JPS60140907A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
- Publication number
- JPS60140907A JPS60140907A JP58245126A JP24512683A JPS60140907A JP S60140907 A JPS60140907 A JP S60140907A JP 58245126 A JP58245126 A JP 58245126A JP 24512683 A JP24512683 A JP 24512683A JP S60140907 A JPS60140907 A JP S60140907A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- common source
- ground
- sources
- fets
- common
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体集積回路装置に関する。
（従来例の構成とその問題点）
近年ＧａＡｓ ＩＣにより、ＵＨＦ帯、Ｖ）ＩＦ帯をカ
バーするモノリシック、広帯域増幅器が開発されている
。第１図に示すのはＧａＡｓ ＦＥＴ負帰還広帯域増幅
器ＩＣの一例である。直流カット用コンデンサＣｆ帰還
抵抗Ｒｆ、およびＦ’ＥＴの１７ｍを最適に設計するこ
とにより、３０〜２０００ＭＨｚの広帯域でＮＦ＝２．
０ｄＢという性能が得られている。利得をさらに太きく
する目的で第１図の広帯域増幅器を多段に接続した第２
図に示すような増幅器も開発されている。
バーするモノリシック、広帯域増幅器が開発されている
。第１図に示すのはＧａＡｓ ＦＥＴ負帰還広帯域増幅
器ＩＣの一例である。直流カット用コンデンサＣｆ帰還
抵抗Ｒｆ、およびＦ’ＥＴの１７ｍを最適に設計するこ
とにより、３０〜２０００ＭＨｚの広帯域でＮＦ＝２．
０ｄＢという性能が得られている。利得をさらに太きく
する目的で第１図の広帯域増幅器を多段に接続した第２
図に示すような増幅器も開発されている。
ところで第１図、第２図において、ＧａＡｓ基板上にモ
ノリシック化されているのは、点線で囲まれた部分のみ
であり、チョークコイルＬ１〜Ｌ３、パイノクス用コン
デンサｃ１〜ｃ３およヒ自己バイアス用抵抗Ｒ１””Ｒ
３はチップの外に付加して構成している。自己バイアス
用抵抗ＲＩ −Ｒｓのモノリシック化は、比較的容易で
あるが、チョークコイルやパイ・ぐス用コンデンサは値
が大きくモノリシック化は困難であり、そのため、チョ
ークコイル、バイパスコンデンサは、■ｃチップの外付
けとする方がコスト上有利である。しかし、このため特
に多段アンプの場合、全体の回路構成が大きく複雑にな
ってしまうという問題があった。
ノリシック化されているのは、点線で囲まれた部分のみ
であり、チョークコイルＬ１〜Ｌ３、パイノクス用コン
デンサｃ１〜ｃ３およヒ自己バイアス用抵抗Ｒ１””Ｒ
３はチップの外に付加して構成している。自己バイアス
用抵抗ＲＩ −Ｒｓのモノリシック化は、比較的容易で
あるが、チョークコイルやパイ・ぐス用コンデンサは値
が大きくモノリシック化は困難であり、そのため、チョ
ークコイル、バイパスコンデンサは、■ｃチップの外付
けとする方がコスト上有利である。しかし、このため特
に多段アンプの場合、全体の回路構成が大きく複雑にな
ってしまうという問題があった。
（発明の目的）
本発明は、以上の問題点を解決するために高性能を維持
しつつバイアス回路を簡略化した半導体集積回路装置を
提供するものである。
しつつバイアス回路を簡略化した半導体集積回路装置を
提供するものである。
（発明の構成）
この目的を達成するために、本発明の半導体集積回路は
、多段アンプ０を構成するＦＥＴのソース共通接続され
た共通ソース端子と接地との間に、バイアス抵抗とパイ
・母スコンデンザが接続されていることを特徴としたも
のである。
、多段アンプ０を構成するＦＥＴのソース共通接続され
た共通ソース端子と接地との間に、バイアス抵抗とパイ
・母スコンデンザが接続されていることを特徴としたも
のである。
（実施例の説明）
本発明を第３図に示す広帯域３段アンプの実施例に基づ
いて説明する。
いて説明する。
第３図に示すように、本実施例は縦続接続された３つの
ＦＥＴのソースを共通にし、この３つのＦＥＴの自己バ
イアスをひとつの抵抗Ｒ４で行々うようにしたものであ
る。Ｃ４は、共通ソース端子３１を接地電位に落すだめ
のパイ・ぐスコンデンサである。
ＦＥＴのソースを共通にし、この３つのＦＥＴの自己バ
イアスをひとつの抵抗Ｒ４で行々うようにしたものであ
る。Ｃ４は、共通ソース端子３１を接地電位に落すだめ
のパイ・ぐスコンデンサである。
ところで、ソースを共通接続する際、その接地インダク
タンスを小さく抑えることが高周波回路の場合特に重要
である。そこで本発明では第４図の実装図のように、共
通ソース４０を幅がｌ ｍｍ以上の導体で構成した。第
４図で、４１はプラスチックパッケージであり、４２は
コム導体、斜線部は導体実装・ぐターン、４３はゲート
