JPH0537245A - 電子回路 - Google Patents
電子回路Info
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- JPH0537245A JPH0537245A JP19397591A JP19397591A JPH0537245A JP H0537245 A JPH0537245 A JP H0537245A JP 19397591 A JP19397591 A JP 19397591A JP 19397591 A JP19397591 A JP 19397591A JP H0537245 A JPH0537245 A JP H0537245A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 無線通信装置等の電子回路において、回路性
能を劣化させることなく、低消費電流化を図る。 【構成】 電源線１０を電源３０に接続した電子回路２
の接地すべき側に、非線形もしくは線形の抵抗素子１０
３を介して電子回路１の電源線を接続することにより、
両電子回路１，２を共通の直流電流８，９で駆動し、消
費電流を減少させる。ここで、電子回路１の接地すべき
側をコンデンサ素子１０５を介して高周波的に接地す
る。これにより、電子回路１と電子回路２を高周波的に
分離し、一方の回路動作が他方の回路に影響を与えない
ようにして、各電子回路１，２の回路性能の劣化を防止
する。
能を劣化させることなく、低消費電流化を図る。 【構成】 電源線１０を電源３０に接続した電子回路２
の接地すべき側に、非線形もしくは線形の抵抗素子１０
３を介して電子回路１の電源線を接続することにより、
両電子回路１，２を共通の直流電流８，９で駆動し、消
費電流を減少させる。ここで、電子回路１の接地すべき
側をコンデンサ素子１０５を介して高周波的に接地す
る。これにより、電子回路１と電子回路２を高周波的に
分離し、一方の回路動作が他方の回路に影響を与えない
ようにして、各電子回路１，２の回路性能の劣化を防止
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、低消費電流動作を可能
とする電子回路の回路構成に関するものである。その利
用分野としては、無線通信装置の受信機に使用する低雑
音増幅器及び周波数変換器からなる受信フロントエンド
回路等あるいは、特に低消費電流動作が必要な携帯電話
等がある。
とする電子回路の回路構成に関するものである。その利
用分野としては、無線通信装置の受信機に使用する低雑
音増幅器及び周波数変換器からなる受信フロントエンド
回路等あるいは、特に低消費電流動作が必要な携帯電話
等がある。
【０００２】
【従来の技術】この種の従来の一般的な電子回路の構成
例を図５に示す。この従来例の電子回路は電子回路１及
び電子回路２から構成され、両者の回路は、電源３に電
流線１０により並列に接続されて駆動され、入力端子
４，７よりＲＦ信号を入力し、出力端子５，６に各々の
出力信号を発生する。また、端子６，７は用途により接
続する場合もある。このような従来の構成では、電子回
路１と電子回路２に各々駆動用の直流電流８，９を必要
とする。このため電子回路の消費電流が大きく、特に電
池を電源とするような携帯用電話等への応用では使用時
間が短くなり、長時間使用が可能な装置の実現を困難と
していた。
例を図５に示す。この従来例の電子回路は電子回路１及
び電子回路２から構成され、両者の回路は、電源３に電
流線１０により並列に接続されて駆動され、入力端子
４，７よりＲＦ信号を入力し、出力端子５，６に各々の
出力信号を発生する。また、端子６，７は用途により接
続する場合もある。このような従来の構成では、電子回
路１と電子回路２に各々駆動用の直流電流８，９を必要
とする。このため電子回路の消費電流が大きく、特に電
池を電源とするような携帯用電話等への応用では使用時
間が短くなり、長時間使用が可能な装置の実現を困難と
していた。
【０００３】上記電子回路の一例として、従来の受信フ
