
して集積回路チップを載置するパッケージ基板等を形成
するプリント配線板およびその製造方法に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】図１３に従来技術に係るパッケージ基板
を構成するプリント配線板を示す。該プリント配線板２
１０では、ＩＣチップ２９０を実装するために、半田バ
ンプ２７６を形成し、これら半田バンプ２７６が互い融
着しないようにソルダーレジスト層２７０を設けてあ
る。具体的には、導体回路２５８からなる半田パッド２
７５の上にソルダーレジスト層２７０を設け、この開口
２７１にニッケルめっき層２７２、金めっき層２７４を
設けた後、半田ペースト等を印刷、リフローして半田バ
ンプ２７６を形成する。そして、該半田バンプ２７６を
介してＩＣチップ２９０を取り付けた後、該半田バンプ
２７６とＩＣチップ２９０との接続信頼性を高めるため
に、ＩＣチップ２９０とプリント配線板２１０との間に
アンダーフィル（封止用樹脂）２８８を充填する。

【０００３】また、現在、導体回路２５８に上述したニ
ッケルめっき層及び金めっき層を介さずに、半田ペース
トを直接印刷して半田バンプを形成する方法も採用され
ている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ここで、該プリント配
線板２１０にＩＣチップ２９０を取り付ける際に、ＩＣ
チップ２１０側の半田バンプ２７６をＩＣチップ２９０
側の半田パッド２９２へ接合できていない実装不良が発
生することがあった。

【０００５】また、ＩＣチップ２９０とプリント配線板
２１０との接続信頼性を長期に渡り保つためには、実装
時にアンダーフィル２８８とソルダーレジスト層２７０
との密着性を高める必要がある。即ち、アンダーフィル
２８８とソルダーレジスト層２７０との密着性が低い
と、両者の界面から水分が侵入し、半田バンプ２７６か
ら半田のマイグレーション（鉛イオンがソルダーレジス
ト層内を拡散する現象）が発生し、半田バンプ相互の短
絡が生じる。しかしながら、ソルダーレジスト層２７０
の表面は、高温に晒される半田バンプ形成の工程にて酸
化膜層が形成され、濡れ性が低下しているため、充分な
密着力を得ることができなかった。

【０００６】本発明は、上述した課題を解決するために
なされたものであり、その主たる目的は、ＩＣチップと
プリント配線基板との接合を確実にし、かつ、実装時の
アンダーフィルとの密着力を高めることができ、接続
性、信頼性に優れたプリント配線基板とその製造方法を
提案することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上述した
半田バンプの接続信頼性の低下の原因を検討した結果、
プリント配線基板２１０側の半田バンプ２７６の表面の
汚染により、半田バンプの溶融した金属ボール、およ
び、該金属ボール表面のフラックスの濡れ性が低下し、
接続信頼性が低下しているとの結論を得た。ここで、該
半田バンプ表面の汚染は、半田バンプ形成後に短絡・断
線を確認するチェッカ−工程において、金属製検査プロ
ーブを押し当てた際に油脂分が付着したり、或いは、製
品名、ロットナンバ−等をソルダ−レジスト層表面に記
載する文字印刷工程において、インクの油脂分等が飛散
し付着しているものと考えられる。そして、該汚染によ
り、半田バンプ表面の濡れ性が悪くなり、ＩＣチップ側
の金属ボ−ル、および、フラックスがはじかれてしま
い、実装不良を起こすとの知見を得た。

【０００８】上述したように金属ボ−ルを保護するアン
ダーフィルとソルダーレジストとの密着性を向上させる
必要があるが、半田バンプ形成時及びその後に、ソルダ
ーレジストの表面は、酸化膜層が形成され、接触角度が
大きくなり、濡れ性を悪くし、これが密着力を下げる原
因となっていた。

【０００９】そこで、酸処理によりソルダーレジスト表
面の酸化膜層を溶解させる、あるいは、研磨機等によっ
て酸化膜層を除去させることにより、接触角度を変え、
樹脂等との濡れ性を向上させる方法も考え得る。しか
し、酸処理により酸化膜層を溶解させたとしても、均一
に酸化膜を除去することはできない。また、研磨機等に
より物理的に酸化膜層を除去させると、ソルダーレジス
ト層が剥離することがあり、現実的はでない。

【００１０】本発明者らは、半田バンプ表面の汚染、お
よび、ソルダ−レジスト層表面の酸化膜層を除去し、か
つ、除去時にソルダーレジスト層、および、半田バンプ
が耐えられる方法を模索した結果、半田バンプ形成後
に、プラズマにより半田バンプ表面の汚染、および、ソ
ルダーレジスト層表面の酸化膜層を除去するという本発
明に至った。すなわち、発明の要旨構成は、以下のよう
である。

【００１１】ソルダーレジスト層を形成し、その開口部
に半田バンプを形成させた後、気体プラズマによるソル
ダーレジスト層の表面処理を施す。その処理方法は、半
田バンプ形成したプリント配線基板を真空状態にした装
置内に入れ、酸素、あるいは窒素、炭酸ガス、四フッ化
炭素のプラズマを放出させて、開口部の半田バンプ表面
に付着した汚染、および、ソルダーレジスト層表面の酸
化膜層を除去させた。

【００１２】プラズマ処理によって半田バンプの汚染を
除去し、実装不良を低減させる最適条件は、プラズマ放
出量は、５００〜１０００Ｗ、気体供給量は、１００〜
５００ｓｅｃ．／Ｍ、処理時間は、１〜１５分で行うの
がよい。また、プラズマ処理によって、ソルダーレジス
ト層表面の酸化膜層を除去することにより、ソルダーレ
ジスト層、および、半田バンプを損傷させることなく、
アンダーフィルとの密着性を向上させることができる。

【００１３】ここで、処理時間が１分以下の場合には、
半田バンプの汚れを十分に除去できず、また、ソルダー
レジスト層の粗化による接触角度の低下を行い得ない。
他方、処理時間が１５分を越えると、半田バンプの表面
に酸化が発生して、むしろ接続信頼性が低下する。この
ため、処理時間は上述したように１〜１５分が良い。

【００１４】接触角度は、ソルダーレジスト層表面に水
滴を一滴垂らし、その水滴の接触角度を測定した。

【００１５】ソルダーレジストの接触角度は４０°以下
が望ましい。接触角度が４０°を越えると、濡れ性が低
下してしまうため、アンダ−フィルとソルダーレジスト
との密着が低下し、高温高湿条件での信頼性試験を行う
とアンダ−フィルとソルダーレジストとの界面から、水
が侵入しやすくなり、半田バンプの破壊が早期に始ま
る。他方、ソルダーレジストを種々の処理を施しても、
接触角度を８°以下にすることはできなかった。このた
め、接触角度は８°〜４０°の範囲であることが望まし
い。

