JPS60132312A - コンデンサ - Google Patents
コンデンサInfo
- Publication number
- JPS60132312A JPS60132312A JP24020783A JP24020783A JPS60132312A JP S60132312 A JPS60132312 A JP S60132312A JP 24020783 A JP24020783 A JP 24020783A JP 24020783 A JP24020783 A JP 24020783A JP S60132312 A JPS60132312 A JP S60132312A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capacitor
- capacitance
- electrode
- thick film
- dielectric layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は容量調整可能な厚膜及びＮ膜のコンデンサに関
するものである。
するものである。
従来例の構成とその問題点
絶縁基板上に形成するコンデンサは一般に第１図のよう
に絶縁基板１の上に電極層２．誘電体層３を交互に積み
重ねる構造である。現在、一般的に用いられているハイ
ブリットＩＣ上の厚膜コンデンサの場合、電極層をＡｑ
ｌＰｄ系厚膜ペースト。
に絶縁基板１の上に電極層２．誘電体層３を交互に積み
重ねる構造である。現在、一般的に用いられているハイ
ブリットＩＣ上の厚膜コンデンサの場合、電極層をＡｑ
ｌＰｄ系厚膜ペースト。
誘電体層をガラス系厚膜ペーストとしてスクリーン印刷
法等によシ所望の寸法形状にアルミナ基板上へ塗布し乾
燥・焼成して形成する。薄膜コンデンサの場合、電極層
をＭｏ、Ｎｉ等、誘電体層をＳ ｘ ０２ 、 Ｔ ａ
Ｏ２等として真空蒸着法により電極層。
法等によシ所望の寸法形状にアルミナ基板上へ塗布し乾
燥・焼成して形成する。薄膜コンデンサの場合、電極層
をＭｏ、Ｎｉ等、誘電体層をＳ ｘ ０２ 、 Ｔ ａ
Ｏ２等として真空蒸着法により電極層。
誘電体層をアルミナ等の基板上に形成している。
コンデンサ容量Ｃは誘電体材料の誘電率ε、有効電極面
積Ｓ、有効誘電体層厚さＴで下記の式■からめられる。
積Ｓ、有効誘電体層厚さＴで下記の式■からめられる。
但し式中のＫは定数である。
Ｃ＝ Ｋ −ｔ、エ ゛°°゛°°■
式■から明らかなようにコンデンサ容量精度に太きく影
響を与える因子は有効電極面積、有効誘電体層厚さであ
る。特に厚膜コンデンサの場合、現状のスクリーン印刷
技術では印刷精度に関Ｊジするスクリーン版のパターン
精度、乳剤厚さ精度、印刷ペーストの状態、スキージゴ
ムの硬度、さらには印刷圧力、印刷ギヤング、印刷スピ
ード等全ての諸条件を厳密に調整することは非常に困す
；１（である。従って厚膜コンデンサでは容量の高第１
を変化が困難であり、現状のレベルでは実用できないと
されている。
響を与える因子は有効電極面積、有効誘電体層厚さであ
る。特に厚膜コンデンサの場合、現状のスクリーン印刷
技術では印刷精度に関Ｊジするスクリーン版のパターン
精度、乳剤厚さ精度、印刷ペーストの状態、スキージゴ
ムの硬度、さらには印刷圧力、印刷ギヤング、印刷スピ
ード等全ての諸条件を厳密に調整することは非常に困す
；１（である。従って厚膜コンデンサでは容量の高第１
を変化が困難であり、現状のレベルでは実用できないと
されている。
このような容量値の精度の悪さを改善し実用化させるた
めに最近では種々の容量調整力法か提案されている。以
下その代表的な容量調整方法について説明し、その問題
点について述べてみる。第１図のように絶縁基板１の上
に電極層２．誘電体層３を交互に形成し、焼成して厚膜
コンデンサを作成する。このようなコンデンサの容量を
調整するために第２図、第３図に示すようにレーザービ
ーム栃で上部電極層４を所定１、切断して容量発生に寄
乃する有効電極面積を減少させ、その結果コンデンサ容
量を減少させながら目標の容量値に近づける方法が一般
的である。上記方法の場合１、第３図に示すように」二
部電極層４の過剰１ｈ１極部分を完全に切り離すことが
必要であるため切断溝７の深さを誘電体層中１で至らし
めなければならない。
めに最近では種々の容量調整力法か提案されている。以
下その代表的な容量調整方法について説明し、その問題
点について述べてみる。第１図のように絶縁基板１の上
に電極層２．誘電体層３を交互に形成し、焼成して厚膜
コンデンサを作成する。このようなコンデンサの容量を
調整するために第２図、第３図に示すようにレーザービ
ーム栃で上部電極層４を所定１、切断して容量発生に寄
乃する有効電極面積を減少させ、その結果コンデンサ容
量を減少させながら目標の容量値に近づける方法が一般
的である。上記方法の場合１、第３図に示すように」二
部電極層４の過剰１ｈ１極部分を完全に切り離すことが
必要であるため切断溝７の深さを誘電体層中１で至らし
めなければならない。
このように切断溝を誘電体層中まで深くした時、切断中
の機械的、熱的ストレスのために誘電体層中にマイクロ
クランクが発生する。このマイクロクラックはコンデン
サの諸性性のうち特に容量ノ（ラツキ、ｔａｎｌｊｆｏ
