JPH11251849A - 高周波電力増幅器 - Google Patents

高周波電力増幅器

Info

Publication number
JPH11251849A
JPH11251849A JP10051705A JP5170598A JPH11251849A JP H11251849 A JPH11251849 A JP H11251849A JP 10051705 A JP10051705 A JP 10051705A JP 5170598 A JP5170598 A JP 5170598A JP H11251849 A JPH11251849 A JP H11251849A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
power amplifier
capacitor
frequency power
output
control circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10051705A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigeru Morimoto
森本　　滋
Masahiro Maeda
昌宏 前田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP10051705A priority Critical patent/JPH11251849A/ja
Priority to EP99103766A priority patent/EP0940912B1/en
Priority to DE69907548T priority patent/DE69907548T2/de
Priority to US09/260,879 priority patent/US6201445B1/en
Publication of JPH11251849A publication Critical patent/JPH11251849A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/60—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
    • H03F3/602—Combinations of several amplifiers
    • H03F3/604—Combinations of several amplifiers using FET's

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microwave Amplifiers (AREA)
  • Transmitters (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 無線通信機器の送信部に用いる高周波電力増
幅器を高効率動作することを目的とする。 【解決手段】 パッケージ内に、一対の電力増幅素子１
０５と、入力側に設けられ、前記電力増幅素子１０５の
各々に同振幅で逆位相の信号を分配する電力分配器１０
２と、出力側に設けられ、前記電力増幅素子１０５の各
々から出力される同振幅で逆位相の信号を合成するため
の電力合成器１０８とを有し、各々の前記電力増幅素子
１０５の出力端同士が、基本波波長の十二分の一の長さ
を有する伝送線路１７１とコンデンサ１７２と基本波波
長の十二分の一の長さを有する伝送線路１７３とを順次
直列に接続して構成される３次高調波制御回路１７０を
介して接続される高周波電力増幅器を構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電力増幅器、とくに
マイクロ波帯において高効率で動作するプッシュプル型
の高出力電力増幅器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】以下、従来の高周波電力増幅器について
説明する。
【０００３】従来、二つの電力増幅素子（ＦＥＴ）を逆
位相で動作させ、各々の増幅素子からの出力信号を合成
して出力するプッシュプル型電力増幅回路が知られてい
る。
【０００４】図４は、従来の高周波電力増幅器（特開平
５−２９８５１号公報）を示す。図４において、入力端
子４０１から入力された信号は、電力分配器４０２によ
って、互いに逆位相で同振幅の信号に２分配され、入力
側の整合回路４０３を介して、並列接続された一対のＦ
ＥＴ４０５に入力される。ＦＥＴ４０５のゲートは、抵
抗４０４を介して、またドレインは、コイル４０９を介
してそれぞれバイアスされる。各々のＦＥＴ４０５の出
力端に設けられた分布定数線路４０６はコンデンサ４１
０を介して電力合成器４１１に接続されている。分布定
数線路４０６における、ＦＥＴ４０５の出力端から増幅
すべき基本波波長の１／１２の長さの所では、一対の分
布定数線路４０６が３次高調波制御用のコンデンサ４０
７を介して接続されている。さらに、コンデンサ４０７
と分布定数線路４０６との接続位置と、電力合成器４１
１との間で、一対の分布定数線路４０６が基本波制御用
のコンデンサ４０８を介して接続されている。
【０００５】一対のＦＥＴ４０５によって増幅された逆
位相で同振幅の各々の信号は、分布定数線路４０６、コ
ンデンサ４０７、コンデンサ４０８、コンデンサ４１０
から構成される出力側の整合回路４２０を介して電力合
成器４１１に入力され、合成されて出力端子４１２に至
る。
【０００６】このような従来の高周波電力増幅器では、
ＦＥＴ４０５の出力端において３次高調波に対する負荷
インピーダンスが、分布定数線路４０６とコンデンサ４
０７により、開放に近い高インピーダンス状態となり、
一対のＦＥＴ４０５は高効率で動作する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】携帯電話をはじめとす
