JPH0261175B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0261175B2 JPH0261175B2 JP14313384A JP14313384A JPH0261175B2 JP H0261175 B2 JPH0261175 B2 JP H0261175B2 JP 14313384 A JP14313384 A JP 14313384A JP 14313384 A JP14313384 A JP 14313384A JP H0261175 B2 JPH0261175 B2 JP H0261175B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- high frequency
- ultra
- voltage supply
- capacitor
- line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 18
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 101150073536 FET3 gene Proteins 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 101150079361 fet5 gene Proteins 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/193—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
- H03F3/1935—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices with junction-FET devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Waveguide Connection Structure (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はマイクロ波帯無線装置の送信部に用い
る固体化された高出力Ａ級電力増幅器の改良に関
するものである。
る固体化された高出力Ａ級電力増幅器の改良に関
するものである。
近年、マイクロ波帯無線装置送信部の固体化が
進み高出力増幅器部一部迄が固体化されている
が、この電力増幅器が増幅すべき信号として例え
ば振幅変調波や直交振幅変調波（以下QAM波と
省略する）の様な振幅変調成分を含む場合があ
る。
進み高出力増幅器部一部迄が固体化されている
が、この電力増幅器が増幅すべき信号として例え
ば振幅変調波や直交振幅変調波（以下QAM波と
省略する）の様な振幅変調成分を含む場合があ
る。
この場合、例えばQAM波をできるだけ歪なく
増幅する為にＡ級電力増幅器が用いられている
が、歪が少なくしかもより効率よく高出力が得ら
れる超高周波増幅器が要望されていた。
増幅する為にＡ級電力増幅器が用いられている
が、歪が少なくしかもより効率よく高出力が得ら
れる超高周波増幅器が要望されていた。
第２図ａは２個の電界効果トランジスタ（以下
FETと省略する）を使用した超高周波増幅器の
概略の回路図例を示す。
FETと省略する）を使用した超高周波増幅器の
概略の回路図例を示す。
同図に於て、端子１に加えられた例えば超高周
波帯のQAM波はコンデンサ２を通つてFET３で
増幅され、その出力は更にコンデンサ４を介して
FET増幅器５で増幅された後、コンデンサ６、
端子７より外部に出力されるが、各FET増幅器
は完全なＡ級動作をしている。
波帯のQAM波はコンデンサ２を通つてFET３で
増幅され、その出力は更にコンデンサ４を介して
FET増幅器５で増幅された後、コンデンサ６、
端子７より外部に出力されるが、各FET増幅器
は完全なＡ級動作をしている。
尚、端子１０及び１１から超高周波信号を阻止
する為のフイルタ８及び９及びチヨーク等から構
成された直流電圧供給部１２，１３を介して
FET３，５のゲート及びドレインに所定の直流
電圧が供給される。
する為のフイルタ８及び９及びチヨーク等から構
成された直流電圧供給部１２，１３を介して
FET３，５のゲート及びドレインに所定の直流
電圧が供給される。
第２図ｂは第２図ａを製作した時の概略の実装
図例を示す。
図例を示す。
第２図ｂに示す様に、FET３のゲートＧはコ
ンデンサ２を介して端子１と、ドレインＤはコン
デンサ４，FET５，コンデンサ６を介して端子
７とそれぞれ接続されるが、これらのコンデンサ
とFETのゲート、ドレイン及び端子間はマイク
ロストリツプ線路で接続され、この部分を超高周
波信号が伝搬する（以下この部分を主線路と云
う）。
ンデンサ２を介して端子１と、ドレインＤはコン
デンサ４，FET５，コンデンサ６を介して端子
７とそれぞれ接続されるが、これらのコンデンサ
とFETのゲート、ドレイン及び端子間はマイク
