JPH045289B2 - - Google Patents
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- JPH045289B2 JPH045289B2 JP58061761A JP6176183A JPH045289B2 JP H045289 B2 JPH045289 B2 JP H045289B2 JP 58061761 A JP58061761 A JP 58061761A JP 6176183 A JP6176183 A JP 6176183A JP H045289 B2 JPH045289 B2 JP H045289B2
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- effect transistor
- field effect
- terminal
- diodes
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/34—Negative-feedback-circuit arrangements with or without positive feedback
- H03F1/342—Negative-feedback-circuit arrangements with or without positive feedback in field-effect transistor amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/42—Modifications of amplifiers to extend the bandwidth
- H03F1/48—Modifications of amplifiers to extend the bandwidth of aperiodic amplifiers
- H03F1/483—Modifications of amplifiers to extend the bandwidth of aperiodic amplifiers with field-effect transistors
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/193—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
- H03F3/1935—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices with junction-FET devices
-
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- H03F3/34—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled
- H03F3/343—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only
- H03F3/345—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only with field-effect devices
-
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/372—Noise reduction and elimination in amplifier
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(1) 発明の技術分野
本発明は帰還型増幅器に係り、特に電界効果ト
ランジスタより成る反転回路を採用し、GaAs基
板等上に集積可能な増幅器に関する。
ランジスタより成る反転回路を採用し、GaAs基
板等上に集積可能な増幅器に関する。
(2) 従来技術と問題点
第１図に従来の帰還型増幅器の構成を示す。こ
こでは、電界効果トランジスタ１１，１２により
反転回路を構成し、出力端子Outからの信号を帰
還抵抗Ｒ、コンデンサＣを介して入力端子Inに帰
還するようにしている。
こでは、電界効果トランジスタ１１，１２により
反転回路を構成し、出力端子Outからの信号を帰
還抵抗Ｒ、コンデンサＣを介して入力端子Inに帰
還するようにしている。
上記従来の帰還型増幅器で、コンデンサＣを介
し帰還を行なうのは、入力端子Inと出力端子Out
間にドレイン−ゲート間の電位差を生じるため
で、使用周波数が比較的高い場合には斯かるコン
デンサＣの容量は小さな値で十分であるものの、
低い周波数、例えばマイクロ波帯以下の周波数で
回路を動作させる場合には、大きな容量のコンデ
ンサが必要となる。従つて、GaAs IC等で上記
帰還型増幅器を形成する場合、帰還用のコンデン
サＣを集積回路に外付けする必要もでてくる。周
知の如く、回路構成部品の一部を、一体に形成さ
れた集積回路の外部に別途取付けることは、不浮
因子を回路中に導入することとなり、動作上好ま
しくない。
し帰還を行なうのは、入力端子Inと出力端子Out
間にドレイン−ゲート間の電位差を生じるため
で、使用周波数が比較的高い場合には斯かるコン
デンサＣの容量は小さな値で十分であるものの、
低い周波数、例えばマイクロ波帯以下の周波数で
回路を動作させる場合には、大きな容量のコンデ
ンサが必要となる。従つて、GaAs IC等で上記
帰還型増幅器を形成する場合、帰還用のコンデン
