JP2001257546A - 高周波電力増幅器 - Google Patents
高周波電力増幅器Info
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- JP2001257546A JP2001257546A JP2001044739A JP2001044739A JP2001257546A JP 2001257546 A JP2001257546 A JP 2001257546A JP 2001044739 A JP2001044739 A JP 2001044739A JP 2001044739 A JP2001044739 A JP 2001044739A JP 2001257546 A JP2001257546 A JP 2001257546A
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- fets
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- fet
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基本波と３次高調波のインピーダンスを同時
に、また容易に最適化でき、さらに高効率でかつ小型の
高周波電力増幅器を提供することを目的とする。 【解決手段】 パッケージ内に、複数のＦＥＴ３０６
と、同一の高誘電率基板３０４上に形成された２つの電
極３７１とを形成し、電極３７１のうち一方を、少なく
とも一つのＦＥＴ３０６の信号入力側に接続し、他方の
電極３７１を、他のＦＥＴ３０６の信号入力側に接続す
る。
に、また容易に最適化でき、さらに高効率でかつ小型の
高周波電力増幅器を提供することを目的とする。 【解決手段】 パッケージ内に、複数のＦＥＴ３０６
と、同一の高誘電率基板３０４上に形成された２つの電
極３７１とを形成し、電極３７１のうち一方を、少なく
とも一つのＦＥＴ３０６の信号入力側に接続し、他方の
電極３７１を、他のＦＥＴ３０６の信号入力側に接続す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電力増幅器に関す
るものである。
るものである。
【０００２】
【従来の技術】以下、従来の高周波電力増幅器について
説明する。
説明する。
【０００３】従来、２つの電力増幅素子（ＦＥＴ）を逆
位相で動作させ、各々の増幅素子からの出力信号を合成
して出力するプッシュプル型電力増幅回路が知られてい
る。
位相で動作させ、各々の増幅素子からの出力信号を合成
して出力するプッシュプル型電力増幅回路が知られてい
る。
【０００４】図４は、従来の高周波電力増幅器（特開平
５−２９８５１号公報）を示す。図４において、入力端
子４０１から入力された信号は、電力分配器４０２によ
って、互いに逆位相で同振幅の信号に２分配され、入力
側の整合回路４０３を介して、並列接続された一対のＦ
ＥＴ４０５に入力される。ＦＥＴ４０５のゲートは、抵
抗４０４を介して、またドレインは、コイル４０９を介
してそれぞれバイアスされる。各々のＦＥＴ４０５の出
力端に設けられた分布定数線路４０６はコンデンサ４１
０を介して電力合成器４１１に接続されている。分布定
数線路４０６における、ＦＥＴ４０５の出力端から増幅
すべき基本波波長の１／１２の長さの所では、一対の分
布定数線路４０６が３次高調波制御用のコンデンサ４０
７を介して接続されている。さらに、コンデンサ４０７
と分布定数線路４０６との接続位置と、電力合成器４１
１との間で、一対の分布定数線路４０６が基本波制御用
のコンデンサ４０８を介して接続されている。
５−２９８５１号公報）を示す。図４において、入力端
子４０１から入力された信号は、電力分配器４０２によ
って、互いに逆位相で同振幅の信号に２分配され、入力
側の整合回路４０３を介して、並列接続された一対のＦ
ＥＴ４０５に入力される。ＦＥＴ４０５のゲートは、抵
抗４０４を介して、またドレインは、コイル４０９を介
してそれぞれバイアスされる。各々のＦＥＴ４０５の出
