JPH02246405A - 帰還形電界効果トランジスタ増幅器 - Google Patents

帰還形電界効果トランジスタ増幅器

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JPH02246405A
JPH02246405A JP1066901A JP6690189A JPH02246405A JP H02246405 A JPH02246405 A JP H02246405A JP 1066901 A JP1066901 A JP 1066901A JP 6690189 A JP6690189 A JP 6690189A JP H02246405 A JPH02246405 A JP H02246405A
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terminal
effect transistor
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満 望月
Sunao Takagi
直 高木
Shuji Urasaki
修治 浦崎
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  • Power Engineering (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分舒〕 この発明は、通信、レーダ等に用いられる広帯域なマイ
クロ波増幅器に関するものである。
〔従来の技術〕
第５図は例えば西馬他の“ＧＡ　　モノリシックＩＣ超
広帯域低雑音増幅器”電子通信学会論文誌ＭＷ８０−８
８に示された従来の帰還形電界効果トランジスタ増幅器
（以下帰還形ＦＥＴ増幅器という）の−例を示す回路図
である。
図において（１）は電界効果トランジスタ（以下ＦＥＴ
と言う）で、（２）はそのゲート端子、（３）はドレイ
ン端子、（４）はソース端子であり、このソース端子（
４）は接地されている。ＦＥＴ（１）のドレイン端子（
３）とゲート端子（２）とは、抵抗（５）と、キャパシ
タ（６）および接続用分布定数線路（７）から構成され
る帰還回路（８）で接続されている。
このような回路構成で抵抗（５）の値をＲ＋、キャパシ
タ（６）の値をＣチ、分布定数線路（７）の値をとなる
。
このような帰還形ＦＥＴ増幅器では、キャパシタ（６）
の値をＣ５を十分に大きく、分布定数線路（７）の値を
Ｌ＋を十分に小さくすることによって所望の周波数帯域
において第１式の右辺第２項を右辺第１項に比べ無視で
きるようにし、帰還口１１ｉ（８）のインピーダンスＺ
＋を抵抗（５）の値町と近似させ、抵抗（５）の値Ｒ＋
を適当な値に選ぶことによって、この増幅器は広帯域に
わｔ：って良好な入力および出力反射特性を得、かつ広
帯域にわたって平坦な利得特性を得ることができる。
第６図に従来の帰還形ＦＥＴ増幅益の構成の・−例を示
す。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来の帰還形ＦＥＴ増幅晋では高出力を得るためＦＥＴ
（１）のゲート幅を増大させると、第５図に示すように
ＦＥＴ（１）のドし・イン端子（３）からゲート端子（
２）までの距離が増大し、帰還回路（８）を構成する分
布定数線路（７）が長くなり、分布定数線路（７）のイ
ンダクタンスし８が無視できなくなり、帰還口ＩＩ　（
８）のインピーダンスＺ＋が周波数に依存する。従って
増幅器は広帯域にわたって平坦な利得特性を得ることが
難しくなるという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するｔコめなされ
たもので、高出力でかつ広帯域にわたって平坦な利得特
性を有する帰還形ＦＥＴ増幅器を得ることを目的とする
。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係わる帰還形ＦＥＴ増幅器は、ＦＥＴを複数
個のＦＥＴセルに並列に分割し、ＦＥＴのドレイン端子
とゲート端子とを接続する抵抗とキャパシタおよび接続
用分布定数線路からなる帰還回路を分割した各ＦＥＴセ
ルの同に設けたものである。
〔作用〕
乙の発明におけるＭ連形ＦＥＴ増幅器は、Ｎ還回路を分
割した複数の各ＦＥＴセルの間に設けることにより帰還
回路の接続用分布定数線路の線路長を広帯域にわｉｈっ
て波長に比べ十分に短くできる。
〔実施例〕
以下この発明の一実施例を図について説明する。
第１図はこの発明の帰還形ＦＥＴ増幅器の一実施例を示
す構成図、第２図はその等価回路図である。
図において（９）は並列に分割された２個のＦＥＴセル
である。図に示すように増幅器はＦＥＴを対称な２個の
ＦＥＴセル（９）に並列に分１１ｔ、て配置し、上記２
個のＦＥＴセル（９）の同に一端をＦＥＴのドレイン端
子（３）に、他端をゲート端子（２）に接続した、抵抗
（５）とキャパシタ（６）およびの接続用分布定数線路
（７）からなる帰還回路（８）を設けた構成としている
。
ＦＥＴを対称な２個のＦＥＴセル（９）に並列に分割し
、上記２個のＦＥＴセル（９）の間、即ちＦＥＴのドレ
イン端子（３）とゲート端子（２）との最短経路上に帰
還回路（８）を形成できるため、上記帰還口＊（８）の
接続用分布定数ｍ路（７）の線路長を最小にすることが
できる。従って上記接続用分布定数線路（７）の！！ｉ
回路長は広帯域にわたって波長に比べ十分丘短くでき、
そのインダクタンスし＋を無視することができる。
上記帰還回路（８）のインピーダンス句１．を第１式で
示されるが分布定数線路（７）のインダクタンスＬ士を
十分小さくできるためキャパシタ（６）の値Ｃ５を十分
大さくすることによってＺヶ＝Ｒ１ｆと近似でき、周波
数に依らず一定値どすることができる。ここでＲ＋は抵
抗（５）の値である。
このため、この発明に依る帰還形ＦＥＴ増幅偕は抵抗（
５）のＲ３を適当な値に選ぶことによって広帯域にわた
って良好な入力および出力反射特性を得、かつ広帯域に
わたって平坦な利得特性を得ることができる。
第３図はこの発明の他の実施例の回路図である。
帰還回路（８）が、ＦＥＴ（１）＋ｃ入力ａｍ回路（ｔ
ｏ）；ｔたは出力側回路（１１）を付加した入力端子（
１２）と出力端子（１３）とを接続して構成される。こ
の場合でも入力側回路（１０）、ＦＥＴ（１）、出力ｆ
ｉ回＃（ｔｌ）を各々対称な２個に並列に分割し、その
間に」−記帰還回路（８）を設ければよべ、上記実施例
と同様な効果を奏する。
第４図はこの発明のさらに他の実施例を示す回路図であ
る。この図に示すようにＦＥＴを多数個（ここでは３個
）のＦＥＴセル（９）に分割し、適当なＦＥＴセル（９
）の間に帰還回路（８）を設けてもよい。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明による帰還形ＦＥＴ増幅器では
ＦＥＴを複数のＦＥＴセルに並列に分割し、上記ＦＥＴ
セルの間に帰還回路を構成したので、ゲート幅の大きい
ＦＥＴを用いる増幅益に帰還回路を設ける場合も上記帰
還＠路の接続層分布定数線路の４１回路長を十分短くで
き、広帯域にわたって平坦な利得特性を得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例による帰還形ＦＥＴ増幅器
の構成図、第２図はその回路図、第３図はこの発明の他
の実施例を示す回路図、第４図はこの発明のさらに他の
実施例を示す＠略図、第５図は従来の帰還形ＦＥＴ増幅
器の回路図、第６図はその構成図である。 図中（１）はＦＥＴ、（２）はゲート端子、（３）はド
レイン端子、（４）はソース端子、（５）は抵抗、（６
）はキャパシタ、（７）は分布定数Ｓ路、（８）は帰還
回路、（９）はＦＥＴセル。（１０）は入力側回路、（
１１）は出力側回路、（１２）は入力端子、（１３）は
出力端子である。 なお図中同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 電界効果トランジスタ（以下ＦＥＴと言う）と、一端が
    このＦＥＴのドレイン端子に、他端が上記ＦＥＴのゲー
    ト端子に接続された抵抗とキャパシタと接続用線路から
    なる帰還回路とで構成される帰還形ＦＥＴ増幅器におい
    て、上記ＦＥＴを複数のＦＥＴセルに並列に分割し、各
    ＦＥＴセルの間にそれぞれ上記帰還回路を設けたことを
    特徴とする帰還形電界効果トランジスタ増幅器。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020241586A1 (ja) * 2019-05-27 2020-12-03 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 増幅装置

