JP4036564B2 - プリント配線板の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、ソルダーレジスト層に形成した半田バンプ形成用パッド上に半田ペーストを印刷する方法に特徴を有するプリント配線板の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
いわゆる多層ビルドアップ配線基板と呼ばれる多層プリント配線板は、セミアディティブ法等により製造されており、コアと呼ばれる0.5〜1.5mm程度のガラスクロス等で補強された樹脂基板の上に、銅等による導体回路と層間樹脂絶縁層とを交互に積層することにより作製される。この多層プリント配線板の層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の接続は、バイアホールにより行われている。
【0003】
従来、ビルドアップ多層プリント配線板は、例えば、特開平9−130050号公報等に開示された方法により製造されている。
すなわち、まず、銅箔が貼り付けられた銅貼積層板に貫通孔を形成し、続いて無電解銅めっき処理を施すことによりスルーホールを形成する。続いて、基板の表面をフォトリソグラフィーの手法を用いて導体パターン状にエッチング処理して導体回路を形成する。次に、形成された導体回路の表面に、無電解めっきやエッチング等により粗化面を形成し、その粗化面を有する導体回路上に絶縁樹脂層を形成した後、露光、現像処理を行ってバイアホール用開口を形成し、その後、UV硬化、本硬化を経て層間樹脂絶縁層を形成する。
【0004】
さらに、層間樹脂絶縁層に酸や酸化剤などにより粗化形成処理を施した後、薄い無電解めっき膜を形成し、この無電解めっき膜上にめっきレジストを形成した後、電解めっきにより厚付けを行い、めっきレジスト剥離後にエッチングを行って、下層の導体回路とバイアホールにより接続された導体回路を形成する。
これを繰り返した後、最後に導体回路を保護するためのソルダーレジスト層を形成し、ICチップ等の電子部品やマザーボード等との接続のために開口を露出させた部分にめっき等を施して半田バンプ形成用パッドとした後、ICチップ等の電子部品側に半田ペーストを印刷して半田バンプを形成することにより、ビルドアップ多層プリント配線板を製造する。また、必要に応じて、マザーボード側にも半田バンプを形成する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ソルダーレジスト層に形成された半田バンプ形成用パッドは、フラットな導体回路上に形成され、平坦なものと、バイアホール上に形成され、その中心に10〜120μmの径の窪みを有するものの2種類がある。
【0006】
中心に窪みを有する半田バンプ形成用パッドは、半田ペーストを充填した際、半田ペーストの粘度等によっては完全に窪み付近が充填されない場合があり、これに起因して半田バンプの窪み部分やその付近にボイドが形成されることがある。
【0007】
この半田バンプ内に形成されたボイドは、リフロー時や、ICチップなどの電子部品が動作した際の発熱で、拡散したり膨張したりし、これに起因して、半田バンプや半田バンプ形成用パッドに剥がれやクラックが発生し、接続性、信頼性に悪影響を与えるという問題があった。
【0008】
近年、ICチップなどの電子部品の高密度化、高集積化に伴い、基板の半田バンプも同様に狭ピッチ化、ファイン化が進行しているため、ボイドが与える悪影響も顕著に現れるようになってきた。
【0009】
このボイドを低減させる方法としては、半田ペーストの粘度を下げる方法が考えられるが、この方法では、半田バンプのボイドは低減されるものの、半田バンプの形状や高さの均一性が損なわれ、ICチップ等の電子部品との接続が不良となったり、印刷時に半田ペーストがソルダーレジスト層の表面に滲んでしまい、半田バンプ間の短絡を引き起こしてしまうという問題が発生してしまう。
【0010】
また、半田ペーストの印刷時に使用するマスクの開口径を変更する方法、ピーク温度、余熱温度、コンベアスピード等のリフロー条件を変更する方法、スキージ速度や印刷圧力などの印刷条件の変更を行うことによりボイドを低減させる方法等も考えられるが、このような方法では望ましい結果を得ることはできなかった。
【0011】
本発明は、上記課題に鑑み、ボイドを低減させ、半田バンプの形状や高さの均一性を確保し、半田ペーストによるソルダーレジスト層上のニジミによる半田バンプ間の短絡を防止することにより、ICチップなどの電子部品との接続を確実に行うことができる接続性、信頼性に優れたプリント配線板を得ることを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】
発明者は上記課題に鑑みて鋭意研究した結果、1回目の粘度の低い半田ペーストを用いた印刷で凹形状の半田バンプ形成用パッドに半田ペーストを充填し、ソルダーレジスト層の表面を略平坦にした後、この半田ペーストが充填された半田バンプ形成用パッドの上に、再度、粘度を上げた半田ペーストを印刷することにより、半田ペーストによるソルダーレジスト層上のニジミがなく、均一な形状、高さを有するとともに、相互間で短絡のない半田バンプ形成用パッドを有するプリント配線板を製造することができることを見いだし、以下に示す内容を要旨構成とする発明に到達した。
【0013】
即ち、本発明のプリント配線板の製造方法は、形成した導体回路上に層間絶縁層を形成する工程を繰り返して、絶縁性基板上に層間絶縁層を挟んだ複数層からなる導体回路を形成した後、最上層の導体回路上にソルダーレジスト層を設け、上記ソルダーレジスト層の一部を開口して複数の半田バンプ形成用パッドを形成し、上記半田バンプ形成用パッドに半田ペーストを印刷して半田バンプを形成するプリント配線板の製造方法であって、
1回目の半田ペーストの印刷で凹形状の半田バンプ形成用パッドに半田ペーストを充填した後、さらに1回以上半田ペーストの印刷を行い、半田バンプを形成することを特徴とする。
【0014】
上記プリント配線板の製造方法においては、第一の方法として、2回の半田ペーストの印刷工程を行った後リフロー工程を行い、半田バンプを形成する方法を採用することができる。
【0015】
また、第二の方法として、全半田バンプ形成用パッドの一部に対向する部分にのみ開口部が形成され、開口部同士の間隔が広くとられたマスクを用いて、2回目の半田ペーストの印刷を行い、3回目以降の印刷で2回目に印刷されなかった半田バンプ形成用パッド部分が開口されたマスクを用いて印刷処理を行う方法も採用することができる。
上記第二の方法において、3回目以降の半田ペーストの印刷においては、ソルダーレジストに当接する側の、前に形成した半田バンプ形成用パッドに対向する部分に凹部が形成されたマスクを用いることが望ましい。
【0016】
これらのプリント配線板の製造方法においては、1回目の半田ペーストの印刷で、形成された半田ペースト層の上面がソルダーレジスト層の表面と略同一となるように、半田バンプ形成用パッドに半田ペーストを充填する方法をとることができる。
また、1回目の半田ペーストの印刷で、形成された半田ペースト層の上面がソルダーレジスト層の表面より下になるように、半田バンプ形成用パッドに半田ペーストを充填する方法もとることができる。
