JP2002217531A - 多層プリント配線板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 均一な形状および高さを有するとともにボイ
ド等の欠陥を有さず、相互間で短絡のない半田バンプを
形成し、接続性及び信頼性に優れ、安定した品質の多層
プリント配線板を製造する方法を提供すること。 【解決手段】 少なくとも下記（ａ）〜（ｃ）の工程を
行うことを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。 （ａ）１回以上の半田ペーストの印刷を行い、凹形状の
半田バンプ形成用開口に半田ペースト充填する第一の半
田ペースト印刷工程、（ｂ）スキージ処理、ロール処理
および振動処理のうちの少なくとも一の処理により、上
記（ａ）の工程を経て充填された半田ペーストの表面を
平坦にする半田ペースト平坦化工程、および、（ｃ）１
回以上の半田ペーストの印刷を行う第二の半田ペースト
印刷工程。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ソルダーレジスト
層が有する半田バンプ形成用開口に半田ペーストを印刷
する方法に特徴を有するプリント配線板の製造方法に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】いわゆる多層ビルドアップ配線基板と呼
ばれる多層プリント配線板は、セミアディティブ法等に
より製造されており、コアと呼ばれる０．５〜１．５ｍ
ｍ程度のガラスクロス等で補強された樹脂基板の上に、
銅等による導体回路と層間樹脂絶縁層とを交互に積層す
ることにより作製される。この多層プリント配線板の層
間樹脂絶縁層を介した導体回路間の接続は、バイアホー
ルにより行われている。

【０００３】従来、ビルドアップ多層プリント配線板
は、例えば、特開平９−１３００５０号公報等に開示さ
れた方法により製造されている。即ち、まず、銅箔が貼
り付けられた銅張積層板に貫通孔を形成し、続いて無電
解銅めっき処理を施すことによりスルーホールを形成す
る。続いて、基板の表面をフォトリソグラフィーの手法
を用いて導体パターン状にエッチング処理して導体回路
を形成する。次に、形成された導体回路の表面に、無電
解めっきやエッチング等により粗化面を形成し、その粗
化面を有する導体回路上に絶縁樹脂層を形成した後、露
光、現像処理を行ってバイアホール用開口を形成し、そ
の後、ＵＶ硬化、本硬化を経て層間樹脂絶縁層を形成す
る。

【０００４】さらに、層間樹脂絶縁層に酸や酸化剤など
により粗化形成処理を施した後、薄い無電解めっき膜を
形成し、この無電解めっき膜上にめっきレジストを形成
した後、電解めっきにより厚付けを行い、めっきレジス
ト剥離後にエッチングを行って、下層の導体回路とバイ
アホールにより接続された導体回路を形成する。これを
繰り返した後、最後に導体回路を保護するためのソルダ
ーレジスト層を形成し、ＩＣチップ等の電子部品やマザ
ーボード等との接続のために開口を露出させた部分にめ
っき等を施して半田バンプ形成用パッドとした後、ＩＣ
チップ等の電子部品側に半田ペーストを印刷して半田バ
ンプを形成することにより、ビルドアップ多層プリント
配線板を製造する。また、必要に応じて、マザーボード
側にも半田バンプを形成する。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ソルダーレジスト層に
形成された半田バンプ形成用パッドは、フラットな導体
回路上に形成された平坦なものと、バイアホール上に形
成されたその中心に１０〜１２０μｍの径の窪みを有す
るものの２種類がある。

【０００６】中心に窪みを有する半田バンプ形成用パッ
ドは、半田ペーストを充填した際、半田ペーストの粘度
等によっては完全に窪み付近が充填されない場合があ
り、これに起因して半田バンプの窪み部分やその付近に
ボイドが形成されることがある。

【０００７】この半田バンプ内に形成されたボイドは、
リフロー時や、ＩＣチップなどの電子部品が動作した際
の発熱で、拡散したり膨張したりし、これに起因して、
半田バンプや半田バンプ形成用パッドに剥がれやクラッ
クが発生し、接続性、信頼性に悪影響を与えるという問
題があった。

【０００８】近年、ＩＣチップなどの電子部品の高密度
化、高集積化に伴い、基板の半田バンプも同様に狭ピッ
チ化、ファイン化が進行しているため、ボイドが与える
悪影響も顕著に現れるようになってきた。また、近年、
半田ペーストを６３Ｓｎ／３７ＰｂからＰｂフリーのも
のへと変更する案が検討されているが、Ｐｂフリーの半
田ペーストではボイドの発生率が高くなることが判っ
た。特に、半田バンプ形成用パッドの形状が窪みを有す
るものである場合にボイドが発生しやすかった。

【０００９】このボイドを低減させる方法としては、半
田ペーストの粘度を下げる方法が考えられるが、この方
法では、半田バンプのボイドは低減されるものの、半田
バンプの形状や高さの均一性が損なわれ、ＩＣチップ等
の電子部品との接続が不良となったり、印刷時に半田ペ
ーストがソルダーレジスト層の表面に滲んでしまい、半
田バンプ間の短絡を引き起こしてしまうという問題が発
生してしまう。

【００１０】また、半田ペーストの印刷時に使用するマ
スクの開口径を変更する方法、ピーク温度、余熱温度、
コンベアスピード等のリフロー条件を変更する方法、ス
キージ速度や印刷圧力などの印刷条件の変更を行うこと
によりボイドを低減させる方法等も考えられるが、この
ような方法では望ましい結果を得ることは困難であっ
た。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明者等は上記課題に
鑑みて鋭意研究した結果、先に、半田ペーストの印刷を
少なくとも２回に分けて行い、１回目の半田ペースト印
刷で、半田バンプ形成用開口とその周辺に半田ペースト
を印刷することにより半田バンプ形成用開口を半田ペー
ストで充填し、その後、半田ペーストの表面を平坦化す
るとともに、該半田ペーストの表面とソルダーレジスト
層の表面とを略同一平面とし、さらに、２回目の半田ペ
ースト印刷を行うことにより、形状や高さの均一性に優
れる半田バンプを形成することができ、相互間で短絡が
なく、外部接続部品との接続信頼性に優れた半田バンプ
を有する多層プリント配線板を製造方法を発明した。

【００１２】本発明者らは、先に発明した上記多層プリ
ント配線板の製造方法について、さらに、検討を行った
結果、上記半田バンプ形成用開口に充填した半田ペース
トの表面を平坦化する際、スキージ処理、ロール処理お
よび振動処理のうちの少なくとも一の処理を施すこと
で、より好適に上記半田ペーストの表面とソルダーレジ
スト層の表面とを略同一面とすることができることを見
いだし、以下に示す要旨構成とする発明に到達した。

【００１３】即ち、第一の本発明の多層プリント配線板
の製造方法は、導体回路を形成した基板上に、層間樹脂
絶縁層と導体回路とを積層形成した後、最上層の導体回
路上に、複数の半田バンプ形成用開口を有するソルダー
レジスト層を設け、上記半田バンプ形成用開口に半田ペ
ーストを印刷して半田バンプを形成する多層プリント配
線板の製造方法であって、少なくとも下記（ａ）〜
（ｃ）の工程を行うことを特徴とする多層プリント配線
板の製造方法。 （ａ）１回以上の半田ペーストの印刷を行い、凹形状の
半田バンプ形成用開口に半田ペーストを充填する第一の
半田ペースト印刷工程、（ｂ）スキージ処理、ロール処
理および振動処理のうちの少なくとも一の処理により、
上記（ａ）の工程を経て充填された半田ぺーストの表面
を平坦にする半田ペースト平坦化工程、および、（ｃ）
１回以上の半田ペーストの印刷を行う第二の半田ペース
ト印刷工程。

【００１４】また、第一の本発明の多層プリント配線板
の製造方法の第一の半田ペースト印刷工程においては、
上記ソルダーレジスト層上に、上記半田バンプ形成用開
口に対向する部分に開口を有するマスクを載置した後、
半田ペーストを印刷することが望ましい。

【００１５】第二の本発明の多層プリント配線板の製造
方法は、導体回路を形成した基板上に、層間樹脂絶縁層
と導体回路とを積層形成した後、最上層の導体回路上
に、複数の半田バンプ形成用開口を有するソルダーレジ
スト層を設け、上記半田バンプ形成用開口に半田ペース
トを印刷して半田バンプを形成する多層プリント配線板
の製造方法であって、少なくとも下記（ａ）〜（ｃ）の
工程を行うことを特徴とする多層プリント配線板の製造
方法。 （ａ）１回以上の半田ペーストの印刷で、ソルダーレジ
スト層の表面全体に半田ペーストを塗布し、半田バンプ
形成用開口に半田ペーストを充填する第一の半田ペース
ト印刷工程、（ｂ）スキージ処理、ロール処理および振
動処理のうちの少なくとも一の処理により、半田バンプ
形成用開口に充填した半田ペースト以外の半田ペースト
を除去し、半田ペーストの表面とソルダーレジスト層の
表面とを略同一平面とする半田ペースト除去工程、およ
び、（ｃ）１回以上の半田ペーストの印刷を行う第二の
半田ペースト印刷工程。

【００１６】第三の多層プリント配線板の製造方法は、
導体回路を形成した基板上に、層間樹脂絶縁層と導体回
路とを積層形成した後、最上層の導体回路上に、複数の
半田バンプ形成用開口を有するソルダーレジスト層を設
け、上記半田バンプ形成用開口に半田ペーストを印刷し
て半田バンプを形成する多層プリント配線板の製造方法
であって、少なくとも下記（ａ）〜（ｃ）の工程を行う
ことを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。 （ａ）ソルダーレジスト層上の複数の半田バンプ形成用
開口を含む一定領域に、一回以上半田ペーストを印刷
し、前記半田バンプ形成用開口に半田ペーストを充填す
る第一の半田ペースト印刷工程、（ｂ）スキージ処理、
ロール処理および振動処理のうちの少なくとも一の処理
により、半田バンプ形成用開口に充填した半田ペースト
以外の半田ペーストを除去し、半田ペーストの表面とソ
ルダーレジスト層の表面とを略同一平面とする半田ペー
スト除去工程、および、（ｃ）１回以上の半田ペースト
の印刷を行う第二の半田ペースト印刷工程。

【００１７】また、第三の多層プリント配線板の製造方
法の第一の半田ペースト印刷工程においては、上記ソル
ダーレジスト層上に、複数の半田バンプ形成用開口を含
む一定領域に対向する部分に開口を有するマスクを載置
した後、半田ペーストを印刷することが望ましい。

【００１８】第一、第二または第三の多層プリント配線
板の製造方法においては、上記（ａ）の工程の後、上記
（ｂ）の工程の前に、ソルダーレジスト層上の半田ペー
スト層の表面全体または表面の一部をプレスする半田ペ
ーストプレス工程を行うことが望ましい。

【００１９】第一、第二または第三の多層プリント配線
板の製造方法の第二の半田ペースト印刷工程において
は、上記ソルダーレジスト層上に、上記半田バンプ形成
用開口に対向する部分に開口を有するマスクを載置した
後、半田ペーストを印刷することが望ましい。

【００２０】第一、第二または第三の多層プリント配線
板の製造方法において、上記第一の半田ペースト印刷工
程で印刷する半田ペーストの粘度は、上記第二の半田ペ
ースト印刷工程で印刷する半田ペーストの粘度よりも低
いことが望ましい。

【００２１】第一、第二または第三の多層プリント配線
板の製造方法の第一の半田ペースト印刷工程において
は、１回目の半田ペーストの印刷で、その底面に窪みを
有する半田バンプ形成用開口のみに、その窪み部分が充
填される程度に半田ペーストを印刷し、２回目の半田ペ
ーストの印刷で、凹形状の半田バンプ形成用開口を完全
に充填するように、ソルダーレジスト層の表面全体に半
田ペーストを塗布することが望ましい。

【００２２】

【発明の実施の形態】第一の本発明のプリント配線板の
製造方法は、導体回路を形成した基板上に、層間樹脂絶
縁層と導体回路とを積層形成した後、最上層の導体回路
上に、複数の半田バンプ形成用開口を有するソルダーレ
ジスト層を設け、上記半田バンプ形成用開口に半田ペー
ストを印刷して半田バンプを形成する多層プリント配線
板の製造方法であって、少なくとも下記（ａ）〜（ｃ）
の工程を行うことを特徴とする多層プリント配線板の製
造方法。 （ａ）１回以上の半田ペーストの印刷を行い、凹形状の
半田バンプ形成用開口に半田ペーストを充填する第一の
半田ペースト印刷工程、（ｂ）スキージ処理、ロール処
理および振動処理のうちの少なくとも一の処理により、
上記（ａ）の工程を経て充填された半田ぺーストの表面
を平坦にする半田ペースト平坦化工程、および、（ｃ）
１回以上の半田ペーストの印刷を行う第二の半田ペース
ト印刷工程。

【００２３】第一の本発明の多層プリント配線板の製造
方法では、第一の半田ペースト印刷工程を経ることによ
り、半田バンプ形成用開口を半田ペーストで充填し、そ
の後、スキージ処理、ロール処理および振動処理のうち
の少なくとも一の処理により、半田バンプ形成用開口の
半田ペーストの表面を平坦化し、さらに、第二の半田ペ
ースト印刷工程を行うため、均一な形状および高さを有
するとともにボイド等の欠陥を有さず、相互間で短絡の
ない半田バンプを形成することができ、接続性及び信頼
性に優れたプリント配線板を製造することができる。ま
た、上記半田ペースト平坦化工程において、スキージ処
理、ロール処理および振動処理のうちの少なくとも一の
処理を施すため、より好適に上記半田ペーストの表面と
ソルダーレジスト層の表面とを略同一面にすることがで
き、安定した品質の多層プリント配線板を製造すること
ができる。

【００２４】以下に、第一の本発明の多層プリント配線
板の製造方法について説明する。なお、本発明の多層プ
リント配線板の製造方法は、ソルダーレジスト層に設け
られた半田バンプ形成用開口に半田ペーストを印刷する
工程、即ち、上記（ａ）〜（ｃ）の工程に特徴を有する
ものであるため、まずこの工程について、図面を参照し
ながら説明し、多層プリント配線板を製造する全製造工
程については、後に説明する。

【００２５】図１は、本発明の多層プリント配線板の製
造方法における（ａ）〜（ｃ）の工程を模式的に示す部
分断面図である。上記（ａ）の工程（第一の半田ペース
ト印刷工程）では、半田バンプ形成用開口１０６を有す
るソルダーレジスト層１１４を備えた基板に、１回以上
の半田ペーストの印刷を行い、凹形状の半田バンプ形成
用開口１０６に半田ペースト１１７を充填する（図１
（ａ）参照）。なお、図中、１０２は層間樹脂絶縁層、
１０５は導体回路、１０７はバイアホール、１１６は半
田バンプ形成用パッド（以下、半田パッドともいう）で
ある。この工程では、半田バンプ形成用開口１０６に半
田ペースト１１７を充填する。半田バンプ形成用開口１
０６に確実に充填するためには、半田バンプ形成用開口
の容積よりも多い量の半田ペーストを印刷する。従っ
て、第一の半田ペースト印刷工程終了後、印刷した半田
ペーストは、その一部が、ソルダーレジスト層の表面よ
り盛り上がった形状となる（図中、半田ペースト１１１
７と示す）。

【００２６】上記第一の半田ペースト印刷工程において
は、ソルダーレジスト層上に、半田バンプ形成用開口に
対向する部分に開口を有するマスクを載置した後、半田
ペーストを印刷することが望ましい。マスクを載置し
て、半田バンプ形成用開口に半田ペーストを選択的に印
刷することにより、半田バンプ形成用開口およびその周
辺以外のソルダーレジスト層の表面に半田ペーストが付
着することがなく、後工程で、ソルダーレジスト層表面
に付着した半田ペーストを除去する必要がないからであ
る。

【００２７】また、上記マスクの種類としては特に限定
されず、プリント配線板製造用の印刷マスクやその他の
印刷マスクで用いられている材質全てのものを用いるこ
とができる。具体的には、例えば、ニッケル合金、ニッ
ケル−コバルト合金、ＳＵＳ等からなるメタルマスク；
エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等からなるプラスチック
マスク等が挙げられる。また、マスクの製造方法として
はエッチング、アディテイブ加工、レーザ加工等が挙げ
られる。

【００２８】また、マスクが有する開口は、ソルダーレ
ジスト層に対して垂直な壁面を有するように形成されて
いてもよいが、徐々にソルダーレジスト層側に拡径する
形態のテーパが形成されていることが望ましい。半田ペ
ーストの抜け性に優れ、半田バンプ形成用開口に半田ペ
ーストをより確実に充填することができるからである。
また、マスクの厚さは特に限定されず、形成する半田バ
ンプの形状や、半田ペーストの抜け性等を考慮して適宜
選択すればよく、通常、３０〜７０μｍが望ましく、３
０〜５０μｍがより望ましい。

【００２９】また、第一の半田ペースト印刷工程で用い
る半田ペーストとしては特に限定されず、一般にプリン
ト配線板の製造で使用されるもの全てを用いることがで
きる。具体的には、例えば、Ｓｎ：Ｐｂ（重量比）＝６
３：３７、Ｓｎ：Ｐｂ：Ａｇ＝６２：３６：２、Ｓｎ：
Ａｇ＝９６．５：３．５、Ｓｎ：Ａｇ：Ｃｕ＝９６：
３．５：０．５、Ｓｎ：Ｓｂ＝９５：５等が挙げられ
る。また、半田粒子の粒子径は、２〜４０μｍが好まし
く、特には、５〜２０μｍが好ましい。

【００３０】上記第一の半田ペースト印刷工程終了後、
後述する（ｂ）の工程（半田ペースト平坦化工程）を行
う前に、ソルダーレジスト層上の半田ペースト層の表面
全体または表面の一部をプレスする半田ペーストプレス
工程を行うことが望ましい。上記第一の半田ペースト印
刷工程においては、上記した方法を用いて半田ペースト
を印刷するのみであるため、半田バンプ形成用開口の形
状（開口径や底面の窪みの有無）によっては、半田ペー
ストが完全に充填されず、半田バンプ形成用開口にボイ
ド等が形成されるおそれがある。半田バンプ形成用開口
にボイドが形成されると、このボイドがリフロー時やＩ
Ｃチップ等の電子部品が動作した際の発熱で、拡散した
り膨張したりし、これに起因して、半田パッドや半田バ
ンプに剥がれやクラックが発生し、接続性、信頼性に悪
影響を与える原因となることがある。

【００３１】従って、半田バンプ形成用開口に発生した
ボイドをそのまま放置しておくことは、上述したよう
に、製造する多層プリント配線板の接続性や信頼性の低
下に繋がるが、上記半田ペーストプレス工程を行うこと
で、第一の半田ペースト印刷工程でボイドが発生した場
合であっても、この工程でボイドを完全に除去すること
ができ、半田バンプ形成用開口を半田ペーストで完全に
充填することができる。

【００３２】この工程では、ソルダーレジスト層上の半
田ペースト層の表面全体または表面の一部をプレスする
ことが望ましい。この半田ペーストプレス工程は、具体
的には、例えば、その形状が板状のプレス部材を、ソル
ダーレジスト層上の半田ペースト層１１７の表面全体ま
たは表面の一部に、１〜３０秒程度、押し当てることに
より行うことが望ましい。また、上記プレス部材を押し
当てる際の押圧力は、半田バンプ形成用開口のボイドを
除去するとともに、半田ペーストを完全に充填すること
ができる押圧力であればよく、具体的には、０．１ＭＰ
ａ〜１．０ＭＰａの押圧力で押し当てればよい。なお、
上記プレス部材をソルダーレジスト層上の半田ペースト
層の表面の一部に押し当てる場合、上記プレス部材は、
形成された全ての半田バンプ形成用開口を含む領域に押
し当てることが望ましい。半田バンプ形成用開口を半田
ペーストで完全に充填することが目的だからである。ま
た、プレス部材をソルダーレジスト層上の半田ペースト
層に押し当てる場合、このプレス部材を押し当てる操作
は１回で行ってもよいし、２回以上に分けて行ってもよ
い。

【００３３】上記プレス部材の材質としては特に限定さ
れず、金属やプラスチック等が挙げられ、具体的には、
フッ素樹脂、シリコーン樹脂等が望ましい。これらは、
半田ペーストに対する濡れ性が悪く、半田ペーストが付
着しにくいからである。上記プレス部材の半田ペースト
に対するぬれ性が良い場合、半田ペーストがプレス部材
に付着することがあり、このように半田ペーストがプレ
ス部材に付着した場合には、第一の半田ペースト印刷工
程で半田バンプ形成用開口に印刷した半田ペーストが除
去されることとなり、後工程を経て半田バンプを形成し
た際に、半田バンプの形状が均一にならないことがある
からである。

