JPH0897641A - 高周波モジュール - Google Patents

高周波モジュール

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JPH0897641A
JPH0897641A JP6231049A JP23104994A JPH0897641A JP H0897641 A JPH0897641 A JP H0897641A JP 6231049 A JP6231049 A JP 6231049A JP 23104994 A JP23104994 A JP 23104994A JP H0897641 A JPH0897641 A JP H0897641A
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JP
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transistor
gate
drain
frequency
circuit
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Withdrawn
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JP6231049A
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English (en)
Inventor
Shinichi Kawai
慎一 河合
Hirokazu Ueda
博和 植田
Gakuyo Chono
岳陽 蝶野
Yoji Nakada
陽司 中田
Kenji Takahashi
健二 高橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】高周波信号の増幅,周波数変換等を行う高周波
モジュールに関し、、小型化,低消費電力化が可能な、
高周波モジュールを提供することを目的とする。 【構成】第1のトランジスタTr1 のソースと第2のト
ランジスタTr2 のドレインとを第1の減結合回路2を
介して直列に接続して、第1のトランジスタTr 1 のド
レインにドレイン電源を供給するとともに、第1のトラ
ンジスタと第2のトランジスタのゲートを第2の減結合
回路を介して並列に接続してゲート電源を供給する。そ
して、第1のトランジスタTr1 のゲートに第1の信号
入力を与えてそのドレインから第1の信号出力を得、第
2のトランジスタTr1 のゲートに第2の信号入力を与
えてそのドレインから第2の信号出力を得る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波信号の増幅,周
波数変換等を行う高周波モジュールに関し、特に、小型
化,低消費電力化が可能な、高周波モジュールに関する
ものである。
【0002】携帯電話,車載電話等の移動通信端末にお
いては、高周波受信信号を増幅し、中間周波信号に変換
するために周波数変換を行う等の目的で、複数のFET
を組み込んでモジュール化した回路が多く使用されてい
る。
【0003】このような高周波モジュールにおいては、
回路構成をできるだけ簡単にすることによって、小型化
を可能にするとともに、電源回路での損失を少なくして
低消費電力化することが要求されている。
【0004】
【従来の技術】移動通信端末において使用される受信方
式としては、ダイバーシチ方式が主流となっており、そ
のため、受信信号に対して増幅,周波数変換等の機能を
行う受信用高周波モジュールは、2系統のものを必要と
する。
【0005】図10は、従来の受信回路の構成例を示し
たものであって、ダイバーシチ方式に対応するために、
2系統の高周波モジュールを備えた例を示している。
(a) は全体構成を示し、(b) は低雑音増幅器回路の構成
を示す。
【0006】図10(a) において、ダイバーシチ方式の
受信に必要な2系統の回路をそれぞれ添字1,2によっ
て示し、ANT1,ANT2 は2系統の受信信号を受ける
アンテナ、Fil11, Fil12は入力側に設けられた不
要波除去用のフィルタ、LNA1,LNA2 は受信信号を
増幅する低雑音増幅器、Fil21, Fil22は出力側に
設けられた不要波除去用フィルタ、MIX1,MIX2
2系統の受信信号をそれぞれ中間周波(IF)出力に変
換するミキサである。
【0007】図10(b) において、Tr1,Tr2 はそれ
ぞれ高周波入力Pin1,Pin2を低雑音増幅して、高周
波出力Pout 1,Pout 2を発生する、電界効果トラン
ジスタ(FET)またはバイポーラトランジスタであ
る。Tr1 は、インダクタL11 , コンデンサC11からな
るフィルタを介して電源部からゲート電源Vggを供給さ
れ、インダクタL12, コンデンサC12からなるフィルタ