さらに、1回目の半田ペーストの印刷で、窪みを有する半田バンプ形成用パッドのみに、その窪み部分が充填される程度に半田ペーストを充填する方法もとることができる。
上記プリント配線板の製造方法においては、1回目の半田ペーストの印刷工程に続いてリフロー工程を行い、次の半田ペーストの印刷工程を行う方法も採用することもできる。
【0017】
【発明の実施の形態】
本発明のプリント配線板の製造方法は、形成した導体回路上に層間絶縁層を形成する工程を繰り返して、絶縁性基板上に層間絶縁層を挟んだ複数層からなる導体回路を形成した後、最上層の導体回路上にソルダーレジスト層を設け、上記ソルダーレジスト層の一部を開口して複数の半田バンプ形成用パッドを形成し、上記半田バンプ形成用パッドに半田ペーストを印刷して半田バンプを形成するプリント配線板の製造方法であって、
1回目の半田ペーストの印刷で凹形状の半田バンプ形成用パッドに半田ペーストを充填した後、さらに1回以上半田ペーストの印刷を行い、半田バンプを形成することを特徴とする。
【0018】
上記プリント配線板の製造方法によれば、1回目の半田ペーストの印刷で、粘度の低い半田ペーストを用いることにより、底部がフラットな半田バンプ形成用パッドのみでなく、低部に窪みを有する半田バンプ形成用パッドにも充填性よく半田ペーストを充填することができ、この充填工程によりソルダーレジスト層の表面を略平坦化した後、この半田ペーストが充填された半田バンプ形成用パッドの上に、粘度を上げた半田ペーストを印刷することにより、半田ペーストによるソルダーレジスト層の汚染がなく、均一な形状及び高さを有するとともに、相互間で短絡のない半田バンプ形成用パッドを形成することができ、接続性及び信頼性に優れたプリント配線板を製造することができる。
また、1回目の印刷で粘度の低い半田ペーストを使用しているので、形成した半田バンプにボイド等が発生することはない。
【0019】
次に、本発明のプリント配線板の製造方法における半田バンプの形成方法について説明する。
本発明では、種々の工程の後、導体回路上にソルダーレジスト層を形成し、半田バンプ形成用パッドとなる部分を開口する。この半田バンプ形成用パッドの開口は、フォトリソグラフィーを用いた方法、レーザを用いた方法、パンチング法などで行われる。平面視した開口部の形状は特に限定されず、例えば、円形、長円形、正方形、長方形などが挙げられるが、半田ペースト層を形成しやすい点、配線等を行う際の設計の自由度が拡がる点、半田バンプ形状の安定性の点等から円形が望ましい。
【0020】
なお、導体回路上には粗化層が形成されており、その粗化層により、ソルダーレジスト層と導体回路との密着が確保されている。この粗化層は、平均粗度で0.5〜10μmが望ましく、1〜5μmがより望ましい。上記粗化層は、無電解めっき、エッチング、酸化−還元処理や研磨処理などにより形成されることが望ましい。また、ソルダーレジスト層の厚みは、5〜70μmが望ましい。5μm未満である場合は、ソルダーレジスト層の剥がれやクラックの発生等が起こり、70μmを越えると開口部を形成しにくくなるからである。
【0021】
開口により露出した導体回路部分は、通常、ニッケル、パラジウム、金、銀、白金等の耐食性金属で被覆する。具体的には、ニッケル−金、ニッケル−銀、ニッケル−パラジウム、ニッケル−パラジウム−金などの金属により被覆層を形成する。上記被覆層は、例えば、めっき法、蒸着法、電着法などによって形成するが、これらのなかでは、膜の均一性という点からめっき法が望ましい。
【0022】
次に、本発明では1回目の半田ペーストの印刷を行い、凹形状の半田バンプ形成用パッドに半田ペーストを充填した後、さらに1回以上半田ペーストの印刷を行い、半田バンプを形成する。
【0023】
上記のように、本発明では、少なくとも2回以上半田ペーストの印刷を行うが、図1に示すように、1回目の半田ペーストの印刷の後、1回の半田ペーストの印刷で全半田バンプ形成用パッド部分に半田ペースト層22bを形成してもよく、図3に示すように、2回目以降の半田ペーストの印刷を複数回に分けて行うことにより、半田ペースト層22c、22dを形成してもよい。
【0024】
1回目以降の印刷以降、1回で印刷を終了するか、または、複数回印刷を行うかは、半田バンプのピッチ(距離)、高さ、半田バンプの形状、半田ペーストの組成、粒度、粒径等により異なり、一概には言えないが、例えば、半田バンプ間の距離が極めて狭い場合には、マスクの作成が難しくなるため、複数回の印刷を行うことが望ましい。
【0025】
図1(a)〜(c)は、2回で半田ペーストの印刷工程を終了する場合の各工程を模式的に示した断面図である。
本方法では、まず、半田バンプ形成用パッド21a、21bが形成されたソルダーレジスト層14(図1(a)参照)に、半田ペーストを充填し、半田ペースト層22aを形成し、ソルダーレジスト層14上面を略平坦化する(図1(b)参照)。
なお、図1において、21bは、中心に窪みが形成された半田バンプ形成用パッドを表しており、半田バンプ形成用パッドの下に存在する導体回路は省略している。
【0026】
半田ペーストの充填は、印刷、ポッティング、半田めっきのいずれの方法でも行うことができるが、一度で全ての半田バンプ形成用パッドに充填することができ、また、半田ペーストの充填量を制御しやすい点から印刷法により行うことが望ましい。また、印刷法を採用した場合、スキージ等を用いてソルダーレジスト層表面に半田ペーストを直接印刷し、半田バンプ形成用パッドを充填する方法もあるが、その後ソルダーレジスト層表面に付着した半田ペーストを完全に除去することが困難なため、マスクを用い、マスクの開口部を介して半田ペーストを半田バンプ形成用パッドに充填する方法が好ましい。
【0027】
この1回目の印刷では、ソルダーレジスト層14の全ての半田バンプ形成用パッド21a、21bに対向する部分に開口が形成されたたマスクを用い、このマスクをソルダーレジスト層14の表面に載置した後、スキージ等を用いて半田ペーストを凹形状の半田バンプ形成用パッド21a、21bに充填する。
【0028】
上記マスクの開口部は、ソルダーレジスト層に対して平行な壁面を有するように形成されていてもよく、徐々にソルダーレジスト層側に拡径する形態のテーパが形成されてもよい。
【0029】
この工程で用いる半田ペーストは、後述する工程で用いる半田ペーストと溶剤の量、フラックスの含有量を除いて同じ組成のものが望ましい。上に形成する半田ペーストと同じ組成のものを用いることにより、形成された半田バンプ全体が同じ組成のものとなり、半田バンプ内における金属拡散も同じとなり、ICチップなどの電子部品から伝達信号の遅延などもなくなるからである。なお、半田ペーストの組成等については後述する。
【0030】
この半田バンプ形成用パッド充填用の半田ペーストの粘度は、後工程で使用する半田ペーストより低いものが望ましい。流動性を上げることにより、半田バンプ形成用パッド21bの窪みを完全に充填するためである。半田ペーストの粘度を低下させる方法としては、余分に溶剤を加えたり、フラック含有量を多くしたり、半田粒子の粒径を小さくする方法等が挙げられる。後工程で使用する半田ペーストとの粘度の差は、10〜150Pa.sが望ましく、特に半田ペースト層を作製しやすい点から50〜100Pa.sが望ましい。