【００１６】ＡＦＭ測定で測定を行った結果、ソルダ−
レジスト表面の最大粗さ（Ｒmax)は、０．１〜１００ｎ
ｍの範囲であることが望ましいことが判明した。即ち、
最大粗さ（Ｒmax)０．１未満のときには、接触角度が４
０°を越え、前述の問題を起こす。他方、最大粗さ（Ｒ
max)１００ｎｍを超えたときも酸化が発生して接続信頼
性が低下するからである。

【００１７】本願発明におけるソルダーレジスト層の厚
さは、５〜４０μｍがよい。薄すぎると半田の流れをせ
き止めるソルダーダムとして機能せず、厚すぎると開口
し難くなる上、半田バンプを構成する半田体と接触し、
半田体にクラックを生じさせる原因となるからである。

【００１８】本願発明において半田パッドとして作用す
るバイアホールは、ソルダーレジスト層により、その一
部分が露出した形態、あるいは全部が露出されてなる形
態のいずれも採用できる。前者の場合は、導体パッドも
しくはバイアホールの境界部分で生じる樹脂絶縁層のク
ラックを防止でき、後者の場合は開口位置ずれの許容範
囲を大きくすることができる。

【００１９】ソルダーレジスト層としては、種々の樹脂
を使用でき、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹
脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂のアクリレート、
ノボラック型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂
のアクリレートをアミン系硬化剤やイミダゾール硬化剤
などで硬化させた樹脂を使用できる。

【００２０】特に、ソルダーレジスト層に開口を設けて
半田バンプを形成する場合には、「ノボラック型エポキ
シ樹脂もしくはノボラック型エポキシ樹脂のアクリレー
ト」からなり、「イミダゾール硬化剤」を硬化剤として
含むものが好ましい。

【００２１】このような構成のソルダーレジスト層は、
鉛のマイグレーション（鉛イオンがソルダーレジスト層
内を拡散する現象）が少ないという利点を持つ。しか
も、このソルダーレジスト層は、ノボラック型エポキシ
樹脂のアクリレートをイミダゾール硬化剤で硬化した樹
脂層であり、耐熱性、耐アルカリ性に優れ、はんだが溶
融する温度（200 ℃前後）でも劣化せず、ニッケルめっ
き及び金めっきを行う際の強塩基性のめっき液で分解す
ることもない。

【００２２】しかしながら、このようなソルダーレジス
ト層は、剛直骨格を持つ樹脂で構成されるので剥離が生
じやすい。このため、補強層を設けることでソルダーレ
ジスト層の剥離を防止することもできる。補強層は、酸
素プラズマにて粗化を行ったソルダーレジスト層に塗布
することも可能である。更に、該補強層の表面を酸素プ
ラズマにて粗化し、アンダーフィルとの密着性を改善す
ることも好適である。

【００２３】ここで、上記ノボラック型エポキシ樹脂の
アクリレートとしては、フェノールノボラックやクレゾ
ールノボラックのグリシジルエーテルを、アクリル酸や
メタクリル酸などと反応させたエポキシ樹脂などを用い
ることができる。

【００２４】上記イミダゾール硬化剤は、25℃で液状で
あることが望ましい。液状であれば均一混合できるから
である。このような液状イミダゾール硬化剤としては、
1-ベンジル−2-メチルイミダゾール（品名：1B2MZ ）、
1-シアノエチル−2-エチル−4-メチルイミダゾール（品
名：2E4MZ-CN）、4-メチル−2-エチルイミダゾール（品
名：2E4MZ ）を用いることができる。

【００２５】このイミダゾール硬化剤の添加量は、上記
ソルダーレジスト組成物の総固形分に対して１〜10重量
％とすることが望ましい。この理由は、添加量がこの範
囲内にあれば均一混合がしやすいからである。

【００２６】上記ソルダーレジストの硬化前組成物は、
溶媒としてグリコールエーテル系の溶剤を使用すること
が望ましい。このような組成物を用いたソルダーレジス
ト層は、遊離酸素が発生せず、銅パッド表面を酸化させ
ない。また、人体に対する有害性も少ない。このような
グリコールエーテル系溶媒としては、下記構造式のも
の、特に望ましくは、ジエチレングリコールジメチルエ
ーテル（ＤＭＤＧ）およびトリエチレングリコールジメ
チルエーテル（ＤＭＴＧ）から選ばれるいずれか少なく
とも１種を用いる。これらの溶剤は、30〜50℃程度の加
温により反応開始剤であるベンゾフェノンやミヒラーケ
トンを完全に溶解させることができるからである。 CH ₃ Ｏ-(CH₂ CH₂ Ｏ) _n −CH₃ （ｎ＝１〜５） このグリコールエーテル系の溶媒は、ソルダーレジスト
組成物の全重量に対して10〜40wt％がよい。

【００２７】以上説明したようなソルダーレジスト組成
物には、その他に、各種消泡剤やレベリング剤、耐熱性
や耐塩基性の改善と可撓性付与のために熱硬化性樹脂、
解像度改善のために感光性モノマーなどを添加すること
ができる。例えば、レベリング剤としてはアクリル酸エ
ステルの重合体からなるものがよい。また、開始剤とし
ては、チバガイギー製のイルガキュアＩ９０７、光増感
剤としては日本化薬製のＤＥＴＸ−Ｓがよい。さらに、
ソルダーレジスト組成物には、色素や顔料を添加しても
よい。配線パターンを隠蔽できるからである。この色素
としてはフタロシアニングリーンを用いることが望まし
い。

【００２８】添加成分としての上記熱硬化性樹脂として
は、ビスフェノール型エポキシ樹脂を用いることができ
る。このビスフェノール型エポキシ樹脂には、ビスフェ
ノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ
樹脂があり、耐塩基性を重視する場合には前者が、低粘
度化が要求される場合（塗布性を重視する場合）には後
者がよい。添加成分としての上記感光性モノマーとして
は、多価アクリル系モノマーを用いることができる。多
価アクリル系モノマーは、解像度を向上させることがで
きるからである。例えば、多価アクリル系モノマーとし
て、日本化薬製のＤＰＥ−６Ａ、共栄社化学製のＲ−６
０４を用いることができる。また、これらのソルダーレ
ジスト組成物は、２５℃で０．５〜１０Ｐａ・ｓ、より
望ましくは１〜１０Ｐａ・ｓがよい。ロールコータで塗
布しやすい粘度だからである。

