JPS59175208A - 増巾器の構成方法 - Google Patents
増巾器の構成方法Info
- Publication number
- JPS59175208A JPS59175208A JP4982983A JP4982983A JPS59175208A JP S59175208 A JPS59175208 A JP S59175208A JP 4982983 A JP4982983 A JP 4982983A JP 4982983 A JP4982983 A JP 4982983A JP S59175208 A JPS59175208 A JP S59175208A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- amplifier
- circuit
- bias
- choke
- bias supply
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/60—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明はマイクロ波〜ミリ波帯におけるマイクロ波集積
回路で構成する増巾器に係り、特に信頼性が高く高密度
実装可能な増巾器の構成方法に関する。
回路で構成する増巾器に係り、特に信頼性が高く高密度
実装可能な増巾器の構成方法に関する。
（ｂ） 従来技術と問題点
第１図は従来例のマイクロ波集積回路で構成する増巾器
の構成を示す斜視図、１２図は第１図の増巾器の回路図
である。
の構成を示す斜視図、１２図は第１図の増巾器の回路図
である。
図中１．２は整合回路、３，４はボンディング線でチョ
ーク回路を構成している。５は誘電体基板、６，７はア
ース面、８，９はバイアス電圧供給端子、１３．１４は
高周波伝送路、ｃ、 ｐ Ｃ２はコンデンサ、Ｔｒはト
ランジスタを示す。
ーク回路を構成している。５は誘電体基板、６，７はア
ース面、８，９はバイアス電圧供給端子、１３．１４は
高周波伝送路、ｃ、 ｐ Ｃ２はコンデンサ、Ｔｒはト
ランジスタを示す。
従来マイクロ波集積回路で増巾器を構成する場合は第１
図に示す如く、誘電体５の片面を利用し、両側のアース
面６，７に狭談れた伝送路のあるコプレナ線路を用い第
２図に示す回路の増巾器を構成していた。この場合トラ
ンジスタＴｒへのバイアス電圧供給は、バイアス電圧供
給端子８，９よりバイパス用のコンデンサＣ，、Ｃ，を
経てチョーク回路を構成するボンディング線３，４を第
１−図に示す如く伝送路にボンディングして供給してい
た。
図に示す如く、誘電体５の片面を利用し、両側のアース
面６，７に狭談れた伝送路のあるコプレナ線路を用い第
２図に示す回路の増巾器を構成していた。この場合トラ
ンジスタＴｒへのバイアス電圧供給は、バイアス電圧供
給端子８，９よりバイパス用のコンデンサＣ，、Ｃ，を
経てチョーク回路を構成するボンディング線３，４を第
１−図に示す如く伝送路にボンディングして供給してい
た。
従ってボンディング線３，４がパターンの上を走るので
電気的機械的に不安定′となり信頼性番こ欠けると共に
実装密度が低い欠点があった。
電気的機械的に不安定′となり信頼性番こ欠けると共に
実装密度が低い欠点があった。
（Ｃ） 発明の目的
本発明の目的は上記の欠点に鑑み、ボンディング線を用
いず、高信頼性でかつ高密度実装可能なマイクロ波集積
回路で構成する増巾器の構成方法の提供にある。
いず、高信頼性でかつ高密度実装可能なマイクロ波集積
回路で構成する増巾器の構成方法の提供にある。
（ｄ） 発明の構成
本発明は上記の目的を達成するために、マイクロ波集積
回路の誘電体基板の両面を用いる側平面回路技術を利用
し、誘電体基板の表面にコプレナ線路構成による増巾器
の回路を設け、裏面にチョーク回路及びバイアス供給線
路を設け、該バイアス供給線路より該チョーク回路を介
し、スルーホール接続部により裏面より表面の該増巾器
の回路にバイアスを供給するようにしたことを特徴とす
る。
回路の誘電体基板の両面を用いる側平面回路技術を利用
し、誘電体基板の表面にコプレナ線路構成による増巾器
の回路を設け、裏面にチョーク回路及びバイアス供給線
路を設け、該バイアス供給線路より該チョーク回路を介
し、スルーホール接続部により裏面より表面の該増巾器
の回路にバイアスを供給するようにしたことを特徴とす
る。
（ｅ） 発明の実施例
以下本発明の実施例につき図に従って説明する。
第３図は本発明の実施例のマイクロ波集積回路で構成す
る増巾器の構成を示す斜視図で（ト）は表面、（Ｂ）は
裏面を示す。
