JP4226125B2 - プリント配線板の製造方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半田バンプを介して集積回路チップを載置するパッケージ基板等を形成するプリント配線板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般にプリント配線基板の表層は、ＩＣチップ等を実装するために、半田バンプ等を形成し、これら半田バンプが互い融着しないようにソルダーレジスト層を設けてある。具体的には、導体回路からなる半田パッドの上にソルダーレジスト層を設け、この開口にニッケルめっき層、金めっき層を設けた後、半田ペースト等を印刷、リフローして半田バンプを形成する。その後、ターゲットマークを印刷する。そして、該ターゲットマークを基準に位置決めし、半田バンプを介してＩＣチップを取りつけた後、該半田バンプとＩＣチップとの接続信頼性を高めるために、ＩＣチップとプリント配線板との間にアンダーフィル(封止用樹脂)を充填する。
また、現在、導体回路上に上述したニッケルめっき層及び金めっき層を介さずに、半田ペーストを直接印刷して半田バンプを形成する方法も採用されている
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
ここで、該プリント配線板にＩＣチップを取り付ける際に、ＩＣチップ側の半田バンプをＩＣチップ側の半田パッドへ接合できていない実装不良が発生することがあった。
【０００４】
また、ＩＣチップとプリント配線板との接合信頼性を長期に渡り保つためには、実装時にアンダーフィルとソルダーレジスト層との密着性を高める必要がある。即ち、アンダーフィルとソルダーレジスト層との密着性が低いと、両者の界面から水分が侵入し、半田バンプからの半田マイグレーション（鉛イオンがソルダーレジスト層内を拡散する現象）が発生し、半田バンプ相互の短絡が生じる。また、動作中の高温時に膨脹し、半田バンプおよびＩＣの接合部へ応力を加わえ、亀裂、破壊を生じさせて断線を引き起こすことがある。
しかしながら、ソルダーレジスト層の表面は、高温に晒される半田バンプ形成工程にて、酸化膜層が形成され、濡れ性が低下しているため、充分な密着力を得ることができなかった。
【０００５】
更に、ソルダーレジストの表面は濡れ性が低いため、ターゲットマーク等の位置決めマークを鮮明に印刷することができなかった。このため、該ターゲットマークを光学的に正確に検出することができなくなり、ＩＣチップの載置が適正に行えない等の後工程での課題が発生していた。
【０００６】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その主たる目的は、ＩＣチップとプリント配線板との接合を確実にでき、また、位置決めマークを鮮明に印刷し得るプリント配線板の製造方法を提案することにある、
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上述した半田バンプの接続信頼性の低下の原因を検討した結果、プリント配線板側の半田バンプの表面の汚染により、半田バンプの溶融した金属ボール、および、該金属ボール表面のフラックスの濡れ性が低下し、接続信頼性が低下しているとの結論を得た。
ここで、該半田バンプ表面の汚染は、半田バンプ形成後に、短絡・断線を確認するチェッカー工程において、金属製検査プローブを押し当てた際に油脂分が付着するものと考えられる。そして、該汚染により、半田バンプにより、半田バンプ表面の濡れ性が悪くなり、ＩＣチップ側の金属ボール、および、フラックスがはじかれてしまい、実装不良を起こしていると知見した。
【０００８】
上述のように金属ボールを保護するアンダーフィルとソルダーレジストとの密着性を向上させる必要があるが、半田バンプの形成時およびその後に、ソルダーレジストの表面は、酸化層が形成され、接触角度が大きくなり、濡れ性を悪くし、これが密着性を下げる原因となっていた。
【０００９】
そこで、酸処理によりソルダーレジスト表面の酸化膜層を溶解させる、あるいは、研磨機などによって酸化膜層を除去させることにより、接触角度を変え、樹脂などとの濡れ性を向上させる方法も考え得る。しかし、酸処理により酸化膜層に溶解させたとしても、均一に酸化膜層を除去することはできない。また、研磨機等により物理的に酸化膜層を除去させると、ソルダーレジスト層が剥離することがあり、現実的ではない。
【００１０】
本発明者らは、半田バンプ表面の汚染、および、ソルダーレジスト層表面の酸化膜層を除去し、かつ、除去時にソルダーレジスト層、および、半田バンプが耐えられる方法を模索した結果、半田バンプ形成後に、プラズマにより半田バンプ表面の汚染、および、ソルダーレジスト層表面の酸化膜層を除去する、また、ソルダーレジスト層の酸化膜層を除去、かつ、半田バンプの汚染を確実に除去でき、更に、ソルダーレジスト層の濡れ性を高め鮮明に位置決めマークを印刷できる方法の本発明に至った。すなわち、発明の要旨構成は、以下のようである。
【００１１】
ソルダーレジスト層を形成し、その開口部に半田バンプを形成させた後、気体プラズマによるソルダーレジスト層の表面処理を施す。その処理方法は、半田バンプ形成したプリント配線板を真空状態にした装置内に入れ、酸素、あるいは、窒素、炭酸ガス、四フッカ炭素のプラズマを放出させて、開口部の半田バンプ表面の汚染、および、ソルダーレジスト層表面の酸化膜層を除去させた。
【００１２】
プラズマ処理によって半田バンプの汚染を除去し、実装不良を低減させる最適条件は、プラズマ放出量は、５００〜１０００Ｗ、気体供給量は、１００〜５００ｓｅｃ．／Ｍ、処理時間は、１〜１５分で行うのがよい。
また、プラズマ処理により、ソルダーレジスト層表面の酸化膜層を除去することによって、ソルダーレジスト層表面の酸化膜層を除去することにより、ソルダーレジスト層、および、半田バンプを損傷させることなく、アンダーフィルとの密着性を向上させることができる。更に、ソルダーレジスト層の濡れ性を高め鮮明に位置決めマークを印刷できる。
【００１３】
ここで、処理時間が１分以下の場合には、半田バンプの汚れを十分に除去できず、また、ソルダーレジスト層の粗化による接触角度の低下を行い得ない。他方、１５分を超えると、半田バンプの表面に酸化が発生して、むしろ接続信頼性が低下する。このため、処理時間は上述したように１〜１５分がよい。
【００１４】
接触角度は、ソルダーレジスト層表面に水滴を一滴垂らし、その水滴の接触角度を測定した。