上記方法により、半田バンプ形成用パッド21bの窪みにも半田ペーストを完全に充填することができるため、ボイドの発生等を防止することができる。また、ソルダーレジスト表面が略平坦化されるため、この半田ペーストが充填された半田バンプの上に、同じ量の半田ペーストを上乗せした形で印刷することができ、高さや形状の揃った半田バンプを形成することができる。
【0031】
上記工程の後、リフロー工程を行って一定の硬度を有する半田層を形成した後、上乗せする半田ペースト層を形成してもよく、そのまま2回目以降の半田ペーストの印刷を行い、最後にリフロー工程を行うことにより半田バンプを形成してもよいが、後工程で使用する半田ペーストとの混濁を防止し、ボイドを確実になくし、また、印刷位置ずれ等による半田ペーストのニジミをなくすために、1回目の印刷工程の後、リフロー工程を行うことが望ましい。
【0032】
次に、図1(c)に示すように、全ての半田バンプ形成用パッドに対向する部分に開口が形成されたマスク23を用い、このマスク23をソルダーレジスト層14の表面に載置した後、スキージ等を用いてマスク23の開口内に半田ペースト22bを押し込む。
この後、リフロー工程を行うことにより、半田ペーストによるソルダーレジスト層14表面の汚染がなく、均一な形状及び高さを有するとともに、相互間で短絡のない半田バンプ形成用パッドを形成することができ、接続性及び信頼性に優れたプリント配線板を製造することができる。
【0033】
なお、図1(b)に示した充填工程において、図2(a)に示すように、半田ペースト層22aの上面がソルダーレジスト層14の表面より下になるように、半田ペーストを充填してもよく、図2(b)に示すように、窪みを有する半田バンプ形成用パッド21bのみに、その窪み部分が充填される程度に半田ペースト層22aを形成してもよい。
これらの工程の後、図1に示した工程と同様に半田ペースト層22bを形成するが、初めに充填した量に応じて後の半田ペーストの供給量を調製する。
【0034】
次に、1回目の印刷工程の後、複数回で半田ペーストの印刷を行う方法について説明する。
この方法では、例えば、図3(a)に示したように、全半田バンプ形成用パッドの一部に対向する部分にのみ開口部が形成され、開口部同士の間隔が広くとられたマスク24を用いて2回目の印刷処理を行い、半田ペースト層22cを形成し、3回目の印刷で2回目に印刷されなかった半田バンプ形成用パッド部分が開口されたマスク25を用いて印刷処理を行い、半田ペースト層22dを形成する。この場合、4回以上に印刷工程を分けてもよいが、印刷工程が複雑化するのを避けるには、3回で印刷を終了させることが望ましい。
【0035】
ここで、「開口部同士の間隔が広くとられた」とは、マスクの全半田バンプ形成用パッドに対向する部分に開口部が形成された場合と比較して、マスクの開口部同士の間隔が広くとられていることを意味する。
【0036】
このマスクを用いることにより、マスクの開口部同士の間隔を広くとることができるので、マスクの開口に機械的な問題は発生せず、マスク自体の強度を保つことができ、半田印刷中にマスクの破損や反りが生じることもないため、形成した半田バンプ間で短絡等の問題が発生しにくい。従って、この方法は、半田バンプ形成用パッド間の距離が極めて狭い場合に有効である。
【0037】
具体的には、一定配列の半田バンプ形成用パッドが形成されたソルダーレジスト層に上記マスク等を用いて半田ペーストを印刷する際には、例えば、2回目の印刷工程で、隔列の半田バンプ形成用パッドに対向する部分に開口が形成されたマスクを用い、隔列の半田バンプ形成用パッドに半田ペースト層を形成し、3回目の印刷工程において、残りの半田バンプ形成用パッドに半田ペースト層を形成する。
【0038】
なお、3回目以降の印刷においては、ソルダーレジスト層に当接する側の、前に形成した半田バンプ形成用パッドに対向する部分に凹部(以下、ザグリという)が形成されたマスクを用いることが望ましい。
ザグリ25aが形成されたマスク25(図3(b)参照)を用いることにより、マスク25による半田バンプの損傷をなくすとともに、半田ペーストがマスクの裏側に付着し、続いてソルダーレジスト層14の表面に付着することに起因する短絡を防止することができるからである。
本方法においても、1回目の印刷で、図2に示したように、半田ペースト層の上面がソルダーレジスト層の表面より下になるように、半田ペーストを充填してもよく、窪みを有する半田バンプ形成用パッドのみに、その窪み部分が充填される程度に半田ペースト層を形成してもよい。
【0039】
2回目以降の印刷に用いるマスクの開口部は、ソルダーレジスト層に対して平行な壁面を有するように形成されていてもよく、徐々にソルダーレジスト層側に拡径する形態のテーパが形成されてもよいが、半田ペーストがマスクにひっかからないようにするためには、テーパが形成されていることが望ましい。
【0040】
開口部のテーパは、マスクのソルダーレジスト層側の最も広い部分の幅と半田ペースト入口の最も狭い部分幅との差が、0〜25μmであることが望ましく、0〜10μmがより望ましい。このようなテーパを設けることにより、半田ペーストのマスクからの抜け性が向上するので、半田バンプ形成用パッド部分に半田ペースト層を形成しやすくなり、半田バンプの形状、大きさを均一に保持することができる。
【0041】
本発明で半田ペーストの印刷に使用されるマスクの種類としては特に限定されず、プリント配線板の製造用印刷マスクやその他の印刷マスクで用いられている材質すべてのものを用いることができる。具体的には、例えば、ニッケル合金、ニッケル−コバルト合金、SUS等からなるメタルマスク;エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等からなるプラスチックマスク等が挙げられる。マスクの製造方法としてはエッチング、アディテイブ加工、レーザ加工等が挙げられる。
【0042】
マスクの厚みは、20〜70μmが望ましく、35〜50μmがより望ましい。上記範囲の厚みに設定することにより、半田ペーストの開口部の抜け性がよく、ザグリを設けても機械的な強度に問題が生じないからある。また、上記範囲の厚みに設定することにより、半田ペースト種類を変更した場合や、その粘度を変更した場合に、マスクの開口径などの設計変更を容易に行うことができる。
【0043】
マスク厚みが20μm未満であると、マスクの作製が困難で、形成されるバンプの高さが均一になりにくく、半田バンプ形成における望ましい幅のテーパ、ザグリを形成するのが難しくなる。また、逆にマスクの厚みが70μmを超えると、半田ペーストの抜け性が低下してしまい、開口部内にペーストが残留してしまうために、半田バンプの形状、高さが均一でなくなることがあり、半田バンプが狭ピッチ化、ファイン化されるにつれて、半田バンプの形成が難しくなる。
【0044】
