JPH0376609B2 - - Google Patents

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JPH0376609B2
JPH0376609B2 JP59135634A JP13563484A JPH0376609B2 JP H0376609 B2 JPH0376609 B2 JP H0376609B2 JP 59135634 A JP59135634 A JP 59135634A JP 13563484 A JP13563484 A JP 13563484A JP H0376609 B2 JPH0376609 B2 JP H0376609B2
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double
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frequency signal
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Takeshi Sato
Hiroyuki Nagai
Kazuhiko Kubo
Akira Usui
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は電界効果トランジスタ（以下、FET
と略称する）を使用したダブルバランス式のミキ
サ装置と増幅器に関するもので、特にチユーナ装
置やコンバータ装置などに使用して有効なもので
ある。
従来例の構成とその問題点 従来のミキサ装置の一例を第１図に示す。これ
を説明すると、端子ｂより入力された高周波信号
は直流阻止用コンデンサ３２を通り、バラン４を
介し、ダブルバランスドミキサ部２を構成してい
るFET８，９，１０，１１のソース端子に入力
される。一方、端子ａより注入された局部発振信
号は直流阻止用コンデンサ６を通り、バラン１を
介して、ダブルバランスドミキサ部２を構成して
いるFET８，９，１０，１１のゲート端子に注
入される。これら高周波信号と局部発振信号はダ
ブルバランスドミキサ部２で混合され、FET８，
９，１０，１１のドレイン端子より中間周波信号
として現われ、バラン３を介して直流阻止用コン
デンサ２３を通り共振線路２６とコンデンサ２４
からなる、中間周波数に同調し、かつ、ダブルバ
ランスドミキサ部２のドレイン端子側出力インピ
ーダンスと中間周波増幅器５の入力インピーダン
スの整合をとつている同調回路を通り、直流阻止
用コンデンサ２５を通り、中間周波増幅器５を構
成しているFET１７のゲート端子に入る。ここ
で増幅さ、FET１７のドレイン端子より取り出
され直流阻止用コンデンサ３１を通つて端子ｄよ
り出力される。ダブルバランスドミキサ部２を最
適に動作させるためのゲートバイアス電圧は抵抗
１５と抵抗２０，２１，２２とによつて供給され
る。FET８，９，１０，１１はソース電位に対
して低電位なるゲートバイアス電圧を必要とする
ため、抵抗１５でソース電位をアース点より上げ
ておきゲートバイアス電圧が正でも、ソース電位
に対して負となる様に設定している。同様にし
て、中間周波増幅器５を構成しているFET１７
のゲートバイアス電圧も抵抗１８でソース電位を
アース点より上げておき、ゲートバイアスを抵抗
２８，２９，３０で最適動作点に設定している。
しかしながら、上記のような構成において、
FET使用のミキサが変換利得を最大にできる局
部発振信号＋10dBm以上をゲート端子に供給し
たときに、ダブルバランスドミキサ部２の直流動
作電流を数mAに設定していても、交流動作電流
は数10mAにおよぶという問題点を有していた。
さらに、中間周波増幅器には別に電流を流す構成
であるために、総合の動作電流は増大するので、
低電流化の問題点をも有していた。
発明の目的 本発明の目的は低消費電流化のための定電流化
回路を増幅器として使用し、低消費電流と変換利
得向上を可能とするミキサ装置を提供することで
ある。
発明の構成 本発明のミキサ装置は第１，第２，第３および
第４のFETのゲート端子に局部発振信号を供給
し、ソース端子には、高周波信号を供給し、ドレ
イン端子から中間周波信号を得るように構成した
ダブルバランスドミキサ部のソース端子にバラン
を介して増幅器を直流的に縦続接続し、さらに交
流的にダブルバランスドミキサ部と増幅器が独立
するように接続し、局部発振信号の増加にともな
う交流動作電流の増加を抑制するとともに、増幅
器を高周波増幅器や中間周波増幅器として使用す
るように構成したものであり、これにより低消費
電流動作と変換利得の向上となるものである。
実施例の説明 以下、本発明の実施例について、図面を参照し
ながら説明する。
第２図は本発明の一実施例に係るミキサ装置の
構成図を示すものである。第２図において、増幅
器５は中間周波増幅器であり、ダブルバランスド
ミキサ部２から出力された中間周波信号を増幅す
るとともに、ダブルバランスドミキサ部２の定電
流化回路となるよう構成されている。中間増幅器
は１個のFETからなり、そのドレイン端子には、
