JPS6076103A - サ−ミスタの製造方法 - Google Patents
サ−ミスタの製造方法Info
- Publication number
- JPS6076103A JPS6076103A JP58184630A JP18463083A JPS6076103A JP S6076103 A JPS6076103 A JP S6076103A JP 58184630 A JP58184630 A JP 58184630A JP 18463083 A JP18463083 A JP 18463083A JP S6076103 A JPS6076103 A JP S6076103A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermistor
- electrode
- glass
- substrate
- resistance value
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、サーミスタ（感熱抵抗素子）の製造方法に関
し、更に詳細には、特性の良いサーミスタを抵抗値のバ
ラツキの少ない状態で得ることが可能な製造方法に関す
る。
し、更に詳細には、特性の良いサーミスタを抵抗値のバ
ラツキの少ない状態で得ることが可能な製造方法に関す
る。
従来技術
サーミスタは、ウェハー状のサーミスタ基板に、厚膜印
刷によって多数の素子を得るように対向電極を形成し、
ダイヤモンドカッタ等で個々の素子に切断することによ
って得られる。ところで、抵抗値のバラツキを１０％以
下にすることが困難であった。
刷によって多数の素子を得るように対向電極を形成し、
ダイヤモンドカッタ等で個々の素子に切断することによ
って得られる。ところで、抵抗値のバラツキを１０％以
下にすることが困難であった。
発明の目的
そこで、本発明の目的は、抵抗値のバラツキの少ないサ
ーミスタを容易に得ることが出来る製造方法を捉供する
ことにある。
ーミスタを容易に得ることが出来る製造方法を捉供する
ことにある。
発明の構成
上記目的を達成するための本発明は、サーミスタ基板の
上に第１及び第２の電極を対向した状態に設ける工程と
、少なくとも前記第１の電極と前記第２の電極との間の
前記サーミスタ基板の表面にガラスを塗布し、しかる後
焼付ける工程と、前記ガラスの焼付工程の後に前記第１
の電極と前記第２の電極との少なくとも一方をトリミン
グして抵抗値の調整を行う行程とを含むサーミスタの製
造方法に係わるものである。
上に第１及び第２の電極を対向した状態に設ける工程と
、少なくとも前記第１の電極と前記第２の電極との間の
前記サーミスタ基板の表面にガラスを塗布し、しかる後
焼付ける工程と、前記ガラスの焼付工程の後に前記第１
の電極と前記第２の電極との少なくとも一方をトリミン
グして抵抗値の調整を行う行程とを含むサーミスタの製
造方法に係わるものである。
発明の作用効果
上記発明によれば、次の作用効果が得られる（イ）基板
の露出表面をガラスで保農するので、第１の電極と第２
の電極との間に電極の金属イオンが流出し、イオンの移
動（マイグレーション）が生じる現象を防止することが
出来る。従って対向電極間の絶縁抵抗の低下が少なくな
る１、（ロ） ガラスを焼付けた後に、トリミングする
ので、ガラスの焼付に基づいてサーミスタ基板の抵抗変
化が生じても、これをトリミングで補正することが出来
る１、従って、所定の抵抗値公差に入るサーミスタを容
易に得ることが出来る２、実施例 次に、第１図〜第７図を参照して本発明の実施例に係わ
るサーミスタの製造方法について述べる。
の露出表面をガラスで保農するので、第１の電極と第２
の電極との間に電極の金属イオンが流出し、イオンの移
動（マイグレーション）が生じる現象を防止することが
出来る。従って対向電極間の絶縁抵抗の低下が少なくな
る１、（ロ） ガラスを焼付けた後に、トリミングする
ので、ガラスの焼付に基づいてサーミスタ基板の抵抗変
化が生じても、これをトリミングで補正することが出来
る１、従って、所定の抵抗値公差に入るサーミスタを容
易に得ることが出来る２、実施例 次に、第１図〜第７図を参照して本発明の実施例に係わ
るサーミスタの製造方法について述べる。
まず １辺が４〜５ｃｒｎ程度のウエノ・−状のサーミ
スタ基板１１１を用意し、この基板１１１上に、第１図
及び第３図に示す如く、第１及び第２の電極＋２１ ＋
３１をストライプ状に厚膜印刷技術で形成する。なお、
サーミスタ基板＋１１は、Ｍｎ０１ＮｉＯ１ＣｏＯを主
成分とした組成物の焼結体であり、第１及び第２の電極
１２１ （３１は銀−パラジウムペーストを印刷し、焼
付けたものである。
スタ基板１１１を用意し、この基板１１１上に、第１図
及び第３図に示す如く、第１及び第２の電極＋２１ ＋
３１をストライプ状に厚膜印刷技術で形成する。なお、
サーミスタ基板＋１１は、Ｍｎ０１ＮｉＯ１ＣｏＯを主