力端に設けられた分布定数線路４０６はコンデンサ４１
０を介して電力合成器４１１に接続されている。分布定
数線路４０６における、ＦＥＴ４０５の出力端から増幅
すべき基本波波長の１／１２の長さの所では、一対の分
布定数線路４０６が３次高調波制御用のコンデンサ４０
７を介して接続されている。さらに、コンデンサ４０７
と分布定数線路４０６との接続位置と、電力合成器４１
１との間で、一対の分布定数線路４０６が基本波制御用
のコンデンサ４０８を介して接続されている。
【０００５】一対のＦＥＴ４０５によって増幅された逆
位相で同振幅の各々の信号は、分布定数線路４０６、コ
ンデンサ４０７、コンデンサ４０８、コンデンサ４１０
から構成される出力側の整合回路４２０を介して電力合
成器４１１に入力され、合成されて出力端子４１２に至
る。
位相で同振幅の各々の信号は、分布定数線路４０６、コ
ンデンサ４０７、コンデンサ４０８、コンデンサ４１０
から構成される出力側の整合回路４２０を介して電力合
成器４１１に入力され、合成されて出力端子４１２に至
る。
【０００６】このような従来の高周波電力増幅器では、
ＦＥＴ４０５の出力端において３次高調波に対する負荷
インピーダンスが、分布定数線路４０６とコンデンサ４
０７により、開放に近い高インピーダンス状態となり、
一対のＦＥＴ４０５は高効率で動作する。
ＦＥＴ４０５の出力端において３次高調波に対する負荷
インピーダンスが、分布定数線路４０６とコンデンサ４
０７により、開放に近い高インピーダンス状態となり、
一対のＦＥＴ４０５は高効率で動作する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】携帯電話をはじめとす
る無線通信機器に用いられる送信用の高周波電力増幅器
には、一般に高出力、高効率動作が求められる。高周波
電力増幅器を構成する電力増幅素子が本来有する特性を
最大限に引き出すためには、電力増幅素子の入力端およ
び出力端での負荷インピーダンスが限定された値をとる
ことになり、従って整合回路の作成には非常に微妙な調
節が要求される。
る無線通信機器に用いられる送信用の高周波電力増幅器
には、一般に高出力、高効率動作が求められる。高周波
電力増幅器を構成する電力増幅素子が本来有する特性を
最大限に引き出すためには、電力増幅素子の入力端およ
び出力端での負荷インピーダンスが限定された値をとる
ことになり、従って整合回路の作成には非常に微妙な調
節が要求される。
【０００８】しかしながら、上記従来の高周波電力増幅
器では、基本波制御用のコンデンサと３次高調波制御用
のコンデンサとが同じ分布定数線路と接合して配置され
ているために、電力増幅素子の出力端における負荷イン
ピーダンスの制御が複雑となり、基本波と３次高調波と
のそれぞれに対して同時に最適な負荷インピーダンスを
満足するのは困難である。
器では、基本波制御用のコンデンサと３次高調波制御用
のコンデンサとが同じ分布定数線路と接合して配置され
ているために、電力増幅素子の出力端における負荷イン
ピーダンスの制御が複雑となり、基本波と３次高調波と
のそれぞれに対して同時に最適な負荷インピーダンスを
満足するのは困難である。
【０００９】本発明は、基本波と３次高調波のインピー
ダンスを同時に、また容易に最適化でき、さらに高効率
でかつ小型の高周波電力増幅器を提供することを目的と
する。
ダンスを同時に、また容易に最適化でき、さらに高効率
でかつ小型の高周波電力増幅器を提供することを目的と
する。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の高周波電力増幅
器は、複数のＦＥＴと、同一の高誘電率基板上に形成さ
れた２つの電極とを有し、前記電極のうち一方は、少な
くとも一つの前記ＦＥＴの信号入力側に接続されてお
り、他方の電極は、他のＦＥＴの信号入力側に接続され
ているものである。
器は、複数のＦＥＴと、同一の高誘電率基板上に形成さ
れた２つの電極とを有し、前記電極のうち一方は、少な
くとも一つの前記ＦＥＴの信号入力側に接続されてお
り、他方の電極は、他のＦＥＴの信号入力側に接続され