【００３４】また、上記プレス部材は、ソルダーレジス
ト層上の半田ペースト層に当接する面の端部が曲面形状
により構成されていることが望ましい。ソルダーレジス
ト層や半田バンプ形成用開口に充填した半田ペーストに
傷をつけないためである。

【００３５】また、上記半田ペーストプレス工程は、上
述したプレス部材を押し当てる方法に代えて、ソルダー
レジスト層上の半田ペースト層をローラーで押すことに
より行ってもよい。具体的には、ソルダーレジスト層上
の半田ペースト層の表面にローラーを走らせたり、ロー
ラーの間に半田ペースト層を形成した基板を通すことに
より行うことができる。

【００３６】また、ローラーでソルダーレジスト層上の
半田ペースト層を押す際の押圧力は、半田バンプ形成用
開口のボイドを除去するとともに、半田ペーストを完全
に充填することができる押圧力であればよく、具体的に
は、０．１ＭＰａ〜１．０ＭＰａの押圧力で押せばよ
い。

【００３７】上記ローラーの材質としては特に限定され
ず、金属、プラスチック、セラミック等が挙げられ、具
体的には、フッ素樹脂、シリコーン樹脂等が挙げられ
る。これらのなかでは、半田ペーストに対する濡れ性が
悪く、半田ペーストが付着しにくい点からフッ素樹脂が
望ましい。また、上記プレス部材や上記ローラーの半田
ペーストに接触する部分は、半田ペーストに濡れにくい
材料でコーティングしておいてもよい。

【００３８】また、上記半田ペーストの粘度は、後述す
る第二の半田ペースト印刷工程で印刷する半田ペースト
の粘度よりも低いことが望ましい。半田ペーストの流動
性を上げることにより、半田ペーストを半田バンプ形成
用開口により確実に充填することができるからである。
特に、その底面に窪みを有する半田バンプ形成用開口を
確実に充填することができる。また、流動性の高い半田
ペーストで半田バンプ形成用開口を充填した場合には、
半田バンプを形成した際によりボイドが発生しにくい。
半田ペーストの粘度を低下させる方法としては、半田ペ
ーストに添加する溶剤の量を多くしたり、フラックスの
含有量を多くしたり、半田粒子の粒径を小さくしたりす
る方法等が挙げられる。また、上記半田ペーストの粘度
は、第二の半田ペースト印刷工程で印刷する半田ペース
トの粘度と同じであってもよい。

【００３９】また、第一の半田ペースト印刷工程におい
ては、１回目の半田ペーストの印刷で、その底面に窪み
を有する半田バンプ形成用開口のみに、その窪み部分が
充填される程度の量の半田ペーストを印刷し、２回目の
半田ペーストの印刷で、凹形状の半田バンプ形成用開口
を完全に充填するように、半田ペーストを印刷してもよ
い。

【００４０】ソルダーレジスト層に形成された半田バン
プ形成用開口の底面には、導体回路が露出しており、通
常、この露出した導体回路の表面（半田バンプ形成用開
口の底面）には、めっき等により半田バンプ形成用パッ
ドが形成されている。ここで、この半田パッドが導体回
路のバイアホール上に形成されている場合、該半田パッ
ドの形状は、その一部に窪みを有するものとなる。この
ような、底面に窪みを有する半田バンプ形成用開口に半
田ペーストを充填する際には、上述したように、２回に
分けて半田ペースト印刷を行うことにより、半田バンプ
形成用開口に半田ペーストをより確実に充填することが
できる。

【００４１】また、半田ペーストを印刷する際には、通
常、印刷用スキージを用いる。この印刷形成用スキージ
の材質は特に限定されず、例えば、ポリエチレン等のゴ
ム；鉄、ステンレス等の金属；セラミック、エポキシ樹
脂等の樹脂等の一般にプリント配線板の印刷に用いられ
る材質を使用することができる。これらのなかでは、弾
力性を有し、基板表面の凹凸（アンジュレーション）に
対する追従性が高いため、より確実に開口に半田ペース
トを印刷することができる点から硬度６０°以上のゴム
が望ましく、目減りしにくく、摩耗による半田ペースト
への異物混入が起こりにくい点から金属が望ましい。

【００４２】上記スキージの形状としては、平型、角型
等の種々の形状が挙げられる。上記形状のスキージに、
適時切れ込みを入れることにより半田ペーストの充填性
を向上させることもできる。具体的には、例えば、スキ
ージの端部にスキージの端面とのなす角が１２０〜１５
０°の切れ込みを入れてもよい。上記スキージの厚さは
特に限定されないが、通常、１０〜３０ｍｍが望まし
く、１５〜２５ｍｍがより望ましい。また、金属性のス
キージの場合は、その厚さは５０〜３００μｍが望まし
い。

【００４３】また、半田ペーストの印刷は、密閉式のス
キージユニットを用いて行ってもよい。このようなスキ
ージとしては、例えば、エアー圧入型、ローラー圧入
型、ピストン圧入型等が挙げられる。隣合う半田バンプ
同士の距離が２００μｍ以下の半田バンプを形成する場
合、このような半田バンプを形成することができる半田
ペースト層は、通常のスキージ印刷を用いて形成するこ
とが困難であるため、密閉式のスキージユニットを用い
て形成することが望ましい。また、上記密閉式のスキー
ジユニットのなかでは、印刷圧力の安定性に優れる点か
らピストン圧入型が望ましい。

【００４４】上記第一の半田ペースト印刷工程終了後、
上記（ｂ）の工程（半田ペースト平坦化工程）を行う。
この工程では、第一の半田ペースト印刷工程終了後に、
スキージ処理、ロール処理および振動処理のうちの少な
くとも一の処理を行うことにより、半田バンプ形成用開
口より盛り上がった部分の半田ペースト１１１７を除去
する。このように半田ペースト１１１７を除去すること
により、半田ペースト表面１１７ａを平坦化するととも
に、充填した半田ペースト表面１１７ａとソルダーレジ
スト層の表面とを略同一平面とする（図１（ｂ）参
照）。

【００４５】ここでは、上記半田ペースト平坦化工程に
ついて、図２および図３を参照しながら説明する。図２
（ａ）は、スキージを用いて半田ペースト平坦化工程を
施す様子を模式的に示す説明図であり、図２（ｂ）は、
ロール装置を用いて半田ペースト平坦化工程を施す様子
を模式的に示す説明図であり、図２（ｃ）は、粘着ロー
ル装置を用いた処理を模式的に示す説明図である。ま
た、図３（ａ）は、振動装置を用いて半田ペースト平坦
化工程を施す様子を模式的に示す説明図であり、図３
（ｂ）は、振動処理に用いる振動装置の別の一例を模式
的に示す平面図であり、図３（ｃ）は、振動処理に用い
る振動装置のさらに別の一例を模式的に示す断面図であ
る。なお、以下の説明においては、半田ペースト１１１
７を除去することについてのみ説明するが、半田バンプ
形成用開口の壁面を除くソルダーレジスト層の表面に半
田ペーストが付着している場合にも、この工程で、付着
した上記半田ペーストを除去することができることは言
うまでもない。

【００４６】上記スキージ処理とは、図２（ａ）に示す
ように、ソルダーレジスト層の表面に接する位置に、ホ
ルダー１３５に取りつけられたスキージ１３１を設置
し、このスキージ１３１をソルダーレジスト層の表面に
平行に移動させることで、半田バンプ形成用開口より盛
り上がった部分の半田ペースト１１１７をカットして除
去する処理のことをいう。

【００４７】スキージ１３１の先端をソルダーレジスト
層の表面に接した状態で移動させる際、ソルダーレジス
ト層の表面が傷つくのを防止するため、スキージの材料
として、樹脂等の余り硬くないものを選定することが望
ましく、また、ソルダーレジスト層の表面に余り大きな
押圧力がかからないような状態でスキージ１３１を移動
させることが望ましい。

【００４８】この半田ペースト平坦化工程において、上
記スキージ処理を採用することで、好適にソルダーレジ
スト層の表面と半田ペーストの表面とを略同一面とする
ことができ、より安定した品質の多層プリント配線板を
製造することができる。

【００４９】スキージ１３１はソルダーレジスト層の表
面全体を移動するものであってもよく、ソルダーレジス
ト層の表面の一部を移動するものであってもよい。スキ
ージ１３１がソルダーレジスト層の表面の一部を移動す
る場合、スキージ１３１は、少なくとも、全ての半田バ
ンプ形成用開口が形成された領域を移動することが望ま
しい。

【００５０】スキージ１３１がソルダーレジスト層上を
移動する回数は特に限定されず、１回であってもよく、
複数回であってもよいが、生産性を考慮すると、スキー
ジ１３１を１回移動させることにより、除去すべき半田
ペースト１１１７の全てを除去することができることが
望ましい。

【００５１】また、スキージ１３１の移動速度としては
半田ペースト１１１７を確実に除去することができる速
度であれば特に限定されず、多層プリント配線板の大き
さや半田ペーストの粘度等に合わせて任意に設定する
が、通常、１０〜１００ｍｍ／ｓｅｃ程度である。

【００５２】上記ロール処理では、図２（ｂ）に示すよ
うに、クリーニングペーパー供給ロール１３２ａとクリ
ーニングペーパー巻き取りロール１３２ｂとを備え、こ
れらの間にクリーニングペーパー１３６をソルダーレジ
スト層１１４表面に当接させるクリーニングロール１３
４が配設された構成のロール装置１３２を用いることが
できる。そして、このロール装置１３２を、クリーニン
グペーパー１３６がソルダーレジスト層１１４表面に当
接するように設置し、クリーニングペーパー１３６の供
給と巻き取りとを行いながらロール装置１３２をソルダ
ーレジスト層の表面に平行に移動させ、クリーニングペ
ーパー１３６で半田バンプ形成用開口より盛り上がった
部分の半田ペースト１１１７を削り取るようにして除去
する。また、半田ペーストを除去した後には、クリーニ
ングペーパーの巻き取りを行うことにより別の部位の半
田ペーストを除去する際には、半田ペーストの付着して
いないクリーニングペーパーが使用されることとなる。

【００５３】このようなクリーニングペーパー１３６を
用いた場合、ソルダーレジスト層１１４の表面が余り削
り取られないようにする必要があり、また、余り大きな
傷が付かないようにする必要がある。ソルダーレジスト
層１１４にクラック等が発生するのを防止するためであ
る。

【００５４】この半田ペースト平坦化工程において、上
記ロール処理を採用することで、除去対象である半田ペ
ースト１１１７のみを確実に除去することができるた
め、好適にソルダーレジスト層の表面と半田ペーストの
表面とを略同一面とすることができ、より安定した品質
の多層プリント配線板を製造することができる。また、
半田ペースト１１１７の除去を連続的に行うことができ
るため、より生産性の向上を図ることができる。

【００５５】また、クリーニングペーパーを用いた場合
には、半田粒子とともにフラックスも除去することがで
きる。フラックスがソルダーレジスト層表面に残ってい
る場合、後述する第二の半田ペースト印刷工程で半田ペ
ーストがソルダーレジスト層表面ににじみやすく、リフ
ロー処理後に半田バンプ間で短絡が発生する原因となる
おそれがあるが、ロール処理を用いた場合には、このよ
うな不都合が発生することがない。また、クリーニング
ペーパーの供給と巻き取りとを行いながら半田ペースト
の除去を行うことにより、より確実の半田ペーストを除
去することができる。

【００５６】クリーニングロール１３４の回転方向とし
ては、ロール装置１３２の移動方向と同方向にクリーニ
ングペーパーが移動するような回転方向が望ましい。よ
り好適に、半田ペースト１１１７を除去することができ
るからである。

【００５７】また、ロール装置１３２の移動速度は、半
田ペースト１１１７を確実に除去することができる速度
であれば特に限定されず任意に調整することができる
が、通常、１０〜５０ｍｍ／ｓｅｃ程度であることが望
ましい。また、クリーニングペーパー１３６の巻き取り
速度は、ロール装置１３２の移動速度より速いことが望
ましい。なお、場合によってはクリーニングペーパーを
固定したままロールの装置の移動を行い、半田ペースト
除去後、クリーニングペーパーの巻き取りを行ってもよ
い。

【００５８】クリーニングロール１３４の材質は特に限
定されず、例えば、金属、セラミック、ゴム等を挙げる
ことができる。また、クリーニングロールの数は図示し
たような１本には限定されず、２本以上であってもよ
い。クリーニングロールの数が２本以上の場合、クリー
ニングロールは一直線に並べられた構造であってもよ
く、屈曲線を形成するように並べられた構造であっても
よい。また、上記ロール装置において、２本以上のクリ
ーニングロールを備えている場合、クリーニングペーパ
ーの下側部分がソルダーレジスト層の表面と平行になる
ように、クリーニングペーパーとソルダーレジスト層と
を接触させてもよく、クリーニングペーパーの下側部分
がソルダーレジスト層の表面に対して傾いた状態になる
ように、クリーニングペーパーとソルダーレジスト層と
を接触させてもよい。

【００５９】クリーニングペーパー１３６としては特に
限定されず、例えば、布や紙からなるもの等が挙げられ
る。具体的な材質としては、例えば、セルロース１００
％、目付１０〜１００ｇ／ｍ² の連続長繊維不繊布；ア
クリル／ポリエステル＝９０／１０、アクリル／レーヨ
ン＝６５／３５、アクリル／ポリエステル／セルロース
＝４５／１５／５０等のアクリル極細短繊維不繊布；セ
ルロース／ポリエステル、セルロース／ポリプロピレン
等の連続長繊維不繊布と各種合繊の複合布；パルプ、短
繊維等の紙ワイパー；バインダー不繊布；セルロース系
短繊維不繊布；合繊長繊維不繊布等が挙げられる。

【００６０】ロール装置１３２は、ソルダーレジスト層
の表面を１回移動することで、全ての半田ペースト１１
１７を除去することができるものであってもよく、ロー
ル装置１３２が複数回移動するか、または、複数のロー
ル装置が移動することで半田ペースト１１１７を除去す
るものであってもよい。しかしながら、製造コストおよ
び生産性を考慮すると、１回の移動で全ての半田ペース
トを除去することができるものが望ましい。また、この
クリーニングペーパーを備えたロール装置を用いるロー
ル処理は、湿式クリーニングで行うこともできる。具体
的には、イソプロピルアルコール等の溶剤を浸したクリ
ーニングペーパーを備えたロール装置を用いてロール処
理を行う。

【００６１】また、上記ロール処理を行った後、粘着シ
ートを備えた粘着ロール装置を用いた処理を行ってもよ
い。該粘着ロール装置を用いることにより、上記ロール
処理後、ソルダーレジスト層の表面に半田粒子が残留し
ている場合でも、この半田粒子を完全に除去することが
できるからである。

【００６２】そこで、この粘着ロール装置について図面
を参照しながら説明する。図２（ｃ）は、粘着ロール装
置を用いて半田粒子を除去する一実施形態を模式的に示
す断面図である。図２（ｃ）に示すように、粘着ロール
装置１３７では、粘着シート供給ロール１３７ａと粘着
シート巻き取りロール１３７ｂとを備え、これらの間に
粘着シート１３８をソルダーレジスト層１１４表面に当
接させる押当て部材１３９が配設されるとともに、粘着
シート巻き取りロールは、かき取り刃１４１を備えた洗
浄槽１４０とエアーノズル１４２とからなる洗浄手段に
より付着した半田粒子を洗浄するように構成されてい
る。そして、この粘着ロール装置１３７を、粘着シート
１３８がソルダーレジスト層１１４表面に当接するよう
に設置し、粘着シート１３８の供給と巻き取りとを行う
ことによりソルダーレジスト層１１４表面に残留した半
田粒子を除去する。

【００６３】また、粘着シート１３８の当接面は、半田
ペーストを印刷した基板の上面であっても、下面であっ
てもよいが、基板の下面であることが望ましい。洗浄液
の入った洗浄槽を有する粘着ロール装置では、基板の下
面の半田粒子を除去する構成の方が、装置を作製しやす
いからである。また、押当て部材１３９を押当てる際に
は、粘着シート１３８を吸引しながら押し当ててもよ
い。粘着シートのズレ等がより発生しにくくなり、より
確実に半田粒子を除去することができるからである。

【００６４】上記粘着シートの材質としては特に限定さ
れず、例えば、シリコーン樹脂等の柔らかく、ソルダー
レジスト層表面への追従性に優れ、溶剤に不溶な樹脂等
が挙げられる。上記押当て部材の材質としては、上述し
たロール装置のクリーニングロールと同様のものを挙げ
ることができ、その形状は、少なくともソルダーレジス
ト層の表面に面する平行な面が一面あればよく、例え
ば、角柱、円柱、角錐、円錐等任意の形状を挙げること
ができる。また、場合によっては、ソルダーレジスト層
表面にクリーニングペーパーを介して対向する部材とし
て、先端が刃状となった板状部材を用いてもよい。ま
た、上記押当て部材の数は、１個であってもよいし、複
数個であってもよい。また、上記粘着ロール装置におい
て、粘着シート巻き取りロール側の粘着シートは、その
一部が洗浄液の入った洗浄槽に浸かるように構成されて
いることが望ましい。かき取り刃で粘着シートに付着し
た半田粒子を除去する際に、洗浄液に浸かった状態で除
去する方が確実に除去することができるからである。上
記洗浄液としては、例えば、イソプロピルアルコール、
エタノール、イソプロピルアルコール／エタノール混合
液、メタノール等の比較的蒸発しやすい溶剤がが挙げら
れる。また、かき取り刃は、上記したように洗浄槽内に
備えていてもよいし、洗浄槽の前に備えていてもよい。
また、このかき取り刃の材質としては、例えば、ＳＵＳ
等の金属、セラミック等が挙げられる。また、上記洗浄
手段は、半田粒子のかき取られた粘着シートを短時間で
乾燥させるために、上記したエアーノズルを備えている
ことが望ましい。

【００６５】上記振動処理とは、図３（ａ）に示すよう
に、ソルダーレジスト層の上方に、クリーニングペーパ
ー１４５を備えたヘッド１４４を複数個（図中では３
個）有する振動装置１４３を設置し、ソルダーレジスト
層の表面とクリーニングペーパー１４５とを接触させな
がら、振動装置１４３をソルダーレジスト層の表面に平
行な方向に振動させ、クリーニングペーパー１４５で半
田バンプ形成用開口より盛り上がった部分の半田ペース
ト１１１７を削り取るようにして除去する処理のことを
いう。なお、クリーニングペーパーは、所望の大きさに
切断した後、緩み、たわみ、振動時の位置ズレ等が発生
しないようにヘッドに固定すればよい。このような振動
装置１４３を用いる場合、一のヘッド１４４に備えたク
リーニングペーパー１４５が汚れる毎に使用するヘッド
を取り替え、汚れたクリーニングペーパーは別途交換す
ればよい。また、このようなクリーニングペーパー１４
５を備えた振動装置を用いた場合、ソルダーレジスト層
１１４の表面が余り削り取られないようにする必要があ
り、また、余り大きな傷が付かないようにする必要があ
る。ソルダーレジスト層１１４にクラック等が発生する
のを防止するためである。

【００６６】この半田ペースト平坦化工程において、上
記振動処理を採用することで、除去対象である半田ペー
スト１１１７のみを確実に除去することができるため、
好適にソルダーレジスト層の表面と半田ペーストの表面
とを略同一面にすることができ、より安定した品質の多
層プリント配線板を製造することができる。特に、フラ
ックスの除去に大きな効果を得ることができる。

【００６７】特に第一の本発明の製造方法では、半田バ
ンプ形成用開口およびその周辺にのみ半田ペーストを充
填しているため、該半田ペーストを充填している部分に
のみ上記振動処理を施すことが可能であり、ソルダーレ
ジスト層の表面を傷つけるおそれがより少なくなる。

【００６８】振動装置１４３は、上述したようなソルダ
ーレジスト層の表面に対して平行な方向に振動すること
で、半田ペースト１１１７を除去するものであるが、そ
の平行方向の移動速度は、半田ペースト１１１７を確実
に除去することができる速度であればよく、通常、５０
〜１００ｍｍ／ｓｅｃ程度に調整される。