ソルダーレジスト層の接触角度は４０°以下が望ましい。接触角度が４０°を越えると、濡れ性が低下してしまうため、アンダ−フィルとソルダーレジストとの密着が低下し、高温高湿条件での信頼性試験を行うとアンダ−フィルとソルダーレジストとの界面から、水が侵入しやすくなり、半田バンプの破壊が早期に始まる。
他方、ソルダーレジスト層に上述した半田バンプの表面に酸化を生じせしめない範囲でプラズマ処理を行っても接触角度を８度未満にすることは困難である。このため、接触角度は８〜４０°の範囲であることが望ましい。
【００１５】
ＡＦＭ測定で測定を行った結果、ソルダーレジスト表面の最大高さ（Ｒｊ）．１〜１００ｎｍの範囲であることが望ましいことが判明した。
即ち、最大高さ（Ｒｊ）が０．１ｎｍ未満のときには、接触角度が４０°を越え、前述の問題を起こす。
他方の最大高さ（Ｒｊ）１００ｎｍを越えたときも酸化が発生して接続信頼性が低下するからである。
【００１６】
半田バンプ形成工程の他には、基板の導通を検査するチェッカー工程、ソルダーレジスト層表面に行う文字印刷工程、適時なサイズのパッケージに切断する切断工程、洗浄工程などがある。
また、文字印刷工程において、工程認識用のターゲットマークを形成する場合には、半田バンプ工程―プラズマ工程−文字印刷工程を経て、プリント配線板を製造するのが一番望ましい。それにより、ソルダーレジスト層の濡れ性が向上するために、文字印刷の文字が鮮明になり、工程認識用のターゲットマークも当然鮮明になるために次工程への悪影響を抑えられる。この場合、インク飛散による半田バンプへの汚染を防止するために、半田バンプをマスキングした後、文字印刷を行う、または、再度、プラズマ処理を施すのがよい。ここで、マスキングを用いる方法は、廉価に行え、プラズマを用いる方法は、汚染を完全に除去できる。
【００１７】
一方、プラズマ処理を行った後、半田バンプ形成、印刷を行うことも可能である。この場合も、ソルダーレジスト層の濡れ性を高めることができるため、ターゲットマークを鮮明に印刷でき、また、アンダーフィルとの接着性を高めることができる。
【００１８】
チェッカー工程は、半田バンプを形成した後であれば、どの工程の間で行ってもよい。特に、プラズマ工程の前に行うのが望ましい。半田バンプへの汚染による判定の良否への影響がないからである。また、切断工程や洗浄工程では、ソルダレジスト層の濡れ性が低下しないので、本質的にどの工程間で行うことも可能であるが、切断のごみ、くずの影響をなくすためには、プラズマ工程の前に行うのが望ましい。
【００１９】
【発明の実施の形態】
本発明のプリント配線基板を製造する方法について説明する。以下の方法は、セミアディティブ法によるものであるが、フルアディティブ法を採用してもよい。
【００２０】
まず、基板の表面に導体回路を形成した配線基板を作成する。基板としては、ガラスエポキシ基板、ポリイミド基板、ビスマレイミド−トリアジン樹脂基板等の樹脂絶縁基板、銅張り積層板、セラミック基板、金属基板等の基板に無電解めっき用接着剤層を形成し、この接着剤層表面を粗化して粗化面とし、この粗化面全体に薄付けの無電解めっきを施し、めっきレジストを形成し、めっきレジスト非形成部分に厚付けの電解めっきを施した後、めっきレジストを除去し、エッチング処理して、電解めっき膜と無電解めっき膜とからなる導体回路を形成する方法により行う。導体回路は、いずれも銅パタ−ンがよい。
【００２１】
導体回路を形成した基板には、導体回路あるいはスル−ホ−ルにより、凹部が形成される。その凹部を埋めるために樹脂充填剤を塗布し、乾燥した後、不要な樹脂充填剤を研磨により研削して、導体回路を露出させたのち、樹脂充填剤を本硬化させる。
【００２２】
次いで、露出した導体回路に粗化層を設ける。形成される粗化層は、エッチング処理、研磨処理、酸化処理、酸化還元処理により形成された銅の粗化面またはめっき皮膜であることが望ましい。
【００２３】
本発明で使用される無電解めっき用接着剤は、硬化処理された酸あるいは酸化剤に可溶性の耐熱性樹脂粒子が、酸あるいは酸化剤に難溶性の未硬化の耐熱性樹脂中に分散されてなるものが最適である。
酸、酸化剤で処理することにより、耐熱性樹脂粒子が溶解除去されて、表面に蛸つぼ状のアンカーからなる粗化面を形成できる。
【００２４】
上記無電解めっき用接着剤において、特に硬化処理された前記耐熱性樹脂粒子としては、▲１▼平均粒径が10μｍ以下の耐熱性樹脂粉末、▲２▼平均粒径が２μｍ以下の耐熱性樹脂粉末を凝集させた凝集粒子、▲３▼平均粒径が２〜10μｍの耐熱性粉末樹脂粉末と平均粒径が２μｍ以下の耐熱性樹脂粉末との混合物、▲４▼平均粒径が２〜10μｍの耐熱性樹脂粉末の表面に平均粒径が２μｍ以下の耐熱性樹脂粉末または無機粉末のいずれか少なくとも１種を付着させてなる疑似粒子、▲５▼平均粒径が０．１〜０．８μｍの耐熱性粉末樹脂粉末と平均粒径が０．８μｍを越え、２μｍ未満の耐熱性樹脂粉末との混合物、▲６▼平均粒径が０．１〜１．０μｍの耐熱性粉末樹脂粉末を用いることが望ましい。これらは、より複雑なアンカーを形成できるからである。
【００２５】
前記酸あるいは、酸化剤に難溶性の耐熱性樹脂としては、「熱硬化性樹脂および熱可塑性樹脂からなる樹脂複合体」又は「感光性樹脂および熱可塑性樹脂からなる樹脂複合体」からなることが望ましい。前者については耐熱性が高く、後者についてはバイアホ−ル用の開口をフォトリソグラフィ−により形成できるからである。
【００２６】
前記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノ−ル樹脂、ポリイミド樹脂などを使用できる。また、感光化する場合は、メタクリル酸やアクリル酸などと熱硬化基をアクリル化反応させる。特にエポキシ樹脂のアクリレ−トが最適である。
エポキシ樹脂としては、フェノ−ルノボラック型、クレゾ−ルノボラック型などのノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変成した脂環式エポキシ樹脂などを使用することができる。
熱可塑性樹脂としては、ポリエ−テルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリスルホォン（ＰＳＦ）、ポリフェニレンスルフォン（ＰＰＳ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＥＳ），ポリフェニルエ−テル（ＰＰＥ）、ポリエ−テルイミド（ＰＩ）などを使用できる。
【００２７】
熱硬化性樹脂（感光性樹脂）と熱可塑性樹脂の混合割合は、熱硬化性樹脂（感光性樹脂）／熱可塑性樹脂＝９５／５〜５０／５０がよい。耐熱性を損なうことなく、高い靱性値を確保できる。
前記耐熱性樹脂粒子の混合比は、耐熱性樹脂マトリックスの固形分に対して５〜５０重量％、望ましくは１０〜４０重量％がよい。