ているものである。
【００１１】本発明の他の高周波電力増幅器は、複数の
ＦＥＴと、同一の高誘電率基板上に形成された２つの電
極とを有し、前記電極のうち一方は、少なくとも一つの
前記ＦＥＴの信号出力側に接続されており、他方の電極
は、他のＦＥＴの信号出力側に接続されているものであ
る。
ＦＥＴと、同一の高誘電率基板上に形成された２つの電
極とを有し、前記電極のうち一方は、少なくとも一つの
前記ＦＥＴの信号出力側に接続されており、他方の電極
は、他のＦＥＴの信号出力側に接続されているものであ
る。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図１〜図３を用いて説明する。
て、図１〜図３を用いて説明する。
【００１３】（実施の形態１）以下、本発明の実施の形
態１における高周波電力増幅器の動作について説明し、
併せてその構成についても説明する。
態１における高周波電力増幅器の動作について説明し、
併せてその構成についても説明する。
【００１４】図１は、本発明による高効率の高周波電力
増幅器を示す。図１において、入力端子１０１から入力
された信号は、電力分配器１０２により１８０°の位相
差をもった同振幅の２信号に分割される。これらの信号
は、直流カット用のコンデンサ１０３を介して、マイク
ロストリップ線路１５１、コンデンサ１５２よりなる入
力側の基本波の整合回路１５０を通過して電力増幅素子
（以下、「ＦＥＴ」）１０５に入力される。ＦＥＴ１０
５のゲートは、ゲートバイアス供給用の抵抗１０４を介
してバイアスされ、ドレインは、ドレインバイアス供給
用のコイル１０６を介してバイアスされている。ＦＥＴ
１０５に入力された信号は増幅されて出力されるが、入
力信号の電力振幅が大きいときは、ＦＥＴ１０５からは
基本波だけでなく高調波も発生する。一対のＦＥＴ１０
５への各々の入力信号は１８０°の位相差をもつため
に、各々のＦＥＴ１０５の入力端同士および出力端同士
での信号を比較すると、基本波および奇数次高調波は１
８０°の、偶数次高調波は０°の位相差を持つ。
増幅器を示す。図１において、入力端子１０１から入力
された信号は、電力分配器１０２により１８０°の位相
差をもった同振幅の２信号に分割される。これらの信号
は、直流カット用のコンデンサ１０３を介して、マイク
ロストリップ線路１５１、コンデンサ１５２よりなる入
力側の基本波の整合回路１５０を通過して電力増幅素子
（以下、「ＦＥＴ」）１０５に入力される。ＦＥＴ１０
５のゲートは、ゲートバイアス供給用の抵抗１０４を介
してバイアスされ、ドレインは、ドレインバイアス供給
用のコイル１０６を介してバイアスされている。ＦＥＴ
１０５に入力された信号は増幅されて出力されるが、入
力信号の電力振幅が大きいときは、ＦＥＴ１０５からは
基本波だけでなく高調波も発生する。一対のＦＥＴ１０
５への各々の入力信号は１８０°の位相差をもつため
に、各々のＦＥＴ１０５の入力端同士および出力端同士
での信号を比較すると、基本波および奇数次高調波は１
８０°の、偶数次高調波は０°の位相差を持つ。
【００１５】各々のＦＥＴ１０５の出力端１９１と出力
端１９２は、λ／１２（λは基本波の波長）のマイクロ
ストリップ線路１７１、１７３でコンデンサ１７２を挟
みこんだ対称構造の３次高調波制御回路１７０で接続さ
れる。
端１９２は、λ／１２（λは基本波の波長）のマイクロ
ストリップ線路１７１、１７３でコンデンサ１７２を挟
みこんだ対称構造の３次高調波制御回路１７０で接続さ
れる。
【００１６】図２は、３次高調波制御回路１７０の奇数
次高調波に対する等価回路を示す。図１における３次高
調波制御回路１７０は、図２における出力端１９１およ
び出力端１９２からλ／１２のマイクロストリップ線路
２０１とコンデンサ２０２が直列接続され接地されて構
成されるものと等価である。
次高調波に対する等価回路を示す。図１における３次高
調波制御回路１７０は、図２における出力端１９１およ
び出力端１９２からλ／１２のマイクロストリップ線路
２０１とコンデンサ２０２が直列接続され接地されて構