を介して電源部からドレイン電源Vddを供給される。コ
ンデンサC01, 02はそれぞれ、ゲート電源Vgg , ドレ
イン電源Vddの出力側コンデンサである。
【0008】FET2 は、インダクタL21, コンデンサ
21からなるフィルタを介して電源部からゲート電源V
ggを供給され、インダクタL22, コンデンサC22からな
るフィルタを介して電源部からドレイン電源Vddを供給
される。コンデンサC03, 04はそれぞれ、ゲート電源
gg, ドレイン電源Vddの出力側コンデンサである。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】ダイバーシチ方式を使
用する従来の移動通信端末においては、2系統の受信信
号に対して、同一構成を有する2系統の高周波モジュー
ルを使用し、受信時は、2系統の高周波モジュールは常
に動作状態になっている。
【0010】携帯電話,車載電話等の移動通信端末にお
いては、所要の送信電力を発生する送信出力部の構成
上、電源電圧が高く、例えば6Vまたは12Vが一般に
使用されている。これに対して、受信回路で使用する最
適な電源電圧は2〜4Vである。そのため、電源部にお
いては、2系統の高周波モジュールに対して、それぞれ
DC/DCコンバータまたは分圧抵抗等の電圧変換回路
を備えて、必要な電源電圧を発生するようにしている。
【0011】従って、従来のこの種の高周波モジュール
においては、電源回路の構成が複雑であるとともに、電
源部での損失が大きく、装置全体としての消費電力が大
きくなるという問題があった。また電源部において電圧
変換回路を必要とするため、小型化が困難であるという
問題があった。
【0012】本発明は、このような従来技術の課題を解
決しようとするものであって、移動通信端末等において
使用するために、小型化が容易であるとともに、低消費
電力化が可能な、高周波モジュールを提供することを目
的としている。
【0013】
【課題を解決するための手段】
(1) 図1は、本発明の原理的構成を示したものである。
本発明の高周波モジュールは、第1のトランジスタTr
1 のソースと第2のトランジスタTr2 のドレインとを
第1の減結合回路2を介して直列に接続して、第1のト
ランジスタTr 1 のドレインにドレイン電源Vddを供給
するとともに、第1のトランジスタTr 1 と第2のトラ
ンジスタTr2 のゲートを第2の減結合回路3を介して
並列に接続してゲート電源を供給し、第1のトランジス
タTr1 のゲートに第1の信号入力を与えてそのドレイ
ンから第1の信号出力を得、第2のトランジスタTr2
のゲートに第2の信号入力を与えてそのドレインから第
2の信号出力を得るものである。
【0014】(2) (1) の場合に、第2のトランジスタT
2 のゲートに高周波入力を与えてそのドレイン出力を
第1のトランジスタTr1 のゲートに結合するととも
に、第1のトランジスタTr1 のゲートに局発信号入力
を与えてそのドレインから中間周波出力を得る。
【0015】(3) (1) の場合に、第2のトランジスタT
2 のゲートに高周波入力を与えてそのドレイン出力を
第1のトランジスタTr1 のドレインに結合するととも
に、第1のトランジスタTr1 のゲートに局発信号入力
を与えてそのドレインから中間周波出力を得る。
【0016】(4) (1) の場合に、第2のトランジスタT
2 のゲートに高周波入力を与えてそのドレイン出力を
第1のトランジスタTr1 のソースに結合するととも
に、第1のトランジスタTr1 のゲートに局発信号入力
を与えてそのドレインから中間周波出力を得る。
【0017】(5) (1) の場合に、第1のトランジスタT
1 と第2のトランジスタTr2 のゲートにそれぞれ整
合回路を経てそれぞれ第1の信号(f1 )入力と第2の
信号(f2 )入力を与え、第1のトランジスタTr1
第2のトランジスタTr2 のドレインからそれぞれ整合
回路を経てそれぞれ第1の信号(f1 )出力と第2の信
号(f2 )出力を得る。
【0018】(6) (1) の場合に、第1のトランジスタT
1 と第2のトランジスタTr2 のゲートにそれぞれ整
合回路を経てそれぞれ第1の信号(f1 )入力と第2の
信号(f2 )入力を与えるとともにそれぞれ第1の局発
信号(fl1)入力と第2の局発信号(fl2)入力を与
え、第1のトランジスタTr1 と第2のトランジスタT
2 のドレインからそれぞれ整合回路を経てそれぞれ第
1の中間周波(fi1)出力と第2の中間周波(fi2)出
力を得る。
【0019】(7) (1) の場合に、第2のトランジスタT
2 のゲートに局発信号入力を与えてそのドレイン出力
を第1のトランジスタTr1 のゲートに結合するととも
に、第1のトランジスタTr1 のゲートに高周波入力を
与えてそのドレインから中間周波出力を得る。