る増巾器の構成を示す斜視図で（ト）は表面、（Ｂ）は
裏面を示す。
図中第１図と同一機能のものは同一記号で示す。
３′、４′はチョーク回路、８′、９′はバイアス供給
線路、１０，１１はスルーホール接続部を示す。
線路、１０，１１はスルーホール接続部を示す。
第３図の増巾器の回路構成は第２図と同じになるが第２
図の第１図のボンディング線をこよるチョーク回路３，
４は第３図の場合はチョーク回路３゜４′となり、又コ
ンデンサＣ＋ 、 Ｃ２に相当する容量Ｃ，’、 Ｃ，
’はバイアス供給線路８′、９とアース面６゜７との間
で構成される。
図の第１図のボンディング線をこよるチョーク回路３，
４は第３図の場合はチョーク回路３゜４′となり、又コ
ンデンサＣ＋ 、 Ｃ２に相当する容量Ｃ，’、 Ｃ，
’はバイアス供給線路８′、９とアース面６゜７との間
で構成される。
この場合トランジスタＴｒへのバイアス電圧供給は、バ
イアス電圧供給線路８′、９′よりチョーク回路３′、
４′を経てスルーホール接続部１０．１１にて表面の伝
送路に接続されて供給される。即ち誘電体５の裏面でバ
イアス供給回路が構成出来るので高周波回路部分と分離
出来高安定になると共に高密度実装が可能となる。
イアス電圧供給線路８′、９′よりチョーク回路３′、
４′を経てスルーホール接続部１０．１１にて表面の伝
送路に接続されて供給される。即ち誘電体５の裏面でバ
イアス供給回路が構成出来るので高周波回路部分と分離
出来高安定になると共に高密度実装が可能となる。
第４図は本発明の別の実施例のマイクロ波集積回路で構
成する増巾器で、チョーク回路に発振防止用ダンピング
抵抗為びバイアス調整用ブリーダ抵抗を設けた場合の構
成を示す裏面の斜視図、第５図は第４図の増巾器の回路
図である。
成する増巾器で、チョーク回路に発振防止用ダンピング
抵抗為びバイアス調整用ブリーダ抵抗を設けた場合の構
成を示す裏面の斜視図、第５図は第４図の増巾器の回路
図である。
図中第２図、第３図と同一機能のものは同一記号で示す
。１２はスルーホール接続部で表面のアース面６に接続
されている。Ｃ，’、 ＣＩ’はコンデンサで第３図の
場合と同じである。Ｒｒ 、Ｒｔはブリーダ用抵抗、Ｒ
８はダンピング抵抗である。
。１２はスルーホール接続部で表面のアース面６に接続
されている。Ｃ，’、 ＣＩ’はコンデンサで第３図の
場合と同じである。Ｒｒ 、Ｒｔはブリーダ用抵抗、Ｒ
８はダンピング抵抗である。
第４図は第５図の回路のバイアス供給回路を示したもの
で高周波伝送路は第３図（５）の斜視図と同じである。
で高周波伝送路は第３図（５）の斜視図と同じである。
但しスルーホール接続部１２がアース面６の部分にある
。第４図に示す如く抵抗、Ｎ６ターン抵抗Ｒ＋ 、 Ｒ
ｔを設ければバイアス調整用ブリーダ回路を付加するこ
とも出来、抵抗、ｓ１１ターン抵抗Ｒ８を設ければ発振
防止用ダンピング抵抗を付加することも出来る。勿論増
巾器は高安定に動作をするし、高密度実装が可能となる
。
。第４図に示す如く抵抗、Ｎ６ターン抵抗Ｒ＋ 、 Ｒ
ｔを設ければバイアス調整用ブリーダ回路を付加するこ
とも出来、抵抗、ｓ１１ターン抵抗Ｒ８を設ければ発振
防止用ダンピング抵抗を付加することも出来る。勿論増
巾器は高安定に動作をするし、高密度実装が可能となる
。
（ｆ） 発明の動床
以上詳細に説明せる如く本発明によれば、マイクロ波集
積回路で構成する増巾器を高安定に動作する信頼性の高
いものに出来ると共に高密度実装が可能に出来る効果が
ある。
積回路で構成する増巾器を高安定に動作する信頼性の高
いものに出来ると共に高密度実装が可能に出来る効果が
ある。
第１図は従来例のマイクロ波集積回路で構成する増巾器
の構成を示す斜視図、第２図は第１図の増巾器の回路図
、第３図は本発明の実施例のマイクロ波集積回路で構成
する増巾器の構成を示す斜視図で（４）は表面（Ｂ）は
裏面を示す。第４図は本発明の別の実施例でマイクロ波
集積回路で構成する増巾器で、チョーク回路に発振防止
用ダンピング抵抗及びバイアス調整用ブリーダ抵抗を設
けた場合の構成を示す裏面の斜視図、第５図は第４図の
増巾器の回路図である。 図中１，２は整合回路、３，４はボンディング線兼チョ
ーク回路、３，４はチョーク回路、５は誘電体基板、６
，７はアース面、８，９はバイアス供給端子、８，９は
バイアス供給線路、１０，１１゜１２はスルーホール接
続部、１３．１４は高周波伝送路、Ｃ，、Ｃ，、Ｃ，’
、 Ｃ，’はコンデンサ、’ｒｒはトランジスタ、Ｒ１
，Ｒ１１Ｒ３は抵抗を示す。 ＃ｌ母 委？図 第−４閲
の構成を示す斜視図、第２図は第１図の増巾器の回路図