耐熱性粒子は、アミノ樹脂（メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン樹脂）、エポキシ樹脂などがよい。
なお、接着剤は、組成の異なる２層により構成してもよい。
【００２８】
次に、層間絶縁樹脂層を硬化する一方で、その層間樹脂樹脂層にはバイアホ−ル形成用の開口を設ける。
【００２９】
層間絶縁樹脂層の硬化処理は、無電解めっき用接着剤の樹脂マトリックスが熱硬化樹脂である場合は、レ−ザ−光や酸素プラズマ等を用いて穿孔し、感光性樹脂である場合は露光現像処理にて穿孔する。なお、露光現像処理は、バイアホ−ル形成のための円パタ−ンが描画されたフォトマスク（ガラス基板がよい）を、円パタ−ン側を感光性の層間樹脂絶縁層の上に密着させて載置した後、露光、現像処理する。
【００３０】
次に、バイアホ−ル形成用開口を設けた層間樹脂絶縁層（無電解めっき用接着剤層）の表面を粗化する。特に本実施形態では、無電解めっき用接着剤層の表面に存在する耐熱性樹脂粒子を酸又は酸化剤で溶解除去することにより、接着剤層表面を粗化処理する。このとき、層間絶縁樹脂層に粗化層が形成される。
【００３１】
前記酸処理としては、リン酸、塩酸、硫酸、又は蟻酸や酢酸等の有機酸を用いることができる。特に有機酸を用いるのが望ましい。粗化処理した場合に、バイアホ−ルから露出する金属導体層を腐食させにくいからである。
前記酸化処理は、クロム酸、過マンガン酸塩（過マンガン酸カリウム等）を用いることが望ましい。
【００３２】
前記粗化層は、最大粗度Ｒｍａｘ０．１〜２０μｍがよい。厚すぎると粗化層自体が損傷、剥離しやすく、薄すぎると密着性が低下するからである。特にセミアディティブ法では、０．１〜５μｍがよい。密着性を確保しつつ、無電解めっき膜を除去できるからである。
【００３３】
次に、粗化し触媒核を付与した層間絶縁樹脂上の全面に薄付けの無電解めっき膜を形成する。この無電解めっき膜は、無電解銅めっきがよく、その厚みは、１〜５μｍ，より望ましくは２〜３μｍとする。なお、無電解銅めっき液としては、常法で採用される液組成のものを使用でき、例えば、硫酸銅：29ｇ／ｌ、炭酸ナトリウム：25ｇ／ｌ、ＥＤＴＡ：140 ｇ／ｌ、水酸化ナトリウム：40ｇ／ｌ、37％ホルムアルデヒド： 150ｍｌ、（ＰＨ＝11.5）からなる液組成のものがよい。
【００３４】
次に、このように形成した無電解めっき膜上に感光性樹脂フィルム（ドライフィルム）をラミネ−トし、この感光性樹脂フィルム上に、めっきレジストパタ−ンが描画されたフォトマスク（ガラス基板がよい）を密着させて載置し、露光し、現像処理することにより、めっきレジストパタ−ンを配設した非導体部分を形成する。
【００３５】
次に、無電解銅めっき膜上の非導体部分以外に電解めっき膜を形成し、導体回路とバイアホ−ルとなる導体部を設ける。電解めっきとしては、電解銅めっきを用いることが望ましく、その厚みは、10〜20μｍがよい。
【００３６】
次に、非導体回路部分のめっきレジストを除去した後、さらに、硫酸と過酸化水素の混合液や過硫酸ナトリウム、過硫酸アンモニウム、塩化第二鉄、塩化第二銅等のエッチング液にて無電解めっき膜を除去し、無電解めっき膜と電解めっき膜の２層からなる独立した導体回路とバイアホ−ルを得る。なお、非導体部分に露出した粗化面上のパラジウム触媒核は、クロム酸、硫酸過水等により溶解除去する。
【００３７】
次いで、表層の導体回路に粗化層を形成する。形成される粗化層は、エッチング処理、研磨処理、酸化処理、酸化還元処理により形成された銅の粗化面又もしくはめっき被膜により形成された粗化面であることが望ましい。
【００３８】
次いで、前記導体回路上にソルダ−レジスト層を形成する。本実施形態におけるソルダーレジスト層の厚さは、５〜４０μｍがよい。薄すぎるとソルダーダムとして機能せず、厚すぎると開口しにくくなる上、半田体と接触し半田体に生じるクラックの原因となるからである。
ソルダーレジスト層としては、種々の樹脂を使用でき、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂のアクリレート、ノボラック型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂のアクリレートをアミン系硬化剤やイミダゾール硬化剤などで硬化させた樹脂を使用できる。
特に、ソルダーレジスト層に開口を設けて半田バンプを形成する場合には、「ノボラック型エポキシ樹脂もしくはノボラック型エポキシ樹脂のアクリレート」からなり、「イミダゾール硬化剤」を硬化剤として含むものが好ましい。
【００３９】
このような構成のソルダーレジスト層は、鉛のマイグレーション（鉛イオンがソルダーレジスト層内を拡散する現象）が少ないという利点を持つ。しかも、このソルダーレジスト層は、ノボラック型エポキシ樹脂のアクリレートをイミダゾール硬化剤で硬化した樹脂層であり、耐熱性、耐アルカリ性に優れ、はんだが溶融する温度（200 ℃前後）でも劣化しないし、ニッケルめっきや金めっきのような強塩基性のめっき液で分解することもない。
しかしながら、このようなソルダーレジスト層は、剛直骨格を持つ樹脂で構成されるので剥離が生じやすい。導体回路上に形成した粗化層は、このような剥離を防止するために有効である。
【００４０】
ここで、上記ノボラック型エポキシ樹脂のアクリレートとしては、フェノールノボラックやクレゾールノボラックのグリシジルエーテルを、アクリル酸やメタクリル酸などと反応させたエポキシ樹脂などを用いることができる。
上記イミダゾール硬化剤は、25℃で液状であることが望ましい。液状であれば均一混合できるからである。
このような液状イミダゾール硬化剤としては、1-ベンジル−2-メチルイミダゾール（品名：1B2MZ ）、1-シアノエチル−2-エチル−4-メチルイミダゾール（品名：2E4MZ-CN）、4-メチル−2-エチルイミダゾール（品名：2E4MZ ）を用いることができる。
このイミダゾール硬化剤の添加量は、上記ソルダーレジスト組成物の総固形分に対して１〜10重量％とすることが望ましい。この理由は、添加量がこの範囲内にあれば均一混合がしやすいからである。
【００４１】
上記ソルダーレジストの硬化前組成物は、溶媒としてグリコールエーテル系の溶剤を使用することが望ましい。
このような組成物を用いたソルダーレジスト層は、遊離酸素が発生せず、銅パッド表面を酸化させない。また、人体に対する有害性も少ない。
