JPS60102726A - トリミングコンデンサ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は容量調整可能な厚膜及び薄膜のトリミのである
。

従来例の構成とその問題点 絶縁基板上に形成するコンデンサは一般に第１図のよう
に絶縁基板１の上に電極層２、誘電体層３を交互に積み
重ねる構造である。現在、一般的に用いられているハイ
ブリットＩＣ」＝の厚膜コンデンサの場合、電極層をＡ
ｆ／Ｐｄ系厚膜ペースト、誘電体層をガラス系厚膜ペー
ストとしてスクリーン印刷法等により所望の寸法形状に
アルミナ基板上へ塗布し乾燥・焼成して形成する。薄膜
コンデンサの場合、電極層をＭｏ、Ｎｉ等、誘電体層を
Ｓ　１０２　、　Ｔ　ａ　０２等として真空蒸着法によ
り電極層。

誘電体層をアルミナ等の基板上に形成している。

コンデンサ容量Ｃは誘電体材料の誘電率ε、有効電極面
積Ｓ１有効誘電体層厚さＴで下記の式■からめられる。

但し式中のＫは定数である。

ｃ＝＝ｘ・８丁　・・・・・・・・・・■式■から明ら
かなようにコンデンサ容量精度に犬３　ページ きく影響を与える因子は有効電極面積、有効誘電体層厚
さである。特に厚膜コンデンサの場合、現状のスクリー
ン印刷技術では印刷精度に関与するスクリーン版のパタ
ーン精度、乳剤厚さ精度、印刷ペーストの状態、スキー
ジゴムの硬度、さラニは印刷圧力、印刷ギャップ、印刷
スピード等全ての諸条件を厳密に調整することは非常に
困難である。従って厚膜コンデンサでは容量の高精度化
が困難であり、現状のレベルでは実用できないとされて
いる。

このような容量値の精度の悪さを改善し実用化させるた
めに最近では種々の容量調整方法が提案されている。以
下その代表的な容量調整方法について説明し、その問題
点について述べてみる。第１図のように絶縁基板１の上
に電極層２、誘電体層３を交互に形成し、焼成して厚膜
コンデンサを作成する。このようなコンデンサの容量を
調整するために第２図、第３図に示すようにレーザービ
ーム等で上部電極層４を所定量切断して容量発生に寄与
する有効電極面積を減少させ、その結果コンデンサ容量
を減少させながら目標の容量値に近づける方法が一般的
である。上記方法の場合、第３図に示すように上部電極
層４の過剰電極部分を完全に切り離すことが必要である
ため切断溝７の深さを誘電体層中まで至らしめるなけれ
ばならない。

このように切断溝を誘電体層中まで深くした時、切断中
の機械的、熱的ストレスのだめに誘電層中にマイクロク
ラックが発生する。このマイクロクラックはコンデンサ
の諸特性のうち特に容量バラツキ、ｔａｎδ（Ｑ）値の
劣化、耐電圧特性の劣化等の大きな要因となりこの方法
は現状では実用化に対して大きな問題がある。

発明の目的 本発明は上記欠点を解決し、種々の特性劣化の問題を生
じさせることなくコンデンサ容量を容易に調整できる厚
膜あるいは薄膜コンデンサに関するものである。

発明の構成 本発明の厚膜あるいは薄膜コンデンサは誘電体層をはさ
む二対の電極層のうちどちらか一つの電５　ページ 極層が一方の共通端子から他方へ複数に分岐しており分
岐した電極層がその共通端子付近で誘電層と重なってい
ない部分を有する構造をしており、コンデンサ容量を調
整する場合には上記分岐電極層の誘電体層と重なってい
ない部分を切断し分岐電極を共通端子から切り離すこと
により容量発生に寄与する有効電極面積を減少させて目
標の容量に近ずけるものであり、従来の方法のように誘
電層中にマイクロクラックを発生させず諸特性を劣化さ
せること々くコンデンサ容量を容易に調整できるもので
ある。

実施例の説明 以下本発明の実施例を示す。

〈実施例１〉 第４図、第５図に示すようにアルミナ基板９の上にＡｆ
’−Ｐｄ系導体厚膜ペーストをスクリーン印刷法により
所定の形状に印刷し乾燥後焼成して下部電極１０形成す
る。その上にガラス系誘電体厚膜ペーストを同様にして
印刷、乾燥、焼成して誘電体層１１を形成する。さらに
その上に上部電極６　ページ 層１２を形成し、以上のようにして厚膜コンデンサを作
成する。但し第５図のように上部電極層１２はアルミナ
基板９上に共通端子を有し、分岐電極は誘電体層１１の
上に重なっている部分と共通端子付近での重なっていな
い部分とがある。なおこの分岐電極の形状は全て同一形
状である。