ロストリツプ線路で接続され、この部分を超高周
波信号が伝搬する（以下この部分を主線路と云
う）。
又、FET３及び５のゲートＧとドレインＤに
それぞれ直流電圧供給部１２及び１３が接続され
ているが、この電圧供給部１２及び１３は主線路
を伝送する超高周波信号に与える影響を少なく
し、且つ外部に超高周波信号が漏れない様な構成
になつている。
それぞれ直流電圧供給部１２及び１３が接続され
ているが、この電圧供給部１２及び１３は主線路
を伝送する超高周波信号に与える影響を少なく
し、且つ外部に超高周波信号が漏れない様な構成
になつている。
即ち、FET５のドレインＤに接続される直流
電圧供給部１３は線路の幅を狭くして高インピー
ダンスになる様にしたλg／４の高インピーダン
ス線路１３１とλg／４の低インピーダンス線路
１３２の線路でフイルタを構成している。
電圧供給部１３は線路の幅を狭くして高インピー
ダンスになる様にしたλg／４の高インピーダン
ス線路１３１とλg／４の低インピーダンス線路
１３２の線路でフイルタを構成している。
又、直流電圧供給線１３３は超高周波の影響を
少なくする為に細い線材を使用し、端子１１はケ
ース１４との間にあるコンデンサによつて変調信
号に対しては短絡する様になつている。
少なくする為に細い線材を使用し、端子１１はケ
ース１４との間にあるコンデンサによつて変調信
号に対しては短絡する様になつている。
一方、FET５のゲートＧに接続される直流電
圧供給部１２の機能及び構成は直流電圧供給部１
３と略同じになつているが、下記の点が異なつて
いる。
圧供給部１２の機能及び構成は直流電圧供給部１
３と略同じになつているが、下記の点が異なつて
いる。
即ち、
加える電圧の大きさが異なるので抵抗器１２
３，１２４で直流電圧を分割して適当な値にし
ている。
３，１２４で直流電圧を分割して適当な値にし
ている。
λg／４の低インピーダンス線路１２２は１
つでドレイン側よりも少なくなつている。又、
コンデンサ付きの電圧供給端子１０から直流電
圧をゲートに供給している。
つでドレイン側よりも少なくなつている。又、
コンデンサ付きの電圧供給端子１０から直流電
圧をゲートに供給している。
尚、上記の超高周波増幅器のうちFET３及び
５の部分はパツケージが直接金属ケース１４にネ
ジで固定されるが、他の部分は、例えばアルミナ
又はフローグラス基板上に、線路の部分はマイク
ロストリツプ線路で、コンデンサはチツプコンデ
ンサ等を用いて構成され、ケース１４に収容され
ている。
５の部分はパツケージが直接金属ケース１４にネ
ジで固定されるが、他の部分は、例えばアルミナ
又はフローグラス基板上に、線路の部分はマイク
ロストリツプ線路で、コンデンサはチツプコンデ
ンサ等を用いて構成され、ケース１４に収容され
ている。
この様な構成のＡ級超高周波増幅器をより高出
力化する為には、例えばFET５により大きな電
流を直流電圧供給部１３から流す必要がある。
力化する為には、例えばFET５により大きな電
流を直流電圧供給部１３から流す必要がある。
しかし、大きい振幅を持つQAM波が入力した
時には、より飽和点に近い所でFET５が動作す
るので、完全なＡ級動作から外れ前記直流電流が
このQAM波により多少変化する。
時には、より飽和点に近い所でFET５が動作す
るので、完全なＡ級動作から外れ前記直流電流が
このQAM波により多少変化する。
即ち、例えば電圧供給部１３に数アンペアの大
電流を流した時、前記の細い線路１３１による抵
抗値Ｒが無視出来なくなると共に、FET５のド
レイン電流は入力されたQAM波の最大、最小振
幅との間でΔiだけ変化するので、ａ点の電圧は
Δi・Ｒだけ変化する。
電流を流した時、前記の細い線路１３１による抵
抗値Ｒが無視出来なくなると共に、FET５のド
レイン電流は入力されたQAM波の最大、最小振
幅との間でΔiだけ変化するので、ａ点の電圧は
Δi・Ｒだけ変化する。
この為、FET５にかかる電圧が変化して３次
変調歪やAM−PM変換等が悪化してこのQAM
波に悪影響を及ぼすと云う問題があつた。
変調歪やAM−PM変換等が悪化してこのQAM
波に悪影響を及ぼすと云う問題があつた。
上記の問題は超高周波信号が伝搬される主線路
に接続された能動素子用直流電圧供給線路との接
続点からλg／４離れた前記直流電圧供給線路上
の点と、アースとの間に変調信号に対して短絡と
なる様なコンデンサを挿入する本発明の超高周波
増幅器を用いる事により解決することができる。
に接続された能動素子用直流電圧供給線路との接
続点からλg／４離れた前記直流電圧供給線路上
の点と、アースとの間に変調信号に対して短絡と
なる様なコンデンサを挿入する本発明の超高周波
増幅器を用いる事により解決することができる。
本発明は増幅器の直流電圧供給線路とアースの
間に、超高周波信号に対して影響しない範囲で出
来るだけ増幅素子の近傍に、変調信号に対して短
絡となる様なコンデンサを挿入する様にした。
間に、超高周波信号に対して影響しない範囲で出
来るだけ増幅素子の近傍に、変調信号に対して短
絡となる様なコンデンサを挿入する様にした。
