JPH02148801A

JPH02148801A - 膜状抵抗体及びそのトリミング方法

Info

Publication number: JPH02148801A
Application number: JP63303253A
Authority: JP
Inventors: Nobuyuki Ishizeki; 石関　信幸
Original assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Current assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date: 1988-11-30
Filing date: 1988-11-30
Publication date: 1990-06-07
Anticipated expiration: 2011-03-04
Also published as: JPH0821481B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野コ本発明は、混成集積回路基板上に形成される厚膜抵抗体
、及びその抵抗値を調整するためのトリミング方法に関
する。

［従来の技術］近年における各種？３子技術の進歩は目覚ましく、使用
する電子機器もその技術動向に対応して、小形軸■化、
高性能化が絶え間なく要求され続けている。特に、電子
機器の構成の主体となる混成集積回路の高密度化の要求
は、大なるものがある。本発明は、前記混成集積回路を
６１４成する電子部品素子の中で、抵抗体が比較的多（
１ことに若目し、その厚膜抵抗体、特に可変抵抗回路を
形成する部分を小形化しようとするものである。

第４図は、従来のこの種混成年債回路（ハイブリッドＩ
Ｃ）の−例で、極めて一般的な電圧レギュレータを示す
ものである。図において、Ｔ＋、Ｔ２は能動素子である
トランジスタ、ＲＶＳ〜ＲＶ、は受動素子である可変抵
抗体、ＲＩ　は前記、バ、’！　１．Ｅ’　ｌ／’　％
ｔ４　）・！路の負荷である。同可変抵抗体ＲＶ　＋〜
ＲＶａは、厚膜抵抗体をトリミングすることにより、抵
抗値を変化させ回路特性のｒ＆終的調整を行っている。

このことは、ディスクリ−ト回路の特性調整を、半固定
のボリウムを用いて行うことと等価であり、混成集積回
路では普通に行われている。図示の回路においても、簡
単な回路構成にかかわらず、破線で囲んだ三箇所の部分
に可変抵抗体が用いられている。

前記厚膜抵抗体を用いる理由は、混成集積回路を構成す
る厚膜抵抗体はトリミングすることにより、組み上って
からでも回路の要求する任意の値と、精度を得ることは
可能であるが、他のもＭ成業子、トランジスタ、コンデ
ンサ等の特性ばらつきは調整し難い。従って、回路が組
み上った混成集積回路において、トランジスタ、コンデ
ンサ等の特性ばらつきによって、回路そのものの特性が
、要求値を満足しない場合が生じる。この様な場合、そ
の回路特性を、可変可能な厚膜抵抗体をトリミングする
ことにより、最終的に調整し、全体的な出力特性を満足
させていた。

第５図（ａ）は、前記第４図の破線で囲んだ部分、例え
ば可変抵抗体ＲＶ　＋とＲＶ２を直列にした部分を、混
成集積回路基板上に実際に形成するについての従来のト
リミング方法を説明する図である。図示されていない回
路基板上に、ｍａ　極９１Ｐ子ハ９−７１　Ａ、２Ａ及
び１Ｂ、２Ｂを形成した後、前記電極ｚ１．１子間に厚
膜抵抗体４Ａ及び４Ｂを形成する。外に、基板には抵抗
体、Ｖ４ｍ体等が形成された後、電子部品をマウントし
、第４図に示した回路、あるいはこれに類似した回路を
構成する。

このようにして出来上った混成集積回路の総合的な特性
を精密に調整するため、第５啄１（ａ）に示した厚膜抵
抗体４Ａ及び４Ｂのトリミングが施される。従来におい
ては、２個の厚膜抵抗体４Ａ及び４Ｂを直列接続し、同
抵抗体４Ａの一方の電極ＩＡを電源Ｖｃｅ側に、抵抗体
４Ｂの一方の電極２Ｂを接地側に接続する。そして、抵
抗体４Ａ、４Ｂの他の電極ＩＢと２Ａを接続し、そのＰ
Ａ読点に中間電極６を付加する。この様に構成された厚
膜抵抗体の等価回路は、第５図（ｂ）のようになる。

ここで、第４図の破線で囲んだ部分と、第５図（ｂ）の
相異は、第５図（ｂ）が可変になっていない点である。

さて、第４図のレギュレータにおいて、出力電圧Ｅｏは
、トランジスタＴ＋　のコレクタ電圧Ｖｃｃ１　ツェナ
ーダイオードＺＤのツェナー電圧及び可変抵抗体ＲＶＩ
、ＲＶ２の分圧比によって決定される。すなわち、トラ
ンジスタＴ＋　のベース電流によって決まる。しかし、
実際にはトランジスタＴＩ、ツェナーダイオードＺＤＷ
の特性にばらつきがあるため、出力電圧Ｅｏもばらつき
、要求する規格値に調整しなければならない。