成されるものと等価である。
【００１７】コンデンサ１７２の容量値を調節すること
により、ＦＥＴ１０５の出力端１９１および出力端１９
２での３次高調波に対する負荷インピーダンスは、開放
に近い高インピーダンス状態に保たれている。
により、ＦＥＴ１０５の出力端１９１および出力端１９
２での３次高調波に対する負荷インピーダンスは、開放
に近い高インピーダンス状態に保たれている。
【００１８】同様に入力側においても、一対のＦＥＴ１
０５の入力端同士は、λ／１２のマイクロストリップ線
路１６１、１６３でコンデンサ１６２を挟みこんだ３次
高調波制御回路１６０で接続される。３次高調波制御回
路１６０は、３次高調波制御回路１７０と同様に、奇数
次高調波に対しては図２の等価回路で表わされ、ＦＥＴ
１０５の入力端での３次高調波に対するインピーダンス
は開放に近い高インピーダンスに調節されている。
０５の入力端同士は、λ／１２のマイクロストリップ線
路１６１、１６３でコンデンサ１６２を挟みこんだ３次
高調波制御回路１６０で接続される。３次高調波制御回
路１６０は、３次高調波制御回路１７０と同様に、奇数
次高調波に対しては図２の等価回路で表わされ、ＦＥＴ
１０５の入力端での３次高調波に対するインピーダンス
は開放に近い高インピーダンスに調節されている。
【００１９】一対のＦＥＴ１０５からの出力信号は、マ
イクロストリップ線路１８１、コンデンサ１８２からな
る基本波整合回路１８０を経由し、直流カット用コンデ
ンサ１０７を介して電力分配器１０８に入力される。こ
のように電力分配器１０８に入力された、互いに基本波
が１８０°の位相差をもつ２つの信号は合成されて出力
端子１０９から出力される。
イクロストリップ線路１８１、コンデンサ１８２からな
る基本波整合回路１８０を経由し、直流カット用コンデ
ンサ１０７を介して電力分配器１０８に入力される。こ
のように電力分配器１０８に入力された、互いに基本波
が１８０°の位相差をもつ２つの信号は合成されて出力
端子１０９から出力される。
【００２０】以上の構成により、３次高調波制御回路１
７０は、基本波の整合回路１５０、１８０とは独立して
おり、ＦＥＴ１０５の入出力端の直近に接続されている
ため、３次高調波制御回路１７０を最適化しておけば、
基本波の整合回路１５０、１８０を微調節しても、ＦＥ
Ｔ１０５の入力端および出力端での３次高調波に対する
負荷インピーダンスは開放に近い高インピーダンス状態
に維持される。このため、基本波と３次高調波のインピ
ーダンスを同時に、また容易に最適化でき、さらに高効
率でかつ小型の高周波電力増幅器を提供することができ
る。
７０は、基本波の整合回路１５０、１８０とは独立して
おり、ＦＥＴ１０５の入出力端の直近に接続されている
ため、３次高調波制御回路１７０を最適化しておけば、
基本波の整合回路１５０、１８０を微調節しても、ＦＥ
Ｔ１０５の入力端および出力端での３次高調波に対する
負荷インピーダンスは開放に近い高インピーダンス状態
に維持される。このため、基本波と３次高調波のインピ
ーダンスを同時に、また容易に最適化でき、さらに高効
率でかつ小型の高周波電力増幅器を提供することができ
る。
【００２１】（実施の形態２）次に、本発明の実施の形
態２における高周波電力増幅器について説明する。
態２における高周波電力増幅器について説明する。
【００２２】図３は、本発明の実施の形態２における高
周波電力増幅器の上面図を示す。図３において、パッケ
ージ３０１に搭載されたＦＥＴチップ３０６は、ボンデ
ィングワイヤ３０５により、入力側に設けられた平行平
板状の高誘電率基板３０４上に形成された電極３７１と
接続されており、同様に、ＦＥＴチップ３０６は、出力
側に搭載された平行平板状の高誘電率基板３０８上の電
極３７２とボンディングワイヤ３０７により接続されて
いる。
周波電力増幅器の上面図を示す。図３において、パッケ
ージ３０１に搭載されたＦＥＴチップ３０６は、ボンデ
ィングワイヤ３０５により、入力側に設けられた平行平
板状の高誘電率基板３０４上に形成された電極３７１と
接続されており、同様に、ＦＥＴチップ３０６は、出力