ロントエンド回路の構成例を図６に示す。受信フロント
エンド回路は上記電子回路１に相当する低雑音増幅器２
０１及び上記電子回路２に相当する周波数変換器２０２
から構成され、両者の回路は電流線１０を通して電源３
により並列に駆動される。低雑音増幅器２０１の出力端
子６は周波数変換器２０２の入力端子７に接続され、低
雑音増幅器２０１の入力端子４より受信したＲＦ信号を
周波数変換し周波数変換器２０２の出力端子５にＩＦ信
号を発生する。なお、端子６，７の間に用途により帯域
外信号除去用のフィルタを挿入する場合がある。このよ
うな、従来例の構成では、上記したように低雑音増幅器
２０１と周波数変換器２０２に各々駆動用の直流電流
８，９を必要とする。このため受信フロントエンド回路
の消費電流が大きく、特に電池を電源とするような携帯
用電話等への応用では使用時間が短くなり、長時間使用
が可能な装置の実現を困難としていた。
ロントエンド回路の構成例を図６に示す。受信フロント
エンド回路は上記電子回路１に相当する低雑音増幅器２
０１及び上記電子回路２に相当する周波数変換器２０２
から構成され、両者の回路は電流線１０を通して電源３
により並列に駆動される。低雑音増幅器２０１の出力端
子６は周波数変換器２０２の入力端子７に接続され、低
雑音増幅器２０１の入力端子４より受信したＲＦ信号を
周波数変換し周波数変換器２０２の出力端子５にＩＦ信
号を発生する。なお、端子６，７の間に用途により帯域
外信号除去用のフィルタを挿入する場合がある。このよ
うな、従来例の構成では、上記したように低雑音増幅器
２０１と周波数変換器２０２に各々駆動用の直流電流
８，９を必要とする。このため受信フロントエンド回路
の消費電流が大きく、特に電池を電源とするような携帯
用電話等への応用では使用時間が短くなり、長時間使用
が可能な装置の実現を困難としていた。
【０００４】そこで、本発明者および出願人は、先に出
願した特願平２−９１６１７号において、低消費流化を
図った図７に示す電子回路を提案した。この電子回路
は、電子回路１，電子回路２の電源線１０を、それぞれ
高周波的に高抵抗かつ低電圧な特性を有する非線形抵抗
素子１０１及び１０２を介して直列に接続し、電源３よ
り両回路１，２の直流電流８，９を共通化して駆動する
構成としたものである。
願した特願平２−９１６１７号において、低消費流化を
図った図７に示す電子回路を提案した。この電子回路
は、電子回路１，電子回路２の電源線１０を、それぞれ
高周波的に高抵抗かつ低電圧な特性を有する非線形抵抗
素子１０１及び１０２を介して直列に接続し、電源３よ
り両回路１，２の直流電流８，９を共通化して駆動する
構成としたものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の図７に示した技術による電子回路の構成は、低消費
電流化が達成できるものの、電子回路１の高周波的接地
が不充分になり、高利得特性，低歪特性，及び充分な不
要高調波抑圧が得られないという欠点を有していた。
来の図７に示した技術による電子回路の構成は、低消費
電流化が達成できるものの、電子回路１の高周波的接地
が不充分になり、高利得特性，低歪特性，及び充分な不
要高調波抑圧が得られないという欠点を有していた。
【０００６】本発明は、上記欠点を解消するためになさ
れたものであり、その目的は、回路性能を劣化させるこ
となく低消費電流化が図れる電子回路を提供することに
ある。
れたものであり、その目的は、回路性能を劣化させるこ
となく低消費電流化が図れる電子回路を提供することに
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の電子回路においては、第１の電子回路の電
源線の接地すべき側に、非線形若しくは線形の抵抗素子
を介して、第２の電子回路の電源線を接続する電子回路
において、上記の抵抗素子の第１の電子回路側を、コン
デンサを介して接地する構成としている。
め、本発明の電子回路においては、第１の電子回路の電
