JPS628573Y2 - - Google Patents

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JPS628573Y2
JPS628573Y2 JP10619380U JP10619380U JPS628573Y2 JP S628573 Y2 JPS628573 Y2 JP S628573Y2 JP 10619380 U JP10619380 U JP 10619380U JP 10619380 U JP10619380 U JP 10619380U JP S628573 Y2 JPS628573 Y2 JP S628573Y2
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JP
Japan
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resistor
thick film
stage
high frequency
dielectric substrate
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JP10619380U
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案は誘電体基板を用いた厚膜高周波増幅器
に関する。
高周波増幅器の特性としては、雑音指数が小さ
い、利得が高い、インピーダンスが良い、利得が
周波数に対して平坦であることなどが要求される
が、これらの高周波特性はアースの状態で特性に
変化が起る。例えば各増幅段間のアースが細い導
体で長くひきまわされているような状態では、高
周波で接続導体の導体インピーダンスが大きくな
り、そのため各増幅段のアース間で電位差が起
る。従つて動作が不安定になつたり、場合によつ
ては発振したりして、所要の高周波特性を得るこ
とができなくなる。このようにアースは非常に重
要なものである。また所要の高周波特性を得るよ
うに各増幅段のバイアス電流が設定され、このバ
イアス電流は各抵抗により決まるため、各抵抗値
は設定定数に合つたものが必要である。
ところで、誘電体基板上に作られる抵抗は基板
上に抵抗体ペーストを印刷し焼成されて成るが、
印刷の状態や焼成条件などにより抵抗値のバラツ
キを生じるために、あらかじめ設定定数よりも低
い抵抗値で作つておき、抵抗値の修正を行なうこ
とが一般的である。
第1図は高周波3段増幅器の回路図を示し、入
力信号は入力端子1から入力結合素子2を通して
入力され、増幅された信号は出力結合素子8を通
して出力端子9に現われる。各増幅段は段間結合
素子7a,7bにより結合されており、また各増
幅段はバイアスを与えるベース抵抗3,4、エミ
ツタ抵抗6、コレクタ抵抗5と増幅素子25、バ
イパスコンデンサ11とから構成されている。1
0は電源導体である。
第2図は第1図を誘電体基板20上に配線パタ
ーンと抵抗を形成した従来例である。上述のよう
に、高周波増幅器ではアースが重要であることか
ら、アース21は第2図のように構成されてい
る。第2図の構成では電源導体10とアース導体
21とでベース抵抗3,4は並列接続となるため
抵抗修正を行なうには不都合となり、抵抗値を設
定定数に合わせるための作業が複雑となり、設備
が大がかりなものが必要となるなどの問題点があ
る。
本考案は上記問題点を解決し、簡単に抵抗値の
修正を行なえ、しかも高周波動作を安定に行なう
ことができる厚膜高周波増幅器を提供するもので
ある。
以下本考案の一実施例を図面に基づいて説明す
る。第3図において、アース導体21a,21
b,21cは各増幅段ごとに分けて構成され、そ
のためベース抵抗3aと4a,3bと4b,3c
と4cは単独となり、その結果各抵抗の抵抗値修
正を設定定数に合わせることが容易となる。なお
各増幅段のアース導体21a,21b,21c間
は高周波で零インピーダンスとなるような定数の
コンデンサで結合されて構成される。そのため高
周波では、各アース導体21a,21b,21c
間では電位差を生じないため安定な動作が得られ
る。
なお、誘電体基板20の裏面にはアース導体が
設けられており、実装時にリード端子で誘電体基
板20の表面のアース導体と裏面のアース導体が
接続されるので、直流バイアス電流は導通する。
以上説明したように本考案によれば、アース導
体を各増幅段ごとに分けたので、抵抗が単独とな
り、抵抗値の修正が簡単にできる。また各アース
導体間を、高周波で零インピーダンスとなるよう
な定数のコンデンサで結合したので、各増幅段の
アースは常に同電位となり、高精度でかつ安定し
た特性を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は高周波3段増幅器の回路図、第2図は
第1図と誘電体基板上に形成した従来例の構成
図、第3図は本考案の一実施例の構成図である。 20……誘電体基板、21a〜21c……アー
ス導体、3a〜3c,4a〜4c……ベース抵
抗。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 誘電体基板上に形成され厚膜抵抗体を具備した
    厚膜高周波多段増幅器において、前記抵抗体は前
    記各増幅段のバイアスを決定するベース抵抗とエ
    ミツタ抵抗さらに負荷となるコレクタ抵抗より成
    り、前記各増幅段のアース導体間を分離し、分離
    された各アース導体間相互を高周波で零インピー
    ダンスとなるような定数のコンデンサで接続した
    ことを特徴とする厚膜高周波増幅器。
JP10619380U 1980-07-25 1980-07-25 Expired JPS628573Y2 (ja)

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JPS5734611U JPS5734611U (ja) 1982-02-23
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7569408B1 (en) 1991-03-06 2009-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for forming the same

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7569408B1 (en) 1991-03-06 2009-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for forming the same

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Publication number Publication date
JPS5734611U (ja) 1982-02-23

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