このようなグリコールエーテル系溶媒としては、下記構造式のもの、特に望ましくは、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）およびトリエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＴＧ）から選ばれるいずれか少なくとも１種を用いる。これらの溶剤は、30〜50℃程度の加温により反応開始剤であるベンゾフェノンやミヒラーケトンを完全に溶解させることができるからである。
CH_３Ｏ-(CH_２CH_２Ｏ) _ｎ −CH_３ （ｎ＝１〜５）
このグリコールエーテル系の溶媒は、ソルダーレジスト組成物の全重量に対して10〜40wt％がよい。
【００４２】
以上説明したようなソルダーレジスト組成物には、その他に、各種消泡剤やレベリング剤、耐熱性や耐塩基性の改善と可撓性付与のために熱硬化性樹脂、解像度改善のために感光性モノマーなどを添加することができる。
例えば、レベリング剤としてはアクリル酸エステルの重合体からなるものがよい。また、開始剤としては、チバガイギー製のイルガキュアＩ９０７、光増感剤としては日本化薬製のＤＥＴＸ−Ｓがよい。
【００４３】
さらに、ソルダーレジスト組成物には、色素や顔料を添加してもよい。配線パターンを隠蔽できるからである。この色素としてはフタロシアニングリーンを用いることが望ましい。
【００４４】
添加成分としての上記熱硬化性樹脂としては、ビスフェノール型エポキシ樹脂を用いることができる。このビスフェノール型エポキシ樹脂には、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂があり、耐塩基性を重視する場合には前者が、低粘度化が要求される場合（塗布性を重視する場合）には後者がよい。
【００４５】
添加成分としての上記感光性モノマーとしては、多価アクリル系モノマーを用いることができる。多価アクリル系モノマーは、解像度を向上させることができるからである。例えば、日本化薬製ＤＰＥ−６Ａ又は共栄社化学製Ｒ−６０４のような多価アクリル系モノマーなどが望ましい
また、これらのソルダーレジスト組成物は、２５℃で０．５〜１０Ｐａ・ｓ、より望ましくは１〜１０Ｐａ・ｓがよい。ロールコータで塗布し易い粘度だからである。ソルダ−レジスト形成後、開口部を形成する。その開口は、露光、現像処理により形成する。
【００４６】
その後、ソルダ−レジスト層形成後に開口部に無電解めっきにてニッケルめっき層を形成させる。ニッケルめっき液の組成の例として硫酸ニッケル４．５ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム２５ｇ／ｌ、クエン酸ナトリウム４０ｇ／ｌ、ホウ酸１２ｇ／ｌ、チオ尿素０．１ｇ／ｌ（ＰＨ＝１１）がある。脱脂液により、ソルダ−レジスト層開口部、表面を洗浄し、パラジウムなどの触媒を開口部に露出した導体部分に付与し、活性化させた後、めっき液に浸漬し、ニッケルめっき層を形成させた。
ニッケルめっき層の厚みは、０．５〜２０μｍで、特に３〜１０μｍの厚みが望ましい。それ０．５μｍ未満では、半田バンプとニッケルめっき層の接続が取り難く、２０μｍを超えると、開口部に形成した半田バンプが収まりきれず、剥がれたりする。
【００４７】
ニッケルめっき層形成後、金めっきにて金めっき層を形成させる。厚みは、０．０３μｍである。金めっきを施すことで導体回路の防錆を図れる。
【００４８】
開口部に金属層を施した後、半田ペーストを印刷により開口部内に半田バンプを形成させる。その後、温度２５０℃にした窒素リフローを通し、半田バンプを開口部内に固定させる。
【００４９】
その後、酸素プラズマによって、半田バンプの表面の汚染、および、ソルダーレジストの表面の酸化膜を除去するとともに粗化層を形成させた。
真空状態にした中に、プラズマ放射量５００〜１０００Ｗ、酸素供給量１００〜５００ｓｅｃ.／Ｍ、酸素供給圧０．１５ＭＰａ、処理時間１〜１５分で行った。
特に処理時間は１０分未満で行うのがよい。ソルダーレジスト層の損傷がなく、印刷した文字の剥がれ、欠けなどが起きないからである。
この処理により、ソルダーレジスト層表面を、接触角度４０°以下で８°に近い値まで低下させ、最大粗度（Ｒｊ）を０．１〜１００ｎｍにした。なお、この実施形態では、プラズマ処理として、酸素、窒素、炭酸ガス、四フッ化炭素から選ばれる少なくとも１種類以上で行うことができる。
【００５０】
ソルダーレジスト層の表面に文字印刷を行った。使用するインクは、熱硬化性樹脂を用いて、製品名、ロットナンバー、ターゲットマークなどを形成させた。熱硬化を行い、文字を固めた。ここで、プラズマ処理によりソルダーレジスト表面の濡れ性が改善され、ターゲットマークを鮮明に印刷できる。
【００５１】
そして、基板を個片に分割切断する。その後、配線の短絡・断線を確認するチェッカー工程を経てプリント配線板を得た。
【００５２】
なお、プラズマ処理を施した後プラズマ処理を施した後、半田バンプ形成及び文字印刷を行ってもよい。この方法では、プラズマ処理の回数を減らすことができる。
【００５３】
個片に分割切断する工程、チェッカー工程は、半田バンプ形成後であれば、いつ行っても問題ないが、プラズマ工程、文字印刷工程を経てからがよい。その理由としては、生産性がよく、工程間の不具合（半田バンプ汚染、基板の汚れ）などが起きにくいからである。
【００５４】
【実施例】
以下、本発明の実施例について図を参照して説明する。
先ず、本発明の第１実施例に係る多層プリント配線板１０の構成について、図７〜図９を参照して説明する。図７は、該多層プリント配線板１０の断面図を、図８は、図７に示す多層プリント配線板１０の平面図を、図９は、図７に示す多層プリント配線板１０にＩＣチップ９０を取り付け、ドータボード９４へ載置した状態を示している。ここで、図８中のＡ−Ａ断面が、図７の断面図に相当する。図７に示すように、多層プリント配線板１０では、コア基板３０の表面及び裏面に導体回路３４、３４が形成され、更に、該導体回路３４、３４の上にビルドアップ配線層８０Ａ、８０Ｂが形成されている。該ビルトアップ層８０Ａ、８０Ｂは、バイアホール６０及び導体回路５８の形成された層間樹脂絶縁層５０と、バイアホール１６０及び導体回路１５８の形成された層間樹脂絶縁層１５０とからなる。該バイアホール１６０及び導体回路１５８の上層にはソルダーレジスト７０が形成されており、該ソルダーレジスト７０の開口部７１を介して、バイアホール１６０及び導体回路１５８にバンプ７６Ｕ、７６Ｄが形成されている。
【００５５】
図９中に示すように、多層プリント配線板１０の上面側の半田バンプ７６Ｕは、ＩＣチップ９０のランド９２へ接続される。一方、下側の半田バンプ７６Ｄは、ドーターボード９４のランド９６へ接続されている。ここで、多層プリント配線板１０とＩＣチップ９０との間、及び、多層プリント配線板１０とドータボード９４との間には、アンダーフィル８８が充填され樹脂封止されている。
