JPH0497501A - 抵抗器及びその製造方法 - Google Patents

抵抗器及びその製造方法

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JPH0497501A
JPH0497501A JP2215361A JP21536190A JPH0497501A JP H0497501 A JPH0497501 A JP H0497501A JP 2215361 A JP2215361 A JP 2215361A JP 21536190 A JP21536190 A JP 21536190A JP H0497501 A JPH0497501 A JP H0497501A
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JP
Japan
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resistor
layer
resistance
thick film
resistance value
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JP2215361A
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English (en)
Inventor
Masato Hashimoto
正人 橋本
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は高密度配線回路に用いられる、抵抗器(主に角
形チップ抵抗器、抵抗ネットワーク素子、ハイブリッド
IC上に形成される厚膜抵抗体や薄膜抵抗体)およびそ
の製造方法に関するものである。
従来の技術 近年、電子機器の軽薄短小化に対する要求がますます増
大していく中、回路基板の配tIA密度を高めるため、
抵抗素子には非常に小型な抵抗器が多く用いられるよう
になってきた。また、近年の高密度配線用の抵抗体にも
過負荷に対する信転性が求められるようになってきてい
る。
従来の厚膜タイプの抵抗器の抵抗層の構造の一例を、第
3図に示す。
従来の抵抗器の抵抗層は9Gアルミナ基板上に形成され
た一対の厚at極による電極層11と、前記電極層11
と接続するように形成されたルテニウム系厚膜抵抗によ
る抵抗層12とからなっており、抵抗層12には抵抗値
の修正のためのトリミング溝13が形成されるように構
成されていた。
発明が解決しようとする課題 しかし、この抵抗器に負荷をかけた場合、第3図のAポ
イントに温度上昇の高い部分が発生する。
ここでは抵抗層の他の部分より抵抗層の断面積が小さく
抵抗値が高いため、発生する熱量(この部分にかかる電
力=抵抗値×電流の自乗)が大きくなるためである。こ
のため従来の抵抗器の抵抗層はこの部分の温度上昇のた
め過負荷特性が弱いといった課題を有していた。
本発明は、この温度上昇の大きい部分を分散させること
により過負荷に対する信軌性を高めることを目的とする
課題を解決するための手段 上記目的を達成するために本発明の抵抗器は、絶縁基板
上に形成した一対の電極と、この電極間に電極と接続さ
れるように形成され、かつ幅方向の端より内側に向かっ
てトリミング溝が設けられる抵抗体とを有し、前記抵抗
体の電極間の領域の内トリミング溝により抵抗値が修正
される領域に於いて、少なくともトリミング溝により除
去されない部分に、他の部分より抵抗値が低い低抵抗部
を設けるように構成されている。
作用 これにより、本発明の抵抗器は抵抗体幅方向のトリミン
グ残り部分(第3図Aポイント)の抵抗値を他の抵抗層
より小さくすることにより、この部分への電力の集中を
抑え、温度上昇の集中を抑え過負荷特性を向上させるこ
とが出来る。
実施例 以下、本発明の一実施例の抵抗器として角形チップ抵抗
器について、第1図を用いて説明する。
第1図は本実施例を示す断面図である。
第1図において、本発明の角形チップ抵抗器は、96ア
ルミナ基板1と、前記96アルミナ基板1上の銀系厚膜
の一対の上面電極層2と、前記上面電極層2の一部に重
なるルテニウム系厚膜の第1抵抗層4と、前記第1抵抗
層4の領域の内トリミング溝により抵抗値が修正される
領域に於いて、少なくともトリミング溝により除去され
ない部分に形成されたルテニウム系厚膜の第2抵抗層5
と、第1抵抗層4および第2抵抗層5を完全に覆うガラ
