JPH01313901A

JPH01313901A - 抵抗素子

Info

Publication number: JPH01313901A
Application number: JP63146563A
Authority: JP
Inventors: Yasufumi Katsura; 勝楽　靖文
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1988-06-14
Filing date: 1988-06-14
Publication date: 1989-12-19

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔概要〕混成集積回路等に広く用いられる抵抗素子の改良に関し
、従来のものより高精度の抵抗素子を提供することを目的
とし、絶縁基板に形成した抵抗体の平面形状が、長さ方向の少
なくとも一側が該長さ方向に対し傾斜しており、該抵抗体の抵抗値調整溝が、該−側の中間部からほぼ該
長さ方向に設けてなること、並びに、絶縁基板に形成した抵抗体が、該基板に形成し
た第１の抵抗層と、該第１の抵抗層の上に形成した絶縁
層と、該絶縁層の上に形成し該第１の抵抗層より幅が狭
く面積抵抗が該第１の抵抗層より大きいまたは小さい第
２の抵抗層からなり、長さ方向の端部で該第１．第２の
抵抗層を電気的に接続した該抵抗体の抵抗値微調整用の
溝が、面積抵抗の大きい該第１または第２の抵抗層の表
呈部に設けてなることを特徴とし構成する。

〔産業上の利用分野〕

本発明は混成集積回路等に広く用いられる抵抗素子、特
に抵抗値の微調整を容易ならしめた改良に関する。

混成集積回路基板に形成された抵抗素子は、回路構成の
高機能化に伴って、高精度のものが要求されるため、ト
リミング（抵抗値調整）する必要が生じる。そして、従
来のトリミングによる精度は０．１％程度が量産時の限
界であったが、最近は誤差０．１％以下の高精度のもの
が要求されるようになった。

〔従来の技術〕

第５図は従来の抵抗素子とその抵抗値調整方法を説明す
るための平面図である。

第５図において、絶縁基板上に形成した抵抗素子１は、
膜抵抗体２の長さ方向の両端部に導体層３を形成してな
り、その抵抗値調整は、抵抗体２の中間部にＬ字形の溝
４を、例えばＹＡＧレーザを使用して形成する。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来の抵抗素子１において、抵抗体２はその長さ方向に
均一幅であり、その抵抗値調整は、抵抗体２を横切る方
向成分を含む溝４を形成する方法であった。かかる抵抗
素子１においてその抵抗値は、溝４の形成（トリミング
）によって０．１％程度の精度に調整できるが、抵抗素
子ｌの抵抗値を混成集積回路の高性能化に対応しさらに
高精度化することが困難であるという問題点があった。

本発明の目的は、自動調整によって従来よりも高精度に
トリミング可能な抵抗素子を提供し、高性能化な混成集
積回路の実現に寄与することである。

れば、絶縁基板に形成した抵抗体１２．２２の平面形状
が、長さ方向の少な（とも−側１２ｂ、　２２ｂが該長
さ方向に対し傾斜しており、抵抗体１２．２２の抵抗値調整？８１５．２５が、その
−側１２ｂ、　２２ｂの中間部からほぼ該長さ方向に設
けてなることを特徴とする抵抗素子１１．２１、並びに
、絶縁基板１０に形成した抵抗体３５．４５が、基板１
０に形成した第１の抵抗層３２．４２と、第１の抵抗層
３２．４２の上に形成した絶縁層３３．４３と、絶縁層
３３．４３の上に形成し第１の抵抗層３２．４２より幅
が狭く面積抵抗が第１の抵抗層３２．４２より大きいか
または小さい第２の抵抗層３４．４４からなり、長さ方
向の端部で第１の抵抗層３２．４２と第２の抵抗層３４
．４４とを電気的に接続した抵抗体３５．４５の抵抗値
微調整用の溝３８．４８が、面積抵抗の大きい第１の抵
抗層３２　、４２または第２の抵抗Ｎ３４．４４の表呈
部に設けてなることを特徴とする抵抗素子３１．４１で
ある。

〔作用〕

上記手段によれば、抵抗体の一側を傾斜構成とし該−側
から抵抗体の長さ方向に抵抗値調整溝を設けるまたは、
高抵抗の抵抗層と低抵抗の抵抗層にて抵抗体を構成し、
抵抗値の微調整溝を高抵抗の抵抗層に設けることにより
、抵抗値を±０．０１％の精度にする調整が可能になる
。

