JP2003046021A

JP2003046021A - Ｉｃチップ実装用基板の製造方法

Info

Publication number: JP2003046021A
Application number: JP2001284048A
Authority: JP
Inventors: Hironori Tanaka; 宏徳田中; Motoo Asai; 元雄浅井
Original assignee: Ibiden Co Ltd
Current assignee: Ibiden Co Ltd
Priority date: 2001-05-25
Filing date: 2001-09-18
Publication date: 2003-02-14
Anticipated expiration: 2021-09-18
Also published as: JP4627942B2

Abstract

(57)【要約】【課題】接続信頼性に優れる光通信を達成するととも
に、端末機器の小型化に寄与することができるＩＣチッ
プ実装用基板の製造方法を提供する。【解決手段】光学素子挿入用基板とパッケージ基板と
を作製し、両者を貼り貼り合わせた後、下記の工程を行
うＩＣチップ実装用基板の製造方法。（１）上記光学素子挿入用基板に形成した貫通孔より露
出したパッケージ基板の表面に光学素子を取り付けた
後、上記光学素子と上記パッケージ基板の導体回路とを
電気的に接続する光学素子実装工程、（２）上記光学素
子挿入用基板に形成した貫通孔内に樹脂組成物を充填
し、樹脂充填層を形成する樹脂充填層形成工程、（３）
上記光学素子挿入用基板と上記パッケージ基板と貫通す
るスルーホールを形成するスルーホール形成工程、およ
び、（４）上記光学素子挿入基板の露出面と上記パッケ
ージ基板の露出面とにソルダーレジスト層を形成するソ
ルダーレジスト層形成工程。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣチップ実装用
基板の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、通信分野を中心として光ファイバ
に注目が集まっている。特にＩＴ（情報技術）分野にお
いては、高速インターネット網の整備に、光ファイバを
用いた通信技術が必要となる。光ファイバは、低損
失、高帯域、細径・軽量、無誘導、省資源等の
特徴を有しており、この特徴を有する光ファイバを用い
た通信システムでは、従来のメタリックケーブルを用い
た通信システムに比べ、中継器数を大幅に削減すること
ができ、建設、保守が容易になり、通信システムの経済
化、高信頼性化を図ることができる。

【０００３】また、光ファイバは、一つの波長の光だけ
でなく、多くの異なる波長の光を１本の光ファイバで同
時に多重伝送することができるため、多用な用途に対応
可能な大容量の伝送路を実現することができ、映像サー
ビス等にも対応することができる。

【０００４】そこで、このようなインターネット等のネ
ットワーク通信においては、光ファイバで用いた光通信
を、基幹網の通信のみならず、基幹網と端末機器（パソ
コン、モバイル、ゲーム等）との通信や、端末機器同士
の通信にも用いることが提案されている。

【０００５】このように基幹網と端末機器との通信等に
光通信を用いる場合、端末機器において情報（信号）処
理を行うＩＣが、電気信号で動作するため、端末機器に
は、光→電気変換器や電気→光変換器等の光信号と電気
信号とを変換する装置（以下、光／電気変換器ともい
う）を取り付ける必要がある。そこで、従来の端末機器
では、例えば、ＩＣチップを実装したパッケージ基板、
光信号を処理する受光素子や発光素子等の光学部品等を
別々に実装し、これらに電気配線や光導波路を接続し、
信号伝送および信号処理を行っていた。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】このような従来の端末
機器では、ＩＣ実装パッケージ基板と光学部品とを別々
に実装しているため、装置全体が大きくなり、端末機器
の小型化を妨げる要因となっていた。また、従来の端末
機器では、ＩＣ実装パッケージ基板と光学部品との距離
が離れているため、電気配線距離が長く、信号伝送時に
クロストークノイズ等による信号エラー等が発生しやす
かった。

【０００７】

【課題を解決するための手段】そこで、本発明者等は、
接続信頼性に優れる光通信を達成するとともに、端末機
器の小型化に寄与することができるＩＣチップ実装用基
板を製造する方法について鋭意検討した結果、ＩＣチッ
プ実装用基板を製造する際に各種光学部品を実装するこ
とにより上述した問題の発生しないＩＣチップ実装用基
板を製造することができることに想到し、下記の構成か
らなる本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法を完成
させた。

【０００８】即ち、本発明のＩＣチップ実装用基板の製
造方法は、（ａ）基板ａの両面または片面に導体回路を
形成する導体回路形成工程、（ｂ）導体回路を形成した
基板ａの導体回路非形成部の少なくとも一部に接着剤層
を形成する接着剤層形成工程、および、（ｃ）接着剤層
を形成した基板ａの一部に貫通孔を形成する貫通孔形成
工程、を経て作製した光学素子挿入用基板と、（Ａ）基
板Ａの両面に導体回路を形成する第一の導体回路形成工
程、（Ｂ）上記導体回路を形成した基板Ａ上に、バイア
ホールを有する層間樹脂絶縁層を形成するとともに、上
記層間樹脂絶縁層上に導体回路を形成する層間樹脂絶縁
層積層工程、および、（Ｃ）最外層にソルダーレジスト
層を形成するソルダーレジスト層形成工程、を経て作製
したパッケージ基板と、を貼り合わせた後、少なくとも
下記（１）〜（４）の工程を行うことを特徴とする。（１）上記光学素子挿入用基板に形成した貫通孔より露
出したパッケージ基板の表面に光学素子を取り付けた
後、上記光学素子と上記パッケージ基板の導体回路とを
電気的に接続する光学素子実装工程、（２）上記光学素
子挿入用基板に形成した貫通孔内に樹脂組成物を充填
し、樹脂充填層を形成する樹脂充填層形成工程、（３）
上記光学素子挿入用基板と上記パッケージ基板とを貫通
するスルーホールを形成するスルーホール形成工程、お
よび、（４）上記光学素子挿入基板の露出面と上記パッ
ケージ基板の露出面とにソルダーレジスト層を形成する
ソルダーレジスト層形成工程。

【０００９】また、本発明のＩＣチップ実装用基板の製
造方法における（１）の工程においては、ワイヤボンデ
ィングにより光学素子とパッケージ基板とを電気的に接
続することが望ましい。また、上記ＩＣチップ実装用基
板の製造方法の（３）の工程で形成する樹脂充填層は、
その上面と下面との間の垂直方向の通信波長光の透過率
が９０％以上であることが望ましく、また、長さ１ｍｍ
あたりの通信波長光の透過率が９０％以上であることも
望ましい。

【００１０】

【発明の実施の形態】本発明のＩＣチップ実装用基板の
製造方法は、（ａ）基板ａの両面または片面に導体回路
を形成する導体回路形成工程、（ｂ）導体回路を形成し
た基板ａの導体回路非形成部の少なくとも一部に接着剤
層を形成する接着剤層形成工程、および、（ｃ）接着剤
層を形成した基板ａの一部に貫通孔を形成する貫通孔形
成工程、を経て作製した光学素子挿入用基板と、（Ａ）
基板Ａの両面に導体回路を形成する第一の導体回路形成
工程、（Ｂ）上記導体回路を形成した基板Ａ上に、バイ
アホールを有する層間樹脂絶縁層を形成するとともに、
上記層間樹脂絶縁層上に導体回路を形成する層間樹脂絶
縁層積層工程、および、（Ｃ）最外層にソルダーレジス
ト層を形成するソルダーレジスト層形成工程、を経て作
製したパッケージ基板と、を貼り合わせた後、少なくと
も下記（１）〜（４）の工程を行うことを特徴とする。（１）上記光学素子挿入用基板に形成した貫通孔より露
出したパッケージ基板の表面に光学素子を取り付けた
後、上記光学素子と上記パッケージ基板の導体回路とを
電気的に接続する光学素子実装工程、（２）上記光学素
子挿入用基板に形成した貫通孔内に樹脂組成物を充填
し、樹脂充填層を形成する樹脂充填層形成工程、（３）
上記光学素子挿入用基板と上記パッケージ基板とを貫通
するスルーホールを形成するスルーホール形成工程、お
よび、（４）上記光学素子挿入基板の露出面と上記パッ
ケージ基板の露出面とにソルダーレジスト層を形成する
ソルダーレジスト層形成工程。

【００１１】なお、上記（１）〜（４）の工程は、この
順序で行わなければならないものではなく、上記（２）
の工程は、上記（１）の工程の後に行わなければなら
ず、上記（４）の工程は、上記（３）の工程の後に行わ
なければならないものの、上記（３）の工程は、上記
（１）の工程や上記（２）の工程の前に行ってもよい。
また、上記（４）の工程は、上記（３）の工程の後であ
れば、上記（１）の工程や上記（２）の工程の前に行っ
てもよい。

【００１２】本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法
では、接続信頼性に優れる光通信を達成するとともに、
端末機器の小型化に寄与することができるＩＣチップ実
装用基板を製造することができる。

【００１３】本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法
は、光学素子挿入用基板とパッケージ基板とを別々に作
製した後、両者を貼り合わせ、さらに所定の工程を経る
ものである。そこで、本明細書においては、まず、光学
素子挿入用基板を作製する方法とパッケージ基板を作製
する方法とをそれぞれ工程順に別々に説明し、その後、
両者を貼り合わせてＩＣチップ実装用基板とする工程に
ついて説明する。

【００１４】光学素子挿入用基板の作製では、まず、上
記（ａ）の工程、即ち、基板ａの両面または片面に導体
回路を形成する導体回路形成工程を行う。具体的には、
例えば、基板ａの両面または片面に無電解めっき処理等
によりベタの導体層を形成し、該導体層上にレジストを
形成した後、エッチング処理を施すことにより基板ａ上
に導体回路を形成することができる。また、基板ａの両
面または片面にめっきレジストを形成し、その後、めっ
き処理と、めっきレジストの剥離とを行うことによって
も基板ａ上に導体回路を形成する。

【００１５】上記基板ａとしては、例えば、エポキシ樹
脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミ
ド−トリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）フェノール樹脂、これ
らの樹脂にガラス繊維等の補強材が含浸された樹脂（例
えば、ガラスエポキシ樹脂）等からなる基板、ＦＲ−４
基板、ＦＲ−５基板等が挙げられる。また、両面銅張積
層基板や片面銅張積層基板、ＲＣＣ基板等をベタの導体
層が形成された基板として用いてもよい。なお、コンフ
ォーマル基板やアディティブ法で形成された基板を導体
回路の形成された基板として用いてもよい。