【0020】(8) (1) の場合に、第2のトランジスタT
2 のゲートに高周波入力と局発信号入力とを与えてそ
のドレインに得られた中間周波信号を第1のトランジス
タTr1 のゲートに入力して、第1のトランジスタTr
1 ドレインから中間周波出力を得る。
【0021】
【作用】図1に示された原理的構成においては、2系統
の低雑音増幅器を構成した場合を例示している。トラン
ジスタTr1 のドレインを減結合回路1を経てドレイン
電源Vddに接続するとともに、トランジスタTr1 のソ
ースとトランジスタTr 2 のドレイン間を、減結合回路
2を介して接続し、トランジスタTr2 のソースを接地
することによって、トランジスタTr1,Tr2 は、直流
的に直列に接続されるとともに、相互に高周波的に無関
係にされている。またトランジスタTr1,Tr2 は、電
圧降下用抵抗Rg を経てゲート電源Vggに接続するとと
もに、それぞれのゲート間を、減結合回路3を介して接
続することによって、直流的に並列に接続されるととも
に、相互に高周波的に無関係にされている。
【0022】トランジスタTr1 は、ゲートに高周波入
力Pin1を与えられることによって、これを増幅して、
高周波出力Pout 1を発生する。また、トランジスタT
2はゲートに高周波入力Pin2を与えられることによ
って、これを増幅して、高周波出力Pout 2を発生す
る。トランジスタTr1,Tr2 は、高周波的には、互い
に独立に動作することができる。
【0023】図1に示された回路においては、トランジ
スタTr1,Tr2 は、直流的にドレイン電源Vddに対し
て直列に接続されているので、ドレイン電源Vddとし
て、図10に示された場合より高い電圧を使用すること
ができる。またトランジスタTr1,Tr2 は、直流的に
ゲートバイアスを並列に供給されているので、ゲート電
源Vggの回路を共通に使用することができる。従って、
図1に示された回路では、電源回路の構成を簡単化でき
るとともに、電圧降下用の回路が不要になるので、回路
を小型化することが可能となる。
【0024】
【実施例】図2は、本発明の実施例(1)を示したもの
であって、FETからなる2系統の低雑音増幅器を示
し、FET1,FET2 はそれぞれ高周波入力Pin1,P
in2を増幅して、高周波出力Pout 1,Pout 2を発生
するFETである。FET1,FET2 は、ドレイン電源
ddと接地間に縦列に接続されるとともに、FET1
ソースとFET2 のドレイン間に、インダクタL1,コン
デンサC1 からなる減結合回路を接続され、ドレイン電
源Vddに対して、インダクタLd,コンデンサC d からな
る減結合回路を介して接続されている。Csdは、ドレイ
ン電源Vddの出力側コンデンサである。
【0025】また、FET1,FET2 のゲートは、イン
ダクタLg1, g2 およびコンデンサCg からなる減結
合回路を介して相互に接続されるとともに、電圧降下用
抵抗Rg を経てゲート電源Vggに接続されている。Csg
は、ゲート電源Vggの出力側コンデンサである。
【0026】図2に示すように、FET1,FET2 は、
ゲート間にはインダクタLg1, g2およびコンデンサC
g からなる減結合回路を有し、FET1 のソースとFE
2のドレイン間には、インダクタL1,コンデンサC1
からなる減結合回路を有することによって、高周波的に
は、互いに独立に動作することができる。減結合回路の
例として、例えばコンデンサC1 には、受信周波数に対
して短絡となるものを使用し、インダクタL1 には、受
信周波数に対してλg /4(λg :受信波長)となるも
のを用いる。
【0027】FET1,FET2 は、ドレイン電源Vdd
対して直流的に直列に接続されているので、ドレイン電
源Vddとして、図10に示された場合より高い電圧を使
用することができる。またFET1,FET2 は、直流的
にゲートバイアスを並列に供給されているので、ゲート
電源Vggの回路を共通にすることができる。従って、図
2に示された低雑音増幅器では、電源回路の構成を簡単
化できるとともに、電圧降下用の回路が不要になるの
で、回路を小型化することが可能となる。
【0028】図3は、本発明の実施例(2)を示したも
のであって、FETからなる低雑音増幅器およびミキサ
を示している。FET1,FET2 は、ドレイン電源Vdd
およびゲート電源Vggに対しては、図2に示された実施
例の場合と同様に接続されているが、FET2 のゲート
に高周波(RF)入力を与えられ、FET1 のゲートに
局発信号入力を与えられているとともに、FET2 のド
レインとFET1 のゲートとを、結合コンデンサCc
介して接続されている点が異なっている。
【0029】FET2 は低雑音増幅器を構成し、高周波
(RF)入力を増幅して、結合コンデンサCc を経て、