る無線通信機器に用いられる送信用の高周波電力増幅器
には、一般に高出力、高効率動作が求められる。高周波
電力増幅器を構成する電力増幅素子が本来有する特性を
最大限に引き出すためには、電力増幅素子の入力端およ
び出力端での負荷インピーダンスが限定された値をとる
ことになり、従って整合回路の作成には非常に微妙な調
節が要求される。
【０００８】しかしながら、上記従来の高周波電力増幅
器では、基本波制御用のコンデンサと３次高調波制御用
のコンデンサとが同じ分布定数線路と接合して配置され
ているために、電力増幅素子の出力端における負荷イン
ピーダンスの制御が複雑となり、基本波と３次高調波と
のそれぞれに対して同時に最適な負荷インピーダンスを
満足するのは困難である。
【０００９】本発明は、基本波と３次高調波のインピー
ダンスを同時に、また容易に最適化でき、さらに高効率
でかつ小型の高周波電力増幅器を提供することを目的と
する。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の高周波電力増幅器は、パッケージ内に、一
対の電力増幅素子と、入力側に設けられ、前記電力増幅
素子の各々に同振幅で逆位相の信号を分配する電力分配
器と、出力側に設けられ、前記電力増幅素子の各々から
出力される同振幅で逆位相の信号を合成するための電力
合成器とを有し、各々の前記電力増幅素子の出力端同士
が、基本波波長の十二分の一の長さを有する伝送線路と
コンデンサと基本波波長の十二分の一の長さを有する伝
送線路とを順次直列に接続して構成される３次高調波制
御回路を介して接続されているものである。これによ
り、電力増幅素子の入力端および出力端で３次高調波に
対する負荷インピーダンスを開放に近い高インピーダン
ス状態にし、かつ基本波に対して最適整合を容易に実現
できる。
【００１１】また、電力増幅素子の入出力インピーダン
スが非常に小さい場合に、整合を取り易くするため、入
力端近傍および出力端近傍に小型の高誘電率基板を配置
しボンディングワイヤで接続してインピーダンスを高く
し整合を取り易くした内部整合方式を採用している場合
には、３次高調波制御回路を内部整合用の誘電体基板上
に形成する。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図１〜図３を用いて説明する。
【００１３】（実施の形態１）以下、本発明の実施の形
態１における高周波電力増幅器の動作について説明し、
併せてその構成についても説明する。
【００１４】図１は、本発明による高効率の高周波電力
増幅器を示す。図１において、入力端子１０１から入力
された信号は、電力分配器１０２により１８０°の位相
差をもった同振幅の２信号に分割される。これらの信号
は、直流カット用のコンデンサ１０３を介して、マイク
ロストリップ線路１５１、コンデンサ１５２よりなる入
力側の基本波の整合回路１５０を通過して電力増幅素子
（以下、「ＦＥＴ」）１０５に入力される。ＦＥＴ１０
５のゲートは、ゲートバイアス供給用の抵抗１０４を介
してバイアスされ、ドレインは、ドレインバイアス供給
用のコイル１０６を介してバイアスされている。ＦＥＴ
１０５に入力された信号は増幅されて出力されるが、入
力信号の電力振幅が大きいときは、ＦＥＴ１０５からは
基本波だけでなく高調波も発生する。一対のＦＥＴ１０
５への各々の入力信号は１８０°の位相差をもつため
に、各々のＦＥＴ１０５の入力端同士および出力端同士
での信号を比較すると、基本波および奇数次高調波は１
８０°の、偶数次高調波には０°の位相差を持つ。
【００１５】各々のＦＥＴ１０５の出力端１９１と出力
端１９２は、λ／１２（λは基本波の波長）のマイクロ
ストリップ線路１７１、１７３でコンデンサ１７２を挟
みこんだ対称構造の３次高調波制御回路１７０で接続さ
れる。
【００１６】図２は、３次高調波制御回路１７０の奇数
次高調波に対する等価回路を示す。図１における３次高
調波制御回路１７０は、図２における出力端１９１およ
び出力端１９２からλ／１２のマイクロストリップ線路
２０１とコンデンサ２０２が直列接続され接地されて構
成されるものと等価である。
【００１７】コンデンサ１７２の容量値を調節すること
により、ＦＥＴ１０５の出力端１９１および出力端１９
２での３次高調波に対する負荷インピーダンスは、開放
に近い高インピーダンス状態に保たれている。
【００１８】同様に入力側においても、一対のＦＥＴ１
０５の入力端同士は、λ／１２のマイクロストリップ線
路１６１、１６３でコンデンサ１６２を挟みこんだ３次
高調波制御回路１６０で接続される。３次高調波制御回
路１６０は、３次高調波制御回路１７０と同様に、奇数
次高調波に対しては図２の等価回路で表わされ、ＦＥＴ
１０５の入力端での３次高調波に対するインピーダンス
は開放に近い高インピーダンスに調節されている。
【００１９】一対のＦＥＴ１０５からの出力信号は、マ
イクロストリップ線路１８１、コンデンサ１８２からな
る基本波整合回路１８０を経由し、直流カット用コンデ
ンサ１０７を介して電力分配器１０８に入力される。こ
のように電力分配器１０８に入力された、互いに基本波
が１８０°の位相差をもつ２つの信号は合成されて出力
端子１０９から出力される。
【００２０】以上の構成により、３次高調波制御回路１
７０は、基本波の整合回路１５０、１８０とは独立して
おり、ＦＥＴ１０５の入出力端の直近に接続されている
ため、３次高調波制御回路１７０を最適化しておけば、
基本波の整合回路１５０、１８０を微調節しても、ＦＥ
Ｔ１０５の入力端および出力端での３次高調波に対する
負荷インピーダンスは開放に近い高インピーダンス状態
に維持される。このため、基本波と３次高調波のインピ
ーダンスを同時に、また容易に最適化でき、さらに高効
率でかつ小型の高周波電力増幅器を提供することができ
る。
【００２１】（実施の形態２）次に、本発明の実施の形
