JP2000307024A

JP2000307024A - プリント配線板の製造方法

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Publication number: JP2000307024A
Application number: JP11112185A
Authority: JP
Inventors: Kazuhito Yamada; 和仁山田; Yoichiro Kawamura; 洋一郎川村
Original assignee: Ibiden Co Ltd
Current assignee: Ibiden Co Ltd
Priority date: 1999-04-20
Filing date: 1999-04-20
Publication date: 2000-11-02
Anticipated expiration: 2019-04-20
Also published as: JP4036564B2

Abstract

(57)【要約】【課題】ボイドを減少させ、半田バンプの形状や高さ
の均一性を確保し、半田ペーストによるソルダーレジス
ト層上のニジミや半田バンプ間の短絡を防止することに
より、ＩＣチップなどの電子部品との接続を確実に行う
ことができる接続性、信頼性に優れたプリント配線板を
製造すること。【解決手段】絶縁性基板上に層間絶縁層を挟んだ複数
層からなる導体回路を形成した後、最上層の導体回路上
にソルダーレジスト層を設け、ソルダーレジスト層の一
部を開口して複数の半田バンプ形成用パッドを形成し、
半田バンプ形成用パッドに半田ペーストを印刷して半田
バンプを形成するプリント配線板の製造方法であって、
１回目の半田ペーストの印刷で凹形状の半田バンプ形成
用パッドに半田ペーストを充填した後、さらに１回以上
半田ペーストの印刷を行い、半田バンプを形成するプリ
ント配線板の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ソルダーレジスト
層に形成した半田バンプ形成用パッド上に半田ペースト
を印刷する方法に特徴を有するプリント配線板の製造方
法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】いわゆる多層ビルドアップ配線基板と呼
ばれる多層プリント配線板は、セミアディティブ法等に
より製造されており、コアと呼ばれる０．５〜１．５ｍ
ｍ程度のガラスクロス等で補強された樹脂基板の上に、
銅等による導体回路と層間樹脂絶縁層とを交互に積層す
ることにより作製される。この多層プリント配線板の層
間樹脂絶縁層を介した導体回路間の接続は、バイアホー
ルにより行われている。

【０００３】従来、ビルドアップ多層プリント配線板
は、例えば、特開平９−１３００５０号公報等に開示さ
れた方法により製造されている。すなわち、まず、銅箔
が貼り付けられた銅貼積層板に貫通孔を形成し、続いて
無電解銅めっき処理を施すことによりスルーホールを形
成する。続いて、基板の表面をフォトリソグラフィーの
手法を用いて導体パターン状にエッチング処理して導体
回路を形成する。次に、形成された導体回路の表面に、
無電解めっきやエッチング等により粗化面を形成し、そ
の粗化面を有する導体回路上に絶縁樹脂層を形成した
後、露光、現像処理を行ってバイアホール用開口を形成
し、その後、ＵＶ硬化、本硬化を経て層間樹脂絶縁層を
形成する。

【０００４】さらに、層間樹脂絶縁層に酸や酸化剤など
により粗化形成処理を施した後、薄い無電解めっき膜を
形成し、この無電解めっき膜上にめっきレジストを形成
した後、電解めっきにより厚付けを行い、めっきレジス
ト剥離後にエッチングを行って、下層の導体回路とバイ
アホールにより接続された導体回路を形成する。これを
繰り返した後、最後に導体回路を保護するためのソルダ
ーレジスト層を形成し、ＩＣチップ等の電子部品やマザ
ーボード等との接続のために開口を露出させた部分にめ
っき等を施して半田バンプ形成用パッドとした後、ＩＣ
チップ等の電子部品側に半田ペーストを印刷して半田バ
ンプを形成することにより、ビルドアップ多層プリント
配線板を製造する。また、必要に応じて、マザーボード
側にも半田バンプを形成する。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ソルダーレジスト層に
形成された半田バンプ形成用パッドは、フラットな導体
回路上に形成され、平坦なものと、バイアホール上に形
成され、その中心に１０〜１２０μｍの径の窪みを有す
るものの２種類がある。

【０００６】中心に窪みを有する半田バンプ形成用パッ
ドは、半田ペーストを充填した際、半田ペーストの粘度
等によっては完全に窪み付近が充填されない場合があ
り、これに起因して半田バンプの窪み部分やその付近に
ボイドが形成されることがある。

【０００７】この半田バンプ内に形成されたボイドは、
リフロー時や、ＩＣチップなどの電子部品が動作した際
の発熱で、拡散したり膨張したりし、これに起因して、
半田バンプや半田バンプ形成用パッドに剥がれやクラッ
クが発生し、接続性、信頼性に悪影響を与えるという問
題があった。

【０００８】近年、ＩＣチップなどの電子部品の高密度
化、高集積化に伴い、基板の半田バンプも同様に狭ピッ
チ化、ファイン化が進行しているため、ボイドが与える
悪影響も顕著に現れるようになってきた。

【０００９】このボイドを低減させる方法としては、半
田ペーストの粘度を下げる方法が考えられるが、この方
法では、半田バンプのボイドは低減されるものの、半田
バンプの形状や高さの均一性が損なわれ、ＩＣチップ等
の電子部品との接続が不良となったり、印刷時に半田ペ
ーストがソルダーレジスト層の表面に滲んでしまい、半
田バンプ間の短絡を引き起こしてしまうという問題が発
生してしまう。

【００１０】また、半田ペーストの印刷時に使用するマ
スクの開口径を変更する方法、ピーク温度、余熱温度、
コンベアスピード等のリフロー条件を変更する方法、ス
キージ速度や印刷圧力などの印刷条件の変更を行うこと
によりボイドを低減させる方法等も考えられるが、この
ような方法では望ましい結果を得ることはできなかっ
た。

【００１１】本発明は、上記課題に鑑み、ボイドを低減
させ、半田バンプの形状や高さの均一性を確保し、半田
ペーストによるソルダーレジスト層上のニジミによる半
田バンプ間の短絡を防止することにより、ＩＣチップな
どの電子部品との接続を確実に行うことができる接続
性、信頼性に優れたプリント配線板を得ることを目的と
する。

【００１２】

【課題を解決するための手段】発明者は上記課題に鑑み
て鋭意研究した結果、１回目の粘度の低い半田ペースト
を用いた印刷で凹形状の半田バンプ形成用パッドに半田
ペーストを充填し、ソルダーレジスト層の表面を略平坦
にした後、この半田ペーストが充填された半田バンプ形
成用パッドの上に、再度、粘度を上げた半田ペーストを
印刷することにより、半田ペーストによるソルダーレジ
スト層上のニジミがなく、均一な形状、高さを有すると
ともに、相互間で短絡のない半田バンプ形成用パッドを
有するプリント配線板を製造することができることを見
いだし、以下に示す内容を要旨構成とする発明に到達し
た。

【００１３】即ち、本発明のプリント配線板の製造方法
は、形成した導体回路上に層間絶縁層を形成する工程を
繰り返して、絶縁性基板上に層間絶縁層を挟んだ複数層
からなる導体回路を形成した後、最上層の導体回路上に
ソルダーレジスト層を設け、上記ソルダーレジスト層の
一部を開口して複数の半田バンプ形成用パッドを形成
し、上記半田バンプ形成用パッドに半田ペーストを印刷
して半田バンプを形成するプリント配線板の製造方法で
あって、１回目の半田ペーストの印刷で凹形状の半田バ
ンプ形成用パッドに半田ペーストを充填した後、さらに
１回以上半田ペーストの印刷を行い、半田バンプを形成
することを特徴とする。

【００１４】上記プリント配線板の製造方法において
は、第一の方法として、２回の半田ペーストの印刷工程
を行った後リフロー工程を行い、半田バンプを形成する
方法を採用することができる。