〔実施例〕

以下に、図面を用いて本発明の実施例による抵抗素子を
説明する。

第１図は本発明の第１の実施例による抵抗素子の平面図
、第２図は本発明の第２の実施例による抵抗素子の平面
図、第３図は本発明の第３の実施例による抵抗素子の平
面図（イ）とそのＡ−Ａ断面図（０）、第４図は本発明
の第４の実施例による抵抗素子の平面図（イ）とそのＢ
−Ｂ断面図（ロ）である。

第１図において、絶縁基板に形成した抵抗素子１１は膜
抵抗体１２の長さ方向の両端部に導体層１３を形成して
なる。抵抗体１２の平面形状は、長さ方向の一例（右辺
）１２ａが該長さ方向に直線であるのに対し、長さ方向
の他側（左辺）１２ｂは該長さ方向に対し傾斜しており
、その抵抗値調整は、−側１２ａからのＬ字形の溝１４
によって粗調整したのち、他側１２ｂの中間部から抵抗
体１２の長さ方向の溝１５によって微調整してなる。

ここで、抵抗体１２を横切る成分を含む溝１４は、従来
と同一方法によるトリミングであり、所望値を越えない
ように注意して形成し、抵抗体１２の抵抗値を　所望値
〜所望値マイナス１％程度　の範囲に調整する。

′ａ】４に次いで形成させる溝１５は、抵抗体１２の長
さ方向であるため、抵抗体１２の抵抗値変化が溝１４の
それより小さくなり、抵抗体１２の抵抗値は所望値に対
し、±０．０１％の精度に調整可能である。

第２図において、絶縁基板に形成した抵抗素子２１は膜
抵抗体２２の長さ方向の両端部に導体層２３を形成して
なる。抵抗体２２は、長さ方向の両側（右辺と左辺）２
２ａ、２２ｂが該長さ方向に対し傾斜しており、その抵
抗値調整は、−側２２ａから該長さ方向に対し適当に傾
斜する溝２４によって粗調整したのち、他側２２ｂの中
間部から抵抗体２２の長さ方向に形成した溝２５によっ
て微調整してなる。

ここで、抵抗体２３に対し斜めとすることで抵抗値の変
化が比較的大きい溝２４は、所望値を越えないように注
意して形成し、抵抗体２３の抵抗値を所望値〜所望値マ
イナス０．１％程度　の範囲に調整する。

溝２４に次いで形成させる溝２５は、抵抗体２２の長さ
方向であるため、抵抗体２２の抵抗値変化が溝２４のそ
れより小さ（なり、抵抗体２２の抵抗値は所望値に対し
、±ｏ、ｏｉ％の精度に調整可能である。

第３図において、絶縁基板ｌＯに形成した抵抗素子３１
は、基板ｌＯ上に第１の抵抗層３２を形成し、抵抗層３
２の上にガラス質等の絶縁層３３を形成し、絶縁層３３
の上に第２の抵抗層３４を形成した抵抗体３５の長さ方
向の両端部に導体層３６を形成してなる。

例えば面積抵抗が１００Ω／ｍｍ”である抵抗層３２と
、抵抗層３２より幅が狭く面積抵抗が例えば１Ω／１Ｉ
ＩＩＩ１２である抵抗層３４とは、導体層３６によって
電気的に接続しており、抵抗体３５の抵抗値調整は、−
側３５ａから抵抗層３２に形成したＬ字形の溝３７によ
って、所望値〜所望値マイナス０．１％程度に粗調整し
たのち、他側３５ｂから抵抗層３２の表呈部に形成した
Ｌ字形の溝３８によってａ調整する。かかる微調整は、
抵抗層３２に高抵抗膜を使用しているため、抵抗体３５
は所望値±０．Ｏ１％の精度に調整可能である。

第４図において、絶縁基板１０に形成した抵抗素子４１
は、基板１０上に第１の抵抗層４２を形成し、抵抗層４
２の上にガラス質等の絶縁層４３を形成し、絶縁層４３
の上に抵抗層４２より面積抵抗の大きい第２の抵抗層４
４を形成した抵抗体４５の長さ方向の両端部に導体層４
６を形成してなる。