）値の劣化、而」電圧特性の劣化等の大きな要因となり
この方法は現状では実用化に対して大きな問題がある。
の機械的、熱的ストレスのために誘電体層中にマイクロ
クランクが発生する。このマイクロクラックはコンデン
サの諸性性のうち特に容量ノ（ラツキ、ｔａｎｌｊｆｏ
）値の劣化、而」電圧特性の劣化等の大きな要因となり
この方法は現状では実用化に対して大きな問題がある。
発明の目的
本発明は上記欠点を解消し、種々の慣性劣化の問題を生
じさせることなくコンデンサ容量を容易にかつ精度良く
調整できる厚膜あるいに、薄膜のコンデンサに関するも
のである。
じさせることなくコンデンサ容量を容易にかつ精度良く
調整できる厚膜あるいに、薄膜のコンデンサに関するも
のである。
発明の構成
本発明の厚膜あるいは薄膜コンデンサは誘電体層をはさ
む二対の電極層のうち上部電極が共通端子部と複数に等
分割、孤立された容量発生用電極部とからなる構造をし
ており、コンデンサ容量を調整する場合、分割孤立され
た電極を共通端子へ接合して容量に必要なだけの有効電
極面積を得るものであり、従来の方法のように誘電体層
中にマイクロクラックを発生させず、諸性性を劣化させ
ることなくコンデンサ容量を精度良く容易に調整できる
ものである。
む二対の電極層のうち上部電極が共通端子部と複数に等
分割、孤立された容量発生用電極部とからなる構造をし
ており、コンデンサ容量を調整する場合、分割孤立され
た電極を共通端子へ接合して容量に必要なだけの有効電
極面積を得るものであり、従来の方法のように誘電体層
中にマイクロクラックを発生させず、諸性性を劣化させ
ることなくコンデンサ容量を精度良く容易に調整できる
ものである。
実施例の説明
以下本発明の実施例を示す。
〈実施例１〉
第４，６図に示すようにアルミナ基板９の上にＡｇ−Ｐ
ｄ系導体厚膜゛ペーストをスクリーン印刷法により所定
の形状に印刷・乾燥後焼成して下部電極１ｏを形成する
。その上にガラス系誘電体ペースト１１を厚さＴで形成
する。そしてさらにその上に幅Ｗ、長さＬの形状に上部
電極１２を同一面積にて複数個形成する。かつ」二部電
極間の共通端子１３を下部電極と重なり合わないような
位置に形成する。次に図６，７に示すようにこのような
製作しだ厚膜コンデンサは各分離された上部電極１２と
共通端子１３とを電気的に接合することによりコンデン
サ容量が発生する。その容量をＣとすると下記になる。
ｄ系導体厚膜゛ペーストをスクリーン印刷法により所定
の形状に印刷・乾燥後焼成して下部電極１ｏを形成する
。その上にガラス系誘電体ペースト１１を厚さＴで形成
する。そしてさらにその上に幅Ｗ、長さＬの形状に上部
電極１２を同一面積にて複数個形成する。かつ」二部電
極間の共通端子１３を下部電極と重なり合わないような
位置に形成する。次に図６，７に示すようにこのような
製作しだ厚膜コンデンサは各分離された上部電極１２と
共通端子１３とを電気的に接合することによりコンデン
サ容量が発生する。その容量をＣとすると下記になる。
−Ｗ
Ｃ−に・ ε □ｎ
但し、Ｋは定数、εは誘電体の誘電率、ｎは接合された
上部電極の数である。
上部電極の数である。
」二部のようなコンデンサを用いて容−数調整を行った
が、上部電極１２と共通端子１３の接合には、Ａｕ ワ
イヤー１４によるワイヤボンディング法を用いた。下部
電極１０と共通端子１３とをプロービングし、容量を測
定しながら必要容量に達するまで上部電極１２を共通端
子１３へ接合した。各、分離された上部電極は全て同一
面積であると吉から図８に示すように接合数が増加する
に従って容量値は階段的に増加して、目標の容量値を精
度良く達成することができた。
が、上部電極１２と共通端子１３の接合には、Ａｕ ワ
イヤー１４によるワイヤボンディング法を用いた。下部
電極１０と共通端子１３とをプロービングし、容量を測
定しながら必要容量に達するまで上部電極１２を共通端
子１３へ接合した。各、分離された上部電極は全て同一
面積であると吉から図８に示すように接合数が増加する
に従って容量値は階段的に増加して、目標の容量値を精
度良く達成することができた。
本実施例はアルミナ基板上への厚膜コンデンサ処置する
ものであるが、薄膜コンデンサについても同様に良好な
結果を得ることができた。
ものであるが、薄膜コンデンサについても同様に良好な
結果を得ることができた。
又、分前された土部電極と共通端子との電気的接合に本
実施例ではＡｕワイヤーボンディングを用いたが、熱硬
化性樹脂中に銅や銀の粉末を混合し／こペースト塗布、
硬化させ接合しても良好な結果を得た。
実施例ではＡｕワイヤーボンディングを用いたが、熱硬
化性樹脂中に銅や銀の粉末を混合し／こペースト塗布、
硬化させ接合しても良好な結果を得た。
発明の効果
埋土の」：うに本発明の厚膜あるいは薄膜コンデンサは
誘電体をはさむ対向電極のうち上部電極が同一面積に分
割されかつ各々が分離されており、さらに各上部電極と
必要に応じて接合されるべき共通端子が形成されており
、容搦訓１整の櫂１合、各分離された上部電極と共通電
極とを電気的に接合することによりコンデンサ容量をｊ
ｈ線的に増加させ目標値に調整できるものであり、従来
の容量調整コンデンサと異なりＲＮ、体層中間マイクロ