【００５６】
図７中の多層プリント配線板１０の平面図である図８に示すように、半田バンプ７６Ｕは、プリント配線板の中央部に配設されている。該半田バンプ７６Ｕの外周には、該半田バンプ７６ＵにＩＣチップ９０を載置する際の基準位置を示す十字状のターゲットマーク９６Ａが印刷により形成されている。同様に、該ソルダーレジスト７０上に、ドータボード９４への取り付け時の基準位置を示す円状のターゲットマーク９６Ｂ、三角のターゲットマーク９６Ｃが印刷されている。更に、該ソルダーレジスト７０上には、ＩＣチップを多層プリント配線板１０に取り付ける取り付け装置にて製品を自動認識するためのバーコード９８ａ、製品名（製品認識文字：２１８ＡＨＭ）及びロットナンバー（製造認識文字：３１５６）からなる文字情報９８ｂが印刷されている。
【００５７】
上述した十字状のターゲットマーク９６Ａは、半田バンプ７６Ｕから５mm離して印刷されている。また、文字情報９８ｂは、半田バンプ７６Ｕから８mm離して印刷されている。即ち、半田バンプ７６Ｕから離して印刷することで、印刷の際に半田バンプ７６Ｕ側へインクが飛散しないようにされている。
【００５８】
後述するように本実施例では、ソルダーレジスト層７０をプラズマ処理して濡れ性を高めてから、上述したターゲットマーク９６Ａ、９６Ｂ、９６Ｃ、バーコード９８ａ、文字情報９８ｂを印刷するため、文字印刷用インクがはじかれ難く鮮明に形成できる。従って、該ターゲットマーク９６Ａ、９６Ｂ、９６Ｃを基準にして、ＩＣチップ９０の載置、及び、ドータボード９４への取り付けを正確に行える。更に、ソルダーレジスト層７０の濡れ性を改善してあるため、アンダーフィル８８によりＩＣチップ９０及びドータボード９４へ強固に接合できている。
【００５９】
引き続き、多層プリント配線板１０の製造方法について説明する。ここでは、先ず、第１実施例の多層プリント配線板の製造方法に用いるＡ．無電解めっき用接着剤、Ｂ．層間樹脂絶縁剤、Ｃ．樹脂充填剤、Ｄ．ソルダーレジストの原料組成物の組成について説明する。
【００６０】
Ａ．無電解めっき用接着剤調製用の原料組成物（上層用接着剤）
〔樹脂組成物▲１▼〕
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製、分子量2500）の25％アクリル化物を80wt％の濃度でＤＭＤＧに溶解させた樹脂液を35重量部、感光性モノマー（東亜合成製、アロニックスＭ315 ）3.15重量部、消泡剤（サンノプコ製、Ｓ−65）0.5 重量部、ＮＭＰ 3.6重量部を攪拌混合して得た。
〔樹脂組成物▲２▼〕
ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）12重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成製、ポリマーポール）の平均粒径 1.0μｍのものを 7.2重量部、平均粒径 0.5μｍのものを3.09重量部、を混合した後、さらにＮＭＰ30重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合して得た。
〔硬化剤組成物▲３▼〕
イミダゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）２重量部、光開始剤（チバガイギー製、イルガキュア Ｉ−907 ）２重量部、光増感剤（日本化薬製、DETX-S）0.2 重量部、ＮＭＰ 1.5重量部を攪拌混合して得た。
【００６１】
Ｂ．層間樹脂絶縁剤調製用の原料組成物（下層用接着剤）
〔樹脂組成物▲１▼〕
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製、分子量2500）の25％アクリル化物を80wt％の濃度でＤＭＤＧに溶解させた樹脂液を35重量部、感光性モノマー（東亜合成製、アロニックスＭ315 ）４重量部、消泡剤（サンノプコ製、Ｓ−65）0.5 重量部、ＮＭＰ 3.6重量部を攪拌混合して得た。
〔樹脂組成物▲２▼〕
ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）12重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成製、ポリマーポール）の平均粒径 0.5μｍのものを 14.49重量部、を混合した後、さらにＮＭＰ30重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合して得た。
〔硬化剤組成物▲３▼〕
イミダゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）２重量部、光開始剤（チバガイギー製、イルガキュア Ｉ−907 ）２重量部、光増感剤（日本化薬製、DETX-S）0.2 重量部、ＮＭＰ1.5 重量部を攪拌混合して得た。
【００６２】
Ｃ．樹脂充填剤調製用の原料組成物
〔樹脂組成物▲１▼〕
ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル製、分子量310 、YL983U） 100重量部、表面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒径 1.6μｍのSiＯ_２ 球状粒子（アドマテック製、CRS 1101−CE、ここで、最大粒子の大きさは後述する内層銅パターンの厚み（15μｍ）以下とする） 170重量部、レベリング剤（サンノプコ製、ペレノールＳ４）1.5 重量部を攪拌混合することにより、その混合物の粘度を23±１℃で45,000〜49,000cps に調整して得た。
〔硬化剤組成物▲２▼〕
イミダゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）6.5 重量部。
【００６３】
Ｄ．ソルダーレジストの原料組成物