【００６９】また、振動装置は、図３（ｂ）に平面図で
示すように、クリーニングペーパー１４８を備えた複数
個のヘッド１４７（図中では３個）が、順次、ソルダー
レジスト層表面に接触するように構成された振動装置１
４６であってもよい。この振動装置１４６では、ソルダ
ーレジスト層１１４の表面に平行な面で回転することに
より上記振動する場合と同様の半田ペーストを除去する
効果を得ることができる。このような振動装置１４６を
用いる場合も、一のヘッド１４７に備えたクリーニング
ペーパー１４８が汚れる毎に使用するヘッドを取り替
え、汚れたクリーニングペーパーは別途交換すればよ
い。

【００７０】また、クリーニングペーパー１４５、１４
８としては、上述したロール装置１３２のクリーニング
ペーパーと同様のものを挙げることができる。

【００７１】また、振動装置は、上述したロール装置１
３２のクリーニングロール１３４に代えて、押当て部材
１５０が配設されたもの、すなわち、図３（ｃ）に示す
ように、クリーニングペーパー供給ロール１４９ａとク
リーニングペーパー巻き取りロール１４９ｂとを備え、
これらの間にクリーニングペーパー１５１をソルダーレ
ジスト層１１４表面に当接させる押当て部材１５０が配
設された構成の振動装置を用いることもできる。

【００７２】また、押当て部材１５０の材質としては、
上述したロール装置１３２のクリーニングロール１３４
と同様のものを挙げることができ、その形状は、少なく
ともソルダーレジスト層１１４の表面に面する平行な面
が一面あればよく、例えば、角柱、円柱、角錐、円錐等
任意の形状を挙げることができる。また、場合によって
は、ソルダーレジスト層表面にクリーニングペーパーを
介して対向する部材として、先端が刃状となった板状部
材を用いてもよい。また、上記押当て部材の数は、１個
であってもよいし、複数個であってもよい。また、押当
て部材１５０を押当てる際には、クリーニングペーパー
１５１を吸引しながら押し当ててもよい。クリーニング
ペーパーのズレ等がより発生しにくくなり、より確実に
半田粒子を除去することができるからである。

【００７３】また、振動装置１４３、１４６、１４９の
サイズとしては特に限定されず、例えば、個々の半田ペ
ースト１１１７を処理することができる大きさであって
もよく、複数の半田ペースト１１１７を同時に処理する
ことができる大きさであってもよく、また、全ての半田
ペースト１１１７を同時に処理することができる大きさ
であってもよい。しかしながら、通常、半田ペースト１
１１７は、ソルダーレジスト層上にかなりの数のものが
形成されているため、製造コストを考慮すると、振動装
置１３３は、複数または全部の半田ペーストを同時に処
理することが可能なサイズのものが望ましい。

【００７４】上述した半田ペースト平坦化工程において
使用する各装置は、それぞれ単独で使用してもよいが、
複数の装置を併用してもよい。特に、まず、前工程で印
刷した半田ペースト１１１７にスキージ処理を施し、そ
の後、ロール処理または振動処理を施すことが望まし
い。半田バンプ形成用開口の周囲に付着した半田ペース
トを完全に除去することができ、また、ソルダーレジス
ト層の表面と半田ペーストの表面とをより均一な面とす
ることができるからである。

【００７５】なお、この半田ペースト平坦化工程を行わ
なくても済むように、半田ペーストがソルダーレジスト
層の表面より盛り上がった形状になることなく、かつ、
半田バンプ形成用開口完全に充填する量の半田ペースト
を充填してもよい。しかしながら、このような量の半田
ペーストを充填するには、半田ペーストの印刷量を半田
バンプ形成用開口ごとに厳密に制御しなければならない
ため、印刷時の管理項目が多くなり、また、印刷量に誤
差が生じた際にも、その誤差が多層プリント配線板の品
質の低下に繋がるため、結果的に、このような方法を用
いることは、歩留りの低下に繋がり、経済的に不利にな
ることとなる。従って、処理工程数は増加するものの、
開口を充填するのに充分な量の半田ペーストを印刷した
後、半田バンプ形成用開口に充填されなかった半田ペー
ストを除去する工程を経る本発明の製造方法の方が経済
的に優れることとなる。

【００７６】半田ペースト表面を平坦化した後、上記
（ｃ）の工程（第二の半田ペースト印刷工程）により、
上記（ａ）、（ｂ）の工程を経て、その上部がソルダー
レジスト層の表面と同一平面になるように半田ペースト
が充填された半田バンプ形成用開口上に半田ペースト層
を形成し、さらに、印刷した半田ペーストをリフローさ
せることにより半田バンプ１２７を形成する（図１
（ｃ）参照）。半田ペーストの印刷は、第一の半田ペー
スト印刷工程と同様、印刷用スキージや密閉式のスキー
ジユニットを用いて行うことができる。

【００７７】上記第二の半田ペースト印刷工程において
は、半田バンプ形成部分に相当する部分に開口を有する
マスクを載置した後、半田ペーストを印刷することが望
ましい。マスクを用いて印刷を行うことにより、形状や
高さ等の均一性に優れる半田ペースト層を形成すること
ができる。

【００７８】上記第二の半田ペースト印刷工程で用いる
マスクの種類としては、第一の半田ペースト印刷工程で
用いるマスクと同様のものを用いることができる。第二
の半田ペースト印刷工程で用いるマスクもまた、第一の
半田ペースト印刷工程で用いるマスクと同様、ソルダー
レジスト層側に拡径する形態のテーパが形成されている
ことが望ましい。

【００７９】また、第一および第二の半田ペースト印刷
工程において、マスクを用いて半田ペーストを印刷する
場合、上記第一の半田ペースト印刷工程で用いるマスク
と上記第二の半田ペースト印刷工程で用いるマスクと
は、その開口径が同一か、または、第一の半田ペースト
印刷工程で用いるマスクの方が小さいことが望ましい。

【００８０】第一および第二の半田ペースト印刷工程で
用いるマスクの開口径が同一である場合には、両工程で
同一のマスクを使用することができるため、経済的に有
利であるとともに、印刷装置自体をコンパクトにするこ
とができる。

【００８１】また、第一の半田ペースト印刷工程で用い
るマスクの開口径が、第二の半田ペースト印刷工程で用
いるマスクの開口径よりも小さい場合には、以下のよう
な効果がある。即ち、第一の半田ペースト印刷工程は、
半田バンプ形成用開口に確実に充填するために行う工程
であり、しかも、余分に印刷した半田ペーストは、後工
程において除去する。従って、マスクの開口径を小さく
した方が、印刷する半田ペースト量が少なくなり、後工
程で半田ペーストを除去しやすくなるとともに、除去す
る半田ペースト量を少なくすることができる。また、半
田バンプ形成用開口の開口径より少し大きな径の開口を
有するマスクを用いることにより、印刷時のアライメン
トズレに対応することができ、半田ペーストをより確実
に充填することができる。場合によっては、半田バンプ
形成用開口と同じ径の開口を有するマスクを用いること
もできる。なお、アライメントズレとは、基板やマスク
の仕上がり精度バラツキ、印刷機の印刷精度バラツキに
起因する半田バンプ形成用開口と印刷される半田ペース
トとの位置ズレである。

【００８２】一方、第二の半田ペースト印刷工程は、形
状や高さ等の均一性に優れる半田ペースト層を形成する
ために行う工程である。また、この工程では、後述する
ように、粘度の高い半田ペーストを印刷することが望ま
しい。従って、充分な量の半田ペーストを印刷すること
ができるような開口を有するマスクを用いることにより
所望の形状の半田ペースト層を形成することができる。

【００８３】また、第二の半田ペースト印刷工程で用い
る半田ペーストの組成としては特に限定されず、第一の
半田ペースト印刷工程で用いる半田ペーストと同様のも
の等が挙げられる。

【００８４】また、第二の半田ペースト印刷工程で印刷
する半田ペーストの粘度は、上記第一の半田ペースト印
刷工程で印刷する半田ペーストの粘度と同じかまたは高
いことが望ましく、その差は、０〜１５０Ｐａ・ｓであ
ることが望ましく、５０〜１００Ｐａ・ｓであることが
より望ましい。具体的には、第二の半田ペースト印刷工
程で印刷する半田ペーストの粘度は、２５℃において、
１５０〜３５０Ｐａ・ｓであることが望ましい。上記粘
度が１５０Ｐａ・ｓ未満では、所望の形状に半田ペース
トを印刷することができず、形状の均一な半田バンプを
形成することができなかったり、印刷時に半田ペースト
がソルダーレジスト層の表面に滲んでしまい形成する半
田バンプの短絡の原因になる場合がある。一方、粘度が
３５０Ｐａ・ｓを超えると、所望の形状に半田ペースト
を印刷することができないことがあり、特に、マスクを
用いて半田ペーストを印刷する場合に、半田ペーストの
抜け性が低いため、半田ペーストを印刷することができ
ない部分が発生することがある。

【００８５】上記第二の半田ペースト印刷工程におい
て、半田ペーストの印刷は１回で行ってもよいし、複数
回に分けて行ってもよい。１回で半田ペーストの印刷を
終了するか、または、複数回印刷を行うかは、形成する
半田バンプ間の距離、半田バンプの高さや形状、半田ペ
ーストの組成、半田粒子の粒径等により異なり、一慨に
は言えないが、例えば、形成する半田バンプ間の距離が
極めて狭い場合には、複数回印刷を行うことが望まし
く、特に、マスク用いて、半田ペーストを印刷する場合
には、複数回印刷を行うことが望ましい。

【００８６】これは、マスクを用いて、一回の印刷で半
田ペーストの印刷を行う場合、形成する半田バンプ間の
距離が狭い場合には、マスクが有する開口同士の距離も
短くなり、このような場合、マスクの機械的強度が弱く
なり、半田ペーストを印刷する際に、マスクに破損や反
りが発生することがあるからである。特に、マスクの開
口が、マスクの裏側に向かって拡径する形状のテーパを
有している場合に、マスクの機械的強度が弱くなるおそ
れが高い。また、半田バンプ間の距離が短くなるに伴
い、半田バンプ形成用開口の開口径も小さくなってきて
おり、そのため、マスクの開口径も小さくなってきてい
る。このようにマスクの開口径が小さくなると、一回の
印刷で半田ペーストを確実に印刷するためには、印刷時
の圧力（スキージ印圧や半田ペースト押し込み圧力）を
高くする必要があり、マスクにかかる圧力も高くなって
しまう。

【００８７】上記第二の半田ペースト印刷工程におい
て、半田ペーストの印刷を複数回に分け行う具体的な方
法としては、例えば、以下に説明するような方法を用い
ることができる。図４（ａ）〜（ｂ）は、第二の半田ペ
ースト印刷工程において、半田ペーストを印刷する方法
の一例を模式的に示す断面図である。

【００８８】図４（ａ）に示すように、全半田バンプ形
成用開口の一部に対向する部分にのみ開口が形成され、
開口同士の間隔が広くとられたマスク２２４を用いて、
第二の半田ペースト印刷工程における１回目の半田ペー
スト印刷を行い、半田ペースト層２２７ａを形成し、次
に、（ｂ）に示すように、２回目の印刷で、１回目に印
刷されなかった半田バンプ形成用開口に対向する部分に
開口が形成されたマスク２２５を用いて印刷処理を行
い、半田ペースト層２２７ｂを形成する。

【００８９】このような開口同士の間隔が広くとられた
マスクでは、マスクの機械的強度を充分に高く保つこと
ができる。ここで、「開口同士の間隔が広くとられた」
とは、マスクの全半田バンプ形成用開口に対向する部分
に開口が形成された場合と比較して、マスクの開口同士
の間隔が広くとられていることを意味する。

【００９０】具体的には、マスクを用いて第二の半田ペ
ースト印刷工程を行う際に、例えば、１回目の印刷で、
隔列の半田バンプ形成用開口に対向する部分に開口を有
するマスクを用い、隔列の半田バンプ形成用開口上に半
田ペースト層を形成し、２回目の印刷で、残りの半田バ
ンプ形成用開口上に半田ペースト層を形成する。

【００９１】なお、２回目以降の印刷においては、マス
クの裏側の、前に形成した半田ペースト層に対向する部
分に凹部（以下、ザクリともいう）が形成されたマスク
を用いることが望ましい。ザクリ２２５ａが形成された
マスク２２５（図４（ｂ）参照）を用いることにより、
マスク２２５による先に印刷した半田ペースト層２２７
ａの損傷をなくすとともに、半田ペーストがマスクの裏
側に付着し、続いてソルダーレジスト層２１４の表面に
付着することに起因する短絡を防止することかできるか
らである。なお、上記凹部は、例えば、マスクの裏側に
ドライフィルムを張り付け、露光、現像処理を施すこと
によりエッチングレジストを形成し、その後、エッチン
グ処理を施すことにより形成することができる。

【００９２】このような（ａ）〜（ｃ）の工程を経るこ
とにより、形状や高さ等の均一性に優れ、相互間で短絡
が発生することのない半田バンプを設けるための半田ペ
ースト層を形成することができる。

【００９３】次に、第一の本発明の多層プリント配線板
の製造方法の全製造工程について、工程順に説明する。 （１）第一の本発明の多層プリント配線板の製造方法に
おいては、まず、基板上に導体回路を形成する。具体的
には、例えば、基板の両面に無電解めっき処理等を施す
ことによりベタの導体層を形成した後、該導体層上に導
体回路パターンに対応したエッチングレジストを形成
し、その後、エッチングを行うことにより形成すればよ
い。なお、無電解めっき処理を施した後、電解めっきを
施すことにより導体層の厚さを厚くしてもよい。上記基
板としては、樹脂基板が望ましく、具体的には、例え
ば、ガラスエポキシ基板、ポリイミド基板、ビスマレイ
ミド−トリアジン樹脂基板（ＢＴ樹脂基板）、フッ素樹
脂基板等が挙げられる。また、銅張積層板やＲＣＣ基板
等を、ベタの導体層が形成された基板として用いてもよ
い。

【００９４】また、必要に応じて、上記無電解めっき処
理を施す際に、予め、この絶縁性基板に貫通孔を形成し
ておき、該貫通孔の壁面にも無電解めっき処理を施すこ
とにより、基板を挟んだ導体回路間を電気的に接続する
スルーホールとしてもよい。また、スルーホールを形成
した場合には、該スルーホール内に樹脂充填材を充填す
ることが望ましい。

【００９５】（２）次に、必要に応じて、導体回路の表
面の粗化処理を行う。粗化処理方法としては、例えば、
黒化（酸化）−還元処理、有機酸と第二銅錯体とを含む
混合溶液等を用いたエッチング処理、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐ針
状合金めっきによる処理等を用いることができる。

【００９６】（３）次に、導体回路上に熱硬化性樹脂や
樹脂複合体からなる未硬化の樹脂層を形成するか、また
は、熱可塑性樹脂からなる樹脂層を形成する。上記未硬
化の樹脂絶縁層は、未硬化の樹脂をロールコーター、カ
ーテンコーター等により塗布して成形してもよく、ま
た、未硬化（半硬化）の樹脂フィルムを熱圧着して形成
してもよい。さらに、未硬化の樹脂フィルムの片面に銅
箔等の金属層が形成された樹脂フィルムを貼付してもよ
い。また、熱可塑性樹脂からなる樹脂層は、フィルム状
に成形した樹脂成形体を熱圧着することにより形成する
ことが望ましい。

【００９７】上記未硬化の樹脂を塗布する場合には、樹
脂を塗布した後、加熱処理を施す。上記加熱処理を施す
ことにより、未硬化の樹脂を熱硬化させることができ
る。なお、上記熱硬化は、後述するバイアホール用開口
や貫通孔を形成した後に行ってもよい。

【００９８】このような樹脂層の形成において使用する
熱硬化性樹脂の具体例としては、例えば、エポキシ樹
脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹
脂、ビスマレイミド樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリ
フェニレンエーテル樹脂等が挙げられる。

【００９９】上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレ
ゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型
エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノール
ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールＦ型エポキシ
樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエ
ン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基
を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、
トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂
等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種
以上併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れるも
のとなる。

【０１００】上記ポリオレフィン系樹脂としては、例え
ば、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポ
リイソブチレン、ポリブタジエン、ポリイソプレン、シ
クロオレフィン系樹脂、これらの樹脂の共重合体等が挙
げられる。これらのなかでは、誘電率および誘電正接が
低く、ＧＨｚ帯域の高周波信号を用いた場合でも信号遅
延や信号エラーが発生しにくく、さらには、剛性等の機
械的特性にも優れている点からシクロオレフィン系樹脂
が望ましい。

【０１０１】上記シクロオレフィン系樹脂としては、２
−ノルボルネン、５−エチリデン−２−ノルボルネンま
たはこれらの誘導体からなる単量体の単独重合体または
共重合体等が望ましい。上記誘導体としては、上記２−
ノルボルネン等のシクロオレフィンに、架橋を形成する
ためのアミノ基や無水マレイン酸残基あるいはマレイン
酸変性したもの等が結合したもの等が挙げられる。上記
共重合体を合成する場合の単量体としては、例えば、エ
チレン、プロピレン等が挙げられる。また、上記ポリオ
レフィン樹脂は、有機フィラーを含むものであってもよ
い。

【０１０２】上記ポリフェニレンエーテル樹脂として
は、例えば、下記化学式（１）で表される繰り返し単位
を有する熱可塑性ポリフェニレンエーテル樹脂や下記化
学式（２）で表される繰り返し単位を有する熱硬化性ポ
リフェニレンエーテル樹脂等が挙げられる。

【０１０３】

【化１】

【０１０４】（式中、ｎは、２以上の整数を表す。）

【０１０５】

【化２】

【０１０６】（式中、ｍは、２以上の整数を表す。ま
た、Ｒ¹ 、Ｒ² は、メチレン基、エチレン基または−Ｃ
Ｈ₂ −Ｏ−ＣＨ₂ −を表し、両者は同一であってもよい
し、異なっていてもよい。）

【０１０７】また、上記化学式（１）で表される繰り返
し単位を有する熱可塑性ポリフェニレンエーテル樹脂
は、ベンゼン環にメチル基が結合した構造を有している
が、本発明で用いることのできるポリフェニレンエーテ
ル樹脂としては、上記メチル基が、エチル基等の他のア
ルキル基等で置換された誘導体や、メチル基の水素がフ
ッ素で置換された誘導体等であってもよい。

【０１０８】また、上記熱可塑性樹脂としては、例え
ば、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン等が挙げ
られる。また、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との複合体
（樹脂複合体）としては、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂
とを含むものであれば特に限定されず、その具体例とし
ては、例えば、粗化面形成用樹脂組成物等が挙げられ
る。

【０１０９】上記粗化面形成用樹脂組成物としては、例
えば、酸、アルカリおよび酸化剤から選ばれる少なくと
も１種からなる粗化液に対して難溶性の未硬化の耐熱性
樹脂マトリックス中に、酸、アルカリおよび酸化剤から
選ばれる少なくとも１種からなる粗化液に対して可溶性
の物質が分散されたもの等が挙げられる。なお、上記
「難溶性」および「可溶性」という語は、同一の粗化液
に同一時間浸漬した場合に、相対的に溶解速度の早いも
のを便宜上「可溶性」といい、相対的に溶解速度の遅い
ものを便宜上「難溶性」と呼ぶ。

【０１１０】上記耐熱性樹脂マトリックスとしては、層
間樹脂絶縁層に上記粗化液を用いて粗化面を形成する際
に、粗化面の形状を保持できるものが好ましく、例え
ば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体等が
挙げられる。また、感光性樹脂であってもよい。後述す
るバイアホール用開口を形成する工程において、露光現
像処理により開口を形成することができるからである。

【０１１１】上記熱硬化性樹脂としては、例えば、エポ
キシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリオレ
フィン樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。また、上記熱
硬化性樹脂を感光化する場合は、メタクリル酸やアクリ
ル酸等を用い、熱硬化基を（メタ）アクリル化反応させ
る。特にエポキシ樹脂の（メタ）アクリレートが望まし
い。さらに、１分子中に、２個以上のエポキシ基を有す
るエポキシ樹脂がより望ましい。上述の粗化面を形成す
ることができるばかりでなく、耐熱性等にも優れている
ため、ヒートサイクル条件下においても、導体回路に応
力の集中が発生せず、導体回路と層間樹脂絶縁層との間
で剥離が発生しにくい。

【０１１２】上記熱可塑性樹脂としては、例えば、フェ
ノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォ
ン、ポリフェニレンスルフォン、ポリフェニレンサルフ
ァイド、ポリフェニルエーテル、ポリエーテルイミド等
が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以
上併用してもよい。