を接地電位に落す抵抗Ｒである。４４は第３図の点線で
囲まれた部分がモノリシック化されたＧａＡｓ Ｉ Ｃ
チップである。
タンスを小さく抑えることが高周波回路の場合特に重要
である。そこで本発明では第４図の実装図のように、共
通ソース４０を幅がｌ ｍｍ以上の導体で構成した。第
４図で、４１はプラスチックパッケージであり、４２は
コム導体、斜線部は導体実装・ぐターン、４３はゲート
を接地電位に落す抵抗Ｒである。４４は第３図の点線で
囲まれた部分がモノリシック化されたＧａＡｓ Ｉ Ｃ
チップである。
第４図ではプラスチックパッケージに封止したＩＣを例
にとっであるが、もちろんこれはセラミック基板上に、
コムパターンと同じ導体・母ターンを形成すれば、セラ
ミック・ぐッケージでも実施可能である。
にとっであるが、もちろんこれはセラミック基板上に、
コムパターンと同じ導体・母ターンを形成すれば、セラ
ミック・ぐッケージでも実施可能である。
本実施例ではＣ４は１０００ｐＦ以上、Ｒ４は１０Ω、
Ｒは１にΩ以上で構成した。本ＩＣアンプは３０〜２０
００ＭＨ２という広帯域で３２〜２８ｄＢの利得、２．
２ｄｎ以下のＮＦを示した。
Ｒは１にΩ以上で構成した。本ＩＣアンプは３０〜２０
００ＭＨ２という広帯域で３２〜２８ｄＢの利得、２．
２ｄｎ以下のＮＦを示した。
なお、本実施例では、抵抗Ｒ４、Ｒは外付けとしだがこ
れらの抵抗Ｒ４、Ｒをモノリシック化してもよい。ただ
し、この場合にもパイ・ぐス用コンデンサＣ４の外部端
子は必要である。
れらの抵抗Ｒ４、Ｒをモノリシック化してもよい。ただ
し、この場合にもパイ・ぐス用コンデンサＣ４の外部端
子は必要である。
第５図は、抵抗Ｒをモノリシックに集積化した本発明の
他の実施例である。３つのＦＥＴ ｉすべて■Ｇ３−０
ｖで動作させる場合にはＲ４＋Ｃ４を取り除き、共通ソ
ース５１をそのまま接地すればよい。
他の実施例である。３つのＦＥＴ ｉすべて■Ｇ３−０
ｖで動作させる場合にはＲ４＋Ｃ４を取り除き、共通ソ
ース５１をそのまま接地すればよい。
（発明の効果）
以上のように、本発明は、複数の電界効果トランジスタ
のソースが共通接続された共通ソース端子と接地との間
に、抵抗とパイｉ９スコンデンサが接続されることによ
り、高性能を維持しながら回路構成が簡略化される半導
体集積回路装置の実現を可能にしたもので、その実用的
効果は大きい。
のソースが共通接続された共通ソース端子と接地との間
に、抵抗とパイｉ９スコンデンサが接続されることによ
り、高性能を維持しながら回路構成が簡略化される半導
体集積回路装置の実現を可能にしたもので、その実用的
効果は大きい。
第１図はＧａＡｓ ＦＥＴ負帰還増幅器ＩＣの回路図、
第２図は従来のＧａＡｓ ３段負帰還増幅器ＩＣの回路
図、第３図は本発明の一実施例のＧａＡｓ ３段負帰還
増幅器ＩＣの回路図、第４図は本発明のＩＣ実装・ぐタ
ーン図、第５図は本発明の他の実施例の回路図である。 Ｒ・・・ケゝ−ト接地用抵抗、Ｒ１ｒ Ｒ２＋ Ｒ３＋
Ｒ４・・・自己バイアス用抵抗、ＣＩ ＋ Ｃ２＋ ｃ
、＋Ｃ４・・・ハイノクス用コンデンサ、Ｌｌ ＋ Ｒ
２＋ Ｌａ・・・チョーク・コイル、４０・・共通ソー
ス導体、（５） ４１・・・プラスチックパッケージ、４２・・・コム導
体、４３・・・ケ９−ト接地用抵抗、４４・・・ＧａＡ
ｓ ＩＣチ、プ。 （６） 第１図 第２図 第３図 第４図 ＮＤ 第５図
第２図は従来のＧａＡｓ ３段負帰還増幅器ＩＣの回路
図、第３図は本発明の一実施例のＧａＡｓ ３段負帰還
増幅器ＩＣの回路図、第４図は本発明のＩＣ実装・ぐタ
ーン図、第５図は本発明の他の実施例の回路図である。 Ｒ・・・ケゝ−ト接地用抵抗、Ｒ１ｒ Ｒ２＋ Ｒ３＋
Ｒ４・・・自己バイアス用抵抗、ＣＩ ＋ Ｃ２＋ ｃ
、＋Ｃ４・・・ハイノクス用コンデンサ、Ｌｌ ＋ Ｒ
２＋ Ｌａ・・・チョーク・コイル、４０・・共通ソー
ス導体、（５） ４１・・・プラスチックパッケージ、４２・・・コム導
体、４３・・・ケ９−ト接地用抵抗、４４・・・ＧａＡ
ｓ ＩＣチ、プ。 （６） 第１図 第２図 第３図 第４図 ＮＤ 第５図
Claims (1)
- 多段アンプを構成する電界効果トランジスタのソースが
共通接続された共通ソース端子と接地の間に、バイアス
抵抗とバイパスコンデンサが接続されることを特徴とす
る半導体集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58245126A JPS60140907A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58245126A JPS60140907A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 半導体集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60140907A true JPS60140907A (ja) | 1985-07-25 |
Family