、第３図は本発明の実施例のマイクロ波集積回路で構成
する増巾器の構成を示す斜視図で（４）は表面（Ｂ）は
裏面を示す。第４図は本発明の別の実施例でマイクロ波
集積回路で構成する増巾器で、チョーク回路に発振防止
用ダンピング抵抗及びバイアス調整用ブリーダ抵抗を設
けた場合の構成を示す裏面の斜視図、第５図は第４図の
増巾器の回路図である。 図中１，２は整合回路、３，４はボンディング線兼チョ
ーク回路、３，４はチョーク回路、５は誘電体基板、６
，７はアース面、８，９はバイアス供給端子、８，９は
バイアス供給線路、１０，１１゜１２はスルーホール接
続部、１３．１４は高周波伝送路、Ｃ，、Ｃ，、Ｃ，’
、 Ｃ，’はコンデンサ、’ｒｒはトランジスタ、Ｒ１
，Ｒ１１Ｒ３は抵抗を示す。 ＃ｌ母 委？図 第−４閲
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、誘電体基板の表面にコプレナ線路構成による増巾器
の回路を設け、裏面にチョーク回路及びバイアス供給線
路を設け、該バイアス供給線路より咳チョーク回路を介
しスルーホール接続部により裏面より表面の該増巾器の
回路にバイアスを供給するようにしたことを特徴とする
増巾器の構成方法。 ２、特許請衾癲囲第１項において、チョーク回路に発振
防止用ダンピング抵抗及びバイアス調整用ブリーダ抵抗
を設けたことを特徴とする増巾器の構成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4982983A JPS59175208A (ja) | 1983-03-25 | 1983-03-25 | 増巾器の構成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4982983A JPS59175208A (ja) | 1983-03-25 | 1983-03-25 | 増巾器の構成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59175208A true JPS59175208A (ja) | 1984-10-04 |
Family
ID=12841971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4982983A Pending JPS59175208A (ja) | 1983-03-25 | 1983-03-25 | 増巾器の構成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59175208A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01253306A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マイクロ波電力増幅器 |
| JPH025920U (ja) * | 1988-06-25 | 1990-01-16 | ||
| JPH08335835A (ja) * | 1995-04-04 | 1996-12-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波増幅器 |
| JP2010056509A (ja) * | 2008-07-29 | 2010-03-11 | Kyocera Corp | 配線基板および半導体素子収納用パッケージならびに半導体装置 |
-
1983
- 1983-03-25 JP JP4982983A patent/JPS59175208A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01253306A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マイクロ波電力増幅器 |
| JPH025920U (ja) * | 1988-06-25 | 1990-01-16 | ||
| JPH08335835A (ja) * | 1995-04-04 | 1996-12-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波増幅器 |
| JP2010056509A (ja) * | 2008-07-29 | 2010-03-11 | Kyocera Corp | 配線基板および半導体素子収納用パッケージならびに半導体装置 |
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