【００１５】また、第二の方法として、全半田バンプ形
成用パッドの一部に対向する部分にのみ開口部が形成さ
れ、開口部同士の間隔が広くとられたマスクを用いて、
２回目の半田ペーストの印刷を行い、３回目以降の印刷
で２回目に印刷されなかった半田バンプ形成用パッド部
分が開口されたマスクを用いて印刷処理を行う方法も採
用することができる。上記第二の方法において、３回目
以降の半田ペーストの印刷においては、ソルダーレジス
トに当接する側の、前に形成した半田バンプ形成用パッ
ドに対向する部分に凹部が形成されたマスクを用いるこ
とが望ましい。

【００１６】これらのプリント配線板の製造方法におい
ては、１回目の半田ペーストの印刷で、形成された半田
ペースト層の上面がソルダーレジスト層の表面と略同一
となるように、半田バンプ形成用パッドに半田ペースト
を充填する方法をとることができる。また、１回目の半
田ペーストの印刷で、形成された半田ペースト層の上面
がソルダーレジスト層の表面より下になるように、半田
バンプ形成用パッドに半田ペーストを充填する方法もと
ることができる。さらに、１回目の半田ペーストの印刷
で、窪みを有する半田バンプ形成用パッドのみに、その
窪み部分が充填される程度に半田ペーストを充填する方
法もとることができる。上記プリント配線板の製造方法
においては、１回目の半田ペーストの印刷工程に続いて
リフロー工程を行い、次の半田ペーストの印刷工程を行
う方法も採用することもできる。

【００１７】

【発明の実施の形態】本発明のプリント配線板の製造方
法は、形成した導体回路上に層間絶縁層を形成する工程
を繰り返して、絶縁性基板上に層間絶縁層を挟んだ複数
層からなる導体回路を形成した後、最上層の導体回路上
にソルダーレジスト層を設け、上記ソルダーレジスト層
の一部を開口して複数の半田バンプ形成用パッドを形成
し、上記半田バンプ形成用パッドに半田ペーストを印刷
して半田バンプを形成するプリント配線板の製造方法で
あって、１回目の半田ペーストの印刷で凹形状の半田バ
ンプ形成用パッドに半田ペーストを充填した後、さらに
１回以上半田ペーストの印刷を行い、半田バンプを形成
することを特徴とする。

【００１８】上記プリント配線板の製造方法によれば、
１回目の半田ペーストの印刷で、粘度の低い半田ペース
トを用いることにより、底部がフラットな半田バンプ形
成用パッドのみでなく、低部に窪みを有する半田バンプ
形成用パッドにも充填性よく半田ペーストを充填するこ
とができ、この充填工程によりソルダーレジスト層の表
面を略平坦化した後、この半田ペーストが充填された半
田バンプ形成用パッドの上に、粘度を上げた半田ペース
トを印刷することにより、半田ペーストによるソルダー
レジスト層の汚染がなく、均一な形状及び高さを有する
とともに、相互間で短絡のない半田バンプ形成用パッド
を形成することができ、接続性及び信頼性に優れたプリ
ント配線板を製造することができる。また、１回目の印
刷で粘度の低い半田ペーストを使用しているので、形成
した半田バンプにボイド等が発生することはない。

【００１９】次に、本発明のプリント配線板の製造方法
における半田バンプの形成方法について説明する。本発
明では、種々の工程の後、導体回路上にソルダーレジス
ト層を形成し、半田バンプ形成用パッドとなる部分を開
口する。この半田バンプ形成用パッドの開口は、フォト
リソグラフィーを用いた方法、レーザを用いた方法、パ
ンチング法などで行われる。平面視した開口部の形状は
特に限定されず、例えば、円形、長円形、正方形、長方
形などが挙げられるが、半田ペースト層を形成しやすい
点、配線等を行う際の設計の自由度が拡がる点、半田バ
ンプ形状の安定性の点等から円形が望ましい。

【００２０】なお、導体回路上には粗化層が形成されて
おり、その粗化層により、ソルダーレジスト層と導体回
路との密着が確保されている。この粗化層は、平均粗度
で０．５〜１０μｍが望ましく、１〜５μｍがより望ま
しい。上記粗化層は、無電解めっき、エッチング、酸化
−還元処理や研磨処理などにより形成されることが望ま
しい。また、ソルダーレジスト層の厚みは、５〜７０μ
ｍが望ましい。５μｍ未満である場合は、ソルダーレジ
スト層の剥がれやクラックの発生等が起こり、７０μｍ
を越えると開口部を形成しにくくなるからである。

【００２１】開口により露出した導体回路部分は、通
常、ニッケル、パラジウム、金、銀、白金等の耐食性金
属で被覆する。具体的には、ニッケル−金、ニッケル−
銀、ニッケル−パラジウム、ニッケル−パラジウム−金
などの金属により被覆層を形成する。上記被覆層は、例
えば、めっき法、蒸着法、電着法などによって形成する
が、これらのなかでは、膜の均一性という点からめっき
法が望ましい。

【００２２】次に、本発明では１回目の半田ペーストの
印刷を行い、凹形状の半田バンプ形成用パッドに半田ペ
ーストを充填した後、さらに１回以上半田ペーストの印
刷を行い、半田バンプを形成する。

【００２３】上記のように、本発明では、少なくとも２
回以上半田ペーストの印刷を行うが、図１に示すよう
に、１回目の半田ペーストの印刷の後、１回の半田ペー
ストの印刷で全半田バンプ形成用パッド部分に半田ペー
スト層２２ｂを形成してもよく、図３に示すように、２
回目以降の半田ペーストの印刷を複数回に分けて行うこ
とにより、半田ペースト層２２ｃ、２２ｄを形成しても
よい。

【００２４】１回目以降の印刷以降、１回で印刷を終了
するか、または、複数回印刷を行うかは、半田バンプの
ピッチ（距離）、高さ、半田バンプの形状、半田ペース
トの組成、粒度、粒径等により異なり、一概には言えな
いが、例えば、半田バンプ間の距離が極めて狭い場合に
は、マスクの作成が難しくなるため、複数回の印刷を行
うことが望ましい。

【００２５】図１（ａ）〜（ｃ）は、２回で半田ペース
トの印刷工程を終了する場合の各工程を模式的に示した
断面図である。本方法では、まず、半田バンプ形成用パ
ッド２１ａ、２１ｂが形成されたソルダーレジスト層１
４（図１（ａ）参照）に、半田ペーストを充填し、半田
ペースト層２２ａを形成し、ソルダーレジスト層１４上
面を略平坦化する（図１（ｂ）参照）。なお、図１にお
いて、２１ｂは、中心に窪みが形成された半田バンプ形
成用パッドを表しており、半田バンプ形成用パッドの下
に存在する導体回路は省略している。

【００２６】半田ペーストの充填は、印刷、ポッティン
グ、半田めっきのいずれの方法でも行うことができる
が、一度で全ての半田バンプ形成用パッドに充填するこ
とができ、また、半田ペーストの充填量を制御しやすい
点から印刷法により行うことが望ましい。また、印刷法
を採用した場合、スキージ等を用いてソルダーレジスト
層表面に半田ペーストを直接印刷し、半田バンプ形成用
パッドを充填する方法もあるが、その後ソルダーレジス
ト層表面に付着した半田ペーストを完全に除去すること
が困難なため、マスクを用い、マスクの開口部を介して
半田ペーストを半田バンプ形成用パッドに充填する方法
が好ましい。

【００２７】この１回目の印刷では、ソルダーレジスト
層１４の全ての半田バンプ形成用パッド２１ａ、２１ｂ
に対向する部分に開口が形成されたたマスクを用い、こ
のマスクをソルダーレジスト層１４の表面に載置した
後、スキージ等を用いて半田ペーストを凹形状の半田バ
ンプ形成用パッド２１ａ、２１ｂに充填する。