サＣを集積回路に外付けする必要もでてくる。周
知の如く、回路構成部品の一部を、一体に形成さ
れた集積回路の外部に別途取付けることは、不浮
因子を回路中に導入することとなり、動作上好ま
しくない。
また、上記コンデンサを同一基板上に形成した
場合、チツプの大半の面積をコンデンサ製作のた
めに占有され、更に通常用いられる数ミリ角の基
板内に収容できるコンデンサの容量は、せいぜい
100（PF）程度であり、数10MHz以下で動作する
帰還増幅器を形成できない。
場合、チツプの大半の面積をコンデンサ製作のた
めに占有され、更に通常用いられる数ミリ角の基
板内に収容できるコンデンサの容量は、せいぜい
100（PF）程度であり、数10MHz以下で動作する
帰還増幅器を形成できない。
(3) 発明の目的
このような問題点を解決するため、第２図に示
すように、電界効果トランジスタ１１，１２から
成る反転回路の出力を、電界効果トランジスタ１
３と１又は複数のダイオードD1……Doの定電流
用負荷１４から成るレベルシフト回路１及び抵抗
Ｒを介し、入力端子に帰還させることが考えられ
るが利得を変えることができない。
すように、電界効果トランジスタ１１，１２から
成る反転回路の出力を、電界効果トランジスタ１
３と１又は複数のダイオードD1……Doの定電流
用負荷１４から成るレベルシフト回路１及び抵抗
Ｒを介し、入力端子に帰還させることが考えられ
るが利得を変えることができない。
本発明は、上記問題点に鑑み為されたものであ
つて、上記帰還路で用いられるコンデンサを不要
とし、更に利得を変えることができる帰還型増幅
器を提供することを目的としている。
つて、上記帰還路で用いられるコンデンサを不要
とし、更に利得を変えることができる帰還型増幅
器を提供することを目的としている。
(4) 発明の構成
上記発明の目的は、ゲート端子に入力信号が印
加される第１の電界効果トランジスタ１２と、ゲ
ート端子とソース端子が接続された第２の電界効
果トランジスタ１１を備え、該第１の電界効果ト
ランジスタのドレイン端子と該第２の電界効果ト
ランジスタのソース端子とが接続され成る反転回
路と、第３の電界効果トランジスタ１３と、定電
流負荷１４と、第３の電界効果トランジスタ１３
のソース端子と定電流負荷１４との間に１又は複
数のダイオードD1……Doを直列に接続し、１又
は複数のダイオードと該定電流負荷１４との接続
点の直流レベルと反転回路の入力レベルが同一レ
ベルになるよう該１又は複数のダイオードの個数
を設定し、又該直列に接続された１又は複数のダ
イオードの次段回路のレベルにより適宜定められ
る何れかの接続点を出力端子とするレベルシフト
回路と、第４の電界効果トランジスタのゲート端
子１６に制御電圧が印加され、該制御電圧によつ
て抵抗値が制御される能動抵抗とを有し、該第１
の電界効果トランジスタのドレイン端子と該第３
の電界効果トランジスタのゲート端子が接続さ
れ、且つ直列に接続された１又は複数のダイオー
ドと定電流負荷１４の接続点と、該第４の電界効
果トランジスタ１６のドレイン端子とソース端子
のうちの一方を接続し、更に該第４の電界効果ト
ランジスタ１６の前記ドレイン端子とソース端子
のうちの他方を第１の電界効果トランジスタ１２
のゲート端子に接続さぜるようにしたものであ
る。
加される第１の電界効果トランジスタ１２と、ゲ
ート端子とソース端子が接続された第２の電界効
果トランジスタ１１を備え、該第１の電界効果ト
ランジスタのドレイン端子と該第２の電界効果ト
ランジスタのソース端子とが接続され成る反転回
路と、第３の電界効果トランジスタ１３と、定電
流負荷１４と、第３の電界効果トランジスタ１３
のソース端子と定電流負荷１４との間に１又は複
数のダイオードD1……Doを直列に接続し、１又
は複数のダイオードと該定電流負荷１４との接続
点の直流レベルと反転回路の入力レベルが同一レ
ベルになるよう該１又は複数のダイオードの個数
を設定し、又該直列に接続された１又は複数のダ
イオードの次段回路のレベルにより適宜定められ
る何れかの接続点を出力端子とするレベルシフト
回路と、第４の電界効果トランジスタのゲート端
子１６に制御電圧が印加され、該制御電圧によつ
て抵抗値が制御される能動抵抗とを有し、該第１
の電界効果トランジスタのドレイン端子と該第３
の電界効果トランジスタのゲート端子が接続さ
れ、且つ直列に接続された１又は複数のダイオー
ドと定電流負荷１４の接続点と、該第４の電界効
果トランジスタ１６のドレイン端子とソース端子
のうちの一方を接続し、更に該第４の電界効果ト
ランジスタ１６の前記ドレイン端子とソース端子
のうちの他方を第１の電界効果トランジスタ１２
のゲート端子に接続さぜるようにしたものであ
る。
(5) 発明の実施例
以下図面を参照して本発明の実施例について説
明をする。
明をする。
第３図は本発明の一実施例を示す図で、電界効
果トランジスタ１１，１２から構成される部分は
反転回路を示し、電界効果トランジスタ１３、複
数の直列に接続されたダイオードD1……Do、定
電流用負荷１４から構成される部分はレベルシフ
ト回路１を示し、電界効果トランジスタ１５は能
動抵抗を示している。
果トランジスタ１１，１２から構成される部分は
反転回路を示し、電界効果トランジスタ１３、複
数の直列に接続されたダイオードD1……Do、定
電流用負荷１４から構成される部分はレベルシフ
ト回路１を示し、電界効果トランジスタ１５は能
動抵抗を示している。
ここでは、電界効果トランジスタ１１，１２よ
り成る反転回路出力を、レベルシフト回路１で入
力電圧と同一のレベルにまで落としてから、抵抗
