JPS63219210A - Ｆｅｔ増幅器 - Google Patents
Ｆｅｔ増幅器Info
- Publication number
- JPS63219210A JPS63219210A JP5280987A JP5280987A JPS63219210A JP S63219210 A JPS63219210 A JP S63219210A JP 5280987 A JP5280987 A JP 5280987A JP 5280987 A JP5280987 A JP 5280987A JP S63219210 A JPS63219210 A JP S63219210A
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- JP
- Japan
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- inductance
- fet
- source
- capacitance
- band
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- Pending
Links
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Microwave Amplifiers (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、マイクロ波帯で、使用される増幅器におい
て、電界効果トランジスタ（）’ＥＴ）を用いた低雑音
のＦＥＴ増幅器に関するものである。
て、電界効果トランジスタ（）’ＥＴ）を用いた低雑音
のＦＥＴ増幅器に関するものである。
第８図（ａ）は例えば、文献「Ｘ−Ｂａｎｄ Ｍｏｎｏ
１ ｉ ｔｈ ｉ ｃＳｅｒｉｅｓ Ｆｅｅｄｂａｃ
ｋ ＬＮＡ（ＩＥＥＥＭｎ’−８８ＤＥＣＥＭＢＥＲ１
９８５）Ｊに示された従来のＦＥＴ増幅器を示す一例の
回路図である。図において（１）は入力整合回路、（２
）は出力整合回路、（３）はＦＥＴであり、（４）はこ
のＦＥＴ（３）のソース電極に挿入されたインダクタン
スである。第８図（ｂ）は、上記ソースインダクタンス
（４）をマイクロストリップ線路等で構成される分布定
数で表わした図である。
１ ｉ ｔｈ ｉ ｃＳｅｒｉｅｓ Ｆｅｅｄｂａｃ
ｋ ＬＮＡ（ＩＥＥＥＭｎ’−８８ＤＥＣＥＭＢＥＲ１
９８５）Ｊに示された従来のＦＥＴ増幅器を示す一例の
回路図である。図において（１）は入力整合回路、（２
）は出力整合回路、（３）はＦＥＴであり、（４）はこ
のＦＥＴ（３）のソース電極に挿入されたインダクタン
スである。第８図（ｂ）は、上記ソースインダクタンス
（４）をマイクロストリップ線路等で構成される分布定
数で表わした図である。
次に動作について説明する。通常、ＦＥＴの各種パラメ
ーターにおいて、雑音を最小にするインピーダンス（Ｚ
ｏｐｔ）と入力の反射係数を最小にするＳｏの共役複素
数ギとは異なることが明らかにされている。ところが、
（３）のＦＥＴのソース電極に適当なインダクタンス（
４）を挿入することにより、上記のＺｏｐｔとＳ：は近
づき、低雑音でかつ低入力ｖ、Ｓ、Ｗ、Ｒが同時に実現
できる。
ーターにおいて、雑音を最小にするインピーダンス（Ｚ
ｏｐｔ）と入力の反射係数を最小にするＳｏの共役複素
数ギとは異なることが明らかにされている。ところが、
（３）のＦＥＴのソース電極に適当なインダクタンス（
４）を挿入することにより、上記のＺｏｐｔとＳ：は近
づき、低雑音でかつ低入力ｖ、Ｓ、Ｗ、Ｒが同時に実現
できる。
従来のＦＥＴ増幅器は以上のように構成されているので
、ある特定の周波数以上においては、ソースのインダク
タンスの影響により、利得が低下したり、ゲート、ドレ
イン間のアイソレーションが悪化し、不安定動作を起こ
しやすいなどの問題点があった。また、インダクタンス
を形成する分布定数回路の線路長が帯域外のある周波数
でＭ４長になるとソーンがオープン状態となり、その周
波数における増幅動作が不安定となって発振し易すくな
るなどの問題点があった。
、ある特定の周波数以上においては、ソースのインダク
タンスの影響により、利得が低下したり、ゲート、ドレ
イン間のアイソレーションが悪化し、不安定動作を起こ
しやすいなどの問題点があった。また、インダクタンス
を形成する分布定数回路の線路長が帯域外のある周波数
でＭ４長になるとソーンがオープン状態となり、その周
波数における増幅動作が不安定となって発振し易すくな
るなどの問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、所要の周波数帯域外においてもアイソレーシ
ョン悪化あるいは発振現象を防止して安定に動作し、低
雑音、低入力Ｖ、Ｓ、Ｗ、Ｒを実現できるＦＥＴ増幅器
を得ることを目的とする。
たもので、所要の周波数帯域外においてもアイソレーシ
ョン悪化あるいは発振現象を防止して安定に動作し、低
雑音、低入力Ｖ、Ｓ、Ｗ、Ｒを実現できるＦＥＴ増幅器
を得ることを目的とする。
この発明に係るＦＥＴ増幅器は、そのＰＥＴのソースに
接続されたインダクタンスと直列あるいは並列にキャパ
シタンスを接続したものである。
接続されたインダクタンスと直列あるいは並列にキャパ
シタンスを接続したものである。
〔作用〕
この発明におけるソースインダクタンスと直列あるいは
並列に挿入されたキャパシタンスは、その容量を適当に
選択することにより、帯域外の周波数において高周波的
にソースを接地した状態をつくることができ、高域での
アイソレーション不足あるいは発振等の不安定動作を防
止し、広帯域性能のすぐれた増幅作用を行うことができ
る。
並列に挿入されたキャパシタンスは、その容量を適当に