態２における高周波電力増幅器について説明する。
【００２２】図３は、本発明の実施の形態２における高
周波電力増幅器の上面図を示す。図３において、パッケ
ージ３０１に搭載されたＦＥＴチップ３０６は、ボンデ
ィングワイヤ３０５により、入力側に設けられた平行平
板状の高誘電率基板３０４上に形成された電極３７１と
接続されており、同様に、ＦＥＴチップ３０６は、出力
側に搭載された平行平板状の高誘電率基板３０８上の電
極３７２とボンディングワイヤ３０７により接続されて
いる。
【００２３】さらに、高誘電率基板３０４の電極３７１
は、パッケージ３０１の入力側電極３８１とボンディン
グワイヤ３０３で接続されており、同様に、高誘電率基
板３０８の電極３７２はパッケージ３０１の出力側電極
３８２とボンディングワイヤ３０９により接続されてい
る。
【００２４】次に、本発明の実施の形態２における高周
波電力増幅器の動作について説明する。パッケージ３０
１の入力端子３０２から入力された信号は、電極３８
１、ボンディングワイヤ３０３、電極３７１およびボン
ディングワイヤ３０５を経由してＦＥＴ３０６に入力さ
れる。
【００２５】ＦＥＴ３０６で高出力を得るためには、Ｆ
ＥＴ３０６のゲート幅を大きくする必要があるが、それ
に伴いＦＥＴ３０６の入出力のインピーダンスが小さく
なる。入力インピーダンスが小さくなると、外部の整合
回路とのインピーダンスの比が大きくなり、整合回路の
インピーダンス変換損失が大きくなってしまう。そこ
で、ＦＥＴ３０６の入力端のできるだけ近傍に高誘電率
基板３０４をボンディングワイヤ３０５、３０３で接続
することによってパッケージ３０１の入力端３０２での
インピーダンスを高く変換し、外部の整合回路における
インピーダンス変換損失を抑制する手法が用いられる。
出力側も同様である。このような回路はパッケージ３０
１内に搭載されるため内部整合と呼ばれる。
【００２６】ＦＥＴ３０６に入力された信号は、増幅さ
れ出力されるが、入力信号の振幅が大きいとＦＥＴ３０
６からは基本波だけでなく高調波も発生する。一対のＦ
ＥＴ３０６に入力された各々の信号は１８０°の位相差
があるため、一対のＦＥＴ３０６の入力端同士、および
出力端同士の信号を比較すると、基本波および奇数次高
調波は１８０°の、偶数次高調波は０°の位相差を持つ
ことになる。
【００２７】高誘電率基板３０４に形成された１対の電
極３７１は、λ／１２のマイクロストリップ線路３５
１、３５３でチップコンデンサ３５２を挟みこんだ対称
構造の３次高調波制御回路３５０で接続されている。実
施の形態１において説明したように、３次高調波制御回
路３５０は、図２に示した等価回路で表わされ、ＦＥＴ
３０６の入力端での奇数次高調波に対する負荷インピー
ダンスは開放に近い高インピーダンス状態に保たれる。
【００２８】さらに、電力増幅素子３０６からの出力信
号は、ボンディングワイヤ３０７、電極３７２、ボンデ
ィングワイヤ３０９、電極３８２を経由して出力端子３
１０から出力される。
【００２９】出力側の高誘電率基板３０８には、入力側
の高誘電率基板３０４と同様に、λ／１２のマイクロス
トリップ線路３６１、３６３でチップコンデンサ３６２
を挟みこんだ対称構造の３次高調波制御回路３６０が形
成されており、ＦＥＴ３０６の出力端での奇数次高調波
に対する負荷インピーダンスは開放に近い高インピーダ
ンスに調節されている。
【００３０】このように、３次高調波制御回路３５０、
３６０が高誘電率基板３０４上に形成されているので、
λ／１２のマイクロストリップ線路３５１、３６１が短
くすることができる。このため、高周波電力増幅器が大
型化しない。
【００３１】
【発明の効果】以上、本発明によれば、一対の電力増幅
素子がお互い逆位相で動作するプッシュプル型電力増幅
器において、回路を大型化することなく、電力増幅素子
の入力端および出力端で３次高調波に対する負荷インピ
ーダンスを開放に近い高インピーダンス状態にしなが
ら、基本波に対して最適整合を容易に実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１における高周波電力増幅
器を示す図
【図２】本発明の実施の形態１および２における３次高
調波制御回路の等価回路を示す図
【図３】本発明の実施例の形態２における電力増幅器の
上面図
【図４】従来の高周波電力増幅器を示す図
【符号の説明】
１０１ 入力端子 １０２ 電力分配器 １０３ コンデンサ １０４ 抵抗 １０５ ＦＥＴ １０６ コイル １０７ コンデンサ １０８ 電力分配器 １０９ 出力端子 １５０ 整合回路 １５１ マイクロストリップ線路 １５２ コンデンサ １６０ ３次高調波制御回路 １６１ マイクロストリップ線路 １６２ コンデンサ １６３ マイクロストリップ線路 １７０ ３次高調波制御回路 １７１ マイクロストリップ線路 １７２ コンデンサ １７３ マイクロストリップ線路 １８０ 整合回路 １８１ マイクロストリップ線路 １８２ コンデンサ ２００ ３次高調波制御回路の等価回路 ２０１ マイクロストリップ線路 ２０２ コンデンサ ３０１ パッケージ ３０２ 入力端子 ３０３ ボンディングワイヤ ３０４ 高誘電率基板 ３０５ ボンデイングワイヤ ３０６ ＦＥＴ ３０７ ボンディングワイヤ ３０８ 高誘電率基板 ３０９ ボンデイングワイヤ ３１０ 出力端子 ３５０ ３次高調波制御回路 ３５１ マイクロストリップ線路 ３５２ チップコンデンサ ３５３ マイクロストリップ線路 ３６０ ３次高調波制御回路 ３６１ マイクロストリップ線路 ３６２ チップコンデンサ ３６３ マイクロストリップ線路 ３７１，３７２，３８１，３８２ 電極 ４０１ 入力端子 ４０２ 電力分配器 ４０３ 整合回路 ４０４ 抵抗 ４０５ ＦＥＴ ４０６ 分布定数線路 ４０７ コンデンサ ４０８ コンデンサ ４０９ コイル ４１０ コンデンサ ４１１ 電力合成器 ４１２ 出力端子 ４２０ 整合回路