FET1 のゲートに供給する。FET1 はミキサを構成
し、局発信号入力と結合コンデンサCc を経て入力され
たRF入力とを混合して、中間周波(IF)出力を発生
する。
【0030】図3に示された回路においても、実施例
(1)の場合と同様に、電源回路の構成を簡単化できる
とともに、電圧降下用の回路が不要になるので、回路を
小型化することができる。
【0031】図4は、本発明の実施例(3)を示したも
のであって、FETからなる低雑音増幅器およびミキサ
の他の例を示している。図3に示された実施例と比較し
て、FET1,FET2 の、ドレイン電源Vddおよびゲー
ト電源Vggに対する接続方法および、FET2 のゲート
に高周波(RF)入力を接続され、FET1 のゲートに
局発信号入力を接続される点は同じであるが、FET2
のドレインとFET1のドレインとを、結合コンデンサ
c を介して接続されている点が異なっている。
【0032】FET2 は低雑音増幅器を構成し、高周波
(RF)入力を増幅して、結合コンデンサCc を経て、
FET1 のドレインに供給する。FET1 はミキサを構
成し、局発信号入力と結合コンデンサCc を経て入力さ
れたRF入力とを混合して、中間周波(IF)出力を発
生する。
【0033】図5は、本発明の実施例(4)を示したも
のであって、FETからなる低雑音増幅器およびミキサ
の他の例を示している。図3に示された実施例と比較し
て、FET1,FET2 の、ドレイン電源Vddおよびゲー
ト電源Vggに対する接続方法および、FET2 のゲート
に高周波(RF)入力を与えられ、FET1 のゲートに
局発信号入力を与えられる点は同じであるが、FET2
のドレインとFET1のソースとを、結合コンデンサC
c を介して接続されている点が異なっている。なお、こ
の実施例の場合は、減結合回路を構成するコンデンサC
1 が、RF信号に対して高いインピーダンスを持つよう
に配慮する必要がある。
【0034】FET2 は低雑音増幅器を構成し、高周波
(RF)入力を増幅して、結合コンデンサCc を経て、
FET1 のソースに供給する。FET1 はミキサを構成
し、局発信号入力と結合コンデンサCc を経て入力され
たRF入力とを混合して、中間周波(IF)出力を発生
する。
【0035】図6は、本発明の実施例(5)を示したも
のであって、2種類の周波数で動作可能な低雑音増幅器
の例を示し、電源回路の構成は省略して示されている
が、図2に示された実施例の場合と同様なものとする。
【0036】11は第1の整合回路であって、周波数f
1 からなる高周波入力Pin1を、FET1 のゲートに対
して整合をとって入力する。12は第2の整合回路であ
って、周波数f2 からなる高周波入力Pin2を、FET
2 のゲートに対して整合をとって入力する。13は第3
の整合回路であって、FET1 のドレインに対して整合
をとって、周波数f1 からなる高周波出力Pout 1を発
生する。14は第4の整合回路であって、FET2 のド
レインに対して整合をとって、周波数f2 からなる高周
波出力Pout 2を発生する。
【0037】図6に示された回路によれば、FET1,
ET2 は、それぞれ異なる周波数f 1,2 の信号を増幅
することができる。この際、整合回路11,13および
整合回路12,14は、それぞれ周波数f1,2 に対し
て整合を行うので、それぞれの周波数f1,2 に対し
て、雑音指数, 利得の最適化を行うことができる。かつ
この際、ドレイン電源Vddおよびゲート電源Vggを共通
にすることによって、電源回路の構成を簡単化できると
ともに、電圧降下用の回路が不要になるので、回路を小
型化することが可能となる。
【0038】図7は、本発明の実施例(6)を示したも
のであって、2種類の周波数で動作可能な周波数変換器
の例を示し、電源回路の構成は省略して示されている
が、図3に示された実施例の場合と同様なものとする。
【0039】11は第1の整合回路であって、周波数f
1 からなる高周波入力Pin1を、FET1 のゲートに対
して整合をとって入力する。12は第2の整合回路であ
って、周波数f2 からなる高周波入力Pin2を、FET
2 のゲートに対して整合をとって入力する。
【0040】FET1 はミキサとして動作して、高周波
入力Pin1を局発信号fl1によって周波数変換して、周
波数fi1からなるIF信号を出力する。FET2 はミキ
サとして動作して、高周波入力Pin2を局発信号fl2
よって周波数変換して、周波数fi2からなるIF信号を
出力する。
【0041】13は第3の整合回路であって、FET1
のドレインに対して整合をとって、周波数fi1からなる
IF出力Pout 1を発生する。14は第4の整合回路で
あって、FET2 のドレインに対して整合をとって、周
波数fi2からなるIF出力P out 2を発生する。
【0042】図7に示された回路によれば、FET1,