ID=17129006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58245126A Pending JPS60140907A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60140907A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS644104A (en) * | 1987-06-25 | 1989-01-09 | Sharp Kk | Multi-stage amplifier |
| JPH02246405A (ja) * | 1989-03-17 | 1990-10-02 | Mitsubishi Electric Corp | 帰還形電界効果トランジスタ増幅器 |
| JP2002094336A (ja) * | 2000-09-13 | 2002-03-29 | Nf Corp | 縦続接続型増幅器 |
| WO2021186652A1 (ja) * | 2020-03-18 | 2021-09-23 | 日本電信電話株式会社 | 電流電圧変換装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS516043U (ja) * | 1974-06-29 | 1976-01-17 |
-
1983
- 1983-12-28 JP JP58245126A patent/JPS60140907A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS516043U (ja) * | 1974-06-29 | 1976-01-17 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS644104A (en) * | 1987-06-25 | 1989-01-09 | Sharp Kk | Multi-stage amplifier |
| JPH02246405A (ja) * | 1989-03-17 | 1990-10-02 | Mitsubishi Electric Corp | 帰還形電界効果トランジスタ増幅器 |
| JP2002094336A (ja) * | 2000-09-13 | 2002-03-29 | Nf Corp | 縦続接続型増幅器 |
| WO2021186652A1 (ja) * | 2020-03-18 | 2021-09-23 | 日本電信電話株式会社 | 電流電圧変換装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6472941B2 (en) | Distributed amplifier with terminating circuit capable of improving gain flatness at low frequencies | |
| KR0157206B1 (ko) | 저잡음 증폭기 | |
| CN110752829A (zh) | 应用于5G WiFi通信低噪声放大器的偏置电路、放大器电路 | |
| US5202655A (en) | Microwave active filter circuit using pseudo gyrator | |
| JPH045289B2 (ja) | ||
| JPS6043907A (ja) | 増幅回路 | |
| JPS60140907A (ja) | 半導体集積回路 | |
| TWI722346B (zh) | 濾波器網絡 | |
| US6639457B1 (en) | CMOS transconductor circuit with high linearity | |
| US4145666A (en) | Multistage amplifier circuit | |
| JPH06125224A (ja) | 分布増幅器 | |
| JP3231449B2 (ja) | マイクロ波回路 | |
| JP2501311B2 (ja) | アクティブ・ロ−パス・フィルタ | |
| EP1315287B1 (en) | A low noise biasing technique | |
| JPS60140744A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPS6129203A (ja) | 増巾器 | |
| JPH06276038A (ja) | 高周波低雑音増幅器 | |
| JPH0246011A (ja) | 高周波高出力混成集積回路 | |
| JP3922950B2 (ja) | 周波数変換回路 | |
| JP3178271B2 (ja) | マイクロ波半導体集積回路および多段増幅回路 | |
| JPH10303661A (ja) | マイクロ波モノリシックｉｃ化低雑音増幅器 | |
| JPH11340747A (ja) | Ｍｍｉｃ低雑音増幅器 | |
| JPS6314504A (ja) | 増幅回路 | |
| KR20010064258A (ko) | 고성능 능동 인덕터 | |
| JPH07336166A (ja) | 高周波増幅器 |