JPS6132404A - 厚膜低抗体の形成方法 - Google Patents

厚膜低抗体の形成方法

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JPS6132404A
JPS6132404A JP15203384A JP15203384A JPS6132404A JP S6132404 A JPS6132404 A JP S6132404A JP 15203384 A JP15203384 A JP 15203384A JP 15203384 A JP15203384 A JP 15203384A JP S6132404 A JPS6132404 A JP S6132404A
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JP
Japan
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resistor
thick film
trimming
film resistor
insulator layer
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Pending
Application number
JP15203384A
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English (en)
Inventor
久保寺 由郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPS6132404A publication Critical patent/JPS6132404A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、混成集積回路における厚膜抵抗体の形成方法
に関する。
〔発明の技術的背景〕
近来電子機器の小形、軽量化のため厚膜抵抗基板を用い
たいわゆる混成集積回路が多用されている。従来よ多上
記混成集積回路における厚膜抵抗体の製造プルセスは、
第3図(a)、Φ)に示す如く絶縁基板(1)上に、銀
・パラジウム系導体ペースト等による導体層を印刷、焼
成して対向する電極(2)を形成した後、酸化ルテニウ
ム系抵抗体ペースト等による抵抗体層を上記電極(2)
間に印刷、焼成し厚膜抵抗体(3)を形成する。
その際、所望の抵抗値を得るには焼成後の抵抗値が、所
望とする抵抗値以下になるように抵抗体幅及び長さを設
計しておき、レーザ装置あるいはサンドプラスター装置
等により抵抗体(3)の、一部分に切シ込みを入れ抵抗
値を所望する設計値に調整するいわゆるトリミング(4
)が行なわれる。
〔背景技術の問題点〕
従来、焼成後における厚膜抵抗体の膜厚は、一般的に拡
12〜13μm位いの膜厚が所望されている。
膜厚を薄くすると、電極接合部での断切れや電気的緒特
性が悪化する原因となる。例えば抵抗体の電流雑音は1
次式によ請求めることができる。
N(dB) ==人−101op(w−j−tB)Nは
雑音指数、A、Bは定数、Wは抵抗体幅。
Jは抵抗体の長さ、tは抵抗体の膜厚を示す。
上記により膜厚が薄くなると電流雑音は悪くなることが
わかる。そのよう々抵抗体膜厚をレーザ装置により )
 リミングする場合において、高精度な抵抗値を得るに
はトリミング速度を低速にするか、あるいはレーザ出力
を上げることが一般的には必要であるが、低速でのトリ
ミングは生産効率が悪く、またレーザ出力を上げること
は、トリミング後の抵抗値変動が大きくその改善が望ま
れていた。
〔発明の目的〕
本発明は、上記従来の欠点をなくし抵抗体膜厚を部分的
に薄く形成してその部分をトリミングすることにより、
トリミング速度の高速化及びレーザ出力の低パワーによ
るトリミングを可能とする厚膜抵抗体の形成方法を提供
することを目的とするものである。
〔発明の概要〕
本発明は、絶縁基板上の電極間に形成される抵抗体を配
置する所定位置に例えばガラス誘電ペーストからなる絶
縁体層を形成し、その絶縁体層上に抵抗体を重ね合わせ
るように印刷、焼成し、その絶縁体層上の抵抗体膜厚を
薄く例えば従来の約1/2位になるように形成し、その
絶縁体層上の抵抗体をトリミングすることにより高速度
トリミング及びレーザ出力の低パワー化を図るようにす
るものである。
〔発明の実施例〕
以下1本発明の一実施例について、図面第1図(1)Φ
)とともに説明する。
尚、第3図と同一部分には同一符号を付して説明する。
第1図(a) (b)に示す如く1本発明のプロセスは
先づ絶縁基板(1)に銀・パラジウム系導体ペースト等
による導体層を印刷、焼成し対向する電極(2)を形成
