JPH0376604B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0376604B2 JPH0376604B2 JP26888484A JP26888484A JPH0376604B2 JP H0376604 B2 JPH0376604 B2 JP H0376604B2 JP 26888484 A JP26888484 A JP 26888484A JP 26888484 A JP26888484 A JP 26888484A JP H0376604 B2 JPH0376604 B2 JP H0376604B2
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- output
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- Expired
Links
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 10
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 8
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 8
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はトランジスタを用いたマイクロ波電力
増幅器に関する。
増幅器に関する。
近年、半導体技術の進歩によりマイクロ波帯の
電力増幅にもトランジスタが使用できるようにな
り、種々の用途に使用されている。複数の搬送波
を共通増幅する場合のように３次混変調歪が問題
となる増幅器では、歪の少ないトランジスタをＡ
級増幅で使用して直線動作をさせるのが望ましい
が、消費電力に制約がある衛星搭載用などのマイ
クロ波電力増幅器では、電力効率を考慮してガリ
ウムひ素シヨツトキー障壁ゲート型電界効果トラ
ンジスタ（以下GaAs MES FETと略記する）
をAB級動作で使用することがある。このような
場合、その動作条件およびGaAs MES FETの
特性から３次以上の高次歪の発生は少ないが、２
次歪成分がかなり発生する。
電力増幅にもトランジスタが使用できるようにな
り、種々の用途に使用されている。複数の搬送波
を共通増幅する場合のように３次混変調歪が問題
となる増幅器では、歪の少ないトランジスタをＡ
級増幅で使用して直線動作をさせるのが望ましい
が、消費電力に制約がある衛星搭載用などのマイ
クロ波電力増幅器では、電力効率を考慮してガリ
ウムひ素シヨツトキー障壁ゲート型電界効果トラ
ンジスタ（以下GaAs MES FETと略記する）
をAB級動作で使用することがある。このような
場合、その動作条件およびGaAs MES FETの
特性から３次以上の高次歪の発生は少ないが、２
次歪成分がかなり発生する。
２次歪成分は増幅信号の周波数の和または２倍
の周波数となり、増幅される基本波とは周波数が
大きく異なるため、ろ波器等により容易に除去す
ることができるが、増幅帯域（基本波）の周波数
特性に悪影響を及ぼすことがある。例えば、入出
力回路にアイソレータ、サーキユレータ等の非可
逆回路素子が接続されている場合には、これら回
路素子の特性は伝送帯域外の周波数では保証され
ていないことが多く、帯域外の特定の周波数で鋭
い共振特性を示すことが少なくない。このような
共振特性が増幅信号の第２高調波の周波数帯に存
在すると、増幅素子で発生した第２高調波が例え
ばその周波数だけ強く反射されて増幅素子に戻り
再び基本波に変換されるため、増幅帯域の特性に
リツプル状の急激な変化が発生する。このような
場合、従来はアイソレータを交換したり、整合回
路の調整により共振周波数をずらせたり、共振の
Ｑを低下させるなどの対策を個別に講じているた
め、調整に予期しない余分の工数を要するという
問題点がある。本発明の目的は、このような従来
の問題点を除去し、アイソレータなどの帯域外特
性に左右されず調整に余分な工数を必要としない
マイクロ波電力増幅器を提供することである。
の周波数となり、増幅される基本波とは周波数が
大きく異なるため、ろ波器等により容易に除去す
ることができるが、増幅帯域（基本波）の周波数
特性に悪影響を及ぼすことがある。例えば、入出
力回路にアイソレータ、サーキユレータ等の非可
逆回路素子が接続されている場合には、これら回
路素子の特性は伝送帯域外の周波数では保証され
ていないことが多く、帯域外の特定の周波数で鋭
い共振特性を示すことが少なくない。このような
共振特性が増幅信号の第２高調波の周波数帯に存
在すると、増幅素子で発生した第２高調波が例え
ばその周波数だけ強く反射されて増幅素子に戻り
再び基本波に変換されるため、増幅帯域の特性に