ＤＭＤＧに溶解させた60重量％のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製）のエポキシ基50％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量4000）を 46.67ｇ、メチルエチルケトンに溶解させた80重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル製、エピコート1001）15.0ｇ、イミダゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）1.6 ｇ、感光性モノマーである多価アクリルモノマー（日本化薬製、Ｒ604 ）３ｇ、同じく多価アクリルモノマー（共栄社化学製、DPE6A ） 1.5ｇ、分散系消泡剤（サンノプコ社製、Ｓ−65）0.71ｇを混合し、さらにこの混合物に対して光開始剤としてのベンゾフェノン（関東化学製）を２ｇ、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学製）を 0.2ｇ加えて、粘度を25℃で 2.0Pa・ｓに調整したソルダーレジスト組成物を得た。
なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器、 DVL-B型）で 60rpmの場合はローターNo.4、６rpm の場合はローターNo.3によった。
【００６４】
プリント配線板の製造
(1) 厚さ１mmのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる基板３０の両面に18μｍの銅箔３２がラミネートされている銅張積層板３０Ａを出発材料とした（図１の工程（Ａ））。まず、この銅張積層板をドリル削孔し、無電解めっき処理を施し、パターン状にエッチングすることにより、基板の両面に内層銅パターン３４とスルーホール３６を形成した（工程（Ｂ））。
【００６５】
(2) 内層銅パターン３４およびスルーホール３６を形成した基板３０を水洗いし、乾燥した後、酸化浴（黒化浴）として、NaOH（10ｇ／ｌ），NaClＯ_２ （40ｇ／ｌ）， Na_３PO_４（６ｇ／ｌ）、還元浴として、NaOH（10ｇ／ｌ），NaBH_４ （６ｇ／ｌ）を用いた酸化−還元処理により、内層銅パターン３４およびスルーホール３６の表面に粗化層３８を設けた（工程（Ｃ））。
【００６６】
(3) Ｃの樹脂充填剤調製用の原料組成物を混合混練して樹脂充填剤を得た。
【００６７】
(4) 前記(3) で得た樹脂充填剤を、調製後24時間以内に導体回路間あるいはスルーホール３６内に塗布、充填した。
塗布方法として、スキ−ジを用いた印刷法で行った。１回目の印刷塗布は、主にスルーホール３６内を充填して、乾燥炉内の温度100 ℃，２０分間乾燥させた。
また、２回目の印刷塗布は、主に導体回路（内層銅パターン）３４の形成で生じた凹部を充填して、導体回路３４と導体回路３４との間およびスルーホール３６内を樹脂充填剤４０で充填させたあと、前述の乾燥条件で乾燥させた（工程（Ｄ））。
【００６８】
(5) 前記(4) の処理を終えた基板３０の片面を、＃600 のベルト研磨紙（三共理化学製）を用いたベルトサンダー研磨により、内層銅パターン３４の表面やスルーホール３６のランド３６ａ表面に樹脂充填剤が残らないように研磨し、次いで、前記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このような一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った（図２の工程（Ｅ））。
次いで、100 ℃で１時間、 150℃で１時間、の加熱処理を行って樹脂充填剤４０を硬化した。
【００６９】
このようにして、スルーホール３６等に充填された樹脂充填剤４０の表層部および内層導体回路３４上面の粗化層３８を除去して基板両面を平滑化し、樹脂充填剤４０と内層導体回路３４の側面とが粗化層３８を介して強固に密着し、またスルーホール３６の内壁面と樹脂充填剤４０とが粗化層３８を介して強固に密着した配線基板を得た。即ち、この工程により、樹脂充填剤４０の表面と内層銅パターン３４の表面が同一平面となる。
【００７０】
(6) 導体回路３４を形成した基板３０にアルカリ脱脂してソフトエッチングして、次いで、塩化パラジウウムと有機酸からなる触媒溶液で処理して、Ｐｄ触媒を付与し、この触媒を活性化した後、硫酸銅３．９×１０^−２ｍｏｌ／ｌ、硫酸ニッケル３．８×１０^−３ｍｏｌ／ｌ、クエン酸ナトリウム７．８×１０^−３ｍｏｌ／ｌ、次亜りん酸ナトリウム２．３×１０^−１ｍｏｌ／ｌ、界面活性剤（日信化学工業製、サーフィール４６５）１．１×１０^−４ｍｏｌ／ｌ、ＰＨ＝９からなる無電解めっき液に浸積し、浸漬１分後に、４秒当たり１回に割合で縦、および、横振動させて、導体回路およびスルーホールのランドの表面にＣｕ−Ｎｉ−Ｐからなる針状合金の被覆層及び粗化層４２を設けた（工程（Ｆ））。
さらに、ホウフっ化スズ０．１ｍｏｌ／ｌ、チオ尿素１．０ｍｏｌ／ｌ、温度３５℃、ＰＨ＝１．２の条件でＣｕ−Ｓｎ置換反応させ、粗化層の表面に厚さ０．３μｍＳｎ層（図示せず）を設けた。
【００７１】
(7) Ｂの層間樹脂絶縁剤調製用の原料組成物を攪拌混合し、粘度1.5 Pa・ｓに調整して層間樹脂絶縁剤（下層用）を得た。
次いで、Ａの無電解めっき用接着剤調製用の原料組成物を攪拌混合し、粘度７Pa・ｓに調整して無電解めっき用接着剤溶液（上層用）を得た。
【００７２】
(8) 前記(6) の基板３０の両面に、前記(7) で得られた粘度 1.5Pa・ｓの層間樹脂絶縁剤（下層用）４４を調製後24時間以内にロールコータで塗布し、水平状態で20分間放置してから、60℃で30分の乾燥（プリベーク）を行い、次いで、前記(7) で得られた粘度７Pa・ｓの感光性の接着剤溶液（上層用）４６を調製後24時間以内に塗布し、水平状態で20分間放置してから、60℃で30分の乾燥（プリベーク）を行い、厚さ35μｍの接着剤層５０αを形成した（工程（Ｇ））。
【００７３】
(9) 前記(8) で接着剤層を形成した基板３０の両面に、85μｍφの黒円５１ａが印刷されたフォトマスクフィルム５１を密着させ、超高圧水銀灯により 500mJ／cm^２ で露光した（工程（Ｈ））。これをＤＭＴＧ溶液でスプレー現像し、さらに、当該基板を超高圧水銀灯により3000mJ／cm^２ で露光し、100 ℃で１時間、120 ℃で１時間、その後 150℃で３時間の加熱処理（ポストベーク）をすることにより、フォトマスクフィルムに相当する寸法精度に優れた85μｍφの開口（バイアホール形成用開口）４８を有する厚さ35μｍの層間樹脂絶縁層（２層構造）５０を形成した（図３の工程（Ｉ））。なお、バイアホールとなる開口４８には、スズめっき層（図示せず）を部分的に露出させた。
【００７４】
(10)開口４８が形成された基板３０を、クロム酸に19分間浸漬し、層間樹脂絶縁層の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、当該層間樹脂絶縁層５０の表面を粗化とし、その後、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした（工程（Ｊ））。