ス層6と、前記上面電極層2の一部に重なる銀系厚膜の
端面電極層3より構成される。なお、露出電極面にはは
んだ付は性を向上させるために、Niめっき層7と5n
−Pbめっき層8を電解めっきにより施している。
次に、第1図に示した本発明の実施例の製造方法につい
て説明する。まず、耐熱性および絶縁性に優れた96ア
ルミナ基板1を受は入れる。このアルミナ基板1には短
冊状、および個片状に分割するために、分割のための溝
(グリーンシート時に金型成形)が形成されている。次
に、前記96アルミナ基板1の表面に厚膜銀ペーストを
スクリーン印刷し、ベルト式連続焼成炉によって850
℃の温度で、ピーク時間6分、lN−0UT  45分
のプロファイルによって焼成し上面電極層2を形成する
。次に、上面電極層2の一部に重なるように、Rub、
を主成分とする厚膜抵抗ペーストをスクリーン印刷し、
ベルト式連続焼成炉により850”Cの温度でピーク時
間6分、lN−0UT時間45分のプロファイルによっ
て焼成し、第1抵抗層4を形成する0次に、前記第り抵
抗層4の領域の内トリミング溝により抵抗値が修正され
る領域に於いて、少なくともトリミング溝により除去さ
れない部分にRuOよを主成分とする厚膜抵抗ペースト
をスクリーン印刷し、ベルト式連続焼成炉により850
℃の温度でピーク時間6分、lN−0UT時間45分の
プロファイルによって焼成し、第2抵抗層5を形成する
6次に、前記上面電極層2間の前記第1抵抗層4および
第2抵抗層5の抵抗値を揃えるために、レーザー光によ
って、第2図のように前記抵抗層4の一部を破壊し抵抗
値修正を行う。
このように第2抵抗層5の一部にかかるようにトリミン
グを施すことにより、第3図にて説明したA点の抵抗値
を下げる(膜厚が約2倍になることにより抵抗値が17
2程度になる)ことが出来る。
続いて、前記第1抵抗層4および第2抵抗層5を完全に
覆うように、ホウケイ酸鉛系ガラスペーストをスクリー
ン印刷し、ベルト式連続焼成炉によって590°Cの温
度で、ピーク時間6分、lN−0UT50分の焼成プロ
ファイルによって焼成し、オーバーコートガラス層6を
形成する。次に、端面電極を形成するための準備工程と
して、端面電極を露出させるために、アルミナ基板1を
短冊状に分割し、短冊状アルミナ基板を得る。前記短冊
状アルミナ基板の側面に、前記上面電極層2の一部に重
なるように厚膜銀ペーストをローラーによって塗布し、
ベルト式連続焼成炉によって600℃の温度で、ピーク
時間6分、lN−0UT  45分の焼成プロファイル
によって焼成し端面電極層3を形成する0次に、電極メ
ツキの準備工程として、前記端面電極層3を形成済みの
短冊状アルミナ基板を個片状に分割する二次基板分割を
行い、個片状アルミナ基板を得る。そして最後に、露出
している上面電極層2と端面電極層3のはんだ付は時の
電極喰われの防止およびはんだ付けの信顧性の確保のた
め、電解めっきによってNiめっき層7と5n−Pbの
めっき層8を形成する。
以上の工程により、本実施例の角形チップ抵抗器を製造
した。
この本発明の実施例による角形チップ抵抗器と従来の角
形チップ抵抗器を比較するために、定格電力を印加した
ときの第3図A点の温度上昇と短時間過負荷特性(定格
電力の5倍の直ft1t圧を5秒間印加したときの抵抗
値変化率)を第1表にまとめる。(抵抗値は100Ω) 第  1  表 第1表より分かるように本実施例は定格電力を印加した
ときの温度上昇が小さく、また、短時間過負荷特性が従
来の角形チップ抵抗器に比べ優れていることが分かる。
これは第3図A点に電力が集中しなくなったためと考え
る。
以上の説明より明らかなように、本実施例の角形チップ
抵抗器は非常に優れた性能を有すると言える。
なお、実施例では角形チップ抵抗器を用いて効果を説明
したが、その他の抵抗ネットワーク素子やハイブリッド
IC上に形成される厚膜抵抗体、更に薄膜抵抗素子に適
用できるのは言うまでもない。
また、実施例では低抵抗部は厚膜抵抗体を2回印刷焼成
することにより形成したが、これは他の部分の厚膜抵抗
体より低い抵抗値を有する厚膜抵抗体を印刷焼成するこ
とにより形成してもよいし、またその他の方法(低抵抗
部以外をドライエツチングなどにより膜厚を薄くする。
厚膜印刷時のスクリーンマスクの層厚を厚くして1回印
刷にて形成する。)でもよい、(但し、最も簡単に低コ
ストで実現できるのは実施例の工法である。)また、実
施例ではレーザートリミングはLカットにて説明したが