リツプル状の急激な変化が発生する。このような
場合、従来はアイソレータを交換したり、整合回
路の調整により共振周波数をずらせたり、共振の
Ｑを低下させるなどの対策を個別に講じているた
め、調整に予期しない余分の工数を要するという
問題点がある。本発明の目的は、このような従来
の問題点を除去し、アイソレータなどの帯域外特
性に左右されず調整に余分な工数を必要としない
マイクロ波電力増幅器を提供することである。
本発明のマイクロ波電力増幅器は、入力整合回
路と出力整合回路とAB級動作で使用されるソー
ス接地のガリウムひ素シヨツトキー障壁ゲート型
電界効果トランジスタとを備え、前記入力整合回
路の入力側および前記出力整合回路の出力側の少
なくとも一方に非可逆回路素子が接続されている
マイクロ波電力増幅器において、前記電界効果ト
ランジスタの前記非可逆回路素子が接続されてい
る側に増幅帯域の中心周波数の２倍の周波数に対
して４分の１波長となる先端開放の伝送線路スタ
ブを前記電界効果トランジスタに隣接して設ける
ことによつて構成される。
路と出力整合回路とAB級動作で使用されるソー
ス接地のガリウムひ素シヨツトキー障壁ゲート型
電界効果トランジスタとを備え、前記入力整合回
路の入力側および前記出力整合回路の出力側の少
なくとも一方に非可逆回路素子が接続されている
マイクロ波電力増幅器において、前記電界効果ト
ランジスタの前記非可逆回路素子が接続されてい
る側に増幅帯域の中心周波数の２倍の周波数に対
して４分の１波長となる先端開放の伝送線路スタ
ブを前記電界効果トランジスタに隣接して設ける
ことによつて構成される。
次に図面を参照して本発明を詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例の回路構成図であ
り、入力アイソレータ１、入力整合回路２、ソー
ス接地のGaAs MES FET３、出力整合回路４
及び出力アイソレータ５で構成されている。第１
図に示すように、入力整合回路２及び出力整合回
路３のGaAs MES FET３に隣接した側には、
増幅帯域の中心周波数の２倍の周波数に対して４
分の１波長となる先端開放の伝送線路スタブ２１
及び４１が設けられ、第２高調波に対してはアイ
ソレータ１及び５の帯域外特性に関係なくほぼ一
定のインピーダンスを持つように構成されてい
る。入力および出力整合回路２及び４の各インピ
ダンス変成素子２２，４２及び並列整合素子２
３，４３は、増幅帯域の周波数に対して伝送線路
スタブ２１，４１が示す容量性のインピーダンス
を含めて入出力負荷との整合をとるように選定さ
れている。従来の回路では、第１図の構成のうち
伝送線路スタブ２１，４１がないため、アイソー
タ１，５に第２高調波に対する共振があると、前
述したように基本波の周波数特性にリツプルが生
じることがあるが、第１図の構成によればトラン
ジスタから見た第２高調波の負荷はほぼ一定で共
振による急激な変化がないため、基本波の周波数
特性にリツプルを発生することがない、従つて、
余分な調整を必要としない効果がある。
り、入力アイソレータ１、入力整合回路２、ソー
ス接地のGaAs MES FET３、出力整合回路４
及び出力アイソレータ５で構成されている。第１
図に示すように、入力整合回路２及び出力整合回
路３のGaAs MES FET３に隣接した側には、
増幅帯域の中心周波数の２倍の周波数に対して４
分の１波長となる先端開放の伝送線路スタブ２１
及び４１が設けられ、第２高調波に対してはアイ
ソレータ１及び５の帯域外特性に関係なくほぼ一
定のインピーダンスを持つように構成されてい
る。入力および出力整合回路２及び４の各インピ
ダンス変成素子２２，４２及び並列整合素子２
３，４３は、増幅帯域の周波数に対して伝送線路
スタブ２１，４１が示す容量性のインピーダンス
を含めて入出力負荷との整合をとるように選定さ
れている。従来の回路では、第１図の構成のうち
伝送線路スタブ２１，４１がないため、アイソー
タ１，５に第２高調波に対する共振があると、前
述したように基本波の周波数特性にリツプルが生
じることがあるが、第１図の構成によればトラン
ジスタから見た第２高調波の負荷はほぼ一定で共
振による急激な変化がないため、基本波の周波数
特性にリツプルを発生することがない、従つて、
余分な調整を必要としない効果がある。
上述の実施例では、入出力の双方にアイソレー
タが接続され入出力整合回路の双方に伝送線路ス
タブが設けられているが、いずれか一方の第２高
調波に対するインピーダンスが保証されていると
きは、伝送線路スタブを一方のみに設ければ同様
の効果が得られる。
タが接続され入出力整合回路の双方に伝送線路ス
タブが設けられているが、いずれか一方の第２高
調波に対するインピーダンスが保証されていると