性負荷回路として用いる電界効果トランジスタ１
５を介し入力端子に帰還をかけている。よつて、
入・出力端子間の電圧差がないため、帰還路に直
流成分カツト用のコンデンサを設ける必要がな
い。
り成る反転回路出力を、レベルシフト回路１で入
力電圧と同一のレベルにまで落としてから、抵抗
性負荷回路として用いる電界効果トランジスタ１
５を介し入力端子に帰還をかけている。よつて、
入・出力端子間の電圧差がないため、帰還路に直
流成分カツト用のコンデンサを設ける必要がな
い。
尚、レベルシフト回路１に於ける電圧シフト量
は適宣ダイオードＤの接続個数等により定め得る
ものであり、また増幅器出力は、次段回路のレベ
ルとの関係から、任意のダイオードの出力を利用
してもよい。
は適宣ダイオードＤの接続個数等により定め得る
ものであり、また増幅器出力は、次段回路のレベ
ルとの関係から、任意のダイオードの出力を利用
してもよい。
本実施例では、トランジスタ１５のゲート端子
１６に印加される制御電圧に応じ、帰還抵抗の抵
抗値を変化させることにより利得を変えることが
できる。また、帰還抵抗の値を固定しておく場合
には該ゲート端子を入力端子Inに接続する。
１６に印加される制御電圧に応じ、帰還抵抗の抵
抗値を変化させることにより利得を変えることが
できる。また、帰還抵抗の値を固定しておく場合
には該ゲート端子を入力端子Inに接続する。
(6) 発明の効果
以上、本発明によれば帰還型増幅器の帰還用コ
ンデンサを不要とできる。よつて、GaAs基板等
に集積化して装置を形成する場合には、この基板
の面積を有効に利用でき、また直流入力信号から
の動作が可能で、且つ利得を変えることができる
増幅器を提供できる。
ンデンサを不要とできる。よつて、GaAs基板等
に集積化して装置を形成する場合には、この基板
の面積を有効に利用でき、また直流入力信号から
の動作が可能で、且つ利得を変えることができる
増幅器を提供できる。
第１図は従来の帰還型増幅器、第２図はレベル
シフト回路を用いた帰還型増幅器の一例、第３図
は本発明の一実施例を表わす。 図中、１１，１２，１３，１５は電界効果トラ
ンジスタ、Ｃはコンデンサ、Ｒは抵抗、D1，…
…，Doはコンデンサ、１はレベルシフト回路、
１４は定電能動用流負荷である。
シフト回路を用いた帰還型増幅器の一例、第３図
は本発明の一実施例を表わす。 図中、１１，１２，１３，１５は電界効果トラ
ンジスタ、Ｃはコンデンサ、Ｒは抵抗、D1，…
…，Doはコンデンサ、１はレベルシフト回路、
１４は定電能動用流負荷である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ゲート端子に入力信号が印加される第１の電
界効果トランジスタ１２と、ゲート端子とソース
端子が接続された第２の電界効果トランジスタ１
１を備え、該第１の電界効果トランジスタのドレ
イン端子と該第２の電界効果トランジスタのソー
ス端子とが接続され成る反転回路と、 第３の電界効果トランジスタ１３と、定電流負
荷１４と、第３の電界効果トランジスタ１３のソ
ース端子と定電流負荷１４との間に１又は複数の
ダイオード（D1……Do）を直列に接続し、１又
は複数のダイオードと該定電流負荷１４との接続
点の直流レベルと反転回路の入力レベルが同一レ
ベルになるよう該１又は複数のダイオードの個数
を設定し、又該直列に接続された１又は複数のダ
イオードの次段階回路のレベルにより適宜定めら
れる何れかの接続点を出力端子とするレベルシフ
ト回路と、 第４の電界効果トランジスタのゲート端子１６
に制御電圧が印加され、該制御電圧によつて抵抗
値が制御される能動抵抗とを有し、 該第１の電界効果トランジスタのドレイン端子
と該第３の電界効果トランジスタのゲート端子が
接続され、且つ直列に接続された１又は複数のダ
イオードと定電流負荷１４の接続点と、該第４の
電界効果トランジスタ１６のドレイン端子とソー
ス端子のうちの一方を接続し、更に該第４の電界
効果トランジスタ１６の前記ドレイン端子とソー
ス端子のうちの他方を第１の電界効果トランジス
タ１２のゲート端子に接続さぜることを特徴とす
る帰還型増幅器。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58061761A JPS59186410A (ja) | 1983-04-08 | 1983-04-08 | 帰還型増幅器 |
| EP84301869A EP0124983A3 (en) | 1983-04-08 | 1984-03-20 | Feedback amplifier |
| CA000450285A CA1207850A (en) | 1983-04-08 | 1984-03-22 | Feedback amplifier |
| US06/593,428 US4612514A (en) | 1983-04-08 | 1984-03-26 | Feedback amplifier |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58061761A JPS59186410A (ja) | 1983-04-08 | 1983-04-08 | 帰還型増幅器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59186410A JPS59186410A (ja) | 1984-10-23 |
| JPH045289B2 true JPH045289B2 (ja) | 1992-01-31 |
Family