源線の接地すべき側に、非線形若しくは線形の抵抗素子
を介して、第２の電子回路の電源線を接続する電子回路
において、上記の抵抗素子の第１の電子回路側を、コン
デンサを介して接地する構成としている。
【０００８】
【作用】本発明の電子回路では、非線形若しくは線形の
抵抗素子を介して第１の電子回路の接地すべき側に第２
の電子回路の電源線接続することにより、両回路を共通
の直流電流により駆動し、消費電流を減少させる。ここ
で、第１の電子回路の接地すべき側をコンデンサ素子を
介して高周波的に接地することにより、第１の電子回路
と第２の電子回路を高周波的に分離し、一方の回路動作
が他方の回路に影響を与えないようにして、各電子回路
の回路性能の劣化を防止する。
抵抗素子を介して第１の電子回路の接地すべき側に第２
の電子回路の電源線接続することにより、両回路を共通
の直流電流により駆動し、消費電流を減少させる。ここ
で、第１の電子回路の接地すべき側をコンデンサ素子を
介して高周波的に接地することにより、第１の電子回路
と第２の電子回路を高周波的に分離し、一方の回路動作
が他方の回路に影響を与えないようにして、各電子回路
の回路性能の劣化を防止する。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例を、図面を参照して詳
細に説明する。
細に説明する。
【００１０】図１は本発明の一般的な回路構成を示す第
１の実施例の構成図である。本実施例を構成する要素と
して、１，２は電子回路、３は電源、８，９は直流電
流、１０は各電子回路１，２の電源線、１０３，１０４
は非線形若しくは線形の抵抗素子、１０５，１０６はコ
ンデンサ素子である。
１の実施例の構成図である。本実施例を構成する要素と
して、１，２は電子回路、３は電源、８，９は直流電
流、１０は各電子回路１，２の電源線、１０３，１０４
は非線形若しくは線形の抵抗素子、１０５，１０６はコ
ンデンサ素子である。
【００１１】本実施例では、電源３より電源線１０を非
線形若しくは線形の抵抗素子１０４を介して電子回路２
に接続し、かつ、コンデンサ素子１０６を介して接地す
る。さらに、電子回路１の電源線１０を非線形若しくは
線形の抵抗素子１０３を介して電子回路２の接地すべき
側に接続し、かつ、コンデンサ素子１０５を介して接地
し、両電子回路１，２を共通の直流電流８，９により駆
動する。
線形若しくは線形の抵抗素子１０４を介して電子回路２
に接続し、かつ、コンデンサ素子１０６を介して接地す
る。さらに、電子回路１の電源線１０を非線形若しくは
線形の抵抗素子１０３を介して電子回路２の接地すべき
側に接続し、かつ、コンデンサ素子１０５を介して接地
し、両電子回路１，２を共通の直流電流８，９により駆
動する。
【００１２】以上の構成により、電源３から供給される
電流８は、電子回路２の接地すべき側から直流電流９と
して電子回路１へ供給されることになり、電流８と電流
９とは共通の電流となる。従って、本実施例は、図５，
図６のように電子回路１及び電子回路２に別々の電流を
用いていた従来例に比べ、消費電流をほぼ１／２にする
ことが出来る。さらに、電子回路１，２はコンデンサ素
子１０５，１０６により高周波的に分離され、一方の回
路の動作が他方の回路に影響を与えることなく動作する
ことができ、電子回路２がコンデンサ素子１０５によ
り、高周波的に接地されることにより、電子回路２の回
路性能を劣化させない。
電流８は、電子回路２の接地すべき側から直流電流９と
して電子回路１へ供給されることになり、電流８と電流
９とは共通の電流となる。従って、本実施例は、図５，
図６のように電子回路１及び電子回路２に別々の電流を
用いていた従来例に比べ、消費電流をほぼ１／２にする
ことが出来る。さらに、電子回路１，２はコンデンサ素
子１０５，１０６により高周波的に分離され、一方の回
路の動作が他方の回路に影響を与えることなく動作する
ことができ、電子回路２がコンデンサ素子１０５によ
り、高周波的に接地されることにより、電子回路２の回
路性能を劣化させない。