きは、伝送線路スタブを一方のみに設ければ同様
の効果が得られる。
以上詳細に説明したように、本発明のマイクロ
波電力増幅器によれば、入出力に接続されるアイ
ソレータ等の帯域外特性に影響されることなく、
調整が容易となる効果がある。
波電力増幅器によれば、入出力に接続されるアイ
ソレータ等の帯域外特性に影響されることなく、
調整が容易となる効果がある。
第１図は本発明の一実施例の回路構成図であ
り、参照番号１及び５はアイソレータ、２は入力
整合回路、３はガリウムひ素シヨツトキー障壁ゲ
ート形電界効果トランジスタ（GaAs MES
FET）４は出力整合回路である。
り、参照番号１及び５はアイソレータ、２は入力
整合回路、３はガリウムひ素シヨツトキー障壁ゲ
ート形電界効果トランジスタ（GaAs MES
FET）４は出力整合回路である。
Claims (1)
- １ 入力整合回路と出力整合回路とAB級動作で
使用されるソース接地のガリウムひ素シヨツトキ
ー障壁ゲート型電界効果トランジスタとを備え、
前記入力整合回路の入力側および前記出力整合回
路の出力側の少なくとも一方に非可逆回路素子が
接続されているマイクロ波電力増幅器において、
前記電界効果トランジスタの前記非可逆回路素子
が接続されている側に増幅帯域の中心周波数の２
倍の周波数に対して４分の１波長となる先端開放
の伝送線路スタブを前記電界効果トランジスタに
隣接して設けたことを特徴とするマイクロ波電力
増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26888484A JPS61146006A (ja) | 1984-12-20 | 1984-12-20 | マイクロ波電力増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26888484A JPS61146006A (ja) | 1984-12-20 | 1984-12-20 | マイクロ波電力増幅器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61146006A JPS61146006A (ja) | 1986-07-03 |
| JPH0376604B2 true JPH0376604B2 (ja) | 1991-12-06 |
Family
ID=17464597
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26888484A Granted JPS61146006A (ja) | 1984-12-20 | 1984-12-20 | マイクロ波電力増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61146006A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5065117A (en) * | 1989-06-06 | 1991-11-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Microwave circuit |
| GB9126616D0 (en) * | 1991-12-16 | 1992-02-12 | Texas Instruments Ltd | Improvements in or relating to amplifiers |
| JPH0738548B2 (ja) * | 1993-01-07 | 1995-04-26 | 日本電気株式会社 | 電力整合回路 |
| JP2009159591A (ja) * | 2007-12-06 | 2009-07-16 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波増幅器 |
| JP6249631B2 (ja) * | 2013-05-10 | 2017-12-20 | 三菱電機株式会社 | 高調波処理回路 |
| CN107547057A (zh) * | 2017-07-21 | 2018-01-05 | 深圳市景程信息科技有限公司 | 基于双线结构的逆f类功率放大器 |
| CN107508566A (zh) * | 2017-07-21 | 2017-12-22 | 深圳市景程信息科技有限公司 | 用于逆f类功率放大器的双线输出匹配网路 |
-
1984
- 1984-12-20 JP JP26888484A patent/JPS61146006A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61146006A (ja) | 1986-07-03 |
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