ID=13180446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58061761A Granted JPS59186410A (ja) | 1983-04-08 | 1983-04-08 | 帰還型増幅器 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4612514A (ja) |
| JP (1) | JPS59186410A (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2623951B1 (fr) * | 1987-11-27 | 1990-03-09 | Thomson Hybrides Microondes | Amplificateur lineaire hyperfrequence a tres large bande passante |
| US4825174A (en) * | 1988-06-20 | 1989-04-25 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Symmetric integrated amplifier with controlled DC offset voltage |
| EP0354252B1 (de) * | 1988-08-08 | 1993-12-01 | Siemens Aktiengesellschaft | Breitbandsignal-Koppeleinrichtung |
| JPH0636483B2 (ja) * | 1988-10-14 | 1994-05-11 | 日本電気株式会社 | 集積回路 |
| US4912430A (en) * | 1989-05-24 | 1990-03-27 | Avantek, Inc. | Current source as a microwave biasing element |
| US4978925A (en) * | 1989-05-24 | 1990-12-18 | Harris Corporation | Unity-gain CMOS/SOS zero-offset buffer |
| FR2661790B1 (fr) * | 1990-05-03 | 1995-08-25 | France Etat | Dispositif d'amplification tres large bande continu-hyperfrequences, notamment realisable en circuit integre. |
| US5051705A (en) * | 1990-07-10 | 1991-09-24 | Pacific Monolithics | Gain-tilt amplifier |
| US5198782A (en) * | 1991-01-15 | 1993-03-30 | Crystal Semiconductor | Low distortion amplifier output stage for dac |
| JP2653018B2 (ja) * | 1993-11-24 | 1997-09-10 | 日本電気株式会社 | トランスインピーダンス形増幅回路 |
| KR19990042066A (ko) * | 1997-11-25 | 1999-06-15 | 정선종 | 가변이득 증폭기 |
| US6052030A (en) * | 1998-05-04 | 2000-04-18 | Lucent Technologies Inc. | Low voltage variable gain amplifier with feedback |
| ES2147147B1 (es) * | 1998-11-11 | 2001-03-01 | Telefonica Sa | Amplificador de transimpedancia integrado. |
| KR100631973B1 (ko) * | 2005-03-02 | 2006-10-11 | 삼성전기주식회사 | 가변이득 광대역 증폭기 |
| JP6217258B2 (ja) * | 2013-09-06 | 2017-10-25 | ソニー株式会社 | 電流電圧変換回路、光受信装置、および、光伝送システム |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4264874A (en) * | 1978-01-25 | 1981-04-28 | Harris Corporation | Low voltage CMOS amplifier |
| JPS58198911A (ja) * | 1982-05-17 | 1983-11-19 | Hitachi Ltd | 電界効果トランジスタ増幅器 |
-
1983
- 1983-04-08 JP JP58061761A patent/JPS59186410A/ja active Granted
-
1984
- 1984-03-26 US US06/593,428 patent/US4612514A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4612514A (en) | 1986-09-16 |
| JPS59186410A (ja) | 1984-10-23 |
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