【００２９】本願発明構成において導体回路表面に形成
される粗化層は、エッチング処理、研磨処理、酸化処
理、酸化還元処理により形成された銅の粗化面又もしく
はめっき被膜により形成された粗化面であることが望ま
しい。特に粗化層は、銅−ニッケル−リンからなる合金
層であることが望ましい。前記合金層の組成は、銅、ニ
ッケル、リンの割合で、それぞれ90〜96wt％、１〜５wt
％、 0.5〜２wt％であることが望ましい。これらの組成
割合のときに、針状の構造を有するからである。

【００３０】前記酸化処理は、亜塩素酸ナトリウム、水
酸化ナトリウム、リン酸ナトリウムからなる酸化剤の溶
液が望ましい。また、酸化還元処理は、上記酸化処理の
後、水酸化ナトリウムと水素化ホウ素ナトリウムの溶液
に浸漬して行う。前記粗化層は、１〜５μｍがよい。厚
すぎると粗化層自体が損傷、剥離しやすく、薄すぎると
密着性が低下するからである。

【００３１】本発明では、上記絶縁層もしくは層間絶縁
層として無電解めっき用接着剤を用いることが望まし
い。この無電解めっき用接着剤は、硬化処理された酸あ
るいは酸化剤に可溶性の耐熱性樹脂粒子が、酸あるいは
酸化剤に難溶性の未硬化の耐熱性樹脂中に分散されてな
るものが最適である。酸、酸化剤で処理することによ
り、耐熱性樹脂粒子が溶解除去されて、表面に蛸つぼ状
のアンカーからなる粗化面を形成できる。

【００３２】上記無電解めっき用接着剤において、特に
硬化処理された前記耐熱性樹脂粒子としては、平均粒
径が10μｍ以下の耐熱性樹脂粉末、平均粒径が２μｍ
以下の耐熱性樹脂粉末を凝集させた凝集粒子、平均粒
径が２〜10μｍの耐熱性粉末樹脂粉末と平均粒径が２μ
ｍ以下の耐熱性樹脂粉末との混合物、平均粒径が２〜
10μｍの耐熱性樹脂粉末の表面に平均粒径が２μｍ以下
の耐熱性樹脂粉末または無機粉末のいずれか少なくとも
１種を付着させてなる疑似粒子、平均粒径が０．１〜
０．８μｍの耐熱性粉末樹脂粉末と平均粒径が０．８μ
ｍを越え、２μｍ未満の耐熱性樹脂粉末との混合物、
平均粒径が０．１〜１．０μｍの耐熱性粉末樹脂粉末を
用いることが望ましい。これらは、より複雑なアンカー
を形成できるからである。

【００３３】粗化面の深さは、Ｒｍａｘ＝０．０１〜２
０μｍがよい。密着性を確保するためである。特にセミ
アディティブ法では、０．１〜５μｍがよい。密着性を
確保しつつ、無電解めっき膜を除去できるからである。

【００３４】前記酸あるいは酸化剤に難溶牲の耐熱性樹
脂としては、「熱硬化性樹脂および熱可塑性樹脂からな
る樹脂複合体」又は「感光性樹脂および熱可塑性樹脂か
らなる樹脂複合体」からなることが望ましい。前者につ
いては耐熱性が高く、後者についてはバイアホール用の
開口をフォトリソグラフィーにより形成できるからであ
る。

【００３５】前記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹
脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂などを使用でき
る。また、感光化する場合は、メタクリル酸やアクリル
酸などと熱硬化基をアクリル化反応させる。特にエポキ
シ樹脂のアクリレートが最適である。エポキシ樹脂とし
ては、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック
型、などのノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタ
ジエン変成した脂環式エポキシ樹脂などを使用すること
ができる。

【００３６】熱可塑性樹脂としては、ポリエーテルスル
フォン（ＰＥＳ）、ポリスルフォン（ＰＳＦ）、ポリフ
ェニレンスルフォン（ＰＰＳ）、ポリフェニレンサルフ
ァイド（ＰＰＥＳ）、ポリフェニルエーテル（ＰＰ
Ｅ）、ポリエーテルイミド（ＰＩ）などを使用できる。
熱硬化性樹脂（感光性樹脂）と熱可塑性樹脂の混合割合
は、熱硬化性樹脂（感光性樹脂）／熱可塑性樹脂＝９５
／５〜５０／５０がよい。耐熱性を損なうことなく、高
い靭性値を確保できるからである。

【００３７】前記耐熱性樹脂粒子の混合重量比は、耐熱
性樹脂マトリックスの固形分に対して５〜５０重量％、
望ましくは１０〜４０重量％がよい。耐熱性樹脂粒子
は、アミノ樹脂（メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン
樹脂）、エポキシ樹脂などがよい。なお、接着剤は、組
成の異なる２層により構成してもよい。

【００３８】

【実施例】以下、本発明の実施例に係るプリント配線板
及びその製造方法について図を参照して説明する。先
ず、本発明の第１実施例に係るプリント配線板１０の構
成について、図７及び図８を参照して説明する。図７
は、集積回路チップ９０搭載前のプリント配線板（パッ
ケージ基板）１０の断面を示し、図８は、集積回路チッ
プ９０を搭載した状態のプリント配線板１０の断面を示
している。図８に示すように、プリント配線板１０の上
面側には、集積回路チップ９０が搭載され、下面側は、
ドータボード９４へ接続されている。

【００３９】図７を参照してプリント配線板の構成につ
いて詳細に説明する。該プリント配線板１０では、多層
コア基板３０の表面及び裏面にビルドアップ配線層８０
Ａ、８０Ｂが形成されている。該ビルトアップ層８０Ａ
は、バイアホール６０及び導体回路５８の形成された層
間樹脂絶縁層５０と、バイアホール１６０及び導体回路
１５８の形成された層間樹脂絶縁層１５０とからなる。
また、ビルドアップ配線層８０Ｂは、バイアホール６０
及び導体回路５８の形成された層間樹脂絶縁層５０と、
バイアホール１６０及び導体回路１５８の形成された層
間樹脂絶縁層１５０とからなる。