ダブルバランスドミキサ部２のソース端子よりソ
ース電流が抵抗１５を通り、さらにチヨークコイ
ル１６を通つて流れ込む。この時、バラン４と抵
抗１５の接続点と抵抗１５とチヨークコイル１６
の接続点を高周波的に接地し、ダブルバランスド
ミキサ部２と増幅器５を高周波的に切り放し、独
立さるために接地コンデンサ１４，３７をアース
間に接続する。従つて増幅器５の動作電流を決定
するとダブルバランスドミキサ部の動作電流は局
部発振信号注入時においても数mAの増加で済
む。端子ａより入力された局部発振信号はコンデ
ンサ６とバラン１を介してダブルバランスドミキ
サ部２のゲート端子に注入され、一方、端子ｂよ
り入力された高周波信号はコンデンサ３２とバラ
ン４を介してダブルバランスドミキサ部２のソー
ス端子に入力され混合された後、中間周波信号は
ドレイン端子よりバラン３を介して共振線路２６
とコンデンサ２４で構成される同調回路を通り中
間周波増幅器である増幅器５を構成するFET１
７のゲート端子に入力され増幅された後、コンデ
ンサ３１を通つて端子ｄより出力される。動作電
流はダブルバランスドミキサ部が最小変換損失と
なり、かつ、増幅器５の利得，歪特性が最良とな
る様に抵抗１８と抵抗２９，３６，３５，３４で
ゲートバイアス電圧を供給し、設定する。ダブル
バランスドミキサ部２のゲートバイアス電圧は抵
抗１５と抵抗２１によつて供給される。以上のよ
うに本発明の実施例によれば、増幅器を定電流化
回路として動作させることにより、ダブルバラン
スドミキサ部の局部発振信号注入時の交流動作電
流の増加は抑制され、さらに動作電流を共用して
いるためにミキサ部としての低電流化と、増幅器
により中間周波信号を増幅し、ミキサ部の変換利
得の向上化を実現している。
次に本発明の他の実施例について図面を参照し
ながら説明する。
第３図は本発明の他の実施例に係るミキサ装置
の回路構成図を示すものである。第３図におい
て、増幅器５は高周波信号増幅器であり、ダブル
バランスドミキサ部２に入力する高周波信号を増
幅するとともに、ダブルバランスドミキサ部２の
定電流化回路となるよう構成されている。高周波
信号増幅器は１個のFETからなり、そのドレイ
ン端子には、ダブルバランスドミキサ部２のソー
ス端子よりソース電流が抵抗１５を通り、さらに
チヨークコイル１６を通つて流れ込む。この時、
バラン４と抵抗１５の接続点と抵抗１５とチヨー
クコイル１６の接続点を高周波的に接地し、ダブ
ルバランスドミキサ部２と増幅器５を高周波的に
切り放し、独立させるために接地コンデンサ１
４，３７をアース間に接続する。従つて増幅器５
の動作電流を決定するとダブルバランスドミキサ
部の動作電流は局部発振信号注入時においても数
mAの増加で済む。端子ａより入力された局部発
振信号はコンデンサ６とバラン１を介してダブル
バランスドミキサ部２のゲート端子に注入され、
一方、端子ｂより入力された高周波信号はコンデ
ンサ４０を通つて増幅器５を構成しているFET
１７のゲート端子に入力され、増幅された後、ド
レイン端子よりコンデンサ３９を通つてバラン４
の高周波的に接地していない側に入力され、ダブ
ルバランスドミキサ部２のソース端子に入る。そ
こで混合された後、中間周波信号はドレイン端子
よりバラン３を介して、コンデンサ３８を通り端
子ｄより出力される。動作電流はダブルバランス
ドミキサ部が最小変換損失となり、かつ、増幅器
５の利得，歪特性が最良となる様に抵抗１８と抵
抗２９，３６，３５，３４でゲートバイアス電圧
を供給し、設定する。ダブルバランスドミキサ部
２のゲートバイアス電圧は抵抗１５と抵抗２１に
よつて供給される。以上のように本発明の実施例
によれば、増幅器を定電流化回路として動作させ
ることにより、ダブルバランスドミキサ部の局部
発振信号注入時の交流動作電流の増加は抑制さ
れ、さらに動作電流を共用しているためにミキサ
部としての低電流化と、増幅器により高周波信号
を増幅し、ミキサ部の変換利得の向上と低雑音指
数化を実現している。なお、上述の実施例では増
幅器を１個のFETとしたが、増幅器はFETに限
定されるものではなく、増幅作用の機能を有する
ものであれば何でもよい。
以上の説明から明らかなように、上述した各実
施例はダブルバランスドミキサ部のソース側に定
電流動作をする増幅器を高周波的には独立し、影
響を与えないように接続し、かつ、増幅器を中間
周波増幅器や高周波信号増幅器として動作させる
構成をとつている。したがつて、例えば、増幅器
を中間周波増幅器として動作させている場合につ
いてその効果についてさらに具体的に説明する。
局部発振信号電力が10dBmの時の直流動作時ド
レイン電流と交流動作時ドレイン電流の関係を第
４図に示す。この図を説明すると、ｅは本発明の
第１の実施例の場合であり、直流動作時のドレイ
ン電流20mA以上について、交流動作時のドレイ
ン電流の増加は2mA以内である。一方、は従
来例の場合であり、交流動作時のドレイン電流の
増加は30mAにもおよんでいる。さらに入力信号
周波数に対する交流動作時のドレイン電流の特性