印刷の際に用いる半田ペーストとしては特に限定されず、一般にプリント配線板の製造で使用されているものすべてを用いることができる。具体的には、例えば、Sn:Pb(重量比)=63:37、Sn:Pb:Ag=62:36:2、Sn:Ag=96.5:3.5等からなるものが挙げられる。また、半田粒子径は、5〜40μmが好ましい。2回目以降で用いる半田ペーストの粘度は、23℃のおいて、100〜400Pa.sが望ましい。半田ペーストの粘度が100Pa.sより低いと、半田バンプの形状を保持することができず、400Pa.sを超えると、半田バンプ形成用パッド部分に半田ペースト層を良好に形成することができなくなるからである。
【0045】
半田ペーストを印刷する際には、通常、印刷用スキージを用いる。この印刷形成用スキージの材質は特に限定されず、例えば、ポリエチレンなどのゴム;鉄、ステンレスなどの金属;セラミックなど一般にプリント配線板の印刷に用いられる材質を使用することができる。
【0046】
上記スキージの形状に関しては、平型、角型などの種々の形状のものが挙げられる。上記形状のスキージに、適時切れ込みを入れることにより半田ペーストの充填性を向上させてもよい。
上記スキージの厚みは、10〜30mmが望ましく、15〜25mmがより望ましい。繰り返し印刷を行っても、反りやたわみがないからである。
【0047】
しかし、スキージの目減り、摩耗による再現性や半田ペーストへの異物混入を考慮すると、金属製のものが望ましい。金属製の場合には、スキージの厚みは、50〜300μmが望ましい。
また、密閉式のスキージユニットによる印刷を行ってもよい。このようなスキージとしては、例えば、エアー圧入型、ローラー圧入型、ピストン圧入型等が挙げられる。
【0048】
本発明の半田バンプの形成方法で形成する半田バンプの形状は半円球状で、その高さは5〜50μmとなり、均一な高さや形状を有する半田バンプを形成することができる。
リフローは、窒素などの不活性雰囲気下、150〜300℃の温度範囲で行うことが望ましい。リフロー温度は、半田組成により設定する。
【0049】
次に、本発明のプリント配線板の製造方法について、簡単に説明する。
(1) 本発明のプリント配線板の製造方法においては、まず、絶縁性基板の表面に導体回路が形成された基板を作製する。
【0050】
絶縁性基板としては、樹脂基板が望ましく、具体的には、例えば、ガラスエポキシ基板、ポリイミド基板、ビスマレイミド−トリアジン樹脂基板、フッ素樹脂基板、セラミック基板、銅貼積層板などが挙げられる。
本発明では、この絶縁性基板にドリル等で貫通孔を設け、該貫通孔の壁面および銅箔表面に無電解めっきを施して表面導電膜およびスルーホールを形成する。無電解めっきとしては銅めっきが好ましい。
【0051】
この無電解めっきの後、通常、スルーホール内壁および電解めっき膜表面の粗化形成処理を行う。粗化形成処理方法としては、例えば、黒化(酸化)−還元処理、有機酸と第二銅錯体の混合水溶液によるスプレー処理、Cu−Ni−P針状合金めっきによる処理などが挙げられる。
【0052】
(2) 次に、無電解めっきが施された基板上に導体回路形状のエッチングレジストを形成し、エッチングを行うことにより導体回路を形成する。次に、この導体回路が形成された基板表面に樹脂充填剤を塗布、乾燥させて半硬化状態とした後、研摩を行い、樹脂充填材の層を研削するとともに、導体回路の上部も研削し、基板の両主面を平坦化する。この後、樹脂充填材の層を完全硬化する。
【0053】
(3) 次に、導体回路上に粗化層を形成する。粗化処理方法としては、例えば、黒化(酸化)−還元処理、有機酸と第二銅錯体の混合水溶液によるスプレー処理、Cu−Ni−P合金めっきによる処理などが挙げられる。
【0054】
(4) ついで、形成された粗化層表面に、スズ、亜鉛、銅、ニッケル、コバルト、タリウム、鉛等からなる被覆層を無電解めっき、蒸着などにより形成する。上記被覆層を0.01〜2μmの範囲で析出させることにより、層間絶縁層から露出した導体回路を粗化液やエッチング液から保護し、内層パターンの変色、溶解を確実に防止することができるからである。
【0055】
(5) この後、粗化層が形成された導体回路上に層間樹脂絶縁層を設ける。
層間樹脂絶縁層の材料としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂の一部を感光化した樹脂またはこれらの複合樹脂を使用することができる。
層間絶縁層は、未硬化の樹脂を塗布して形成してもよく、また、未硬化の樹脂フィルムを熱圧着して形成してもよい。さらに、未硬化の樹脂フィルムの片面に銅箔などの金属層が形成された樹脂フィルムを貼付してもよい。このような樹脂フィルムを使用する場合は、バイアホール形成部分の金属層をエッチングした後、レーザ光を照射して開口を設ける。金属層が形成された樹脂フィルムとしては、樹脂付き銅箔などを使用することができる。
【0056】
上記層間絶縁層を形成する際に、無電解めっき用接着剤層を使用することができる。この無電解めっき用接着剤は、硬化処理された酸あるいは酸化剤に可溶性の耐熱性樹脂粒子が、酸あるいは酸化剤に難溶性の未硬化の耐熱性樹脂中に分散されてなるものが最適である。酸、酸化剤で処理することにより、耐熱性樹脂粒子が溶解除去されて、表面に蛸つぼ状のアンカーからなる粗化面を形成できるからである。
【0057】
上記無電解めっき用接着剤において、特に硬化処理された上記耐熱性樹脂粒子としては、(a) 平均粒径が10μm以下の耐熱性樹脂粉末、(b) 平均粒径が2μm以下の耐熱性樹脂粉末を凝集させた凝集粒子、(c) 平均粒径が2〜10μmの耐熱性粉末樹脂粉末と平均粒径が2μm以下の耐熱性樹脂粉末との混合物、(d) 平均粒径が2〜10μmの耐熱性樹脂粉末の表面に平均粒径が2μm以下の耐熱性樹脂粉末または無機粉末のいずれか少なくとも1種を付着させてなる疑似粒子、(e) 平均粒径が0.1〜0.8μmの耐熱性粉末樹脂粉末と平均粒径が0.8μmを超え、2μm未満の耐熱性樹脂粉末との混合物、(f) 平均粒径が0.1〜1.0μmの耐熱性粉末樹脂粉末を用いることが望ましい。これらは、より複雑なアンカーを形成することができるからである。
【0058】
上記酸あるいは酸化剤に難溶性の耐熱性樹脂としては、「熱硬化性樹脂および熱可塑性樹脂からなる樹脂複合体」または「感光性樹脂および熱可塑性樹脂からなる樹脂複合体」などが望ましい。前者については耐熱性が高く、後者についてはバイアホール用の開口をフォトリソグラフィーにより形成できるからである。
【0059】
上記熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂などを使用することができる。また、感光化した樹脂としては、メタクリル酸やアクリル酸などと熱硬化基をアクリル化反応させたものが挙げられる。特にエポキシ樹脂をアクリレート化したものが最適である。
エポキシ樹脂としては、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型、などのノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変成した脂環式エポキシ樹脂などを使用することができる。
【0060】
熱可塑性樹脂としては、ポリエーテルスルフォン(PES)、ポリスルフォン(PSF)、ポリフェニレンスルフォン(PPS)、ポリフェニレンサルファイド(PPES)、ポリフェニルエーテル(PPE)、ポリエーテルイミド(PI)、フッ素樹脂などを使用することができる。