、これは当然シングルカットやJカットにも適用できる
し、低抵抗部を2カ所以上設けることによりZカットや
サーペンタインカット等の高倍率トリミングに適用でき
る。
また、実施例においては低抵抗部はトリミングにより修
正されない部分のみ形成したが、これは抵抗値が修正さ
れる全鯖誠に形成してもよい。
(但し、この場合トリミングによる抵抗値の修正率が悪
くなる。) 発明の効果 以上の説明より明らかなように、本発明の抵抗器は、絶
縁基板上に形成した一対の電極と、この電極間に電極と
接続されるように形成され、かつ幅方向の端より内側に
向かってトリミング溝が設けられる抵抗体を有し、前記
抵抗体の電極間の領域の内トリミング溝により抵抗値が
修正される領域に於いて、少なくともトリミング溝によ
り除去されない部分に、他の部分より抵抗値が低い低抵
抗部を設けるように構成されているので、抵抗体幅方向
のトリミング残り部分の抵抗値が他の抵抗層より小さく
なり、この部分への電力の集中を抑えることにより温度
上昇の集中を抑え過負荷特性を向上させることが出来る
といった優れた効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例である角形チップ抵抗器の構
造を示す断面図、第2図は本発明の一実施例の角形チッ
プ抵抗器の抵抗体のトリミング後の状態を説明する平面
図、第3図は従来の抵抗器の抵抗体のトリミング後の状
態を示す平面図である。 1・・・・・・96アルミナ基板、2・・・・・・上面
電極層、4・・・・・・第1抵抗層、5・・・・・・第
2抵抗層、6・・・・・・オーバーコートガラス層、3
・・・・・・端面電極層、7・・・・・・Niめっき層
、8・・・・・・5n−Pbめっき層。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか1名/−Q6 
 フルミツ羞社( 2−上面t′wL層 3−−−一自at麺11 第21!1 カ゛ラス層

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)絶縁基板上に形成した一対の電極と、この電極間
    に電極と接続されるように形成されかつ幅方向の端より
    内側に向かってトリミング溝が設けられる抵抗体とを有
    し、前記抵抗体の電極間の領域の内トリミング溝により
    抵抗値が修正される領域に於いて、少なくともトリミン
    グ溝により除去されない部分に、他の部分より抵抗値が
    低い低抵抗部を設けたことを特徴とする抵抗器。
  2. (2)低抵抗部は他の部分より抵抗体膜厚を厚くするこ
    とにより形成されることを特徴とする請求項1記載の抵
    抗器。
  3. (3)低抵抗部は他の部分より抵抗体の面積抵抗値の低
    い抵抗体を形成することにより設けたことを特徴とする
    請求項1記載の抵抗器。
  4. (4)低抵抗部は厚膜抵抗体を2回印刷焼成することに
    より形成することを特徴とする請求項2記載の抵抗器の
    製造方法。
  5. (5)低抵抗部は他の部分の厚膜抵抗体より低い抵抗値
    を有する厚膜抵抗体を印刷焼成することにより形成した
    ことを特徴とする請求項3記載の抵抗器の製造方法。
  6. (6)絶縁性のセラミック基板と、前記セラミック基板
    上の銀系厚膜の一対の上面電極層と、前記上面電極層の
    一部に重なるルテニウム系厚膜の第1抵抗層と、前記第
    1抵抗層の領域の内トリミング溝により抵抗値が修正さ
    れる領域に於いて、少なくともトリミング溝により除去
    されない部分に形成されたルテニウム系厚膜の第2抵抗
    層と、第1抵抗層および第2抵抗層を完全に覆うガラス
    層と、前記上面電極層の一部に重なる銀系厚膜の端面電
    極層とから構成したことを特徴とする角形チップ抵抗器
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009509327A (ja) * 2005-09-20 2009-03-05 アナログ ディヴァイスィズ インク トリミング可能膜抵抗器および膜抵抗器を形成しトリミングする方法
KR20170139594A (ko) 2015-04-24 2017-12-19 가마야 덴끼 가부시끼가이샤 각형 칩 저항기 및 그 제조법

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