さらに、粗面化処理（粗化深さ６μｍ）した該基板の表面に、パラジウム触媒（アトテック製）を付与することにより、層間樹脂絶縁層５０の表面およびバイアホール用開口４８の内壁面に触媒核を付けた。
【００７５】
(11)以下に示す組成の無電解銅めっき水溶液中に基板を浸漬して、粗面全体に厚さ0.6 〜1.2 μｍの無電解銅めっき膜５２を形成した（工程（Ｋ））。
〔無電解めっき水溶液〕
ＥＤＴＡ 0.08 mol ／ｌ
硫酸銅 0.03 mol ／ｌ
ＨＣＨＯ 0.05 mol ／ｌ
ＮａＯＨ 0.05 mol ／ｌ
α、α’−ビピリジル 80 mg／ｌ
ＰＥＧ 0.10 ｇ／ｌ
〔無電解めっき条件〕
65℃の液温度で20分
【００７６】
(12)前記(11)で形成した無電解銅めっき膜５２上に市販の感光性ドライフィルムを張り付け、マスクを載置して、100 mJ／cm^２ で露光、0.8 ％炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ15μｍのめっきレジスト５４を設けた（工程（Ｌ））。
【００７７】
(13)ついで、レジスト非形成部分に以下の条件で電解銅めっきを施し、厚さ15μｍの電解銅めっき膜５６を形成した（図４の工程（Ｍ））。

【００７８】
(14)めっきレジスト５４を５％KOH で剥離除去した後、硫酸と過酸化水素混合液でエッチングし、めっきレジスト下の無電解めっき膜５２を溶解除去し、無電解めっき５２及び電解銅めっき膜５６からなる厚さ１８μｍ（１０〜３０μｍ）の導体回路５８及びバイアホール６０を得た（工程（Ｎ））。
【００７９】
更に、70℃で80ｇ／Ｌのクロム酸に３分間浸漬して、導体回路５８間の無電解めっき用接着剤層５０の表面を１μｍエッチング処理し、表面のパラジウム触媒を除去した。
【００８０】
(15)(6)と同様の処理を行い、導体回路５８及びバイアホール６０の表面にCu-Ni-P からなる粗化面６２を形成し、さらにその表面にSn置換を行った（工程（Ｏ））。
【００８１】
(16)(7)〜(14)の工程を繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層１６０とバイアホール１６０及び導体回路１５８を形成する。さらに、バイアホール１６０及び該導体回路１５８の表面に粗化層１６２を形成し、多層プリント配線板を完成する（工程（Ｐ））。なお、この上層の導体回路を形成する工程においては、Ｓｎ置換は行わなかった。
【００８２】
(17)そして、上述した多層プリント配線板にはんだバンプを形成する。前記(16)で得られた基板３０両面に、上記Ｄ．にて説明したソルダーレジスト組成物７０αを20μｍの厚さで塗布した（図５の工程（Ｑ））。次いで、70℃で20分間、70℃で30分間の乾燥処理を行った後、円パターン（マスクパターン）が描画された厚さ５mmのフォトマスクフィルム（図示せず）を密着させて載置し、1000mJ／cm^２ の紫外線で露光し、DMTG現像処理した。そしてさらに、80℃で１時間、 100℃で１時間、 120℃で１時間、 150℃で３時間の条件で加熱処理し、はんだパッド部分（バイアホールとそのランド部分を含む）の開口７１（開口径 200μｍ）を有するソルダーレジスト層（厚み20μｍ）７０を形成した（工程（Ｒ））。
【００８３】
(18)その後、塩化ニッケル2.3 ×10^−１ｍｏｌ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム2.8 ×10^−１ｍｏｌ／ｌ、クエン酸ナトリウム1.6 ×10^−１ｍｏｌ／ｌ、からなるｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に、20分間浸漬して、開口部７１に厚さ５μｍのニッケルめっき層７２を形成した。さらに、その基板を、シアン化金カリウム7.6 ×10^−３ｍｏｌ／ｌ、塩化アンモニウム1.9 ×10^−１ｍｏｌ／ｌ、クエン酸ナトリウム1.2 ×10^−１ｍｏｌ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム1.7 ×10^−１ｍｏｌ／ｌからなる無電解金めっき液に80℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層７２上に厚さ0.03μｍの金めっき層７４を形成した（工程（Ｓ））。
【００８４】
(19)そして、ソルダーレジスト層７０の開口部７１に、半田ペーストを印刷して 200℃でリフローすることにより、半田バンプ（半田体）７６Ｕ、７６Ｄを形成した（図６の工程（Ｔ））。
【００８５】
(20)その後、ソルダーレジスト層７０の表面に酸素プラズマ処理を施した（工程（Ｕ））。該酸素プラズマ処理には、九州松下製プラズマクリーニング装置を用い、真空状態にした中に、プラズマ放射量８００Ｗ、酸素供給量３００ｓｅｃ.／Ｍ、酸素供給圧０．１５ＭＰａ、処理時間１０分で行った。この処理により、ソルダーレジスト層表面を、接触角度２０°まで低下させ、最大粗度（Ｒｊ）を３０ｎｍにした。同時に、半田バンプ７６Ｕ、７６Ｄ表面の汚れを除去した。
【００８６】
(21)ソルダーレジスト上に文字印字を行った（図７）。熱硬化性樹脂の文字印字用インクの粘度は５００００ｃｐｓで、図８を参照して上述したように厚さ３０μｍに、十字状のターゲットマーク９６Ａ、円状のターゲットマーク９６Ｂ、三角のターゲットマーク９６Ｃ、バーコード９８ａ、文字情報９８ｂをスクリーン印刷した。該印刷後、減圧室にてインク中の気泡を抜いてから（脱泡処理）、インクを乾燥させ（乾燥処理）、加熱炉中で１００度／３０分＋１２０度／３０分加熱して熱硬化性樹脂からなる文字印刷用のインクを硬化させた（硬化処理）。本実施例では、ソルダーレジスト層７０にプラズマ処理を施し濡れ性を改善してあるため、インクがはじかれず、鮮明に印刷することができる。
【００８７】
(22)ルーターを持つ装置で基板を該当の大きさに分割切断した。即ち、上述した工程の基板は多数個取り用であるため、個々の多層プリント配線板に分割した。その後、多層プリント配線板の短絡・断線を検査するチェッカー工程を経て、該当する多層プリント配線板を得た。
【００８８】