成分とした組成物の焼結体であり、第１及び第２の電極
１２１ （３１は銀−パラジウムペーストを印刷し、焼
付けたものである。
次に、第２図及び第４図に示す如く、第１及び第２の電
極（２１（３１の間の基板露出面（４）及び第１及び第
２の電極＋２１ ＋３１の一部を覆うようにホウケイ酸
ガラスを塗布し、好ましくは５００〜５５０Ｃ，より好
ましくは５２０〜５３０Ｃで焼付け、数μｍのガラス被
覆層（５）を形成する。
極（２１（３１の間の基板露出面（４）及び第１及び第
２の電極＋２１ ＋３１の一部を覆うようにホウケイ酸
ガラスを塗布し、好ましくは５００〜５５０Ｃ，より好
ましくは５２０〜５３０Ｃで焼付け、数μｍのガラス被
覆層（５）を形成する。
次に、第２図及び第４図の鎖線の位置をダイヤモンドカ
ッタで切断し、第５図に示すチップ状のサーミスタ（６
）を得る。このようにして得られたサーミスタ（６）の
抵抗値が常に公差範囲に入るとは限らない。ウェハー状
サーミスタ基板の場所の変化、ガラスの焼付条件の変化
等によって抵抗値のバラツキがある。そこで、第６図及
び第７図に示す如く、例えば第１の電極（２）の一部を
レーザによってトリミングする。、この場合、ガラス被
覆層（５）が電極（２）のトリミング部分の上にも設け
られているので、ガラス被覆層（５）を通して電極〔２
）をレーザビームで除去する。
ッタで切断し、第５図に示すチップ状のサーミスタ（６
）を得る。このようにして得られたサーミスタ（６）の
抵抗値が常に公差範囲に入るとは限らない。ウェハー状
サーミスタ基板の場所の変化、ガラスの焼付条件の変化
等によって抵抗値のバラツキがある。そこで、第６図及
び第７図に示す如く、例えば第１の電極（２）の一部を
レーザによってトリミングする。、この場合、ガラス被
覆層（５）が電極（２）のトリミング部分の上にも設け
られているので、ガラス被覆層（５）を通して電極〔２
）をレーザビームで除去する。
上述の方法でサーミスタ（６）を形成すれば、トリミン
グ部分（７）はガラス被覆層（５）で被覆されないが、
その他の部分は被覆されているので、マイグレーション
の少ないサーミスタ素子を提供することが出来る。また
、ガラス被覆層（５）を設けた後にトリミングするので
、ガラス被覆層（５）を設ける際の加熱処理によるサー
ミスタ基板Ｉｌ＋の抵抗変化に基づく抵抗値のバラツキ
をトリミングで少なくすることが出来、目標の抵抗値に
対するバラツキが少なく（約２％）なる。
グ部分（７）はガラス被覆層（５）で被覆されないが、
その他の部分は被覆されているので、マイグレーション
の少ないサーミスタ素子を提供することが出来る。また
、ガラス被覆層（５）を設けた後にトリミングするので
、ガラス被覆層（５）を設ける際の加熱処理によるサー
ミスタ基板Ｉｌ＋の抵抗変化に基づく抵抗値のバラツキ
をトリミングで少なくすることが出来、目標の抵抗値に
対するバラツキが少なく（約２％）なる。
次Ｋ、第８図及び第９図に示す本発明の別の実施例につ
いて述べる。この実施例では、第８図に示すようにサー
ミスタ基板１１）上に第１及び第２０Ｍ、極（２１ｆ３
１を設け、更にこれ等の開の露出表面（４）にガラス被
覆層（５）を設ける。しかし、この例では、トリミング
部分にはガラス被覆層（５１を設けない。
いて述べる。この実施例では、第８図に示すようにサー
ミスタ基板１１）上に第１及び第２０Ｍ、極（２１ｆ３
１を設け、更にこれ等の開の露出表面（４）にガラス被
覆層（５）を設ける。しかし、この例では、トリミング
部分にはガラス被覆層（５１を設けない。
そして、第９図に示す如く、電極（２）の一部をサンド
ブラストで除去し、所望の抵抗値が得られるようにトリ
ミングする。この方法によっても、ガラス被覆層（５）
をトリミング前に設けるので、抵抗値のバラツキが少な
くなる。また、マイグレーションも防止される。
ブラストで除去し、所望の抵抗値が得られるようにトリ
ミングする。この方法によっても、ガラス被覆層（５）
をトリミング前に設けるので、抵抗値のバラツキが少な
くなる。また、マイグレーションも防止される。
以上、実施例について述べたが、本発明はこれに限定さ
れるものでなく、変形可能なものである。
れるものでなく、変形可能なものである。
例えば、第１図〜第７図の実施例に於いて、トリミング
部分にガラス被覆層を設けないようにしてもよい。
部分にガラス被覆層を設けないようにしてもよい。
第１図及び第２図は本発明の実施例に係わるサーミスタ
を製造工程順に示す平面図、第３図は第１図のト」線断
面図、第４図は第２図のＩＶ−ＩＶ線断面図、第５図は
第４図のウェハーから得たサーミスタを示す断面図、第
６図はトリミングした後のサーミスタを示す断面図、第
７図は第６図のサーミスタの平面図、第８図及び第９図
は本発明の別の実施例のサーミスタを工程順に示す断面
図である。 ｆｉ＋・・・サーミスタ基板、（２）・・・第１の電極
、（３）・・・第２の電極、（４）・・・露出面、（５