【００４０】上面側には、集積回路チップ９０のランド
９２（図８参照）へ接続するための半田バンプ７６Ｕが
配設されている。半田バンプ７６Ｕはバイアホール１６
０及びバイアホール６０を介してスルーホール３６へ接
続されている。一方、下面側には、ドーターボード（サ
ブボード）９４のランド９６（図８参照）に接続するた
めの半田バンプ７６Ｄが配設されている。該半田バンプ
７６Ｄは、バイアホール１６０及びバイアホール６０を
介してスルーホール３６へ接続されている。該半田バン
プ７６Ｕ、７６Ｄは、ソルダーレジスト７０の開口７１
内の導体回路１５８及びバイアホール１６０上に、ニッ
ケルめっき層７２、金めっき層７４が形成された半田パ
ッド７５に半田が配設されてなる。

【００４１】図８に示すようにプリント配線板１０とＩ
Ｃチップ９０との間には樹脂封止を行うアンダーフィル
８８が配設されている。同様に、プリント配線板１０と
マザーボード８４との間にアンダーフィル８８が配設さ
れている。ここで、ビルトアップ層８０Ａの上側及びビ
ルトアップ層８０Ｂの下側のアンダーフィル８８の表面
は、共に後述するようにプラズマ処理により、接触角度
８°〜４０°となるように粗化されている。これによ
り、アンダーフィル８８との密着性が改善されて、両者
の界面から水分が侵入し、半田バンプ２７６に半田のマ
イグレーションが発生し、半田バンプ相互の短絡が生じ
ることを防いでいる。

【００４２】引き続き、図７に示すプリント配線板を製
造する方法について一例を挙げて具体的に説明する。ま
ず、Ａ．無電解めっき用接着剤、Ｂ．層間樹脂絶縁剤、
Ｃ．樹脂充填剤、Ｄ．ソルダーレジストの組成について
説明する。

【００４３】Ａ．無電解めっき用接着剤調製用の原料組
成物（上層用接着剤） 〔樹脂組成物〕クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
（日本化薬製、分子量2500）の25％アクリル化物を80wt
％の濃度でＤＭＤＧに溶解させた樹脂液を35重量部、感
光性モノマー（東亜合成製、アロニックスＭ315 ）3.15
重量部、消泡剤（サンノプコ製、Ｓ−65）0.5 重量部、
ＮＭＰ 3.6重量部を攪拌混合して得た。

【００４４】〔樹脂組成物〕ポリエーテルスルフォン
（ＰＥＳ）12重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成製、
ポリマーポール）の平均粒径 1.0μｍのものを 7.2重量
部、平均粒径 0.5μｍのものを3.09重量部、を混合した
後、さらにＮＭＰ30重量部を添加し、ビーズミルで攪拌
混合して得た。

【００４５】〔硬化剤組成物〕イミダゾール硬化剤
（四国化成製、2E4MZ-CN）２重量部、光開始剤（チバガ
イギー製、イルガキュア Ｉ−907 ）２重量部、光増感
剤（日本化薬製、DETX-S）0.2 重量部、ＮＭＰ 1.5重量
部を攪拌混合して得た。

【００４６】Ｂ．層間樹脂絶縁剤調製用の原料組成物
（下層用接着剤） 〔樹脂組成物〕クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
（日本化薬製、分子量2500）の25％アクリル化物を80wt
％の濃度でＤＭＤＧに溶解させた樹脂液を35重量部、感
光性モノマー（東亜合成製、アロニックスＭ315 ）４重
量部、消泡剤（サンノプコ製、Ｓ−65）0.5 重量部、Ｎ
ＭＰ 3.6重量部を攪拌混合して得た。

【００４７】〔樹脂組成物〕ポリエーテルスルフォン
（ＰＥＳ）12重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成製、
ポリマーポール）の平均粒径 0.5μｍのものを 14.49重
量部、を混合した後、さらにＮＭＰ30重量部を添加し、
ビーズミルで攪拌混合して得た。

【００４８】〔硬化剤組成物〕イミダゾール硬化剤
（四国化成製、2E4MZ-CN）２重量部、光開始剤（チバガ
イギー製、イルガキュア Ｉ−907 ）２重量部、光増感
剤（日本化薬製、DETX-S）0.2 重量部、ＮＭＰ1.5 重量
部を攪拌混合して得た。

【００４９】Ｃ．樹脂充填剤調製用の原料組成物 〔樹脂組成物〕ビスフェノールＦ型エポキシモノマー
（油化シェル製、分子量310 、YL983U）100重量部、表
面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒
径 1.6μｍのSiＯ₂ 球状粒子（アドマテック製、CRS 11
01−CE、ここで、最大粒子の大きさは後述する内層銅パ
ターンの厚み（15μｍ）以下とする） 170重量部、レベ
リング剤（サンノプコ製、ペレノールＳ４）1.5 重量部
を攪拌混合することにより、その混合物の粘度を23±１
℃で45,000〜49,000cps に調整して得た。 〔硬化剤組成物〕イミダゾール硬化剤（四国化成製、
2E4MZ-CN）6.5 重量部。

【００５０】Ｄ．ソルダーレジスト組成物 ＤＭＤＧに溶解させた60重量％のクレゾールノボラック
型エポキシ樹脂（日本化薬製）のエポキシ基50％をアク
リル化した感光性付与のオリゴマー（分子量4000）を 4
6.67ｇ、メチルエチルケトンに溶解させた80重量％のビ
スフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル製、エピコ
ート1001）15.0ｇ、イミダゾール硬化剤（四国化成製、
2E4MZ-CN）1.6 ｇ、感光性モノマーである多価アクリル
モノマー（日本化薬製、Ｒ604 ）３ｇ、同じく多価アク
リルモノマー（共栄社化学製、DPE6A ） 1.5ｇ、分散系
消泡剤（サンノプコ社製、Ｓ−65）0.71ｇを混合し、さ
らにこの混合物に対して光開始剤としてのベンゾフェノ
ン（関東化学製）を２ｇ、光増感剤としてのミヒラーケ
トン（関東化学製）を 0.2ｇ加えて、粘度を25℃で2.0P
a・ｓに調整したソルダーレジスト組成物を得た。な
お、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器、 DVL-B型）で
60rpmの場合はローターNo.4、６rpm の場合はローター
No.3によった。