側に搭載された平行平板状の高誘電率基板３０８上の電
極３７２とボンディングワイヤ３０７により接続されて
いる。
【００２３】さらに、高誘電率基板３０４の電極３７１
は、パッケージ３０１の入力側電極３８１とボンディン
グワイヤ３０３で接続されており、同様に、高誘電率基
板３０８の電極３７２はパッケージ３０１の出力側電極
３８２とボンディングワイヤ３０９により接続されてい
る。
は、パッケージ３０１の入力側電極３８１とボンディン
グワイヤ３０３で接続されており、同様に、高誘電率基
板３０８の電極３７２はパッケージ３０１の出力側電極
３８２とボンディングワイヤ３０９により接続されてい
る。
【００２４】次に、本発明の実施の形態２における高周
波電力増幅器の動作について説明する。パッケージ３０
１の入力端子３０２から入力された信号は、電極３８
１、ボンディングワイヤ３０３、電極３７１およびボン
ディングワイヤ３０５を経由してＦＥＴ３０６に入力さ
れる。
波電力増幅器の動作について説明する。パッケージ３０
１の入力端子３０２から入力された信号は、電極３８
１、ボンディングワイヤ３０３、電極３７１およびボン
ディングワイヤ３０５を経由してＦＥＴ３０６に入力さ
れる。
【００２５】ＦＥＴ３０６で高出力を得るためには、Ｆ
ＥＴ３０６のゲート幅を大きくする必要があるが、それ
に伴いＦＥＴ３０６の入出力のインピーダンスが小さく
なる。入力インピーダンスが小さくなると、外部の整合
回路とのインピーダンスの比が大きくなり、整合回路の
インピーダンス変換損失が大きくなってしまう。そこ
で、ＦＥＴ３０６の入力端のできるだけ近傍に高誘電率
基板３０４をボンディングワイヤ３０５、３０３で接続
することによってパッケージ３０１の入力端３０２での
インピーダンスを高く変換し、外部の整合回路における
インピーダンス変換損失を抑制する手法が用いられる。
出力側も同様である。このような回路はパッケージ３０
１内に搭載されるため内部整合と呼ばれる。
ＥＴ３０６のゲート幅を大きくする必要があるが、それ
に伴いＦＥＴ３０６の入出力のインピーダンスが小さく
なる。入力インピーダンスが小さくなると、外部の整合
回路とのインピーダンスの比が大きくなり、整合回路の
インピーダンス変換損失が大きくなってしまう。そこ
で、ＦＥＴ３０６の入力端のできるだけ近傍に高誘電率
基板３０４をボンディングワイヤ３０５、３０３で接続
することによってパッケージ３０１の入力端３０２での
インピーダンスを高く変換し、外部の整合回路における
インピーダンス変換損失を抑制する手法が用いられる。
出力側も同様である。このような回路はパッケージ３０
１内に搭載されるため内部整合と呼ばれる。
【００２６】ＦＥＴ３０６に入力された信号は、増幅さ
れ出力されるが、入力信号の振幅が大きいとＦＥＴ３０
６からは基本波だけでなく高調波も発生する。一対のＦ
ＥＴ３０６に入力された各々の信号は１８０°の位相差
があるため、一対のＦＥＴ３０６の入力端同士、および
出力端同士の信号を比較すると、基本波および奇数次高
調波は１８０°の、偶数次高調波は０°の位相差を持つ
ことになる。
れ出力されるが、入力信号の振幅が大きいとＦＥＴ３０
６からは基本波だけでなく高調波も発生する。一対のＦ
ＥＴ３０６に入力された各々の信号は１８０°の位相差
があるため、一対のＦＥＴ３０６の入力端同士、および
出力端同士の信号を比較すると、基本波および奇数次高
調波は１８０°の、偶数次高調波は０°の位相差を持つ
ことになる。
【００２７】高誘電率基板３０４に形成された一対の電
極３７１は、λ／１２のマイクロストリップ線路３５
１、３５３でチップコンデンサ３５２を挟みこんだ対称
構造の３次高調波制御回路３５０で接続されている。実
施の形態１において説明したように、３次高調波制御回
路３５０は、図２に示した等価回路で表わされ、ＦＥＴ
３０６の入力端での奇数次高調波に対する負荷インピー
ダンスは開放に近い高インピーダンス状態に保たれる。
極３７１は、λ／１２のマイクロストリップ線路３５
１、３５３でチップコンデンサ３５２を挟みこんだ対称
