JPS6027210A - 高周波増幅装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、トランジスタを使用した高周波増幅装置に関
し、特にその利得の周波数特性の可変手段に関するもの
である。

従来例の構成とその問題点 一般に、トランジスタの動作特性は、高周波領域におい
て接合容量Ｃａｂ　や拡散容量Ｃｅ等の影響により利得
が低下するものである。その為に、トランジスタを用い
たの高周波広帯域増幅回路では、適当な補償回路を設け
ることによりこの高周波領域での特性を改善するように
しているのが常である。

この場合に広く用いられている補償手段としては、第１
図に示す直列ピーキング回路によるものや、第２図に示
す並列ピーキング回路によるもの等がある。

具体的に第１図に示す直列ピーキング回路による補償を
例として説明する。

第１図２Ｌに示す増幅回路は、第１図すに示すような簡
略した等価回路で考えることが出来る。ここでは、バイ
アス用の抵抗ＲＢは十分大きいものとして、また結合コ
ンデンサＣ，，Ｃ２も十分大きいものとして省略してい
る。電流及び電圧は図のように仮定した。この等価回路
において、ｖｇＦｉ入力信号源、Ｒｇは入力信号源の内
部抵抗、Ｇ。

はトランジスタの拡散容量、ｈｉｅ　はトランジスタの
出力端子を短絡した時の入力インピーダンス、ｈｆｅ　
はトランジスタの出力端を短絡したときの順方向電流増
幅率、Ｌｓは直列ピーキング用インダクタンスである。

この等何回路についてｉｂ　請求めると、次の回路方程
式を得る。

Ｒｇ＋ｊｕｙＬｓ＋Ｚｉ　１＋ｊｕｒＧｅｈｉｅここで
’、Ｚｉは ｈｉｅ＋Ｒｇ（１＋ｊｗｃｅｈｉｅ）＋ｊｃｙＬｓ（１
＋ｊｗＣｅｈｉｅ） Ｖｇ　１ ここで、直列ピーキングコイルＬｓのない時の中間の周
波数での電圧増幅度Ａｖｏ　とすれば、であるから、回
路の電圧増幅度Ａｖば、−Ｖ２　Ｒｃｈｆｅ　１ ここで、 ｈｉｅ＋Ｒｇ　ｈｉｅ＋Ｒｇ となる。そこで、電圧増幅度の周波数特性は上記５式の
絶対値の大きさが周波数でどのように変わるかを調べれ
ばよい、それには の関数を検討すればよい。

前記に示す検討は、ただ単に電圧増幅度のみで直列ビー
キンダコイルＬｓのインダクタンスヲ変化すれば電圧増
幅度の周波数特性が可変出来ることを明確にしたにすぎ
ないが、同様の方法で電力増幅度（利得）も可変出来る
ことはいうまでもない。

さらに、第２図に示す並列ピーキング回路についても同
様にインダクタンスＬｓ　ｆ挿入することにより、回路
上には図示していないが、コレクタ・ペース間の接合容
量Ｃｃｂ　やコレクタ回路のストレー容量と並列共振回
路を作り、容量の影響を消し、利得の高域周波数領域の
補償を行うことが出来ることはいうまでもない。

さて前記のピーキング回路による利得の高域補償はたい
へんよく使用されている回路であるが、従来からピーキ
ング用のインダクタンスは、固定されたコイルを使用す
るのが一般的であり、一度回路を形成すると、その回路
の利得の周波数特性は固定されたものであった。また周
波数特性が可変出来たとしてもそれはインダクタンスを
形成するコイルの磁心材料を機械的に移動させることに
よりインダクタンス量を変化させたり、あるいはインダ
クタンスのコイル自身を機械的に変形させ周波数特性を
可変するもの等であった。

発明の目的 本発明は、このような従来の欠点を除去し、単なる半田
付けのみで高周波増幅回路の利得の周波数特性を変化さ
せて目的の周波数特性′を得ることができる高周波増幅
装置を提供するものである。

発明の構成 本発明においては、トランジスタのベース回路あるいは
コレクタ回路に、このトランジスタを装着しているプリ
ント基板の銅箔により形成されたインダクタンスを有す
る回路で、このインダクタンスは、インダクタンスの１
部に半田付けによりインダクタンスの１部が短絡される
部分を１ケ所以上有し、半田付けによる１部インダクタ
ンスの短絡によりインダクタンス量を変化させ、増幅回
路の利得の周波数特性を可変することが可能な増幅回路
である。

実施例の説明 以下、本発明の一実施例の高周波増幅回路について図面
に従って説明する。第３図は本発明の一実施例の高周波
増幅回路の回路図で、直列ピーキング回路により高域を
補償した増幅回路である。