クラック等の発生をさせないために、容量ｉ周整後の緒
特性が非常に安定した実用上極めて有効なコンデンサで
ある。
誘電体をはさむ対向電極のうち上部電極が同一面積に分
割されかつ各々が分離されており、さらに各上部電極と
必要に応じて接合されるべき共通端子が形成されており
、容搦訓１整の櫂１合、各分離された上部電極と共通電
極とを電気的に接合することによりコンデンサ容量をｊ
ｈ線的に増加させ目標値に調整できるものであり、従来
の容量調整コンデンサと異なりＲＮ、体層中間マイクロ
クラック等の発生をさせないために、容量ｉ周整後の緒
特性が非常に安定した実用上極めて有効なコンデンサで
ある。
第１図は従来のコンデンサの断ｉＴ＋ｉ図、第２図は従
来のコンデンサの調整したものを小り゛断面図、第３図
は同平面図、第４図は本発明の一実施例のコンデンサを
示す断面図、第６図は同平面図、第６図は同実施例のコ
ンデンサの容％′調整状態を示す断面図、第７図は同平
面図、第８図は本発明のコンデンサの容量調整を行なっ
た」易合のコンデンサ容量変化を示す図である。 １．８．９・・・・・・ア少ミナ基板、２・−・・−？
ｌＸ ４ｉ立く層、３．５．１１・・・・・・誘電体層
、４，１２・・・・・・−卜部電極、６，１Ｏ・・・・
・下部電極、７・・・・・切断溝、１４・・・・・・Ａ
ｕ ワイヤー、１３・・・・・・共通端子。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ｆｆｔＪ１１
名第１図 第名園 １図４ 図 第５図 第 ６ 図 １１ ０ 第 ７ 図 第８図 欅８＆ □
来のコンデンサの調整したものを小り゛断面図、第３図
は同平面図、第４図は本発明の一実施例のコンデンサを
示す断面図、第６図は同平面図、第６図は同実施例のコ
ンデンサの容％′調整状態を示す断面図、第７図は同平
面図、第８図は本発明のコンデンサの容量調整を行なっ
た」易合のコンデンサ容量変化を示す図である。 １．８．９・・・・・・ア少ミナ基板、２・−・・−？
ｌＸ ４ｉ立く層、３．５．１１・・・・・・誘電体層
、４，１２・・・・・・−卜部電極、６，１Ｏ・・・・
・下部電極、７・・・・・切断溝、１４・・・・・・Ａ
ｕ ワイヤー、１３・・・・・・共通端子。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ｆｆｔＪ１１
名第１図 第名園 １図４ 図 第５図 第 ６ 図 １１ ０ 第 ７ 図 第８図 欅８＆ □
Claims (1)
- 誘電体層とそれをはさむ二対の電極層からなり、さらに
上記上部電極が共通端子部と、同一面積で複数に分離９
分割された容量発生用電極とからなるコンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24020783A JPS60132312A (ja) | 1983-12-20 | 1983-12-20 | コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24020783A JPS60132312A (ja) | 1983-12-20 | 1983-12-20 | コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60132312A true JPS60132312A (ja) | 1985-07-15 |
Family
ID=17056042
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24020783A Pending JPS60132312A (ja) | 1983-12-20 | 1983-12-20 | コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60132312A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54158656A (en) * | 1978-06-06 | 1979-12-14 | Matsuo Mogi | Trimer capacitor composed of plastic conductor and circuit board |
| JPS5848906A (ja) * | 1981-09-18 | 1983-03-23 | 松下電器産業株式会社 | 厚膜コンデンサ−の容量調節方法 |
-
1983
- 1983-12-20 JP JP24020783A patent/JPS60132312A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54158656A (en) * | 1978-06-06 | 1979-12-14 | Matsuo Mogi | Trimer capacitor composed of plastic conductor and circuit board |
| JPS5848906A (ja) * | 1981-09-18 | 1983-03-23 | 松下電器産業株式会社 | 厚膜コンデンサ−の容量調節方法 |
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