JP2529038B2 - 高周波高効率電力増幅器 - Google Patents
高周波高効率電力増幅器Info
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- JP2529038B2 JP2529038B2 JP3179213A JP17921391A JP2529038B2 JP 2529038 B2 JP2529038 B2 JP 2529038B2 JP 3179213 A JP3179213 A JP 3179213A JP 17921391 A JP17921391 A JP 17921391A JP 2529038 B2 JP2529038 B2 JP 2529038B2
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- Japan
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- fundamental wave
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- amplification element
- capacitor
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/60—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
- H03F3/602—Combinations of several amplifiers
- H03F3/604—Combinations of several amplifiers using FET's
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高周波電力増幅器、さら
に詳しく言えば、高周波領域で動作する増幅素子とその
出力部にインピ−ダンス整合素子を結合して電力増幅を
高効率で行なう増幅器に関する。
に詳しく言えば、高周波領域で動作する増幅素子とその
出力部にインピ−ダンス整合素子を結合して電力増幅を
高効率で行なう増幅器に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、電力増幅器を高効率で動作させる
ために、増幅すべき高周波信号及びその高調波に対する
インピ−ダンスを考慮した整合回路を設けることが知ら
れている。例えば、増幅素子の出力端で負荷側を見た場
合、偶数次高調波に対して零、奇数次高調波に対して無
限大のインピ−ダンスとすることにより理想的には素子
のドレイン効率を１００％にすることが出来る。
ために、増幅すべき高周波信号及びその高調波に対する
インピ−ダンスを考慮した整合回路を設けることが知ら
れている。例えば、増幅素子の出力端で負荷側を見た場
合、偶数次高調波に対して零、奇数次高調波に対して無
限大のインピ−ダンスとすることにより理想的には素子
のドレイン効率を１００％にすることが出来る。
【０００３】上述のような高調波に対するインピ−ダン
スを考慮した整合回路を設けた増幅器としては図６
（ａ）に示すように増幅素子７の出力側に、増幅すべき
信号（基本波）の１／４波長の長さの伝送線路９を経て
基本波で並列共振を起こす回路１８を設けたものが知ら
れている。この増幅回路においてゲ−ト電圧をピンチオ
フ点に設定し、入力信号を十分振り込んだ場合、増幅素
子のドレイン電圧ｖｄとドレイン電流ｉｄは同図（ｂ）
に示したような波形になる。すなわち、ドレイン電圧ｖ
ｄは基本波と奇数次高調波成分からなる矩形波に、ドレ
イン電流は基本波と偶数次高調波からなる半波整流波形
になり、電圧と電流が同時に存在することがないため素
子内での電力消費がなくなり効率１００％になる。
スを考慮した整合回路を設けた増幅器としては図６
（ａ）に示すように増幅素子７の出力側に、増幅すべき
信号（基本波）の１／４波長の長さの伝送線路９を経て
基本波で並列共振を起こす回路１８を設けたものが知ら
れている。この増幅回路においてゲ−ト電圧をピンチオ
フ点に設定し、入力信号を十分振り込んだ場合、増幅素
子のドレイン電圧ｖｄとドレイン電流ｉｄは同図（ｂ）