第４図には第３図に示す回路が実際にプリント基板上に
実装された状態を示している。

第４図において、プリント基板Ｐはプリント基板の裏面
Ｙが全て銅箔であるプリント基板であり、プリント基板
Ｐの部品面Ｘでは図中のハツチング部分が回路を形成す
るブリット基板の銅箔を示している。トランジスタＴ１
のエミッタＥが接続されているプリント基板パターンの
銅箔は、スルーホールメッキによりプリント基板裏面Ｙ
のアース用銅箔に接続されている。なお、回路を構成す
る抵抗Ｒｅ、ＲＢ及びコンデンサ０＋　、Ｃ２ｔｄ、そ
れぞれチップ部品である。第３図のＬＳがピーキング用
インダクタンスであり、第４図においてはインダクタン
スＬＳｉｌ′ｉプリント基板の銅箔により形成している
。

第３図及び第４図において、インダクタンスＬｓ中のａ
とす、及びＣとｄが半田付けにより接続される部分であ
り、ａとｂあるいはＣとｄを半田イ」けすることにより
インダクタンスＬｓの一部が短絡されることになる。こ
の短絡によりインダクタンスＬｓのインダクタンス量が
変化するのは当然のことであり、このインダクタンスの
変化が増幅回路の高域の補償量を変化させ、増幅回路の
利得の周波数特性を変化させることになる。

今ａとす、ｃとｄのいずれもが短絡されていない増合の
利得の周波数特性を第５図のＡとすると、ａとｂとを短
絡することによりＢの周波数特性となり、Ｃとｄｉ短絡
させることによりＣの周波数特性となる。こうして安価
で、信頼性の高い、量産性のある利得の周波数特性可変
の増幅回路が得られる。なお第６図に、第４図−のａと
ｂとが半田付けにより接続された場合の断面を示してい
る。

ａとｂあるいはＣとｄとの距離ｌはａ、２ｍｍ程度でア
リ、容易に半田のみで短絡出来るものである。

これまで直列ピーキング回路による１段増幅器の例のみ
について説明して来たが、直列ピーキング回路のみなら
ず、並列ピーキング回路も含めて、本構成を多段接続の
高周波増幅回路の複数段に導入することにより、増幅回
路の利得の周波数特性を自由に希望の周波数特性まで可
変することが可能となる。

発明の効果 以上のように、本発明によれば、トランジスタ増幅回路
の高域の補償回路であるピーキング回路を形成するイン
ダクタンスに、プリント基板の銅箔を用い、そのインダ
クタンスの一部をプリント基板の釦ｊ箔を半田付けによ
り短絡させて増幅回路の利得の周波数特性を可変するも
のであり、インダクタンスにプリント基板の銅箔を用い
ることにより安定したインダクタンスを得ることが出来
、他の部品を伺加したり、可変させることなく、ただ単
に銅箔の半田付けのみで周波数特性を可変出来る。この
ことから、非常に安価であり、量産性のある増幅回路を
得ることが出来る。捷だ、増幅回路を構成する他の部品
の特性」二のバラツキがあったとしても、半田付けによ
るインダクタンスの変化によりそのバラツキをも吸収で
き、実用上きわめて有利なものである。

【図面の簡単な説明】

第１図ａ、ｂは従来例の直列ピーキング回路を用いた高
周波増幅回路の回路図、及び等価回路図、第２図は従来
例の並列ピーキング回路を用いた高周波増幅回路の回路
図、第３図は本発明の一実施例における高周波増幅装置
の回路図、第４図は第３図の回路をプリント基板に実装
した状態を示す平面図、第６図は第３図及び第４図に示
す増幅装置の利得の周波数特性を示す特性１ンｌ、第６
図は第４図に示すインダクタンスＬｓのａとｂｌ半田で
接続（短絡）した状態を示す断面図である。 Ｔ１・・・・・・トランジスタ、Ｒｃ、ＲＢ・・・・・
・チップ抵抗、Ｃ１，Ｃ２・・・・・・チップコンテン
ザ、Ｐ・・・・・・プリント基板、Ｌｓ・・・・・・プ
リント基板の箔により形成したインダクタンス。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名＠１
図 第３図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. トランジスタのベース回路あるいはコレクタ回路とこの
   トランジスタ全装着しているプリント基板の銅箔によ多
   形成されたインダクタンスを接続し、このインダクタン
   スはその一部に半田付けによシインダクタンスの一部が
   短絡される部分を１個所以上設け、この半田付けによる
   インダクタンスの一部の短絡によりインダクタンス値を
   変化させて周波数特性を可変することができるようにし
   た高周波増幅装置。