ET2 は、それぞれ異なる周波数f 1,2 の信号を周波
数変換して、それぞれ周波数fi1,fi2からなるIF出
力を発生することができる。この際、整合回路11,1
2はそれぞれ周波数f1,2に対して整合をとり、整合
回路13,14は、それぞれ周波数fi1, i2に対して
整合をとるので、それぞれの系統において、雑音指数,
利得の最適化を行うことができる。かつ、この際、ドレ
イン電源Vddおよびゲート電源Vggを共通にすることに
よって、電源回路の構成を簡単化できるとともに、電圧
降下用の回路が不要になるので、回路を小型化すること
が可能となる。
【0043】図8は、本発明の実施例(7)を示したも
のであって、FETからなる局発信号増幅器およびミキ
サを示している。FET1,FET2 は、ドレイン電源V
ddおよびゲート電源Vggに対しては、図2に示された実
施例の場合と同様に接続されているが、FET1 のゲー
トに高周波(RF)入力を接続され、FET2 のゲート
に局発信号入力を接続されるとともに、FET2 のドレ
インとFET1 のゲートとを、結合コンデンサCc およ
び帯域通過フィルタFilc を介して接続されている点
が異なっている。帯域通過フィルタFilc は、局発周
波数の信号を選択的に通過させる。
【0044】FET2 は局発信号増幅器を構成し、局発
信号入力を増幅して、結合コンデンサCc および帯域通
過フィルタFilc を経て、FET1 のゲートに供給す
る。FET1 はミキサを構成し、RF入力と結合コンデ
ンサCc および帯域通過フィルタFilc を経て入力さ
れた局発信号入力とを混合して、IF出力を発生する。
【0045】図8に示された回路においても、他の実施
例の場合と同様に、電源回路の構成を簡単化できるとと
もに、電圧降下用の回路が不要になるので、回路を小型
化することができる。
【0046】図9は、本発明の実施例(8)を示したも
のであって、FETからなるミキサおよびIF信号増幅
器を示している。FET1,FET2 は、ドレイン電源V
ddおよびゲート電源Vggに対しては、図2に示された実
施例の場合と同様に接続されているが、FET2 のゲー
トに高周波(RF)入力および局発信号入力を接続さ
れ、FET2 のドレインを、結合コンデンサCc および
帯域通過フィルタFil c を介してFET1 のゲートに
接続されている点が異なっている。帯域通過フィルタF
ilc は、IF周波数の信号を選択的に通過させる。
【0047】FET2 はミキサを構成し、RF入力と局
発信号入力とを混合して、IF周波数の信号を発生し、
結合コンデンサCc および帯域通過フィルタFilc
経て、FET1 のゲートに供給する。FET1 はIF信
号増幅器を構成し、結合コンデンサCc および帯域通過
フィルタFilc を経て入力されたIF信号を増幅し
て、IF出力を発生する。
【0048】図9に示された回路においても、他の実施
例の場合と同様に、電源回路の構成を簡単化できるとと
もに、電圧降下用の回路が不要になるので、回路を小型
化することができる。
【0049】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、移
動通信端末等において使用する高周波モジュールにおい
て、バイアス回路を共通にすることによって、電源回路
の構成を簡単化できるとともに、電圧降下用の回路が不
要になるので、回路規模を縮小し回路を小型化すること
が可能となる。
【0050】本発明の高周波モジュールは、2種類の信
号に対してそれぞれ低雑音増幅を行ったり、また、低雑
音増幅と周波数変換、局発信号増幅と周波数変換、周波
数変換と中間周波増幅等、多目的に使用することが可能
である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の原理的構成を示す図である。
【図2】本発明の実施例(1)を示す図である。
【図3】本発明の実施例(2)を示す図である。
【図4】本発明の実施例(3)を示す図である。
【図5】本発明の実施例(4)を示す図である。
【図6】本発明の実施例(5)を示す図である。
【図7】本発明の実施例(6)を示す図である。
【図8】本発明の実施例(7)を示す図である。
【図9】本発明の実施例(8)を示す図である。
【図10】従来の受信回路の構成例を示す図であって、
(a) は全体構成を示し、(b) は低雑音増幅器回路の構成
を示す。
【符号の説明】
Tr1 トランジスタ Tr2 トランジスタ 2 減結合回路 3 減結合回路 Vdd ドレイン電源 Vgg ゲート電源
フロントページの続き (72)発明者 蝶野 岳陽 北海道札幌市中央区北一条西2丁目1番地 富士通北海道ディジタル・テクノロジ株 式会社内 (72)発明者 中田 陽司 北海道札幌市中央区北一条西2丁目1番地 富士通北海道ディジタル・テクノロジ株 式会社内 (72)発明者 高橋 健二 北海道札幌市中央区北一条西2丁目1番地 富士通北海道ディジタル・テクノロジ株 式会社内

