JPS598302A - 角形チツプ抵抗器の製造方法 - Google Patents

角形チツプ抵抗器の製造方法

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JPS598302A
JPS598302A JP57117187A JP11718782A JPS598302A JP S598302 A JPS598302 A JP S598302A JP 57117187 A JP57117187 A JP 57117187A JP 11718782 A JP11718782 A JP 11718782A JP S598302 A JPS598302 A JP S598302A
Authority
JP
Japan
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resistance value
glass film
resistor
chip resistor
layer
Prior art date
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Pending
Application number
JP57117187A
Other languages
English (en)
Inventor
清二 津田
幸雄 辻本
泰宏 進藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、高信頼性でかつ抵抗値許容差の狭い角形チッ
プ抵抗器の製造方法に関するものである。
従来の角形チップ抵抗器(以下チップ抵抗器と略す)の
製造方法としては、高信頼を得るため、ルテニウム系抵
抗ペーストを焼成した後、レーザトリミングを施し、そ
の後ホウケイ酸鉛系ガラスペーストを焼成し、銀糸端面
電極用ペーストを焼成した後、N1−ノ・ンダメツキま
たはNi−3nメツキを施す方法が行われている。しか
しながら、現在市販されている抵抗ペーストは、レーザ
トリミングを施しだ後、ガラスペーストを焼成すること
により抵抗値が変動するものであった。この変動は、抵
抗値の中心値を含む抵抗値分布状態の変動であり、10
0KQを例としてこの状態を第1図に示す。ここで、第
1図aはトリミング後の抵抗値分布状態を示し、第1図
すはそれをガラス焼成したあとの抵抗値分布状態を示す
。このように従来の製造方法では、抵抗値分布状態が変
動するため、製造工程での抵抗値命中率も悪くなり、さ
らに抵抗値許容差が狭くなるにつれ抵抗値歩留りの低下
が著しくなるものであった。このだめ、最近ではこの変
動から逃がれる手段としてレーザトリミングを施した後
、ガラスペーストの替わりにエポキシ系樹脂を使用した
チップ抵抗器が出現したが、環境試験の信頼性が低下す
るだめ、あまり使用さね、ていない。
本発明は、従来の抵抗ペーストおよびガラスペ−ストを
使用し、信頼性を低下させることなく抵抗値変動を抑え
、製造工程での抵抗値命中をしやすくするとともに、チ
ップ抵抗器の抵抗値歩留りを向上させることを目的とす
るものである。
以下、本発明の一実施例を第2図の工程図を用いて説明
する。
第2図の簡単な説明を行う。まず、セラミック基板に電
極を形成後、この電極と重なりをもつように抵抗体を形
成した後、第1層のガラス皮膜を形成し、その後抵抗体
にレーザトリミングを施し、その後さらに前記第1層の
ガラス皮膜と同じかまたは他の材質からなる第2層のガ
ラス皮膜を形成した後、端面電極を形成し、Nt−ハン
ダメッキを施すことにより工程は終了する。この工程に
おいて、第1層のガラス皮膜を形成後、レーザトリミン
グを実施することは、レーザトリミング先端部でのマイ
クロクラックの発生が抑えられるということで、従来よ
りハイブリッドIC等の製造では、400〜650°C
で焼成するガラス皮膜を設けた後レーザトリミングを施
す工法が採用されている。
しかしながら、この工法ではレーザ[・リミング切口部
が露出しているため、環境試験の信頼性の低下は避けら
れない。従って1本発明ではその後さらに第2層のガラ
ス皮膜を形成することにより、信頼性の低下を防止する
とともに、第1層のガラス皮膜と第2層のガラス皮膜に
ガラスペーストを使用することにより、第1層のガラス
皮膜と第2層のガラス皮膜との境界部での馴じみが起こ
るだけで、第2層のガラス皮膜の形成時に抵抗体への影
響が少なく、抵抗値の変動が少ない。この変動の状態を
100にΩを例として第3図に示す。ここて、第3図a
はトリミング後の抵抗値分布状態を示し、第3図すはそ
れを第2層のガラス皮膜を焼成したあとの抵抗値分布状
態を示す。この第3図に示すように抵抗体への影響を少
なくすることにより、抵抗値の中心値も含めた抵抗値分
布状態の変動が小さくなり、製造工程での抵抗値命中が
     □しやすくなるとともに抵抗値命中率も向上
する。
このことがさらに抵抗値歩留りを向上させることとなる
以上のように、本発明のチップ抵抗器の製造方法によれ
ば、環境試験の信頼性の低下を防止しながら、製造工程
での高抵抗値命中率および高抵抗値歩留りが可能である
【図面の簡単な説明】
第1図a、bは従来の工法によるガラス焼成後の抵抗値
分布の変動を説明する図、第2図は本発明方法の製造工
程を示す図、第3図a、bは本発明の工法によるガラス
焼成後の抵抗値分布の変動を説明する図である。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが1名第1
図 第2図 第3図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. セラミック基板に電極を形成し、この電極と重なりをも
    つように抵抗体を形成した後、前記抵抗体の上に第1層
    のガラス皮膜を形成するとともに前記抵抗体にレーザト
    リミングを施し、その後さらに前記第1層のガラス皮膜
    と同じかまたは他の材質からなる第2層のガラス皮膜を
    その第1層のガラス皮膜の上に形成することを特徴とす
    る角形チップ抵抗器の製造方法。
JP57117187A 1982-07-06 1982-07-06 角形チツプ抵抗器の製造方法 Pending JPS598302A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6027104A (ja) * 1983-07-22 1985-02-12 ロ−ム株式会社 チツプ抵抗器の製造方法
JPH01152701A (ja) * 1987-12-10 1989-06-15 Rohm Co Ltd チップ型電子部品

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5771160A (en) * 1980-10-22 1982-05-01 Sony Corp Manufacture of thick film printed circuit substrate

Patent Citations (1)

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