熱硬化性樹脂(感光性樹脂)と熱可塑性樹脂の混合割合は、熱硬化性樹脂(感光性樹脂)/熱可塑性樹脂=95/5〜50/50が望ましい。耐熱性を損なうことなく、高い靱性値を確保できるからである。
【0061】
上記耐熱性樹脂粒子の混合重量比は、耐熱性樹脂マトリックスの固形分に対して5〜50重量%が望ましく、10〜40重量%がさらに望ましい。
耐熱性樹脂粒子は、アミノ樹脂(メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン樹脂)、エポキシ樹脂などが望ましい。
【0062】
(6) 次に、層間絶縁樹脂層を硬化する一方で、その層間樹脂樹脂層にはバイアホ−ル形成用の開口を設ける。
層間絶縁樹脂層の開口は、無電解めっき用接着剤の樹脂マトリックスが熱硬化樹脂である場合は、レ−ザ−光や酸素プラズマ等を用いて行い、感光性樹脂である場合には、露光現像処理にて行う。なお、露光現像処理は、バイアホ−ル形成のための円パタ−ンが描画されたフォトマスク(ガラス基板がよい)を、円パタ−ン側を感光性の層間樹脂絶縁層の上に密着させて載置した後、露光し、現像処理液に浸漬するか、現像処理液をスプレーすることにより行う。
充分な凹凸形状の粗化面を有する導体回路上に形成された層間樹脂絶縁層を硬化させることにより、導体回路との密着性に優れた層間樹脂絶縁層を形成することができる。
【0063】
(7) 次に、バイアホ−ル用開口を設けた層間樹脂絶縁層(無電解めっき用接着剤層)の表面を粗化する。通常、粗化は、無電解めっき用接着剤層の表面に存在する耐熱性樹脂粒子を酸または酸化剤で溶解除去することにより行う。
酸処理等により形成する粗化面の高さは、Rmax=0.01〜20μmが望ましい。導体回路との密着性を確保するためである。特にセミアディティブ法では、0.1〜5μmが望ましい。密着性を確保しつつ、無電解めっき膜を除去することができるからである。
【0064】
上記酸処理を行う際には、リン酸、塩酸、硫酸、または、蟻酸や酢酸などの有機酸を用いることができ、特に有機酸を用いるのが望ましい。粗化形成処理した場合に、バイアホ−ルから露出する金属導体層を腐食させにくいからである。
上記酸化処理は、クロム酸、過マンガン酸塩(過マンガン酸カリウム等)を用いることが望ましい。
【0065】
(8) 次に、粗化した層間絶縁樹脂上の全面に薄付けの無電解めっき膜を形成する。この無電解めっき膜は、無電解銅めっきが好ましく、その厚みは、1〜5μmが望ましく、2〜3μmがより望ましい。
【0066】
(9) さらに、この上にめっきレジストを配設する。めっきレジストとしては、市販の感光性ドライフィルムや液状レジストを使用することができる。
そして、感光性ドライフィルムを貼り付けたり、液状レジストを塗布した後、紫外線露光処理を行い、アルカリ水溶液で現像処理する。
【0067】
(10)ついで、上記処理を行った基板を電気めっき液に浸漬した後、無電解めっき層をカソードとし、めっき被着金属をアノードとして直流電気めっきを行い、バイアホール用開口をめっき充填するとともに、上層導体回路を形成する。
電解めっきとしては、電解銅めっきが好ましく、その厚みは、10〜20μmが好ましい。
【0068】
(11)ついで、めっきレジストを強アリカリ水溶液で剥離した後にエッチングを行い、無電解めっき層を除去することにより、上層導体回路およびバイアホールを独立パターンとする。
上記エッチング液としては、硫酸/過酸化水素水溶液、塩化第二鉄、塩化第二銅、過硫酸アンモニウムなどの過硫酸塩の水溶液が使用される。
なお、非導体回路部分に露出したパラジウム触媒核は、クロム酸、硫酸、過酸化水素等により溶解除去する。
【0069】
(12)この後、必要により、(3) 〜(11)の工程を繰り返し、最上層の導体回路に上記(3) の工程と同様の条件で無電解めっきを施し、最上層の導体回路上に粗化層を形成する。
【0070】
次に、最上層の導体回路を含む基板面にソルダーレジスト層を形成し、上記した方法により半田バンプを形成することによりプリント配線板の製造を終了する。なお、製品認識文字などを形成するための文字印刷工程やソルダーレジスト層の改質のために、酸素や四塩化炭素などのプラズマ処理を適時行ってもよい。
以上の方法は、セミアディティブ法によるものであるが、フルアディティブ法を採用してもよい。
【0071】
【実施例】
以下、本発明をさらに詳細に説明する。
(実施例1)
A.無電解めっき用接着剤の調製(上層用接着剤)
(i) クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(日本化薬社製、分子量:2500)の25%アクリル化物を80重量%の濃度でジエチレングリコールジメチルエーテル(DMDG)に溶解させた樹脂液35重量部、感光性モノマー(東亜合成社製、アロニックスM315)3.15重量部、消泡剤(サンノプコ社製 S−65)0.5重量部およびN−メチルピロリドン(NMP)3.6重量部を容器にとり、攪拌混合することにより混合組成物を調製した。
【0072】
(ii)ポリエーテルスルフォン(PES)12重量部、エポキシ樹脂粒子(三洋化成社製、ポリマーポール)の平均粒径1.0μmのもの7.2重量部および平均粒径0.5μmのもの3.09重量部を別の容器にとり、攪拌混合した後、さらにNMP30重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合し、別の混合組成物を調製した。
【0073】
(iii) イミダゾール硬化剤(四国化成社製、2E4MZ−CN)2重量部、光重合開始剤(チバガイギー社製、イルガキュアー I−907)2重量部、光増感剤(日本化薬社製、DETX−S)0.2重量部およびNMP1.5重量部をさらに別の容器にとり、攪拌混合することにより混合組成物を調製した。
そして、(i) 、(ii)および(iii) で調製した混合組成物を混合することにより無電解めっき用接着剤を得た。
【0074】
B.無電解めっき用接着剤の調製(下層用接着剤)
(i) クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(日本化薬社製、分子量:2500)の25%アクリル化物を80重量%の濃度でジエチレングリコールジメチルエーテル(DMDG)に溶解させた樹脂液35重量部、感光性モノマー(東亜合成社製、アロニックスM315)4重量部、消泡剤(サンノプコ社製 S−65)0.5重量部およびN−メチルピロリドン(NMP)3.6重量部を容器にとり、攪拌混合することにより混合組成物を調製した。
【0075】
(ii)ポリエーテルスルフォン(PES)12重量部、および、エポキシ樹脂粒子(三洋化成社製、ポリマーポール)の平均粒径0.5μmのもの14.49重量部を別の容器にとり、攪拌混合した後、さらにNMP30重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合し、別の混合組成物を調製した。
【0076】