【００５１】引き続き、図１〜図７を参照してプリント
配線板１０の製造方法を説明する。 Ｅ．プリント配線板の製造 (1) 厚さ１mmのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマ
レイミドトリアジン）樹脂からなる基板３０の両面に18
μｍの銅箔３２がラミネートされている銅張積層板３０
Ａを出発材料とした（図１（Ａ）参照）。まず、この銅
張積層板３０Ａをドリル削孔し、無電解めっき処理を施
し、パターン状にエッチングすることにより、基板３０
の両面に内層銅パターン３４とスルーホール３６を形成
した（図１（Ｂ））。

【００５２】(2) 内層銅パターン３４およびスルーホー
ル３６を形成した基板３０を水洗いし、乾燥した後、酸
化浴（黒化浴）として、NaOH（10ｇ／ｌ），NaClO
₂ （40ｇ／ｌ），Na₃ PO₄ （６ｇ／ｌ）、還元浴とし
て、NaOH（10ｇ／ｌ），NaBH₄ （６ｇ／ｌ）を用いた酸
化−還元処理により、内層銅パターン３４およびスルー
ホール３６の表面に粗化層３８を設けた（図１（Ｃ）参
照）。

【００５３】(3) Ｃの樹脂充填剤調製用の原料組成物を
混合混練して樹脂充填剤を得た。 (4) 前記(3) で得た樹脂充填剤４０を、調製後24時間以
内に基板３０の両面にロールコータを用いて塗布するこ
とにより、導体回路（内層銅パターン）３４と導体回路
３４との間、及び、スルーホール３６内に充填し、70
℃，20分間で乾燥させ、他方の面についても同様にして
樹脂充填剤４０を導体回路３４間あるいはスルーホール
３６内に充填し、70℃，20分間で加熱乾燥させた（図１
（Ｄ）参照）。

【００５４】(5) 前記(4) の処理を終えた基板３０の片
面を、＃600 のベルト研磨紙（三共理化学製）を用いた
ベルトサンダー研磨により、内層銅パターン３４の表面
やスルーホール３６のランド３６ａ表面に樹脂充填剤４
０が残らないように研磨し、次いで、前記ベルトサンダ
ー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行った。こ
のような一連の研磨を基板の他方の面についても同様に
行った（図２（Ｅ）参照）。次いで、100 ℃で１時間、
120 ℃で３時間、 150℃で１時間、 180℃で７時間の加
熱処理を行って樹脂充填剤４０を硬化した。

【００５５】このようにして、スルーホール３６等に充
填された樹脂充填剤４０の表層部および内層導体回路３
４上面の粗化層３８を除去して基板３０両面を平滑化し
た上で、樹脂充填剤４０と内層導体回路３４の側面とが
粗化層３８を介して強固に密着し、またスルーホール３
６の内壁面と樹脂充填剤４０とが粗化層３８を介して強
固に密着した配線基板を得た。即ち、この工程により、
樹脂充填剤４０の表面と内層銅パターン３４の表面が同
一平面となる。

【００５６】(6) 導体回路３４を形成した基板３０にア
ルカリ脱脂してソフトエッチングして、次いで、塩化パ
ラジウウムと有機酸からなる触媒溶液で処理して、Ｐｄ
触媒を付与し、この触媒を活性化した後、硫酸銅３．９
１×１０^-2ｍｏｌ／ｌ、硫酸ニッケル３．７５×１０^-3
ｍｏｌ／ｌ、クエン酸ナトリウム７．７５×１０^-2ｍｏ
ｌ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム３．３×１０^-1ｍｏｌ／
ｌ、界面活性剤（日信化学工業製、サーフィール４６
５）１．１×１０^-4ｍｏｌ／ｌ、ＰＨ＝９からなる無電
解めっき液に浸積し、浸漬１分後に、４秒当たり１回に
割合で縦、および、横振動させて、導体回路３４および
スルーホール３６のランド３６ａの表面にＣｕ−Ｎｉ−
Ｐからなる針状合金の被覆層と粗化層４２を設けた（図
２（Ｆ）参照）。

【００５７】さらに、ホウフっ化スズ０．１ｍｏｌ／
ｌ、チオ尿素１．０ｍｏｌ／ｌ、温度３５℃、ＰＨ＝
１．２の条件でＣｕ−Ｓｎ置換反応させ、粗化層の表面
に厚さ０．３μｍＳｎ層（図示せず）を設けた。

【００５８】(7) Ｂの層間樹脂絶縁剤調製用の原料組成
物を攪拌混合し、粘度1.5 Pa・ｓに調整して層間樹脂絶
縁剤（下層用）を得た。次いで、Ａの無電解めっき用接
着剤調製用の原料組成物を攪拌混合し、粘度７Pa・ｓに
調整して無電解めっき用接着剤溶液（上層用）を得た。

【００５９】(8) 前記(6) の基板の両面に、前記(7) で
得られた粘度 1.5Pa・ｓの層間樹脂絶縁剤（下層用）４
４を調製後24時間以内にロールコータで塗布し、水平状
態で20分間放置してから、60℃で30分の乾燥（プリベー
ク）を行い、次いで、前記(7)で得られた粘度７Pa・ｓ
の感光性の接着剤溶液（上層用）４６を調製後24時間以
内に塗布し、水平状態で20分間放置してから、60℃で30
分の乾燥（プリベーク）を行い、厚さ35μｍの接着剤層
５０αを形成した（図２（Ｇ）参照）。

【００６０】(9) 前記(8) で接着剤層を形成した基板３
０の両面に、図２（Ｈ）に示すように85μｍφの黒円５
１ａが印刷されたフォトマスクフィルム５１を密着さ
せ、超高圧水銀灯により 500mJ／cm² で露光した。これ
をＤＭＴＧ溶液でスプレー現像し、さらに、当該基板３
０を超高圧水銀灯により3000mJ／cm² で露光し、100 ℃
で１時間、120 ℃で１時間、その後 150℃で３時間の加
熱処理（ポストベーク）をすることにより、フォトマス
クフィルムに相当する寸法精度に優れた85μｍφの開口
（バイアホール形成用開口）４８を有する厚さ35μｍの
層間樹脂絶縁層（２層構造）５０を形成した（図３
（Ｉ）参照）。なお、バイアホールとなる開口４８に
は、スズめっき層（図示せず）を部分的に露出させた。

【００６１】(10)開口４８が形成された基板３０を、ク
ロム酸に19分間浸漬し、層間樹脂絶縁層５０の表面に存
在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、当
該層間樹脂絶縁層５０の表面を粗化し（図３（Ｊ）参
照）、その後、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してか
ら水洗いした。さらに、粗面化処理（粗化深さ６μｍ）
した該基板の表面に、パラジウム触媒（アトテック製）
を付与することにより、層間樹脂絶縁層５０の表面およ
びバイアホール用開口４８の内壁面に触媒核を付けた。