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 第1のトランジスタのソースと第2のト
    ランジスタのドレインとを第1の減結合回路を介して直
    列に接続して該第1のトランジスタのドレインにドレイ
    ン電源を供給するとともに、該第1のトランジスタと第
    2のトランジスタのゲートを第2の減結合回路を介して
    並列に接続してゲート電源を供給し、該第1のトランジ
    スタのゲートに第1の信号入力を与えてそのドレインか
    ら第1の信号出力を得、第2のトランジスタのゲートに
    第2の信号入力を与えてそのドレインから第2の信号出
    力を得ることを特徴とする高周波モジュール。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の高周波モジュールにお
    いて、前記第2のトランジスタのゲートに高周波入力を
    与えてそのドレイン出力を第1のトランジスタのゲート
    に結合するとともに、該第1のトランジスタのゲートに
    局発信号入力を与えてそのドレインから中間周波出力を
    得ることを特徴とする高周波モジュール。
  3. 【請求項3】 請求項1に記載の高周波モジュールにお
    いて、前記第2のトランジスタのゲートに高周波入力を
    与えてそのドレイン出力を第1のトランジスタのドレイ
    ンに結合するとともに、該第1のトランジスタのゲート
    に局発信号入力を与えてそのドレインから中間周波出力
    を得ることを特徴とする高周波モジュール。
  4. 【請求項4】 請求項1に記載の高周波モジュールにお
    いて、前記第2のトランジスタのゲートに高周波入力を
    与えてそのドレイン出力を第1のトランジスタのソース
    に結合するとともに、該第1のトランジスタのゲートに
    局発信号入力を与えてそのドレインから中間周波出力を
    得ることを特徴とする高周波モジュール。
  5. 【請求項5】 請求項1に記載の高周波モジュールにお
    いて、前記第1のトランジスタと第2のトランジスタの
    ゲートにそれぞれ整合回路を経てそれぞれ第1の信号入
    力と第2の信号入力を与え、該第1のトランジスタと第
    2のトランジスタのドレインからそれぞれ整合回路を経
    てそれぞれ第1の信号出力と第2の信号出力を得ること
    を特徴とする高周波モジュール。
  6. 【請求項6】 請求項1に記載の高周波モジュールにお
    いて、前記第1のトランジスタと第2のトランジスタの
    ゲートにそれぞれ整合回路を経てそれぞれ第1の信号入
    力と第2の信号入力を与えるとともにそれぞれ第1の局
    発信号入力と第2の局発信号入力を与え、該第1のトラ
    ンジスタと第2のトランジスタのドレインからそれぞれ
    整合回路を経てそれぞれ第1の中間周波出力と第2の中
    間周波出力を得ることを特徴とする高周波モジュール。
  7. 【請求項7】 請求項1に記載の高周波モジュールにお
    いて、前記第2のトランジスタのゲートに局発信号入力
    を与えてそのドレイン出力を第1のトランジスタのゲー
    トに結合するとともに、該第1のトランジスタのゲート
    に高周波入力を与えてそのドレインから中間周波出力を
    得ることを特徴とする高周波モジュール。
  8. 【請求項8】 請求項1に記載の高周波モジュールにお
    いて、前記第2のトランジスタのゲートに高周波入力と
    局発信号入力とを与えてそのドレインに得られた中間周
    波信号を第1のトランジスタのゲートに入力して、該第
    1のトランジスタのドレインから中間周波出力を得るこ
    とを特徴とする高周波モジュール。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001006769A1 (en) * 1999-07-16 2001-01-25 Thomson Licensing S.A. Spurious frequencies attenuation for a dc reference voltage
JP2002164744A (ja) * 2000-11-28 2002-06-07 New Japan Radio Co Ltd 周波数変換回路
JP2009545915A (ja) * 2006-08-04 2009-12-24 アナログ・デバイシズ・インコーポレーテッド 積層バッファ

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