第５図（ａ）の従来例においては、混成集積回路を所定
の電源Ｖｃｃに接続し、所定の負荷ＲＬを接続して、出
力電圧Ｅｏを実測しながら、抵抗体４Ａあるいは４Ｂを
トリミングして出力電圧Ｅｏを所定の規格値にあわせる
。５Ａ１５Ｂ部分が、トリミングを行った溝である。抵
抗体４Ａのトリミング溝５Ａを大きくすると、抵抗体４
Ａの抵抗値が増加し、その結果、トランジスタＴ＋　の
ベース電流が減る。抵抗体４Ｂのトリミングｔ：４５　
Ｅを大きくすると、抵抗体５Ａの抵抗値が増加し、トラ
ンジスタＴ、のベース電流が１イク加する。従って、抵
抗体４Ａ、４Ｂを任意にトリミングすることで、出力電
圧Ｅｏは、任意に調整される。前記のように、ダイナミ
ックな状態で行う抵抗体のトリミングは、一般にファン
クシｎナル・トリミングと１１手ばれている。

［発明が解決しようとする課題］前記従来の技術におけるファンクシｎナル−トリミング
を施した厚膜抵抗体は、第５図（ｂ）に等価回路を示し
たように、固定抵抗と同じ構成となる。半固定ボリュー
ムのような機械的摺動接点を持たないので、比較になら
ない程、高精度、高信頼性である。又、経年変化等も極
めて少ない。

しかしながら、上記従来のトリミング可変型抵抗体は二
個のＷ、ｖ、抵抗体を直列にして使用している。このた
め混成集積回路基板上の専有面債が大きく、小形化、高
密度化を進める上での技術的課題となっている。

ここにおいて、本発明の目的は、上記のような従来技術
の課題に鑑み、これらの課題を解決でき、混成集積回路
の小形化、高密度化の要求に対応可能な三ｘＡ１子型厚
ｊ摸抵抗体、及びそのトリミング方法を提供することに
ある。

［課題を解決するための手段］前記本考案の目的は、一対の電極端子１．２間に形成さ
れた厚膜抵抗体４において、同厚膜抵抗体４の中央領域
に中央電極３を設けたことを特徴とする三端子型厚膜抵
抗体によって達成される。

そして、上記三端子型厚膜抵抗体のトリミング方法とし
ては、一対の電極Ｚ！１子１．　２間に形成された厚膜
抵抗体４の中央領域に中央電極端子３を設け、その中央
電極端子３と電極ｉ１１子１の間の抵抗領域、及び中央
電極端子３と電極端子２の間の抵抗領域の少なくとも何
れか一方をトリミングすることを特徴とする三端子厚膜
抵抗体のトリミング方法がとられる。

［作　　用］上記のように、三１１１子にして、一つの厚膜抵抗体に
二つの抵抗領域を形成した可変可能な三端子型厚膜抵抗
体は、混成集積回路基板上に専める面積が小さく、集積
回路の小形、高密度化が可能となる。

又、前記三端子厚膜抵抗体は、混成集積回路を駆動した
状態で、いわゆるファンクシ式ナル・トリミングを行う
ことにより、回路が所定の機能を持つように調整可能で
ある。

［実　施　例］以下、本考案の三端子型厚膜抵抗体及びそのトリミング
方法について、添付した図面を参照して説明する。

第１図（８）は、本考案の厚膜抵抗体の一実施例を示す
ものである。まず、図示されていない混成集積回路基板
上に、間隔をとって平行にツク体ペーストを印刷し、一
対の４ロ１１子１．２を形成する。この際、同電極端子
１．　２の中間に、図示のような中央電極３を同時に導
体ペーストで形成する。

次に、前記電極端子１．　２及び３を橋絡するように抵
抗ペーストを長方形に印刷し、焼き付けて厚１摸抵抗体
４を形成する。５は、電極端子ｌと中央電極端子３の間
の抵抗体領域及び、抵抗体全体の抵抗値をＦＩ整するた
めのトリミング溝である。同トリミング溝５は、抵抗体
４の中央電極Ｗ’＋子３の端から、レーザカット法等の
手段で、端子電極１．２に平行に形成する。この時、抵
抗値微調整を行うため、トリミング溝５の先端を端子電
極１．２に直角にトリミングすることがある。低抗体４
の抵抗値は、前記トリミング溝５の長さに、およそ比例
して増加する。

上述のように厚膜抵抗体４を三ｊ１１子型とした場合、
電極１と電極２の間の抵抗をｒＬ＋　　電極１と電極３
の間の抵抗をｒ２、電極２と電極３間の抵抗をｒ、とす
ると、その等価回路は第３図（ｂ）のようになり、これ
を合成すると、　（１）、　（２）式のようになる。

ここで、トリミング溝５を増加すると、それに比例して
、抵抗値ｒ１及びｒ２は増加する。従って、抵抗値増加
分をΔｒ、及びΔｒ２とすると、（１）、　（２）式か
ら（３）、　（４）式のようになる。