【００２８】上記マスクの開口部は、ソルダーレジスト
層に対して平行な壁面を有するように形成されていても
よく、徐々にソルダーレジスト層側に拡径する形態のテ
ーパが形成されてもよい。

【００２９】この工程で用いる半田ペーストは、後述す
る工程で用いる半田ペーストと溶剤の量、フラックスの
含有量を除いて同じ組成のものが望ましい。上に形成す
る半田ペーストと同じ組成のものを用いることにより、
形成された半田バンプ全体が同じ組成のものとなり、半
田バンプ内における金属拡散も同じとなり、ＩＣチップ
などの電子部品から伝達信号の遅延などもなくなるから
である。なお、半田ペーストの組成等については後述す
る。

【００３０】この半田バンプ形成用パッド充填用の半田
ペーストの粘度は、後工程で使用する半田ペーストより
低いものが望ましい。流動性を上げることにより、半田
バンプ形成用パッド２１ｂの窪みを完全に充填するため
である。半田ペーストの粘度を低下させる方法として
は、余分に溶剤を加えたり、フラック含有量を多くした
り、半田粒子の粒径を小さくする方法等が挙げられる。
後工程で使用する半田ペーストとの粘度の差は、１０〜
１５０Ｐａ．ｓが望ましく、特に半田ペースト層を作製
しやすい点から５０〜１００Ｐａ．ｓが望ましい。上記
方法により、半田バンプ形成用パッド２１ｂの窪みにも
半田ペーストを完全に充填することができるため、ボイ
ドの発生等を防止することができる。また、ソルダーレ
ジスト表面が略平坦化されるため、この半田ペーストが
充填された半田バンプの上に、同じ量の半田ペーストを
上乗せした形で印刷することができ、高さや形状の揃っ
た半田バンプを形成することができる。

【００３１】上記工程の後、リフロー工程を行って一定
の硬度を有する半田層を形成した後、上乗せする半田ペ
ースト層を形成してもよく、そのまま２回目以降の半田
ペーストの印刷を行い、最後にリフロー工程を行うこと
により半田バンプを形成してもよいが、後工程で使用す
る半田ペーストとの混濁を防止し、ボイドを確実になく
し、また、印刷位置ずれ等による半田ペーストのニジミ
をなくすために、１回目の印刷工程の後、リフロー工程
を行うことが望ましい。

【００３２】次に、図１（ｃ）に示すように、全ての半
田バンプ形成用パッドに対向する部分に開口が形成され
たマスク２３を用い、このマスク２３をソルダーレジス
ト層１４の表面に載置した後、スキージ等を用いてマス
ク２３の開口内に半田ペースト２２ｂを押し込む。この
後、リフロー工程を行うことにより、半田ペーストによ
るソルダーレジスト層１４表面の汚染がなく、均一な形
状及び高さを有するとともに、相互間で短絡のない半田
バンプ形成用パッドを形成することができ、接続性及び
信頼性に優れたプリント配線板を製造することができ
る。

【００３３】なお、図１（ｂ）に示した充填工程におい
て、図２（ａ）に示すように、半田ペースト層２２ａの
上面がソルダーレジスト層１４の表面より下になるよう
に、半田ペーストを充填してもよく、図２（ｂ）に示す
ように、窪みを有する半田バンプ形成用パッド２１ｂの
みに、その窪み部分が充填される程度に半田ペースト層
２２ａを形成してもよい。これらの工程の後、図１に示
した工程と同様に半田ペースト層２２ｂを形成するが、
初めに充填した量に応じて後の半田ペーストの供給量を
調製する。

【００３４】次に、１回目の印刷工程の後、複数回で半
田ペーストの印刷を行う方法について説明する。この方
法では、例えば、図３（ａ）に示したように、全半田バ
ンプ形成用パッドの一部に対向する部分にのみ開口部が
形成され、開口部同士の間隔が広くとられたマスク２４
を用いて２回目の印刷処理を行い、半田ペースト層２２
ｃを形成し、３回目の印刷で２回目に印刷されなかった
半田バンプ形成用パッド部分が開口されたマスク２５を
用いて印刷処理を行い、半田ペースト層２２ｄを形成す
る。この場合、４回以上に印刷工程を分けてもよいが、
印刷工程が複雑化するのを避けるには、３回で印刷を終
了させることが望ましい。

【００３５】ここで、「開口部同士の間隔が広くとられ
た」とは、マスクの全半田バンプ形成用パッドに対向す
る部分に開口部が形成された場合と比較して、マスクの
開口部同士の間隔が広くとられていることを意味する。

【００３６】このマスクを用いることにより、マスクの
開口部同士の間隔を広くとることができるので、マスク
の開口に機械的な問題は発生せず、マスク自体の強度を
保つことができ、半田印刷中にマスクの破損や反りが生
じることもないため、形成した半田バンプ間で短絡等の
問題が発生しにくい。従って、この方法は、半田バンプ
形成用パッド間の距離が極めて狭い場合に有効である。

【００３７】具体的には、一定配列の半田バンプ形成用
パッドが形成されたソルダーレジスト層に上記マスク等
を用いて半田ペーストを印刷する際には、例えば、２回
目の印刷工程で、隔列の半田バンプ形成用パッドに対向
する部分に開口が形成されたマスクを用い、隔列の半田
バンプ形成用パッドに半田ペースト層を形成し、３回目
の印刷工程において、残りの半田バンプ形成用パッドに
半田ペースト層を形成する。

【００３８】なお、３回目以降の印刷においては、ソル
ダーレジスト層に当接する側の、前に形成した半田バン
プ形成用パッドに対向する部分に凹部（以下、ザグリと
いう）が形成されたマスクを用いることが望ましい。ザ
グリ２５ａが形成されたマスク２５（図３（ｂ）参照）
を用いることにより、マスク２５による半田バンプの損
傷をなくすとともに、半田ペーストがマスクの裏側に付
着し、続いてソルダーレジスト層１４の表面に付着する
ことに起因する短絡を防止することができるからであ
る。本方法においても、１回目の印刷で、図２に示した
ように、半田ペースト層の上面がソルダーレジスト層の
表面より下になるように、半田ペーストを充填してもよ
く、窪みを有する半田バンプ形成用パッドのみに、その
窪み部分が充填される程度に半田ペースト層を形成して
もよい。

【００３９】２回目以降の印刷に用いるマスクの開口部
は、ソルダーレジスト層に対して平行な壁面を有するよ
うに形成されていてもよく、徐々にソルダーレジスト層
側に拡径する形態のテーパが形成されてもよいが、半田
ペーストがマスクにひっかからないようにするために
は、テーパが形成されていることが望ましい。

【００４０】開口部のテーパは、マスクのソルダーレジ
スト層側の最も広い部分の幅と半田ペースト入口の最も
狭い部分幅との差が、０〜２５μｍであることが望まし
く、０〜１０μｍがより望ましい。このようなテーパを
設けることにより、半田ペーストのマスクからの抜け性
が向上するので、半田バンプ形成用パッド部分に半田ペ
ースト層を形成しやすくなり、半田バンプの形状、大き
さを均一に保持することができる。

【００４１】本発明で半田ペーストの印刷に使用される
マスクの種類としては特に限定されず、プリント配線板
の製造用印刷マスクやその他の印刷マスクで用いられて
いる材質すべてのものを用いることができる。具体的に
は、例えば、ニッケル合金、ニッケル−コバルト合金、
ＳＵＳ等からなるメタルマスク；エポキシ樹脂、ポリイ
ミド樹脂等からなるプラスチックマスク等が挙げられ
る。マスクの製造方法としてはエッチング、アディテイ
ブ加工、レーザ加工等が挙げられる。