第４図中で誘電体層の厚さをＴ、誘電体層の誘電率をε
、第５図中で上部分岐電極の幅をＷ１上部分岐電極と下
部電極とのオーバーラツプ長さをＬｌさらに分岐電極の
個数をｎとすると上記コンデンサの容量Ｃは下式■とな
る。

Ｗ Ｃ二に、ε’　−−ｎ　−１゜０１０１９１．■但しＫ
は定数である。コンデンサ容量Ｃは目標値よりも大きめ
に設計し作成しておくことが重要である。容量調整を行
う場合、第６図、第７図のように分岐電極１３の誘電体
層１４と重なってい乞い部分にレーザー光で切断溝１５
を形成し共通端子部と分岐電極部とを切り離し有効電極
面積を減少させ、そしてコンデンサ容量を減少させ過剰
７　ページ 容量を減じながら目標値の容量まで倒達させてゆく。減
少するコンデンサ容量は初期容量値に対して分岐電極１
本当り■式より−×１００％となる。

具体的に分岐電極が１０本ならば１０％、２０本ならば
６％である。上記のように試作した厚膜コンデンサは測
定端子を各々上下電極に当て容量値を確認しながら分岐
電極を１本づつ切断して容易に目標容量値を達成するこ
とができた。さらに切断溝１５が誘電体層１４に影響を
与えないアルミナ基板１６上に形成されるだめ、誘電体
層１４にマイクロラック等の悪影響を与えることなく諸
電気特性の劣化も全く見られなかった。上記実施例はア
ルミナ基板上の厚膜コンデンサに関するものであるが、
薄膜コンデンサについても同様に良好な結果を得ること
ができた。

〈実施例２〉 第８図、第９図のように実施例とは逆にアルミナ基板１
６上の下部電極層１８を分岐電極に、そしてその上に誘
電体層１９、さらにその上に上部電極層２０を形成して
コンデンサを作成した。下部電極層１８は共通端子部と
その付近の分岐電極の一部が誘電体層に覆われてなく、
その分岐電極部分をレーザ光により切断してコンデンサ
容量を調整した。コンデンサ容量の調整の容易さ及び、
トリミング後の諸電気特性の安定性に関しては前記実施
例１の場合と同様に良好であった。

発明の効果 以上のように本発明の厚膜あるいは薄膜コンデンサは誘
電体層をはさむ対向電極のうちどちらか一つの電極層が
一方の共通端子から他方に多数に分岐しており、分岐し
た電極層がその共通端子付近で上記誘電体層と重なって
おらず、容量調整の場合にはその分岐電極部を切断する
ことから切断時における誘電体層中のマイクロクラック
の発生がないため、容量調整後の緒特性が非常に安定し

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のコンデンサの断面図、第２図は容量調整
のため誘電層の途中まで切断溝が入った９　ページ コンデンサの断面図、第３図は同平面図、第４図は本発
明の一実施例におけるコンデンサの断面図、第６図は同
コンデンサの平面図、第６図は容量調整のだめの切断溝
が誘電体層でかく基板層中の途中まで入った本発明の実
施例におけるコンデンサの断面図、第７図は同平面図、
第８図は本発明の他の実施例を示す断面図、第９図は同
平面図である０ １．８．９・・・・・絶縁基板、２・・・・・・電極層
、３゜１１．１４，１９・・・・・誘電体層、４，５，
１２゜２ｏ・・・・・・上部電極層、６，１０，１８・
・・・・下部電極層、７．１６・・・・・切断溝、１３
・・・・・・分岐電極、１６．１了・・・・・・アルミ
ナ基板。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名第１
図 第４図 第５図 第６図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）誘電体層とこの誘電体層をはさむ少なくとも二対
   の電極層からなり、上記電極層のうちどちらが一つの電
   極層が一方の共通端子から他方に複数に分岐しておシ、
   分岐した電極層がその共通端子付近でト記誘電層と重な
   っていない部分を有する厚膜及び薄膜のトリミングコン
   デンサ。
2. （２）誘電体層とこの誘電体層をはさむ少なくとも二対
   の電極層からなり、電極層が一方の共通端子から他方に
   複数に分岐したコンデンサの容量を調整するトリミング
   コンデンサの製造方法において、誘電体層と重なってい
   ない分岐電極層の部分を切断し共通端子から分離してコ
   ンデンサ容量を調整するトリミングコンデンサの製造方
   法。