JP3560838B2 - レジスティブミキサ回路 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、局部発振信号(LO信号)に基づいて高周波信号(RF信号)を中間周波数信号(IF信号)に周波数変換するミキサ回路に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
図5は例えば「A GaAs MESFET Mixer with Very Low Intermodulation」(IEEE Trans. On Microwave Theory and Techniques, Vol. MTT−35, No.4, April 1987, pp.425−429)に記載の従来のミキサ回路を示すブロック図である。また、図6は、図5の従来のミキサ回路に、IF信号を増幅するIF増幅器を設けたものを示すブロック図である。
【0003】
図において、1はRF信号を入力されるRF信号入力端子であり、2はLO信号を入力されるLO信号入力端子であり、3はIF信号を出力するIF信号出力端子であり、4はソース端子を接地された電界効果トランジスタ(以下、FETという)である。11はFET4のゲート端子に接続され、LO信号入力端子2を介してLO信号を入力され、所定のLO信号周波数帯域の信号だけを通過させるLO信号用帯域通過フィルタであり、12は電源13に接続されFET4のゲート端子にバイアスを加えるゲートバイアス回路であり、21はFET4のドレイン端子に接続され、RF信号入力端子1を介してRF信号を入力され、所定のIF信号周波数帯域の信号を抑制し、所定のRF信号周波数帯域の信号だけを通過させるRF信号用帯域通過フィルタであり、40はFET4のドレイン端子に接続され、所定のIF信号周波数帯域の信号だけを通過させ、周波数変換後のIF信号をIF信号出力端子3を介して出力するIF信号用帯域通過フィルタである。すなわち、このミキサ回路は、レジスティブFETミキサ回路である。
【0004】
次に動作について説明する。
RF信号入力端子1にRF信号が入力され、LO信号入力端子2にLO信号が入力される。RF信号用帯域通過フィルタ21は、所定のIF信号周波数帯域の信号を抑制し、所定のRF信号周波数帯域の信号だけを通過させる。LO信号用帯域通過フィルタ11は、所定のLO信号周波数帯域の信号だけを通過させる。
【0005】
RF信号はRF信号用帯域通過フィルタ21を通過し、FET4のドレイン端子に印加され、LO信号はLO信号用帯域通過フィルタ11を通過し、FET4のゲート端子に印加される。そして、それらの信号に基づいてFET4が動作し、RF信号の周波数をfRF、LO信号の周波数をfLOとすると、周波数がfIF(=|fRF−fLO|)であるIF信号がドレイン端子に生成される。
【0006】
IF信号の周波数fIFはIF信号周波数帯域内の周波数であり、RF信号周波数帯域外であるので、生成されたIF信号はRF信号用帯域通過フィルタ21を通過せず、IF信号用帯域通過フィルタ40を通過して、IF信号出力端子3を介して出力される。
【0007】
なお、図5のミキサ回路では変換利得が低いため、図6に示すようにIF信号出力端子3の前段にIF増幅器32を設け、IF信号を増幅して出力するように回路を構成することが多い。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
従来のミキサ回路は以上のように構成されているので、アクティブミキサ回路よりLO信号の電力を大きくする必要があり、FET4のドレイン端子へ漏洩するLO信号のレベルが高くなり、周波数fLOにおけるIF信号用帯域通過フィルタ40による減衰量が十分でないと、漏洩したLO信号に起因してIF増幅器32の出力信号にひずみが発生し、ミキサ回路のひずみ特性が悪化するなどの課題があった。
【0009】
特に、移動体通信でこのようなミキサ回路を使用する場合、IF信号の周波数fIFが低いため、IF信号用帯域通過フィルタ40を小型化することが困難であるとともに、フィルタによる損失も大きくなるという課題があった。
【0010】