【００６２】(11)以下に示す組成の無電解銅めっき水溶
液中に基板を浸漬して、粗面全体に厚さ0.6 μｍの無電
解銅めっき膜５２を形成した（図３（Ｋ））。 〔無電解めっき水溶液〕 ＥＤＴＡ 150 ｇ／ｌ 硫酸銅 20 ｇ／ｌ ＨＣＨＯ 30 ml／ｌ ＮａＯＨ 40 ｇ／ｌ α、α’−ビピリジル 80 mg／ｌ ＰＥＧ 0.1 ｇ／ｌ 〔無電解めっき条件〕70℃の液温度で30分

【００６３】(12)前記(11)で形成した無電解銅めっき膜
５２上に市販の感光性ドライフィルムを張り付け、マス
クを載置して、100 mJ／cm² で露光、0.8 ％炭酸ナトリ
ウムで現像処理し、厚さ15μｍのめっきレジスト５４を
設けた（図３（Ｌ）参照）。

【００６４】(13)ついで、レジスト非形成部分に以下の
条件で電解銅めっきを施し、厚さ15μｍの電解銅めっき
膜５６を形成した（図４（Ｍ）参照）。 〔電解めっき水溶液〕 硫酸 180 ｇ／ｌ 硫酸銅 80 ｇ／ｌ 添加剤（アトテックジャパン製、カパラシドＧＬ） １ ml／ｌ 〔電解めっき条件〕 電流密度 １Ａ／dm² 時間 30分 温度 室温

【００６５】(14)めっきレジスト５４を５％ＫＯＨで剥
離除去した後、そのめっきレジスト下の無電解めっき膜
５２を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して
溶解除去し、無電解銅めっき膜５２と電解銅めっき膜５
６からなる厚さ18μｍの導体回路５８及びバイアホール
６０を形成した（図４（Ｎ））。

【００６６】(15)(6) と同様の処理を行い、導体回路５
８及びバイアホール６０の表面にCu-Ni-P からなる粗化
面６２を形成し、さらにその表面にSn置換を行った（図
４（Ｏ）参照）。 (16)前記(7) 〜(15)の工程を繰り返すことにより、さら
に上層の層間樹脂絶縁層１５０を設けてから導体回路１
５８及びバイアホール１６０を形成し、多層配線基板を
得た（図４（Ｐ）参照）。但し、該導体回路１５８及び
バイアホール１６０の表面に形成した粗化面６２では、
Sn置換を行わなかった。

【００６７】(17)前記(16)で得られた基板３０両面に、
上記Ｄ．にて説明したソルダーレジスト組成物７０αを
20μｍの厚さで塗布した（図５（Ｑ）参照）。次いで、
70℃で20分間、70℃で30分間の乾燥処理を行った後、円
パターン（マスクパターン）が描画された厚さ５mmのフ
ォトマスクフィルム（図示せず）を密着させて載置し、
1000mJ／cm² の紫外線で露光し、DMTG現像処理した。そ
してさらに、80℃で１時間、 100℃で１時間、 120℃で
１時間、 150℃で３時間の条件で加熱処理し、はんだパ
ッド部分（バイアホールとそのランド部分を含む）に開
口（開口径 200μｍ）７１を有するソルダーレジスト層
（厚み20μｍ）７０を形成した（図５（Ｒ）参照）。

【００６８】(18)次に、ソルダーレジスト層７０を形成
した基板３０に、酸素プラズマ７３によって、開口７１
内の金属表面（導体回路１５８及びバイアホール１６０
の粗化面１６２の表面）の有機残渣、および、ソルダー
レジスト層７０の表面の酸化膜層を除去すると共に粗化
層（図示せず）を形成させた。該酸素プラズマ処理に
は、九州松下製プラズマクリーニング装置（ＰＣ１２Ｆ
−Ｇ型）を用い、真空状態にした中に、プラズマ放射量
８００Ｗ、酸素供給量３００ｓｅｃ．／Ｍ、酸素供給圧
０．１５ＭＰａ、処理時間１０分で行った。この処理に
より、ソルダーレジスト層７０表面の接触角度を下げ
た。

【００６９】(19)プラズマ処理後、塩化ニッケル２．３
１×１０^-1ｍｏｌ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム２．８４
×１０^-1ｍｏｌ／ｌ、クエン酸ナトリウム１．５５×１
０^-1ｍｏｌ／ｌ、からなるｐＨ＝４．５の無電解ニッケ
ルめっき液に該基板３０を２０分間浸漬して、開口部に
厚さ５μｍのニッケルめっき層７２を形成した。さら
に、その基板を、シアン化金カリウム７．６１×１０^-3
ｍｏｌ／ｌ、塩化アンモニウム１．８７×１０^-1ｍｏｌ
／ｌ、クエン酸ナトリウム１．１６×１０^-1ｍｏｌ／
ｌ、次亜リン酸ナトリウム１．７０×１０^-1ｍｏｌ／ｌ
からなる無電解金めっき液に80℃の条件で７分２０秒間
浸漬して、ニッケルめっき層上に厚さ0.03μｍの金めっ
き層７４を形成することで、バイアホール１６０及び導
体回路１５８に半田パッド７５を形成した（図６（Ｔ）
参照）。

【００７０】(20)そして、ソルダーレジスト層７０の開
口部７１に、半田ペーストを印刷して200℃でリフロー
することにより、半田バンプ（半田体）７６Ｕ、７６Ｄ
を形成し、プリント配線板１０を形成した（図６（Ｕ）
参照）。

【００７１】(21)その後、チェッカー工程で、プリント
配線板１０の接続試験を行った。このチェッカー工程で
は、金属製のプローブを該半田バンプ７６Ｕ、７６Ｄに
当てて、プリント配線板内の短絡・断線を確認した。更
に、印刷工程を経て、製品番号等の印刷を行った。