【００１３】次に、本発明の第２の実施例を説明する。
図２は、その回路構成を示す図である。本実施例は受信
フロントエンド回路に適用した場合の例を示したもので
ある。本実施例を構成する要素として、３０は電源、２
０３は低雑音増幅器、２０４は周波数変換器、１１〜１
５は分布定数回路あるいは集中定数回路からなる整合回
路、１６〜２０は電界効果トランジスタ（以下、ＦＥＴ
と記す）、２１，２１１はコンデンサ素子、２２，２３
は抵抗素子、である。
図２は、その回路構成を示す図である。本実施例は受信
フロントエンド回路に適用した場合の例を示したもので
ある。本実施例を構成する要素として、３０は電源、２
０３は低雑音増幅器、２０４は周波数変換器、１１〜１
５は分布定数回路あるいは集中定数回路からなる整合回
路、１６〜２０は電界効果トランジスタ（以下、ＦＥＴ
と記す）、２１，２１１はコンデンサ素子、２２，２３
は抵抗素子、である。
【００１４】低雑音増幅器２０３は図１の電子回路１に
相当するものであり、ＦＥＴ１６をソース接地ＦＥＴと
して用い、そのゲート端子１６１に分布定数回路あるい
は集中定数回路からなる整合回路１１を介してＲＦ入力
端子２４からＲＦ信号を入力し、ＦＥＴ１６のドレイン
端子１６２から整合回路１２を介してＲＦ出力端子２５
へＲＦ信号を出力することにより構成される。ここで、
回路の安定化のために、ＦＥＴ１６のソース端子にイン
ダクタンス素子等を接続し、それを介して接地してもよ
い。
相当するものであり、ＦＥＴ１６をソース接地ＦＥＴと
して用い、そのゲート端子１６１に分布定数回路あるい
は集中定数回路からなる整合回路１１を介してＲＦ入力
端子２４からＲＦ信号を入力し、ＦＥＴ１６のドレイン
端子１６２から整合回路１２を介してＲＦ出力端子２５
へＲＦ信号を出力することにより構成される。ここで、
回路の安定化のために、ＦＥＴ１６のソース端子にイン
ダクタンス素子等を接続し、それを介して接地してもよ
い。
【００１５】周波数変換器２０４は図１の電子回路２に
相当するものであり、ＦＥＴ１８のゲート端子に整合回
路１４を介してＲＦ入力端子２６からＲＦ信号を入力
し、ＦＥＴ１８のソース端子にＦＥＴ１７のドレイン端
子を接続し、そのＦＥＴ１７のゲート端子に整合回路１
３を介して局部発振入力端子２７から局部発振信号を入
力し、さらに局部発振信号によりＲＦ信号が周波数変換
されたＩＦ信号をＦＥＴ１８のドレイン端子１８１から
取り出し、整合回路１５を介してＦＥＴ１９のゲート端
子に入力して、ＩＦ出力端子２９から出力することによ
り構成される。ここで、ＦＥＴ１８及びＦＥＴ１７は、
デュアルゲートで構成された１個のＦＥＴとしてもよ
い。また、ＦＥＴ１７を用いず、ＦＥＴ１８のソース端
子を接地し、整合回路１３及び整合回路１４をＦＥＴ１
８のゲート端子に接続しても良い。
相当するものであり、ＦＥＴ１８のゲート端子に整合回
路１４を介してＲＦ入力端子２６からＲＦ信号を入力
し、ＦＥＴ１８のソース端子にＦＥＴ１７のドレイン端
子を接続し、そのＦＥＴ１７のゲート端子に整合回路１
３を介して局部発振入力端子２７から局部発振信号を入
力し、さらに局部発振信号によりＲＦ信号が周波数変換
されたＩＦ信号をＦＥＴ１８のドレイン端子１８１から
取り出し、整合回路１５を介してＦＥＴ１９のゲート端
子に入力して、ＩＦ出力端子２９から出力することによ
り構成される。ここで、ＦＥＴ１８及びＦＥＴ１７は、
デュアルゲートで構成された１個のＦＥＴとしてもよ
い。また、ＦＥＴ１７を用いず、ＦＥＴ１８のソース端
子を接地し、整合回路１３及び整合回路１４をＦＥＴ１
８のゲート端子に接続しても良い。
【００１６】本実施例の構成において、電源３０は、コ
ンデンサ２１１（図１のコンデンサ１０６に相当する）
により高周波的に接地され、抵抗２２，２３（図１の抵
抗素子１０４に相当する）を介して、それぞれＦＥＴ１
８及びＦＥＴ１９に供給される。さらに、低雑音増幅器
２０３及び周波数変換器２０４は、ＦＥＴ２０（図１の
抵抗素子１０３に相当する）により接続されており、す