に示したような波形になる。すなわち、ドレイン電圧ｖ
ｄは基本波と奇数次高調波成分からなる矩形波に、ドレ
イン電流は基本波と偶数次高調波からなる半波整流波形
になり、電圧と電流が同時に存在することがないため素
子内での電力消費がなくなり効率１００％になる。
【０００４】しかしながら、実際の増幅器、特に高周波
領域においては、デバイスや回路に損失が生じ上述のよ
うな理想状態には至っていない。数百ＭＨｚ以上の高周
波領域で実現するための具体的手段として分布定数線路
を使い２次の高調波を制御した例が特許公開広報（昭５
８−１５９００２、昭５８−１１６８０８）において提
案されている。また、２つの増幅素子を並列動作させた
場合の例が学会（１９８０年電子情報通信学会春全国大
会ＳＣ−９−５）で報告されている。
領域においては、デバイスや回路に損失が生じ上述のよ
うな理想状態には至っていない。数百ＭＨｚ以上の高周
波領域で実現するための具体的手段として分布定数線路
を使い２次の高調波を制御した例が特許公開広報（昭５
８−１５９００２、昭５８−１１６８０８）において提
案されている。また、２つの増幅素子を並列動作させた
場合の例が学会（１９８０年電子情報通信学会春全国大
会ＳＣ−９−５）で報告されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】高効率を必要とする増
幅器は一般に送信用の電力増幅器として使用され、高効
率と共に高出力が要求される場合が多い。従来、高出力
化技術としては、２つの増幅素子を同相で働かせる並列
動作や逆相で働かせるプッシュプル動作が知られてい
る。
幅器は一般に送信用の電力増幅器として使用され、高効
率と共に高出力が要求される場合が多い。従来、高出力
化技術としては、２つの増幅素子を同相で働かせる並列
動作や逆相で働かせるプッシュプル動作が知られてい
る。
【０００６】本発明の目的は、高出力と高効率を両立さ
せるため、２つの増幅素子を互いに逆相で働かせるプッ
シュプル動作において、出力側の負荷回路として偶数時
高調波に対するインピ−ダンスを短絡、奇数時高調波に
対するインピ−ダンスを開放の条件を満足しつつ基本波
に対するインピ−ダンスとして整合条件が達成出来る回
路を設けた増幅器を実現することである。
せるため、２つの増幅素子を互いに逆相で働かせるプッ
シュプル動作において、出力側の負荷回路として偶数時
高調波に対するインピ−ダンスを短絡、奇数時高調波に
対するインピ−ダンスを開放の条件を満足しつつ基本波
に対するインピ−ダンスとして整合条件が達成出来る回
路を設けた増幅器を実現することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目標を達成
するため、一対の増幅素子の入力信号を互いに逆位相と
し、各々の増幅素子の出力端に分布定数線路を設け、前
記各々の分布定数線路の増幅素子の出力端から増幅すべ
き信号（基本波）の１／４波長の整数倍の所に基本波の
１／４波長の長さで一端を短絡したスタブを並列に接続
し、基本波の１／１２波長の所の各々の分布定数線路の
間にコンデンサを接続し、更に、このコンデンサの接続
位置と前記スタブの接続位置との間の各々の分布定数線
路の間に別のコンデンサを設けた。
するため、一対の増幅素子の入力信号を互いに逆位相と
し、各々の増幅素子の出力端に分布定数線路を設け、前
記各々の分布定数線路の増幅素子の出力端から増幅すべ
き信号（基本波）の１／４波長の整数倍の所に基本波の
１／４波長の長さで一端を短絡したスタブを並列に接続
し、基本波の１／１２波長の所の各々の分布定数線路の
間にコンデンサを接続し、更に、このコンデンサの接続
位置と前記スタブの接続位置との間の各々の分布定数線
路の間に別のコンデンサを設けた。
【０００８】上記分布定数線路としては中心導体がア−
ス導体上に誘電体を介して形成されるマイクロストリッ
プ線路や中心導体とア−ス導体が平面上に配置されるコ
−プレ−ナマイクロストリップ線路や中心導体の上下に
ア−ス導体が配置されるトリプレ−ト線路が使用され、
上記増幅素子としてはＦＥＴ等の半導体素子が使用され
る。
ス導体上に誘電体を介して形成されるマイクロストリッ
プ線路や中心導体とア−ス導体が平面上に配置されるコ