【００１６】次に、上記（ｂ）工程、即ち、導体回路を
形成した基板ａの導体回路非形成部の少なくとも一部に
接着剤層を形成する接着剤層形成工程を行う。この工程
では、基板ａのパッケージ基板と貼り合わせる側の導体
回路非形成部の全部または一部に接着剤層を形成する。
上記接着剤層は、パッケージ基板との充分な接着性が得
られるように塗布すればよい。従って、後述する（ｃ）
の工程で貫通孔が形成される部分には、接着剤層を形成
してもよいし、しなくてもよい。

【００１７】上記接着剤としては、例えば、熱硬化性樹
脂、熱可塑性樹脂、感光性樹脂、熱硬化基の一部が感光
化された樹脂、および、これらの複合体からなるもの等
を用いることができる。具体例としては、例えば、エポ
キシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ＢＴ樹脂
等が挙げられる。また、予め、シート状に成形された接
着剤を用いてもよく、プリプレグを用いてもよい。

【００１８】次に、上記（ｃ）の工程、即ち、接着剤層
を形成した基板ａの一部に貫通孔を形成する貫通孔形成
工程を行う。ここで形成する貫通孔内には、後工程にお
いて、光学素子が配設されることとなる。上記貫通孔の
形成は、例えば、ルーター加工等により行うことができ
る。また、上記貫通孔の形成位置は特に限定されない
が、通常、基板の中央に形成する。

【００１９】また、上記貫通孔形成工程おいて、貫通孔
を形成した後には、貫通孔壁面に存在するバリ等を除去
するために、薬液処理や研磨処理等を施してもよい。上
記薬液処理は、例えば、クロム酸、過マンガン酸塩等の
水溶液からなる酸化剤を使用して行うことができる。こ
のような（ａ）〜（ｃ）の工程を経ることにより光学素
子挿入用基板を作製することができる。

【００２０】次に、パッケージ基板の作製方法について
説明する。パッケージ基板の作製では、まず、上記
（Ａ）の工程、即ち、基板Ａの両面に導体回路を形成す
る第一の導体回路形成工程を行う。この工程は、例え
ば、上述した光学素子挿入用基板の作製の（ａ）の工程
と同様の方法により行うことができる。なお、基板Ａと
しては、例えば、上述した基板ａと同様のものを用いる
ことができる。

【００２１】また、必要に応じて、上記基板Ａを挟んだ
導体回路間を接続するスルーホールを形成してもよい。
上記スルーホールは、上記基板Ａにドリル加工やレーザ
処理等により貫通孔を形成した後、該貫通孔の壁面に無
電解めっき処理等を施すことにより形成する。また、ス
ルーホールを形成した場合には、該スルーホール内に樹
脂充填材を充填することが望ましい。なお、樹脂充填材
の充填は、例えば、スルーホールに相当する部分に開口
が形成されたマスクを基板上に載置し、スキージを用い
て行うことができる。

【００２２】また、導体回路表面（スルーホールのラン
ド表面を含む）に粗化形成処理を施してもよい。導体回
路表面を粗化面とすることにより後工程で積層形成する
層間樹脂絶縁層との密着性が向上するからである。上記
粗化形成処理としては、例えば、黒化（酸化）−還元処
理、第二銅錯体と有機酸塩とを含むエッチング液等を用
いたエッチング処理、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐ針状合金めっきに
よる処理等が挙げられる。なお、この粗化形成処理は、
スルーホール内に樹脂充填材を充填する前に行い、スル
ーホールの壁面にも粗化面を形成してもよい。スルーホ
ールと樹脂充填材との密着性が向上するからである。

【００２３】上記スルーホール内に充填する樹脂充填材
としては、例えば、エポキシ樹脂と硬化剤と無機粒子と
を含む樹脂組成物等が挙げられる。上記エポキシ樹脂と
しては特に限定されないが、ビスフェノール型エポキシ
樹脂およびノボラック型エポキシ樹脂からなる群より選
択される少なくとも一種が望ましい。ビスフェノール型
エポキシ樹脂は、Ａ型やＦ型の樹脂を選択することによ
り、希釈溶媒を使用しなくてもその粘度を調製すること
ができ、ノボラック型エポキシ樹脂は、高強度で耐熱性
や耐薬品性に優れ、無電解めっき液等の強塩基性溶液中
であっても分解せず、また、熱分解もしにくいからであ
る。

【００２４】上記ビスフェノール型エポキシ樹脂として
は、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂やビスフェノール
Ｆ型エポキシ樹脂が望ましく、低粘度で、かつ、無溶剤
で使用することができる点からビスフェノールＦ型エポ
キシ樹脂がより望ましい。また、上記ノボラック型エポ
キシ樹脂としては、フェノールノボラック型エポキシ樹
脂およびクレゾールノボラック型エポキシ樹脂から選択
される少なくとも一種が望ましい。

【００２５】また、ビスフェノール型エポキシ樹脂とク
レゾールノボラック型エポキシ樹脂とを混合して使用し
てもよい。この場合、ビスフェノール型エポキシ樹脂と
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂との混合比率は、
重量比で１／１〜１／１００であることが望ましい。

【００２６】上記樹脂充填材に含まれる硬化剤としては
特に限定されず、従来公知の硬化剤を用いることがで
き、例えば、イミダゾール系硬化剤、酸無水物硬化剤、
アミン系硬化剤等が挙げられる。これらのなかでは、イ
ミダゾール系硬化剤が望ましく、特に、２５℃において
液状の１−ベンジル−２−メチルイミダゾールや、１−
シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、
および、４−メチル−２−エチルイミダゾールが望まし
い。

【００２７】また、上記樹脂充填材に含まれる無機粒子
としては、例えば、アルミナ、水酸化アルミニウム等の
アルミニウム化合物、炭酸カルシウム、水酸化カルシウ
ム等のカルシウム化合物、炭酸カリウム等のカリウム化
合物、マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸マグネシウ
ム、タルク等のマグネシウム化合物、シリカ、ゼオライ
ト等のケイ素化合物、チタニア等のチタン化合物等から
なるものが挙げられる。これらは単独で用いてもよい
し、２種以上併用してもよい。また、上記無機粒子は、
シランカップリング剤等により、コーティングされてい
てもよい。無機粒子とエポキシ樹脂との密着性が向上す
るからである。

【００２８】また、上記無機粒子の樹脂組成物中の含有
比率は、１０〜８０重量％が望ましく、２０〜７０重量
％がより望ましい。この範囲であれば、基板や層間樹脂
絶縁層との間で、熱膨張係数の整合を図ることができる
からである。

【００２９】また、上記無機粒子の形状は特に限定され
ず、球状、楕円球状、破砕状、多面体状等が挙げられ
る。これらのなかでは、球状や楕円球状が望ましい。粒
子の形状に起因したクラックの発生等を抑制することが
できるからである。上記無機粒子の平均粒径は、０．０
１〜５．０μｍが望ましい。

【００３０】また、上記樹脂組成物中には、上記したエ
ポキシ樹脂等以外に、他の熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂
等が含まれていてもよい。上記熱硬化性樹脂としては、
例えば、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂等が挙げら
れ、上記熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリテトラフ
ルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、４フッ化エチレン６フッ
化プロピレン共重合体（ＦＥＰ）、４フッ化エチレンパ
ーフロロアルコキシ共重合体（ＰＦＡ）等のフッ素樹
脂、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリスル
フォン（ＰＳＦ）、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰ
Ｓ）、熱可塑型ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）、ポ
リエーテルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド
（ＰＥＩ）、ポリフェニレンスルフォン（ＰＰＥＳ）、
ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルエ
ーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリオレフィン系樹脂等が
挙げられる。これらは、単独で用いてもよいし、２種以
上を併用してもよい。なお、上記エポキシ樹脂に代え
て、これらの樹脂を用いてもよい。

【００３１】次に、上記（Ｂ）の工程、即ち、上記導体
回路を形成した基板Ａ上に、バイアホールを有する層間
樹脂絶縁層を形成するとともに、上記層間樹脂絶縁層上
に導体回路を形成する層間樹脂絶縁層積層工程を行う。
具体的には、例えば、下記（ｉ）〜（vi）の工程を経る
ことにより行うことができる。即ち、（ｉ）まず、導体
回路を形成した基板Ａ上に、熱硬化性樹脂や樹脂複合体
からなる未硬化の樹脂層を形成するか、または、熱可塑
性樹脂からなる樹脂層を形成する。上記未硬化の樹脂層
は、未硬化の樹脂をロールコーター、カーテンコーター
等により塗布して成形してもよく、また、未硬化（半硬
化）の樹脂フィルムを熱圧着して形成してもよい。さら
に、未硬化の樹脂フィルムの片面に銅箔等の金属層が形
成された樹脂フィルムを貼付してもよい。また、熱可塑
性樹脂からなる樹脂層は、フィルム状に成形した樹脂成
形体を熱圧着することにより形成することが望ましい。

【００３２】上記未硬化の樹脂を塗布する場合には、樹
脂を塗布した後、加熱処理を施す。上記加熱処理を施す
ことにより、未硬化の樹脂を熱硬化させることができ
る。なお、上記熱硬化は、後述するバイアホール用開口
を形成した後に行ってもよい。

【００３３】このような樹脂層の形成において使用する
熱硬化性樹脂の具体例としては、例えば、エポキシ樹
脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹
脂、ビスマレイミド樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリ
フェニレンエーテル樹脂等が挙げられる。

【００３４】上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレ
ゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型
エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノール
ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールＦ型エポキシ
樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエ
ン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基
を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、
トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂
等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種
以上併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れるも
のとなる。

【００３５】上記ポリオレフィン系樹脂としては、例え
ば、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポ
リイソブチレン、ポリブタジエン、ポリイソプレン、シ
クロオレフィン系樹脂、これらの樹脂の共重合体等が挙
げられる。

【００３６】また、上記熱可塑性樹脂としては、例え
ば、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン、ポリス
ルフォン等が挙げられる。また、熱硬化性樹脂と熱可塑
性樹脂との複合体（樹脂複合体）としては、熱硬化性樹
脂と熱可塑性樹脂とを含むものであれば特に限定され
ず、その具体例としては、例えば、粗化面形成用樹脂組
成物等が挙げられる。

