JPS62159907A - モノリシツクマイクロ波増幅器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、マイクロ波を増幅するモノリシックマイク
ロ波増幅器に関するものである。

〔従来の技術〕

第３図に、この種モノリシックマイクロ波増幅器を示す
図で、特に帰還増幅器の構成を示すものである。図にお
いて、ｆｉｌは入力端（２）と出力端（３１との間に設
けられた利得ＡのＦＦｔＴ　、　＋４１はこのＦＥＴ　
（ＩＩと並列に設けられた利得Ｂの帰還回路で、これら
ＦＥＴ　ｉｌｌ及び帰還回路（４１でｓ載された帰還増
幅器全体の利得ＧはＧ−Ａ／（１−ＡＢ）となるもので
ある。

第４図はこの様な帰還増幅器を半導体基板に形成した時
の具体的なプロット図で、図に示すようにＦＩＴ　ｆｉ
ｌはゲート＋５１　、ソース（６）及びドレイン（７）
で構成され、帰還回路（４１は入力側整合回路（８）か
ら出力側整合回路（９）にかけて、抵抗部（ｌＯ）とキ
ャパシタαＢがマイクロストリップ線路（６）により直
列に接続されている。

以上の様に８５ｙされたモノリシックマイクロ波増幅器
における抵抗部（ｌＯ）は従来第５図（ｍ）に示すよう
に不純物拡散抵抗（至）と電極ａ４からなっている。

ところで、一般にモノリシックマイクロ波増幅器におい
ては□、＠６図の工程図に示すように、集積回路チップ
製作後、その電気的特性を測定し、製作したチップの電
気的特性の修正が必要な場合は、帰還回路中の不純物拡
散抵抗α３及び電極α饗の大きさまたは形状を修正する
ため、〔第５図にその一例を示す、第５図（ａ）から第
５図（ｂ）へ、またはその逆への修正が有る。〕不不純
物拡散抵抗至）及び電極α４形成用のマスクを変更して
、新たに抵抗部形成の工程から集積回路チップを製作し
直した。

〔発明が解決しようとする問題点〕

従来のモノリシックマイクロ波増幅器は以上のようにｓ
−峻されているので、電気的特性を修正するためには、
抵抗部形状の工程からやり直さなければならず、その為
、時間的損失及び修正の為のコストが高くなるという問
題点があった。

この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、電気的特性の修正が容易に行なえるモノリシ
ックマイクロ波増幅器を得ることを目的とする。

５　〔問題癲を解決するための手段〕 この発明に係るそノリシックマイクロ波増幅器は、増幅
回路に接続される抵抗部を、各々独立した複数の抵抗体
と、これら複数の抵抗体を選択的に接続する電気接続線
とに“より構成したものである。

〔作用〕

この発明におけるモノリシックマイクロ波増幅器は、抵
抗部が複数の抵抗体により構成されているため、抵抗値
を変更する場合には、電気接続線の上Ｐ抵抗体への接続
状態を変更するだけで良い。

〔実施例〕　　□ 以下、この発明の」実施例を図にらいて説明する。第１
図は第４図の抵抗部（１０１Ｋ相当する部分のｉｔを示
す図で、図において、（イ）、＠、＠は半導体基板に各
々独立して設けられた３個の不純物拡散抵抗、（２）、
（財）、（イ）は各々不純物拡散抵抗（ホ）、６！η。

（２）Ｋ投けられた電極で、これらの電極（至）、６！
４　、に）にはマイクロストリップ線路（イ）が選択的
に接続されでいる。

次に、第１図の装置回路の抵抗部（１０）の平面図及び
第２図の工程図を用いて、本モノリシックマイクロ波増
幅器の電気的特性の修正方法について説明する。第２Ｍ
に示すように、増幅器のチップ製造後、電気的特性を測
定した結果、この電気的特性に修正の必要性が生じた場
合、すでに帰還回路の抵抗部（ｌＯ）が複数形成されて
いるため必要な抵抗部と配線できるように配線パターン
形成用マスクを変更して配線パターン形成から再□製作
することで容易に電気的特性の修正が実施でき、従来の
製造１稈のように不純物拡散抵抗（ホ）、　６１！１）
　、　＠及び電極（至）、（財）、Ｈのマスクを変更し
て抵抗体形成からやり直す必要がな（、作業時間の短縮
化が図れる。

第１図は配線パターン修正の実施例″であり、第１図（
ａ）のように抵抗値の抵抗体から、第１図（ｂ）のよう
により小さい抵抗値の抵抗体にマイクロストリップ線路
０２を１線し直したものである。　　　　・なお、上Ｐ
、実実施においては、不純物拡散抵抗からなる抵抗体四
、＠、＠を３個形成した本の゛を示したが、これに限ら
れることなく４個以上でもよく、またマイクロストリッ
プ線路υの配線も抵抗体に）、＠、＠のうちの１個を選
出して、これを接続したものを示したが、これＫｍられ
ることなく上記複数の抵抗体を直列、或いは並列に接続
して様々な抵抗値の抵抗部（！０）を形成しても良い。

また、上記実施例では帰還回路の場合について説明した
が、整合回路や発・振回路であってもよく、上記実施例
と同様の効果を奏する。

〔発明の効果］ 以上のように、との発明によれば一抵抗部が各各独立し
た検数の抵抗体と、これら複数の抵抗体を選択的に接続
する電気接続線とによりｉａ故したので□、抵抗部の抵
抗値を変更する場合には電気接続線の上記抵抗体への接
続状態を変更するだけで良（、！気的特性の修正−ＩＩ
ｆ非常に容易になり、修正のためのコストが低くなると
いう効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１ｖ！Ｉ（ａ）及び（ｂ）はこの発明の一実施例によ
るそノリシックマイクロ波増幅器の抵抗部を示す平面図
で、各々抵抗値の修正前設び修正後の状態を示す図であ
る。第２図はこの発明の一実施例によるモノリシックマ
イクロ波増幅器のチップ製造工程及び修正工程を示す図
、第３図は一般的なモノリシックマイクロ波増幅器の特
に帰還増幅器の構耐を示す図、％４図は第３図の帰還増
幅器を半導体基板にプロットした図、％　５　［Ｒ１（
ａ）汲び（ｂｌは従来のモノリシックマイクロ波増幅器
の抵抗部を示す図で、各々抵抗値の修正前及び修正後の
状態を示す図、＠６図は従来のモノリシックマイクロ波
増幅器のチップ製造工程及び修正工程を示す図である。 図１において、ｉｌｌけ増幅回路、（１０）は抵抗部、
α２は電勿接続線、翰、　（２））　、　（’ｌ！Ｉけ
抵抗体である。 なネ・、各契中同−符号は同一または相当部分を示すも
のである。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体基板に形成された増幅回路と、この増幅回
   路に接続された抵抗部とを備えたモノリシツクマイクロ
   波増幅器において、上記抵抗部を上記半導体基板に各々
   独立して設けられた複数の抵抗体と、これら複数の抵抗
   体を選択的に上記増幅回路と入力端と出力端との間に接
   続する電気接続線とにより構成したことを特徴とするモ
   ノリシツクマイクロ波増幅器。
2. （２）複数の抵抗体は、不純物拡散抵抗であることを特
   徴とする特許請求の範囲第１項記載のモノリシツクマイ
   クロ波増幅器。
3. （３）抵抗部は増幅回路の入力端と出力端との間に接続
   されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項また
   は第２項記載のモノリシツクマイクロ波増幅器。