この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、ソース端子を接地されたFETのドレイン端子とIF信号用の増幅器との間にLO信号の周波数帯域の信号を阻止する帯域阻止フィルタを設けるようにして、ひずみ特性の良好なミキサ回路を得ることを目的とする。
【0011】
また、RF信号用の帯域通過フィルタとFETのドレイン端子との間に、RF信号とIF信号とを分離する高域通過フィルタを設けるとともに、FETのソース端子とIF信号用の増幅器との間に、LO信号の周波数帯域の信号を阻止する帯域阻止フィルタを設けるようにして、ひずみ特性の良好なミキサ回路を得ることを目的とする。
【0012】
また、MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit )として構成するようにして小型化が可能であるミキサ回路を得ることを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】
この発明に係るミキサ回路は、ソース端子を接地された電界効果トランジスタと、電界効果トランジスタのゲート端子に接続され、LO信号を入力され、所定のLO信号周波数帯域の信号だけを通過させる第1の帯域通過フィルタと、電界効果トランジスタのゲート端子にバイアスを加えるゲートバイアス回路と、電界効果トランジスタのドレイン端子に接続され、RF信号を入力され、所定のRF信号周波数帯域の信号だけを通過させる第2の帯域通過フィルタと、電界効果トランジスタのドレイン端子に接続され、LO信号の周波数帯域の信号を阻止する帯域阻止フィルタと、帯域阻止フィルタを通過したIF信号を増幅し、増幅後のIF信号を出力する増幅器とを備えるものである。
【0014】
この発明に係るミキサ回路は、電界効果トランジスタと、電界効果トランジスタのゲート端子に接続され、LO信号を入力され、所定のLO信号周波数帯域の信号だけを通過させる第1の帯域通過フィルタと、電界効果トランジスタのゲート端子にバイアスを加えるゲートバイアス回路と、RF信号を入力され、所定のRF信号周波数帯域の信号だけを通過させる第2の帯域通過フィルタと、電界効果トランジスタのドレイン端子と第2の帯域通過フィルタとの間に設けられ、所定のRF信号周波数帯域の信号を通過させ、所定のIF信号周波数帯域の信号を阻止して所定のRF信号周波数帯域の信号と所定のIF信号周波数帯域の信号とを分離する高域通過フィルタと、電界効果トランジスタのソース端子に接続され、LO信号の周波数帯域の信号を阻止する帯域阻止フィルタと、帯域阻止フィルタを通過したIF信号を増幅し、増幅後のIF信号を出力する増幅器とを備えるものである。
【0015】
この発明に係るミキサ回路は、電界効果トランジスタのドレイン端子と第2の帯域通過フィルタとを接続する信号線と、その信号線と接地点との間に設けられたインダクタとで高域通過フィルタが構成され、電界効果トランジスタのソース端子と増幅器とを接続する信号線と、その信号線と接地点との間に設けられたインダクタおよびコンデンサの直列回路とで帯域阻止フィルタが構成され、MMICとして構成されるものである。
【0016】
この発明に係るミキサ回路は、電界効果トランジスタのドレイン端子と第2の帯域通過フィルタとを接続する信号線と、その信号線と接地点との間に設けられたインダクタとで高域通過フィルタが構成され、電界効果トランジスタのソース端子と増幅器との間に直列に設けられたインダクタおよびコンデンサの並列回路で帯域阻止フィルタが構成され、MMICとして構成されるものである。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の一形態を説明する。
実施の形態1.
図1は、この発明の実施の形態1によるミキサ回路の構成を示すブロック図である。図において、1はRF信号を入力されるRF信号入力端子であり、2はLO信号を入力されるLO信号入力端子であり、3はIF信号を出力するIF信号出力端子であり、4はソース端子を接地された電界効果トランジスタ(以下、FETという)である。11はFET4のゲート端子に接続され、LO信号入力端子2を介してLO信号を入力され、所定のLO信号周波数帯域の信号だけを通過させるLO信号用帯域通過フィルタ(第1の帯域通過フィルタ)であり、12は電源13に接続されFET4のゲート端子にバイアスを加えるゲートバイアス回路であり、21はFET4のドレイン端子に接続され、RF信号入力端子1を介してRF信号を入力され、所定のIF信号周波数帯域の信号を抑制し、所定のRF信号周波数帯域の信号だけを通過させるRF信号用帯域通過フィルタ(第2の帯域通過フィルタ)である。