【００４２】マスクの厚みは、２０〜７０μｍが望まし
く、３５〜５０μｍがより望ましい。上記範囲の厚みに
設定することにより、半田ペーストの開口部の抜け性が
よく、ザグリを設けても機械的な強度に問題が生じない
からある。また、上記範囲の厚みに設定することによ
り、半田ペースト種類を変更した場合や、その粘度を変
更した場合に、マスクの開口径などの設計変更を容易に
行うことができる。

【００４３】マスク厚みが２０μｍ未満であると、マス
クの作製が困難で、形成されるバンプの高さが均一にな
りにくく、半田バンプ形成における望ましい幅のテー
パ、ザグリを形成するのが難しくなる。また、逆にマス
クの厚みが７０μｍを超えると、半田ペーストの抜け性
が低下してしまい、開口部内にペーストが残留してしま
うために、半田バンプの形状、高さが均一でなくなるこ
とがあり、半田バンプが狭ピッチ化、ファイン化される
につれて、半田バンプの形成が難しくなる。

【００４４】印刷の際に用いる半田ペーストとしては特
に限定されず、一般にプリント配線板の製造で使用され
ているものすべてを用いることができる。具体的には、
例えば、Ｓｎ：Ｐｂ（重量比）＝６３：３７、Ｓｎ：Ｐ
ｂ：Ａｇ＝６２：３６：２、Ｓｎ：Ａｇ＝９６．５：
３．５等からなるものが挙げられる。また、半田粒子径
は、５〜４０μｍが好ましい。２回目以降で用いる半田
ペーストの粘度は、２３℃のおいて、１００〜４００Ｐ
ａ．ｓが望ましい。半田ペーストの粘度が１００Ｐａ．
ｓより低いと、半田バンプの形状を保持することができ
ず、４００Ｐａ．ｓを超えると、半田バンプ形成用パッ
ド部分に半田ペースト層を良好に形成することができな
くなるからである。

【００４５】半田ペーストを印刷する際には、通常、印
刷用スキージを用いる。この印刷形成用スキージの材質
は特に限定されず、例えば、ポリエチレンなどのゴム；
鉄、ステンレスなどの金属；セラミックなど一般にプリ
ント配線板の印刷に用いられる材質を使用することがで
きる。

【００４６】上記スキージの形状に関しては、平型、角
型などの種々の形状のものが挙げられる。上記形状のス
キージに、適時切れ込みを入れることにより半田ペース
トの充填性を向上させてもよい。上記スキージの厚み
は、１０〜３０ｍｍが望ましく、１５〜２５ｍｍがより
望ましい。繰り返し印刷を行っても、反りやたわみがな
いからである。

【００４７】しかし、スキージの目減り、摩耗による再
現性や半田ペーストへの異物混入を考慮すると、金属製
のものが望ましい。金属製の場合には、スキージの厚み
は、５０〜３００μｍが望ましい。また、密閉式のスキ
ージユニットによる印刷を行ってもよい。このようなス
キージとしては、例えば、エアー圧入型、ローラー圧入
型、ピストン圧入型等が挙げられる。

【００４８】本発明の半田バンプの形成方法で形成する
半田バンプの形状は半円球状で、その高さは５〜５０μ
ｍとなり、均一な高さや形状を有する半田バンプを形成
することができる。リフローは、窒素などの不活性雰囲
気下、１５０〜３００℃の温度範囲で行うことが望まし
い。リフロー温度は、半田組成により設定する。

【００４９】次に、本発明のプリント配線板の製造方法
について、簡単に説明する。 (1) 本発明のプリント配線板の製造方法においては、ま
ず、絶縁性基板の表面に導体回路が形成された基板を作
製する。

【００５０】絶縁性基板としては、樹脂基板が望まし
く、具体的には、例えば、ガラスエポキシ基板、ポリイ
ミド基板、ビスマレイミド−トリアジン樹脂基板、フッ
素樹脂基板、セラミック基板、銅貼積層板などが挙げら
れる。本発明では、この絶縁性基板にドリル等で貫通孔
を設け、該貫通孔の壁面および銅箔表面に無電解めっき
を施して表面導電膜およびスルーホールを形成する。無
電解めっきとしては銅めっきが好ましい。

【００５１】この無電解めっきの後、通常、スルーホー
ル内壁および電解めっき膜表面の粗化形成処理を行う。
粗化形成処理方法としては、例えば、黒化（酸化）−還
元処理、有機酸と第二銅錯体の混合水溶液によるスプレ
ー処理、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐ針状合金めっきによる処理など
が挙げられる。

【００５２】(2) 次に、無電解めっきが施された基板上
に導体回路形状のエッチングレジストを形成し、エッチ
ングを行うことにより導体回路を形成する。次に、この
導体回路が形成された基板表面に樹脂充填剤を塗布、乾
燥させて半硬化状態とした後、研摩を行い、樹脂充填材
の層を研削するとともに、導体回路の上部も研削し、基
板の両主面を平坦化する。この後、樹脂充填材の層を完
全硬化する。

【００５３】(3) 次に、導体回路上に粗化層を形成す
る。粗化処理方法としては、例えば、黒化（酸化）−還
元処理、有機酸と第二銅錯体の混合水溶液によるスプレ
ー処理、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐ合金めっきによる処理などが挙
げられる。

【００５４】(4) ついで、形成された粗化層表面に、ス
ズ、亜鉛、銅、ニッケル、コバルト、タリウム、鉛等か
らなる被覆層を無電解めっき、蒸着などにより形成す
る。上記被覆層を０．０１〜２μｍの範囲で析出させる
ことにより、層間絶縁層から露出した導体回路を粗化液
やエッチング液から保護し、内層パターンの変色、溶解
を確実に防止することができるからである。

【００５５】(5) この後、粗化層が形成された導体回路
上に層間樹脂絶縁層を設ける。層間樹脂絶縁層の材料と
しては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂の
一部を感光化した樹脂またはこれらの複合樹脂を使用す
ることができる。層間絶縁層は、未硬化の樹脂を塗布し
て形成してもよく、また、未硬化の樹脂フィルムを熱圧
着して形成してもよい。さらに、未硬化の樹脂フィルム
の片面に銅箔などの金属層が形成された樹脂フィルムを
貼付してもよい。このような樹脂フィルムを使用する場
合は、バイアホール形成部分の金属層をエッチングした
後、レーザ光を照射して開口を設ける。金属層が形成さ
れた樹脂フィルムとしては、樹脂付き銅箔などを使用す
ることができる。

【００５６】上記層間絶縁層を形成する際に、無電解め
っき用接着剤層を使用することができる。この無電解め
っき用接着剤は、硬化処理された酸あるいは酸化剤に可
溶性の耐熱性樹脂粒子が、酸あるいは酸化剤に難溶性の
未硬化の耐熱性樹脂中に分散されてなるものが最適であ
る。酸、酸化剤で処理することにより、耐熱性樹脂粒子
が溶解除去されて、表面に蛸つぼ状のアンカーからなる
粗化面を形成できるからである。

【００５７】上記無電解めっき用接着剤において、特に
硬化処理された上記耐熱性樹脂粒子としては、(a) 平均
粒径が１０μｍ以下の耐熱性樹脂粉末、(b) 平均粒径が
２μｍ以下の耐熱性樹脂粉末を凝集させた凝集粒子、
(c) 平均粒径が２〜１０μｍの耐熱性粉末樹脂粉末と平
均粒径が２μｍ以下の耐熱性樹脂粉末との混合物、(d)
平均粒径が２〜10μｍの耐熱性樹脂粉末の表面に平均粒
径が２μｍ以下の耐熱性樹脂粉末または無機粉末のいず
れか少なくとも１種を付着させてなる疑似粒子、(e) 平
均粒径が０．１〜０．８μｍの耐熱性粉末樹脂粉末と平
均粒径が０．８μｍを超え、２μｍ未満の耐熱性樹脂粉
末との混合物、(f) 平均粒径が０．１〜１．０μｍの耐
熱性粉末樹脂粉末を用いることが望ましい。これらは、
より複雑なアンカーを形成することができるからであ
る。