【００３７】上記粗化面形成用樹脂組成物としては、例
えば、酸、アルカリおよび酸化剤から選ばれる少なくと
も１種からなる粗化液に対して難溶性の未硬化の耐熱性
樹脂マトリックス中に、酸、アルカリおよび酸化剤から
選ばれる少なくとも１種からなる粗化液に対して可溶性
の物質が分散されたもの等が挙げられる。なお、上記
「難溶性」および「可溶性」という語は、同一の粗化液
に同一時間浸漬した場合に、相対的に溶解速度の早いも
のを便宜上「可溶性」といい、相対的に溶解速度の遅い
ものを便宜上「難溶性」と呼ぶ。

【００３８】上記耐熱性樹脂マトリックスとしては、層
間樹脂絶縁層に上記粗化液を用いて粗化面を形成する際
に、粗化面の形状を保持できるものが好ましく、例え
ば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体等が
挙げられる。また、感光性樹脂であってもよい。後述す
るバイアホール用開口を形成する工程において、露光現
像処理により開口を形成することができるからである。

【００３９】上記熱硬化性樹脂としては、例えば、エポ
キシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリオレ
フィン樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。また、これら
の熱硬化性樹脂に感光性を付与した樹脂、即ち、メタク
リル酸やアクリル酸等を用い、熱硬化基を（メタ）アク
リル化反応させた樹脂を用いてもよい。具体的には、エ
ポキシ樹脂の（メタ）アクリレートが望ましく、さら
に、１分子中に、２個以上のエポキシ基を有するエポキ
シ樹脂がより望ましい。

【００４０】上記熱可塑性樹脂としては、例えば、フェ
ノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォ
ン、ポリフェニレンスルフォン、ポリフェニレンサルフ
ァイド、ポリフェニルエーテル、ポリエーテルイミド等
が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以
上併用してもよい。

【００４１】上記可溶性の物質としては、例えば、無機
粒子、樹脂粒子、金属粒子、ゴム粒子、液相樹脂および
液相ゴム等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよ
いし、２種以上併用してもよい。

【００４２】上記無機粒子としては、例えば、アルミ
ナ、水酸化アルミニウム等のアルミニウム化合物；炭酸
カルシウム、水酸化カルシウム等のカルシウム化合物；
炭酸カリウム等のカリウム化合物；マグネシア、ドロマ
イト、塩基性炭酸マグネシウム、タルク等のマグネシウ
ム化合物；シリカ、ゼオライト等のケイ素化合物；チタ
ニア等のチタン化合物等からなるものが挙げられる。こ
れらは単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよ
い。上記アルミナ粒子は、ふっ酸で溶解除去することが
でき、炭酸カルシウムは塩酸で溶解除去することができ
る。また、ナトリウム含有シリカやドロマイトはアルカ
リ水溶液で溶解除去することができる。

【００４３】上記樹脂粒子としては、例えば、熱硬化性
樹脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、酸、ア
ルカリおよび酸化剤から選ばれる少なくとも１種からな
る粗化液に浸漬した場合に、上記耐熱性樹脂マトリック
スよりも溶解速度の早いものであれば特に限定されず、
具体的には、例えば、アミノ樹脂（メラミン樹脂、尿素
樹脂、グアナミン樹脂等）、エポキシ樹脂、フェノール
樹脂、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレ
ン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂、ビスマレイ
ミド−トリアジン樹脂等からなるものが挙げられる。こ
れらは、単独で用いてもよく、２種以上併用してもよ
い。なお、上記樹脂粒子は予め硬化処理されていること
が必要である。硬化させておかないと上記樹脂粒子が樹
脂マトリックスを溶解させる溶剤に溶解してしまうた
め、均一に混合されてしまい、酸や酸化剤で樹脂粒子の
みを選択的に溶解除去することができないからである。

【００４４】上記金属粒子としては、例えば、金、銀、
銅、スズ、亜鉛、ステンレス、アルミニウム、ニッケ
ル、鉄、鉛等からなるものが挙げられる。これらは、単
独で用いてもよく、２種以上併用してもよい。また、上
記金属粒子は、絶縁性を確保するために、表層が樹脂等
により被覆されていてもよい。

【００４５】（ii）次に、その材料として熱硬化性樹脂
や樹脂複合体を用いた層間樹脂絶縁層を形成する場合に
は、未硬化の樹脂層に硬化処理を施すとともに、バイア
ホール用開口を形成し、層間樹脂絶縁層とする。上記バ
イアホール用開口は、レーザ処理により形成することが
望ましい。上記レーザ処理は、上記硬化処理前に行って
もよいし、硬化処理後に行ってもよい。また、感光性樹
脂からなる層間樹脂絶縁層を形成した場合には、露光、
現像処理を行うことにより、バイアホール用開口を設け
てもよい。なお、この場合、露光、現像処理は、上記硬
化処理前に行う。

【００４６】また、その材料として熱可塑性樹脂を用い
た層間樹脂絶縁層を形成する場合には、熱可塑性樹脂か
らなる樹脂層にレーザ処理によりバイアホール用開口を
形成し、層間樹脂絶縁層とすることができる。

【００４７】このとき、使用するレーザとしては、例え
ば、炭酸ガスレーザ、エキシマレーザ、ＵＶレーザ、Ｙ
ＡＧレーザ等が挙げられる。これらは、形成するバイア
ホール用開口の形状等を考慮して使い分けてもよい。

【００４８】上記バイアホール用開口を形成する場合、
マスクを介して、ホログラム方式のエキシマレーザによ
るレーザ光を照射することにより、一度に多数のバイア
ホール用開口を形成することができる。また、短パルス
の炭酸ガスレーザを用いて、バイアホール用開口を形成
すると、開口内の樹脂残りが少なく、開口周縁の樹脂に
対するダメージが小さい。

【００４９】また、光学系レンズとマスクとを介してレ
ーザ光を照射する場合には、一度に多数のバイアホール
用開口を形成することができる。光学系レンズとマスク
とを介することにより、同一強度で、かつ、照射角度が
同一のレーザ光を複数の部分に同時に照射することがで
きるからである。

【００５０】（iii）次に、バイアホール用開口の内壁
を含む層間樹脂絶縁層の表面に、必要に応じて、酸また
は酸化剤を用いて粗化面を形成する。なお、この粗化面
は、層間樹脂絶縁層とその上に形成する薄膜導体層との
密着性を高めるために形成するものであり、層間樹脂絶
縁層と薄膜導体層との間に充分な密着性がある場合には
形成しなくてもよい。

【００５１】上記酸としては、硫酸、硝酸、塩酸、リン
酸、蟻酸等が挙げられ、上記酸化剤としては、クロム
酸、クロム硫酸、過マンガン酸ナトリウム等の過マンガ
ン酸塩等が挙げられる。また、粗化面を形成した後に
は、アルカリ等の水溶液や中和液等を用いて、層間樹脂
絶縁層の表面を中和することが望ましい。次工程に、酸
や酸化剤の影響を与えないようにすることができるから
である。また、上記粗化面の形成は、プラズマ処理等を
用いて行ってもよい。

【００５２】また、上記粗化面の最大粗度Ｒｍａｘは、
０．１〜２０μｍが望ましい。Ｒｍａｘが２０μｍを超
えると粗化面自体が損傷や剥離を受けやすく、Ｒｍａｘ
が０．１μｍ未満では、導体回路との密着性を充分えら
れないことがあるからである。特に、セミアディティブ
法により導体回路を形成する場合には、上記最大粗度Ｒ
ｍａｘは、０．１〜５μｍが望ましい。薄膜導体層との
密着性を充分に確保することができるとともに、薄膜導
体層の除去が容易だからである。

【００５３】（iv）次に、バイアホール用開口を設けた
層間樹脂絶縁層の表面に薄膜導体層を形成する。上記薄
膜導体層は、無電解めっき、スパッタリング、蒸着等の
方法を用いて形成することができる。なお、層間樹脂絶
縁層の表面に粗化面を形成しなかった場合には、上記薄
膜導体層は、スパッタリングにより形成することが望ま
しい。なお、無電解めっきにより薄膜導体層を形成する
場合には、被めっき表面に、予め、触媒を付与してお
く。上記触媒としては、例えば、塩化パラジウム等が挙
げられる。

【００５４】上記薄膜導体層の厚さは特に限定されない
が、該薄膜導体層を無電解めっきにより形成した場合に
は、０．６〜１．２μｍが望ましく、スパッタリングに
より形成した場合には、０．１〜１．０μｍが望まし
い。また、上記薄膜導体層の材質としては、例えば、Ｃ
ｕ、Ｎｉ、Ｐ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｗ等が挙げられる。これら
のなかでは、ＣｕやＮｉが望ましい。

【００５５】（ｖ）次に、上記薄膜導体層上の一部にド
ライフィルムを用いてめっきレジストを形成し、その
後、上記薄膜導体層をめっきリードとして電解めっきを
行い、めっきレジスト非形成部に電解めっき層を形成す
る。

【００５６】また、この工程では、バイアホール用開口
を電解めっきで充填してバイアホールの構造をフィール
ドビア構造としてもよく、一旦、その上面に窪みを有す
るバイアホールを形成し、その後、この窪みに導電性ペ
ーストを充填してフィールドビア構造としてもよい。ま
た、上面に窪みを有するバイアホールを形成した後、そ
の窪みに樹脂充填材等を充填し、さらに、その上に蓋め
っき層を形成して上面が平坦なバイアホールとしてもよ
い。バイアホールの構造をフィールドビア構造とするこ
とにより、バイアホールの直上にバイアホールを形成す
ることができる。

【００５７】（vi）さらに、めっきレジストを剥離し、
めっきレジストの下に存在していた薄膜導体層をエッチ
ングにより除去し、独立した導体回路とする。エッチン
グ液としては、例えば、硫酸−過酸化水素水溶液、過硫
酸アンモニウム等の過硫酸塩水溶液、塩化第二鉄、塩化
第二銅、塩酸等が挙げられる。また、エッチング液とし
て上述した第二銅錯体と有機酸とを含む混合溶液を用い
てもよい。

【００５８】また、上記した薄膜導体層上にめっきレジ
ストを形成し、めっきレジスト非形成部に電解めっき層
を形成した後、めっきレジストと薄膜導体層との除去を
行う方法に代えて、以下の方法を用いることにより導体
回路を形成してもよい。即ち、上記薄膜導体層上の全面
に電解めっき層を形成した後、該電解めっき層上の一部
にドライフィルムを用いてエッチングレジストを形成
し、その後、エッチングレジスト非形成部下の電解めっ
き層および薄膜導体層をエッチングにより除去し、さら
に、エッチングレジストを剥離することにより独立した
導体回路を形成してもよい。