(iii) イミダゾール硬化剤(四国化成社製、2E4MZ−CN)2重量部、光重合開始剤(チバガイギー社製、イルガキュアー I−907)2重量部、光増感剤(日本化薬社製、DETX−S)0.2重量部およびNMP1.5重量部をさらに別の容器にとり、攪拌混合することにより混合組成物を調製した。
そして、(i) 、(ii)および(iii) で調製した混合組成物を混合することにより無電解めっき用接着剤を得た。
【0077】
C.樹脂充填材の調製
(i) ビスフェノールF型エポキシモノマー(油化シェル社製、分子量:310、YL983U)100重量部、表面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒径が1.6μmで、最大粒子の直径が15μm以下のSiO2 球状粒子(アドテック社製、CRS 1101−CE)170重量部およびレベリング剤(サンノプコ社製 ペレノールS4)1.5重量部を容器にとり、攪拌混合することにより、その粘度が23±1℃で40〜50Pa・sの樹脂充填材を調製した。
なお、硬化剤として、イミダゾール硬化剤(四国化成社製、2E4MZ−CN)6.5重量部を用いた。
【0078】
D.プリント配線板の製造方法
(1) 厚さ1mmのガラスエポキシ樹脂またはBT(ビスマレイミドトリアジン)樹脂からなる基板1の両面に18μmの銅箔8がラミネートされている銅貼積層板を出発材料とした(図4(a)参照)。まず、この銅貼積層板をドリル削孔し、無電解めっき処理を施し、パターン状にエッチングすることにより、基板1の両面に下層導体回路4とスルーホール9を形成した。
【0079】
(2) スルーホール9および下層導体回路4を形成した基板を水洗いし、乾燥した後、NaOH(10g/l)、NaClO2 (40g/l)、Na3 PO4 (6g/l)を含む水溶液を黒化浴(酸化浴)とする黒化処理、および、NaOH(10g/l)、NaBH4 (6g/l)を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行い、そのスルーホール9を含む下層導体回路4の全表面に粗化面4a、9aを形成した(図4(b)参照)。
【0080】
(3) 上記Cに記載した樹脂充填材を調製した後、下記の方法により調製後24時間以内に、スルーホール9内、および、下層導体回路4間に樹脂充填材10を塗布することにより充填した(図4(c)参照)。
この際、塗布方法としては、スキージを用いた印刷法を採用し、1回目の印刷塗布においては、主にスルーホール9を充填し、100℃で20分間乾燥させた。また、2回目の印刷塗布では、主に下層導体回路4の形成で生じた凹部を充填し、100℃で20分間乾燥させた。
【0081】
(4) 上記(3) の処理を終えた基板の片面を、#600のベルト研磨紙(三共理化学社製)を用いたベルトサンダー研磨により、下層導体回路4の表面やスルーホール9のランド表面に樹脂充填材が残らないように研磨し、ついで、上記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このような一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った。
この後、100℃で1時間、150℃で1時間の加熱処理を行い、樹脂充填材の層を完全に硬化させた。
【0082】
このようにして、スルーホール9や導体回路非形成部に形成された樹脂充填材10の表層部および下層導体回路4の表面を平坦化し、樹脂充填材10と下層導体回路4の側面4aとが粗化面を介して強固に密着し、またスルーホール9の内壁面9aと樹脂充填材10とが粗化面を介して強固に密着した絶縁性基板を得た(図4(d)参照)。
【0083】
(5) 次に、上記工程により導体回路を形成した絶縁性基板を、絶縁性基板同士が3cmの間隔があくようにラックに収納し、アルカリ脱脂してソフトエッチングし、次いで、塩化パラジウムと有機酸とからなる触媒溶液で処理して、Pd触媒を付与し、この触媒を活性化した。
【0084】
次に、硫酸銅(3.9×10-2mol/l)、硫酸ニッケル(3.8×10-3mol/l)、クエン酸ナトリウム(7.8×10-3mol/l)、次亜リン酸ナトリウム(2.3×10-1 mol/l)、界面活性剤(日信化学工業社製、サーフィノール465)(1.0g/l)を含む水溶液からなるpH=9の無電解銅めっき浴に基板を浸漬し、浸漬1分後に、4秒あたりに1回の割合で縦および横方向に振動させて、下層導体回路およびスルーホールのランドの表面に、Cu−Ni−Pからなる針状合金の粗化層を設けた。さらに、ホウフッ化スズ(0.1mol/l)、チオ尿素(1.0mol/l)を含む温度35℃、pH=1.2のめっき浴を用い、Cu−Sn置換反応させ、粗化層の表面に厚さ0.3μmのSn層を設けた(図5(a)参照)。
【0085】
(6) さらに、ホウフッ化スズ(0.1mol/l)、チオ尿素(1.0mol/l)を含む温度35℃、pH=1.2のスズ置換めっき液を用い、浸漬時間10分でCu−Sn置換反応させ、粗化層の表面に厚さ0.3μmのSn層を設けた。ただし、このSn層については、図示しない。
【0086】
(7) 基板の両面に、上記Bにおいて記載した下層用の無電解めっき用接着剤(粘度:1.5Pa・s)を調製後24時間以内にロールコータを用いて塗布し、水平状態で20分間放置してから、60℃で30分の乾燥を行った。次いで、上記Aにおいて記載した上層用の無電解めっき用接着剤(粘度:7Pa・s)を調製後24時間以内にロールコータを用いて塗布し、同様に水平状態で20分間放置してから、60℃で30分の乾燥を行い、厚さ35μmの無電解めっき用接着剤の層2a、2bを形成した(図5(b)参照)。
【0087】
(8) 上記(7) で無電解めっき用接着剤の層を形成した基板の両面に、直径85μmの黒円が印刷されたフォトマスクフィルムを密着させ、超高圧水銀灯により500mJ/cm2 強度で露光した後、DMDG溶液でスプレー現像した。この後、さらに、この基板を超高圧水銀灯により3000mJ/cm2 強度で露光し、100℃で1時間、120℃で1時間、150℃で3時間の加熱処理を施し、フォトマスクフィルムに相当する寸法精度に優れた直径85μmのバイアホール用開口6を有する厚さ35μmの層間樹脂絶縁層2を形成した(図5(c)参照)。なお、バイアホールとなる開口には、スズめっき層を部分的に露出させた。
【0088】
(9) バイアホール用開口6を形成した基板を、クロム酸水溶液(7500g/l)に19分間浸漬し、層間樹脂絶縁層の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去してその表面を粗化し、粗化面を得た。その後、中和溶液(シプレイ社製)に浸漬してから水洗いした(図5(d)参照)。
さらに、粗面化処理した該基板の表面に、パラジウム触媒(アトテック社製)を付与することにより、層間絶縁材層の表面およびバイアホール用開口の内壁面に触媒核を付着させた。
【0089】
(10)次に、以下の組成の無電解銅めっき水溶液中に基板を浸漬して、粗面全体に厚さ0.6〜1.2μmの無電解銅めっき膜12を形成した(図6(a)参照)。
〔無電解めっき水溶液〕
EDTA 0.08 mol/l
硫酸銅 0.03 mol/l
HCHO 0.05 mol/l
NaOH 0.05 mol/l
α、α’−ビピリジル 80 mg/l