−プレ−ナマイクロストリップ線路や中心導体の上下に
ア−ス導体が配置されるトリプレ−ト線路が使用され、
上記増幅素子としてはＦＥＴ等の半導体素子が使用され
る。
【０００９】本発明の他の手段としては１／４波長の短
絡スタブ及び１／１２波長の位置に設けたコンデンサの
代わりに集中定数のＣとＬを用い基本波で並列共振を起
こす並列共振回路を配置する構成とする。
絡スタブ及び１／１２波長の位置に設けたコンデンサの
代わりに集中定数のＣとＬを用い基本波で並列共振を起
こす並列共振回路を配置する構成とする。
【００１０】
【作用】互いに逆位相の信号で励振された増幅素子の出
力側に現れる高周波信号の電圧波形を図４により説明す
る。同図（ａ）は基本回路構成を、同図（ｂ）は各々の
出力側伝送線路に現れる高周波信号電圧を示す。ｖ１，
ｖ２は各々の伝送線路に現れる基本波成分であり、ｖ１
２，ｖ２２はその２次高調波成分を示す。ｖ１とｖ２は
１８０度位相が異なる逆相となり、ｖ１２とｖ２２は同
相となる。説明は基本波と２次高調波について行なった
が同様に奇数次高調波は逆相、偶数次高調波は同相とな
る。
力側に現れる高周波信号の電圧波形を図４により説明す
る。同図（ａ）は基本回路構成を、同図（ｂ）は各々の
出力側伝送線路に現れる高周波信号電圧を示す。ｖ１，
ｖ２は各々の伝送線路に現れる基本波成分であり、ｖ１
２，ｖ２２はその２次高調波成分を示す。ｖ１とｖ２は
１８０度位相が異なる逆相となり、ｖ１２とｖ２２は同
相となる。説明は基本波と２次高調波について行なった
が同様に奇数次高調波は逆相、偶数次高調波は同相とな
る。
【００１１】このため、本発明の構成によれば、増幅素
子の出力端から負荷側を見たインピ−ダンスは２次高調
波（偶数次高調波）に対しては１／４波長の短絡スタブ
により短絡となる。また、伝送線路間に入れたコンデン
サは基本波と奇数次高調波にのみ影響を与え、偶数次高
調波に対しては伝送線路間に電位差が生じないため何ら
影響を与えない。このため、１／１２波長の位置に挿入
したコンデンサにより３次高調波に対して開放となり、
さらにもう一つのコンデンサにより基本波に対して整合
となるインピ−ダンスを実現できる。
子の出力端から負荷側を見たインピ−ダンスは２次高調
波（偶数次高調波）に対しては１／４波長の短絡スタブ
により短絡となる。また、伝送線路間に入れたコンデン
サは基本波と奇数次高調波にのみ影響を与え、偶数次高
調波に対しては伝送線路間に電位差が生じないため何ら
影響を与えない。このため、１／１２波長の位置に挿入
したコンデンサにより３次高調波に対して開放となり、
さらにもう一つのコンデンサにより基本波に対して整合
となるインピ−ダンスを実現できる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例について詳細に説明す
る。第一図は本発明による増幅器の実施例の構成図であ
る。入力端子１に加えられた信号は、位相反転回路２、
入力側整合回路３、４を経て一対の増幅素子７、８（Ｆ
ＥＴ：電界効果トランジスタ）のゲ−トに加えられ、ゲ
−トバイアスはバイアス端子５、６によりインダクタン
スＬ1、Ｌ2を通り印加される。各々のＦＥＴの出力端で
あるドレインに各々ストリップ線路構造の分布定数線路
９、１０を設け、前記各々の分布定数線路のドレイン端
から増幅すべき信号（基本波）の１／４波長（ｌ1）と
なるの所に基本波の１／４波長（ｌ2）の長さで一端を
コンデンサＣ3、Ｃ6で短絡したスタブ１１、１２を並列
に接続した。この短絡スタブは基本波や奇数次高調波に
対しては開放となり何ら影響しないが、偶数次高調波に
対しては線路との接続点において短絡となりドレイン端
で短絡となる。また、基本波の１／１２波長（ｌ3）の
所の各々の分布定数線路の間にコンデンサＣ1を接続し
ドレイン端で３次高調波に対して開放に近くなるように
している。更に、このコンデンサの接続位置と前記スタ
ブの接続位置との間の各々の分布定数線路の間に別のコ
ンデンサＣ2を設けこのコンデンサの接続位置と値を最
適化することにより基本波に対する整合を取る。ドレイ
ンバイアスはバイアス端子１３、１４によりインダクタ
ンスＬ3、Ｌ4を通り印加される。位相が反転した基本波
成分は、直流カット用のコンデンサＣ4、Ｃ5を経て出力