【００５９】このような方法を用いることにより、バイ
アホールを有する層間樹脂絶縁層を形成するとともに、
層間樹脂絶縁層上に導体回路を形成する層間樹脂絶縁層
積層工程を行うことができる。なお、本発明の製造方法
においては、この層間樹脂絶縁層積層工程は１回しか行
わなかったが、製造するＩＣチップ実装基板によって
は、この層間樹脂絶縁層積層工程を複数回繰り返すこと
により、層間樹脂絶縁層と導体回路とが２層以上ずつ積
層形成された形態としてもよい。

【００６０】次に、上記（Ｃ）の工程、即ち、最外層に
ソルダーレジスト層を形成するソルダーレジスト層形成
工程を行う。具体的には、未硬化のソルダーレジスト組
成物をロールコータやカーテンコータ等により塗布した
り、フィルム状に成形したソルダーレジスト組成物を圧
着したりした後、硬化処理を施すことによりソルダーレ
ジスト層を形成する。

【００６１】上記ソルダーレジスト層は、例えば、ポリ
フェニレンエーテル樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素
樹脂、熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、ポリイミ
ド樹脂等を含むソルダーレジスト組成物を用いて形成す
ることができる

【００６２】また、上記以外のソルダーレジスト組成物
としては、例えば、ノボラック型エポキシ樹脂の（メ
タ）アクリレート、イミダゾール硬化剤、２官能性（メ
タ）アクリル酸エステルモノマー、分子量５００〜５０
００程度の（メタ）アクリル酸エステルの重合体、ビス
フェノール型エポキシ樹脂等からなる熱硬化性樹脂、多
価アクリル系モノマー等の感光性モノマー、グリコール
エーテル系溶剤などを含むペースト状の流動体が挙げら
れ、その粘度は２５℃で１〜１０Ｐａ・ｓに調整されて
いることが望ましい。また、上記ソルダーレジスト組成
物は、エラストマーや無機フィラーが配合されていても
よい。また、ソルダーレジスト組成物として、市販のソ
ルダーレジスト組成物を使用してもよい。

【００６３】また、上記ソルダーレジスト層には、必要
に応じて、レーザ処理や露光現像処理により半田バンプ
形成用開口を形成する。この際、使用するレーザとして
は、上述したバイアホール用開口を形成する際に用いる
レーザと同様のもの等が挙げられる。

【００６４】次に、上記半田バンプ形成用開口の底面に
露出した導体回路の表面に、必要に応じて、金属層を形
成する。上記金属層は、ニッケル、パラジウム、金、
銀、白金等の耐食性金属により上記導体回路表面を被覆
することにより形成することができる。具体的には、ニ
ッケル−金、ニッケル−銀、ニッケル−パラジウム、ニ
ッケル−パラジウム−金等の金属により形成することが
望ましい。また、上記半田パッドは、例えば、めっき、
蒸着、電着等の方法を用いて形成することができるが、
これらのなかでは、被覆層の均一性に優れるという点か
らめっきが望ましい。また、この工程で形成するソルダ
ーレジスト層には、後述する工程で光学素子挿入用基板
との貼り合わせの際に用いる位置合わせ用マーク等を形
成しておいてもよい。このような（Ａ）〜（Ｃ）の工程
を経ることによりパッケージ基板を作製することができ
る。

【００６５】次に、上記（ａ）〜（ｃ）の工程を経て作
製した光学素子挿入用基板と、上記（Ａ）〜（Ｃ）の工
程を経て作製したパッケージ基板とを光学素子挿入用基
板が有する接着剤層を介して貼り合わせた後、上記
（１）〜（４）の工程を経てＩＣチップ実装用基板とす
る方法について説明する。

【００６６】光学素子挿入用基板とパッケージ基板との
貼り合わせは、例えば、ピンラミネート方式やマスラミ
ネート方式等を用いて行うことができる。具体的には、
両者の位置合わせを行った後、接着剤層が軟化する温度
（通常、６０〜２００℃程度）まで昇温し、次いで、１
〜１０ＭＰａ程度の圧力でプレスすることにより、光学
素子挿入用基板とパッケージ基板とを貼り合わせる。

【００６７】まず、上記（１）の工程、即ち、上記光学
素子挿入用基板に形成した貫通孔より露出したパッケー
ジ基板の表面に光学素子を取り付けた後、上記光学素子
と上記パッケージ基板の導体回路とを電気的に接続する
光学素子実装工程を行う。

【００６８】この工程で実装する光学素子としては、例
えば、ＰＤ（フォトダイオード）、ＡＰＤ（アバランシ
ェフォトダイオード）等の受光素子、ＬＤ（半導体レー
ザ）、ＤＦＢ−ＬＤ（分布帰還型−半導体レーザ）、Ｌ
ＥＤ（発光ダイオード）等の発光素子等が挙げられる。

【００６９】上記受光素子の材料としては、例えば、Ｓ
ｉ、Ｇｅ、ＩｎＧａＡｓ等が挙げられる。これらのなか
では、受光感度に優れる点からＩｎＧａＡｓが望まし
い。また、上記発光素子の材料としては、例えば、ガリ
ウム、砒素およびリンの化合物（ＧａＡｓＰ）、ガリウ
ム、アルミニウムおよび砒素の化合物（ＧａＡｌＡ
ｓ）、ガリウムおよび砒素の化合物（ＧａＡｓ）、イン
ジウム、ガリウムおよび砒素の化合物（ＩｎＧａＡ
ｓ）、インジウム、ガリウム、砒素およびリンの化合物
（ＩｎＧａＡｓＰ）等が挙げられる。これらは、通信波
長を考慮して使い分ければよく、例えば、通信波長が
０．８５μｍ帯の場合にはＧａＡｌＡｓを使用すること
ができ、通信波長が１．３μｍ帯や１．５５μｍ帯の場
合には、ＩｎＧａＡｓやＩｎＧａＡｓＰを使用すること
ができる。

【００７０】上記光学素子の取り付けは、例えば、共晶
結合法、半田結合法、樹脂結合法等により行うことがで
きる。また、銀ペーストや金ペーストを用いて、光学素
子を取りつけてもよい。上記樹脂結合法では、エポキシ
系樹脂やポリイミド系樹脂等の熱硬化性樹脂を主剤と
し、これらの樹脂成分以外に硬化剤やフィラー、溶剤等
を含むペーストをパッケージ基板上に塗布し、次いで、
光学素子をペースト上に載置した後、該ペーストを加熱
硬化させることにより光学素子を取り付ける。なお、上
記ペーストの塗布は、例えば、ディスペンス法、スタン
ピング法、スクリーン印刷法等により行うことができ
る。銀ペーストを用いる場合には、パッケージ基板上に
銀ペーストを塗布し、ついで、光学素子をペースト上に
載置した後、この銀ペーストを焼成することにより光学
素子を取り付ける。

【００７１】上記光学素子と上記パッケージ基板の導体
回路とを電気的に接続する方法としては、ワイヤボンデ
ィングを用いることが望ましい。これは、光学素子を取
り付ける際の設計の自由度が大きいとともに、経済的に
も有利だからである。上記ワイヤボンディングとして
は、従来公知の方法、即ち、ネイルヘッド・ボンディン
グ法やウエッジ・ボンディング法を用いることができ
る。なお、光学素子とパッケージ基板との接続は、テー
プボンディングやフリップチップボンディング等により
行ってもよい。

【００７２】次に、上記（２）の工程、即ち、上記光学
素子挿入用基板に形成した貫通孔内に樹脂組成物を充填
し、樹脂充填層を形成する樹脂充填層形成工程を行う。
上記樹脂組成物としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹
脂、感光性樹脂、熱硬化性樹脂の一部が感光性化された
樹脂、これらの複合体等を樹脂成分とするものが挙げら
れる。上記樹脂成分の具体例としては、例えば、エポキ
シ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、オレフィン
樹脂、ＢＴ樹脂等が挙げられる。また、上記樹脂組成物
には、上記樹脂成分以外に、例えば、樹脂粒子、無機粒
子、金属粒子等の粒子が含まれていてもよい。これらの
粒子を含ませることにより樹脂充填層と、基板、ソルダ
ーレジスト層、層間樹脂絶縁層等との間で熱膨張係数の
整合を図ることができ、また、粒子の種類によっては難
燃性を付与することもできる。

【００７３】上記樹脂粒子としては、例えば、熱硬化性
樹脂、熱可塑性樹脂、感光性樹脂、熱硬化性樹脂の一部
が感光性化された樹脂、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂と
の樹脂複合体、感光性樹脂と熱可塑性樹脂との複合体等
が挙げられる。

【００７４】具体的には、例えば、エポキシ樹脂、フェ
ノール樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポ
リフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等
の熱硬化性樹脂；これらの熱硬化性樹脂の熱硬化基（例
えば、エポキシ樹脂におけるエポキシ基）にメタクリル
酸やアクリル酸等を反応させ、アクリル基を付与した樹
脂；フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン（ＰＥ
Ｓ）、ポリスルフォン（ＰＳＦ）、ポリフェニレンスル
ホン（ＰＰＳ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＥ
Ｓ）、ポリフェニルエーテル（ＰＰＥ）、ポリエーテル
イミド（ＰＩ）等の熱可塑性樹脂；アクリル樹脂等の感
光性樹脂等が挙げられる。また、上記熱硬化性樹脂と上
記熱可塑性樹脂との樹脂複合体や、上記アクリル基を付
与した樹脂や上記感光性樹脂と上記熱可塑性樹脂との樹
脂複合体を用いることもできる。また、上記樹脂粒子と
しては、ゴムからなる樹脂粒子を用いることもできる。

【００７５】また、上記無機粒子としては、例えば、ア
ルミナ、水酸化アルミニウム等のアルミニウム化合物、
炭酸カルシウム、水酸化カルシウム等のカルシウム化合
物、炭酸カリウム等のカリウム化合物、マグネシア、ド
ロマイト、塩基性炭酸マグネシウム等のマグネシウム化
合物、シリカ、ゼオライト等のケイ素化合物、チタニア
等のチタン化合物等が挙げられる。また、上記無機粒子
として、リンやリン化合物からなるものを用いることも
できる。

【００７６】上記金属粒子としては、例えば、Ａｕ、Ａ
ｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ａ
ｌ、Ｍｇ、Ｃａ等が挙げられる。これらの樹脂粒子、無
機粒子および金属粒子は、それぞれ単独で用いても良い
し、２種以上併用しても良い。