選択することにより、帯域外の周波数において高周波的
にソースを接地した状態をつくることができ、高域での
アイソレーション不足あるいは発振等の不安定動作を防
止し、広帯域性能のすぐれた増幅作用を行うことができ
る。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において、（１）は入力整合回路、（２）は出力整合
回路、（３）はＦＥＴであり、（４）はこのＦＥＴ（３
）のソース電極に挿入されたインダクタンスであり、（
５ａ）はこのインダクタンス（４）に直列に挿入された
キャパシタンスである。
図において、（１）は入力整合回路、（２）は出力整合
回路、（３）はＦＥＴであり、（４）はこのＦＥＴ（３
）のソース電極に挿入されたインダクタンスであり、（
５ａ）はこのインダクタンス（４）に直列に挿入された
キャパシタンスである。
次に作用について説明する。前述した通り、ＦＥＴのソ
ース電極に所要帯域の適当なインダクタンス（４）を入
れることにより、低雑音、低入力■、Ｓ１Ｗ、Ｒを同時
に実現することは可能である。しかしながら、所要の帯
域よりも高周波においては、このインダクタンス（４）
が、ｊＷＬのインピーダンスをもち、ソースが完全に接
地されているとは見なされなくなり、ＦＥＴのドレイン
、ゲート間のアイソレーションが悪化する。そこでこの
インダクタンスに直列にキャパシタンス（５ａ）を適当
な値で入れることにより、ｊ（ＷＬ−赤のインピーダン
スになる。したがって、このしとＣの値を選択すること
により、ソースを完全に接地したと見ることができ、ア
イソレージロンも改善され、広帯帯で、安定な増幅器を
得ることができる。
ース電極に所要帯域の適当なインダクタンス（４）を入
れることにより、低雑音、低入力■、Ｓ１Ｗ、Ｒを同時
に実現することは可能である。しかしながら、所要の帯
域よりも高周波においては、このインダクタンス（４）
が、ｊＷＬのインピーダンスをもち、ソースが完全に接
地されているとは見なされなくなり、ＦＥＴのドレイン
、ゲート間のアイソレーションが悪化する。そこでこの
インダクタンスに直列にキャパシタンス（５ａ）を適当
な値で入れることにより、ｊ（ＷＬ−赤のインピーダン
スになる。したがって、このしとＣの値を選択すること
により、ソースを完全に接地したと見ることができ、ア
イソレージロンも改善され、広帯帯で、安定な増幅器を
得ることができる。
なお、上記実施例ではインダクタンス（４）と直列にコ
ンデンサ（５ａ）を接地して所要の帯域よりも高い周波
数域におけるアイソレージぢン不足を防止する場合につ
いて述べたが、第２図（ａ）に示すようにインダクタン
ス（４）と並列にコンデンサ（５ｂ）を接続しても低雑
音、低Ｖ１Ｓ１Ｗ１Ｒ化とともにＦＥＴ増幅作用の安定
化を図ることができる。第２図（ｂ）は第２図（ａ）の
ソースインダクタンス（４）を分布定数で表わした図で
ある。
ンデンサ（５ａ）を接地して所要の帯域よりも高い周波
数域におけるアイソレージぢン不足を防止する場合につ
いて述べたが、第２図（ａ）に示すようにインダクタン
ス（４）と並列にコンデンサ（５ｂ）を接続しても低雑
音、低Ｖ１Ｓ１Ｗ１Ｒ化とともにＦＥＴ増幅作用の安定
化を図ることができる。第２図（ｂ）は第２図（ａ）の
ソースインダクタンス（４）を分布定数で表わした図で
ある。
前述したように所要の帯域よりも低いある周波数におい
ては、このインダクタンス（４）が、Ｖ４長に見えた場
合に、ソース電極はオープン状態となり不安定動作とな
る。そこで、第２図のごとくこのインダクタンス（４）
に並列にキャパシタンス（５ｂ）を接続し、その値を最
適に選ぶことにより、帯域外で、ソース電極から見てオ
ープン状態にみえていた周波数でも、高周波的に接地さ
れていることにより、どの周波数においても安定な動作
が保証される。
ては、このインダクタンス（４）が、Ｖ４長に見えた場
合に、ソース電極はオープン状態となり不安定動作とな
る。そこで、第２図のごとくこのインダクタンス（４）
に並列にキャパシタンス（５ｂ）を接続し、その値を最
適に選ぶことにより、帯域外で、ソース電極から見てオ
ープン状態にみえていた周波数でも、高周波的に接地さ
れていることにより、どの周波数においても安定な動作
が保証される。
また、上記実施例では、ソースインダクタンス（４）を
直接接地した２電源で動作するＦＥＴ増幅器を示したが
、ソースインダクタンス（４）に直列に抵抗が挿入され
た単電源で動作するＦＥＴ増幅器に関しても、同様の効
果を奏する。
直接接地した２電源で動作するＦＥＴ増幅器を示したが
、ソースインダクタンス（４）に直列に抵抗が挿入され
た単電源で動作するＦＥＴ増幅器に関しても、同様の効
果を奏する。
以上のように、この発明によれば、低雑音、低入力Ｖ、
Ｓ、Ｗ、Ｒを同時に実現するべく挿入されたソースイン
ダクタンスに直列あるいは並列にキャパシタンスを挿入
したので、広帯域特性にすぐれた、安定なＦＥＴ増幅器
を得ることができる。
Ｓ、Ｗ、Ｒを同時に実現するべく挿入されたソースイン
ダクタンスに直列あるいは並列にキャパシタンスを挿入
したので、広帯域特性にすぐれた、安定なＦＥＴ増幅器
を得ることができる。
第１図はこの発明の一実施例によるＦＥＴ増幅器の回路
図、第２図はこの発明の他の実施例を示すＦＥＴ増幅器
の回路図、第８図は従来のＦＥＴ増幅器を示す回路図で
ある。（１）は、入力整合回路。 （２）は出力整合回路、（３）はＦＥＴ、（４）はソー
スインダクタンス、 （５）は、キャパシタンス。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
図、第２図はこの発明の他の実施例を示すＦＥＴ増幅器
の回路図、第８図は従来のＦＥＴ増幅器を示す回路図で
ある。（１）は、入力整合回路。 （２）は出力整合回路、（３）はＦＥＴ、（４）はソー