なわち、ＦＥＴ２０のドレイン端子が周波数変換器２０
４のＦＥＴ１９のソース端子に接続され、ＦＥＴ２０の
ソース端子とゲート端子が低雑音増幅器２０３の整合回
路１２に接続され、さらに、ＦＥＴ２０のドレイン端子
がコンデンサ素子２１（図１のコンデンサ１０５に相当
する）を介して接地されている。ここで、抵抗２２，２
３はＦＥＴ２０と同様な非線形抵抗素子で構成しても良
い。
ンデンサ２１１（図１のコンデンサ１０６に相当する）
により高周波的に接地され、抵抗２２，２３（図１の抵
抗素子１０４に相当する）を介して、それぞれＦＥＴ１
８及びＦＥＴ１９に供給される。さらに、低雑音増幅器
２０３及び周波数変換器２０４は、ＦＥＴ２０（図１の
抵抗素子１０３に相当する）により接続されており、す
なわち、ＦＥＴ２０のドレイン端子が周波数変換器２０
４のＦＥＴ１９のソース端子に接続され、ＦＥＴ２０の
ソース端子とゲート端子が低雑音増幅器２０３の整合回
路１２に接続され、さらに、ＦＥＴ２０のドレイン端子
がコンデンサ素子２１（図１のコンデンサ１０５に相当
する）を介して接地されている。ここで、抵抗２２，２
３はＦＥＴ２０と同様な非線形抵抗素子で構成しても良
い。
【００１７】以上のように構成した実施例の回路を電源
３０により動作させた時、周波数変換器２０４の直流電
流はＦＥＴ２０及び整合回路１２を介して低雑音増幅器
２０３を構成するＦＥＴ１６に流れ込む。従って、低雑
音増幅器２０３及び周波数変換器２０４の直流電流が共
通化され、低消費電流化することが可能となる。一方、
ＦＥＴ２０及び整合回路１２は高周波的に極めて大きな
抵抗として働くため、低雑音増幅器２０３と周波数変換
器２０４は高周波的には分離されており、両者のＲＦ信
号は互いに影響を及ぼす事がなく、かつ、周波数変換器
２０４はコンデンサ素子２１を介して高周波的に接地さ
れているため、単独で動作させたときとほぼ同様な出力
特性を得ることができる。ここで、整合回路１２により
高周波的に充分両者の回路が分離できれば、ＦＥＴ２０
は用いなくてもよい。さらに、本回路ではすべて低電圧
動作に適したＦＥＴにより構成されており、各々のＦＥ
Ｔの電圧降下は１Ｖ以下とすることが可能である。本回
路ではＦＥＴが３ないし４段縦積み構成のため、電源電
圧を３ないし４Ｖ以下で使用でき、電源として電池を使
用することが充分可能である。以上のことから、本発明
による受信フロントエンド回路は、電池動作が可能な３
ないし４Ｖ印加の電源で動作可能であり、直流電流は低
雑音増幅器２０３と周波数変換器２０４で共通となって
いるため従来に比べ低電流化でき、さらに高周波的には
低雑音増幅器２０３と周波数変換器２０４は互いに影響
を及ぼさず、かつ周波数変換器２０４は独立に接地され
ており、従来の別個に電源線を設けた回路と同等の高周
波性能を有する特徴を持つ。
３０により動作させた時、周波数変換器２０４の直流電
流はＦＥＴ２０及び整合回路１２を介して低雑音増幅器
２０３を構成するＦＥＴ１６に流れ込む。従って、低雑
音増幅器２０３及び周波数変換器２０４の直流電流が共
通化され、低消費電流化することが可能となる。一方、
ＦＥＴ２０及び整合回路１２は高周波的に極めて大きな
抵抗として働くため、低雑音増幅器２０３と周波数変換
器２０４は高周波的には分離されており、両者のＲＦ信
号は互いに影響を及ぼす事がなく、かつ、周波数変換器
２０４はコンデンサ素子２１を介して高周波的に接地さ
れているため、単独で動作させたときとほぼ同様な出力
特性を得ることができる。ここで、整合回路１２により
高周波的に充分両者の回路が分離できれば、ＦＥＴ２０
は用いなくてもよい。さらに、本回路ではすべて低電圧
動作に適したＦＥＴにより構成されており、各々のＦＥ
Ｔの電圧降下は１Ｖ以下とすることが可能である。本回
路ではＦＥＴが３ないし４段縦積み構成のため、電源電
圧を３ないし４Ｖ以下で使用でき、電源として電池を使
用することが充分可能である。以上のことから、本発明
による受信フロントエンド回路は、電池動作が可能な３
ないし４Ｖ印加の電源で動作可能であり、直流電流は低