【００７２】(22)最後に、図６（Ｖ）に示すよう上述し
た(18)の工程と同様に、酸素プラズマ７３によって、半
田バンプ７６Ｕ、７６Ｄの表面の汚染（特に、上記チェ
ッカー工程及び印刷工程で付着した油脂類）、および、
ソルダーレジスト層７０の表面の酸化膜層を除去すると
共に粗化層（図示せず）を形成させた。該酸素プラズマ
処理には、(18)の工程と同様に九州松下製プラズマクリ
ーニング装置（ＰＣ１２Ｆ−Ｇ型）を用い、真空状態に
した中に、プラズマ放射量８００Ｗ、酸素供給量３００
ｓｅｃ．／Ｍ、酸素供給圧０．１５ＭＰａ、処理時間１
０分で行った。この処理により、ソルダーレジスト層７
０表面を、接触角度４０°以下で８°に近い値まで低下
させ、最大粗さ（Ｒmax ）を０．１mm〜１００ｎｍにす
ることで、図７に示すプリント配線板１０を完成した。

【００７３】引き続き、該プリント配線板１０へのＩＣ
チップの載置及び、ドータボード９４への取り付けにつ
いて、図８を参照して説明する。完成したプリント配線
板１０の半田バンプ７６ＵにＩＣチップ９０の半田パッ
ド９２が対応するように、ＩＣチップ９０を載置し、リ
フローを行うことで、ＩＣチップ９０の取り付けを行
う。その後、ＩＣチップ９０とプリント配線板１０との
間に、アンダーフィル８８となる封止樹脂を充填する。
同様に、リフローによりプリント配線板１０の半田バン
プ７６Ｄにドータボード９４を取り付け、アンダーフィ
ル８８となる封止樹脂を充填する。

【００７４】この第１実施例の製造方法では、半田バン
プの形成前に酸素プラズマ７３によって、ソルダーレジ
スト層７０の表面を粗化した後、更に、半田バンプの形
成後に酸素プラズマ７３によって、ソルダーレジスト層
７０の表面を粗化するので、ソルダーレジスト層７０表
面の接触角度８°に近い値まで低下さ得る。このため、
ソルダーレジスト層７０とアンダーフィル８８との密着
性を非常に高めることが可能になり、ソルダーレジスト
層７０とアンダーフィル８８との界面を介しての水分の
侵入をほぼ完全に防ぐことができる。

【００７５】引き続き、本発明の第２実施例に係るプリ
ント配線板の製造方法について説明する。上述した第１
実施例では、半田バンプの形成前及び半田バンプの形成
後に、酸素プラズマ７３によってソルダーレジスト層７
０の表面を２回粗化した。これに対して、この第２実施
形態では、半田バンプの形成前に、酸素プラズマ７３に
よってソルダーレジスト層７０の表面を１回粗化した。
他の工程は、上述した第１実施例と同様であるため、説
明を省略する。

【００７６】（比較例）引き続き、該第２実施例に係る
製造方法と、比較例に係る製造方法によるプリント配線
板との比較試験の結果を説明する。この比較例のプリン
ト配線板は、基本的に第２実施例と同様であるが、酸素
プラズマによるソルダーレジスト層の表面処理を実施し
なかった。

【００７７】第２実施例および比較例で製造されたプリ
ント配線板について、ソルダーレジスト層表面の接触角
度、ニッケルめっき層、および、金めっき層の反応不良
発生率、厚み、半田バンプとの接続不良の発生率、実装
後のアンダーフィルとのピール強度、ＰＣＴ試験による
信頼性試験を行った。この実施例と比較例の評価結果を
図１１の図表中に示す。当該試験で、接触角度は、エル
マ販売（株）製 エルマ接触角測定３６０型にて測定し
た。反応不良発生率は顕微鏡（×５０）にて測定を行
い、めっき層の厚みは、電子顕微鏡（×１０００）にて
測定を行った。導通不良発生率は半田バンプと該当配線
との導通試験を行い測定した。ピール強度は、ソルダー
レジスト層にアンダーフィルを塗布、硬化後に、ピール
測定を実施した。信頼性試験は、ＰＣＴ試験（温度１２
０℃、圧力２気圧、２００時間）後、ＩＣチップとの導
通の確認を行い、動作異常の発生率を調べた。

【００７８】第２実施例のプリント配線板は、濡れ性
（接触角度３５°）が向上し、アンターフィルとの密着
性が高まっている（ピール強度１５ｋｇｆ／cm² ）。こ
れにより、ＰＣＴ試験においても異常が発生しなかっ
た。更に、金属表面（導体回路１５８及びバイアホール
１６０の粗化面６２の表面）の有機残渣が酸素プラズマ
で除去されるため、ニッケルめっき層、および、金めっ
き層の反応不良発生率が低減している。なお、めっき層
の厚みは比較例と同等であった。

【００７９】引き続き、本発明の第３実施例に係るプリ
ント配線板の製造方法について説明する。上述した第１
実施例では、半田バンプの形成前及び半田バンプの形成
後に、酸素プラズマ７３によってソルダーレジスト層７
０の表面を２回粗化した。これに対して、この第３実施
形態では、半田バンプの形成後に、酸素プラズマ７３に
よってソルダーレジスト層７０の表面を１回粗化した。
他の工程は、上述した第１実施例と同様であるため、説
明を省略する。

【００８０】第３実施例および第２実施例の比較に用い
たプリント配線板について、ソルダーレジスト層表面の
接触角度、ニッケルめっき層、および、金めっき層の反
応不良発生率、厚み、半田バンプとの接続不良の発生
率、実装後のアンダーフィルとのピール強度、ＰＣＴ試
験による信頼性試験を行った。この実施例と比較例の評
価結果を図１２の図表中に示す。当該試験で、接触角度
は、エルマ販売（株）製エルマ接触角測定３６０型にて
測定した。最大粗さは、Digital Instruments社製 Nan
oScope2 にて測定を行った。実装不良発生率は顕微鏡
（×１０００）で接続の検査を実施し、ＩＣチップとの
バンプの接続不良をカウントした。ピール強度は、ソル
ダーレジスト層にアンダーフィルを塗布、硬化後に、ピ
ール測定を実施した。信頼性試験は、ＰＣＴ試験（温度
１２０℃、圧力２気圧、２００時間）後、ＩＣチップと
の導通の確認を行い、動作異常の発生率を調べた。

【００８１】第３実施例のプリント配線板は、濡れ性
（接触角度３０°）が向上し、表面が粗され（最大粗さ
（Ｒmax ）２０．０ｎｍ）ているため、アンターフィル
との密着性が高まっている（ピール強度１７ｋｇｆ／cm
² ）。これにより、ＰＣＴ試験においても異常が発生し
なかった。更に、半田バンプ７６Ｕ、７６Ｄの表面の汚
れ（チェッカー工程及び印刷工程で付着した油脂類等）
が除去されているため、ＩＣチップとの接続不良の発生
率が低下している（発生率０％）。