PEG 0.10 g/l
(ポリエチレングリコール)
〔無電解めっき条件〕
65℃の液温度で20分
【0090】
(11)市販の感光性ドライフィルムを無電解銅めっき膜12に貼り付け、マスクを載置して、100mJ/cm2 で露光し、0.8%炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することにより、厚さ15μmのめっきレジスト3を設けた(図6(b)参照)。
【0091】
(12)ついで、レジスト非形成部に以下の条件で電気銅めっきを施し、厚さ15μmの電気銅めっき膜13を形成した(図6(c)参照)。
〔電気めっき水溶液〕
硫酸 2.24 mol/l
硫酸銅 0.26 mol/l
添加剤 19.5 ml/l
(アトテックジャパン社製、カパラシドHL)
〔電気めっき条件〕
電流密度 1 A/dm2
時間 65 分
温度 22±2 ℃
【0092】
(13)さらにめっきレジストを5%KOH水溶液で剥離除去した後、そのめっきレジスト下の無電解めっき膜を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して溶解除去し、独立の上層導体回路5(バイアホール7を含む)とした(図6(d)参照)。
【0093】
(14)導体回路を形成した基板に対し、上記(5) と同様の処理を行い、導体回路の表面に厚さ2μmのCu−Ni−Pからなる合金粗化層11を形成した(図7(a)参照)。
(15)続いて、上記 (6)〜(14)の工程を、繰り返すことにより、さらに上層の導体回路を形成した。(図7(b)〜図8(b)参照)。
【0094】
(16)次に、ジエチレングリコールジメチルエーテル(DMDG)に60重量%の濃度になるように溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(日本化薬社製)のエポキシ基50%をアクリル化した感光性付与のオリゴマー(分子量:4000)46.67重量部、メチルエチルケトンに溶解させた80重量%のビスフェノールA型エポキシ樹脂(油化シェル社製、商品名:エピコート1001)15重量部、イミダゾール硬化剤(四国化成社製、商品名:2E4MZ−CN)1.6重量部、感光性モノマーである多官能アクリルモノマー(日本化薬社製、商品名:R604)3重量部、同じく多価アクリルモノマー(共栄化学社製、商品名:DPE6A)1.5重量部、分散系消泡剤(サンノプコ社製、商品名:S−65)0.71重量部を容器にとり、攪拌、混合して混合組成物を調製し、この混合組成物に対して光重合開始剤としてベンゾフェノン(関東化学社製)2.0重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン(関東化学社製)0.2重量部を加えて、粘度を25℃で2.0Pa・sに調整したソルダーレジスト組成物(有機樹脂絶縁材料)を得た。
なお、粘度測定は、B型粘度計(東京計器社製、DVL−B型)で60rpmの場合はローターNo.4、6rpmの場合はローターNo.3によった。
【0095】
(17)次に、多層配線基板の両面に、上記ソルダーレジスト組成物を20μmの厚さで塗布し、70℃で20分間、70℃で30分間の条件で乾燥処理を行った後、ソルダーレジスト開口部のパターンが描画された厚さ5mmのフォトマスクをソルダーレジスト層に密着させて1000mJ/cm2 の紫外線で露光し、DMTG溶液で現像処理し、200μmの直径の開口を形成した。
そして、さらに、80℃で1時間、100℃で1時間、120℃で1時間、150℃で3時間の条件でそれぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト層を硬化させ、はんだパッド部分が開口した、その厚さが20μmのソルダーレジスト層(有機樹脂絶縁層)14を形成した。
【0096】
(18)次に、ソルダーレジスト層(有機樹脂絶縁層)14を形成した基板を、塩化ニッケル(2.3×10-1mol/l)、次亜リン酸ナトリウム(2.8×10-1mol/l)、クエン酸ナトリウム(1.6×10-1mol/l)を含むpH=4.5の無電解ニッケルめっき液に20分間浸漬して、開口部に厚さ5μmのニッケルめっき層15を形成した。さらに、その基板をシアン化金カリウム(7.6×10-3mol/l)、塩化アンモニウム(1.9×10-1mol/l)、クエン酸ナトリウム(1.2×10-1mol/l)、次亜リン酸ナトリウム(1.7×10-1mol/l)を含む無電解めっき液に80℃の条件で7.5分間浸漬して、ニッケルめっき層15上に、厚さ0.03μmの金めっき層16を形成した。
【0097】
(19)次に、半田バンプ形成用パッドに対する半田ペーストの印刷を2回に分けて行った。
まず、1回目の半田ペーストの印刷は、全ての半田バンプ形成用パッドに対向する部分に開口が形成されたマスクを用い、このマスクをソルダーレジスト層14上に載置し、硬度75°のゴムスキージを用いて、凹形状の半田バンプ形成用パッド部が丁度充填される程度(図1(b)参照)に半田ペーストを充填した。マスクの開口径は、全て150μmであり、その厚みは50μmであった。
【0098】
また、半田ペーストは、Sn/Pbを重量比38:63で配合させた主として粒径5〜20μmの半田を含むもので、その粘度が150Pa.sに調整されたものである。
【0099】
次に、2回目の半田ペーストの印刷を行ったが、この際、全ての半田バンプ形成用パッドに対向する部分に開口が形成され、その厚みが50μmのマスクを用い、その粘度が250Pa.sに調整された半田ペーストにより印刷を行った。マスクの開口径は、全て150μmであった。この後、1回目及び2回目で形成された半田ペースト層を200℃でリフローすることにより、半田バンプを形成した(図8(c))。
【0100】
(21)次に、フラックス洗浄を行い、ルーターを持つ装置で、基板を適当な大きさに分割切断した後、プリント配線板の短絡、断線を検査するチェッカー工程を経て、プリント配線板を得た。
(20)上記方法により、複数のプリント配線板を製造し、製造したプリント配線板の他の一部を用い、ICチップとの接合を行った。すなわち、所定の取り付け装置を用い、フラックス洗浄後、ターゲットマークを基準として、プリント配線板の半田バンプとICチップに設けられたバンプとの位置合わせを行い、半田をリフローさせることによりプリント配線板の半田バンプとICチップのバンプとを接合させた。そして、フラックス洗浄を行い、該ICチップと多層プリント配線板との間にアンダーフィルを充填し、これによってICチップが接続したプリント配線板を得た。
【0101】
(実施例2)
1回目の半田印刷後、形成された半田ペースト層を200℃でリフローすることにより、半田バンプ形成用パッド部に充填された半田ペースト層を半田層とした後、2回目の半田ペーストの印刷を行って、半田バンプを形成させたほかは実姉例1と同様にしてプリント配線板を製造した。
【0102】
(比較例1)
1回の半田ペーストの印刷で全半田バンプ形成用パッド部分に半田ペースト層を形成し、その後リフローすることにより半田バンプを形成したほかは、実施例1と同様にしてプリント配線板を製造した。
【0103】
