JP2005223226A - 複合多層基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の複合多層基板1は、セラミック多層基板2と、第1、第2、第3の樹脂層3A、3B、3Cが積層されてなる樹脂積層体3とを備え、セラミック多層基板2の下面と樹脂積層体2の上面とが接合された複合多層基板であって、第1、第2、第3の樹脂層3A、3B、3Cは、それぞれ異なる熱膨張係数を有する。
【選択図】図1
Description
本実施例では、中心粒径1.0μmのアルミナ粒子を55重量部と、中心粒径1.0μmの軟化点600℃のホウ珪酸ガラスを45重量部の割合で混合し、この混合物に有機溶媒、分散剤、有機バインダ及び可塑剤を加えてスラリーを調製した後、このスラリーをポリエチレンテレフタレート系樹脂からなるキャリアフィルム上に塗布して、低温焼結用のセラミックグリーンシートを作製した。
まず、最上層のセラミック層を形成するセラミックグリーンシートをキャリアフィルムが除去した状態で固定治具に装着する。次に積層されるべきセラミックグリーンシートをキャリアフィルムが除去した状態で、先に置かれたセラミックグリーンシート上に積層する。この際、所定の圧力を加えてセラミックグリーンシート同士を圧着しても良い。後は所定の順序でセラミックグリーンシート順次積層していき、最後に最下層のセラミックグリーンシートを積層して生の積層体を得た。
生の積層体の脱バインダ処理を行った後、この積層体を950℃で1時間焼成し、図1、図3に示すセラミック多層基板2を得た。このセラミック多層基板2の基材であるセラミック焼結体は主相であるα−アルミナ結晶相とアモルファス相及びアノーサイト相やウォラストナイト相と見られる微量結晶相から構成されていた。熱機械分析装置(TMA)をいて測定した結果、20〜300℃でのセラミックの熱膨張係数は、7.7ppm/℃であった。
下記の第1、第2、第3の材料をそれぞれドクターブレード法によってキャリアフィルム上にシート状に成形して、第1、第2、第3の樹脂層3A、3B、3Cを形成するための第1、第2、第3の樹脂シートを得た。この際、これらを熱処理することによりエポキシ系熱硬化性樹脂の架橋反応を進め、エポキシ系熱硬化性樹脂がキャリアフィルム上から流れ出さない程度の粘度に調整した。尚、最適な熱処理時間はエポキシ系熱硬化性樹脂の配合によって異なる。
第1の材料:エポキシ系熱硬化性樹脂27重量部に対し、セラミック多層基板と同一のセラミック焼結体を粉砕した粉砕物(平均粒径2.0μm)を73重量部混合したもので、20〜300℃での硬化後の熱膨張係数は、9.6ppm/℃であった。
第2の材料:上記エポキシ系熱硬化性樹脂45重量部に対し、上記セラミック焼結体の粉砕物(平均粒径2.0μm)を55重量部混合したもので、20〜300℃での硬化後の熱膨張係数は、11.5ppm/℃であった。
第3の材料:上記エポキシ系熱硬化性樹脂55重量部に対し、上記セラミック焼結体の粉砕物(平均粒径2.0μm)を45重量部混合したもので、20〜300℃での硬化後の第3の樹脂層の熱膨張係数は、12.4ppm/℃であった。
但し、第3の樹脂層に使用されるエポキシ系熱硬化性樹脂は、第1、第2の樹脂層中のエポキシ系熱硬化性樹脂よりも熱硬化に要する時間が長く、硬化後の弾性率も低い。
まず、図2に示す工程で、第1の樹脂層となる、チップ部品5を内蔵する第1の樹脂シート13Aを作製する。即ち、図2の(a)に示すように支持体10上に厚み10〜40μm程度の金属箔(例えば、銅箔)16Aを貼り付け、銅箔16Aの表面にフォトレジストを塗布し、フォトマスクを介して光を照射した後、フォトレジストを現像して不要部分を除去して銅箔16Aを表出させる。次いで、銅箔16Aの表出部分をエッチングにより除去した後、フォトレジスト膜を除去して、図2の(b)に示す所定形状の導体パターン6Aを形成した。次いで、図2の(c)に示すように導体パターン6A上に半田または導電性接着剤によってチップ部品5(能動チップ部品5A、受動チップ部品5B)を固定した後、図2の(d)に示すように第1の樹脂シート13Aを熱圧着した。この際、減圧雰囲気中で第1の樹脂シート13Aの熱圧着を行なうことにより金属箔と樹脂との間やチップ部品5の周辺部における残留エアを効果的に低減することができる。次いで、図2の(e)に示すように、第1の樹脂シート13Aの銅箔の無い方からレーザー等の光線Lを入射させて第1の樹脂シート13Aにビアホール16Bを形成した。一般に光線は樹脂に吸収され易く、金属には反射されるため、導体パターン6Aに穴をあけることなく、第1の樹脂シート13Aのみを貫通するビアホール16Bが形成することができる。