雑音増幅器２０３と周波数変換器２０４で共通となって
いるため従来に比べ低電流化でき、さらに高周波的には
低雑音増幅器２０３と周波数変換器２０４は互いに影響
を及ぼさず、かつ周波数変換器２０４は独立に接地され
ており、従来の別個に電源線を設けた回路と同等の高周
波性能を有する特徴を持つ。
【００１８】次に、本発明の第３の実施例を説明する。
図３は、その構成を示す図である。本実施例も受信フロ
ントエンド回路に適用した場合の例を示したものであ
る。本実施例は、第２の実施例において、周波数変換器
の部分が異なるものである。即ち、本実施例において、
周波数変換器２０５はＦＥＴ１８のゲート端子に整合回
路１４を介してＲＦ信号を入力して、これをＲＦ入力端
子２６とし、ＦＥＴ１８のドレイン端子１８１に整合回
路１３１を介して局部発振信号を入力し、これを局部発
振入力端子２７とし、さらに局部発振信号によりＲＦ信
号が周波数変換されたＩＦ信号をＦＥＴ１８のドレイン
端子１８１から取り出し、整合回路１５１を介してＦＥ
Ｔ１９のゲート端子に入力して、ＩＦ出力端子２９から
出力することにより構成される。
図３は、その構成を示す図である。本実施例も受信フロ
ントエンド回路に適用した場合の例を示したものであ
る。本実施例は、第２の実施例において、周波数変換器
の部分が異なるものである。即ち、本実施例において、
周波数変換器２０５はＦＥＴ１８のゲート端子に整合回
路１４を介してＲＦ信号を入力して、これをＲＦ入力端
子２６とし、ＦＥＴ１８のドレイン端子１８１に整合回
路１３１を介して局部発振信号を入力し、これを局部発
振入力端子２７とし、さらに局部発振信号によりＲＦ信
号が周波数変換されたＩＦ信号をＦＥＴ１８のドレイン
端子１８１から取り出し、整合回路１５１を介してＦＥ
Ｔ１９のゲート端子に入力して、ＩＦ出力端子２９から
出力することにより構成される。
【００１９】本実施例の構成において、電源３０は、抵
抗２３を介して、ＦＥＴ１９に供給される。他の部分
は、第２の実施例と同様である。すなわち、低雑音増幅
器と周波数変換器との接続は、まったく同じである。し
たがって、第２の実施例で説明したごとく、電源共有化
（電流共通化）により低消費電流化され、さらに本実施
例においては、ＦＥＴ１８に電源を供給しなくても周波
数変換動作が可能なことから、さらなる低消費電流化が
可能である。
抗２３を介して、ＦＥＴ１９に供給される。他の部分
は、第２の実施例と同様である。すなわち、低雑音増幅
器と周波数変換器との接続は、まったく同じである。し
たがって、第２の実施例で説明したごとく、電源共有化
（電流共通化）により低消費電流化され、さらに本実施
例においては、ＦＥＴ１８に電源を供給しなくても周波
数変換動作が可能なことから、さらなる低消費電流化が
可能である。
【００２０】次に、本発明の第４の実施例を説明する。
図４は、その構成を示す図である。本実施例も受信フロ
ントエンド回路に適用した場合の例を示したものであ
る。本実施例は、第３の実施例において、周波数変換器
の部分が異なる。本実施例において周波数変換器２０６
は、ＦＥＴ１８のゲート端子に整合回路１４を介してＲ
Ｆ信号を入力して、これをＲＦ入力端子２６とし、ＦＥ
Ｔ１８のドレイン端子１８１に整合回路１３１を介して
局部発振信号を入力し、これを局部発振入力端子２７と
し、さらに局部発振信号によりＲＦ信号が周波数変換さ
れたＩＦ信号をＦＥＴ１８のドレイン端子１８１から取
り出し、整合回路１５１を介してＩＦ出力端子２９から
出力することにより構成される。
図４は、その構成を示す図である。本実施例も受信フロ
ントエンド回路に適用した場合の例を示したものであ
る。本実施例は、第３の実施例において、周波数変換器
の部分が異なる。本実施例において周波数変換器２０６
は、ＦＥＴ１８のゲート端子に整合回路１４を介してＲ
Ｆ信号を入力して、これをＲＦ入力端子２６とし、ＦＥ
Ｔ１８のドレイン端子１８１に整合回路１３１を介して
局部発振信号を入力し、これを局部発振入力端子２７と