抵抗層４２．絶縁層４３．抵抗層４４の各左辺が重なる
抵抗体４５の一例（左辺）４５ａは、抵抗体４５の長さ
方向に一致し、抵抗層４２の右辺でもある抵抗体４５の
他側（右辺）４５ｂは、抵抗体４５の長さ方向に対し傾
斜しており、例えば面積抵抗が１Ω／ｆｆＩＩＩＩ！で
あり均等幅の抵抗層４４は、例えば面積抵抗が１００Ω
／ｌｌｌｌｌ１２である抵抗層４２の最狭部より、さら
に狭幅に形成しである。そして、抵抗層４２と抵抗層４
４は導体層４６により電気的に接続されており抵抗体４
５の抵抗値調整は、−側４５ａから抵抗層４４に形成し
たＬ字形の溝４７によって、所望値〜所望値マイナス０
．１％程度に粗調整したのち、他側４５ｂの中間部から
抵抗体４５の長さ方向に形成した直線溝４８によって微
調整する。かかる微調整は、抵抗層４２に高抵抗膜を使
用しているため、抵抗体４５は所望値±０．０１％の精
度に調整可能である。

なお、第３図および第４図の実施例において、抵抗層３
２または４２の面積抵抗は抵抗層３４または４４の面積
抵抗より大きい構成としたが、該面積抵抗の大小関係を
逆としたとき、抵抗値調整のための粗調整溝と微調整溝
も入れ替わり、抵抗層３２または４２に粗調整溝を形成
し、抵抗層３４または４４に微調整溝を形成することに
なる。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明によれば、抵抗体の一例を傾
斜構成とし該−側から抵抗体の長さ方向に抵抗値調整溝
を設けるまたは、高抵抗の抵抗層と低抵抗の抵抗層にて
抵抗体を構成し、抵抗値の微調整溝を高抵抗の抵抗層に
設けることにより、抵抗値を±０．０１％の精度にする
調整が可能となり、混成集積回路等の高機能化に寄与し
得た効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例の抵抗素子、第２図は本
発明の第２の実施例の抵抗素子、第３図は本発明の第３
の実施例の抵抗素子、第４図は本発明の第４の実施例の
抵抗素子、第５図は従来の抵抗素子、である。図中において、１０は絶縁基板、１１．２１．３１．４１は抵抗素子、１２、２２，３５．４５は抵抗体、１２ｂ、　２２ｂ、　４５ｂは傾斜する抵抗体の一例、
１５．２５，３７．４７は抵抗値微調整溝、３３．４３
は絶縁板、を示す。本分明の第１Ｌ：ｖ寅ｗ！例　　　　　本発明の第２の
実施例の低抗１ｇ：！　　　　　　　　　　　　のＩΔ
抗素子第１図　　　　　第２図（イ）　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　（ロン未発明のＸ３の寅ｔ＠分Ｊの１抵抗東予第３図（イ）　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（ロ）
本発明の第４の実施例の抵抗素子第４図従来の后抗素子Ｓｒ１１

Claims

【特許請求の範囲】

（１）絶縁基板に形成した抵抗体（１２、２２）の平面
形状が、長さ方向の少なくとも一側（１２ｂ、２２ｂ）
が該長さ方向に対し傾斜しており、該抵抗体の抵抗値調整溝（１５、２５）が、該一側の中
間部からほぼ該長さ方向に設けてなることを特徴とする
抵抗素子。
（２）絶縁基板（１０）に形成した抵抗体（３５、４５
）が、該基板に形成した第１の抵抗層（３２、４２）と
、該第１の抵抗層の上に形成した絶縁層（３３、４３）
と、該絶縁層の上に形成し該第１の抵抗層より幅が狭く
面積抵抗が該第１の抵抗層より大きいまたは小さい第２
の抵抗層（３４、４４）からなり、長さ方向の端部で該第１、第２の抵抗層を電気的に接続
した該抵抗体の抵抗値微調整用の溝（３８、４８）が、
面積抵抗の大きい該第１または第２の抵抗層の表呈部に
設けてなることを特徴とする抵抗素子。