【００７７】また、上記粒子の形状は特に限定されず、
例えば、球状、楕円球状、破砕状、多面体状等が挙げら
れる。また、上記粒子の粒径（粒子の一番長い部分の長
さ）は、通信光の波長より短いことが望ましい。粒径が
通信光の波長より長いと光信号の伝送を阻害することが
あるからである。

【００７８】上記樹脂組成物を充填する方法としては特
に限定されず、例えば、印刷やポッティング等の方法を
用いることができる。また、タブレット状にしたものを
プランジャーを用いて充填してもよい。また、樹脂充填
層を充填した後には、必要に応じて、硬化処理等を施
す。

【００７９】また、この工程で形成する樹脂充填層は、
その上面と下面との間の垂直方向の通信波長光の透過率
が９０％以上であることが望ましい。上記透過率が９０
％未満では、通信光の伝送が阻害され、光学素子を介し
た光信号の通信に不都合が発生することがあるからであ
る。なお、本明細書において、樹脂充填層の上面と下面
との間の垂直方向の通信波長光の透過率（％）とは、上
記樹脂充填層への垂直方向の入射光の強さをＩ_１、上記
樹脂充填層を通過して出てきた光の強さをＩ_２とした場
合に下記式（１）より算出される値である。

【００８０】透過率（％）＝（Ｉ_２／Ｉ_１）×１００・・・（１）

【００８１】また、樹脂充填層は、長さ１ｍｍあたり通
信波長光の透過率が９０％以上であることも望ましい。
この工程で形成する樹脂充填層の厚さを考慮すると、上
記範囲の透過率を有する樹脂充填層は、充分に通信光の
伝送性に優れるからである。

【００８２】なお、本明細書において、長さ１ｍｍあた
りの通信波長光の透過率（％）とは、強さＩ_３の光が上
記樹脂充填層に入射し、該樹脂充填層を１ｍｍ通過して
出てきたとした際に出てきた光の強さがＩ_４である場合
に、下記式（２）により算出される値である。

【００８３】透過率（％）＝（Ｉ_４／Ｉ_３）×１００・・・（２）

【００８４】また、この工程で樹脂組成物を充填する際
には、異なる樹脂組成物を複数回に分けて充填し、貫通
孔内に複数層からなる樹脂層を形成してもよい。具体的
には、例えば、受光素子の受光面や発光素子の発光面の
高さまでの領域には、ワイヤボンディングおよびその接
続エリアを保護する性質に優れた樹脂組成物や、耐熱性
に特に優れた樹脂組成物を充填し、上記受光面や発光面
より高い領域には、通信光の伝送性に特に優れる樹脂組
成物を用いて樹脂充填層を形成する等である。

【００８５】さらに、この工程では、貫通孔から露出し
た樹脂組成物の露出面に研磨処理を施し、その露出面を
平坦にすることが望ましい。露出面を平坦にすることに
より、通信光の伝送が阻害されるおそれがより少なくな
るからである。上記研磨処理は、例えば、バフ研磨、紙
やすり等による研磨、鏡面研磨、クリーン研磨、ラッピ
ング等により行うことができる。また、酸や酸化剤、薬
液等を用いた化学研磨を行ってもよい。また、これらの
方法を２種以上組み合わせて研磨処理を行ってもよい。

【００８６】次に、上記（３）の工程、即ち、上記光学
素子挿入用基板と上記パッケージ基板とを貫通するスル
ーホールを形成するスルーホール形成工程を行う。具体
的には、まず、上記光学素子挿入用基板と上記パッケー
ジ基板とを貫通するスルーホール用貫通孔を形成する。
該スルーホール用貫通孔は、ドリル加工やレーザ処理等
により形成すればよい。上記レーザ処理に使用するレー
ザとしては、例えば、パッケージ基板を作製する際に、
バイアホール用開口を形成する工程で使用したレーザと
同様のもの等を用いることができる。

【００８７】次に、スルーホール用貫通孔の壁面を含む
光学素子挿入用基板の露出面およびパッケージ基板の露
出面に薄膜導体層を形成する。上記薄膜導体層は、無電
解めっき、スパッタリング等の方法により形成すること
ができる。

【００８８】上記薄膜導体層の材質としては、例えば、
銅、ニッケル、スズ、亜鉛、コバルト、タリウム、鉛等
が挙げられる。これらのなかでは、電気特性、経済性等
に優れる点から銅や銅およびニッケルからなるものが望
ましい。また、上記薄膜導体層の厚さとしては、無電解
めっきにより薄膜導体層を形成する場合には、０．３〜
２．０μｍが望ましく、０．６〜１．２μｍがより望ま
しい。また、スパッタリングにより形成する場合には、
０．１〜１．０μｍが望ましい。

【００８９】次に、その表面に薄膜導体層が形成された
基板の上にめっきレジストを形成する。上記めっきレジ
ストは、例えば、感光性ドライフィルムを張り付けた
後、めっきレジストパターンが描画されたガラス基板等
からなるフォトマスクを密着配置し、露光現像処理を施
すことにより形成することができる。

【００９０】さらに、薄膜導体層をめっきリードとして
電気めっきを行い、上記めっきレジスト非形成部に電気
めっき層を形成する。上記電気めっきとしては、銅めっ
きが望ましい。また、上記電気めっき層の厚さ、５〜２
０μｍが望ましい。

【００９１】その後、上記めっきレジストと該めっきレ
ジスト下の薄膜導体層を除去することによりスルーホー
ル（そのランド部分を含む）を形成することができる。
上記めっきレジストの除去は、例えば、アルカリ水溶液
等を用いて行えばよく、上記薄膜導体層の除去は、硫酸
と過酸化水素との混合液、過硫酸ナトリウム、過硫酸ア
ンモニウム、塩化第二鉄、塩化第二銅等のエッチング液
を用いて行えばよい。また、上記導体回路を形成した
後、必要に応じて、層間樹脂絶縁層上の触媒を酸や酸化
剤を用いて除去してもよい。電気特性の低下を防止する
ことができるからである。また、このめっきレジストを
形成した後、電気めっき層を形成する方法に代えて、薄
膜導体層上の全面に電気めっき層を形成した後、電解め
っき層上にエッチングレジストや半田めっき層を形成
し、さらに、エッチング処理を施す方法を用いてスルー
ホールを形成してもよい。

【００９２】また、スルーホールを形成した後には、該
スルーホール内に樹脂充填材を充填することが望まし
い。上記樹脂充填材としては、例えば、パッケージ基板
の作製において、スルーホール内の充填に用いた樹脂充
填材と同様のもの等を用いることができる。

【００９３】また、スルーホール内に樹脂充填材を充填
して樹脂充填材層を形成した場合には、必要に応じて、
無電解めっき等を行うことにより樹脂充填材層の表層部
を覆う蓋めっき層を形成してもよい。蓋めっき層を形成
することにより、スルーホールのランド上のみならず、
蓋めっき層上にもはんだパッドを形成することが可能と
なるため、設計の自由度がより向上するからである。

【００９４】また、上述したように、このスルーホール
形成工程は、上記（１）および（２）の工程を行った後
に行う必要はなく、上記（１）の工程、即ち、光学素子
実装工程を行う前に行ってもよいし、上記（２）の工
程、即ち、上記樹脂充填層形成工程を行う前に行っても
よい。

【００９５】次に、上記（４）の工程、即ち、上記光学
素子挿入用基板の露出面と上記パッケージ基板の露出面
とにソルダーレジスト層を形成するソルダーレジスト層
形成工程を行う。この工程では、具体的には、未硬化の
ソルダーレジスト組成物をロールコータやカーテンコー
タ等により塗布したり、フィルム状に成形したソルダー
レジスト組成物を圧着したりした後、硬化処理を施すこ
とによりソルダーレジスト層を形成する。上記ソルダー
レジスト組成物としては、例えば、パッケージ基板を作
製する際に用いたソルダーレジスト組成物と同様のもの
等を用いることができる。なお、このソルダーレジスト
層形成工程においては、上記（２）の工程で形成した樹
脂充填層上にはソルダーレジスト層を形成しなくてもよ
い。

【００９６】また、上記ソルダーレジスト層には、必要
に応じて、レーザ処理や露光現像処理により半田バンプ
形成用開口を形成する。この際、使用するレーザとして
は、上述したバイアホール用開口を形成する際に用いる
レーザと同様のもの等が挙げられる。

【００９７】また、上述したように、このソルダーレジ
スト層形成工程は、上記（３）およびの工程を行った後
に行うのであれば、上記（１）の工程、即ち、光学素子
実装工程を行う前に行ってもよいし、上記（２）の工
程、即ち、上記樹脂充填層形成工程を行う前に行っても
よい。なお、上記（１）および（２）の工程を行う前
に、このソルダーレジスト層形成工程を行う場合、上記
光学素子挿入用基板の露出面には、光学素子を実装する
ために形成した貫通孔の壁面は含まないものとし、上記
パッケージ基板の露出面には、光学素子を実装するため
に形成した貫通孔の底面に露出したパッケージ基板の表
面は含まないものとする。

【００９８】次に、上記半田バンプ形成用開口の底面に
露出した導体回路の表面に、必要に応じて、金属層を形
成する。上記金属層は、ニッケル、パラジウム、金、
銀、白金等の耐食性金属により上記導体回路表面を被覆
することにより形成することができる。具体的には、ニ
ッケル−金、ニッケル−銀、ニッケル−パラジウム、ニ
ッケル−パラジウム−金等の金属により形成することが
望ましい。また、上記金属層は、例えば、めっき、蒸
着、電着等の方法を用いて形成することができるが、こ
れらのなかでは、被覆層の均一性に優れるという点から
めっきが望ましい。なお、この金属層は、後工程で半田
バンプ等を形成する際に半田パッドとしての役割を果た
すこととなる。

【００９９】さらに、必要に応じて、上記半田バンプ形
成用開口に相当する部分に開口部が形成されたマスクを
介して、上記半田バンプ形成用開口に半田ペーストを充
填した後、リフローすることによりフリップチップ用半
田バンプや、ＢＧＡ（Ball Grid Array）用半田バンプ
を形成する。このような一連の工程を経ることによりＩ
Ｃチップ実装用基板を製造することができる。

【０１００】本発明の製造方法により製造されたＩＣチ
ップ実装用基板には、通常、製造後にＩＣチップが実装
されることとなる。上記ＩＣチップの実装は、例えば、
上記フリップチップ用半田バンプを形成した場合には、
この半田バンプを介してＩＣチップのフリップチップ実
装を行い、その後、必要に応じて、ＩＣチップとＩＣチ
ップ実装用基板との間を樹脂で封止することにより行
う。また、上記ＩＣチップの実装は、ワイヤボンディン
グにより行ってもよい。勿論、この場合には、プリップ
チップ用半田バンプを形成しなくてもよい。