【０１１３】上記酸、アルカリおよび酸化剤から選ばれ
る少なくとも１種からなる粗化液に対して可溶性の物質
は、無機粒子、樹脂粒子、金属粒子、ゴム粒子、液相樹
脂および液相ゴムから選ばれる少なくとも１種であるこ
とが望ましい。

【０１１４】上記無機粒子としては、例えば、アルミニ
ウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合物、マグ
ネシウム化合物、ケイ素化合物等が挙げられる。これら
は単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。

【０１１５】上記アルミニウム化合物としては、例え
ば、アルミナ、水酸化アルミニウム等が挙げられ、上記
カルシウム化合物としては、例えば、炭酸カルシウム、
水酸化カルシウム等が挙げられ、上記カリウム化合物と
しては、例えば、炭酸カリウム等が挙げられ、上記マグ
ネシウム化合物としては、例えば、マグネシア、ドロマ
イト、塩基性炭酸マグネシウム、タルク等が挙げられ、
上記ケイ素化合物としては、例えば、シリカ、ゼオライ
ト等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２
種以上併用してもよい。

【０１１６】上記アルミナ粒子は、ふっ酸で溶解除去す
ることができ、炭酸カルシウムは塩酸で溶解除去するこ
とができる。また、ナトリウム含有シリカやドロマイト
はアルカリ水溶液で溶解除去することができる。

【０１１７】上記樹脂粒子としては、例えば、熱硬化性
樹脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、酸、ア
ルカリおよび酸化剤から選ばれる少なくとも１種からな
る粗化液に浸漬した場合に、上記耐熱性樹脂マトリック
スよりも溶解速度の早いものであれば特に限定されず、
具体的には、例えば、アミノ樹脂（メラミン樹脂、尿素
樹脂、グアナミン樹脂等）、エポキシ樹脂、フェノール
樹脂、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレ
ン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂、ビスマレイ
ミド−トリアジン樹脂等が挙げられる。これらは、単独
で用いてもよく、２種以上併用してもよい。

【０１１８】上記樹脂粒子は予め硬化処理されているこ
とが必要である。硬化させておかないと上記樹脂粒子が
樹脂マトリックスを溶解させる溶剤に溶解してしまうた
め、均一に混合されてしまい、酸や酸化剤で樹脂粒子の
みを選択的に溶解除去することができないからである。

【０１１９】上記金属粒子としては、例えば、金、銀、
銅、スズ、亜鉛、ステンレス、アルミニウム、ニッケ
ル、鉄、鉛等が挙げられる。これらは、単独で用いても
よく、２種以上併用してもよい。また、上記金属粒子
は、絶縁性を確保するために、表層が樹脂等により被覆
されていてもよい。

【０１２０】上記ゴム粒子としては、例えば、アクリロ
ニトリル−ブタジエンゴム、ポリクロロプレンゴム、ポ
リイソプレンゴム、アクリルゴム、多硫系剛性ゴム、フ
ッ素ゴム、ウレタンゴム、シリコーンゴム、ＡＢＳ樹脂
等が挙げられる。

【０１２１】また、上記ゴム粒子として、例えば、ポリ
ブタジエンゴム、エポキシ変性、ウレタン変性、（メ
タ）アクリロニトリル変性等の各種変性ポリブタジエン
ゴム、カルボキシル基を含有した（メタ）アクリロニト
リル・ブタジエンゴム等を使用することもできる。これ
らの可溶性の物質は、単独で用いてもよいし、２種以上
併用してもよい。

【０１２２】上記液相樹脂としては、上記熱硬化性樹脂
の未硬化溶液を使用することができ、このような液相樹
脂の具体例としては、例えば、未硬化のエポキシオリゴ
マーとアミン系硬化剤の混合液等が挙げられる。上記液
相ゴムとしては、例えば、上記したポリブタジエンゴ
ム、エポキシ変性、ウレタン変性、（メタ）アクリロニ
トリル変性等の各種変性ポリブタジエンゴム、カルボキ
シル基を含有した（メタ）アクリロニトリル・ブタジエ
ンゴム等の未硬化溶液等を使用することができる。

【０１２３】上記液相樹脂や液相ゴムを用いて上記感光
性樹脂組成物を調製する場合には、耐熱性樹脂マトリッ
クスと可溶性の物質とが均一に相溶しない（つまり相分
離するように）ように、これらの物質を選択する必要が
ある。上記基準により選択された耐熱性樹脂マトリック
スと可溶性の物質とを混合することにより、上記耐熱性
樹脂マトリックスの「海」の中に液相樹脂または液相ゴ
ムの「島」が分散している状態、または、液相樹脂また
は液相ゴムの「海」の中に、耐熱性樹脂マトリックスの
「島」が分散している状態の感光性樹脂組成物を調製す
ることができる。

【０１２４】（４）次に、その材料として熱硬化性樹脂
や樹脂複合体を用いた層間樹脂絶縁層を形成する場合に
は、未硬化の樹脂絶縁層に硬化処理を施すとともに、バ
イアホール用開口を形成し、層間樹脂絶縁層とする。上
記バイアホール用開口は、レーザ処理により形成するこ
とが望ましい。上記レーザ処理は、上記硬化処理前に行
ってもよいし、硬化処理後に行ってもよい。また、感光
性樹脂からなる層間樹脂絶縁層を形成した場合には、露
光、現像処理を行うことにより、バイアホール用開口を
設けてもよい。なお、この場合、露光、現像処理は、上
記硬化処理前に行う。

【０１２５】また、その材料として熱可塑性樹脂を用い
た層間樹脂絶縁層を形成する場合には、熱可塑性樹脂か
らなる樹脂層にレーザ処理によりバイアホール用開口を
形成し、層間樹脂絶縁層とすることができる。

【０１２６】このとき、使用するレーザとしては、例え
ば、炭酸ガスレーザ、エキシマレーザ、ＵＶレーザ、Ｙ
ＡＧレーザ等が挙げられる。これらのレーザは、形成す
るバイアホール用開口の形状等を考慮して使い分けても
よい。

【０１２７】上記バイアホール用開口を形成する場合、
マスクを介して、ホログラム方式のエキシマレーザによ
るレーザ光照射することにより、一度に多数のバイアホ
ール用開口を形成することができる。また、短パルスの
炭酸ガスレーザを用いて、バイアホール用開口を形成す
ると、開口内の樹脂残りが少なく、開口周縁の樹脂に対
するダメージが小さい。

【０１２８】また、光学系レンズとマスクとを介してレ
ーザ光を照射することにより、一度に多数のバイアホー
ル用開口を形成することができる。光学系レンズとマス
クとを介することにより、同一強度で、かつ、照射角度
が同一のレーザ光を複数の部分に同時に照射することが
できるからである。

【０１２９】上記マスクに形成された貫通孔は、レーザ
光のスポット形状を真円にするために、真円であること
が望ましく、上記貫通孔の径は、０．１〜２ｍｍ程度が
望ましい。また、上記炭酸ガスレーザを用いる場合、そ
のパルス間隔は、１０^-4〜１０^-8秒であることが望まし
い。また、開口を形成するためのレーザを照射する時間
は、１０〜５００μ秒であることが望ましい。レーザ光
にてバイアホール用開口を形成した場合、特に炭酸ガス
レーザを用いた場合には、デスミア処理を行うことが望
ましい。

【０１３０】また、上記した方法で形成する層間樹脂絶
縁層の厚さは特に限定されないが、５〜５０μｍが望ま
しい。また、上記バイアホール用開口の開口径は特に限
定されないが、通常、４０〜２００μｍが望ましい。

【０１３１】また、層間樹脂絶縁層を形成した後、必要
に応じて、該層間樹脂絶縁層と基板とを貫通する貫通孔
を形成してもよい。該貫通孔は、ドリル加工やレーザ処
理等を用いて形成すればよい。このような貫通孔を形成
した場合には、後工程で、層間樹脂絶縁層の表面に薄膜
導体層を形成する際に、該貫通孔の壁面にも薄膜導体層
を形成することにより、基板と層間樹脂絶縁層とを挟ん
だ２層の導体回路間は勿論のこと、この２層の導体回路
と基板の両面に形成された２層の導体回路との計４層の
導体回路間を電気的に接続するスルーホールを形成する
ことができる。このようにして導体回路間を接続するこ
とにより、信号伝送距離を短くすることができるため、
信号遅延等が発生しにくくなり、多層プリント配線板の
性能の向上に繋がる。

【０１３２】（５）次に、バイアホール用開口の内壁を
含む層間樹脂絶縁層の表面と上記工程で貫通孔を形成し
た場合には貫通孔の内壁とに、必要に応じて、酸または
酸化剤を用いて粗化面を形成する。上記酸としては、硫
酸、硝酸、塩酸、リン酸、蟻酸等が挙げられ、上記酸化
剤としては、クロム酸、クロム硫酸、過マンガン酸ナト
リウム等の過マンガン酸塩等が挙げられる。また、上記
粗化面の形成は、プラズマ処理等を用いて行ってもよ
い。

【０１３３】また、粗化面を形成した後には、アルカリ
等の水溶液や中和液等を用いて、層間樹脂絶縁層の表面
を中和することが望ましい。次工程に、酸や酸化剤の影
響を与えないようにすることができるからである。

【０１３４】なお、この粗化面は、層間樹脂絶縁層とそ
の上に形成する薄膜導体層との密着性を高めるために形
成するものであり、層間樹脂絶縁層と薄膜導体層との間
に充分な密着性がある場合には形成しなくてもよい。

【０１３５】（６）次に、バイアホール用開口を設けた
層間樹脂絶縁層の表面に薄膜導体層を形成する。上記薄
膜導体層は、無電解めっき、スパッタリング、蒸着等の
方法を用いて形成することができる。なお、層間樹脂絶
縁層の表面に粗化面を形成しなかった場合には、上記薄
膜導体層は、スパッタリングにより形成することが望ま
しい。なお、無電解めっきにより薄膜導体層を形成する
場合には、被めっき表面に、予め、触媒を付与してお
く。上記触媒としては、例えば、塩化パラジウム等が挙
げられる。

【０１３６】上記薄膜導体層の厚さは特に限定されない
が、該薄膜導体層を無電解めっきにより形成した場合に
は、０．６〜１．２μｍが望ましく、スパッタリングに
より形成した場合には、０．１〜１．０μｍが望まし
い。なお、上記（４）の工程で貫通孔を形成した場合に
は、この工程で貫通孔の内壁面にも金属からなる薄膜導
体層を形成することにより、スルーホールとすることが
できる。

【０１３７】また、上記したように貫通孔の内壁面に薄
膜導体層を形成し、スルーホールとした場合には、この
後、スルーホール内を樹脂充填材で充填することが望ま
しい。上記樹脂充填材としては、例えば、エポキシ樹脂
と硬化剤と無機粒子とを含む樹脂組成物等が挙げられ
る。

【０１３８】また、スルーホール内を樹脂充填材により
充填した場合には、スルーホール上に樹脂充填材を覆う
蓋めっき層を形成してもよく、蓋めっき層を形成した場
合には、該蓋めっき層の直上に、バイアホールや半田パ
ッドを形成することができるため、信号伝送距離を短く
することができる。

【０１３９】（７）次に、上記薄膜導体層上の一部にド
ライフィルムを用いてめっきレジストを形成し、その
後、上記薄膜導体層をめっきリードとして電気めっきを
行い、上記めっきレジスト非形成部に電気めっき層を形
成する。このとき、バイアホール用開口を電気めっきで
充填してフィールドビア構造としてもよく、バイアホー
ル用開口に導電性ペーストを充填した後、その上に蓋め
っき層を形成してフィールドビア構造としてもよい。

【０１４０】（８）電気めっき層を形成した後、めっき
レジストを剥離し、めっきレジストの下に存在していた
金属からなる薄膜導体層をエッチングにより除去し、独
立した導体回路とする。エッチング液としては、例え
ば、硫酸−過酸化水素水溶液、過硫酸アンモニウム等の
過硫酸塩水溶液、塩化第二鉄、塩化第二銅、塩酸等が挙
げられる。また、エッチング液として上述した第二銅錯
体と有機酸とを含む混合溶液を用いてもよい。

【０１４１】また、上記（７）および（８）に記載した
方法に代えて、以下の方法を用いることにより導体回路
を形成してもよい。即ち、上記薄膜導体層上の全面に電
気めっき層を形成した後、該電気めっき層上の一部にド
ライフィルムを用いてエッチングレジストを形成し、そ
の後、エッチングレジスト非形成部下の電気めっき層お
よび薄膜導体層をエッチングにより除去し、さらに、エ
ッチングレジストを剥離することにより独立した導体回
路を形成してもよい。

【０１４２】（９）この後、上記（３）〜（８）の工程
を繰り返すことにより、層間樹脂絶縁層上に最上層の導
体回路が形成された基板を作製する。

【０１４３】（１０）次に、最上層の導体回路を含む基
板上に、複数の半田バンプ形成用開口を有するソルダー
レジスト層を形成する。具体的には、未硬化のソルダー
レジスト組成物をロールコータやカーテンコータ等によ
り塗布したり、フィルム状に成形したソルダーレジスト
組成物を圧着したりした後、レーザ処理や露光現像処理
により半田バンプ形成用開口を形成し、さらに、必要に
応じて、硬化処理を施すことによりソルダーレジスト層
を形成する。

【０１４４】上記ソルダーレジスト層は、例えば、ポリ
フェニレンエーテル樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素
樹脂、熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、ポリイミ
ド樹脂等を含むソルダーレジスト組成物を用いて形成す
ることができ、これらの樹脂の具体例としては、例え
ば、層間樹脂絶縁層に用いた樹脂と同様の樹脂等が挙げ
られる。

【０１４５】また、上記以外のソルダーレジスト組成物
としては、例えば、ノボラック型エポキシ樹脂の（メ
タ）アクリレート、イミダゾール硬化剤、２官能性（メ
タ）アクリル酸エステルモノマー、分子量５００〜５０
００程度の（メタ）アクリル酸エステルの重合体、ビス
フェノール型エポキシ樹脂等からなる熱硬化性樹脂、多
価アクリル系モノマー等の感光性モノマー、グリコール
エーテル系溶剤などを含むペースト状の流動体が挙げら
れ、その粘度は２５℃で１〜１０Ｐａ・ｓに調整されて
いることが望ましい。上記ノボラック型エポキシ樹脂の
（メタ）アクリレートとしては、例えば、フェノールノ
ボラックやクレゾールノボラックのグリシジルエーテル
をアクリル酸やメタクリル酸等と反応させたエポキシ樹
脂等が挙げられる。

【０１４６】上記２官能性（メタ）アクリル酸エステル
モノマーとしては特に限定されず、例えば、各種ジオー
ル類のアクリル酸やメタクリル酸のエステル等が挙げら
れ、その市販品としては、日本化薬社製のＲ−６０４、
ＰＭ２、ＰＭ２１等が挙げられる。

【０１４７】また、上記ソルダーレジスト組成物は、エ
ラストマーや無機フィラーが配合されていてもよい。エ
ラストマーが配合されていることにより、形成されるソ
ルダーレジスト層は、エラストマーの有する柔軟性およ
び反発弾性により、ソルダーレジスト層に応力が作用し
た場合でも、該応力を吸収したり、緩和したりすること
ができ、その結果、多層プリント配線板の製造工程や製
造した多層プリント配線板にＩＣチップ等の電子部品を
搭載した後のソルダーレジスト層にクラックや剥離が発
生することを抑制でき、さらに、クラックが発生した場
合でも該クラックが大きく成長することがほとんどな
い。

【０１４８】また、上記半田バンプ形成用開口を形成す
る際に用いるレーザとしては、上述したバイアホール用
開口を形成する際に用いるレーザと同様のもの等が挙げ
られる。

【０１４９】次に、上記半田バンプ形成用開口の底面に
露出した導体回路の表面に、必要に応じて、半田パッド
を形成する。上記半田パッドは、ニッケル、パラジウ
ム、金、銀、白金等の耐食性金属により上記導体回路表
面を被覆することにより形成することができる。具体的
には、ニッケル−金、ニッケル−銀、ニッケル−パラジ
ウム、ニッケル−パラジウム−金等の金属により形成す
ることが望ましい。また、上記半田パッドは、例えば、
めっき、蒸着、電着等の方法を用いて形成することがで
きるが、これらのなかでは、被覆層の均一性に優れると
いう点からめっきが望ましい。

【０１５０】（１１）次に、上記半田バンプ形成用開口
の底面に半田バッドを有するソルダーレジスト層に、上
記した（ａ）〜（ｃ）の工程を行うことにより、半田ペ
ースト層を形成し、該半田ペースト層にリフロー処理を
施すことにより半田ペーストを形成する。なお、上記リ
フロー処理は、第一および第二の半田ペースト印刷工程
終了後に行ってもよいし、半田ペーストプレス工程を行
った場合は該工程終了後、または、半田ペースト除去工
程終了後に一度行い、第二の半田ペースト印刷工程終了
後に再度行ってもよい。

【０１５１】また、第二の半田ペースト印刷工程で形成
した半田ペースト層にリフロー処理を施す前に、予め、
該半田ペースト層に導電性ピンを取り付けておき、外部
端子と接続するためのＰＧＡ（Pin Grid Array) を形成
してもよい。なお、製品認識文字などを形成するための
文字印刷工程やソルダーレジスト層の改質のために、酸
素や四塩化炭素などのプラズマ処理を適時行ってもよ
い。

【０１５２】次に、第二の本発明の多層プリント配線板
の製造方法について説明する。第二の本発明の多層プリ
ント配線板の製造方法は、導体回路を形成した基板上
に、層間樹脂絶縁層と導体回路とを積層形成した後、最
上層の導体回路上に、複数の半田バンプ形成用開口を有
するソルダーレジスト層を設け、上記半田バンプ形成用
開口に半田ペーストを印刷して半田バンプを形成する多
層プリント配線板の製造方法であって、少なくとも下記
（ａ）〜（ｃ）の工程を行うことを特徴とする。 （ａ）１回以上の半田ペーストの印刷で、ソルダーレジ
スト層の表面全体に半田ペーストを塗布し、半田バンプ
形成用開口に半田ペーストを充填する第一の半田ペース
ト印刷工程、（ｂ）スキージ処理、ロール処理および振
動処理のうちの少なくとも一の処理により、半田バンプ
形成用開口に充填した半田ペースト以外の半田ペースト
を除去し、半田ペーストの表面とソルダーレジスト層の
表面とを略同一平面とする半田ペースト除去工程、およ
び、（ｃ）１回以上の半田ペーストの印刷を行う第二の
半田ペースト印刷工程。

【０１５３】第二の本発明の多層プリント配線板の製造
方法では、第一の半田ペースト印刷工程を経ることによ
り、半田バンプ形成用開口を半田ペーストで充填し、そ
の後、スキージ処理、ロール処理および振動処理のうち
の少なくとも一の処理により、半田バンプ形成用開口の
半田ペーストの表面とソルダーレジスト層の表面とを略
同一平面とし、さらに、第二の半田ペースト印刷工程を
行うため、均一な形状および高さを有するとともに、相
互間で短絡のない半田バンプを形成することができ、接
続性及び信頼性に優れた多層プリント配線板を製造する
ことができる。また、上記半田ペースト除去工程におい
て、スキージ処理、ロール処理および振動処理のうちの
少なくとも一の処理を施すため、より好適に上記半田ペ
ーストの表面とソルダーレジスト層の表面とを略同一面
にすることができ、安定した品質の多層プリント配線板
を製造することができる。

【０１５４】第二の本発明の多層プリント配線板の製造
方法は、第一の本発明の多層プリント配線板の製造方法
と比べて、（ａ）〜（ｃ）の工程、即ち、半田ペースト
を印刷する工程のみが異なる。具体的には、第一の本発
明の多層プリント配線板の製造方法では、第一の半田ペ
ースト印刷工程において、凹形状の半田バンプ形成用開
口に選択的に半田ペーストを充填した後、半田ペースト
表面の平坦化を行い、さらに、リフロー後に半田バンプ
となる半田ペースト層を形成するのに対し、第二の本発
明の多層プリント配線板の製造方法では、第一の半田ペ
ースト印刷工程において、ソルダーレジスト層の表面全
体に半田ペーストを印刷することにより半田バンプ形成
用開口に半田ペーストを充填した後、半田ペースト表面
の平坦化と半田ペースト層の形成とを行う。従って、こ
こでは、第二の本発明の多層プリント配線板の製造方法
における（ａ）〜（ｃ）工程についてのみ説明し、多層
プリント配線板を製造する全製造工程については、その
説明を省略する。

