JPH04133302A - 抵抗体及びそのトリミング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、薄膜混成集積回路や角形チップ抵抗器等に用
いられる抵抗体及びそのトリミング方法に関するもので
ある。

従来の技術 近年、電子機器の「軽薄短小」化に伴い抵抗素子の小型
化、高精度化の要求が高まりつつある。

これらの抵抗素子は、一般にアルミナセラミックヌ基板
上に電極膜及び抵抗膜を厚膜もしくは薄膜材料で形成し
たものである。特にスパッタ法や蒸着法によυ形成され
た薄膜抵抗体は一般的に厚膜抵抗体に比べて高精度であ
るが、比較的抵抗率の小さい抵抗材料から構成されるも
のであるが、よシ低抵抗値の抵抗体を形成するにはエツ
チング技術を用い第３図に示すように抵抗パターン＠Ｗ
を太く抵抗パターン長さＬを短くして形成している。

この第３図において４は電極部、６け薄膜抵抗体である
。

発明が解決しようとする課題 第３図の抵抗パターンよりさらに低抵抗を得るには、第
４図のようなくし形の抵抗パターンが適している。この
薄膜抵抗体４をレーザービーム等で切断するためトリミ
ングｌＮ！６を形成して抵抗値修正を施し、高抵抗側ヘ
シフトさせる。ニアかしながら、低抵抗域の抵抗値を実
現するために電極６と電極６との間隔すなわち抵抗パタ
ーン長さＬを小さくすればするほどトリミングが困難と
なった。

すなわち、抵抗パターン長さＬが狭くなれば、レーザー
ビーム径、ビーム位置精度、パターン精度が要求される
ため、抵抗パターン長さＬを小さくするには限界があっ
た。よって低抵抗域の抵抗値を実現することには、限界
があった。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたもので、低抵抗域
を実現しかつトリミングを行いやすい抵抗体及びそのト
リミング方法を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段 上記目的を達成するために、本発明の抵抗体は絶縁基板
上に一対の電極を備え、かつこの一対の電極のうち少な
くとも一方はくし形電極とし、このくし形電極の先端部
に重なりかつ一対の電極に電気的に接続するように抵抗
膜を配設したものである。

また本発明は、この抵抗体のくし形電極のうち抵抗膜が
重なっていない部分を切断して抵抗値を調整するトリミ
ング方法を提供するものである。

作用 本発明によれば、くし形電極部分を切断してトリミング
するため、低抵抗域の抵抗値を実現するために抵抗膜の
長さが短く形成された場合であってもこれに影響されて
、トリミングのレーザービーム径、ビーム位置精度、パ
ターン精度を精密に制御する必要がない。よって低抵抗
域を実現しかつトリミングが行いやすいものとなる。

実施例 以下、本発明の一実施例の抵抗体及びそのトリミング方
法について図面を参照しながら説明する。

（実施例１） 第１図（ＩＬ）　、　（ｂ）はそれぞれ本発明の第一の
実施例抵抗体の平面図及び断面図である。

第１図において、１はアルミナ基板であり、このアルミ
ナ基板１上にはアンダーグレーズ層２が形成されている
。アルミナ基板１の両端部にはアンダーグレーズ層２に
一部重なるように厚膜ムｇ−Ｐ（１ペーストからなる一
対の一次電極膜３＆。

３ｂが備えられている。４は一方の一次電極膜３１Ｌに
一部重なり、くし形部分を有して設けられた金属有機物
ムＵペーストからなる二次電極膜である。６は二次電極
膜４のくし形部分の先端に重なりかつ他方の一次電極３
ｂに接続するように設けられた金属有機物からなる抵抗
体膜である。この抵抗体にトリミングを施すのだが、６
は所望の抵抗値を得るために前記くし形部分を切断して
設けたトリミング溝であシ、７は抵抗値微調整するため
に抵抗膜４に設けたトリミング溝である。

抵抗値トリミングには、τムＧレーザを用いトリミング
速度１００ｗ１／　１１ｅＣ％Ｑ　１／−）　１６　Ｋ
Ｈｚ、パワー０．３５Ｗにて行なった。

本実施例では、電極膜として一次電極膜３！Ｌ。

３ｂと二次電極膜４で構成したが、薄膜電極膜のみで前
述の形状の電極を形成しても構わない。また薄膜材料を
規定するものではない。

（実施例２） 第２図（２Ｌ）　、　（ｂ）に本発明の他の実施例を示
しておシ、第２図において、第１図に示す部分と同一部
分については、同一番号を付して説明を省略する。

この実施例においては、二次電極４を複数の短冊形状に
し、さらに二次電極膜３ａ　、３ｂの一部。

二次電極膜４、抵抗膜６を覆うように保護層８を設けた
構造となっている。この構成において、レーザー光は保
護層８を透過して薄膜抵抗体等を切削する。このように
この実施例では保護膜８を設けているため、抵抗体６が
外部に露出することがない。従って、信頼性の高い抵抗
器を製造できる。

なお、−次電極膜３ｂにも、くし形状あるいは短冊形状
の二次電極膜４を形成しても構わない。

この構成にすれば抵抗値の切上げ幅がより向上する。

以上のように本実施例によれば、 ■　電極膜を切断するため、レーザービーム径、ビーム
位置精度、パター／精度を精密に制御する必要がなく、
容易にトリミングすることができる。

■　電極膜を切断するトリミング方法を採るため、抵抗
部分を形成する電極間隔を短くすることができより低抵
抗域の抵抗値を得ることができる。

■　レーザー光によって保護膜が破壊されずにトリミン
グが行えるため抵抗体が露出することがなく、耐環境性
の優れた抵抗体を製造することができる。

等の優れた効果を生み出すことができる。

発明の効果 以上のように本発明によれば、くし形電極部分を切断し
てトリミングするため、低抵抗域の抵抗値を実現するた
めに抵抗膜の長さが短く形成された場合であってもこれ
に影響されて、トリミングのレーザービーム径、ビーム
位置精度、パターン精度を精密に制御する必要がない。

よって低抵抗域を実現しかつトリミングが行いやすいも
のとなる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ、）　、　（ｂ）はそれぞれ本発明の一実施
例の抵抗体の平面図および断面図、第２図（ａ）　、　
（ｂ）はそれぞれ本発明の他の実施例の抵抗体の平面図
および断面図、第３図、第４図はそれぞれ従来の抵抗体
の平面図である。 １・・・・・アルミナ基板、２・・・・・・アンダーグ
レーズ層、３・・・・・・−次電極膜、４・・・・・・
二次電極膜、６・・・・・抵抗体膜、６，７・・・・・
・トリミング溝、８・・・・・・保護膜。 代理人の氏名　弁理士　小鍜治　明　ほか２６第 図 第２図

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）絶縁基板上に一対の電極を備え、かつこの一対の
   電極のうち少なくとも一方はくし形電極とし、このくし
   形電極の先端部に重なりかつ一対の電極に電気的に接続
   するように抵抗膜を配設した抵抗体。
2. （２）少なくともくし形電極は薄膜で形成され、くし形
   電極及び抵抗膜を保護膜で覆った請求項１記載の抵抗体
   。
3. （３）くし形電極のうち抵抗膜が重なっていない部分を
   切断して抵抗値を調整する請求項１記載の抵抗体のトリ
   ミング方法。