【００８２】引き続き、図９を参照して本発明の第４実
施例に係るプリント配線板について説明する。上述した
第１〜第３実施例では、導体回路１５８及びバイアホー
ル１６０の粗化層１６２の上方に配設されたニッケルめ
っき層及び金めっき層を介して半田バンプが形成されて
いたが、この第４実施例では、導体回路１５８及びバイ
アホール１６０の粗化層１６２の上方に半田バンプ７６
Ｕ、７６Ｄが直接形成されている。係る、プリント配線
板においても、第１実施例と同様に、半田バンプの形成
前及び半田バンプの形成後に、酸素プラズマ７３によっ
てソルダーレジスト層７０の表面を２回粗化すること
も、また、第２、第３実施形態と同様に半田バンプの形
成後又は前に、酸素プラズマ７３によってソルダーレジ
スト層７０の表面を１回粗化することも可能である。

【００８３】引き続き、図１０を参照して本発明の第５
実施例に係るプリント配線板について説明する。上述し
た第１〜第４実施例では、半田パッドとして作用するバ
イアホール１６０は、ソルダーレジスト層７０により、
その一部分が露出した形態に形成されていた。これに対
して、第５実施例のプリント配線板では、バイアホール
１６０は、ソルダーレジスト層７０から全部が露出され
るよう形成されている。この第５実施例のプリント配線
板では、ソルダーレジスト７０の開口７１の位置ずれの
許容範囲を大きくすることができる。この第５実施例の
プリント配線板でも、第１実施例と同様に、半田バンプ
の形成前及び半田バンプの形成後に、酸素プラズマ７３
によってソルダーレジスト層７０の表面を２回粗化する
ことも、また、第２、第３実施形態と同様に半田バンプ
の形成後又は前に、酸素プラズマ７３によってソルダー
レジスト層７０の表面を１回粗化することも可能であ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１（Ａ）、図１（Ｂ）、図１（Ｃ）、図１
（Ｄ）は、本発明の第１実施例に係るプリント配線板の
製造方法の工程図である。

【図２】図２（Ｅ）、図２（Ｆ）、図２（Ｇ）、図２
（Ｈ）は、本発明の第１実施例に係るプリント配線板の
製造方法の工程図である。

【図３】図３（Ｉ）、図３（Ｊ）、図３（Ｋ）、図３
（Ｌ）は、本発明の第１実施例に係るプリント配線板の
製造方法の工程図である。

【図４】図４（Ｍ）、図４（Ｎ）、図４（Ｏ）、図４
（Ｐ）は、本発明の第１実施例に係るプリント配線板の
製造方法の工程図である。

【図５】図５（Ｑ）、図５（Ｒ）、図５（Ｓ）は、本発
明の第１実施例に係るプリント配線板の製造方法の工程
図である。

【図６】図６（Ｔ）、図６（Ｕ）、図６（Ｖ）は、本発
明の第１実施例に係るプリント配線板の製造方法の工程
図である。

【図７】本発明の第１実施例に係る製造方法によるプリ
ント配線板の断面図である。

【図８】本発明の第１実施例に係る製造方法によるプリ
ント配線板にＩＣチップを載置させた状態を示す断面図
である。

【図９】本発明の第４実施例に係る製造方法によるプリ
ント配線板の断面図である。

【図１０】本発明の第５実施例に係る製造方法によるプ
リント配線板の断面図である。

【図１１】本発明の第２実施例に係る製造方法によるプ
リント配線板と比較例のプリント配線板との試験結果を
示す図表である。

【図１２】本発明の第３実施例に係る製造方法によるプ
リント配線板と比較例のプリント配線板との試験結果を
示す図表である。

【図１３】従来技術に係る製造方法によるプリント配線
板の断面図である。

【符号の説明】

３０ コア基板 ５０ 層間樹脂絶縁層 ５８ 導体回路 ６０ バイアホール ７０ ソルダーレジスト ７１ 開口 ７２ ニッケルめっき層 ７４ 金めっき層 ７５ 半田パッド １５０ 層間樹脂絶縁層 １５８ 導体回路 １６０ バイアホール

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成１１年１月１９日（１９９９．１．１
９）

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】特許請求の範囲

【補正方法】変更

【補正内容】

【特許請求の範囲】

フロントページの続き Ｆターム(参考） 5E314 AA24 BB03 BB12 CC11 CC20 DD02 GG26 5E319 AA03 AA08 AB05 AC01 AC11 BB02 CC33 CD01 CD25 GG03 5E346 AA06 AA41 CC08 CC52 CC57 CC58 DD15 FF04 GG15 GG16 GG17 GG22 GG27 HH31

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に形成された半田パッドとなる導
   体上に、ソルダーレジスト層が形成され、該ソルダーレ
   ジスト層には、半田パッドとなる導体の少なくとも一部
   を露出させる開口を設けて、その開口部に半田バンプが
   形成されてなるプリント配線基板において、 ソルダーレジスト層の表面は、接触角度８〜４０°を有
   することを特徴とするプリント配線基板。
2. 【請求項２】 ソルダ−レジスト表面の最大粗さ（Ｒma
   x ）０．１〜１００ｎｍにすること特徴とするプリント
   配線基板。
3. 【請求項３】 前記開口には、ニッケルめっき層及び金
   めっき層が形成されてなる請求項１または２に記載のプ
   リント配線基板。
4. 【請求項４】 前記半田パッドとなる導体表面には、粗
   化面が形成されてなる請求項１〜３に記載のプリン配線
   基板。
5. 【請求項５】 基板上に半田パッドとなる導体を形成す
   る工程と、 該基板上に、半田パッドとなる導体の少なくとも一部を
   露出させる開口を設けてソルダーレジスト層を形成する
   工程と、 前記導体上にニッケルめっき層及び金めっき層を形成し
   た後、または、前記導体上に直接、半田バンプを形成す
   る工程と、 前記ソルダーレジスト表面を気体プラズマ処理する工程
   と、を備えることを特徴とするプリント配線基板の製造
   方法。
6. 【請求項６】 前記プラズマ処理は、酸素、窒素、炭酸
   ガス、四フッ化炭素から選ばれる少なくとも１種以上で
   ある請求項５に記載のプリント配線基板の製造方法。
7. 【請求項７】 前記プラズマ処理は、プラズマの放射量
   ５００〜１０００Ｗで、酸素プラズマにより１〜１５分
   間処理する請求項５に記載のプリント配線基板の製造方
   法。