次に、実施例1、2および比較例1で製造されたプリント配線板について、ソルダーレジスト層の汚染を観察し、半田バンプのボイドの有無を検査した後、半田バンプの高さと形状、信頼性試験前と後の性能等の評価を下記の方法により行い、また、マスクの損傷の有無についても比較評価を行った。その結果を表1に示した。
【0104】
評価方法
(1)半田バンプのボイドの有無、半田バンプの形状と高さ
プリント配線板を半田バンプが形成されている部分をX線にて観察してボイドの有無を評価し、ソルダーレジスト層からの半田バンプの高さを測定し、形状を観察した。形状については、半球状になっているものを○、そうでないものを×とした。
【0105】
(2)信頼性試験(ヒートサイクル試験)
135℃、相対湿度85%の条件下で1000時間放置した後、下記する導通試験を行い、プリント配線板を半田バンプが形成されている部分で切断して半田バンプの状態を観察した。信頼性試験前と変わらないものを○、クラック等が観察されたものを×としている。
【0106】
(3)導通試験
プリント配線板製造後上記信頼性試験の前、または、上記信頼性試験後に導通試験を行い、モニターに表示された結果から導通状態を評価した。短絡、断線がないものを○、短絡、断線があったものを×としている。
【0107】
【表1】
【0108】
表1に記載したように、実施例1、2で製造されたプリント配線板では、半田バンプにボイドは確認されず、半田バンプの高さ、形状ともほぼ均一であり、ソルダーレジスト層上の半田ペーストのニジミもなく、半田バンプ間の短絡もなかった。また、信頼性試験の前後で導通試験を行っても全く問題がなく、半田バンプのクラック、剥がれも見当たらなかった。
【0109】
一方、比較例1で製造されたプリント配線板は、半田バンプ内にボイドが形成され、高さも実施例1と比べてもバラツキが大きく、形状も一様でなかった。また、ソルダーレジスト層上のニジミを見られた。導通試験に関しては、半田バンプ形成後は特に問題がなかったが、信頼性試験後に断線、短絡が生じた。また、断線と確認された部分の半田バンプの断面を切断すると、クラック、剥がれを引き起こしていた。半田バンプ内のボイドから誘発されたものであると推定された。
【0110】
【発明の効果】
以上説明してきたように、本発明のプリント配線板の製造方法によれば、ボイドを減少させることができ、半田バンプの形状や高さの均一性を確保し、半田ペーストによるソルダーレジスト層上のニジミや半田バンプ間の短絡を防止することにより、ICチップなどの電子部品との接続を確実に行うことができる接続性、信頼性に優れたプリント配線板を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)〜(c)は、本発明のプリント配線板の製造方法において、半田バンプ形成用パッドを形成する工程の一例を示す断面図である。
【図2】(a)、(b)は、本発明のプリント配線板の製造方法において、半田ペーストの充填工程の他の一例を示す断面図である。
【図3】(a)〜(b)は、本発明のプリント配線板の製造方法において、半田バンプ形成用パッドを形成する工程の他の一例を示す断面図である。
【図4】(a)〜(d)は、本発明のプリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。
【図5】(a)〜(d)は、本発明のプリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。
【図6】(a)〜(d)は、本発明のプリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。
【図7】(a)〜(c)は、本発明のプリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。
【図8】(a)〜(c)は、本発明のプリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。
【符号の説明】
1 基板
2(2a、2b) 層間樹脂絶縁層(無電解めっき用接着剤層)
3 めっきレジスト
4 下層導体回路
4a 粗化面
5 上層導体回路
7 バイアホール
8 銅箔
9 スルーホール
9a 粗化面
10 樹脂充填材
11 粗化層
12 無電界めっき層
13 電界めっき層
14 ソルダーレジスト層(有機樹脂絶縁層)
15 ニッケルめっき膜
16 金めっき膜
17 ハンダバンプ
21a、21b 半田バンプ形成用パッド
22a、22b、22c、22d 半田ペースト層
23、24、25 マスク
25a ザグリ
Claims (6)
- 形成した導体回路上に層間絶縁層を形成する工程を繰り返して、絶縁性基板上に層間絶縁層を挟んだ複数層からなる導体回路を形成した後、最上層の導体回路上にソルダーレジスト層を設け、前記ソルダーレジスト層の一部を開口して凹形状の複数の半田バンプ形成用パッドを形成し、1回目の半田ペーストの印刷で半田バンプ形成用パッドに半田ペーストを充填した後、さらに1回または2回半田ペーストの印刷を行い、半田バンプを形成するプリント配線板の製造方法であって、
1回目の半田ペーストの印刷では、2回目以降で使用するものに比べて、その粘度が低い半田ペーストを用い、半田バンプ形成用パッドの内部にその表面が略平坦になるように半田ペーストを充填し、
その後、ソルダーレジスト層側に拡径する開口部が形成されたマスクを用いて、さらに1回または2回半田ペーストの印刷を行うことを特徴とするプリント配線板の製造方法。 - 2回目の半田ペーストの印刷で、形成された全半田バンプ形成用パッドのうちの一部の半田バンプ形成用パッドに対向する部分にのみソルダーレジスト層側に拡径する開口部が形成され、隣り合う半田バンプ形成用パッドの間隔と比べて隣り合う開口部同士の間隔が広くとられた開口部を有するマスクを用いて半田ペーストの印刷を行い、
3回目の半田ペーストの印刷で、2回目に印刷されなかった半田バンプ形成用パッドに対向する部分にソルダーレジスト層側に拡径する開口部が形成されるとともに、2回目の印刷処理で半田ペーストが印刷された半田バンプ形成用パッドに対向する部分に凹部が形成されたマスクを用いて半田ペーストの印刷を行う請求項1に記載のプリント配線板の製造方法。 - 1回目の半田ペーストの印刷で、形成された半田ペースト層の上面がソルダーレジスト層の表面と略同一となるように、半田バンプ形成用パッドに半田ペーストを充填する請求項1または2に記載のプリント配線板の製造方法。
- 1回目の半田ペーストの印刷で、形成された半田ペースト層の上面がソルダーレジスト層の表面より下になるように、半田バンプ形成用パッドに半田ペーストを充填する請求項1または2に記載のプリント配線板の製造方法。
- 1回目の半田ペーストの印刷で、窪みを有する半田バンプ形成用パッドのみに、その窪み部分が充填される程度に半田ペーストを充填する請求項1または2に記載のプリント配線板の製造方法。
- 1回目の半田ペーストの印刷工程に続いてリフロー工程を行い、次の半田ペーストの印刷工程を行う請求項1〜5のいずれかに記載のプリント配線板の製造方法。
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