【0018】
31はFET4のドレイン端子に接続され、LO信号の周波数帯域の信号だけを阻止するLO信号用帯域阻止フィルタ(帯域阻止フィルタ)であり、32は、LO信号用帯域阻止フィルタ31からのIF信号を増幅してIF信号出力端子3を介して出力するIF増幅器(増幅器)である。すなわち、このミキサ回路は、レジスティブFETミキサ回路である。
【0019】
次に動作について説明する。
RF信号入力端子1にRF信号が入力され、LO信号入力端子2にLO信号が入力される。RF信号用帯域通過フィルタ21は、所定のIF信号周波数帯域の信号を抑制し、所定のRF信号周波数帯域の信号だけを通過させる。LO信号用帯域通過フィルタ11は、所定のLO信号周波数帯域の信号だけを通過させる。
【0020】
RF信号はRF信号用帯域通過フィルタ21を通過し、FET4のドレイン端子に印加され、LO信号はLO信号用帯域通過フィルタ11を通過し、FET4のゲート端子に印加される。そして、それらの信号に基づいてFET4が動作し、RF信号の周波数をfRF、LO信号の周波数をfLOとすると、周波数がfIF(=|fRF−fLO|)であるIF信号がドレイン端子に生成される。
【0021】
IF信号の周波数fIFはIF信号周波数帯域内の周波数であり、RF信号周波数帯域外であるので、生成されたIF信号はRF信号用帯域通過フィルタ21を通過せず、LO信号用帯域阻止フィルタ31を通過して、IF増幅器32で増幅された後、IF信号出力端子3を介して出力される。ここで、FET4のドレイン端子に漏洩するLO信号はLO信号用帯域阻止フィルタ31で阻止されるため、IF増幅器32にはIF信号のみが供給される。
【0022】
以上のように、この実施の形態1によれば、ソース端子を接地されたFET4のドレイン端子とIF増幅器32との間にLO信号の周波数帯域の信号を阻止するLO信号用帯域阻止フィルタ31を設けるようにしたので、ひずみ特性を良好にすることができるという効果が得られる。
【0023】
また、LO信号用帯域阻止フィルタ31を使用するようにしたので、IF信号の周波数fIFにおけるフィルタの損失が低減するため、IF増幅器32の増幅率を低くすることができ、IF増幅器32の消費電力を低減することができるという効果が得られる。
【0024】
実施の形態2.
図2は、この発明の実施の形態2によるミキサ回路の構成を示すブロック図である。図において、1はRF信号を入力されるRF信号入力端子であり、2はLO信号を入力されるLO信号入力端子であり、3はIF信号を出力するIF信号出力端子であり、4はFETである。11はFET4のゲート端子に接続され、LO信号入力端子2を介してLO信号を入力され、所定のLO信号周波数帯域の信号だけを通過させるLO信号用帯域通過フィルタであり、12は電源13に接続されFET4のゲート端子にバイアスを加えるゲートバイアス回路であり、21はRF信号入力端子1を介してRF信号を入力され、所定のIF信号周波数帯域の信号を抑制し、所定のRF信号周波数帯域の信号だけを通過させるRF信号用帯域通過フィルタである。
【0025】
22はFET4のドレイン端子とRF信号用帯域通過フィルタ21との間に設けられ、所定のRF信号周波数帯域の信号を通過させ、所定のIF信号周波数帯域の信号を阻止して所定のRF信号周波数帯域の信号と所定のIF信号周波数帯域の信号とを分離する高域通過フィルタである。
【0026】
31はFET4のソース端子に接続され、所定のLO信号周波数帯域の信号を阻止するLO信号用帯域阻止フィルタであり、32は、LO信号用帯域阻止フィルタ31からのIF信号を増幅してIF信号出力端子3を介して出力するIF増幅器である。すなわち、このミキサ回路は、レジスティブFETミキサ回路である。
【0027】
次に動作について説明する。