【０１５５】図５は、第二の本発明の多層プリント配線
板の製造方法における（ａ）〜（ｃ）の工程を模式的に
示す部分断面図である。上記（ａ）の工程（第一の半田
ペースト印刷工程）では、半田バンプ形成用開口３０６
を有するソルダーレジスト層３１４の表面全体に、１回
以上、半田ペーストを塗布し、凹形状の半田バンプ形成
用開口３０６に半田ペースト３１７を充填する（図５
（ａ）参照）。なお、図中、３０２は層間樹脂絶縁層、
３０５は導体回路、３０７はバイアホール、３１６は半
田パッドである。この工程では、半田バンプ形成用開口
３０６を完全に充填することができる量以上の量の半田
ペーストをソルダーレジスト層３１４の表面全体に印刷
する。従って、第一の半田ペースト印刷工程終了後、印
刷した半田ペーストは、半田バンプ形成用開口に充填さ
れるとともに、ソルダーレジスト層の表面全体に塗布さ
れた状態となる。

【０１５６】この第一の半田ペースト印刷工程で用いる
半田ペーストとしては特に限定されず、例えば、第一の
本発明の製造方法で用いる半田ペーストと同様のもの等
を用いることができる。また、この工程で用いる半田ペ
ーストの粘度は、第一の本発明の製造方法の場合と同
様、第二の半田ペースト印刷工程で印刷する半田ペース
トの粘度よりも低いことが望ましい。また、場合によっ
ては、第二の半田ペースト印刷工程で印刷する半田ペー
ストの粘度と同じであってもよい。

【０１５７】また、第一の半田ペースト印刷工程におい
ては、第一の本発明の製造方法と同様、１回目の半田ペ
ーストの印刷で、その底面に窪みを有する半田バンプ形
成用開口のみに、その窪み部分が充填される程度の量の
半田ペーストを印刷し、２回目の半田ペーストの印刷
で、凹形状の半田バンプ形成用開口を完全に充填するよ
うに、半田ペーストを印刷してもよい。なお、１回目の
半田ペースト印刷を行う際には、その底面に窪みを有す
る半田バンプ形成用開口に対向する部分に開口を有する
マスクをソルダーレジスト層上に載置した後、半田ペー
ストを印刷することが望ましい。

【０１５８】また、半田ペーストを印刷する際には、通
常、印刷用スキージを用いる。上記印刷用スキージとし
ては、例えば、第一の本発明の製造方法で用いるものと
同様のもの等を用いることができる。また、密閉式のス
キージユニットを用いることもできる。

【０１５９】上記第一の半田ペースト印刷工程終了後、
後述する（ｂ）の工程（半田ペースト除去工程）を行う
前に、ソルダーレジスト層上の半田ペースト層の表面全
体または表面の一部をプレスする半田ペーストプレス工
程を行うことが望ましい。上記第一の半田ペースト印刷
工程においては、上記した方法を用いて半田ペーストを
印刷するのみであるため、半田バンプ形成用開口の形状
（開口径や底面の窪みの有無）によっては、半田ペース
トが完全に充填されず、半田バンプ形成用開口にボイド
等が形成されるおそれがある。半田バンプ形成用開口に
ボイドが形成されると、このボイドがリフロー時やＩＣ
チップ等の電子部品が動作した際の発熱で、拡散したり
膨張したりし、これに起因して、半田パッドや半田バン
プに剥がれやクラックが発生し、接続性、信頼性に悪影
響を与える原因となることがある。

【０１６０】従って、半田バンプ形成用開口に発生した
ボイドをそのまま放置しておくことは、上述したよう
に、製造する多層プリント配線板の接続性や信頼性の低
下に繋がるが、上記半田ペーストプレス工程を行うこと
で、第一の半田ペースト印刷工程でボイドが発生した場
合であっても、この工程でボイドを完全に除去すること
ができ、半田バンプ形成用開口を半田ペーストで完全に
充填することができる。

【０１６１】この半田ペーストプレス工程を行う具体的
な方法としては、第一の本発明の製造方法で説明した半
田ペーストプレス工程で用いた方法と同様の方法を用い
ることができる。なお、この場合、第一の本発明の製造
方法同様、プレス部材は０．１〜１．０ＭＰａの押圧力
で押し当てればよい。また、第一の本発明の製造方法で
説明した半田ペーストプレス工程と同様、プレス部材を
押し当てる方法に代えて、ローラで押す方法を用いても
よい。

【０１６２】上記第一の半田ペースト印刷工程終了後、
上記（ｂ）の工程（半田ペースト除去工程）を行う。こ
の工程では、第一の半田ペースト印刷工程で印刷した半
田ペーストのうち、半田バンプ形成用開口に充填した半
田ペースト以外の半田ペースト１３１７を除去すること
により、半田ペースト表面３１７ａを平坦化するととも
に、充填した半田ペーストの表面３１７ａとソルダーレ
ジスト層の表面とを略同一平面とする（図５（ｂ）参
照）。

【０１６３】半田バンプ形成用開口に充填した半田ペー
スト以外の半田ペースト１３１７を除去する際には、第
一の本発明の製造方法の半田ペースト平坦化工程で用い
た処理と同様の方法、即ち、スキージ処理、ロール処理
および振動処理のうちの少なくとも一の処理を行う。従
って、第二の本発明の製造方法においても、上述した第
一の本発明の製造方法と同様の効果を得ることができ
る。

【０１６４】また、この半田ペースト除去工程では、半
田バンプ形成用開口以外の部分に印刷された半田ペース
トが残らないように、ソルダーレジスト層表面（半田バ
ンプ形成用開口を除く）の半田ペーストを除去する必要
がある。上記ソルダーレジスト層表面に半田ペーストが
残った場合には、この半田ペーストが後工程でリフロー
を行った際に、移動して近接する半田ペースト層に付着
し、形成される半田バンプの形状の均一性が損なわれる
原因となったり、後工程を経て形成される半田バンプ間
の短絡の原因となったりすることがある。従って、ソル
ダーレジスト層表面の半田ペーストを確実に除去するた
めには、例えば、まず、スキージ処理を施して半田ペー
ストを除去し、その後、ロール処理または振動処理を施
して再度半田ペーストを除去する方法等を用いることが
望ましい。また、上記ロール処理の後、粘着シートを備
えた粘着ロール装置を用いた処理を施すことも望まし
い。

【０１６５】なお、この半田ペースト除去工程を行わな
くても済むように、半田ペーストが半田バンプ形成用開
口以外の部分には塗布されず、かつ、半田バンプ形成用
開口が完全に充填され、さらに、半田ペーストの表面と
ソルダーレジスト層の表面とが略同一平面となる量の半
田ペーストを印刷してもよい。しかしながら、このよう
な量の半田ペーストを印刷するには、半田ペーストの印
刷量を半田バンプ形成用開口ごとに厳密に制御しなけれ
ばならないため、印刷時の管理項目が多くなり、また、
印刷量に誤差が生じた際にも、その誤差が多層プリント
配線板の品質の低下に繋がるため、結果的に、このよう
な方法を用いることは、歩留りの低下に繋がり、経済的
に不利になることとなる。従って、処理工程数は増加す
るものの、ソルダーレジスト層上に、半田バンプ形成用
開口を充填するのに充分な量の半田ペーストを印刷した
後、半田ペーストの表面とソルダーレジスト層の表面と
が略同一平面となるように半田ペーストを除去する方法
を用いる本発明の製造方法の方が経済的に優れることと
なる。

【０１６６】半田ペースト表面を平坦化した後、上記
（ｃ）の工程（第二の半田ペースト印刷工程）を行うこ
とにより、上記（ａ）〜（ｂ）の工程を経て半田ペース
トが充填された半田バンプ形成用開口上に半田ペースト
層を形成し、さらに、印刷した半田ペーストをリフロー
させることにより半田バンプ３２７を形成する（図５
（ｃ）参照）。この工程は、第一の本発明の製造方法の
第二の半田ペースト印刷工程と同様の方法を用いて行う
ことができる。特に、隣合う半田バンプ同士の距離が２
００μｍ以下の半田バンプを形成する場合、このような
半田バンプを形成することができる半田ペースト層は、
通常のスキージ印刷を用いて形成することが困難である
ため、密閉式のスキージユニットを用いて形成すること
が望ましい。このような（ａ）〜（ｃ）の工程を行う以
外は、第一の本発明の多層プリント配線板の製造方法と
同様の方法を用いることにより、接続性および信頼性に
優れる多層プリント配線板を製造することができるとと
もに、安定した品質の多層プリント配線板を好適に製造
することができる。

【０１６７】次に、第三の本発明の多層プリント配線板
の製造方法について説明する。第三の本発明の多層プリ
ント配線板の製造方法は、導体回路を形成した基板上
に、層間樹脂絶縁層と導体回路とを積層形成した後、最
上層の導体回路上に、複数の半田バンプ形成用開口を有
するソルダーレジスト層を設け、上記半田バンプ形成用
開口に半田ペーストを印刷して半田バンプを形成する多
層プリント配線板の製造方法であって、少なくとも下記
（ａ）〜（ｃ）の工程を行うことを特徴とする。 （ａ）ソルダーレジスト層上の複数の半田バンプ形成用
開口を含む一定領域に、一回以上半田ペーストを印刷
し、上記半田バンプ形成用開口に半田ペーストを充填す
る第一の半田ペースト印刷工程、（ｂ）スキージ処理、
ロール処理および振動処理のうちの少なくとも一の処理
により、半田バンプ形成用開口に充填した半田ペースト
以外の半田ペーストを除去し、半田ペーストの表面とソ
ルダーレジスト層の表面とを略同一平面とする半田ペー
スト除去工程、および、（ｃ）１回以上の半田ペースト
の印刷を行う第二の半田ペースト印刷工程。

【０１６８】第三の本発明の多層プリント配線板の製造
方法では、第一の半田ペースト印刷工程を経ることによ
り、半田バンプ形成用開口を半田ペーストで完全に充填
してボイドを除去し、その後、スキージ処理、ロール処
理および振動処理のうちの少なくとも一の処理により、
半田バンプ形成用開口の半田ペーストの表面とソルダー
レジスト層の表面とを略同一平面とし、さらに、第二の
半田ペースト印刷工程を行うため、均一な形状および高
さを有するとともにボイド等の欠陥を有さず、相互間で
短絡のない半田バンプを形成することができ、接続性及
び信頼性に優れたプリント配線板を製造することができ
る。また、上記半田ペースト除去工程において、スキー
ジ処理、ロール処理および振動処理のうちの少なくとも
一の処理を施すため、より好適に、上記半田ペーストの
表面とソルダーレジスト層の表面とを略同一面にするこ
とができ、安定した品質の多層プリント配線板を製造す
ることができる。

【０１６９】第三の本発明の多層プリント配線板の製造
方法は、第一の本発明の多層プリント配線板の製造方法
と比べて、（ａ）〜（ｃ）の工程、即ち、半田ペースト
を印刷する工程のみが異なる。

【０１７０】具体的には、第一の本発明の多層プリント
配線板の製造方法では、第一の半田ペースト印刷工程に
おいて、凹形状の半田バンプ形成用開口に選択的に半田
ペーストを充填した後、半田ペースト表面の平坦化を行
い、さらに、リフロー後に半田バンプとなる半田ペース
ト層を形成するのに対し、第三の本発明の多層プリント
配線板の製造方法では、第一の半田ペースト印刷工程に
おいて、ソルダーレジスト層上の複数の半田バンプ形成
用開口を含む一定領域に、半田ペーストを印刷すること
により半田バンプ形成用開口に半田ペーストを充填した
後、半田ペースト表面の平坦化と半田ペースト層の形成
とを行う。従って、ここでは、第三の本発明の多層プリ
ント配線板の製造方法における（ａ）〜（ｃ）の工程に
ついてのみ説明し、多層プリント配線板を製造する全製
造工程については、その説明を省略する。

【０１７１】図６（ａ）は、本発明の製造方法で製造す
る多層プリント配線板の一例を模式的に示す平面図であ
り、（ｂ）は、（ａ）に示す多層プリント配線板の部分
断面図である。図６（ａ）および（ｂ）に示すように、
多層プリント配線板４００において、ＩＣチップ接続面
４００ａには、半田バンプ４２７が密に形成されている
領域（半田バンプエリア）が存在する。通常、多層プリ
ント配線板にＩＣチップを実装する場合、該ＩＣチップ
は、多層プリント配線板４００の中央付近（図５（ａ）
におけるＡ領域）に実装されるため、ソルダーレジスト
層４１４の中央付近に半田バンプ４２７が密に形成され
ることとなる。このような場合、ソルダーレジスト層４
１４の中央付近に、本発明の製造方法の第一の印刷工程
により半田ペーストを印刷し、さらに、残りの工程を経
ることにより、好適に半田バンプを形成することができ
る。なお、図５において、４０５は導体回路、４０７は
バイアホール、４０２は層間樹脂絶縁層である。

【０１７２】上記第一の半田ペースト印刷工程で、半田
ペーストを印刷する「複数の半田バンプ形成用開口を含
む一定領域」は、半田バンプエリアより少し大きな領域
であることが望ましい。具体的には、半田バンプエリア
より１〜２０ｍｍ大きい領域が望ましく、半田バンプエ
リアより５〜１０ｍｍ大きい領域がより望ましい。確実
に半田バンプ形成用開口に半田ペーストを印刷するため
である。なお、半田バンプエリアとは、隣合う半田バン
プとの距離が３００μｍ以下の半田バンプを含む矩形状
の領域をいう。

【０１７３】図７は、第三の本発明の多層プリント配線
板の製造方法における（ａ）〜（ｃ）の工程を模式的に
示す部分断面図である。上記（ａ）の工程（第一の半田
ペースト印刷工程）では、ソルダーレジスト層５１４上
の複数の半田バンプ形成用開口５０６を含む一定領域
に、１回以上半田ペーストを塗布し、凹形状の半田バン
プ形成用開口５０６内およびその周辺に半田ペースト５
１７を印刷する（図７（ａ）参照）。なお、図中、５０
２は層間樹脂絶縁層、５０５は導体回路、５０７はバイ
アホール、５１６は半田パッドである。この工程では、
半田バンプ形成用開口５０６を完全に充填することがで
きる量以上の量の半田ペーストをソルダーレジスト層５
１４上の一定領域に印刷する。従って、第一の半田ペー
スト印刷工程終了後、印刷した半田ペーストは、半田バ
ンプ形成用開口に存在するとともに、余剰の半田ペース
トがその周辺の部分に存在することとなる。

【０１７４】また、上記第一の半田ペースト印刷工程に
おいては、上記ソルダーレジスト層上に、半田ペースト
を印刷する一定領域（複数の半田バンプ形成用開口を含
む一定領域）に対向する部分に開口を有するマスクを載
置した後、半田ペーストを印刷することが望ましい。マ
スクを載置して半田ペーストを印刷することにより、半
田バンプ形成用開口を含む一定領域を除くソルダーレジ
スト層の表面に半田ペーストが付着することがなく、後
工程で、ソルダーレジスト層の表面に付着した半田ペー
ストを除去する必要がないからである。

【０１７５】上記マスクの材質としては特に限定され
ず、上記第一の本発明の製造方法で用いるマスクの材質
と同様のもの等が挙げられる。また、マスクの製造方法
としてはエッチング、アディティブ加工、レーザ加工等
が挙げられる。また、マスクの厚さも特に限定されず、
第一の本発明の製造方法同様、３０〜７０μｍが望まし
く、３０〜５０μｍがより望ましい。

【０１７６】また、この工程で用いるマスクにおいて
も、該マスクが有する開口は、ソルダーレジスト層に対
して垂直な壁面を有するように形成されていてもよい
が、徐々にソルダーレジスト層側に拡径する形態のテー
パが形成されていることが望ましい。

【０１７７】また、この第一の半田ペースト印刷工程で
用いる半田ペーストとしては特に限定されず、例えば、
第一の本発明の製造方法で用いる半田ペーストと同様の
もの等が挙げられる。また、この工程で用いる半田ペー
ストの粘度は、第一の本発明の製造方法の場合と同様、
第二の半田ペースト印刷工程で印刷する半田ペーストの
粘度よりも低いことが望ましい。また、場合によって
は、第二の半田ペースト印刷工程で印刷する半田ペース
トの粘度と同じであってもよい。

【０１７８】また、第一の半田ペースト印刷工程におい
ては、第一の本発明の製造方法と同様、１回目の半田ペ
ーストの印刷で、その底面に窪みを有する半田バンプ形
成用開口のみに、その窪み部分が充填される程度の量の
半田ペーストを印刷し、２回目の半田ペーストの印刷
で、凹形状の半田バンプ形成用開口を完全に充填するよ
うに、半田ペーストを印刷してもよい。なお、１回目の
半田ペースト印刷を行う際には、その底面に窪みを有す
る半田バンプ形成用開口に対向する部分に開口を有する
マスクをソルダーレジスト層上に載置した後、半田ペー
ストを印刷することが望ましい。

【０１７９】また、半田ペーストを印刷する際には、通
常、印刷用スキージを用いる。上記印刷用スキージとし
ては、例えば、第一の本発明の製造方法で用いるものと
同様のもの等を用いることができる。また、密閉式のス
キージユニットを用いることもできる。

【０１８０】上記第一の半田ペースト印刷工程終了後、
後述する（ｂ）の工程（半田ペースト除去工程）を行う
前に、ソルダーレジスト層上の半田ペースト層の表面全
体または表面の一部をプレスする半田ペーストプレス工
程を行うことが望ましい。上記第一の半田ペースト印刷
工程においては、上記した方法を用いて半田ペーストを
印刷するのみであるため、半田バンプ形成用開口の形状
（開口径や底面の窪みの有無）によっては、半田ペース
トが完全に充填されず、半田バンプ形成用開口にボイド
等が形成されるおそれがある。半田バンプ形成用開口に
ボイドが形成されると、このボイドがリフロー時やＩＣ
チップ等の電子部品が動作した際の発熱で、拡散したり
膨張したりし、これに起因して、半田パッドや半田バン
プに剥がれやクラックが発生し、接続性、信頼性に悪影
響を与える原因となることがある。

【０１８１】従って、半田バンプ形成用開口に発生した
ボイドをそのまま放置しておくことは、上述したよう
に、製造する多層プリント配線板の接続性や信頼性の低
下に繋がるが、上記半田ペーストプレス工程を行うこと
で、第一の半田ペースト印刷工程でボイドが発生した場
合であっても、この工程でボイドを完全に除去すること
ができ、半田バンプ形成用開口が半田ペーストで完全に
充填することができる。

【０１８２】この半田ペーストプレス工程を行う具体的
な方法としては、第一の本発明の製造方法で説明した半
田ペーストプレス工程で用いた方法と同様の方法を用い
ることができる。なお、この場合、第一の本発明の製造
方法同様、プレス部材は０．１〜１．０ＭＰａの押圧力
で押し当てればよい。また、第一の本発明の製造方法で
説明した半田ペーストプレス工程と同様、プレス部材を
押し当てる方法に代えて、ローラで押す方法を用いても
よい。

【０１８３】上記第一の半田ペースト印刷工程終了後、
上記（ｂ）の工程（半田ペースト除去工程）を行う。こ
の工程では、第一の半田ペースト印刷工程で印刷した半
田ペーストのうち、半田バンプ形成用開口に充填した半
田ペースト以外の半田ペースト１５１７を除去すること
により、半田ペースト表面５１７ａを平坦化するととも
に、充填した半田ペーストの表面５１７ａとソルダーレ
ジスト層の表面とを略同一平面とする（図７（ｂ）参
照）。

【０１８４】半田バンプ形成用開口に充填した半田ペー
スト以外の半田ペースト１５１７を除去する際には、第
一の本発明の製造方法の半田ペースト平坦化工程で用い
た処理と同様の方法、即ち、スキージ処理、ロール処理
および振動処理のうちの少なくとも一の処理を行う。従
って、第三の本発明の製造方法においても、上述した第
一の本発明の製造方法と同様の効果を得ることができ
る。

【０１８５】また、この半田ペースト除去工程では、半
田バンプ形成用開口以外の部分に印刷された半田ペース
トが残らないように、ソルダーレジスト層表面（半田バ
ンプ形成用開口を除く）の半田ペーストを除去する必要
がある。上記ソルダーレジスト層表面に半田ペーストが
残った場合には、この半田ペーストが後工程でリフロー
を行った際に、移動して近接する半田ペースト層に付着
し、形成される半田バンプの形状の均一性が損なわれる
原因となったり、後工程を経て形成される半田バンプ間
の短絡の原因となったりすることがある。従って、ソル
ダーレジスト層表面の半田ペーストを確実に除去するた
めには、例えば、まず、スキージ処理を施して半田ペー
ストを除去し、その後、ロール処理または振動処理を施
して再度半田ペーストを除去する方法等を用いることが
望ましい。また、上記ロール処理の後、粘着ロール装置
を用いた処理を施すことも望ましい。