これらのビアホール16B内に図2に(f)に示すように半田または導電性樹脂(Au、Ag、Cu、Ni等の金属粒子と熱硬化性樹脂の混合物)を充填してビアホール導体6Bを形成した後、図2の(g)に示すように支持体10を剥離して、チップ部品5を内蔵する第1の樹脂シート13Aを得た。その後、第1の樹脂シート13Aと同様の手順でチップ部品5を内蔵する第2の樹脂シート13B(図3の(a)参照)を作製し、更に、チップ部品を内蔵しない第3の樹脂シート13C(図3の(a)参照)を作製した。第3の樹脂シート13Cの導体パターンは、外部端子電極6Cとして形成される。
図3の(a)に示すようにセラミック多層基板2の接合面を上向きにして固定し、この接合面上に第1、第2、第3の樹脂シート13A、13B、13Cの順で接合してチップ部品5及び回路パターン6を内蔵した樹脂積層体3とセラミック多層基板2とを合体して図3の(b)に示す複合多層基板1を作製した。複合多層基板1は、下側からセラミック多層基板2、第1の樹脂層3A、第2の樹脂層3B、第3の樹脂層3C順で積層された層構成になり、樹脂積層体3は第1、第2、第3の樹脂層3A、3B、3Cからなる。合体後の複合多層基板1を170℃で1時間の熱処理を行った。この熱処理で、第1、第2の樹脂層3A、3Bは本硬化されるが、第3の樹脂層3Cはエポキシ系熱硬化性樹脂の含有量が多く、硬化が遅いために半硬化状態に留まる。以上の手順により、樹脂積層体3内にチップ部品5が内蔵された複合多層基板1を得た。尚、第1、第2、第3の樹脂シート13A、13B、13Cを予め一体化した後、セラミック多層基板2に接合しても良い。
2 セラミック多層基板(セラミック基板)
3 樹脂積層体
3A、3B、3C 樹脂層
4 回路パターン
4C 電極
5 チップ部品
6C 外部端子電極
Claims (11)
- 第1の主面及びこれに対向する第2の主面を有するセラミック基板と、第1の主面及びこれに対向する第2の主面を有する樹脂積層体とを備え、上記セラミック基板の第2の主面と上記樹脂積層体の第1の主面とが接合されてなり、且つ、上記セラミック基板に形成された回路パターンと上記樹脂積層体の第2の主面に形成された外部端子電極とが電気的に接続された複合多層基板であって、上記樹脂積層体を構成する各樹脂層は、それぞれ異なる特性を有することを特徴とする複合多層基板。
- 上記各樹脂層は、それぞれ樹脂材料及び無機粉末を含むことを特徴とする請求項1に記載の複合多層基板。
- 上記各樹脂層は、それぞれ異なる熱膨張係数を有し、上記樹脂積層体の第1の主面側に熱膨張係数の小さい樹脂層を配置し、上記積層体の第2の主面側に熱膨張係数の大きい樹脂層を配置したことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の複合多層基板。
- 上記樹脂積層体の第1の主面を含む樹脂層の熱膨張係数は、上記セラミック基板の熱膨張係数の±2ppm/℃以内であることを特徴とする請求項3に記載の複合多層基板。
- 上記各樹脂層の熱膨張係数は、上記樹脂積層体の第1の主面から第2の主面に向けて漸増することを特徴とする請求項3または請求項4に記載の複合多層基板。
- 上記各樹脂層は、それぞれ異なる弾性率を有し、上記樹脂積層体の第2の主面側の弾性率がその第1の主面側の弾性率より高いことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の複合多層基板。
- 上記各樹脂層は、それぞれ異なる硬化度を有し、上記樹脂積層体の第2の主面側の硬化度がその第1の主面側の硬化度より低いことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の複合多層基板。
- 上記樹脂積層体の第2の主面側の樹脂層は、半硬化状態にあることを特徴とする請求項7に記載の複合多層基板。
- 上記セラミック基板は、複数のセラミック層を積層したセラミック多層基板からなり、セラミック多層基板は、内部にAgまたはCuを主成分とする回路パターンを有することを特徴とする請求項1〜請求項8のいずれか1項に記載の複合多層基板。
- 上記外部端子電極は、金属箔によって形成されていることを特徴とする請求項1〜請求項9のいずれか1項に記載の複合多層基板。
- 上記樹脂積層体は、チップ部品を内蔵することを特徴とする請求項1〜請求項10のいずれか1項に記載の複合多層基板。
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