RF信号入力端子1にRF信号が入力され、LO信号入力端子2にLO信号が入力される。RF信号用帯域通過フィルタ21は、所定のIF信号周波数帯域の信号を抑制し、所定のRF信号周波数帯域の信号だけを通過させ、高域通過フィルタ22は、所定のRF信号周波数帯域の信号を通過させ、所定のIF信号周波数帯域の信号を阻止して所定のRF信号周波数帯域の信号と所定のIF信号周波数帯域の信号とを分離する。LO信号用帯域通過フィルタ11は、所定のLO信号周波数帯域の信号だけを通過させる。
【0028】
RF信号はRF信号用帯域通過フィルタ21および高域通過フィルタ22を通過し、FET4のドレイン端子に印加され、LO信号はLO信号用帯域通過フィルタ11を通過し、FET4のゲート端子に印加される。そして、それらの信号に基づいてFET4が動作し、RF信号の周波数をfRF、LO信号の周波数をfLOとすると、周波数がfIF(=|fRF−fLO|)であるIF信号がソース端子に生成される。
【0029】
IF信号の周波数fIFはIF信号周波数帯域内の周波数であり、RF信号周波数帯域外であるので、生成されたIF信号は、LO信号用帯域阻止フィルタ31を通過して、IF増幅器32で増幅された後、IF信号出力端子3を介して出力される。
【0030】
ここで、FET4のソース端子に漏洩するLO信号はLO信号用帯域阻止フィルタ31で阻止されるため、IF増幅器32にはIF信号のみが供給される。また、FET4のドレイン端子に生成されるIF信号は高域通過フィルタ22により阻止され、RF信号入力端子1に現れるIF信号が低減される。さらに、FET4のソース端子に漏洩するRF信号は、その周波数fRFがLO信号の周波数fLOに近いため、LO信号と同様にLO信号用帯域阻止フィルタ31で阻止される。
【0031】
なお、FET4のソース端子に現れるLO信号のレベルのほうがRF信号のレベルより高いので、LO信号用帯域阻止フィルタ31を設計する際には、LO信号の周波数fLOにおいて減衰量が最大になるようにするのが好ましい。
【0032】
以上のように、この実施の形態2によれば、RF信号用帯域通過フィルタ21とFET4のドレイン端子との間に、RF信号とIF信号とを分離する高域通過フィルタ22を設けるとともに、FET4のソース端子とIF増幅器32との間に、LO信号の周波数帯域の信号を阻止するLO信号用帯域阻止フィルタ31を設けるようにしたので、ひずみ特性を良好にすることができるという効果が得られる。
【0033】
また、この実施の形態2によれば、RF信号入力端子1とIF信号出力端子3とのアイソレーション特性が良好になるという効果が得られる。
【0034】
実施の形態3.
図3は、この発明の実施の形態3によるミキサ回路の構成を示すブロック図である。この発明の実施の形態3によるミキサ回路は、実施の形態2によるミキサ回路をMMIC5として構成したものである。図において、23はFET4のドレイン端子とRF信号用帯域通過フィルタ21とを接続する信号線と接地点との間に設けられた、高域通過フィルタ22を構成するインダクタである。33はFET4のソース端子とIF増幅器32とを接続する信号線とコンデンサ34との間に設けられた、LO信号用帯域阻止フィルタ31を構成するインダクタであり、34はインダクタ33と接地点との間に設けられた、LO信号用帯域阻止フィルタ31を構成するコンデンサである。
【0035】
すなわち、高域通過フィルタ22がインダクタ23で構成され、LO信号用帯域阻止フィルタ31がインダクタ33およびコンデンサ34の直列回路で構成される。そして、インダクタ23は、そのインピーダンスがRF信号の周波数fRFでは開放状態に近く、IF信号の周波数fIFでは短絡状態に近くなるように設定され、インダクタ33およびコンデンサ34の直列共振回路は、共振周波数がLO信号の周波数fLOになるように設定される。
【0036】
なお、その他の構成要素については、実施の形態2によるものと同様であるので、その説明を省略する。また動作については実施の形態にものと同様であるので、その説明を省略する。
【0037】
以上のように、この実施の形態3によれば、高域通過フィルタ22をインダクタ23で構成し、LO信号用帯域阻止フィルタ31をインダクタ33およびコンデンサ34の直列回路で構成するようにしたので、1チップのMMICとしてミキサ回路を構成することができ、回路を小型化することができるという効果が得られる。
【0038】
実施の形態4.