即ち、変調信号に対する短絡を端子１０又は１
１で行う従来回路に代りに、直流電圧供給線路上
で主線路に出来るだけ近く且つ超高周波信号に影
響を与えない所に変調信号に対して短絡となるコ
ンデンサを挿入したので、直流電圧供給線路の変
調信号に対するアースが遠くの点で行われている
事により生ずる非直線歪を軽減する事ができ、よ
り効率よくFETを使用する事ができた。
１で行う従来回路に代りに、直流電圧供給線路上
で主線路に出来るだけ近く且つ超高周波信号に影
響を与えない所に変調信号に対して短絡となるコ
ンデンサを挿入したので、直流電圧供給線路の変
調信号に対するアースが遠くの点で行われている
事により生ずる非直線歪を軽減する事ができ、よ
り効率よくFETを使用する事ができた。
第１図ａは本発明の一実施例の回路図で、全図
を通じて同一符号は同一対称物を示す。
を通じて同一符号は同一対称物を示す。
同図に於て、前記の電圧変化Δi・Ｒを最小に
し、且つ超高周波信号に影響を与えない点である
λg／４高インピーダンス線路１３１上のａ点と
アースの間に、変調信号に対して短絡する様な値
のコンデンサ２０を挿入する事により、従来の短
絡箇所である端子１０及び１１の点よりも短い線
路長で短絡する様にした。
し、且つ超高周波信号に影響を与えない点である
λg／４高インピーダンス線路１３１上のａ点と
アースの間に、変調信号に対して短絡する様な値
のコンデンサ２０を挿入する事により、従来の短
絡箇所である端子１０及び１１の点よりも短い線
路長で短絡する様にした。
第１図ｂは第１図ａの実装図であるが、斜線の
部分で示したコンデンサ２０をａ点からケース１
４に接続した。
部分で示したコンデンサ２０をａ点からケース１
４に接続した。
第１図ｃは本発明の別の実施例でセラミツク基
板上に直流電圧供給部１２を設けた場合の例で、
斜線の部分は小型・大容量のチツプコンデンサで
変調信号に対して短絡となる様な値を持ち、高イ
ンピーダンス線路１２１、低インピーダンス線路
１２２で構成されるフイルタの近くに、金リボン
２１をケース１４に熱圧着したアースに接続され
ている。
板上に直流電圧供給部１２を設けた場合の例で、
斜線の部分は小型・大容量のチツプコンデンサで
変調信号に対して短絡となる様な値を持ち、高イ
ンピーダンス線路１２１、低インピーダンス線路
１２２で構成されるフイルタの近くに、金リボン
２１をケース１４に熱圧着したアースに接続され
ている。
この様な構成にする事により、本発明をより小
型に実現できる。
型に実現できる。
以上の様に、変調信号に対して短絡する様な値
のコンデンサ２０をａ点とアースの間に接続する
事により２次混変調歪及びAM−PM変換が約半
分に減少すると云う結果が得られ、より効率よく
FETを動作させる事ができた。
のコンデンサ２０をａ点とアースの間に接続する
事により２次混変調歪及びAM−PM変換が約半
分に減少すると云う結果が得られ、より効率よく
FETを動作させる事ができた。
上記の説明の様に、超高周波信号の特性を低下
させる事なしに直流電圧供給部の影響による非線
形歪を逓減する事ができ、FETをより効率的に
使用する事が出来た。
させる事なしに直流電圧供給部の影響による非線
形歪を逓減する事ができ、FETをより効率的に
使用する事が出来た。
第１図ａは本発明の一実施例の概略の回路図、
第１図ｂは第１図ａの実装図、第１図ｃは本発明
の別の実施例の実装図の部分図、第２図ａは従来
例の概略回路図、第２図ｂは第２図ａの実装図を
示す。 図において、１，７，１０，１１は端子、２，
４，６，２０はコンデンサ、３，５は電界効果ト
ランジスタ、８，９はフイルタ、１２，１３は直
流電圧供給部、１３１はλg／４高インピーダン
ス線路、１３２はλg／４低インピーダンス線路、
１３３は線材を示す。
第１図ｂは第１図ａの実装図、第１図ｃは本発明
の別の実施例の実装図の部分図、第２図ａは従来
例の概略回路図、第２図ｂは第２図ａの実装図を
示す。 図において、１，７，１０，１１は端子、２，
４，６，２０はコンデンサ、３，５は電界効果ト
ランジスタ、８，９はフイルタ、１２，１３は直
流電圧供給部、１３１はλg／４高インピーダン
ス線路、１３２はλg／４低インピーダンス線路、
１３３は線材を示す。
Claims (1)
- １ 能動素子、受動素子及びマイクロストリツプ
線路を用いて、変調された超高周波信号を増幅す
る超高周波増幅器を構成する際に、該超高周波信
号が伝搬される主線路と該能動素子の為の直流電
圧供給線路との接続点からλg／４離れた該直流
電圧供給線路上の点とアースとの間に変調信号に
対して短絡となる様なコンデンサを挿入した事を
特徴とする超高周波増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14313384A JPS6135006A (ja) | 1984-07-10 | 1984-07-10 | 超高周波増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14313384A JPS6135006A (ja) | 1984-07-10 | 1984-07-10 | 超高周波増幅器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6135006A JPS6135006A (ja) | 1986-02-19 |