【００５８】上記酸あるいは酸化剤に難溶性の耐熱性樹
脂としては、「熱硬化性樹脂および熱可塑性樹脂からな
る樹脂複合体」または「感光性樹脂および熱可塑性樹脂
からなる樹脂複合体」などが望ましい。前者については
耐熱性が高く、後者についてはバイアホール用の開口を
フォトリソグラフィーにより形成できるからである。

【００５９】上記熱硬化性樹脂としては、例えば、エポ
キシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂などを使用
することができる。また、感光化した樹脂としては、メ
タクリル酸やアクリル酸などと熱硬化基をアクリル化反
応させたものが挙げられる。特にエポキシ樹脂をアクリ
レート化したものが最適である。エポキシ樹脂として
は、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック
型、などのノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタ
ジエン変成した脂環式エポキシ樹脂などを使用すること
ができる。

【００６０】熱可塑性樹脂としては、ポリエーテルスル
フォン（ＰＥＳ）、ポリスルフォン（ＰＳＦ）、ポリフ
ェニレンスルフォン（ＰＰＳ）、ポリフェニレンサルフ
ァイド（ＰＰＥＳ）、ポリフェニルエーテル（ＰＰ
Ｅ）、ポリエーテルイミド（ＰＩ）、フッ素樹脂などを
使用することができる。熱硬化性樹脂（感光性樹脂）と
熱可塑性樹脂の混合割合は、熱硬化性樹脂（感光性樹
脂）／熱可塑性樹脂＝９５／５〜５０／５０が望まし
い。耐熱性を損なうことなく、高い靱性値を確保できる
からである。

【００６１】上記耐熱性樹脂粒子の混合重量比は、耐熱
性樹脂マトリックスの固形分に対して５〜５０重量％が
望ましく、１０〜４０重量％がさらに望ましい。耐熱性
樹脂粒子は、アミノ樹脂（メラミン樹脂、尿素樹脂、グ
アナミン樹脂）、エポキシ樹脂などが望ましい。

【００６２】(6) 次に、層間絶縁樹脂層を硬化する一方
で、その層間樹脂樹脂層にはバイアホ−ル形成用の開口
を設ける。層間絶縁樹脂層の開口は、無電解めっき用接
着剤の樹脂マトリックスが熱硬化樹脂である場合は、レ
−ザ−光や酸素プラズマ等を用いて行い、感光性樹脂で
ある場合には、露光現像処理にて行う。なお、露光現像
処理は、バイアホ−ル形成のための円パタ−ンが描画さ
れたフォトマスク（ガラス基板がよい）を、円パタ−ン
側を感光性の層間樹脂絶縁層の上に密着させて載置した
後、露光し、現像処理液に浸漬するか、現像処理液をス
プレーすることにより行う。充分な凹凸形状の粗化面を
有する導体回路上に形成された層間樹脂絶縁層を硬化さ
せることにより、導体回路との密着性に優れた層間樹脂
絶縁層を形成することができる。

【００６３】(7) 次に、バイアホ−ル用開口を設けた層
間樹脂絶縁層（無電解めっき用接着剤層）の表面を粗化
する。通常、粗化は、無電解めっき用接着剤層の表面に
存在する耐熱性樹脂粒子を酸または酸化剤で溶解除去す
ることにより行う。酸処理等により形成する粗化面の高
さは、Ｒｍａｘ＝０．０１〜２０μｍが望ましい。導体
回路との密着性を確保するためである。特にセミアディ
ティブ法では、０．１〜５μｍが望ましい。密着性を確
保しつつ、無電解めっき膜を除去することができるから
である。

【００６４】上記酸処理を行う際には、リン酸、塩酸、
硫酸、または、蟻酸や酢酸などの有機酸を用いることが
でき、特に有機酸を用いるのが望ましい。粗化形成処理
した場合に、バイアホ−ルから露出する金属導体層を腐
食させにくいからである。上記酸化処理は、クロム酸、
過マンガン酸塩（過マンガン酸カリウム等）を用いるこ
とが望ましい。

【００６５】(8) 次に、粗化した層間絶縁樹脂上の全面
に薄付けの無電解めっき膜を形成する。この無電解めっ
き膜は、無電解銅めっきが好ましく、その厚みは、１〜
５μｍが望ましく、２〜３μｍがより望ましい。

【００６６】(9) さらに、この上にめっきレジストを配
設する。めっきレジストとしては、市販の感光性ドライ
フィルムや液状レジストを使用することができる。そし
て、感光性ドライフィルムを貼り付けたり、液状レジス
トを塗布した後、紫外線露光処理を行い、アルカリ水溶
液で現像処理する。

【００６７】(10)ついで、上記処理を行った基板を電気
めっき液に浸漬した後、無電解めっき層をカソードと
し、めっき被着金属をアノードとして直流電気めっきを
行い、バイアホール用開口をめっき充填するとともに、
上層導体回路を形成する。電解めっきとしては、電解銅
めっきが好ましく、その厚みは、１０〜２０μｍが好ま
しい。

【００６８】(11)ついで、めっきレジストを強アリカリ
水溶液で剥離した後にエッチングを行い、無電解めっき
層を除去することにより、上層導体回路およびバイアホ
ールを独立パターンとする。上記エッチング液として
は、硫酸／過酸化水素水溶液、塩化第二鉄、塩化第二
銅、過硫酸アンモニウムなどの過硫酸塩の水溶液が使用
される。なお、非導体回路部分に露出したパラジウム触
媒核は、クロム酸、硫酸、過酸化水素等により溶解除去
する。

【００６９】(12)この後、必要により、(3) 〜(11)の工
程を繰り返し、最上層の導体回路に上記(3) の工程と同
様の条件で無電解めっきを施し、最上層の導体回路上に
粗化層を形成する。

【００７０】次に、最上層の導体回路を含む基板面にソ
ルダーレジスト層を形成し、上記した方法により半田バ
ンプを形成することによりプリント配線板の製造を終了
する。なお、製品認識文字などを形成するための文字印
刷工程やソルダーレジスト層の改質のために、酸素や四
塩化炭素などのプラズマ処理を適時行ってもよい。以上
の方法は、セミアディティブ法によるものであるが、フ
ルアディティブ法を採用してもよい。

【００７１】

【実施例】以下、本発明をさらに詳細に説明する。（実施例１）Ａ．無電解めっき用接着剤の調製（上層用接着剤） (i) クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社
製、分子量：２５００）の２５％アクリル化物を８０重
量％の濃度でジエチレングリコールジメチルエーテル
（ＤＭＤＧ）に溶解させた樹脂液３５重量部、感光性モ
ノマー（東亜合成社製、アロニックスＭ３１５）３．１
５重量部、消泡剤（サンノプコ社製Ｓ−６５）０．５
重量部およびＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）３．６重
量部を容器にとり、攪拌混合することにより混合組成物
を調製した。

【００７２】(ii)ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）１
２重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成社製、ポリマー
ポール）の平均粒径１．０μｍのもの７．２重量部およ
び平均粒径０．５μｍのもの３．０９重量部を別の容器
にとり、攪拌混合した後、さらにＮＭＰ３０重量部を添
加し、ビーズミルで攪拌混合し、別の混合組成物を調製
した。

【００７３】(iii) イミダゾール硬化剤（四国化成社
製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）２重量部、光重合開始剤（チバ
ガイギー社製、イルガキュアーＩ−９０７）２重量
部、光増感剤（日本化薬社製、ＤＥＴＸ−Ｓ）０．２重
量部およびＮＭＰ１．５重量部をさらに別の容器にと
り、攪拌混合することにより混合組成物を調製した。そ
して、(i) 、(ii)および(iii) で調製した混合組成物を
混合することにより無電解めっき用接着剤を得た。