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5283452A (en) * 1992-02-14 1994-02-01 Hughes Aircraft Company Distributed cell monolithic mircowave integrated circuit (MMIC) field-effect transistor (FET) amplifier
US6081006A (en) * 1998-08-13 2000-06-27 Cisco Systems, Inc. Reduced size field effect transistor
JP4754129B2 (ja) * 2001-09-26 2011-08-24 三菱電機株式会社 半導体装置
US6642578B1 (en) 2002-07-22 2003-11-04 Anadigics, Inc. Linearity radio frequency switch with low control voltage

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60140907A (ja) * 1983-12-28 1985-07-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体集積回路

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3596203A (en) * 1968-01-04 1971-07-27 Nippon Electric Co Plural transistor high frequency oscillator
JPS5724569A (en) * 1980-07-18 1982-02-09 Mitsubishi Electric Corp Uhf band gaas fet
JPS5892272A (ja) * 1981-11-27 1983-06-01 Mitsubishi Electric Corp 負帰還型ＧａＡｓマイクロ波モノリシツク増幅回路装置
JPS5892271A (ja) * 1981-11-27 1983-06-01 Mitsubishi Electric Corp ＧａＡｓマイクロ波モノリシツク集積回路装置
FR2533777B1 (fr) * 1982-09-24 1987-09-04 Thomson Csf Oscillateur hyperfrequence de puissance
JPS60237709A (ja) * 1984-05-11 1985-11-26 Mitsubishi Electric Corp モノリシツクマイクロ波増幅器
JPS62159907A (ja) * 1986-01-08 1987-07-15 Mitsubishi Electric Corp モノリシツクマイクロ波増幅器
US4760350A (en) * 1987-06-08 1988-07-26 Hittite Microwave Corporation Internally matched power amplifier
US4786881A (en) * 1987-08-27 1988-11-22 General Electric Company Amplifier with integrated feedback network

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60140907A (ja) * 1983-12-28 1985-07-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体集積回路

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020241586A1 (ja) * 2019-05-27 2020-12-03 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 増幅装置
JP2020195031A (ja) * 2019-05-27 2020-12-03 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 増幅装置

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