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 パッケージ内に、一対の電力増幅素子
    と、入力側に設けられ、前記電力増幅素子の各々に同振
    幅で逆位相の信号を分配する電力分配器と、出力側に設
    けられ、前記電力増幅素子の各々から出力される同振幅
    で逆位相の信号を合成するための電力合成器とを有し、
    各々の前記電力増幅素子の出力端同士が、基本波波長の
    十二分の一の長さを有する伝送線路とコンデンサと基本
    波波長の十二分の一の長さを有する伝送線路とを順次直
    列に接続して構成される３次高調波制御回路を介して接
    続されていることを特徴とする高周波電力増幅器。
  2. 【請求項２】 各々の前記電力増幅素子の入力端同士が
    前記３次高調波制御回路を介して接続されていることを
    特徴とする請求項１記載の高周波電力増幅器
  3. 【請求項３】 前記３次高調波制御回路が、高誘電率基
    板上に形成されていることを特徴とする請求項１または
    請求項２記載の高周波電力増幅器。
JP10051705A 1998-03-04 1998-03-04 高周波電力増幅器 Pending JPH11251849A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10051705A JPH11251849A (ja) 1998-03-04 1998-03-04 高周波電力増幅器
EP99103766A EP0940912B1 (en) 1998-03-04 1999-02-26 High frequency power amplifier
DE69907548T DE69907548T2 (de) 1998-03-04 1999-02-26 Hochfrequenzleistungsverstärker
US09/260,879 US6201445B1 (en) 1998-03-04 1999-03-02 High frequency power amplifier