構造の３次高調波制御回路３５０で接続されている。実
施の形態１において説明したように、３次高調波制御回
路３５０は、図２に示した等価回路で表わされ、ＦＥＴ
３０６の入力端での奇数次高調波に対する負荷インピー
ダンスは開放に近い高インピーダンス状態に保たれる。
【００２８】さらに、ＦＥＴ３０６からの出力信号は、
ボンディングワイヤ３０７、電極３７２、ボンディング
ワイヤ３０９、電極３８２を経由して出力端子３１０か
ら出力される。
ボンディングワイヤ３０７、電極３７２、ボンディング
ワイヤ３０９、電極３８２を経由して出力端子３１０か
ら出力される。
【００２９】出力側の高誘電率基板３０８には、入力側
の高誘電率基板３０４と同様に、λ／１２のマイクロス
トリップ線路３６１、３６３でチップコンデンサ３６２
を挟みこんだ対称構造の３次高調波制御回路３６０が形
成されており、ＦＥＴ３０６の出力端での奇数次高調波
に対する負荷インピーダンスは開放に近い高インピーダ
ンスに調節されている。
の高誘電率基板３０４と同様に、λ／１２のマイクロス
トリップ線路３６１、３６３でチップコンデンサ３６２
を挟みこんだ対称構造の３次高調波制御回路３６０が形
成されており、ＦＥＴ３０６の出力端での奇数次高調波
に対する負荷インピーダンスは開放に近い高インピーダ
ンスに調節されている。
【００３０】このように、３次高調波制御回路３５０、
３６０が高誘電率基板３０４、３０８上に形成されてい
るので、λ／１２のマイクロストリップ線路３５１、３
６１を短くすることができる。このため、高周波電力増
幅器が大型化しない。
３６０が高誘電率基板３０４、３０８上に形成されてい
るので、λ／１２のマイクロストリップ線路３５１、３
６１を短くすることができる。このため、高周波電力増
幅器が大型化しない。
【００３１】
【発明の効果】以上、本発明によれば、一対の電力増幅
素子がお互い逆位相で動作するプッシュプル型電力増幅
器において、回路を大型化することなく、電力増幅素子
の入力端および出力端で３次高調波に対する負荷インピ
ーダンスを開放に近い高インピーダンス状態にしなが
ら、基本波に対して最適整合を容易に実現できる。
素子がお互い逆位相で動作するプッシュプル型電力増幅
器において、回路を大型化することなく、電力増幅素子
の入力端および出力端で３次高調波に対する負荷インピ
ーダンスを開放に近い高インピーダンス状態にしなが
ら、基本波に対して最適整合を容易に実現できる。
【図１】本発明の実施の形態１における高周波電力増幅
器を示す図
器を示す図
【図２】本発明の実施の形態１および２における３次高
調波制御回路の等価回路を示す図
調波制御回路の等価回路を示す図
【図３】本発明の実施の形態２における電力増幅器の上
面図
面図
【図４】従来の高周波電力増幅器を示す図
１０１ 入力端子 １０２ 電力分配器 １０３ コンデンサ １０４ 抵抗 １０５ ＦＥＴ １０６ コイル １０７ コンデンサ １０８ 電力分配器 １０９ 出力端子 １５０ 整合回路 １５１ マイクロストリップ線路 １５２ コンデンサ １６０ ３次高調波制御回路 １６１ マイクロストリップ線路 １６２ コンデンサ １６３ マイクロストリップ線路 １７０ ３次高調波制御回路 １７１ マイクロストリップ線路 １７２ コンデンサ １７３ マイクロストリップ線路 １８０ 整合回路 １８１ マイクロストリップ線路 １８２ コンデンサ ２００ ３次高調波制御回路の等価回路 ２０１ マイクロストリップ線路 ２０２ コンデンサ ３０１ パッケージ ３０２ 入力端子 ３０３ ボンディングワイヤ ３０４ 高誘電率基板 ３０５ ボンディングワイヤ ３０６ ＦＥＴ ３０７ ボンディングワイヤ ３０８ 高誘電率基板 ３０９ ボンディングワイヤ ３１０ 出力端子 ３５０ ３次高調波制御回路 ３５１ マイクロストリップ線路 ３５２ チップコンデンサ ３５３ マイクロストリップ線路 ３６０ ３次高調波制御回路 ３６１ マイクロストリップ線路 ３６２ チップコンデンサ ３６３ マイクロストリップ線路 ３７１，３７２，３８１，３８２ 電極 ４０１ 入力端子 ４０２ 電力分配器 ４０３ 整合回路 ４０４ 抵抗 ４０５ ＦＥＴ ４０６ 分布定数線路 ４０７ コンデンサ ４０８ コンデンサ ４０９ コイル ４１０ コンデンサ ４１１ 電力合成器 ４１２ 出力端子 ４２０ 整合回路