は第５図に示す通りであり、ｇは直流動作時のド
レイン電流を25mAに設定した時の第１の実施例
の場合であり、交流動作時のドレイン電流を示し
たものである。本実施例によると交流動作時ドレ
イン電流の最大値は26.5mAで、わずか1.5mAし
か増加していない。一方、ｈは従来例の場合の交
流動作時ドレイン電流を示すものであり、この時
の直流動作時ドレイン電流は4mAに設定してい
る。
従つて、従来例による最大35mAもドレイン電
流が増加しており、本発明の実施例によると、低
消費電流化の効果が大きい。さらに、第６図に示
すように、ｉは従来例、ｊは本発明の実施例であ
るが、変換利得は6.5dB高くなつている。また、
第７図に示すように、ｌは従来例、ｋは本発明の
実施例であるが、１％混変調特性は6.5dB劣化し
ているが、妨害信号電圧値は103.5dB（50Ω終端
値）以上であるという優れた効果が得られる。
発明の効果 上記実施例より明らかなように本発明によれば
低消費電流のミキサを実現することができる上、
定電流化回路に増幅器を用い、ダブルバランスド
ミキサ部の中間周波信号を増幅し出力する構成
や、高周波信号を増幅し、ダブルバランスドミキ
サ部に入力する構成にすることにより、定・低電
流化を実現し、変換利得も向上し他の装置との接
続を考えた際の雑音性能向上についても有効であ
り、妨害性能も実用上問題ない性能であるという
効果が得られる。また低消費電流のためIC化す
る際には有効である。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のミキサ装置の回路図、第２図は
本発明の一実施例によるミキサ装置の回路図、第
３図は本発明の他の実施例の回路図、第４図は直
流動作時ドレイン電流に対する局部発振信号入力
時の交流動作時ドレイン電流を示す特性図、第５
図は入力信号周波数に対する局部発振信号入力時
のドレイン電流を示す特性図、第６図は入力信号
周波数に対する変換利得を示す特性図、第７図は
入力信号周波数に対する妨害信号電圧を示す特性
図である。 １，３，４……バラン、６，７，１２，１４，
１９，２３，２４，２５，２７，３１，３２，３
３，３７，３８，３９，４０……コンデンサ、１
３，１６…チヨークコイル、１５，１８，２０，
２１，２２，２８，２９，３０，３４，３５，３
６……抵抗、ａ……局部発振信号入力端子、ｂ…
…高周波信号入力端子、ｃ……電源供給端子、ｄ
……中間周波信号出力端子。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 第１，第２，第３および第４の電界効果トラ
    ンジスタのゲート端子に局部発振信号を供給し、
    ソース端子には、高周波信号を供給し、ドレイン
    端子から中間周波信号を得るように構成したダブ
    ルバランスドミキサ部のソース端子にバランを介
    して増幅器を直流的に縦続接続し、定電流化回路
    としてダブルバランスドミキサ部の局部発振信号
    の増加にともなう交流動作電流の増加を抑制し、
    かつ交流的にダブルバランスドミキサ部と増幅器
    が独立するように接続したことを特徴とするミキ
    サ装置。 ２ 増幅器は中間周波増幅器であつて、第５の電
    界効果トランジスタを使用し、その第５の電界効
    果トランジスタのゲート端子には、ダブルバラン
    スドミキサ部より得られる中間周波信号を入力
    し、増幅した後、ドレイン端子より取り出すよう
    に構成したことを特徴とする特許請求の範囲第１
    項記載のミキサ装置。 ３ 増幅器は高周波信号増幅器であつて、第５の
    電界効果トランジスタを使用し、その第５の電界
    効果トランジスタのゲート端子には、高周波信号
    を入力し、増幅した後、ドレイン端子より取り出
    し、ダブルバランスドミキサ部のソース側に供給
    するように構成したことを特徴とする特許請求の
    範囲第１項記載のミキサ装置。
JP59135634A 1984-06-29 1984-06-29 ミキサ装置 Granted JPS6115426A (ja)

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Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2563338B2 (ja) * 1987-06-02 1996-12-11 松下電器産業株式会社 低雑音コンバ−タ
JPH0687526B2 (ja) * 1987-08-19 1994-11-02 株式会社村田製作所 広帯域ミキサ
GB2210224B (en) * 1987-09-18 1992-01-22 Marconi Co Ltd Mixer
JPH02184855A (ja) * 1989-01-10 1990-07-19 Satosen Co Ltd 三次元プリント配線板用マスクフィルムの製造法
WO1993015560A1 (en) * 1992-02-03 1993-08-05 Motorola, Inc. Balanced mixer circuit