【０１０１】なお、上述した本発明のＩＣチップ実装用
基板の製造方法では、ＩＣチップを実装するためのフリ
ップチップ用半田バンプと、ＩＣチップ実装用基板を他
の基板（マザーボード等）に接続するためのＢＧＡ用半
田バンプとを同一工程で形成しているが、この２種類の
半田バンプを同一工程で形成しなくてもよく、例えば、
まず、プリップチップ用半田バンプのみを形成し、この
半田バンプを介して、ＩＣチップを実装した後、半田ペ
ーストや半田ボールを用いてＢＧＡ用半田バンプを形成
してもよい。

【０１０２】

【実施例】以下、本発明をさらに詳細に説明する。（実施例１）Ａ．光学素子挿入用基板の作製（１）厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ
（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる絶縁性基板
１の片面に１８μｍの銅箔８がラミネートされている片
面銅張積層板を出発材料とした（図１（ａ）参照）。ま
ず、この片面銅張積層板の銅箔８をパターン状にエッチ
ングすることにより、基板の片面に導体回路４を形成し
た（図１（ｂ）参照）。

【０１０３】（２）次に、基板の導体回路４を形成した
側に導体回路非形成部にエポキシ樹脂系接着剤を塗布す
ることにより接着剤層（図示せず）を形成した。（３）さらに、基板の中央部にルータ加工により貫通孔
９を形成し、光学素子挿入用基板とした（図1（ｃ）参
照）。

【０１０４】Ｂ．パッケージ基板の作製（ａ）層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムの作製ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量４６
９、油化シェルエポキシ社製エピコート１００１）３０
重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキ
シ当量２１５、大日本インキ化学工業社製エピクロン
Ｎ−６７３）４０重量部、トリアジン構造含有フェノー
ルノボラック樹脂（フェノール性水酸基当量１２０、大
日本インキ化学工業社製フェノライトＫＡ−７０５
２）３０重量部をエチルジグリコールアセテート２０重
量部、ソルベントナフサ２０重量部に攪拌しながら加熱
溶解させ、そこへ末端エポキシ化ポリブタジエンゴム
（ナガセ化成工業社製デナレックスＲ−４５ＥＰＴ）
１５重量部と２−フェニル−４、５−ビス（ヒドロキシ
メチル）イミダゾール粉砕品１．５重量部、微粉砕シリ
カ２重量部、シリコン系消泡剤０．５重量部を添加しエ
ポキシ樹脂組成物を調製した。得られたエポキシ樹脂組
成物を厚さ３８μｍのＰＥＴフィルム上に乾燥後の厚さ
が５０μｍとなるようにロールコーターを用いて塗布し
た後、８０〜１２０℃で１０分間乾燥させることによ
り、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを作製した。

【０１０５】（ｂ）貫通孔充填用樹脂組成物の調製ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル社
製、分子量：３１０、ＹＬ９８３Ｕ）１００重量部、表
面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒
径が１．６μｍで、最大粒子の直径が１５μｍ以下のＳ
ｉＯ_２球状粒子（アドテック社製、ＣＲＳ１１０１−
ＣＥ）７２重量部およびレベリング剤（サンノプコ社製
ペレノールＳ４）１．５重量部を容器にとり、攪拌混
合することにより、その粘度が２３±１℃で３０〜６０
Ｐａ・ｓの樹脂充填材を調製した。なお、硬化剤とし
て、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、２Ｅ４ＭＺ−
ＣＮ）６．５重量部を用いた。

【０１０６】（ｃ）パッケージ基板の製造（１）厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ
（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる絶縁性基板
２１の両面に１８μｍの銅箔２８がラミネートされてい
る両面銅張積層板を出発材料とした（図２（ａ）参
照）。まず、この銅張積層板をドリル削孔し、無電解め
っき処理を施し、パターン状にエッチングすることによ
り、基板の両面に下層導体回路２４とスルーホール２９
とを形成した（図２（ｂ）参照）。

【０１０７】（２）下層導体回路２４を形成した基板３
０を水洗いし、乾燥した後、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、
ＮａＣｌＯ_２（４０ｇ／ｌ）、Ｎａ_３ＰＯ_４（６ｇ／
ｌ）を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）とする黒化処理、
および、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ_４（６ｇ／
ｌ）を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行い、下層
導体回路２４の表面に粗化面（図示せず）を形成した。

【０１０８】（３）次に、上記（ｂ）に記載した樹脂充
填材を調製した後、下記の方法により調製後２４時間以
内に、スルーホール２９内および基板２１の片面の導体
回路非形成部と下層導体回路２４の外縁部とに樹脂充填
材３０′の層を形成した。即ち、まず、スキージを用い
てスルーホール内に樹脂充填材を押し込んだ後、１００
℃、２０分の条件で乾燥させた。次に、導体回路非形成
部に相当する部分が開口したマスクを基板上に載置し、
スキージを用いて凹部となっている導体回路非形成部に
も樹脂充填材を充填し、１００℃、２０分の条件で乾燥
させることにより樹脂充填材３０′の層を形成した（図
２（ｃ）参照）。

【０１０９】（４）上記（３）の処理を終えた基板の片
面を、♯６００のベルト研磨紙（三共理化学社製）を用
いたベルトサンダー研磨により、導体回路２４の表面や
スルーホール２９のランド表面に樹脂充填材３０′が残
らないように研磨し、次いで、上記ベルトサンダー研磨
による傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このよう
な一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行っ
た。次いで、１００℃で１時間、１２０℃で３時間、１
５０℃で１時間、１８０℃で７時間の加熱処理を行って
樹脂充填材層３０を形成した。

【０１１０】このようにして、スルーホール２９や導体
回路非形成部に形成された樹脂充填材層３０の表層部お
よび導体回路２４の表面を平坦化し、樹脂充填材層３０
と導体回路２４の側面とが粗化面（図示せず）を介して
強固に密着し、また、スルーホール２９の内壁面と樹脂
充填材層３０とが粗化面（図示せず）を介して強固に密
着した絶縁性基板を得た（図２（ｄ）参照）。この工程
により、樹脂充填材層３０の表面と導体回路２４の表面
とが同一平面となる。

【０１１１】（５）上記基板を水洗、酸性脱脂した後、
ソフトエッチングし、次いで、エッチング液を基板の両
面にスプレイで吹き付けて、導体回路２４の表面とスル
ーホール２９のランド表面をエッチングすることによ
り、導体回路２４の全表面に粗化面（図示せず）を形成
した。エッチング液として、イミダゾール銅（ＩＩ）錯
体１０重量部、グリコール酸７重量部、塩化カリウム５
重量部を含むエッチング液（メック社製、メックエッチ
ボンド）を使用した。

【０１１２】（６）次に、上記（ａ）で作製した層間樹
脂絶縁層用樹脂フィルムを、温度５０〜１５０℃まで昇
温しながら、０．５ＭＰａで真空圧着ラミネートして貼
り付け、樹脂フィルム層２２αを形成した（図２（ｅ）
参照）。

【０１１３】（７）次に、樹脂フィルム層２２α上に、
厚さ１．２ｍｍの貫通孔が形成されたマスクを介して、
波長１０．４μｍのＣＯ_２ガスレーザにて、ビーム径
４．０ｍｍ、トップハットモード、パルス幅８．０μ
秒、マスクの貫通孔の径１．０ｍｍ、１ショットの条件
で樹脂フィルム層２２αに、直径８０μｍのバイアホー
ル用開口２６を形成し、層間樹脂絶縁層２２とした（図
３（ａ）参照）。

【０１１４】（８）バイアホール用開口２６を形成した
基板を、６０ｇ／ｌの過マンガン酸を含む８０℃の溶液
に１０分間浸漬し、層間樹脂絶縁層２２の表面に存在す
るエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、バイア
ホール用開口２６の内壁面を含む層間樹脂絶縁層２２の
表面に粗化面（図示せず）を形成した。

【０１１５】（９）次に、上記処理を終えた基板を、中
和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした。さ
らに、粗面化処理（粗化深さ３μｍ）した該基板の表面
に、パラジウム触媒を付与することにより、層間樹脂絶
縁層２２の表面（バイアホール用開口２６の内壁面を含
む）に触媒核を付着させた（図示せず）。即ち、上記基
板を塩化パラジウム（ＰｄＣｌ_２）と塩化第一スズ（Ｓ
ｎＣｌ_２）とを含む触媒液中に浸漬し、パラジウム金属
を析出させることにより触媒を付与した。

【０１１６】（１０）次に、以下の組成の無電解銅めっ
き液中に、基板を浸漬し、層間樹脂絶縁層２２の表面
（バイアホール用開口２６の内壁面を含む）に厚さ０．
６〜３．０μｍの無電解銅めっき膜（薄膜導体層）３２
を形成した（図３（ｂ）参照）。〔無電解めっき液〕ＮｉＳＯ_４０．００３ｍｏｌ／ｌ酒石酸０．２００ｍｏｌ／ｌ硫酸銅０．０３０ｍｏｌ／ｌＨＣＨＯ０．０５０ｍｏｌ／ｌＮａＯＨ０．１００ｍｏｌ／ｌ α、α′−ビピリジル１００ｍｇ／ｌポリエチレングリコール（ＰＥＧ）０．１０ｇ／ｌ〔無電解めっき条件〕３４℃の液温度で４０分

【０１１７】（１１）次に、無電解銅めっき膜３２が形
成された基板に市販の感光性ドライフィルムを張り付
け、マスクを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ^２で露光し、
０．８％炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することによ
り、めっきレジスト２３を設けた（図３（ｃ）参照）。

【０１１８】（１２）ついで、基板を５０℃の水で洗浄
して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄し
てから、以下の条件で電解めっきを施し、めっきレジス
ト２３非形成部に、電解銅めっき膜３３を形成した（図
３（ｄ）参照）。〔電解めっき液〕硫酸２．２４ｍｏｌ／ｌ硫酸銅０．２６ｍｏｌ／ｌ添加剤１９．５ｍｌ／ｌ（アトテックジャパン社製、カパラシドＧＬ）〔電解めっき条件〕電流密度１Ａ／ｄｍ^２時間６５分温度２２±２ ℃