する。次にその電極(2)間に例えば抵抗体幅よシ広く
(広い方が好ましいが狭くても実施に差支えない)、電
極間隔よシ狭い形状の例えばガラス誘電ペーストからな
る長方形状の絶縁体層(5)を形成する。その後、上記
電極(2)間に酸化ルテニウム系抵抗ペース)Kよる抵
抗体層を上記絶縁体層(δ)と重ね合わせるように印刷
、焼成し抵抗体(3)を形成する。ここで、絶縁体層(
5)上に形成される抵抗体(3)は、その厚みが絶縁体
層(5)によって抵抗体両側の電極接続部近傍より薄く
例えば従来の約1/2になるように形成されるものであ
る。そしてそれは絶縁体層(5)の厚みを導体層により
形成される電極(2ンの厚みよシ厚くすることによって
よシ薄くすることができる。その後絶縁体層(5)に重
ね合わせた薄い部分の抵抗体(3)をレザーによるトリ
ミング(4)により切り込み、目標とする抵抗値を得る
ようにしている。
このように上記の各工程を経て形成される抵抗体のトリ
ミングにおいて、トリミング速度とレーザ出力の関係を
グラフ化して表わした第2図の特性図に示すように、本
発明は特性曲線(イ)に示すように従来(特性曲線(0
))に比較し、トリミング速度を同じにした場合約30
〜40%もレーザ出力を下げることが可能である。
又、レーザ出力が従来例と同一である場合にはトリミン
グ速度は従来と比較して、約2倍となシ生産効率が上が
り有用である。
〔発明の効果〕
以上述べたように、この発明によれば絶縁体層上の抵抗
体膜厚を従来と比較し薄く形成することによりトリミン
グ速度を速めることができると共にレーザ出力の低パワ
ー化によるトリミングを可能として抵抗値変動を減少す
るととができる。本発明により上記の絶縁体層上の抵抗
体部分を例えば従来の約1/2にするととにより、トリ
ミング速度を2倍に上げることができ生産効率の向上に
寄与することができ又レーザ出力を約30〜40%下げ
ることができトリミング切夛口近傍へのストレス減少に
よるトリミング後の抵抗値の変動、すなわちドリフトを
少なくする効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)、(b)は本発明にがかる厚膜抵抗基板の
要部構成を示す構成説明図、第2図は厚膜抵抗体におけ
るトリミング速度とレーザ出力の関係を示す特性図1M
3図(a)、(b)は従来の厚膜抵抗基板の要部構成を
示す構成説明図である。 (1)・・・絶縁基板    (2)・・・導体層(電
極)(3)・・・抵抗体層    (4)・・・トリミ
ング(5)・・・絶縁体層 代理人 弁理士  則 近 憲 佑 寥 +6         42ta 壕 3 凹

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  絶縁基板上に導体層を印刷,焼成する工程と上記導体
    層により形成される電極間に厚膜抵抗体を印刷,焼成す
    る工程とから成る厚膜抵抗体の形成方法において、上記
    電極間に該電極間より狭い形状の絶縁体層を形成し、そ
    の後上記電極間に上記絶縁体層に重ね合わせるように厚
    膜抵抗体を形成して,絶縁体層上の厚膜抵抗体をトリミ
    ングするようにしたことを特徴とする厚膜抵抗体の形成
    方法。
JP15203384A 1984-07-24 1984-07-24 厚膜低抗体の形成方法 Pending JPS6132404A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6648926B1 (en) 2000-11-08 2003-11-18 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for treating knits containing polyester bicomponent fibers
US6841245B2 (en) 2000-01-20 2005-01-11 Invista North America S.A.R.L. Method for high-speed spinning of bicomponent fibers
US6974628B2 (en) 2003-12-08 2005-12-13 Invista North America S.A R.L. Process for treating a polyester bicomponent fiber
JP2013162108A (ja) * 2012-02-09 2013-08-19 Hitachi Automotive Systems Ltd 厚膜抵抗体

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