）・・・ガラス被覆層、（６）・・・サーミスタ、（７
）・・・トリミング部分。 代理人 高野則次 目−］ 葎 瞭 〜 区 Ｅ 区 ＬＯロ Ｎ 昧 鰹 沫
を製造工程順に示す平面図、第３図は第１図のト」線断
面図、第４図は第２図のＩＶ−ＩＶ線断面図、第５図は
第４図のウェハーから得たサーミスタを示す断面図、第
６図はトリミングした後のサーミスタを示す断面図、第
７図は第６図のサーミスタの平面図、第８図及び第９図
は本発明の別の実施例のサーミスタを工程順に示す断面
図である。 ｆｉ＋・・・サーミスタ基板、（２）・・・第１の電極
、（３）・・・第２の電極、（４）・・・露出面、（５
）・・・ガラス被覆層、（６）・・・サーミスタ、（７
）・・・トリミング部分。 代理人 高野則次 目−］ 葎 瞭 〜 区 Ｅ 区 ＬＯロ Ｎ 昧 鰹 沫
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＋１１ サーミスタ基板の上に第１及び第２の電極を対
向した状態に設ける工程と、 少なくとも、前記第１の電極と前記第２の電極との間の
前記サーミスタ基板の表面にガラスを塗布し、しかる後
焼付ける工程と、 前記ガラスの焼付工程の後に前記第１の電極と前記第２
の電極との少なくとも一方をトリミングして抵抗値の調
整を行う工程と、 を含むサーミスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58184630A JPS6076103A (ja) | 1983-10-03 | 1983-10-03 | サ−ミスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58184630A JPS6076103A (ja) | 1983-10-03 | 1983-10-03 | サ−ミスタの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6076103A true JPS6076103A (ja) | 1985-04-30 |
| JPH0227802B2 JPH0227802B2 (ja) | 1990-06-20 |
Family
ID=16156588
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58184630A Granted JPS6076103A (ja) | 1983-10-03 | 1983-10-03 | サ−ミスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6076103A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004158764A (ja) * | 2002-11-08 | 2004-06-03 | Rohm Co Ltd | チップ抵抗器の製造方法およびチップ抵抗器 |
| WO2009096386A1 (ja) * | 2008-01-30 | 2009-08-06 | Koa Corporation | 抵抗器およびその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5612702A (en) * | 1979-07-11 | 1981-02-07 | Tdk Electronics Co Ltd | Chip thermistor |
-
1983
- 1983-10-03 JP JP58184630A patent/JPS6076103A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5612702A (en) * | 1979-07-11 | 1981-02-07 | Tdk Electronics Co Ltd | Chip thermistor |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004158764A (ja) * | 2002-11-08 | 2004-06-03 | Rohm Co Ltd | チップ抵抗器の製造方法およびチップ抵抗器 |
| JP4647182B2 (ja) * | 2002-11-08 | 2011-03-09 | ローム株式会社 | チップ抵抗器の製造方法およびチップ抵抗器 |
| WO2009096386A1 (ja) * | 2008-01-30 | 2009-08-06 | Koa Corporation | 抵抗器およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0227802B2 (ja) | 1990-06-20 |
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