【０１８６】なお、この半田ペースト除去工程を行わな
くても済むように、半田ペーストが半田バンプ形成用開
口以外の部分には塗布されず、かつ、半田バンプ形成用
開口が完全に充填され、さらに、半田ペーストの表面と
ソルダーレジスト層の表面とが略同一平面となる量の半
田ペーストを印刷してもよい。しかしながら、このよう
な量の半田ペーストを印刷するには、半田ペーストの印
刷量を半田バンプ形成用開口ごとに厳密に制御しなけれ
ばならないため、印刷時の管理項目が多くなり、また、
印刷量に誤差が生じた際にも、その誤差が多層プリント
配線板の品質の低下に繋がるため、結果的に、このよう
な方法を用いることは、歩留りの低下に繋がり、経済的
に不利になる。従って、処理工程数は増加するものの、
ソルダーレジスト層上に、半田バンプ形成用開口を充填
するのに充分な量の半田ペーストを印刷した後、半田ペ
ーストの表面とソルダーレジスト層の表面とが略同一平
面となるように半田ペーストを除去する方法を用いる本
発明の製造方法の方が経済的に優れることとなる。

【０１８７】半田ペースト表面を平坦化した後、上記
（ｃ）の工程（第二の半田ペースト印刷工程）を行うこ
とにより、上記（ａ）〜（ｂ）の工程を経て半田ペース
トが充填された半田バンプ形成用開口上に半田ペースト
層を形成し、さらに、印刷した半田ペーストをリフロー
させることにより半田バンプ５２７を形成する（図７
（ｃ）参照）。

【０１８８】この工程は、第一の本発明の製造方法の第
二の半田ペースト印刷工程と同様の方法を用いて行うこ
とができる。特に、隣合う半田バンプ同士の距離が２０
０μｍ以下の半田バンプを形成する場合、このような半
田バンプを形成することができる半田ペースト層は、通
常のスキージ印刷を用いて形成することが困難であるた
め、密閉式のスキージユニットを用いて形成することが
望ましい。このような（ａ）〜（ｃ）の工程を行う以外
は、第一の本発明の多層プリント配線板の製造方法と同
様の方法を用いることにより、接続性および信頼性に優
れる多層プリント配線板を製造することができるととも
に、安定した品質の多層プリント配線板を好適に製造す
ることができる。

【０１８９】また、第三の本発明の多層プリント配線板
の製造方法は、ソルダーレジスト層の略全面に半田バン
プ等が形成される設計の多層プリント配線板を製造する
際にも好適に用いることができる。これについて、以下
に図面を参照しながら簡単に説明する。

【０１９０】図８は、第三の本発明の多層プリント配線
板の製造方法の工程の一部を模式的に示す平面図であ
る。多層プリント配線板の製造においては、通常、複数
の多層プリント配線板を同時に製造する。即ち、大判の
基板上に上述した方法を用いて、導体回路と層間樹脂絶
縁層とを順次積層形成し、その後、ソルダーレジスト層
と半田バンプとを形成することにより、図８に示すよう
な基板の各区画６０１に、所望の設計の導体回路（図示
せず）、半田バンプ６２７等が形成された多層プリント
配線板の集合体６００を製造する。次いで、この多層プ
リント配線板の集合体６００を各区画６０１に分割する
（即ち、図８中の点線に沿って切断する）ことにより、
１つの多層プリント配線板とする。

【０１９１】このように、多層プリント配線板の集合体
を製造する場合においては、第三の本発明の製造方法の
（ａ）〜（ｃ）の工程等を経て半田バンプを形成するこ
とができる。この場合、上記第一の半田ペースト印刷工
程において、半田ペーストを印刷する領域を多層プリン
ト配線板となる区画（図８中、点線で固まれる領域６０
１）とすることにより、多層プリント配線板の集合体６
００を切断した際に破棄される領域には、半田ペースト
を印刷しないため、半田ペーストを基板の全面に塗布す
る場合に比べて、半田ペーストの消費量が少なくてす
み、勿論、この切断時に破棄する領域には半田ペースト
の除去処理を施す必要もないため、経済的に有利であ
る。なお、上述したように、ソルダーレジスト層の中央
付近に半田バンプ形成用開口が密に存在する多層プリン
ト配線板を複数同時に製造する場合には、第一の半田ペ
ースト印刷工程で、多層プリント配線板となる区画６０
１の中央付近にのみ半田ペーストを印刷すればよい。ま
た、多層プリント配線板の集合体を製造する場合、通
常、大判の基板には、半田ペースト印刷用アライメント
マーク６０３が形成されている。また、多層プリント配
線板毎には、２個の円形（直径：約０．５ｍｍ）のＩＣ
チップ実装用アライメントマーク６０２が形成されてお
り、このＩＣチップ実装用アライメントマーク６０２
は、多層プリント配線板の集合体を切断した後、ＩＣチ
ップを実装する際に用いることとなる。従って、上記
（ｂ）の工程、即ち、半田ペースト除去工程において、
ＩＣチップ実装用アライメントマーク６０２に半田ペー
ストが付着すると、その後、ＩＣチップを実装する際
に、ＩＣチップの位置ズレの原因となることがあるた
め、ＩＣチップ実装用アライメントマーク６０２は、半
田ペースト除去時に半田ペーストが付着しない位置に形
成しておくことが望ましい。

【０１９２】

【実施例】以下、本発明をさらに詳細に説明する。 （実施例１） Ａ．層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムの作製 ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量４６
９、油化シェルエポキシ社製 エピコート１００１）３
０重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポ
キシ当量２１５、大日本インキ化学工業社製 エピクロ
ンＮ−６７３）４０重量部、トリアジン構造含有フェノ
ールノボラック樹脂（フェノール性水酸基当量１２０、
大日本インキ化学工業社製 フェノライトＫＡ−７０５
２）３０重量部をエチルジグリコールアセテート２０重
量部、ソルベントナフサ２０重量部に攪拌しながら加熱
溶解させ、そこへ末端エポキシ化ポリブタジエンゴム
（ナガセ化成工業社製 デナレックスＲ−４５ＥＰＴ）
１５重量部と２−フェニル−４、５−ビス（ヒドロキシ
メチル）イミダゾール粉砕品１．５重量部、微粉砕シリ
カ２重量部、シリコン系消泡剤０．５重量部を添加しエ
ポキシ樹脂組成物を調製した。得られたエポキシ樹脂組
成物を厚さ３８μｍのＰＥＴフィルム上に乾燥後の厚さ
が５０μｍとなるようにロールコーターを用いて塗布し
た後、８０〜１２０℃で１０分間乾燥させることによ
り、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを作製した。

【０１９３】Ｂ．貫通孔充填用樹脂組成物の調製 ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル社
製、分子量：３１０、ＹＬ９８３Ｕ）１００重量部、表
面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒
径が１．６μｍで、最大粒子の直径が１５μｍ以下のＳ
ｉＯ₂ 球状粒子（アドテック社製、ＣＲＳ １１０１−
ＣＥ）７２重量部およびレベリング剤（サンノプコ社製
ペレノールＳ４）１．５重量部を容器にとり、攪拌混
合することにより、その粘度が２５℃で３０〜８０Ｐａ
・ｓの樹脂充填材を調製した。なお、硬化剤として、イ
ミダゾール硬化剤（四国化成社製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）
６．５重量部を用いた。

【０１９４】Ｃ．プリント配線板の製造方法 （１）厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ
（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる基板１の両
面に１８μｍの銅箔８がラミネートされている銅張積層
板を出発材料とした（図９（ａ）参照）。まず、この銅
張積層板をドリル削孔し、無電解めっき処理を施し、パ
ターン状にエッチングすることにより、基板１の両面に
下層導体回路４とスルーホール９を形成した。

【０１９５】（２）スルーホール９および下層導体回路
４を形成した基板を水洗いし、乾燥した後、ＮａＯＨ
（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ₂ （４０ｇ／ｌ）、Ｎａ₃
ＰＯ₄ （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）と
する黒化処理、および、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、Ｎａ
ＢＨ₄ （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴とする還元処
理を行い、そのスルーホール９を含む下層導体回路４の
全表面に粗化面４ａ、９ａを形成した（図９（ｂ）参
照）。

【０１９６】（３）次に、上記Ｂに記載した貫通孔充填
用樹脂組成物を調製した後、下記の方法により調整後２
４時間以内に、スルーホール９内、および、基板１の片
面の導体回路非形成部と下層導体回路４の外縁部とに樹
脂充填材１０の層を形成した。即ち、まず、スキージを
用いてスルーホール内に貫通孔充填用樹脂組成物を押し
込んだ後、１００℃、２０分の条件で乾燥させた。次
に、導体回路非形成部に相当する部分が開口したマスク
を基板上に載置し、スキージを用いて凹部となっている
導体回路非形成部に樹脂充填材１０の層を形成し、１０
０℃、２０分の条件で乾燥させた（図９（ｃ）参照）。

【０１９７】（４）上記（３）の処理を終えた基板の片
面を、＃６００のベルト研磨紙（三共理化学製）を用い
たベルトサンダー研磨により、下層導体回路４の表面や
スルーホール９のランド表面に樹脂充填材１０が残らな
いように研磨し、次いで、上記ベルトサンダー研磨によ
る傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このような一
連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った。次
いで、１００℃で１時間、１５０℃で１時間の加熱処理
を行って樹脂充填材１０を硬化させた。

【０１９８】このようにして、スルーホール９や導体回
路非形成部に形成された樹脂充填材１０の表層部および
下層導体回路４の表面を平坦化し、樹脂充填材１０と下
層導体回路４の側面とが粗化面４ａを介して強固に密着
し、またスルーホール９の内壁面と樹脂充填材１０とが
粗化面９ａを介して強固に密着した絶縁性基板を得た
（図９（ｄ）参照）。即ち、この工程により、樹脂充填
材１０の表面と下層導体回路４の表面が同一平面とな
る。

【０１９９】（５）上記基板を水洗、酸性脱脂した後、
ソフトエッチングし、次いで、エッチング液を基板の両
面にスプレイで吹きつけて、下層導体回路４の表面とス
ルーホール９のランド表面とをエッチングすることによ
り、下層導体回路４の全表面に粗化面４ａ、９ａを形成
した（図１０（ａ）参照）。なお、エッチング液として
は、イミダゾール銅（ＩＩ）錯体１０重量部、グリコー
ル酸７重量部、塩化カリウム５重量部からなるエッチン
グ液（メック社製、メックエッチボンド）を使用した。

【０２００】（６）基板の両面に、上記Ａで作製した基
板より少し大きめの層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを基
板上に載置し、圧力０．４ＭＰａ、温度８０℃、圧着時
間１０秒の条件で仮圧着して裁断した後、さらに、以下
の方法により真空ラミネーター装置を用いて張り付け、
その後、熱硬化させることにより層間樹脂絶縁層２を形
成した（図１０（ｂ）参照）。即ち、層間樹脂絶縁層用
樹脂フィルムを基板上に、真空度６７Ｐａ、圧力０．４
ＭＰａ、温度８０℃、圧着時間６０秒の条件で本圧着し
て張り付け、その後、１７０℃で３０分間熱硬化させ
た。

【０２０１】（７）次に、層間樹脂絶縁層２上に、厚さ
１．２ｍｍの貫通孔が形成されたマスクを介して、波長
１０．４μｍのＣＯ₂ ガスレーザにて、ビーム径４．０
ｍｍ、トップハットモード、パルス幅８．０μ秒、マス
クの貫通孔の径１．０ｍｍ、１ショットの条件で層間樹
脂絶縁層２に、直径８０μｍのバイアホール用開口６を
形成した（図１０（ｃ）参照）。

【０２０２】（８）さらに、バイアホール用開口６を形
成した基板を、６０ｇ／ｌの過マンガン酸を含む８０℃
の溶液に１０分間浸漬し、層間樹脂絶縁層２の表面に存
在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、バ
イアホール用開口６の内壁を含む層間樹脂絶縁層２の表
面を粗面とした（図１０（ｄ）参照）。

【０２０３】（９）次に、上記処理を終えた基板を、中
和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした。さ
らに、粗面化処理（粗化深さ３μｍ）した該基板の表面
に、パラジウム触媒（アトテック社製）を付与すること
により、層間樹脂絶縁層２の表面およびバイアホール用
開口６の内壁面に触媒核を付着させた。

【０２０４】（１０）次に、以下の組成の無電解銅めっ
き水溶液中に基板を浸漬して、粗面全体に厚さ０．６〜
３．０μｍの無電解銅めっき膜１２を形成した（図１１
（ａ）参照）。 〔無電解めっき水溶液〕 ＮｉＳＯ₄ ０．００３ ｍｏｌ／ｌ 酒石酸 ０．２００ ｍｏｌ／ｌ 硫酸銅 ０．０３０ ｍｏｌ／ｌ ＨＣＨＯ ０．０５０ ｍｏｌ／ｌ ＮａＯＨ ０．１００ ｍｏｌ／ｌ α、α′−ビピリジル ４０ ｍｇ／ｌ ポリエチレングリコール（ＰＥＧ） ０．１０ ｇ／ｌ 〔無電解めっき条件〕３５℃の液温度で４０分

【０２０５】（１１）市販の感光性ドライフィルムを無
電解銅めっき膜１２に貼り付け、マスクを載置して、１
００ｍＪ／ｃｍ² で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水
溶液で現像処理することにより、厚さ２０μｍのめっき
レジスト３を設けた（図１１（ｂ）参照）。

【０２０６】（１２）ついで、基板を５０℃の水で洗浄
して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄し
てから、以下の条件で電解銅めっきを施し、電解銅めっ
き膜１３を形成した（図１１（ｃ）参照）。 〔電解めっき水溶液〕 硫酸 ２．２４ ｍｏｌ／ｌ 硫酸銅 ０．２６ ｍｏｌ／ｌ 添加剤 １９．５ ｍｌ／ｌ （アトテックジャパン社製、カパラシドＨＬ） 〔電解めっき条件〕 電流密度 １ Ａ／ｄｍ² 時間 ６５ 分 温度 ２２±２ ℃

【０２０７】（１３）さらに、めっきレジスト３を５％
ＮａＯＨ水溶液で剥離除去した後、そのめっきレジスト
３下の無電解めっき膜１２を硫酸と過酸化水素の混合液
でエッチング処理して溶解除去し、無電解銅めっき膜１
２と電解めっき膜１３からなる厚さ１８μｍの独立の上
層導体回路５（バイアホール７を含む）とした（図１１
（ｄ）参照）。

【０２０８】（１４）上記（５）〜（１３）の工程を繰
り返すことにより、さらに、上層の層間樹脂絶縁層２と
上層の導体回路５（バイアホール７を含む）を形成した
（図１２（ａ）〜図１３（ａ）参照）。その後、上記上
層の導体回路５の表面にエッチング液を用いて粗化面を
形成した。なお、エッチング液としては、メック社製、
メックエッチボンドを使用した（図１３（ｂ）参照）。

【０２０９】（１５）次に、ジエチレングリコールジメ
チルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるよ
うに溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した
感光性付与のオリゴマー（分子量：４０００）４６．６
７重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％
のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、
商品名：エピコート１００１）１５．０重量部、イミダ
ゾール硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−Ｃ
Ｎ）１．６重量部、感光性モノマーである多価アクリル
モノマー（日本化薬社製、商品名：Ｒ６０４）３．０重
量部、同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商
品名：ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サン
ノプコ社製、Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にとり、
攪拌、混合して混合組成物を調製し、この混合組成物に
対して光重合開始剤としてベンゾフェノン（関東化学社
製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン
（関東化学社製）０．２重量部を加え、粘度を２５℃で
２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成物を得
た。なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器社製、Ｄ
ＶＬ−Ｂ型）で６０ｍｉｎ^-1（ｒｐｍ）の場合はロータ
ーＮｏ．４、６ｍｉｎ^-1（ｒｐｍ）の場合はローターＮ
ｏ．３によった。

【０２１０】（１６）次に、多層配線基板の両面に、上
記ソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、
７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理
を行った後、半田パッドのパターンが描画された厚さ５
ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト層に密着させて
１０００ｍＪ／ｃｍ² の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液
で現像処理し、直径８０μｍの開口を形成した。そし
て、さらに、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１２
０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件でそれぞれ加熱
処理を行ってソルダーレジスト層を硬化させ、半田バン
プ形成用開口を有し、その厚さが２０μｍのソルダーレ
ジスト層１４を形成した。なお、半田バンプ形成用開口
の開口径は８０μｍであり、隣合う半田バンプ形成用開
口間の距離は１５０μｍである。また、上記ソルダーレ
ジスト組成物としては、市販のソルダーレジスト組成物
を使用することもできる。

【０２１１】（１７）次に、過硫酸ナトリウムを主成分
とするエッチング液を、そのエッチング能が毎分２μｍ
程度になるように調製し、このエッチング液中にソルダ
ーレジスト層１４が形成された基板を１分間浸漬し、導
体回路表面に平均粗度（Ｒａ）が１μｍ以下の粗化面を
形成した。さらに、この基板を、塩化ニッケル（２．３
×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８
×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×
１０ ^-1ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケ
ルめっき液に２０分間浸漬して、開口部に厚さ５μｍの
ニッケルめっき層１５を形成した。さらに、その基板を
シアン化金カリウム（７．６×１０^-3ｍｏｌ／ｌ）、塩
化アンモニウム（１．９×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン
酸ナトリウム（１．２×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン
酸ナトリウム（１．７×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）を含む無電
解金めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニ
ッケルめっき層１５上に、厚さ０．０３μｍの金めっき
層１６を形成し、半田パッドとした。

【０２１２】（１８）この後、ソルダーレジスト層１４
上に、全ての半田バンプ形成用開口に対向する部分に直
径１００μｍの開口を有するマスクを載置し、ピストン
式圧入印刷機を用いて、凹形状の半田バンプ形成用開口
に半田ペーストを印刷した。なお、ここで印刷した半田
ペーストは、Ｓｎ：Ａｇを重量比９６．５：３．５で配
合させた主として粒径５〜２０μｍの半田を含むもの
で、その粘度を２００Ｐａ・ｓに調整したものである。
さらに、半田ペースト印刷後、ソルダーレジスト層１４
上の全面にフッ素樹脂からなるプレス部材を５秒間、
０．５ＭＰａの押圧力で押し当て、半田バンプ形成用開
口を半田ペーストで完全に充填するとともに、半田バン
プ形成用開口のボイドを除去した。

【０２１３】（１９）次に、上記（１８）の工程後、ソ
ルダーレジスト層１４の表面に略当接する位置に樹脂製
のスキージを設置し、該スキージを１０ｍｍ／ｓｅｃの
移動速度でソルダーレジスト層１４上を１回移動させる
ことで、ソルダーレジスト層の表面より盛り上がった部
分の半田ペーストを除去し、充填した半田ペーストの表
面を平坦化するとともに、半田ペーストの表面とソルダ
ーレジスト層の表面とを同一平面にした（図２（ａ）参
照）。

【０２１４】（２０）次に、ソルダーレジスト層１４上
に、上記（１８）の工程で用いたマスクと同様のマスク
を載置し、半田ペーストをピストン式圧入印刷機で印刷
することにより半田ペースト層を形成した。なお、ここ
で充填した半田ペーストは、Ｓｎ：Ａｇを重量比９６．
５：３．５で配合させた主として粒径５〜２０μｍの半
田を含むもので、その粘度を２５０Ｐａ・ｓに調整した
ものである。

【０２１５】（２１）その後、上記（１８）〜（２０）
の工程で印刷した半田ペーストを２５０℃でリフロー
し、さらに、フラックス洗浄を行うことにより、半田バ
ンプを備えた多層プリント配線板を得た（図１３（ｃ）
参照）。

【０２１６】（実施例２） Ａ．実施例１と同様にして、層間樹脂絶縁層用樹脂フィ
ルムの作製、および、貫通孔充填用樹脂組成物の調製を
行った。

【０２１７】Ｂ．多層プリント配線板の製造 （１）厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ
（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる絶縁性基板
３０の両面に１８μｍの銅箔３２がラミネートされてい
る銅張積層板を出発材料とした（図１４（ａ）参照）。
まず、この銅張積層板を下層導体回路パターン状にエッ
チングすることにより、基板の両面に下層導体回路３４
を形成した（図１４（ｂ）参照）。