【００７４】Ｂ．無電解めっき用接着剤の調製（下層用
接着剤） (i) クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社
製、分子量：２５００）の２５％アクリル化物を８０重
量％の濃度でジエチレングリコールジメチルエーテル
（ＤＭＤＧ）に溶解させた樹脂液３５重量部、感光性モ
ノマー（東亜合成社製、アロニックスＭ３１５）４重量
部、消泡剤（サンノプコ社製Ｓ−６５）０．５重量部
およびＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）３．６重量部を
容器にとり、攪拌混合することにより混合組成物を調製
した。

【００７５】(ii)ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）１
２重量部、および、エポキシ樹脂粒子（三洋化成社製、
ポリマーポール）の平均粒径０．５μｍのもの１４．４
９重量部を別の容器にとり、攪拌混合した後、さらにＮ
ＭＰ３０重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合し、別
の混合組成物を調製した。

【００７６】(iii) イミダゾール硬化剤（四国化成社
製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）２重量部、光重合開始剤（チバ
ガイギー社製、イルガキュアーＩ−９０７）２重量
部、光増感剤（日本化薬社製、ＤＥＴＸ−Ｓ）０．２重
量部およびＮＭＰ１．５重量部をさらに別の容器にと
り、攪拌混合することにより混合組成物を調製した。そ
して、(i) 、(ii)および(iii) で調製した混合組成物を
混合することにより無電解めっき用接着剤を得た。

【００７７】Ｃ．樹脂充填材の調製 (i) ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル
社製、分子量：３１０、ＹＬ９８３Ｕ）１００重量部、
表面にシランカップリング剤がコーティングされた平均
粒径が１．６μｍで、最大粒子の直径が１５μｍ以下の
ＳｉＯ₂ 球状粒子（アドテック社製、ＣＲＳ１１０１
−ＣＥ）１７０重量部およびレベリング剤（サンノプコ
社製ペレノールＳ４）１．５重量部を容器にとり、攪
拌混合することにより、その粘度が２３±１℃で４０〜
５０Ｐａ・ｓの樹脂充填材を調製した。なお、硬化剤と
して、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、２Ｅ４ＭＺ
−ＣＮ）６．５重量部を用いた。

【００７８】Ｄ．プリント配線板の製造方法 (1) 厚さ１ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビス
マレイミドトリアジン）樹脂からなる基板１の両面に１
８μｍの銅箔８がラミネートされている銅貼積層板を出
発材料とした（図４（ａ）参照）。まず、この銅貼積層
板をドリル削孔し、無電解めっき処理を施し、パターン
状にエッチングすることにより、基板１の両面に下層導
体回路４とスルーホール９を形成した。

【００７９】(2) スルーホール９および下層導体回路４
を形成した基板を水洗いし、乾燥した後、ＮａＯＨ（１
０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ₂ （４０ｇ／ｌ）、Ｎａ₃ ＰＯ
₄ （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）とする
黒化処理、および、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ
₄ （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴とする還元処理を
行い、そのスルーホール９を含む下層導体回路４の全表
面に粗化面４ａ、９ａを形成した（図４（ｂ）参照）。

【００８０】(3) 上記Ｃに記載した樹脂充填材を調製し
た後、下記の方法により調製後２４時間以内に、スルー
ホール９内、および、下層導体回路４間に樹脂充填材１
０を塗布することにより充填した（図４（ｃ）参照）。
この際、塗布方法としては、スキージを用いた印刷法を
採用し、１回目の印刷塗布においては、主にスルーホー
ル９を充填し、１００℃で２０分間乾燥させた。また、
２回目の印刷塗布では、主に下層導体回路４の形成で生
じた凹部を充填し、１００℃で２０分間乾燥させた。

【００８１】(4) 上記(3) の処理を終えた基板の片面
を、＃６００のベルト研磨紙（三共理化学社製）を用い
たベルトサンダー研磨により、下層導体回路４の表面や
スルーホール９のランド表面に樹脂充填材が残らないよ
うに研磨し、ついで、上記ベルトサンダー研磨による傷
を取り除くためのバフ研磨を行った。このような一連の
研磨を基板の他方の面についても同様に行った。この
後、１００℃で１時間、１５０℃で１時間の加熱処理を
行い、樹脂充填材の層を完全に硬化させた。

【００８２】このようにして、スルーホール９や導体回
路非形成部に形成された樹脂充填材１０の表層部および
下層導体回路４の表面を平坦化し、樹脂充填材１０と下
層導体回路４の側面４ａとが粗化面を介して強固に密着
し、またスルーホール９の内壁面９ａと樹脂充填材１０
とが粗化面を介して強固に密着した絶縁性基板を得た
（図４（ｄ）参照）。

【００８３】(5) 次に、上記工程により導体回路を形成
した絶縁性基板を、絶縁性基板同士が３ｃｍの間隔があ
くようにラックに収納し、アルカリ脱脂してソフトエッ
チングし、次いで、塩化パラジウムと有機酸とからなる
触媒溶液で処理して、Ｐｄ触媒を付与し、この触媒を活
性化した。

【００８４】次に、硫酸銅（３．９×１０^-2ｍｏｌ／
ｌ）、硫酸ニッケル（３．８×１０^-3ｍｏｌ／ｌ）、ク
エン酸ナトリウム（７．８×１０^-3ｍｏｌ／ｌ）、次亜
リン酸ナトリウム（２．３×１０^-1 ｍｏｌ／ｌ）、界
面活性剤（日信化学工業社製、サーフィノール４６５）
（１．０ｇ／ｌ）を含む水溶液からなるｐＨ＝９の無電
解銅めっき浴に基板を浸漬し、浸漬１分後に、４秒あた
りに１回の割合で縦および横方向に振動させて、下層導
体回路およびスルーホールのランドの表面に、Ｃｕ−Ｎ
ｉ−Ｐからなる針状合金の粗化層を設けた。さらに、ホ
ウフッ化スズ（０．１ｍｏｌ／ｌ）、チオ尿素（１．０
ｍｏｌ／ｌ）を含む温度３５℃、ｐＨ＝１．２のめっき
浴を用い、Ｃｕ−Ｓｎ置換反応させ、粗化層の表面に厚
さ０．３μｍのＳｎ層を設けた（図５（ａ）参照）。

【００８５】(6) さらに、ホウフッ化スズ（０．１ｍｏ
ｌ／ｌ）、チオ尿素（１．０ｍｏｌ／ｌ）を含む温度３
５℃、ｐＨ＝１．２のスズ置換めっき液を用い、浸漬時
間１０分でＣｕ−Ｓｎ置換反応させ、粗化層の表面に厚
さ０．３μｍのＳｎ層を設けた。ただし、このＳｎ層に
ついては、図示しない。

【００８６】(7) 基板の両面に、上記Ｂにおいて記載し
た下層用の無電解めっき用接着剤（粘度：１．５Ｐａ・
ｓ）を調製後２４時間以内にロールコータを用いて塗布
し、水平状態で２０分間放置してから、６０℃で３０分
の乾燥を行った。次いで、上記Ａにおいて記載した上層
用の無電解めっき用接着剤（粘度：７Ｐａ・ｓ）を調製
後２４時間以内にロールコータを用いて塗布し、同様に
水平状態で２０分間放置してから、６０℃で３０分の乾
燥を行い、厚さ３５μｍの無電解めっき用接着剤の層２
ａ、２ｂを形成した（図５（ｂ）参照）。