側の位相反転回路１５により電力合成され出力端子１６
に取りだされる。本回路において増幅素子７のドレイン
端子から負荷側を見たインピ−ダンスのシュミレ−ショ
ン結果を第５図に示す。コンデンサＣ1の値を３ｐＦ一
定とし、コンデンサＣ2の値を０から３ｐＦまで変化さ
せた場合の基本波周波数ｆ1、２次高調波周波数ｆ2、３
次高調波周波数ｆ3でのインピ−ダンス値をスミス図表
に示したものである。同図（ａ）はコンデンサＣ2をス
タブと同じ位置に挿入した場合であり、（ｂ）はコンデ
ンサＣ2をスタブの位置より約１０度ドレイン側に挿入
した場合である。ｆ2ではほぼ短絡、ｆ3ではほぼ開放と
なり基本波周波数ｆ1でのインピ−ダンスのみが変化し
ていることが分かる。
る。第一図は本発明による増幅器の実施例の構成図であ
る。入力端子１に加えられた信号は、位相反転回路２、
入力側整合回路３、４を経て一対の増幅素子７、８（Ｆ
ＥＴ：電界効果トランジスタ）のゲ−トに加えられ、ゲ
−トバイアスはバイアス端子５、６によりインダクタン
スＬ1、Ｌ2を通り印加される。各々のＦＥＴの出力端で
あるドレインに各々ストリップ線路構造の分布定数線路
９、１０を設け、前記各々の分布定数線路のドレイン端
から増幅すべき信号（基本波）の１／４波長（ｌ1）と
なるの所に基本波の１／４波長（ｌ2）の長さで一端を
コンデンサＣ3、Ｃ6で短絡したスタブ１１、１２を並列
に接続した。この短絡スタブは基本波や奇数次高調波に
対しては開放となり何ら影響しないが、偶数次高調波に
対しては線路との接続点において短絡となりドレイン端
で短絡となる。また、基本波の１／１２波長（ｌ3）の
所の各々の分布定数線路の間にコンデンサＣ1を接続し
ドレイン端で３次高調波に対して開放に近くなるように
している。更に、このコンデンサの接続位置と前記スタ
ブの接続位置との間の各々の分布定数線路の間に別のコ
ンデンサＣ2を設けこのコンデンサの接続位置と値を最
適化することにより基本波に対する整合を取る。ドレイ
ンバイアスはバイアス端子１３、１４によりインダクタ
ンスＬ3、Ｌ4を通り印加される。位相が反転した基本波
成分は、直流カット用のコンデンサＣ4、Ｃ5を経て出力
側の位相反転回路１５により電力合成され出力端子１６
に取りだされる。本回路において増幅素子７のドレイン
端子から負荷側を見たインピ−ダンスのシュミレ−ショ
ン結果を第５図に示す。コンデンサＣ1の値を３ｐＦ一
定とし、コンデンサＣ2の値を０から３ｐＦまで変化さ
せた場合の基本波周波数ｆ1、２次高調波周波数ｆ2、３
次高調波周波数ｆ3でのインピ−ダンス値をスミス図表
に示したものである。同図（ａ）はコンデンサＣ2をス
タブと同じ位置に挿入した場合であり、（ｂ）はコンデ
ンサＣ2をスタブの位置より約１０度ドレイン側に挿入
した場合である。ｆ2ではほぼ短絡、ｆ3ではほぼ開放と
なり基本波周波数ｆ1でのインピ−ダンスのみが変化し
ていることが分かる。
【００１３】本実施例は、偶数次高調波を短絡とするス
タブの位置をドレイン端子から１／４波長の所とした
が、１／４波長の線路を介さずドレイン端子に直接スタ
ブを接続しても同様の効果が期待できる。しかし、実際
には素子のドレイン端に直接スタブを接続することは出
来ず、ボンディングワイヤやボンディングパッドを通る
こととなり高周波ではドレイン端で正確に短絡状態を実
現することが困難になる。これに対し線路を介してスタ
ブを接続すれば、この線路長を適当に選び素子のドレイ
ン端までの電気長を１／４波長とすることにより正確に
短絡状態を実現することが出来る。
タブの位置をドレイン端子から１／４波長の所とした
が、１／４波長の線路を介さずドレイン端子に直接スタ
ブを接続しても同様の効果が期待できる。しかし、実際
には素子のドレイン端に直接スタブを接続することは出
来ず、ボンディングワイヤやボンディングパッドを通る
こととなり高周波ではドレイン端で正確に短絡状態を実
現することが困難になる。これに対し線路を介してスタ
ブを接続すれば、この線路長を適当に選び素子のドレイ
ン端までの電気長を１／４波長とすることにより正確に
短絡状態を実現することが出来る。
【００１４】第２図は本発明による増幅器の他の実施例
の構成図である。前記実施例のコンデンサＣ1の代わり