| JPH0261175B2 true JPH0261175B2 (ja) | 1990-12-19 |
Family
ID=15331682
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14313384A Granted JPS6135006A (ja) | 1984-07-10 | 1984-07-10 | 超高周波増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6135006A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04132448U (ja) * | 1991-05-31 | 1992-12-08 | 昭和アルミニウム株式会社 | 吸気マニホルド |
| US9543902B2 (en) | 2015-03-24 | 2017-01-10 | Mitsubishi Electric Corporation | Power amplifier |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2578875B2 (ja) * | 1988-01-25 | 1997-02-05 | 松下電器産業株式会社 | ストリップライン終端回路 |
| JPH0385910A (ja) * | 1989-08-30 | 1991-04-11 | Fujitsu Ltd | 高周波増幅回路 |
| JP3060981B2 (ja) * | 1997-02-21 | 2000-07-10 | 日本電気株式会社 | マイクロ波増幅器 |
-
1984
- 1984-07-10 JP JP14313384A patent/JPS6135006A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04132448U (ja) * | 1991-05-31 | 1992-12-08 | 昭和アルミニウム株式会社 | 吸気マニホルド |
| US9543902B2 (en) | 2015-03-24 | 2017-01-10 | Mitsubishi Electric Corporation | Power amplifier |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6135006A (ja) | 1986-02-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5009500B2 (ja) | Ｒｆパワーデバイス及びｒｆパワートランジスタデバイスにおける直線性を改善する方法 | |
| US5274341A (en) | High-frequency power amplifier | |
| JP2892452B2 (ja) | 増幅回路 | |
| JPH0732335B2 (ja) | 高周波増幅器 | |
| JP2002171138A (ja) | マイクロ波電力増幅器 | |
| KR100335681B1 (ko) | 반도체장치 | |
| US6670801B2 (en) | Second harmonic tuning of an active RF device | |
| JPH0261175B2 (ja) | ||
| JP3209168B2 (ja) | マイクロ波増幅器用バイアス回路 | |
| JP3439344B2 (ja) | 半導体増幅器 | |
| JP3006252B2 (ja) | 半導体増幅器 | |
| JPH1141042A (ja) | マイクロ波増幅器 | |
| JP3412292B2 (ja) | 高調波抑圧回路 | |
| JPH0376604B2 (ja) | ||
| JPH04298105A (ja) | 半導体増幅器 | |
| JPH0918255A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63204912A (ja) | 半導体増幅器 | |
| JP2881043B2 (ja) | 高周波線形増幅器 | |
| JPH06276038A (ja) | 高周波低雑音増幅器 | |
| JP2001257546A (ja) | 高周波電力増幅器 | |
| JPH09162657A (ja) | マイクロ波電力増幅回路 | |
| JPH0535923B2 (ja) | ||
| JP3120762B2 (ja) | 増幅器 | |
| JPH06216670A (ja) | 高出力増幅器 | |
| JPH05291842A (ja) | 電力回路 |