し、さらに局部発振信号によりＲＦ信号が周波数変換さ
れたＩＦ信号をＦＥＴ１８のドレイン端子１８１から取
り出し、整合回路１５１を介してＩＦ出力端子２９から
出力することにより構成される。
【００２１】本実施例の構成において、電源３０は、抵
抗２２を介して、整合回路１４によりＦＥＴ１８に供給
される。また、低雑音増幅器２０３及び周波数変換器２
０６は、ＦＥＴ２０により接続されいる。すなわち、Ｆ
ＥＴ２０のドレイン端子が周波数変換器２０６のＦＥＴ
１８のソース端子に接続され、ＦＥＴ２０のソース端子
とゲート端子が低雑音増幅器２０３の整合回路１２に接
続され、さらに、ＦＥＴ２０のドレイン端子がコンデン
サ素子２１を介して接地されている。他の部分は、第２
の実施例と同様であり、すなわち、低雑音増幅器と周波
数変換器との接続の方法は、まったく同じである。した
がって、第２の実施例で説明したごとく、特性の劣化が
ほとなどなく、電源共有化（電流共通化）により低消費
電流化される。さらに本実施例においては、ＦＥＴ１８
のドレイン及びソース間電圧は０．３〜０．４Ｖ程度と
電圧ドロップが小さいことから、３Ｖ以下の印加電源で
動作可能であり、より軽量，小形の電池の使用が可能で
ある。
抗２２を介して、整合回路１４によりＦＥＴ１８に供給
される。また、低雑音増幅器２０３及び周波数変換器２
０６は、ＦＥＴ２０により接続されいる。すなわち、Ｆ
ＥＴ２０のドレイン端子が周波数変換器２０６のＦＥＴ
１８のソース端子に接続され、ＦＥＴ２０のソース端子
とゲート端子が低雑音増幅器２０３の整合回路１２に接
続され、さらに、ＦＥＴ２０のドレイン端子がコンデン
サ素子２１を介して接地されている。他の部分は、第２
の実施例と同様であり、すなわち、低雑音増幅器と周波
数変換器との接続の方法は、まったく同じである。した
がって、第２の実施例で説明したごとく、特性の劣化が
ほとなどなく、電源共有化（電流共通化）により低消費
電流化される。さらに本実施例においては、ＦＥＴ１８
のドレイン及びソース間電圧は０．３〜０．４Ｖ程度と
電圧ドロップが小さいことから、３Ｖ以下の印加電源で
動作可能であり、より軽量，小形の電池の使用が可能で
ある。
【００２２】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
電子回路は、従来に比べ低消費電流化が可能であり、か
つ回路性能の劣化がないため、無線装置の受信機への応
用の中で、特に電池を電源とする携帯電話用の回路の長
時間使用が容易となる利点を持ち、有益である。
電子回路は、従来に比べ低消費電流化が可能であり、か
つ回路性能の劣化がないため、無線装置の受信機への応
用の中で、特に電池を電源とする携帯電話用の回路の長
時間使用が容易となる利点を持ち、有益である。
【図１】本発明の第１の実施例を示す構成図
【図２】本発明の第２の実施例を示す構成図
【図３】本発明の第３の実施例を示す構成図
【図４】本発明の第４の実施例を示す構成図
【図５】一般的な電子回路の従来例を示す構成図
【図６】フロントエンド回路の従来例を示す構成図
【図７】低消費電流化を図ったフロントエンド回路の従
来例を示す構成図
来例を示す構成図
１…電子回路、２…電子回路、３…電源、８，９…電
流、１０…電源線、１１，１２，１３，１４，１５，１
３１，１５１…整合回路、１６，１７，１８，１９，２
０…ＦＥＴ、２１…コンデンサ、２２，２３…抵抗、２
４…ＲＦ入力端子、２５…ＲＦ出力端子、２６…ＲＦ入
力端子、２７…局部発振入力端子、２９…ＩＦ出力端
子、３０…電源、１０３…抵抗素子、１０４…抵抗素
子、２１１…コンデンサ、２０３…低雑音増幅器、２０
４，２０５，２０６…周波数変換器。
流、１０…電源線、１１，１２，１３，１４，１５，１
３１，１５１…整合回路、１６，１７，１８，１９，２
０…ＦＥＴ、２１…コンデンサ、２２，２３…抵抗、２
４…ＲＦ入力端子、２５…ＲＦ出力端子、２６…ＲＦ入
力端子、２７…局部発振入力端子、２９…ＩＦ出力端
子、３０…電源、１０３…抵抗素子、１０４…抵抗素