に基本波で並列共振を起こすＬ、Ｃの共振回路を用いた
もので、基本波に対しても影響を与えること無くドレイ
ン端で３次高調波に対して開放に近くなるように出来
る。
の構成図である。前記実施例のコンデンサＣ1の代わり
に基本波で並列共振を起こすＬ、Ｃの共振回路を用いた
もので、基本波に対しても影響を与えること無くドレイ
ン端で３次高調波に対して開放に近くなるように出来
る。
【００１５】第３図は本発明による増幅器の更に他の実
施例の構成図である。前記実施例の短絡スタブの代わり
に基本波で並列共振を起こすＬ、Ｃの共振回路を用い、
基本波に対しても影響を与えること無くドレイン端で偶
数次高調波に対して短絡、奇数次高調波に対して開放に
近くなるように出来ると共に共振回路の接続点と同じ位
置に設けたコンデンサＣ2により基本波に対するインピ
−ダンスを調整出来るようにしたものである。
施例の構成図である。前記実施例の短絡スタブの代わり
に基本波で並列共振を起こすＬ、Ｃの共振回路を用い、
基本波に対しても影響を与えること無くドレイン端で偶
数次高調波に対して短絡、奇数次高調波に対して開放に
近くなるように出来ると共に共振回路の接続点と同じ位
置に設けたコンデンサＣ2により基本波に対するインピ
−ダンスを調整出来るようにしたものである。
【００１６】
【発明の効果】本発明によれば、一対の増幅素子を互い
に逆位相で励振するプッシュプル形の増幅器において増
幅素子の出力側整合回路として偶数次高調波に対して短
絡に近い低インピ−ダンス、奇数次高調波に対して開放
に近い高インピ−ダンスの条件を満足しつつ基本波に対
して整合回路となる最適インピ−ダンス条件を容易に実
現することが出来、もって増幅器の高出力時の高効率化
に効果がある。
に逆位相で励振するプッシュプル形の増幅器において増
幅素子の出力側整合回路として偶数次高調波に対して短
絡に近い低インピ−ダンス、奇数次高調波に対して開放
に近い高インピ−ダンスの条件を満足しつつ基本波に対
して整合回路となる最適インピ−ダンス条件を容易に実
現することが出来、もって増幅器の高出力時の高効率化
に効果がある。
【図１】本発明による増幅器の実施例の構成図
【図２】本発明による増幅器の他の実施例の構成図
【図３】本発明による増幅器の他の実施例の構成図
【図４】プッシュプル動作における出力側の高周波電圧
波形を示す図
波形を示す図
【図５】本発明による増幅器の増幅素子のドレイン端か
ら見た負荷インピ−ダンスを示す図
ら見た負荷インピ−ダンスを示す図
【図６】従来知られている増幅器の基本回路の構成図と
増幅素子のドレイン電圧、電流波形を示す図
増幅素子のドレイン電圧、電流波形を示す図
【符号の説明】 １…入力端子、２…位相反転回路Ｉ、３…整合回路Ｉ、
４…整合回路II、５…ゲ−トバイアス端子Ｉ、６…ゲ−
トバイアス端子II、７…増幅素子Ｉ、８…増幅素子II、
９…分布定数線路Ｉ、１０…分布定数線路II、１１…ス
タブＩ、１２…スタブII、１３…ドレインバイアス端子
Ｉ、１４…ドレインバイアス端子II、１５…位相反転回
路II、１６…出力端子、１７…共振回路、１８…共振回
路Ｉ、１９…共振回路II。
４…整合回路II、５…ゲ−トバイアス端子Ｉ、６…ゲ−
トバイアス端子II、７…増幅素子Ｉ、８…増幅素子II、
９…分布定数線路Ｉ、１０…分布定数線路II、１１…ス
タブＩ、１２…スタブII、１３…ドレインバイアス端子
Ｉ、１４…ドレインバイアス端子II、１５…位相反転回
路II、１６…出力端子、１７…共振回路、１８…共振回
路Ｉ、１９…共振回路II。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 船木 治彦 東京都千代田区神田駿河台四丁目６番地 株式会社日立製作所内 (72)発明者 増田 信雄 東京都千代田区岩本町２丁目12番５号 株式会社宇宙通信基礎技術研究所内 (72)発明者 磯 彰夫 東京都千代田区岩本町２丁目12番５号 株式会社宇宙通信基礎技術研究所内 (56)参考文献 特開 昭60−178710（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−204209（ＪＰ，Ａ) 実開 昭62−21617（ＪＰ，Ｕ)
Claims (4)
- 【請求項１】一対の増幅素子と、その増幅素子の入力側