【００８７】(8) 上記(7) で無電解めっき用接着剤の層
を形成した基板の両面に、直径８５μｍの黒円が印刷さ
れたフォトマスクフィルムを密着させ、超高圧水銀灯に
より５００ｍＪ／ｃｍ² 強度で露光した後、ＤＭＤＧ溶
液でスプレー現像した。この後、さらに、この基板を超
高圧水銀灯により３０００ｍＪ／ｃｍ² 強度で露光し、
１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時
間の加熱処理を施し、フォトマスクフィルムに相当する
寸法精度に優れた直径８５μｍのバイアホール用開口６
を有する厚さ３５μｍの層間樹脂絶縁層２を形成した
（図５（ｃ）参照）。なお、バイアホールとなる開口に
は、スズめっき層を部分的に露出させた。

【００８８】(9) バイアホール用開口６を形成した基板
を、クロム酸水溶液（７５００ｇ／ｌ）に１９分間浸漬
し、層間樹脂絶縁層の表面に存在するエポキシ樹脂粒子
を溶解除去してその表面を粗化し、粗化面を得た。その
後、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いし
た（図５（ｄ）参照）。さらに、粗面化処理した該基板
の表面に、パラジウム触媒（アトテック社製）を付与す
ることにより、層間絶縁材層の表面およびバイアホール
用開口の内壁面に触媒核を付着させた。

【００８９】(10)次に、以下の組成の無電解銅めっき水
溶液中に基板を浸漬して、粗面全体に厚さ０．６〜１．
２μｍの無電解銅めっき膜１２を形成した（図６（ａ）
参照）。〔無電解めっき水溶液〕ＥＤＴＡ０．０８ｍｏｌ／ｌ硫酸銅０．０３ｍｏｌ／ｌＨＣＨＯ０．０５ｍｏｌ／ｌＮａＯＨ０．０５ｍｏｌ／ｌ α、α’−ビピリジル８０ｍｇ／ｌＰＥＧ０．１０ｇ／ｌ（ポリエチレングリコール）〔無電解めっき条件〕６５℃の液温度で２０分

【００９０】(11)市販の感光性ドライフィルムを無電解
銅めっき膜１２に貼り付け、マスクを載置して、１００
ｍＪ／ｃｍ² で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水溶液
で現像処理することにより、厚さ１５μｍのめっきレジ
スト３を設けた（図６（ｂ）参照）。

【００９１】(12)ついで、レジスト非形成部に以下の条
件で電気銅めっきを施し、厚さ１５μｍの電気銅めっき
膜１３を形成した（図６（ｃ）参照）。〔電気めっき水溶液〕硫酸２．２４ｍｏｌ／ｌ硫酸銅０．２６ｍｏｌ／ｌ添加剤１９．５ｍｌ／ｌ（アトテックジャパン社製、カパラシドＨＬ）〔電気めっき条件〕電流密度１Ａ／ｄｍ² 時間６５分温度２２±２ ℃

【００９２】(13)さらにめっきレジストを５％ＫＯＨ水
溶液で剥離除去した後、そのめっきレジスト下の無電解
めっき膜を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理
して溶解除去し、独立の上層導体回路５（バイアホール
７を含む）とした（図６（ｄ）参照）。

【００９３】(14)導体回路を形成した基板に対し、上記
(5) と同様の処理を行い、導体回路の表面に厚さ２μｍ
のＣｕ−Ｎｉ−Ｐからなる合金粗化層１１を形成した
（図７（ａ）参照）。 (15)続いて、上記 (6)〜(14)の工程を、繰り返すことに
より、さらに上層の導体回路を形成した。（図７（ｂ）
〜図８（ｂ）参照）。

【００９４】(16)次に、ジエチレングリコールジメチル
エーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるように
溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日
本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光
性付与のオリゴマー（分子量：４０００）４６．６７重
量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビ
スフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商品
名：エピコート１００１）１５重量部、イミダゾール硬
化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）１．
６重量部、感光性モノマーである多官能アクリルモノマ
ー（日本化薬社製、商品名：Ｒ６０４）３重量部、同じ
く多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：ＤＰ
Ｅ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サンノプコ社
製、商品名：Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にとり、
攪拌、混合して混合組成物を調製し、この混合組成物に
対して光重合開始剤としてベンゾフェノン（関東化学社
製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン
（関東化学社製）０．２重量部を加えて、粘度を２５℃
で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成物
（有機樹脂絶縁材料）を得た。なお、粘度測定は、Ｂ型
粘度計（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｒｐｍの
場合はローターＮｏ．４、６ｒｐｍの場合はローターＮ
ｏ．３によった。

【００９５】(17)次に、多層配線基板の両面に、上記ソ
ルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、７０
℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行
った後、ソルダーレジスト開口部のパターンが描画され
た厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト層に密
着させて１０００ｍＪ／ｃｍ² の紫外線で露光し、ＤＭ
ＴＧ溶液で現像処理し、２００μｍの直径の開口を形成
した。そして、さらに、８０℃で１時間、１００℃で１
時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件でそ
れぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト層を硬化さ
せ、はんだパッド部分が開口した、その厚さが２０μｍ
のソルダーレジスト層（有機樹脂絶縁層）１４を形成し
た。

【００９６】(18)次に、ソルダーレジスト層（有機樹脂
絶縁層）１４を形成した基板を、塩化ニッケル（２．３
×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８
×１０ ^-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×
１０^-1ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケ
ルめっき液に２０分間浸漬して、開口部に厚さ５μｍの
ニッケルめっき層１５を形成した。さらに、その基板を
シアン化金カリウム（７．６×１０^-3ｍｏｌ／ｌ）、塩
化アンモニウム（１．９×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン
酸ナトリウム（１．２×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン
酸ナトリウム（１．７×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）を含む無電
解めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッ
ケルめっき層１５上に、厚さ０．０３μｍの金めっき層
１６を形成した。

【００９７】(19)次に、半田バンプ形成用パッドに対す
る半田ペーストの印刷を２回に分けて行った。まず、１
回目の半田ペーストの印刷は、全ての半田バンプ形成用
パッドに対向する部分に開口が形成されたマスクを用
い、このマスクをソルダーレジスト層１４上に載置し、
硬度７５°のゴムスキージを用いて、凹形状の半田バン
プ形成用パッド部が丁度充填される程度（図１（ｂ）参
照）に半田ペーストを充填した。マスクの開口径は、全
て１５０μｍであり、その厚みは５０μｍであった。

【００９８】また、半田ペーストは、Ｓｎ／Ｐｂを重量
比３８：６３で配合させた主として粒径５〜２０μｍの
半田を含むもので、その粘度が１５０Ｐａ．ｓに調整さ
れたものである。

【００９９】次に、２回目の半田ペーストの印刷を行っ
たが、この際、全ての半田バンプ形成用パッドに対向す
る部分に開口が形成され、その厚みが５０μｍのマスク
を用い、その粘度が２５０Ｐａ．ｓに調整された半田ペ
ーストにより印刷を行った。マスクの開口径は、全て１
５０μｍであった。この後、１回目及び２回目で形成さ
れた半田ペースト層を２００℃でリフローすることによ
り、半田バンプを形成した（図８（ｃ））。

【０１００】(21)次に、フラックス洗浄を行い、ルータ
ーを持つ装置で、基板を適当な大きさに分割切断した
後、プリント配線板の短絡、断線を検査するチェッカー
工程を経て、プリント配線板を得た。 (20)上記方法により、複数のプリント配線板を製造し、
製造したプリント配線板の他の一部を用い、ＩＣチップ
との接合を行った。すなわち、所定の取り付け装置を用
い、フラックス洗浄後、ターゲットマークを基準とし
て、プリント配線板の半田バンプとＩＣチップに設けら
れたバンプとの位置合わせを行い、半田をリフローさせ
ることによりプリント配線板の半田バンプとＩＣチップ
のバンプとを接合させた。そして、フラックス洗浄を行
い、該ＩＣチップと多層プリント配線板との間にアンダ
ーフィルを充填し、これによってＩＣチップが接続した
プリント配線板を得た。