スインダクタンス、 （５）は、キャパシタンス。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）により構成され、その
ソースと基準電位（接地）間にインダクタンスが挿入接
続されたＦＥＴ増幅器において、上記インダクタンスと
直列あるいは並列にキャパシタンスを接続したことを特
徴とするＦＥＴ増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5280987A JPS63219210A (ja) | 1987-03-06 | 1987-03-06 | Ｆｅｔ増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5280987A JPS63219210A (ja) | 1987-03-06 | 1987-03-06 | Ｆｅｔ増幅器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63219210A true JPS63219210A (ja) | 1988-09-12 |
Family
ID=12925173
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5280987A Pending JPS63219210A (ja) | 1987-03-06 | 1987-03-06 | Ｆｅｔ増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63219210A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0279607A (ja) * | 1988-09-16 | 1990-03-20 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波増幅器 |
| WO1999027646A1 (en) * | 1997-11-21 | 1999-06-03 | Hitachi, Ltd. | High-frequency amplifier circuit device and high-frequency transmission system using the same |
| US6005442A (en) * | 1996-03-26 | 1999-12-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Divider/combiner |
| WO2001003290A1 (fr) * | 1999-06-30 | 2001-01-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Amplificateur de micro-ondes |
| JP2007215247A (ja) * | 2007-05-25 | 2007-08-23 | Sharp Corp | 周波数逓倍器 |
| JP2008228149A (ja) * | 2007-03-15 | 2008-09-25 | New Japan Radio Co Ltd | 低雑音増幅器 |
| JP2020010386A (ja) * | 2015-08-28 | 2020-01-16 | 株式会社東芝 | 高周波低雑音増幅器 |
-
1987
- 1987-03-06 JP JP5280987A patent/JPS63219210A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0279607A (ja) * | 1988-09-16 | 1990-03-20 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波増幅器 |
| US6005442A (en) * | 1996-03-26 | 1999-12-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Divider/combiner |
| WO1999027646A1 (en) * | 1997-11-21 | 1999-06-03 | Hitachi, Ltd. | High-frequency amplifier circuit device and high-frequency transmission system using the same |
| WO2001003290A1 (fr) * | 1999-06-30 | 2001-01-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Amplificateur de micro-ondes |
| US6310517B1 (en) | 1999-06-30 | 2001-10-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Microwave amplifier |
| JP2008228149A (ja) * | 2007-03-15 | 2008-09-25 | New Japan Radio Co Ltd | 低雑音増幅器 |
| JP2007215247A (ja) * | 2007-05-25 | 2007-08-23 | Sharp Corp | 周波数逓倍器 |
| JP2020010386A (ja) * | 2015-08-28 | 2020-01-16 | 株式会社東芝 | 高周波低雑音増幅器 |
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