に各々の増幅素子を逆位相で励振するための位相反転形
の分配回路と、出力側に同じく位相反転形の合成回路と
を設けた高周波電力増幅器であって、各々の増幅素子の
出力側に設けた伝送線路の増幅素子の出力端から基本波
の１／４波長の整数倍の位置に基本波の２倍の周波数で
短絡となるスタブを設けると共に、各々の増幅素子の出
力側に設けた伝送線路の増幅素子の出力端から基本波の
３倍の周波数で１／４波長となる位置の線路間に第１の
コンデンサを設け、その第１のコンデンサとスタブとの
間に第２のコンデンサを設けたことを特徴とする高周波
電力増幅器。 - 【請求項２】一対の増幅素子と、その増幅素子の入力側
に各々の増幅素子を逆位相で励振するための位相反転形
の分配回路と、出力側に同じく位相反転形の合成回路と
を設けた高周波電力増幅器であって、各々の増幅素子の
出力側に設けた伝送線路の増幅素子の出力端から基本波
の１／４波長の整数倍の位置に基本波の２倍の周波数で
短絡となるスタブを設けると共に、各々の増幅素子の出
力側に設けた伝送線路の増幅素子の出力端から基本波の
３倍の周波数で１／４波長となる位置の線路間に基本波
で並列共振を起こす共振回路を設け、その共振回路とス
タブとの間にコンデンサを設けたことを特徴とする高周
波電力増幅器。 - 【請求項３】一対の増幅素子と、増幅されるべき信号
を、互いに逆位相で上記各増幅素子に入力する分配回路
と、上記各増幅素子の出力端にその一端がそれぞれ接続
された一対の伝送線路と、上記各増幅素子の出力信号中
の基本波の１／４波長の整数倍に相当する距離だけ上記
各増幅素子の出力端から離れた位置において上記各伝送
線路に各々接続され、上記基本波の周波数の２倍の周波
数で短絡となる一対のスタブと、上記基本波の１／１２
波長に相当する距離だけ上記増幅素子の出力端から離れ
た位置において上記各伝送線路の間に設けられた第１の
コンデンサと、上記第１のコンデンサが設けられた位置
と、上記スタブが接続された位置との間の位置において
上記各伝送線路の間に設けられた第２のコンデンサと、 上記各伝送線路の他端から出力される各信号を同位相で
合成する位相反転型の合成回路と、を有することを特徴
とする高周波電力増幅器。 - 【請求項４】一対の増幅素子と、 増幅されるべき信号を、互いに逆位相で上記各増幅素子
に入力する分配回路と、 上記各増幅素子の出力端にその一端がそれぞれ接続され
た一対の伝送線路と、 上記各増幅素子の出力信号中の基本波の１／４波長の整
数倍に相当する距離だけ上記各増幅素子の出力端から離
れた位置において上記各伝送線路に各々接続され、上記
基本波の周波数の２倍の周波数で短絡となる一対のスタ
ブと、 上記基本波の１／１２波長に相当する距離だけ上記増幅
素子の出力端から離れた位置において上記各伝送線路の
間に設けられた上記基本波の周波数で並列共振を生じる
共振回路と、 上記共振回路が設けられた位置と、上記スタブが接続さ
れた位置との間の位置において上記各伝送線路の間に設
けられたコンデンサと、 上記各伝送線路の他端から出力される各信号を同位相で
合成する合成回路と、を有することを特徴とする高周波
電力増幅器。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3179213A JP2529038B2 (ja) | 1991-07-19 | 1991-07-19 | 高周波高効率電力増幅器 |
| US07/914,408 US5274341A (en) | 1991-07-19 | 1992-07-17 | High-frequency power amplifier |
| CA002074126A CA2074126C (en) | 1991-07-19 | 1992-07-17 | High-frequency power amplifier |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3179213A JP2529038B2 (ja) | 1991-07-19 | 1991-07-19 | 高周波高効率電力増幅器 |
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