【０１０１】（実施例２）１回目の半田印刷後、形成さ
れた半田ペースト層を２００℃でリフローすることによ
り、半田バンプ形成用パッド部に充填された半田ペース
ト層を半田層とした後、２回目の半田ペーストの印刷を
行って、半田バンプを形成させたほかは実姉例１と同様
にしてプリント配線板を製造した。

【０１０２】（比較例１）１回の半田ペーストの印刷で
全半田バンプ形成用パッド部分に半田ペースト層を形成
し、その後リフローすることにより半田バンプを形成し
たほかは、実施例１と同様にしてプリント配線板を製造
した。

【０１０３】次に、実施例１、２および比較例１で製造
されたプリント配線板について、ソルダーレジスト層の
汚染を観察し、半田バンプのボイドの有無を検査した
後、半田バンプの高さと形状、信頼性試験前と後の性能
等の評価を下記の方法により行い、また、マスクの損傷
の有無についても比較評価を行った。その結果を表１に
示した。

【０１０４】評価方法（１）半田バンプのボイドの有無、半田バンプの形状と
高さプリント配線板を半田バンプが形成されている部分をＸ
線にて観察してボイドの有無を評価し、ソルダーレジス
ト層からの半田バンプの高さを測定し、形状を観察し
た。形状については、半球状になっているものを○、そ
うでないものを×とした。

【０１０５】（２）信頼性試験（ヒートサイクル試験）１３５℃、相対湿度８５％の条件下で１０００時間放置
した後、下記する導通試験を行い、プリント配線板を半
田バンプが形成されている部分で切断して半田バンプの
状態を観察した。信頼性試験前と変わらないものを○、
クラック等が観察されたものを×としている。

【０１０６】（３）導通試験プリント配線板製造後上記信頼性試験の前、または、上
記信頼性試験後に導通試験を行い、モニターに表示され
た結果から導通状態を評価した。短絡、断線がないもの
を○、短絡、断線があったものを×としている。

【０１０７】

【表１】

【０１０８】表１に記載したように、実施例１、２で製
造されたプリント配線板では、半田バンプにボイドは確
認されず、半田バンプの高さ、形状ともほぼ均一であ
り、ソルダーレジスト層上の半田ペーストのニジミもな
く、半田バンプ間の短絡もなかった。また、信頼性試験
の前後で導通試験を行っても全く問題がなく、半田バン
プのクラック、剥がれも見当たらなかった。

【０１０９】一方、比較例１で製造されたプリント配線
板は、半田バンプ内にボイドが形成され、高さも実施例
１と比べてもバラツキが大きく、形状も一様でなかっ
た。また、ソルダーレジスト層上のニジミを見られた。
導通試験に関しては、半田バンプ形成後は特に問題がな
かったが、信頼性試験後に断線、短絡が生じた。また、
断線と確認された部分の半田バンプの断面を切断する
と、クラック、剥がれを引き起こしていた。半田バンプ
内のボイドから誘発されたものであると推定された。

【０１１０】

【発明の効果】以上説明してきたように、本発明のプリ
ント配線板の製造方法によれば、ボイドを減少させるこ
とができ、半田バンプの形状や高さの均一性を確保し、
半田ペーストによるソルダーレジスト層上のニジミや半
田バンプ間の短絡を防止することにより、ＩＣチップな
どの電子部品との接続を確実に行うことができる接続
性、信頼性に優れたプリント配線板を製造することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）〜（ｃ）は、本発明のプリント配線板の
製造方法において、半田バンプ形成用パッドを形成する
工程の一例を示す断面図である。

【図２】（ａ）、（ｂ）は、本発明のプリント配線板の
製造方法において、半田ペーストの充填工程の他の一例
を示す断面図である。

【図３】（ａ）〜（ｂ）は、本発明のプリント配線板の
製造方法において、半田バンプ形成用パッドを形成する
工程の他の一例を示す断面図である。

【図４】（ａ）〜（ｄ）は、本発明のプリント配線板の
製造工程の一部を示す断面図である。

【図５】（ａ）〜（ｄ）は、本発明のプリント配線板の
製造工程の一部を示す断面図である。

【図６】（ａ）〜（ｄ）は、本発明のプリント配線板の
製造工程の一部を示す断面図である。

【図７】（ａ）〜（ｃ）は、本発明のプリント配線板の
製造工程の一部を示す断面図である。

【図８】（ａ）〜（ｃ）は、本発明のプリント配線板の
製造工程の一部を示す断面図である。

【符号の説明】

１基板２（２ａ、２ｂ）層間樹脂絶縁層（無電解めっき用接
着剤層）３めっきレジスト４下層導体回路４ａ粗化面５上層導体回路７バイアホール８銅箔９スルーホール９ａ粗化面１０樹脂充填材１１粗化層１２無電界めっき層１３電界めっき層１４ソルダーレジスト層（有機樹脂絶縁層）１５ニッケルめっき膜１６金めっき膜１７ハンダバンプ２１ａ、２１ｂ半田バンプ形成用パッド２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄ半田ペースト層２３、２４、２５マスク２５ａザグリ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】形成した導体回路上に層間絶縁層を形成
する工程を繰り返して、絶縁性基板上に層間絶縁層を挟
んだ複数層からなる導体回路を形成した後、最上層の導
体回路上にソルダーレジスト層を設け、前記ソルダーレ
ジスト層の一部を開口して複数の半田バンプ形成用パッ
ドを形成し、前記半田バンプ形成用パッドに半田ペース
トを印刷して半田バンプを形成するプリント配線板の製
造方法であって、１回目の半田ペーストの印刷で凹形状
の半田バンプ形成用パッドに半田ペーストを充填した
後、さらに１回以上半田ペーストの印刷を行い、半田バ
ンプを形成することを特徴とするプリント配線板の製造
方法。
【請求項２】２回の半田ペーストの印刷工程を行った
後、半田バンプを形成する請求項１に記載のプリント配
線板の製造方法。
【請求項３】全半田バンプ形成用パッドの一部に対向
する部分にのみ開口部が形成され、開口部同士の間隔が
広くとられたマスクを用いて、２回目の半田ペーストの
印刷を行い、３回目以降の印刷で２回目に印刷されなか
った半田バンプ形成用パッド部分が開口されたマスクを
用いて印刷処理を行う請求項１に記載のプリント配線板
の製造方法。
【請求項４】３回目以降の半田ペーストの印刷におい
ては、ソルダーレジストに当接する側の、前に形成した
半田バンプ形成用パッドに対向する部分に凹部が形成さ
れたマスクを用いる請求項３に記載のプリント配線板の
製造方法。
【請求項５】１回目の半田ペーストの印刷で、形成さ
れた半田ペースト層の上面がソルダーレジスト層の表面
と略同一となるように、半田バンプ形成用パッドに半田
ペーストを充填する請求項１〜４のいずれかに記載のプ
リント配線板の製造方法。
【請求項６】１回目の半田ペーストの印刷で、形成さ
れた半田ペースト層の上面がソルダーレジスト層の表面
より下になるように、半田バンプ形成用パッドに半田ペ
ーストを充填する請求項１〜４のいずれかに記載のプリ
ント配線板の製造方法。
【請求項７】１回目の半田ペーストの印刷で、窪みを
有する半田バンプ形成用パッドのみに、その窪み部分が
充填される程度に半田ペーストを充填する請求項１〜４
のいずれかに記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項８】１回目の半田ペーストの印刷工程に続い
てリフロー工程を行い、次の半田ペーストの印刷工程を
行う請求項１〜７のいずれかに記載のプリント配線板の
製造方法。