子、２１１…コンデンサ、２０３…低雑音増幅器、２０
４，２０５，２０６…周波数変換器。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 第１の電子回路の電源線の接地すべき側
に、非線形若しくは線形の抵抗素子を介して、第２の電
子回路の電源線を接続する電子回路において、上記の抵
抗素子の第１の電子回路側を、コンデンサを介して接地
することを特徴とする電子回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19397591A JPH0537245A (ja) | 1991-08-02 | 1991-08-02 | 電子回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19397591A JPH0537245A (ja) | 1991-08-02 | 1991-08-02 | 電子回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0537245A true JPH0537245A (ja) | 1993-02-12 |
Family
ID=16316892
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19397591A Pending JPH0537245A (ja) | 1991-08-02 | 1991-08-02 | 電子回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0537245A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06245985A (ja) * | 1993-02-26 | 1994-09-06 | Isuzu Motors Ltd | オゾン脱臭システム |
| US6871058B2 (en) | 2001-04-04 | 2005-03-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Frequency conversion circuit |
| JP2009545915A (ja) * | 2006-08-04 | 2009-12-24 | アナログ・デバイシズ・インコーポレーテッド | 積層バッファ |
| US9211354B2 (en) | 2011-09-28 | 2015-12-15 | American Sterilizer Company | Bulkhead assembly for VHP unit with removable diffuser |
-
1991
- 1991-08-02 JP JP19397591A patent/JPH0537245A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06245985A (ja) * | 1993-02-26 | 1994-09-06 | Isuzu Motors Ltd | オゾン脱臭システム |
| US6871058B2 (en) | 2001-04-04 | 2005-03-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Frequency conversion circuit |
| JP2009545915A (ja) * | 2006-08-04 | 2009-12-24 | アナログ・デバイシズ・インコーポレーテッド | 積層バッファ |
| US9211354B2 (en) | 2011-09-28 | 2015-12-15 | American Sterilizer Company | Bulkhead assembly for VHP unit with removable diffuser |
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