【０１１９】（１３）さらに、めっきレジスト２３を５
％ＫＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト２３下
の無電解めっき膜を硫酸と過酸化水素との混合液でエッ
チング処理して溶解除去し、上層導体回路２５（バイア
ホール２７を含む）とした（図４（ａ）参照）。

【０１２０】（１４）次に、上層導体回路２５等を形成
した基板をエッチング液に浸漬し、上層導体回路２５
（バイアホール２７を含む）の表面に粗化面（図示せ
ず）を形成した。なお、エッチング液としては、メック
社製、メックエッチボンドを使用した。

【０１２１】（１５）次に、ジエチレングリコールジメ
チルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるよ
うに溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した
感光性付与のオリゴマー（分子量：４０００）４６．６
７重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％
のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、
商品名：エピコート１００１）１５．０重量部、イミダ
ゾール硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−Ｃ
Ｎ）１．６重量部、感光性モノマーである２官能アクリ
ルモノマー（日本化薬社製、商品名：Ｒ６０４）４．５
重量部、同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、
商品名：ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サ
ンノプコ社製、Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にと
り、攪拌、混合して混合組成物を調製し、この混合組成
物に対して光重合開始剤としてベンゾフェノン（関東化
学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケト
ン（関東化学社製）０．２重量部、を加えることによ
り、粘度を２５℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダー
レジスト組成物を得た。また、粘度測定は、Ｂ型粘度計
（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｒｐｍ（ｍｉｎ
^-1）の場合はローターＮｏ．４、６ｒｐｍ（ｍｉｎ^-1）
の場合はローターＮｏ．３によった。なお、ソルダーレ
ジスト組成物としては、市販のソルダーレジスト組成物
を用いることもできる。

【０１２２】（１６）次に、多層配線基板の両面に、上
記ソルダーレジスト組成物を塗布し、７０℃で２０分
間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行い、ソルダ
ーレジス組成物の層３４αを形成した（図４（ｂ）参
照）。次いで、開口部のパターンが描画された厚さ５ｍ
ｍのフォトマスクをソルダーレジスト組成物の層３４α
に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線で露光し、
ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、開口３１を形成した。そし
て、さらに、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１２
０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件でそれぞれ加熱
処理を行ってソルダーレジスト組成物の層３４αを硬化
させ、開口３１を有するソルダーレジスト層３４を形成
した（図４（ｃ）参照）。

【０１２３】（１７）次に、ソルダーレジスト層３４を
形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０^−１ｍｏ
ｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８×１０^−１ｍ
ｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０^−１ｍ
ｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき
液に２０分間浸漬して、開口３１の一部にニッケルめっ
き層を形成した。さらに、その基板をシアン化金カリウ
ム（７．６×１０^−３ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム
（１．９×１０^−１ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム
（１．２×１０^−１ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウ
ム（１．７×１０ ^−１ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解金めっ
き液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッケルめ
っき層上に、金めっき層を形成し、パッケージ基板とし
た（図４（ｄ）参照）。なお、図中では、ニッケルめっ
き層および金めっき層の２層を合わせてめっき層３６と
示す。

【０１２４】Ｃ．ＩＣチップ実装用基板の作製（１）マスラミネート方式による積層プレスを行い、上
記Ａで作製した光学素子挿入用基板と、上記Ｂで作製し
たパッケージ基板とを上記光学素子挿入用基板に形成し
た接着剤層を介して貼り合わせた基板を得た（図５
（ａ）参照）。即ち、両者の位置合わせを行った後、１
５０℃まで昇温し、さらに５ＭＰａの圧力でプレスする
ことにより光学素子挿入用基板とパッケージ基板とを貼
り合わせた。

【０１２５】（２）次に、光学素子挿入用基板に形成し
た貫通孔９より露出したパッケージ基板の表面に、受光
素子３８および発光素子３９を、受光部３８ａおよび発
光部３９ａがそれぞれ上方に露出するように銀ペースト
を用いて取り付けた。なお、受光素子３８としては、Ｉ
ｎＧａＡｓからなるものを用い、発光素子３９として
は、ＩｎＧａＡｓＰからなるものを用いた。

【０１２６】（３）次に、受光素子３８および発光素子
３９の電極と貫通孔９より露出したパッケージ基板の表
面のめっき層３６とをワイヤボンディングにより接続し
た（図５（ｂ）参照）。ここで、ワイヤ４０としては、
Ａｕ製のワイヤを用いた。

【０１２７】（４）次に、光学素子挿入用基板に形成し
た貫通孔９内に、エポキシ樹脂を含む樹脂組成物を印刷
により充填し、その後、この樹脂組成物を乾燥させた。
さらに、樹脂組成物の露出面にバフ研磨と鏡面研磨とを
施した。その後、加熱処理を行い、樹脂充填層４１とし
た（図５（ｃ）参照）。なお、樹脂充填層４１は、その
上面と下面との間の波長０．８５μm光の垂直方向の透
過率が９３％である。

【０１２８】（５）次に、ドリル加工により、光学素子
挿入用基板とパッケージ基板とを貫通する直径４００μ
ｍの貫通孔４６を形成した（図６（ａ）参照）。さら
に、６０ｇ／ｌの過マンガン酸を含む８０℃の溶液に１
０分間浸漬することにより、貫通孔４６の壁面にデスミ
ア処理を施した。

【０１２９】（６）次に、上記処理を終えた基板を、中
和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした。さ
らに、貫通孔４６の壁面を含む光学素子挿入用基板およ
びパッケージ基板の露出面にパラジウム触媒を付与する
ことにより、貫通孔４６の壁面等に触媒核を付着させた
（図示せず）。

【０１３０】（７）次に、無電解銅めっき水溶液中に、
基板を浸漬し、貫通孔４６の壁面を含む光学素子挿入用
基板およびパッケージ基板の露出面に厚さ０．６〜３．
０μｍの無電解銅めっき膜（薄膜導体層）５２を形成し
た（図６（ｂ）参照）。なお、無電解めっき液として
は、パッケージ基板を作製する際の（１０）の工程で用
いた無電解めっき液と同様のものを用い、同様の条件で
処理した。

【０１３１】（８）次に、無電解銅めっき膜５２が形成
された基板に市販の感光性ドライフィルムを張り付け、
マスクを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ^２で露光し、０．
８％炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することにより、
めっきレジスト４３を設けた（図６（ｃ）参照）。

【０１３２】（９）ついで、基板を５０℃の水で洗浄し
て脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄して
から電解めっきを施し、めっきレジスト４３非形成部
に、電解銅めっき膜５３を形成した（図７（ａ）参
照）。なお、電解めっき液としては、パッケージ基板を
作製する際の（１２）の工程で用いた電解めっき液と同
様のものを用い、同様の条件で処理した。

【０１３３】（１０）さらに、めっきレジスト４３を５
％ＫＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト４３下
の無電解めっき膜を硫酸と過酸化水素との混合液でエッ
チング処理して溶解除去し、光学素子挿入用基板とパッ
ケージ基板とを貫通するスルーホール４９とした（図７
（ｂ）参照）。

【０１３４】（１１）次に、スルーホール４９を形成し
た基板をエッチング液（メック社製、メックエッチボン
ド）に浸漬し、スルーホール４９壁面（ランド部分の表
面を含む）に粗化面（図示せず）を形成した。次に、上
記パッケージ基板の作製の（ｂ）に記載した貫通孔充填
用樹脂組成物と同様の樹脂組成物を調製した後、下記の
方法により調製後２４時間以内に、スルーホール４９内
に樹脂充填材の層を形成した。即ち、スキージを用いて
スルーホール４９内に樹脂充填材を押し込んだ後、１０
０℃、２０分の条件で乾燥させることにより樹脂充填材
の層を形成した。

【０１３５】さらに、♯６００のベルト研磨紙（三共理
化学社製）を用いたベルトサンダー研磨により、スルー
ホール４９のランド表面に樹脂充填材が残らないように
研磨し、次いで、上記ベルトサンダー研磨による傷を取
り除くためのバフ研磨を行った。さらに、１００℃で１
時間、１２０℃で３時間、１５０℃で１時間、１８０℃
で７時間の加熱処理を行って、そのスルーホールからの
露出面が平坦な樹脂充填材層５０を形成した（図７
（ｃ）参照）。

【０１３６】（１２）次に、上記パッケージ基板の作製
の（１５）の工程で調製したソルダーレジスト組成物と
同様の樹脂組成物を調製し、これを基板の両面に塗布
し、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥
処理を行い、ソルダーレジス組成物の層５４αを形成し
た（図８（ａ）参照）。なお、ここで、樹脂充填層４１
の表面にはソルダーレジスト組成物を塗布しなかった。
次いで、開口部のパターンが描画された厚さ５ｍｍのフ
ォトマスクをソルダーレジスト組成物の層５４αに密着
させて１０００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線で露光し、ＤＭＴ
Ｇ溶液で現像処理し、開口５１を形成した。そして、さ
らに、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で
１時間、１５０℃で３時間の条件でそれぞれ加熱処理を
行ってソルダーレジスト組成物の層５４αを硬化させ、
開口５１を有するソルダーレジスト層５４を形成した
（図８（ｂ）参照）。

【０１３７】（１３）次に、ソルダーレジスト層５４を
形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０^−１ｍｏ
ｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８×１０^−１ｍ
ｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０^−１ｍ
ｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき
液に２０分間浸漬して、開口５１の一部に厚さ５μｍの
ニッケルめっき層５５を形成した。さらに、その基板を
シアン化金カリウム（７．６×１０^−３ｍｏｌ／ｌ）、
塩化アンモニウム（１．９×１０^−１ｍｏｌ／ｌ）、ク
エン酸ナトリウム（１．２×１０^−１ｍｏｌ／ｌ）、次
亜リン酸ナトリウム（１．７×１０^−１ｍｏｌ／ｌ）を
含む無電解金めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬
して、ニッケルめっき層５５上に、厚さ０．０３μｍの
金めっき層５６を形成した。

【０１３８】（１４）次に、ソルダーレジスト層５４に
形成した開口５１に半田ペースト（Ｓｎ／Ａｇ＝９６．
５／３．５）を印刷し、２５０℃でリフローすることに
よりフリップチップ用半田バンプ５７とＢＧＡ用半田バ
ンプ５８とを形成し、ＩＣチップ実装用基板を得た（図
８（ｃ）参照）。