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10051705A JPH11251849A (ja) 1998-03-04 1998-03-04 高周波電力増幅器

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001044739A Division JP2001257546A (ja) 2001-02-21 2001-02-21 高周波電力増幅器

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11251849A true JPH11251849A (ja) 1999-09-17

Family

ID=12894322

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10051705A Pending JPH11251849A (ja) 1998-03-04 1998-03-04 高周波電力増幅器

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6201445B1 (ja)
EP (1) EP0940912B1 (ja)
JP (1) JPH11251849A (ja)
DE (1) DE69907548T2 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002164753A (ja) * 2000-11-29 2002-06-07 Mitsubishi Electric Corp 高周波電力増幅器
US6621347B2 (en) 2000-12-21 2003-09-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. RF power amplifier
US6768381B2 (en) 2000-03-27 2004-07-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor power amplifier and multistage monolithic integrated circuit
JP2005528836A (ja) * 2002-06-03 2005-09-22 テレフオンアクチーボラゲット エル エム エリクソン（パブル） 増幅回路、ジャイレータ回路、信号を増幅するためのフィルタ・デバイス及び方法
JP2007158648A (ja) * 2005-12-05 2007-06-21 Mitsubishi Electric Corp マイクロ波増幅器
JP2010531110A (ja) * 2007-06-22 2010-09-16 クリー インコーポレイテッド 内部安定回路を備えたｒｆトランジスタパッケージと内部安定回路を備えたｒｆトランジスタパッケージを形成する方法

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6148220A (en) 1997-04-25 2000-11-14 Triquint Semiconductor, Inc. Battery life extending technique for mobile wireless applications
FR2791553B1 (fr) * 1999-04-01 2001-07-06 Merck Biomaterial France Prothese de genou antero-postero-stabilisee
JP4206589B2 (ja) * 1999-12-02 2009-01-14 富士通株式会社 分布増幅器
US6265943B1 (en) * 2000-01-27 2001-07-24 Rf Micro Devices, Inc. Integrated RF power sensor that compensates for bias changes
EP1202446B1 (en) * 2000-10-23 2009-10-14 Panasonic Corporation Power amplifier
US6545541B2 (en) * 2001-05-29 2003-04-08 Ericsson Inc. Power amplifier embedded cell bias detection, methods of detecting bias in power amplifiers and systems utilizing embedded cell bias detection
US6621374B2 (en) * 2001-07-19 2003-09-16 Lockheed Martin Corporation Splitter/combiner using artificial transmission lines, and paralleled amplifier using same
US6614308B2 (en) * 2001-10-22 2003-09-02 Infineon Technologies Ag Multi-stage, high frequency, high power signal amplifier
JP2003174335A (ja) * 2001-12-05 2003-06-20 Mitsubishi Electric Corp 増幅器
US6624702B1 (en) 2002-04-05 2003-09-23 Rf Micro Devices, Inc. Automatic Vcc control for optimum power amplifier efficiency
US6686801B1 (en) * 2002-07-23 2004-02-03 Mediatek Inc. Power amplifier with distributed capacitor
US20040072554A1 (en) * 2002-10-15 2004-04-15 Triquint Semiconductor, Inc. Automatic-bias amplifier circuit
US7010284B2 (en) 2002-11-06 2006-03-07 Triquint Semiconductor, Inc. Wireless communications device including power detector circuit coupled to sample signal at interior node of amplifier
US20040070454A1 (en) * 2002-10-15 2004-04-15 Triquint Semiconductor, Inc. Continuous bias circuit and method for an amplifier
US6798295B2 (en) * 2002-12-13 2004-09-28 Cree Microwave, Inc. Single package multi-chip RF power amplifier
US6980057B2 (en) * 2003-06-26 2005-12-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Power amplifier, power distributor, and power combiner
US7190229B1 (en) * 2003-08-20 2007-03-13 Emhiser Research, Inc. Shared-current electronic systems with precise proportioning
JP2005086620A (ja) * 2003-09-10 2005-03-31 Sharp Corp バランス型の電力増幅器および高周波通信装置
US7177370B2 (en) * 2003-12-17 2007-02-13 Triquint Semiconductor, Inc. Method and architecture for dual-mode linear and saturated power amplifier operation
JP4743077B2 (ja) * 2006-10-23 2011-08-10 三菱電機株式会社 高周波電力増幅器
EP2124329A4 (en) * 2006-11-30 2011-01-12 Mitsubishi Electric Corp HIGH FREQUENCY AMPLIFICATION
US8076994B2 (en) * 2007-06-22 2011-12-13 Cree, Inc. RF power transistor packages with internal harmonic frequency reduction and methods of forming RF power transistor packages with internal harmonic frequency reduction
JP5238633B2 (ja) * 2009-07-27 2013-07-17 株式会社東芝 半導体装置
JP5631607B2 (ja) * 2009-08-21 2014-11-26 株式会社東芝 マルチチップモジュール構造を有する高周波回路
JP4948683B2 (ja) * 2010-06-21 2012-06-06 パナソニック株式会社 高周波増幅回路
US10110178B2 (en) * 2014-08-20 2018-10-23 Nxp Usa, Inc. Frequency selective isolation circuit and method for suppressing parametric oscillation
US9659847B2 (en) 2015-09-18 2017-05-23 Nxp Usa, Inc. Terminal structure for active power device
JP6973068B2 (ja) * 2017-12-28 2021-11-24 富士通株式会社 増幅器