Claims (2)
- 【請求項１】 複数のＦＥＴと、同一の高誘電率基板上
に形成された２つの電極とを有し、前記電極のうち一方
は、少なくとも一つの前記ＦＥＴの信号入力側に接続さ
れており、他方の電極は、他のＦＥＴの信号入力側に接
続されていることを特徴とする高周波電力増幅器。 - 【請求項２】 複数のＦＥＴと、同一の高誘電率基板上
に形成された２つの電極とを有し、前記電極のうち一方
は、少なくとも一つの前記ＦＥＴの信号出力側に接続さ
れており、他方の電極は、他のＦＥＴの信号出力側に接
続されていることを特徴とする高周波電力増幅器。
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|---|---|---|---|
| JP2001044739A JP2001257546A (ja) | 2001-02-21 | 2001-02-21 | 高周波電力増幅器 |
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|---|---|---|---|
| JP2001044739A JP2001257546A (ja) | 2001-02-21 | 2001-02-21 | 高周波電力増幅器 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10051705A Division JPH11251849A (ja) | 1998-03-04 | 1998-03-04 | 高周波電力増幅器 |
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|---|---|---|---|
| JP2001044739A Pending JP2001257546A (ja) | 2001-02-21 | 2001-02-21 | 高周波電力増幅器 |
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|---|---|
| JP (1) | JP2001257546A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008199625A (ja) * | 2007-02-14 | 2008-08-28 | Postech Academy-Industry Foundation | ハーモニック制御回路を用いた高効率ドハティ電力増幅器 |
| WO2013001561A1 (ja) * | 2011-06-27 | 2013-01-03 | 三菱電機株式会社 | フィードフォワード増幅器、フィードバック増幅器および広帯域増幅器 |
| JP2015012578A (ja) * | 2013-07-02 | 2015-01-19 | 富士通株式会社 | 増幅装置 |
| WO2015029486A1 (ja) * | 2013-08-29 | 2015-03-05 | 三菱電機株式会社 | 高周波電力増幅器 |
-
2001
- 2001-02-21 JP JP2001044739A patent/JP2001257546A/ja active Pending
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| JPWO2015029486A1 (ja) * | 2013-08-29 | 2017-03-02 | 三菱電機株式会社 | 高周波電力増幅器 |
| US9602068B2 (en) | 2013-08-29 | 2017-03-21 | Mitsubishi Electric Corporation | High-frequency power amplifier |
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