従って、三端子型厚厚膜抵抗体の総合的な等価回路は、
第１図（Ｃ）のようになる。第１図（Ｃ）の等価回路は
、従来例の第５図（ｂ）に示す等価回路と等しくなる。

本発明は、前記トリミングを回路駆動状態において行う
ことによりＮ　　ＲＩ、Ｒ２の比を一つのトリミング溝
により、　（３）、　（４）式から分るように、変える
ことが出来るといった知識に基いている。すなわち、第
１図の実施例の場合、トリミング溝５を大きくするとＮ
ＲＩ　の抵抗値増加分は、Ｒ２の増加分より大きく、分
圧比が変化する。

第２図は、本発明の他の実施例で、１−ＩＪミング溝５
を、シ１．１子電極２と中央電極３の間の抵抗体領域に
設けたものである。基本的な等価回路は、第１図（ｂ）
、　（Ｃ）に示すものと同様である。抵抗値の増加部分
△ｒが変って、　（３）、（４）式は変化するが、考え
方は同様である。

第３図は、本発明の更に他の実施例で、電極１−３間、
電極２−３間の両紙抗体領域に、トリミング溝５を設け
た例である。実際には、つの抵抗体４によって分圧比を
変えるので、調整し易く、両紙抗体領域にトリミング溝
５を設けたものが使用される。この等価回路も、第１図
（ｂ）、　（Ｃ）に示すものと同様である。

今、第４図に示した一般的な電圧レギュレータ（ハイブ
リッドＩＣ）の可変抵抗器ＶＲ＋−Ｖ　Ｒ２部分に、本
発明の第３図の三Ａ１１子抵抗体を適用してみる。前記
電圧レギュレータに、所定の負荷ＲＬと所定の電源Ｖｃ
ｃを接続して、出力電圧Ｅｏを実測しながら抵抗体４を
トリミングし、トランジスタＴＩのベース電流を変えて
、出力電圧Ｅｏを規定値に収める。トリミング：１り５
を二つの領域に設けることにより、トリミングの進みす
ぎに対応したり、微調整が可能上なる。実際には、出力
電圧Ｅｏが規格値より大きい場合は上側をトリミングし
、小さい場合は下側をトリミングすれば、所定の出力特
性を得ることができる。

前記ファンクシロナルートリミングを行うためには、で
きるかぎり初期設訓時の抵抗体面積を大きく取ることが
好ましり、トリミングの方法としてはＬ状カット等が好
適である。又、本発明による三ｆ’ｉＡｔ子型厚膜抵抗
体は、三端子ネットワーク的に電圧を調整することを必
要とする全ての回路に適用されるものである。

［発明の効果］以上の説明から明らかなように、本発明によれば、厚膜
抵抗体を三端子型に形成することにより一つの抵抗体で
分圧回路を構成することができるので、混成回路基板上
に専める抵抗体面積が小さくなり、回路基板の小形化、
高密度化ができるといった効果が存る。

又、混成実情回路のダイナミック状態で、ファンクシロ
ナル・トリミングを行うことができ、同トリミングを行
うことにより回路が所定の機能に調整できる効果をもっ
ている。

４、図面のＩＩｉ′Ｉｔ１１な説明第１図（ａ）は、本発明の一実施例を示す三ｊ１１子型
厚膜抵抗体の平面図、第１図（ｂ）、　（Ｃ）は、同じ
く三端子型抵抗体及びそのトリミング方法を説明する等
価回路、第２図、第３図は、本発明の他の実施例を示す
平面図、第４図は、一般的な電圧レギュレータの例を示
す回路図、第５図　（ａ）及び（ｂ）は、従来の厚膜＋
１Ｅ抗体の平面図及びその等価河路である。

１、　２・・・電極Ｗｆ子　３・・・中央電極累１子　
４・・・厚ｊ摸低抗体　５・・・トリミング溝特許出願人　　太陽誘電株式会社代　理　人　　弁理士北條和山日田の浄書（内容に変更なし） →π 業２図第３ｃｃｃｃ手系売補正１〃事件の表示昭和６３年特許願第３０３２５３号発明の名称三端子型厚膜抵抗体及びそのトリミング方法３、補正をする者事件との関係　　特許出願人住　所　　東京都台東区上野６丁目１６番２０号氏　　
名　　　太　　陽　　誘　　電　　株　　式　　会　　
社４、代理人住　所　　茨城県水戸市五軒町三丁目３番４０号７、補
正の内容図面の浄書−別紙の通り（内容に変更なし）第４

Claims

【特許請求の範囲】

（１）　一対の電極端子１、２間に形成された厚膜抵抗
体４において、同厚膜抵抗体４の中央領域に中央電極端
子３を設けたことを特徴とする三端子型厚膜抵抗体。
（２）　一対の電極端子１、２間に形成された厚膜抵抗
体４の中央領域に中央電極端子３を設け、前記中央電極
端子３と電極端子１の間の抵抗体領域、及び中央電極端
子３と電極端子２の間の抵抗体領域の少なくとも何れか
一方をトリミングすることを特徴とする請求項（１）記
載の三端子型厚膜抵抗体のトリミング方法。