【０２１８】（２）下層導体回路３４を形成した基板３
０を水洗いし、乾燥した後、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、
ＮａＣｌＯ₂ （４０ｇ／ｌ）、Ｎａ₃ ＰＯ₄ （６ｇ／
ｌ）を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）とする黒化処理、
および、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ₄ （６ｇ／
ｌ）を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行い、下層
導体回路３４の表面に粗化面３４ａを形成した（図１４
（ｃ）参照）。

【０２１９】（３）次に、上記Ａで作製した層間樹脂絶
縁層用樹脂フィルムを、温度５０〜１５０℃まで昇温し
ながら、０．５ＭＰａで真空圧着ラミネートして貼り付
け、樹脂フィルム層５０αを形成した（図１４（ｄ）参
照）。さらに、樹脂フィルム層５０αを貼り付けた基板
３０に、ドリル加工により直径３００μｍの貫通孔３５
を形成した（図１４（ｅ）参照）。

【０２２０】（４）次に、樹脂フィルム層５０α上に、
厚さ１．２ｍｍの貫通孔が形成されたマスクを介して、
波長１０．４μｍのＣＯ₂ ガスレーザにて、ビーム径
４．０ｍｍ、トップハットモード、パルス幅８．０μ
秒、マスクの貫通孔の径１．０ｍｍ、１ショットの条件
で樹脂フィルム層５０αに、直径８０μｍのバイアホー
ル用開口５２を形成し、層間樹脂絶縁層５０とした（図
１５（ａ）参照）。

【０２２１】（５）バイアホール用開口５２を形成した
基板を、６０ｇ／ｌの過マンガン酸を含む８０℃の溶液
に１０分間浸漬し、貫通孔３５の壁面にデスミア処理を
施すとともに、層間樹脂絶縁層５０の表面に存在するエ
ポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、バイアホー
ル用開口５２の内壁面を含むその表面に粗化面５０ａ、
５２ａを形成した（図１５（ｂ）参照）。

【０２２２】（６）次に、上記処理を終えた基板を、中
和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした。さ
らに、粗面化処理（粗化深さ３μｍ）した該基板の表面
に、パラジウム触媒を付与することにより、層間樹脂絶
縁層５０の表面（バイアホール用開口５２の内壁面を含
む）、および、貫通孔３５の壁面に触媒核を付着させた
（図示せず）。即ち、上記基板を塩化パラジウム（Ｐｂ
Ｃｌ₂ ）と塩化第一スズ（ＳｎＣｌ₂ ）とを含む触媒液
中に浸漬し、パラジウム金属を析出させることにより触
媒を付与した。

【０２２３】（７）次に、以下の組成の無電解銅めっき
水溶液中に、基板を浸漬し、層間樹脂絶縁層５０の表面
（バイアホール用開口５２の内壁面を含む）、および、
貫通孔３５の壁面に厚さ０．６〜３．０μｍの無電解銅
めっき膜４２を形成した（図１５（ｃ）参照）。 〔無電解めっき水溶液〕 ＮｉＳＯ₄ ０．００３ ｍｏｌ／ｌ 酒石酸 ０．２００ ｍｏｌ／ｌ 硫酸銅 ０．０３０ ｍｏｌ／ｌ ＨＣＨＯ ０．０５０ ｍｏｌ／ｌ ＮａＯＨ ０．１００ ｍｏｌ／ｌ α、α′−ビピリジル １００ ｍｇ／ｌ ポリエチレングリコール（ＰＥＧ） ０．１０ ｇ／ｌ 〔無電解めっき条件〕３４℃の液温度で４０分

【０２２４】（８）次に、無電解銅めっき膜４２が形成
された基板に市販の感光性ドライフィルムを張り付け、
マスクを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ² で露光し、０．
８％炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することにより、
厚さ２０μｍのめっきレジスト４３を設けた（図１５
（ｄ）参照）。

【０２２５】（９）ついで、基板を５０℃の水で洗浄し
て脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄して
から、以下の条件で電解めっきを施し、めっきレジスト
４３非形成部に、厚さ２０μｍの電解銅めっき膜４４を
形成した（図１５（ｅ）参照）。 〔電解めっき液〕 硫酸 ２．２４ ｍｏｌ／ｌ 硫酸銅 ０．２６ ｍｏｌ／ｌ 添加剤 １９．５ ｍｌ／ｌ （アトテックジャパン社製、カパラシドＧＬ） 〔電解めっき条件〕 電流密度 １ Ａ／ｄｍ² 時間 ６５ 分 温度 ２２±２ ℃

【０２２６】（１０）次に、めっきレジスト４３を５％
ＫＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト４３下の
無電解めっき膜を硫酸と過酸化水素との混合液でエッチ
ング処理して溶解除去し、スルーホール３６、および、
上層導体回路４５（バイアホール４６を含む）とした
（図１６（ａ）参照）。

【０２２７】（１１）次に、スルーホール３６等を形成
した基板３０をエッチング液に浸漬し、スルーホール３
６、および、上層導体回路（バイアホール４６を含む）
の表面に粗化面３６ａ、４６ａを形成した（図１６
（ｂ）参照）。なお、エッチング液としては、メック社
製、メックエッチボンドを使用した。

【０２２８】（１２）次に、上記Ａに記載した貫通孔充
填用樹脂組成物を調製した後、下記の方法により調製後
２４時間以内に、その壁面にスルーホール３６内、およ
び、基板の片面のバイアホール４６内に樹脂充填材４
０、５４の層を形成した。即ち、まず、スキージを用い
てスルーホール内に貫通孔充填用樹脂組成物を押し込ん
だ後、１００℃、２０分の条件で乾燥させた。次に、バ
イアホール４６に相当する部分が開口したマスクを基板
上に載置し、スキージを用いてバイアホール４６内に貫
通孔充填用樹脂組成物を充填し、１００℃、２０分の条
件で乾燥を行った。さらに、同様にして、基板の他方の
面のバイアホール４６内にも貫通孔充填用樹脂組成物を
充填した（図１６（ｃ）参照）。

【０２２９】（１３）次に、上記（１２）の処理を終え
た基板の両面にバフ研磨を施し、スルーホール３６およ
びバイアホール４６から露出した樹脂充填材４０、５４
の層の表面を平坦にした。次いで、１００℃で１時間、
１５０℃で１時間の加熱処理を行うことにより、樹脂充
填材４０、５４の層を硬化させた（図１６（ｄ）参
照）。

【０２３０】（１４）次に、層間樹脂絶縁層５０の表
面、および、樹脂充填材４０、５４の露出面に、上記
（６）と同様の処理を行ってパラジウム触媒（図示せ
ず）を付与した。次に、上記（７）と同様の条件で無電
解めっき処理を施し、層間樹脂絶縁層５０の表面、およ
び、樹脂充填材４０、５４の露出面に無電解めっき膜５
６を形成した（図１７（ａ）参照）。

【０２３１】（１５）次に、上記（８）と同様の方法を
用いて、無電解めっき膜５６上に、厚さ２０μｍのめっ
きレジストを設けた（図示せず）。さらに、上記（９）
と同様の条件で電解めっきを施して、めっきレジスト非
形成部に電解めっき膜５７を形成した。その後、めっき
レジストと、その下に存在する無電解めっき膜５６とを
除去し、スルーホール３６上およびバイアホール４６上
に、無電解めっき膜５６と電解めっき膜５７とからなる
蓋めっき層５８を形成した（図１７（ｂ）参照）。

【０２３２】（１６）次に、蓋めっき層５８の表面に上
記（１１）で用いたエッチング液（メックエッチボン
ド）を用いて粗化面５８ａを形成した（図１７（ｃ）参
照）。 （１７）次に、上記（３）〜（７）の工程を繰り返すこ
とにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層６０、導体回路
（バイアホール６６を含む）を形成し、多層配線板を得
た（図１７（ｄ）参照）。なお、この工程では、スルー
ホールを形成しなかった。

【０２３３】（１８）次に、実施例１の（１６）および
（１７）と同様にして、半田バンプ形成用開口が形成さ
れ、その底面に、半田パッドを有するソルダーレジスト
層７０を形成した（図１８（ａ）〜（ｃ）参照）。な
お、半田バンプ形成用開口の開口径は８０μｍであり、
隣合う半田バンプ形成用開口間の距離は１５０μｍであ
る。

【０２３４】（１９）この後、ソルダーレジスト層７０
上に、全ての半田バンプ形成用開口に対向する部分に直
径１００μｍの開口を有するマスクを載置し、ピストン
式圧入印刷機を用いて、凹形状の半田バンプ形成用開口
に半田ペーストを印刷した。なお、ここで充填した半田
ペーストは、Ｓｎ：Ａｇを重量比９６．５：３．５で配
合させた主として粒径５〜２０μｍの半田を含むもの
で、その粘度を２００Ｐａ・ｓに調整したものである。
さらに、半田ペースト印刷後、ソルダーレジスト層７０
上の半田ペースト層をフッ素樹脂からなるローラーで
０．３ＭＰａの押圧力で押すことにより、半田バンプ形
成用開口を半田ペーストで完全に充填するとともに、半
田バンプ形成用開口のボイドを除去した。

【０２３５】（２０）次に、上記（１９）の工程後、印
刷した半田ペーストを放冷固化させた後、ソルダーレジ
スト層７０の表面に略当接する位置に、クリーニングペ
ーパー供給ロールとクリーニングペーパー巻き取りロー
ルとを備え、これらの間にクリーニングペーパー（旭化
成工業社製、ベンリーゼＴＳ１００）をソルダーレジス
ト層表面に当接させるゴム製のクリーニングロールが配
設された構成のロール装置を設置し、上記クリーニング
ペーパー巻き取りロールの巻き取り速度を３０ｍｍ／ｓ
ｅｃに設定し、該ロール装置の移動方向とクリーニング
ロールの回転方向とが同一となるように、上記ロール装
置をソルダーレジスト層上を２０ｍｍ／ｓｅｃの移動速
度で１回移動させることで、ソルダーレジスト層より盛
り上がった部分の半田ペーストを除去し、充填した半田
ペーストの表面を平坦化するとともに、半田ペーストの
表面とソルダーレジスト層の表面とを同一平面にした
（図２（ｂ）参照）。さらに、充填した半田ペーストを
２５０℃でリフローした。

【０２３６】（２１）次に、ソルダーレジスト層７０の
片面に、全ての半田バンプ形成用開口に対向する部分に
直径１００μｍの開口を有するマスクを載置し、ピスト
ン式圧入印刷機を用いて半田ペーストを印刷することに
より半田ペースト層を形成した。なお、ここで充填した
半田ペーストは、Ｓｎ：Ａｇを重量比９６．５：３．５
で配合させた主として粒径５〜２０μｍの半田を含むも
ので、その粘度を２５０Ｐａ・ｓに調整したものであ
る。

【０２３７】また、ソルダーレジスト層７０の他の一面
には、上記と同様にＳｎ：Ｓｂ＝９５．０：５．０の半
田ペースト層を形成した後、導電性ピン７８を取り付け
た。

【０２３８】（２２）その後、上記（２１）の工程で形
成した半田ペースト層を２６０℃でリフローし、さら
に、フラックス洗浄を行うことにより、半田バンプとＰ
ＧＡ（Pin Grid Array）とを備えた多層プリント配線板
を得た（図１９参照）。

【０２３９】（実施例３）実施例１における（１９）の
工程に代えて、下記の工程を行った以外は、実施例１と
同様にして多層プリント配線板を製造した。即ち、実施
例１の（１）〜（１８）の工程を行った後、充填した半
田ペーストを放冷固化させ、クリーニングペーパー（旭
化成社製、ベンリーゼＴＳ１００）を備えたヘッドを３
個有する振動装置を、上記半田ペーストの上方に設置
し、８０ｍｍ／ｓｅｃでソルダーレジスト層の表面を１
０ｍｍの幅で平行に振動させ、上記振動装置をソルダー
レジスト層の表面に略当接する位置にまで１回移動させ
ることで、ソルダーレジスト層より盛り上がった部分の
半田ペーストを除去し、充填した半田ペーストの表面を
平坦化するとともに、半田ペーストの表面とソルダーレ
ジスト層の表面とを同一平面にした（図２（ｃ）参
照）。その後、実施例１の（２０）〜（２１）の工程を
行うことで、多層プリント配線板得た。

【０２４０】（実施例４）実施例１における（１９）の
工程に代えて、下記の工程を行った以外は、実施例１と
同様にして多層プリント配線板を製造した。即ち、実施
例１の（１）〜（１８）の工程を行った後、充填した半
田ペーストのうち、半田バンプ形成用開口より盛り上が
った部分の半田ペーストを、まず、樹脂製のスキージを
用いて除去し、その後、振動装置を用いて完全に除去す
ることにより、充填した半田ペーストの表面を平坦化す
るとともに、半田ペーストの表面とソルダーレジスト層
の表面とを同一面とした。なお、上記スキージおよび振
動装置は、上述した実施例１および実施例３で使用した
スキージおよび振動装置と同様のものであり、その処理
も同条件で行った。その後、実施例１の（２０）〜（２
１）の工程を行うことで、多層プリント配線板を得た。

【０２４１】（実施例５）実施例２において、（１８）
の工程で、その開口径が１００μｍの半田バンプ形成用
開口を形成し、（１９）の工程で、Ｓｎ：Ａｇを重量比
９６．５：３．５で配合させた主として粒径５〜２０μ
ｍの半田を含むもので、その粘度が２５０Ｐａ・ｓに調
整した半田ペーストを直径が１００μｍの開口を有する
マスクを用いて充填し、（２０）の工程で、半田バンプ
形成用開口より盛り上がった部分の半田ペーストを、ま
ず、樹脂製のスキージを用いて除去し、その後、ロール
装置を用いて完全に除去することにより、充填した半田
ペーストの表面を平坦化するとともに、半田ペーストの
表面とソルダーレジスト層の表面とを同一面とした。な
お、上記スキージおよびロール装置は、上述した実施例
１および実施例２で使用したスキージおよびロール装置
と同様のものであり、その処理も同条件で行った。その
後、実施例２の（２１）〜（２２）の工程を行うこと
で、多層プリント配線板を得た。

【０２４２】（実施例６）実施例１における（１８）〜
（２１）の工程に代えて、下記（１）〜（４）の工程を
行った以外は、実施例１と同様にして多層プリント配線
板を製造した。 （１）実施例１の（１）〜（１７）の工程を行った後、
ソルダーレジスト層１４の表面全体に、硬度９０°のゴ
ム製の印刷用スキージを用いて、半田ペーストを塗布
し、凹形状の半田バンプ形成用開口に半田ペーストを完
全に充填した。なお、ここで充填した半田ペーストは、
Ｓｎ：Ａｇを重量比９６．５：３．５で配合させた主と
して粒径５〜２０μｍの半田を含むもので、その粘度を
２００Ｐａ・ｓに調整したものである。さらに、半田ペ
ースト印刷後、ソルダーレジスト層１４上の全面にフッ
素樹脂からなるプレス部材を５秒間、０．５ＭＰａの押
圧力で押し当て、半田バンプ形成用開口を半田ペースト
で完全に充填するとともに、半田バンプ形成用開口およ
びその周辺のボイドを除去した。

【０２４３】（２）次に、上記（１）の工程で塗布した
半田ペーストのうち、半田バンプ形成用開口に充填した
半田ペースト以外の半田ペーストを、まず、樹脂製のス
キージを用いて除去し、その後、振動装置を用いて完全
に除去することにより、充填した半田ペーストの表面を
平坦化するとともに、半田ペーストの表面とソルダーレ
ジスト層の表面とを同一平面にした。なお、上記スキー
ジおよび振動装置は、上述した実施例１および実施例３
で使用したスキージおよび振動装置と同様のものであ
り、その処理も同条件で行った。

【０２４４】（３）次に、ソルダーレジスト層１４上
に、全ての半田バンプ形成用開口に対向する部分に直径
８０μｍの開口を有するマスクを載置し、ピストン式圧
入型印刷機で半田ペーストを印刷することにより半田ペ
ースト層を形成した。なお、ここで充填した半田ペース
トは、Ｓｎ：Ａｇを重量比９６．５：３．５で配合させ
た主として粒径５〜２０μｍの半田を含むもので、その
粘度を２５０Ｐａ・ｓに調整したものである。

【０２４５】（４）その後、上記（１）〜（３）の工程
で印刷した半田ペーストを２５０℃でリフローし、さら
に、フラックス洗浄を行うことにより、半田バンプを備
えた多層プリント配線板を得た（図１３（ｃ）参照）。

【０２４６】（実施例７）実施例２における（１８）〜
（２２）の工程に代えて、下記（１）〜（５）の工程を
行った以外は、実施例２と同様にして多層プリント配線
板を製造した。 （１）実施例２の（１）〜（１７）の工程を行った後、
ソルダーレジスト層の表面にその開口径が８０μｍの半
田バンプ形成用開口を形成した。

【０２４７】（２）次に、ソルダーレジスト層の表面全
体に、硬度９０°のゴム製の印刷用スキージを用いて、
半田ペーストを塗布し、凹形状の半田バンプ形成用開口
に半田ペーストを完全に充填した。なお、ここで充填し
た半田ペーストは、Ｓｎ：Ａｇを重量比９６．５：３．
５で配合させた主として粒径５〜２０μｍの半田を含む
もので、その粘度を２５０Ｐａ・ｓに調整したものであ
る。さらに、半田ペースト印刷後、ソルダーレジスト層
上の半田ペースト層をフッ素樹脂からなるローラーを用
いて、０．３ＭＰａの押圧力で押すことにより、半田バ
ンプ形成用開口を半田ペーストで完全に充填するととも
に、半田バンプ形成用開口およびその周辺のボイドを除
去した。

【０２４８】（３）次に、上記（２）の工程で塗布した
半田ペーストのうち、半田バンプ形成用開口に充填した
半田ペースト以外の半田ペーストを、まず、樹脂製のス
キージを用いて除去し、その後、ロール装置を用いて完
全に除去することにより、充填した半田ペーストの表面
を平坦化するとともに、半田ペーストの表面とソルダー
レジスト層の表面とを同一平面にした。なお、上記スキ
ージおよびロール装置は、上述した実施例１および実施
例２で使用したスキージおよびロール装置と同様のもの
であり、その処理も同条件で行った。さらに、充填した
半田ペーストを２５０℃でリフローした。

【０２４９】（４）次に、ソルダーレジスト層の片面
に、全ての半田バンプ形成用開口に対向する部分に直径
１００μｍの開口を有するマスクを載置し、ピストン式
圧入印刷機で半田ペーストを印刷することにより半田ペ
ースト層を形成した。なお、ここで充填した半田ペース
トは、Ｓｎ：Ａｇを重量比９６．５：３．５で配合させ
た主として粒径５〜２０μｍの半田を含むもので、その
粘度を２５０Ｐａ・ｓに調整したものである。

【０２５０】また、ソルダーレジスト層の他の一面に
は、上記と同様にＳｎ：Ｓｂ＝９５．０：５．０の半田
ペースト層を形成した後、導電性ピン７８を取り付け
た。

【０２５１】（５）その後、上記（４）の工程で形成し
た半田ペースト層を２６０℃でリフローし、さらに、フ
ラックス洗浄を行うことにより、半田バンプとＰＧＡ
（Pin Grid Array）とを備えた多層プリント配線板を得
た（図１９参照）。

【０２５２】（実施例８）実施例１における（１８）〜
（２１）の工程に代えて、下記（１）〜（４）の工程を
行った以外は、実施例１と同様にして多層プリント配線
板を製造した。 （１）実施例１の（１）〜（１７）の工程を行った後、
ソルダーレジスト層上にマスクを載置し、硬度９０°の
ゴム製の印刷用スキージを用いて、半田ペーストを印刷
し、凹形状の半田バンプ形成用開口に半田ペーストを完
全に充填するとともに、半田バンプ形成用開口周辺のソ
ルダーレジスト層上に半田ペースト層１５１７を形成し
た（図７（ａ）参照）。なお、実施例１の（１）〜（１
７）と同様の工程を行うことにより形成された半田バン
プ形成用開口は、１０×１０ｍｍのエリアに１５０μｍ
の間隔で約５０００個形成されており、このような約５
０００個の半田バンプ形成用開口が形成された領域が半
田バンプエリアとなる。なお、本実施例において、半田
バンプエリアは複数存在する。