図4は、この発明の実施の形態4によるミキサ回路の構成を示すブロック図である。この発明の実施の形態4によるミキサ回路は、実施の形態2によるミキサ回路をMMIC5として構成したものである。図において、23はFET4のドレイン端子とRF信号用帯域通過フィルタ21とを接続する信号線と接地点との間に設けられた、高域通過フィルタ22を構成するインダクタである。35はFET4のソース端子とIF増幅器32との間に設けられた、LO信号用帯域阻止フィルタ31を構成するインダクタであり、36はインダクタ33と並列に設けられた、LO信号用帯域阻止フィルタ31を構成するコンデンサである。
【0039】
すなわち、高域通過フィルタ22がインダクタ23で構成され、LO信号用帯域阻止フィルタ31がインダクタ35およびコンデンサ36の並列回路で構成される。そして、インダクタ23は、そのインピーダンスがRF信号の周波数fRFでは開放状態に近く、IF信号の周波数fIFでは短絡状態に近くなるように設定され、インダクタ35およびコンデンサ36の並列共振回路は、共振周波数がLO信号の周波数fLOになるように設定される。
【0040】
なお、その他の構成要素については、実施の形態2によるものと同様であるので、その説明を省略する。また動作については実施の形態のものと同様であるので、その説明を省略する。
【0041】
以上のように、この実施の形態4によれば、高域通過フィルタ22をインダクタ23で構成し、LO信号用帯域阻止フィルタ31をインダクタ35およびコンデンサ36の並列回路で構成するようにしたので、1チップのMMICとしてミキサ回路を構成することができ、回路を小型化することができるという効果が得られる。
【0042】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、ソース端子を接地された電界効果トランジスタと、電界効果トランジスタのゲート端子に接続され、LO信号を入力され、所定のLO信号周波数帯域の信号だけを通過させる第1の帯域通過フィルタと、電界効果トランジスタのゲート端子にバイアスを加えるゲートバイアス回路と、電界効果トランジスタのドレイン端子に接続され、RF信号を入力され、所定のRF信号周波数帯域の信号だけを通過させる第2の帯域通過フィルタと、電界効果トランジスタのドレイン端子に接続され、LO信号の周波数帯域の信号を阻止する帯域阻止フィルタと、帯域阻止フィルタを通過したIF信号を増幅し、増幅後のIF信号を出力する増幅器とを備えるようにしたので、ひずみ特性を良好にすることができるという効果がある。
【0043】
また、帯域阻止フィルタを使用するようにしたので、IF信号の周波数fIFにおけるフィルタの損失が低減するため、増幅器の増幅率を低くすることができ、増幅器の消費電力を低減することができるという効果がある。
【0044】
この発明によれば、電界効果トランジスタと、電界効果トランジスタのゲート端子に接続され、LO信号を入力され、所定のLO信号周波数帯域の信号だけを通過させる第1の帯域通過フィルタと、電界効果トランジスタのゲート端子にバイアスを加えるゲートバイアス回路と、RF信号を入力され、所定のRF信号周波数帯域の信号だけを通過させる第2の帯域通過フィルタと、電界効果トランジスタのドレイン端子と第2の帯域通過フィルタとの間に設けられ、所定のRF信号周波数帯域の信号を通過させ、所定のIF信号周波数帯域の信号を阻止して所定のRF信号周波数帯域の信号と所定のIF信号周波数帯域の信号とを分離する高域通過フィルタと、電界効果トランジスタのソース端子に接続され、LO信号の周波数帯域の信号を阻止する帯域阻止フィルタと、帯域阻止フィルタを通過したIF信号を増幅し、増幅後のIF信号を出力する増幅器とを備えるようにしたので、ひずみ特性を良好にすることができるという効果がある。
【0045】
この発明によれば、電界効果トランジスタのドレイン端子と第2の帯域通過フィルタとを接続する信号線と、その信号線と接地点との間に設けられたインダクタとで高域通過フィルタが構成され、電界効果トランジスタのソース端子と増幅器とを接続する信号線と、その信号線と接地点との間に設けられたインダクタおよびコンデンサの直列回路とで帯域阻止フィルタが構成され、MMICとして構成されるようにしたので、回路を小型化することができるという効果がある。
【0046】