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5111157A (en) * 1991-05-01 1992-05-05 General Electric Company Power amplifier for broad band operation at frequencies above one ghz and at decade watt power levels
JP2529038B2 (ja) * 1991-07-19 1996-08-28 株式会社日立製作所 高周波高効率電力増幅器
JP3060981B2 (ja) * 1997-02-21 2000-07-10 日本電気株式会社 マイクロ波増幅器

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6768381B2 (en) 2000-03-27 2004-07-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor power amplifier and multistage monolithic integrated circuit
JP2002164753A (ja) * 2000-11-29 2002-06-07 Mitsubishi Electric Corp 高周波電力増幅器
JP4601807B2 (ja) * 2000-11-29 2010-12-22 三菱電機株式会社 高周波電力増幅器
US6621347B2 (en) 2000-12-21 2003-09-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. RF power amplifier
JP2005528836A (ja) * 2002-06-03 2005-09-22 テレフオンアクチーボラゲット エル エム エリクソン（パブル） 増幅回路、ジャイレータ回路、信号を増幅するためのフィルタ・デバイス及び方法
JP2007158648A (ja) * 2005-12-05 2007-06-21 Mitsubishi Electric Corp マイクロ波増幅器
JP2010531110A (ja) * 2007-06-22 2010-09-16 クリー インコーポレイテッド 内部安定回路を備えたｒｆトランジスタパッケージと内部安定回路を備えたｒｆトランジスタパッケージを形成する方法
US8330265B2 (en) 2007-06-22 2012-12-11 Cree, Inc. RF transistor packages with internal stability network and methods of forming RF transistor packages with internal stability networks

Also Published As

Publication number Publication date
US6201445B1 (en) 2001-03-13
EP0940912A1 (en) 1999-09-08
DE69907548D1 (de) 2003-06-12
DE69907548T2 (de) 2004-03-18
EP0940912B1 (en) 2003-05-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH11251849A (ja) 高周波電力増幅器
JP4476534B2 (ja) 増幅器回路
US5274341A (en) High-frequency power amplifier
USRE42612E1 (en) Switched-mode power amplifier using lumped element impedance inverter for parallel combining
US7777571B2 (en) High frequency power amplifier
WO2012160755A1 (ja) 高周波増幅回路
JP2005536922A (ja) 高出力ドハティ増幅器
JP2513146B2 (ja) 高効率増幅回路
US8604883B2 (en) Class-C power amplifier
US8643438B2 (en) Class-AB power amplifier
JP2003115732A (ja) 半導体装置
JPH11103205A (ja) 半導体装置
US6621347B2 (en) RF power amplifier
JPH07183744A (ja) 高効率電力増幅器
JPH07307626A (ja) マイクロ波高出力増幅器
JPH11150431A (ja) マイクロ波増幅器用バイアス回路
JP2001257546A (ja) 高周波電力増幅器
JPH04298105A (ja) 半導体増幅器
JP2994231B2 (ja) 半導体装置
WO2000007296A1 (fr) Telephone portable
JP3018703B2 (ja) マイクロ波半導体増幅器
JP2002252529A (ja) 高周波電力増幅器
US20230025619A1 (en) Outphasing amplifier
JPS62209909A (ja) 超高周波半導体回路
JPH0574244B2 (ja)

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050329

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050520

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20050614