US5625307A (en) * 1992-03-03 1997-04-29 Anadigics, Inc. Low cost monolithic gallium arsenide upconverter chip
JP2861795B2 (ja) * 1994-02-25 1999-02-24 日本電気株式会社 周波数逓倍回路
US6026286A (en) * 1995-08-24 2000-02-15 Nortel Networks Corporation RF amplifier, RF mixer and RF receiver
JP3365255B2 (ja) * 1997-06-06 2003-01-08 松下電器産業株式会社 高周波信号受信回路
EP1024590A1 (en) * 1999-01-29 2000-08-02 Lucent Technologies Inc. Frequency translation circuitry
DE10004995A1 (de) * 2000-02-04 2001-08-09 Infineon Technologies Ag Analogmultiplizierer
JP3510556B2 (ja) * 2000-03-30 2004-03-29 Ｎｅｃ化合物デバイス株式会社 イメージリジェクションミキサ及びそれを用いた受信機
US6510314B1 (en) 2000-09-08 2003-01-21 Visteon Global Technologies, Inc. Mixer circuit with output stage for implementation on integrated circuit
US7509111B2 (en) 2002-04-30 2009-03-24 Infineon Technologies Ag Integrated circuit having a mixer circuit
EP1500185B1 (de) * 2002-04-30 2006-05-31 Infineon Technologies AG Integrierte schaltung
US6930627B1 (en) 2004-02-23 2005-08-16 Michael C. Hopkins Radio-frequency digital/analog converter system and method
JP4451827B2 (ja) * 2005-08-29 2010-04-14 アルプス電気株式会社 電子回路及びテレビジョンチューナ

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1211851A (en) * 1967-05-09 1970-11-11 Mullard Ltd Improvements in or relating to circuit arrangements incorporating transistors
US4194158A (en) * 1976-11-15 1980-03-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Integrated front end circuit for VHF receiver
FR2444363B1 (ja) * 1978-12-15 1983-07-01 Thomson Csf
NL182684C (nl) * 1979-11-23 1988-04-18 Philips Nv Regelbare vermenigvuldigschakeling bevattende eerste en tweede transistoren in lange staartschakeling met gekoppelde emitterelektroden.
US4344188A (en) * 1980-10-09 1982-08-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Balanced modulator
DE3166196D1 (en) * 1980-11-03 1984-10-25 Siemens Ag Oscillation circuit which may take the form of an integrated circuit
IT1211106B (it) * 1981-09-16 1989-09-29 Ates Componenti Elettron Stadio d'ingresso amplificatore e miscelatore a transistori per un radioricevitore.
JPH11687A (ja) * 1997-06-11 1999-01-06 Hitachi Kiden Kogyo Ltd オキシデーションディッチにおける発泡スカムの抑制方法及びその装置

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