この発明によれば、電界効果トランジスタのドレイン端子と第2の帯域通過フィルタとを接続する信号線と、その信号線と接地点との間に設けられたインダクタとで高域通過フィルタが構成され、電界効果トランジスタのソース端子と増幅器との間に直列に設けられたインダクタおよびコンデンサの並列回路とで帯域阻止フィルタが構成され、MMICとして構成されるようにしたので、回路を小型化することができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施の形態1によるミキサ回路の構成を示すブロック図である。
【図2】この発明の実施の形態2によるミキサ回路の構成を示すブロック図である。
【図3】この発明の実施の形態3によるミキサ回路の構成を示すブロック図である。
【図4】この発明の実施の形態4によるミキサ回路の構成を示すブロック図である。
【図5】従来のミキサ回路を示すブロック図である。
【図6】図5の従来のミキサ回路に、IF信号を増幅するIF増幅器を設けたものを示すブロック図である。
【符号の説明】
4 電界効果トランジスタ(FET)、11 LO信号用帯域通過フィルタ(第1の帯域通過フィルタ)、12 ゲートバイアス回路、21 RF信号用帯域通過フィルタ(第2の帯域通過フィルタ)、22 高域通過フィルタ、23,33,35 インダクタ、31 LO信号用帯域阻止フィルタ(帯域阻止フィルタ)、32 IF増幅器(増幅器)、34,36 コンデンサ。
Claims (4)
- ソース端子を接地された電界効果トランジスタと、
前記電界効果トランジスタのゲート端子に接続され、LO信号を入力され、所定のLO信号周波数帯域の信号だけを通過させる第1の帯域通過フィルタと、
前記電界効果トランジスタのゲート端子にバイアスを加えるゲートバイアス回路と、
前記電界効果トランジスタのドレイン端子に接続され、RF信号を入力され、所定のRF信号周波数帯域の信号だけを通過させる第2の帯域通過フィルタと、
前記電界効果トランジスタのドレイン端子に接続され、LO信号の周波数帯域の信号を阻止する帯域阻止フィルタと、
前記帯域阻止フィルタを通過したIF信号を増幅し、増幅後のIF信号を出力する増幅器と
を備えたレジスティブミキサ回路。 - 電界効果トランジスタと、
前記電界効果トランジスタのゲート端子に接続され、LO信号を入力され、所定のLO信号周波数帯域の信号だけを通過させる第1の帯域通過フィルタと、
前記電界効果トランジスタのゲート端子にバイアスを加えるゲートバイアス回路と、
RF信号を入力され、所定のRF信号周波数帯域の信号だけを通過させる第2の帯域通過フィルタと、
前記電界効果トランジスタのドレイン端子と前記第2の帯域通過フィルタとの間に設けられ、前記所定のRF信号周波数帯域の信号を通過させ、所定のIF信号周波数帯域の信号を阻止して前記所定のRF信号周波数帯域の信号と前記所定のIF信号周波数帯域の信号とを分離する高域通過フィルタと、
前記電界効果トランジスタのソース端子に接続され、LO信号の周波数帯域の信号を阻止する帯域阻止フィルタと、
前記帯域阻止フィルタを通過したIF信号を増幅し、増幅後のIF信号を出力する増幅器と
を備えたレジスティブミキサ回路。 - 高域通過フィルタは、電界効果トランジスタのドレイン端子と第2の帯域通過フィルタとを接続する信号線と、その信号線と接地点との間に設けられたインダクタとで構成され、
帯域阻止フィルタは、前記電界効果トランジスタのソース端子と増幅器とを接続する信号線と、その信号線と接地点との間に設けられたインダクタおよびコンデンサの直列回路とで構成され、
前記電界効果トランジスタ、第1の帯域通過フィルタ、ゲートバイアス回路、前記第2の帯域通過フィルタ、前記高域通過フィルタ、前記帯域阻止フィルタおよび前記増幅器はMMICとして構成される
ことを特徴とする請求項2記載のレジスティブミキサ回路。 - 高域通過フィルタは、電界効果トランジスタのドレイン端子と第2の帯域通過フィルタとを接続する信号線と、その信号線と接地点との間に設けられたインダクタとで構成され、
帯域阻止フィルタは、前記電界効果トランジスタのソース端子と増幅器との間に直列に設けられたインダクタおよびコンデンサの並列回路で構成され、
前記電界効果トランジスタ、第1の帯域通過フィルタ、ゲートバイアス回路、前記第2の帯域通過フィルタ、前記高域通過フィルタ、前記帯域阻止フィルタおよび前記増幅器はMMICとして構成される
ことを特徴とする請求項2記載のレジスティブミキサ回路。
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