【０１３９】（実施例２）Ａ．光学素子挿入用基板およびパッケージ基板の作製実施例１と同様にして、光学素子挿入用基板およびパッ
ケージ基板を作製した。

【０１４０】Ｂ．ＩＣチップ実装用基板の作製（１）マスラミネート方式による積層プレスを行い、上
記Ａで作製した光学素子挿入用基板とパッケージ基板と
を上記光学素子挿入用基板に形成した接着剤層を介して
貼り合わせた基板を得た。即ち、両者の位置合わせを行
った後、１５０℃まで昇温し、さらに５ＭＰａの圧力で
プレスすることにより光学素子挿入用基板とパッケージ
基板とを貼り合わせた。

【０１４１】（２）次に、ドリル加工により、光学素子
挿入用基板とパッケージ基板とを貫通する直径４００μ
ｍの貫通孔を形成し、さらに、６０ｇ／ｌの過マンガン
酸を含む８０℃の溶液に１０分間浸漬することにより、
貫通孔の壁面にデスミア処理を施した。

【０１４２】（３）次に、上記処理を終えた基板を、中
和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした。さ
らに、貫通孔の壁面を含む光学素子挿入用基板およびパ
ッケージ基板の露出面にパラジウム触媒を付与すること
により、貫通孔の壁面等に触媒核を付着させた。

【０１４３】（４）次に、無電解銅めっき水溶液中に、
基板を浸漬し、貫通孔の壁面を含む光学素子挿入用基板
およびパッケージ基板の露出面に厚さ０．６〜３．０μ
ｍの無電解銅めっき膜（薄膜導体層）を形成した。な
お、無電解めっき液としては、実施例１のパッケージ基
板の作製の（１０）の工程で用いた無電解めっき液と同
様のものを用い、同様の条件で処理した。また、この工
程では、光学素子挿入用基板の中央部にルータ加工によ
り形成した貫通孔より露出したパッケージ基板の表面に
は無電解めっき膜が形成されないように、予め、マスク
層を形成しておいた。

【０１４４】（５）次に、無電解銅めっき膜が形成され
た基板に市販の感光性ドライフィルムを張り付け、マス
クを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ^２で露光し、０．８％
炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することにより、めっ
きレジストを設けた。

【０１４５】（６）ついで、基板を５０℃の水で洗浄し
て脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄して
から電解めっきを施し、めっきレジスト非形成部に、電
解銅めっき膜を形成した。なお、電解めっき液として
は、実施例１のパッケージ基板の作製の（１２）の工程
で用いた電解めっき液と同様のものを用い、同様の条件
で処理した。

【０１４６】（７）さらに、めっきレジストを５％ＫＯ
Ｈで剥離除去した後、そのめっきレジスト下の無電解め
っき膜を硫酸と過酸化水素との混合液でエッチング処理
して溶解除去し、光学素子挿入用基板とパッケージ基板
とを貫通するスルーホールとした。また、ここでは、上
記（４）の工程で形成したマスク層も除去した。

【０１４７】（８）次に、スルーホールを形成した基板
をエッチング液（メックエッチボンド）に浸漬し、スル
ーホール壁面（ランド部分の表面を含む）に粗化面を形
成した。次に、実施例１の上記パッケージ基板の作製の
（ｂ）に記載した貫通孔充填用樹脂組成物と同様の樹脂
組成物を調製した後、下記の方法により調製後２４時間
以内に、スルーホール内に樹脂充填材の層を形成した。
即ち、スキージを用いてスルーホール内に樹脂充填材を
押し込んだ後、１００℃、２０分の条件で乾燥させるこ
とにより樹脂充填材の層を形成した。

【０１４８】さらに、♯６００のベルト研磨紙（三共理
化学社製）を用いたベルトサンダー研磨により、スルー
ホールのランド表面に樹脂充填材が残らないように研磨
し、次いで、上記ベルトサンダー研磨による傷を取り除
くためのバフ研磨を行った。さらに、１００℃で１時
間、１２０℃で３時間、１５０℃で１時間、１８０℃で
７時間の加熱処理を行って、そのスルーホールからの露
出面が平坦な樹脂充填材層を形成した。

【０１４９】（９）次に、光学素子挿入用基板の中央部
に形成した貫通孔より露出したパッケージ基板の表面
に、受光素子および発光素子を、それぞれの受光部およ
び発光部が上方に露出するように銀ペーストを用いて取
り付けた。なお、受光素子としては、ＩｎＧａＡｓから
なるものを用い、発光素子としては、ＩｎＧａＡｓＰか
らなるものを用いた。

【０１５０】（１０）次に、受光素子および発光素子の
電極と貫通孔より露出したパッケージ基板の表面のめっ
き層とをワイヤボンディングにより接続した。ここで、
ワイヤとしては、Ａｕ製のワイヤを用いた。

【０１５１】（１１）次に、光学素子挿入用基板に形成
した貫通孔内に、エポキシ樹脂を含む樹脂組成物を印刷
により充填し、その後、この樹脂組成物を乾燥させた。
さらに、樹脂組成物の露出面にバフ研磨と鏡面研磨とを
施した。その後、加熱処理を行い、樹脂充填層とした。
なお、樹脂充填層は、その上面と下面との間の波長０．
８５μｍ光の垂直方向の透過率が９３％である。

【０１５２】（１２）次に、実施例１のＩＣチップ実装
用基板の作製の（１２）〜（１４）の工程と同様にして
ソルダーレジスト層と半田バンプ（フリップチップ用半
田バンプおよびＢＧＡ用半田バンプ）を形成し、ＩＣチ
ップ実装用基板を完成した。

【０１５３】このようにして得られた、実施例１および
２のＩＣチップ実装用基板のそれぞれについて、フリッ
プチップ実装によりＩＣチップを実装し、受光素子の受
光部に対向する位置に光ファイバの端面を配置し、発光
素子の発光部に対向する位置に検出器を取り付け、その
後、光ファイバを介して光信号を送り、ＩＣチップで演
算させた後、検出器で光信号を検出したところ、実施例
１および２のＩＣチップ実装用基板は、ともに所望の光
信号を検出することができた。

【０１５４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明のＩＣチッ
プ実装用基板の製造方法では、接続信頼性に優れる光通
信を達成するとともに、端末機器の小型化に寄与するこ
とができるＩＣチップ実装用基板を好適に製造すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）〜（ｃ）は、本発明のＩＣチップ実装用
基板の製造方法における光学素子挿入用基板を作製する
工程を模式的に示す部分断面図である。

【図２】（ａ）〜（ｅ）は、本発明のＩＣチップ実装用
基板の製造方法におけるパッケージ基板を作製する工程
の一部を模式的に示す部分断面図である。

【図３】（ａ）〜（ｄ）は、本発明のＩＣチップ実装用
基板の製造方法におけるパッケージ基板を作製する工程
の一部を模式的に示す部分断面図である。

【図４】（ａ）〜（ｄ）は、本発明のＩＣチップ実装用
基板の製造方法におけるパッケージ基板を作製する工程
の一部を模式的に示す部分断面図である。

【図５】（ａ）〜（ｃ）は、本発明のＩＣチップ実装用
基板の製造方法の一部を模式的に示す部分断面図であ
る。

【図６】（ａ）〜（ｃ）は、本発明のＩＣチップ実装用
基板の製造方法の一部を模式的に示す部分断面図であ
る。

【図７】（ａ）〜（ｃ）は、本発明のＩＣチップ実装用
基板の製造方法の一部を模式的に示す部分断面図であ
る。

【図８】（ａ）〜（ｃ）は、本発明のＩＣチップ実装用
基板の製造方法の一部を模式的に示す部分断面図であ
る。

【符号の説明】

１、２１絶縁性基板８、２８銅箔４、２４下層導体回路９貫通孔２２層間樹脂絶縁層２３，４３めっきレジスト２５導体回路２７バイアホール２９、４９スルーホール３２、５２薄膜導体層３３、５３電解めっき膜３４、５４ソルダーレジスト層３６めっき層３８受光素子３９発光素子４０ワイヤ４１樹脂充填層５７フリップチップ用半田バンプ５８ＢＧＡ用半田バンプ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 23/12 ＮＦターム(参考） 5E346 AA04 AA06 AA12 AA15 AA22 AA42 AA43 AA51 BB16 CC04 CC08 CC32 EE43 FF45 GG15 GG19 GG28 HH22 5F061 AA01 BA04 CA06 FA01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】（ａ）基板ａの両面または片面に導体回
路を形成する導体回路形成工程、（ｂ）導体回路を形成
した基板ａの導体回路非形成部の少なくとも一部に接着
剤層を形成する接着剤層形成工程、および、（ｃ）接着
剤層を形成した基板ａの一部に貫通孔を形成する貫通孔
形成工程、を経て作製した光学素子挿入用基板と、
（Ａ）基板Ａの両面に導体回路を形成する第一の導体回
路形成工程、（Ｂ）前記導体回路を形成した基板Ａ上
に、バイアホールを有する層間樹脂絶縁層を形成すると
ともに、前記層間樹脂絶縁層上に導体回路を形成する層
間樹脂絶縁層積層工程、および、（Ｃ）最外層にソルダ
ーレジスト層を形成するソルダーレジスト層形成工程、
を経て作製したパッケージ基板と、を貼り合わせた後、
少なくとも下記（１）〜（４）の工程を行うことを特徴
とするＩＣチップ実装用基板の製造方法。（１）前記光
学素子挿入用基板に形成した貫通孔より露出したパッケ
ージ基板の表面に光学素子を取り付けた後、前記光学素
子と前記パッケージ基板の導体回路とを電気的に接続す
る光学素子実装工程、（２）前記光学素子挿入用基板に
形成した貫通孔内に樹脂組成物を充填し、樹脂充填層を
形成する樹脂充填層形成工程、（３）前記光学素子挿入
用基板と前記パッケージ基板とを貫通するスルーホール
を形成するスルーホール形成工程、および、（４）前記
光学素子挿入基板の露出面と前記パッケージ基板の露出
面とにソルダーレジスト層を形成するソルダーレジスト
層形成工程。
【請求項２】前記（１）の工程において、ワイヤボン
ディングにより光学素子とパッケージ基板とを電気的に
接続する請求項１に記載のＩＣチップ実装用基板の製造
方法。
【請求項３】前記（３）の工程で形成する樹脂充填層
は、その上面と下面との間の垂直方向の通信波長光の透
過率が９０％以上である請求項１または２に記載のＩＣ
チップ実装用基板の製造方法。
【請求項４】前記（３）の工程で形成する樹脂充填層
は、長さ１ｍｍあたりの通信波長光の透過率が９０％以
上である請求項１または２に記載のＩＣチップ実装用基
板の製造方法。