その後、該多層プリント配線板１０のターゲットマーク９６Ａを画像検出用カメラで光学的に読み出し、多層プリント配線板側の半田バンプ７６ＵとＩＣチップ９０のランド９２とを位置合わせし、リフロすることで、該半田バンプ７６Ｕとランド９２とを接合させる（図９参照）。ここで、本実施例では、ターゲットマーク９６Ａを鮮明に印刷できているため、ＩＣチップ９０を正しく半田バンプ７６Ｕに合わせることができる。また、半田バンプ７６Ｕの汚れが除去されているため、ＩＣチップ９０側のパッド９２に適切に接続できる。その後、該ＩＣチップ９０と多層プリント配線板１０との間にアンダーフィル８８を充填する。上述したようにソルダーレジスト層７０にプラズマ処理を施し、濡れ性を改善してあるため、アンダーフィル８８を強固に多層プリント配線板１０側に接続させることができる。このため、アンダーフィル８８と多層プリント配線板１０との界面に水分が浸入することがない。
【００８９】
引き続き、ドータボードへの取り付け装置により、該多層プリント配線板１０のターゲットマーク９６Ｂ、９６Ｃにより位置及びアライメント等を調整し、プリント配線板の半田バンプ７６Ｄを、ドータボード９４側のパッド９６へ接続する。その後、該多層プリント配線板１０とドータボード９４との間にアンダーフィル８８を充填する。
【００９０】
引き続き、本実施例の多層プリント配線板に対する性能比較のため構成した比較例に係る多層プリント配線板について説明する。
（比較例１）
比較例１の多層プリント配線板は、基本的に実施例と同様であるが、プラズマ処理を行わなかった。
【００９１】
（比較例２）
比較例２の多層プリント配線板は、基本的に実施例と同様であるが、プラズマ処理を２０分間行った。
【００９２】
以上、実施例および比較例１，２で製造されたプリント配線板について、接触角度、最大高さ、文字状態、ＩＣチップとの接続不良の発生率、実装後のアンダーフィルとのピール強度、ＰＣＴ試験による信頼性試験の計５項目について評価した結果を図１０中に示す。実施例では、接触角度、最大粗さも良好な数値になり、文字の欠損がなく、実装時の接続不良の発生もなく、ピール強度も比較例よりも強く、信頼性の問題も発生しなかった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図２】本発明の第１実施例に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図３】本発明の第１実施例に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図４】本発明の第１実施例に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図５】本発明の第１実施例に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図６】本発明の第１実施例に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図７】本発明の第１実施例に係る多層プリント配線板の断面図である。
【図８】図８は、図７に示す多層プリント配線板１０の平面図である。
【図９】図７に示す多層プリント配線板にＩＣチップを取り付け、ドータボードに載置した状態を示す断面図である。
【図１０】第１実施例と、比較例１及び比較例２に係る多層プリント配線板を試験した結果を示す図表である。
【符号の説明】
３０ コア基板
３４ 導体回路
３６ スルーホール
５０ 層間樹脂絶縁層
５８ 導体回路
６０ バイアホール
７０ ソルダーレジスト
７２ ニッケルめっき層（金属層）
７４ 金めっき層（金属層）
７６Ｕ、７６Ｄ 半田バンプ
７１ 開口部
８０Ａ、８０Ｂ ビルドアップ配線層
９６Ａ、９６Ｂ、９６Ｄ ターゲットマーク（位置決めマーク）
９８ａ バーコード
９８ｂ 文字情報
１５０ 層間樹脂絶縁層
１５８ 導体回路（導体）
１６２ 粗化層（粗化面）

Claims (10)

1. 少なくとも以下の(ａ)〜(ｄ)の工程を含むことを特徴とするプリント配線板の製造方法、
   （ａ）半田パッドとなる導体を形成した基板上に、該導体の少なくとも一部を露出させる開口を設けてソルダーレジスト層を形成する工程、
   （ｂ)前記導体上に金属層を形成した後、または、前記導体上に直接、半田バンプを形成する工程、
   （ｃ）前記ソルダーレジスト表面及び前記半田バンプ表面に気体プラズマ処理を施す工程、
   （ｄ）前記半田バンプを設けたソルダーレジスト層上に、印字を行う工程。
2. 少なくとも以下の(ａ)〜(ｅ)の工程を含むことを特徴とするプリント配線板の製造方法、
   （ａ）半田パッドとなる導体を形成した基板上に、該導体の少なくとも一部を露出させる開口を設けてソルダーレジスト層を形成する工程、
   (ｂ)前記ソルダーレジスト表面及び前記開口から露出された導体表面に気体プラズマ処理を施す工程、
   （ｃ）前記導体上に金属層を形成する工程、
   （ｄ）前記金属層上に半田バンプを形成する工程、
   (ｅ) 前記半田バンプを設けたソルダーレジスト層上に、印字を行う工程。
3. 前記気体プラズマ処理で、ソルダーレジスト表面の最大高さ（Ｒｊ）を０．１〜１００nmにすることを特徴とする請求項１又は２に記載のプリント配線板の製造方法。
4. 前記気体プラズマ処理で、ソルダーレジスト層表面の接触角度を８〜４０°にすることを特徴とする請求項１又は２に記載のプリント配線板の製造方法。
5. 前記プラズマ処理は、酸素、窒素、炭酸ガス、四フッ化炭素から選ばれる少なくとも１種類以上であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１に記載のプリント配線板の製造方法。
6. 前記プラズマ処理は、プラズマの放射量５００〜１０００Ｗで、酸素プラズマにより１〜１５分間行うことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１に記載のプリント配線板の製造方法。
7. 前記印刷は、位置決めマークを含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１に記載のプリント配線板の製造方法。
8. 前記導体上に金属層を形成する工程において、金属層としてニッケルめっき層及び金めっき層を形成することを特徴とする請求項１〜６のいずれか１に記載のプリント配線板の製造方法。
9. 前記導体表面に、粗化面を形成することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１に記載のプリント配線板の製造方法。
10. 前記印字が形成されたソルダーレジスト層表面及び半田バンプ表面にさらに気体プラズマ処理を施すことを特徴とする請求項２のプリント配線板の製造方法。

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