【０２５３】また、この工程において、マスクとして
は、約５０００個の半田バンプ形成用開口を含む１０×
１０ｍｍの半田バンプエリアより１辺あたり５ｍｍ大き
い１５×１５ｍｍの領域に対向する部分に開口が形成さ
れたものを用いた。従って、本実施例で用いたマスク
は、半田バンプエリアに対向する部分に形成された複数
の開口を有している。また、ここで充填した半田ペース
トは、Ｓｎ：Ａｇを重量比９６．５：３．５で配合させ
た主として粒径５〜２０μｍの半田を含むもので、その
粘度を２００Ｐａ・ｓに調整したものである。さらに、
半田ペースト印刷後、ソルダーレジスト層１４上の全面
にフッ素樹脂からなるプレス部材を５秒間、０．５ＭＰ
ａの押圧力で押し当て、半田バンプ形成用開口を半田ペ
ーストで完全に充填するとともに、半田バンプ形成用開
口およびその周辺のボイドを除去した。

【０２５４】（２）次に、上記（１）の工程で塗布した
半田ペーストのうち、半田バンプ形成用開口に充填した
半田ペースト以外の半田ペーストを、まず、樹脂製のス
キージを用いて除去し、その後、振動装置を用いて完全
に除去することにより、充填した半田ペーストの表面を
平坦化するとともに、半田ペーストの表面とソルダーレ
ジスト層の表面とを同一平面にした。なお、上記スキー
ジおよび振動装置は、上述した実施例１および実施例３
で使用したスキージおよび振動装置と同様のものであ
り、その処理も同条件で行った。

【０２５５】（３）次に、ソルダーレジスト層上に、全
ての半田バンプ形成用開口に対向する部分に直径１００
μｍの開口を有するマスクを載置し、ピストン式圧入型
印刷機で半田ペーストを印刷することにより半田ペース
ト層を形成した。なお、ここで充填した半田ペースト
は、Ｓｎ：Ａｇを重量比９６．５：３．５で配合させた
主として粒径５〜２０μｍの半田を含むもので、その粘
度を２５０Ｐａ・ｓに調整したものである。

【０２５６】（４）その後、上記（１）〜（３）の工程
で印刷した半田ペーストを２５０℃でリフローし、さら
に、フラックス洗浄を行うことにより、半田バンプを備
えた多層プリント配線板を得た（図１３（ｃ）参照）。

【０２５７】（実施例９）実施例２における（１８）〜
（２２）の工程に代えて、下記（１）〜（５）の工程を
行った以外は、実施例２と同様にして多層プリント配線
板を製造した。 （１）実施例２の（１）〜（１７）の工程を行った後、
ソルダーレジスト層の表面にその開口径が８０μｍの半
田バンプ形成用開口を形成した。

【０２５８】（２）次に、ソルダーレジスト層上にマス
クを載置し、硬度９０°のゴム製の印刷用スキージを用
いて、半田ペーストを印刷し、凹形状の半田バンプ形成
用開口に半田ペーストを完全に充填するとともに、半田
バンプ形成用開口周辺のソルダーレジスト層上に半田ペ
ースト層１５１７を形成した（図７（ａ）参照）。な
お、実施例２の（１）〜（１８）と同様の工程を行うこ
とにより形成された半田バンプ形成用開口は、１０×１
０ｍｍのエリアに１５０μｍの間隔で約５０００個形成
されており、このような約５０００個の半田バンプ形成
用開口が形成された領域が半田バンプとなる。なお、本
実施例において、半田バンプエリアは複数存在する。

【０２５９】また、この工程において、マスクとして
は、約５０００個の半田バンプ形成用開口を含む１０×
１０ｍｍの半田バンプエリアより１辺あたり５ｍｍ大き
い１５×１５ｍｍの領域に対向する部分に開口が形成さ
れたものを用いた。従って、本実施例で用いたマスク
は、半田バンプエリアに対向する部分に形成された複数
の開口を有している。なお、ここで充填した半田ペース
トは、Ｓｎ：Ａｇを重量比９６．５：３．５で配合させ
た主として粒径５〜２０μｍの半田を含むもので、その
粘度を２５０Ｐａ・ｓに調製したものである。さらに、
半田ペースト印刷後、ソルダーレジスト層１４上をフッ
素樹脂からなるローラを用いて、０．３ＭＰａの押圧力
で押すことにより半田バンプ形成用開口を半田ペースト
で完全に充填するとともに、半田バンプ形成用開口およ
びその周辺のボイドを除去した。

【０２６０】（３）次に、上記（２）の工程で塗布した
半田ペーストのうち、半田バンプ形成用開口に充填した
半田ペースト以外の半田ペーストを、まず、樹脂製のス
キージを用いて除去し、その後、ロール装置を用いて完
全に除去することにより、充填した半田ペーストの表面
を平坦化するとともに、半田ペーストの表面とソルダー
レジスト層の表面とを同一平面にした。なお、上記スキ
ージおよびロール装置は、上述した実施例１および実施
例２で使用したスキージおよびロール装置と同様のもの
であり、その処理も同条件で行った。さらに、充填した
半田ペーストを２５０℃でリフローした。

【０２６１】（４）次の、ソルダーレジスト層１４の片
面に、全ての半田バンプ形成用開口に対向する部分に直
径１００μｍの開口を有するマスクを載置し、ピストン
式圧入型印刷機で半田ペーストを印刷することにより半
田ペースト層を形成した。なお、ここで充填した半田ペ
ーストは、Ｓｎ：Ａｇを重量比９６．５：３．５で配合
させた主として粒径５〜２０μｍの半田を含むもので、
その粘度を２５０Ｐａ・ｓに調整したものである。

【０２６２】また、ソルダーレジスト層１４の他の一面
には、上記と同様にＳｎ：Ｓｂ＝９５．０：５．０の半
田ペースト層を形成した後、導電性ピン７８を取り付け
た。

【０２６３】（５）その後、上記（４）の工程で形成し
た半田ペースト層を２６０℃でリフローし、さらに、フ
ラックス洗浄を行うことにより、半田バンプとＰＧＡ
（Pin Grid Array）とを備えた多層プリント配線板を得
た（図１９参照）。

【０２６４】（比較例１）実施例１の（１８）〜（２
１）の工程に代えて、全ての半田バンプ形成用開口に１
回の半田ペースト印刷で半田ペースト層を形成し、リフ
ローすることにより半田バンプを形成した以外は、実施
例１と同様にして多層プリント配線板を製造した。具体
的には、以下の工程を行った。

【０２６５】即ち、半田パッドを形成したソルダーレジ
スト層上に、全ての半田バンプ形成用開口に対向する部
分に直径１００μｍの開口を有するマスクを載置し、ピ
ストン式圧入型印刷機を用いて、半田バンプ形成用開口
に半田ペーストを印刷し、半田バンプを形成するための
半田ペースト層を形成した。その後、半田ペースト層を
２５０℃でリフローし、さらに、フラックス洗浄を行う
ことにより、半田バンプを備えた多層プリント配線板を
得た。なお、半田ペーストとしては、実施例１の（１
８）の工程で用いたものと同様のものを使用した。

【０２６６】（比較例２）実施例２の（１９）〜（２
２）の工程に代えて、全ての半田バンプ形成用開口に１
回の半田ペースト印刷で半田ペースト層を形成し、リフ
ローすることにより半田バンプを形成した以外は、実施
例２と同様にして多層プリント配線板を製造した。具体
的には、以下の工程を行った。

【０２６７】即ち、半田パッドを形成したソルダーレジ
スト層上に、全ての半田バンプ形成用開口に対向する部
分に直径１００μｍの開口を有するマスクを載置し、ピ
ストン式圧入型印刷機を用いて、半田バンプ形成用開口
に半田ペーストを印刷し、半田バンプを形成するための
半田ペースト層を形成した。その後、Ｓｎ：Ｓｂ＝９
５．０：５．０の半田ペースト層を形成した基板の片面
に導電性ピンを取り付け、さらに、半田ペースト層を２
６０℃でリフローした後、フラックス洗浄を行うことに
より、半田バンプとＰＧＡとを備えた多層プリント配線
板を得た。なお、半田ペーストとしては、実施例２の
（２１）の工程で用いたものと同様のものを使用した。

【０２６８】実施例１〜９および比較例１、２で得られ
た多層プリント配線板について、ソルダーレジスト層表
面の汚染の有無、半田バンプのボイドの有無、および、
半田バンプの形状と高さの観察、信頼性試験前後の性能
評価を下記の評価方法を用いて行った。結果を表１に示
した。

【０２６９】評価方法 （１）半田バンプのボイドの有無、半田バンプの形状と
高さ 多層プリント配線板の半田バンプが形成されている部分
をＸ線にて観察してボイドの有無を評価し、ソルダーレ
ジスト層からの半田バンプの高さを測定し、形状を観察
した。なお、形状については、半球状になっているもの
を○、そうでないものを×とした。

【０２７０】（２）信頼性試験 １３５℃、相対湿度８５％の条件下で１０００時間放置
した後、下記する導通試験を行い、多層プリント配線板
を半田バンプが形成されている部分で切断して半田バン
プの状態を観察した。信頼性試験と変わらないものを
○、クラック等が観察されたものを×とした。

【０２７１】（３）導通試験 多層プリント配線板を製造した後、上記信頼性試験前後
に導通試験を行い、モニターに表示された結果から導通
状態を評価した。短絡、断線のないものを○、短絡、断
線のあったものを×とした。

【０２７２】

【表１】

【０２７３】表１に示したように、実施例１〜９の多層
プリント配線板では、半田バンプにボイドは観察され
ず、半田バンプの高さ、形状は略均一であり、ソルダー
レジスト層の表面も半田ペーストで汚染されていなかっ
た。また、半田バンプ間での短絡もなく、信頼性試験前
後に行った導通試験にも全く問題はなく、信頼性試験後
にクラック、剥がれ等も見当たらなかった。

【０２７４】また、実施例６〜９の多層プリント配線板
では、第一の半田ペースト印刷工程で印刷した半田ペー
ストの除去工程を、スキージ処理とロール処理、また
は、スキージ処理と振動処理とで行っているが、これら
の実施例では、上記各処理をそれぞれ単独で行った場合
にも所望の形状の半田バンプを形成することができた。
また、第二の半田ペースト印刷工程で印刷する半田ペー
ストの粘度を１５０〜３５０Ｐａ・ｓの範囲で順次変更
し、実施例１と同様の方法を用いて半田バンプを形成し
た場合にも所望の形状の半田バンプを形成することがで
きた。

【０２７５】一方、比較例１の多層プリント配線板で
は、一回の印刷工程で粘度の低い半田ペーストのみを印
刷しているため、半田バンプにボイドは形成されていな
かったものの、高さも実施例１と比べてバラツキが大き
く、形状も一様でなかった。また、ソルダーレジスト層
の表面が半田ペーストで汚染されていた。これは、印刷
時に半田ペーストがマスクの裏側に回り込んだためであ
ると推定された。また、導通試験に関しては、半田バン
プ形成後は特に問題がなかったが、信頼性試験後には断
線、短絡が発生した。また、断線と確認された部分の半
田バンプの断面を観察すると、クラック、剥がれを引き
起こしていた。

【０２７６】また、比較例２の多層プリント配線板で
は、一回の印刷工程で粘度の高い半田ペーストのみを印
刷しているため、ソルダーレジスト層の表面は殆ど汚染
されていなかったものの、半田バンプには多くのボイド
が形成されており、高さも実施例２と比べてバラツキが
大きく、形状も一様でなかった。また、導通試験に関し
ては、半田バンプ形成後は特に問題がなかったが、信頼
性試験後には断線、短絡が発生した。また、断線と確認
された部分の半田バンプの断面を観察すると、比較例１
と比べて多くのクラックや剥がれが発生していた。これ
は、半田バンプ内のボイドから誘発されたものであると
推定された。

【０２７７】

【発明の効果】第一〜第三の本発明の多層プリント配線
板の製造方法は、上述した構成からなるため、均一な形
状および高さを有するとともに、相互間で短絡のない半
田バンプを形成することができ、接続性及び信頼性に優
れ、安定した品質の多層プリント配線板を製造すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）〜（ｃ）は、第一の本発明の多層プリン
ト配線板の製造方法における（ａ）〜（ｃ）の工程を模
式的に示す部分断面図である。

【図２】（ａ）は、スキージを用いて半田ペースト平坦
化工程を施す様子を模式的に示す説明図であり、（ｂ）
は、ロール装置を用いて半田ペースト平坦化工程を施す
様子を模式的に示す説明図であり、（ｃ）は、粘着ロー
ル装置を用いた処理を模式的に示す説明図である。

【図３】（ａ）は、振動装置を用いて半田ペースト平坦
化工程を施す様子を模式的に示す説明図であり、（ｂ）
は、振動処理に用いる振動装置の別の一例を模式的に示
す平面図であり、（ｃ）は、振動処理に用いる振動装置
のさらに別の一例を模式的に示す断面図である。

【図４】（ａ）〜（ｂ）は、第一の本発明の多層プリン
ト配線板の製造方法において、半田ペーストを印刷する
方法の一例を模式式に示す部分断面図である。

【図５】（ａ）〜（ｃ）は、第二の本発明の多層プリン
ト配線板の製造方法における（ａ）〜（ｃ）の工程を模
式的に示す部分断面図である。

【図６】（ａ）は、第三の本発明の製造方法で製造する
多層プリント配線板の一例を模式的に示す平面図であ
り、（ｂ）は、（ａ）に示す多層プリント配線板の部分
断面図である。

【図７】（ａ）〜（ｃ）は、第三の本発明の多層プリン
ト配線板の製造方法における（ａ）〜（ｃ）の工程を模
式的に示す部分断面図である。

【図８】第三の本発明の多層プリント配線板の製造方法
の工程の一部を模式的に示す平面図である。

【図９】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配線
板の製造方法の工程の一部を示す断面図である。

【図１０】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配
線板の製造方法の工程の一部を示す断面図である。

【図１１】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配
線板の製造方法の工程の一部を示す断面図である。

【図１２】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配
線板の製造方法の工程の一部を示す断面図である。

【図１３】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配
線板の製造方法の工程の一部を示す断面図である。

【図１４】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の多層プリント配
線板の製造方法の工程の一部を示す断面図である。

【図１５】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の多層プリント配
線板の製造方法の工程の一部を示す断面図である。

【図１６】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配
線板の製造方法の工程の一部を示す断面図である。

【図１７】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配
線板の製造方法の工程の一部を示す断面図である。

【図１８】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配
線板の製造方法の工程の一部を示す断面図である。

【図１９】本発明の製造方法により得られる多層プリン
ト配線板の一例を模式的に示す断面図である。

【符号の説明】

１、３０ 基板 ８、３２ 銅箔 ４、３４ 下層導体回路 ９、３６ スルーホール ６、５２ バイアホール用開口 １２、４２ 薄膜導体層（無電解めっき膜） ３、４３ めっきレジスト １３、４４ 電解めっき膜 ２、５０ 層間樹脂絶縁層 １０、５４ 樹脂充填材 ５８ 蓋めっき層 １４、７０ ソルダーレジスト層 １７、７６ 半田バンプ ７８ 導電性ピン １３１ スキージ １３２ ロール装置 １３３ 振動装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5E314 AA27 CC15 DD07 FF05 FF19 GG03 5E319 AC01 BB05 CD02 GG05 5E346 AA15 CC04 CC09 CC32 DD12 FF13 FF45 GG15 GG22 HH08

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 導体回路を形成した基板上に、層間樹脂
   絶縁層と導体回路とを積層形成した後、最上層の導体回
   路上に、複数の半田バンプ形成用開口を有するソルダー
   レジスト層を設け、前記半田バンプ形成用開口に半田ペ
   ーストを印刷して半田バンプを形成する多層プリント配
   線板の製造方法であって、少なくとも下記（ａ）〜
   （ｃ）の工程を行うことを特徴とする多層プリント配線
   板の製造方法。 （ａ）１回以上の半田ペーストの印刷を行い、凹形状の
   半田バンプ形成用開口に半田ペーストを充填する第一の
   半田ペースト印刷工程、（ｂ）スキージ処理、ロール処
   理および振動処理のうちの少なくとも一の処理により、
   前記（ａ）の工程を経て充填された半田ぺーストの表面
   を平坦にする半田ペースト平坦化工程、および、（ｃ）
   １回以上の半田ペーストの印刷を行う第二の半田ペース
   ト印刷工程。
2. 【請求項２】 前記第一の半田ペースト印刷工程におい
   て、前記ソルダーレジスト層上に、前記半田バンプ形成
   用開口に対向する部分に開口を有するマスクを載置した
   後、半田ペーストを印刷する請求項１に記載の多層プリ
   ント配線板の製造方法。
3. 【請求項３】 導体回路を形成した基板上に、層間樹脂
   絶縁層と導体回路とを積層形成した後、最上層の導体回
   路上に、複数の半田バンプ形成用開口を有するソルダー
   レジスト層を設け、前記半田バンプ形成用開口に半田ペ
   ーストを印刷して半田バンプを形成する多層プリント配
   線板の製造方法であって、少なくとも下記（ａ）〜
   （ｃ）の工程を行うことを特徴とする多層プリント配線
   板の製造方法。 （ａ）１回以上の半田ペーストの印刷で、ソルダーレジ
   スト層の表面全体に半田ペーストを塗布し、半田バンプ
   形成用開口に半田ペーストを充填する第一の半田ペース
   ト印刷工程、（ｂ）スキージ処理、ロール処理および振
   動処理のうちの少なくとも一の処理により、半田バンプ
   形成用開口に充填した半田ペースト以外の半田ペースト
   を除去し、半田ペーストの表面とソルダーレジスト層の
   表面とを略同一平面とする半田ペースト除去工程、およ
   び、（ｃ）１回以上の半田ペーストの印刷を行う第二の
   半田ペースト印刷工程。
4. 【請求項４】 導体回路を形成した基板上に、層間樹脂
   絶縁層と導体回路とを積層形成した後、最上層の導体回
   路上に、複数の半田バンプ形成用開口を有するソルダー
   レジスト層を設け、前記半田バンプ形成用開口に半田ペ
   ーストを印刷して半田バンプを形成する多層プリント配
   線板の製造方法であって、少なくとも下記（ａ）〜
   （ｃ）の工程を行うことを特徴とする多層プリント配線
   板の製造方法。 （ａ）ソルダーレジスト層上の複数の半田バンプ形成用
   開口を含む一定領域に、一回以上半田ペーストを印刷
   し、前記半田バンプ形成用開口に半田ペーストを充填す
   る第一の半田ペースト印刷工程、（ｂ）スキージ処理、
   ロール処理および振動処理のうちの少なくとも一の処理
   により、半田バンプ形成用開口に充填した半田ペースト
   以外の半田ペーストを除去し、半田ペーストの表面とソ
   ルダーレジスト層の表面とを略同一平面とする半田ペー
   スト除去工程、および、（ｃ）１回以上の半田ペースト
   の印刷を行う第二の半田ペースト印刷工程。
5. 【請求項５】 前記第一の半田ペースト印刷工程におい
   て、前記ソルダーレジスト層上に、複数の半田バンプ形
   成用開口を含む一定領域に対向する部分に開口を有する
   マスクを載置した後、半田ペーストを印刷する請求項４
   に記載の多層プリント配線板の製造方法。
6. 【請求項６】 前記（ａ）の工程の後、前記（ｂ）の工
   程の前に、ソルダーレジスト層上の半田ペースト層の表
   面全体または表面の一部をプレスする半田ペーストプレ
   ス工程を行う請求項１〜５のいずれか１に記載の多層プ
   リント配線板の製造方法。
7. 【請求項７】 前記第二の半田ペースト印刷工程におい
   て、前記ソルダーレジスト層上に、前記半田バンプ形成
   用開口に対向する部分に開口を有するマスクを載置した
   後、半田ペーストを印刷する請求項１〜６のいずれか１
   に記載の多層プリント配線板の製造方法。
8. 【請求項８】 前記第一の半田ペースト印刷工程で印刷
   する半田ペーストの粘度が、前記第二の半田ペースト印
   刷工程で印刷する半田ペーストの粘度よりも低い請求項
   １〜７のいずれか１に記載の多層プリント配線板の製造
   方法。
9. 【請求項９】 前記第一の半田ペースト印刷工程におい
   て、１回目の半田ペーストの印刷で、その底面に窪みを
   有する半田バンプ形成用開口のみに、その窪み部分が充
   填される程度に半田ペーストを印刷し、２回目の半田ペ
   ーストの印刷で、凹形状の半田バンプ形成用開口を完全
   に充填するように、ソルダーレジスト層の表面全体に半
   田ペーストを塗布する請求項１〜８のいずれか１に記載
   のプリント配線板の製造方法。